JP7337989B1 - 液供給ユニット及び液供給方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の実施例は、液供給ユニットを提供する。【解決手段】このために一実施例で液供給ユニットは、ノズルと、ノズルで処理液を供給する液供給管と、液供給管に設置されて処理液内の不純物を除去する不純物除去ユニットを含み、不純物除去ユニットは、処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成する測定部と、処理液に振動を加える振動部と、振動が加えられた処理液内の不純物を吸着する捕捉部と、そして、測定部と振動部を制御する制御部を含み、制御部は、不純物データが基準データ範囲を超過する場合振動部を作動させることができる。【選択図】図５
Description
本発明は、液を供給する液供給ユニットとこれを利用して液を供給する方法に関するものである。
半導体素子または液晶ディスプレイを製造するために、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄などの多様な工程らが遂行される。このうち写真、蝕刻、アッシング、そして、洗浄工程には基板上に液を供給する液処理工程を実施する。
一般に、液処理工程はノズルから処理液を吐出して基板を液処理する工程である。液処理工程で処理液を基板に供給する時に、処理液を供給する液供給管、液保存槽、ノズルなどで不純物が発生して基板に流入される。これに、液供給管にフィルターを設置して不純物を除去する。
しかし、フィルターで欠かすことができる不純物の大きさには限界があって、微細な不純物フィルターで濾過されないで基板に供給される問題がある。
本発明は、液供給管内に不純物を除去することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは、下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の実施例は、液供給ユニットを提供する。一実施例で液供給ユニットは、ノズルと、ノズルで処理液を供給する液供給管と、液供給管に設置されて処理液内の不純物を除去する不純物除去ユニットを含み、不純物除去ユニットは、処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成する測定部と、処理液に振動を加える振動部と、振動が加えられた処理液内の不純物を吸着する捕捉部と、そして、測定部と振動部を制御する制御部を含み、制御部は、不純物データが基準データ範囲を超過する場合振動部を作動させることができる。
一実施例で、制御部は、測定部で測定された不純物の特性を基盤に振動部の振動周波数を決めることができる。
一実施例で、振動周波数は、処理液内の不純物が処理液内のバブルに吸着される周波数であることができる。
一実施例で、振動周波数は、複数の周波数が重畳されて提供されることができる。
一実施例で、測定部と振動部は隣接するように提供されることができる。
一実施例で、振動部と捕捉部は隣接するように提供されることができる。
一実施例で、測定部は、不純物の状態を撮影して不純物データを形成する撮像部材を含むことができる。
一実施例で、測定部は、液供給管内の処理液の流れ方向と垂直な面にメッシュ形態で提供されるワイヤーメッシュを含み、ワイヤーメッシュはワイヤーメッシュ上の電気伝導度を測定して不純物データを形成することができる。
一実施例で、測定部は、液供給管内の不純物の移動速度を測定して不純物データを形成する速度測定機を含むことができる。
一実施例で、振動部は、コイルモータ、磁歪アクチュエーター、圧電素子のうちで何れか一つを含むことができる。
一実施例で、捕捉部は、多孔性材質で提供されることができる。
一実施例で、捕捉部は、電気場発生装置で提供されることができる。
一実施例で、捕捉部は、液供給管上部に連結される捕集管と、捕集管内に陰圧を提供する減圧部材をさらに含み、制御部は、不純物データが基準データ範囲を超過する場合振動部及び減圧部材を作動させることができる。
一実施例で、不純物の特性は、不純物の有無、不純物の大きさ、不純物の処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。
また、本発明は、液供給方法を提供する。一実施例で、基板上に処理液を供給して基板を処理するが、処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成して不純物データが基準データ範囲を超過する場合、処理液に振動を印加して処理液内の不純物と処理液内のバブルを吸着させ、以後に処理液が基板に供給される前に処理液内でバブルに吸着された不純物を捕捉することができる。
一実施例で、処理液に加えられる振動周波数は不純物が処理液内のバブルに吸着される周波数であることがある。
一実施例で、処理液に加えられる振動周波数は複数の周波数が重畳されて提供されることができる。
一実施例で、不純物の特性は、不純物の有無、不純物の大きさ、不純物の処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。
また、本発明は、液供給ユニットを利用した液供給方法を提供する。一実施例で、液供給ユニットを利用して基板上に処理液を供給して基板を処理するが、測定部が処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成して不純物データが基準データ範囲を超過する場合、振動部が処理液に振動を印加して処理液内の不純物と処理液内のバブルを吸着させ、以後に処理液が基板に供給される前に捕捉部が処理液内でバブルに吸着された不純物を捕捉するが、処理液に加えられる振動周波数は不純物が処理液内のバブルに吸着される周波数であり、不純物の特性は、不純物の有無、不純物の大きさ、不純物の処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。
一実施例で、処理液は感光液を含むことができる。
本発明の一実施例によれば、液供給管内に不純物を除去することができる利点がある。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らで限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図であり、図２は図１の塗布ブロックまたは現象ブロックを見せてくれる基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール（index module)２０、処理モジュール（treating module)３０、そして、インターフェースモジュールinterface module)４０を含む。一実施例によって、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０は順次に一列で配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といって、第１方向１２及び第２方向１４にすべて垂直な方向を第３方向１６という。
インデックスモジュール２０は基板(W)が収納された容器１０から基板(W)を処理モジュール３０に返送し、処理が完了された基板(W)を容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準にロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板(W)らが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。
ロードポート２２は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート２２は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器１０では前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)のような密閉用容器１０が使用されることがある。容器１０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または、自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート２２に置かれることがある。
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板(W)が置かれるハンド２２２０を含んで、ハンド２２２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３０は基板(W)に対して塗布工程及び現象工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０a及び現象ブロック３０bを有する。塗布ブロック３０aは基板(W)に対して塗布工程を遂行し、現象ブロック３０bは基板(W)に対して現象工程を遂行する。塗布ブロック３０aは複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供される。現象ブロック３０bは複数個が提供され、現象ブロックら３０bはお互いに積層されるように提供される。図１の実施例によれば、塗布ブロック３０aは２個が提供され、現象ブロック３０bは２個が提供される。塗布ブロックら３０aは現象ブロックら３０bの下に配置されることができる。一例によれば、２個の塗布ブロックら３０aはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。また、２個の現象ブロックら３０bはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。
図３を参照すれば、塗布ブロック３０aは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、液処理チャンバ３６００、そして、バッファーチャンバ３８００を有する。熱処理チャンバ３２００は基板(W)に対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバ３６００は基板(W)上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜、または反射防止膜であることができる。返送チャンバ３４００は塗布ブロック３０a内で熱処理チャンバ３２００と液処理チャンバ３６００との間に基板(W)を返送する。
返送チャンバ３４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。返送チャンバ３４００には返送ロボット３４２２が提供される。返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００、液処理チャンバ３６００、そして、バッファーチャンバ３８００の間に基板を返送する。一例によれば、返送ロボット３４２２は基板(W)が置かれるハンド３４２０を有して、ハンド３４２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。返送チャンバ３４００内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、返送ロボット３４２２はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
熱処理チャンバ３２０２は複数個で提供される。熱処理チャンバら３２０２は第１方向１２に沿って羅列されるように配置される。熱処理チャンバら３２０２は返送チャンバ３４００の一側に位置される。
液処理チャンバ３６００は複数個で提供される。液処理チャンバら３６００のうちで一部はお互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバら３６００は返送チャンバ３４０２の一側に配置される。液処理チャンバら３６００は第１方向１２に沿って並んで配列される。液処理チャンバら３６００のうちで一部は、インデックスモジュール２０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを前端液処理チャンバ３６０２(front liquid treating chamber)と称する。液処理チャンバら３６００のうちで他の一部は、インターフェースモジュール４０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを後端液処理チャンバ３６０４(rear heat treating chamber)と称する。
前端液処理チャンバ３６０２は基板(W)上に第１液を塗布し、後端液処理チャンバ３６０４は基板(W)上に第２液を塗布する。第１液と第２液はお互いに相異な種類の液であることがある。一実施例によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であることができる。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液と第２液は等しい種類の液であり、これらはすべてフォトレジストであることができる。
図４は、図３の液処理チャンバの一例を概略的に見せてくれる図面である。図４を参照すれば、液処理チャンバ３６００はハウジング３６１０、コップ３６２０、基板支持ユニット３６４０、そして、ノズル１１００を有する。ハウジング３６１０は概して直方体の形状で提供される。ハウジング３６１０の側壁には基板(W)が出入りされる搬入口(図示せず)が形成される。搬入口はドア(図示せず)によって開閉されることができる。コップ３６２０、支持ユニット３６４０、そして、ノズル１１００はハウジング３６１０内に提供される。ハウジング３６１０の上壁にはハウジング３２６０内に下降気流を形成するファンフィルターユニット３６７０が提供されることができる。コップ３６２０は上部が開放された処理空間を有する。基板支持ユニット３６４０は処理空間内に配置され、基板(W)を支持する。基板支持ユニット３６４０は液処理途中に基板(W)が回転可能になるように提供される。ノズル１１００は基板支持ユニット３６４０に支持された基板(W)に処理液を供給する。一例で、処理液は感光液を含む。
図５は、本発明の一実施例による液供給ユニット５００の姿を見せてくれる図面である。以下、液供給ユニット５００は、液処理チャンバ３６０２、３６０４内のノズル１１００に処理液を供給することで説明する。
本発明による液供給ユニット５００は基板に処理液を供給するために使用されることができる。ここで、基板はシリコンウェハーのような半導体装置用半導体基板を含む。しかし、基板は半導体装置用基板に限定されるものではなくて、硝子材質または、石英材質でなされた大面積の平板型基板として平面ディスプレイ装置に具備されるディスプレイパネル製造用基板であることがある。
図５を参照すれば、本発明による液供給ユニット５００は保存容器５１０、トラップタンク５２０、ポンプ、フィルター５４０、サックバックバルブ、フローメートル、そして、不純物除去ユニット６００を含む。
保存容器５１０には処理液が保存される。一例で、処理液は感光液である。例えば、処理液はフォトレジストである。一例で、保存容器５１０はボトル(bottle、瓶)形態で提供されることができる。一例で、保存容器５１０は２個が提供されることができる。各保存容器５１０は連結ライン５１４で連結される。保存容器５１０上部には保存容器５１０からトラップタンク５２０に供給される処理液の供給如何と供給流量を調節する第１バルブ５１２が提供されることができる。保存容器５１０は所定の圧力で窒素（N２)ガスを供給するためのガス供給源(図示せず)と連結されることができる。例えば。保存容器５１０は密閉可能な構造を有して、ガス供給源(図示せず)から窒素(N２)ガスが移送されるガス供給ラインが着脱可能に連結される。これによって、保存容器５１０に保存されている処理液は密閉された環境の容器上側部位に窒素(N２)ガスが供給されることによって、窒素(N２)ガスの供給圧力によって表面部位が加圧されることによって、第１供給ライン５１６に処理液が移動する構造を有するようになる。
トラップタンク５２０には第１供給ライン５１６を通じて提供を受けたフォトレジストが保存され、一側には水位感知センサー(図示せず)らが設置されてフォトレジストの水位を感知して適正水位までフォトレジストが継続的に充填されるようにする。トラップタンク５２０の上端には第１ドレインライン５７２が連結されてトラップタンク５２０の上端に集められる気泡を除去するか、またはフォトレジストの性質変化に対応して手動的にフォトレジストをドレインさせる。第１ドレインライン５７２には第１ドレインライン５７２にドレインされる気泡または処理液の流量を調節するドレインバルブ５７０が設置される。
トラップタンク５２０は第２供給ライン５２２を通じて吸入ポンプ５３０と連結される。吸入ポンプ５３０はトラップタンク５２０内のフォトレジストを吸いこんで吐出ポンプ５３５に伝達する。一例で、吸入ポンプ５３０は往復式ポンプ中の一つであるダイヤフラムポンプ(Diaphragm Pump)で提供されることができる。フィルター５４０は吸入ポンプ５３０と吐出ポンプ５３５を引き継ぐ第３供給ライン５３２に設置される。フィルター５４０は吸入ポンプ５３０から吐出ポンプ５３５に供給される処理液内の不純物を濾過する。また、フィルター５４０にはフィルター５４０内部に充填される気泡を排出できるように第２ドレインライン５４２が連結されることができる。一例で、第２ドレインライン５４２はフィルター５４０の上側領域に連結される。
吐出ポンプ５３５は液供給ライン５５２によってノズル１１００と連結される。液供給ライン５５２にはサックバックバルブ５５０と流量計５６０が設置される。サックバックバルブ５５０はノズル１１００に供給される処理液が逆流することを防止する。流量計５６０はノズル１１００に供給される処理液の流量を調節する。
本発明の不純物除去ユニット６００は、以上敍述した吸入ポンプ５３０、吐出ポンプ５３５、フィルター５４０、バルブ、流量計５６０などの構成の前端または後端に提供されることができる。一例で、本発明の不純物除去ユニット６００は液供給ライン５５２にノズル１１００と隣接した位置に提供されることができる。以下、不純物除去ユニット６００は液供給ライン５５２の配管に提供される液供給管５５５に提供されることで説明する。
以下、図６乃至図１３を参照して本願発明の不純物(Ｐ)除去ユニット６００に対して説明する。
図６乃至図７参照すると、不純物(Ｐ)除去ユニット６００は、測定部６１０、振動部６３０、捕捉部６４０、そして、制御部６２０を含む。測定部６１０は処理液内の不純物(Ｐ)の特性を測定して不純物(Ｐ)データを形成する。一例で、不純物(Ｐ)の特性は、不純物(Ｐ)の有無、不純物(Ｐ)の大きさ、不純物(Ｐ)の処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つであることができる。一例で、測定部６１０は撮像部材で提供されることができる。撮像部材は、不純物(Ｐ)の状態を撮影して不純物(Ｐ)データを形成する。一例で、撮像部材は、図８に示されたように液供給管５５５内の不純物(Ｐ)を可視化して不純物(Ｐ)データを形成する。例えば、撮像部材は不純物(Ｐ)の大きさと量を測定する。また、撮像部材は不純物(Ｐ)と処理液内に存在するバブル(Ｂ)との間の吸着率程度を測定することができる。
一例で、測定部６１０は図９に示されたようにワイヤーメッシュ６１３で提供されることができる。ワイヤーメッシュ６１３は液供給管５５５内の処理液の流れ方向と垂直な面にメッシュ形態で提供される。ワイヤーメッシュ６１３はワイヤーメッシュ６１３上の電気伝導度を測定して不純物(Ｐ)データを形成する。例えば、ワイヤーメッシュ６１３はワイヤーメッシュ６１３上の電気伝導度を継続的に測定する。ワイヤーメッシュ６１３上に不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)が付着される領域は、不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)が付着されない領域に比べて電気伝導度が低くなる。これに、ワイヤーメッシュ６１３は不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)の付着如何や不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)の大きさと単位面積当たり不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)の量を測定することができる。
一例で、測定部６１０は速度測定機で提供されることができる。速度測定機は液供給管５５５内の不純物(Ｐ)の移動速度を測定して不純物(Ｐ)データを形成する。例えば、測定機はカメラ、レーザーなどを利用して液供給管５５５内の不純物(Ｐ)を視覚化する光学的方法によって不純物(Ｐ)の移動速度を測定することができる。選択的に、測定機はドップラーの速度測定装置で提供されることができる。
振動部６３０は処理液に振動を加える。捕捉部６４０は振動が加えられた処理液内の不純物(Ｐ)を吸着する。制御部６２０は測定部６１０と振動部６３０を制御する。一例で、制御部６２０は、不純物(Ｐ)データが基準データ範囲を超過する場合振動部６３０を作動させる。例えば、制御部６２０は測定部６１０が形成した不純物(Ｐ)データと制御部６２０に保存された基準データ範囲を比べる。処理液を液供給ユニット５００に供給する前に制御部６２０には基準データ範囲が入力される。例えば、基準データ範囲とは、液供給管５５５内に存在する不純物(Ｐ)の量、不純物(Ｐ)の大きさ、処理液内の不純物(Ｐ)の密度などが許容可能な範囲内である数値である。振動部６３０によって振動が加えられる領域で液供給管５５５の直径は振動が加えられない領域で液供給管５５５の直径より大きく提供されることができる。一例で、振動部６３０は液供給管５５５外部に設置されることができる。例えば、図７に図されたように、液供給管５５５を囲むボディー６３２によって振動部に提供される振動発生装置が液供給管５５５に付着されることができる。選択的に、振動部６３０は液供給管５５５内に提供されることができる。
一例で、振動部６３０の振動周波数は、測定部６１０で測定された不純物(Ｐ)の特性を基盤で決まる。例えば、振動周波数は処理液内の不純物(Ｐ)が処理液内のバブル(Ｂ)に吸着される周波数であることができる。一例で、振動周波数は処理液内で追加的にバブル(Ｂ)を発生させないが、処理液内に既に存在していたバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)が吸着される振動数で提供されることができる。一例で、振動周波数は複数の周波数が重畳されて提供されることができる。一例で、振動周波数は処理液の種類、処理液の温度、処理液の流速、処理液内の電荷の性格または電荷量液供給管５５５の材質、不純物(Ｐ)の大きさ、不純物(Ｐ)の種類などによって決まることができる。このような性質データは処理液を液供給ユニット５００に供給する前に制御部６２０に入力されている。
処理液に振動を加えれば、処理液内でバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)との間にはビヤークネス力(Bjerknes Force)と抗力(Drag Force)が作用する。振動によるビヤークネス力が抗力より大きい時バブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)が吸着される。このようなビヤークネス力は上述した性質データごとに相異である。これによって性質データによってバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)を吸着させるための振動数が相異である。不純物(Ｐ)またはバブル(Ｂ)の種類と大きさなど処理液内に存在する不純物(Ｐ)とバブル(Ｂ)との性質データは単一犬ではないことがある。これに、図１０に示されたように振動周波数は複数の周波数で提供されることができる。例えば、(a)乃至(d)の振動数によってバブル(Ｂ)に吸着される不純物(Ｐ)が処理液内に存在する場合(a)乃至(d)の振動数を有する波動を重畳させ、(e)の振動数を有する波動を提供することができる。選択的に、振動周波数は単一の周波数で提供されることができる。
一例で、不純物(Ｐ)の大きさが小さくて処理液内で不純物(Ｐ)の密度が大きくて処理液の密度が低いほど高い振動数が必要である。一例で、測定部６１０と振動部６３０は隣接した領域に提供されることができる。選択的に、振動部６３０は複数領域に提供されることができる。
一例で、振動部６３０は、コイルモータ、磁歪アクチュエーター、圧電素子のうちで何れか一つを含むことができる。一例で、コイルモータは液供給管５５５に設置される永久磁石とコイルを利用して処理液に振動を加える。磁歪アクチュエーターは交流磁場が印加される時に機械的変形を起こすビビリ板を含む。一例で、ビビリ板を液供給管５５５に付着して処理液に振動を加える。圧電素子は、電圧が加えられる場合機械的変形を起こして処理液に振動を加える。一例で、液供給管５５５に圧電素子を付着して処理液に振動を加える。選択的に振動部６３０は、コイルモータ、磁歪アクチュエーター、圧電素子のうちで何れか一つが媒介体に振動を発生させ、媒介体が液供給管５５５に振動を伝達する形態で提供されることができる。
捕捉部６４０は振動部６３０によって振動が加えられた処理液内の不純物(Ｐ)とバブル(Ｂ)が一領域に捕捉されるようにする。一例で、処理液の流れと同じ方向に振動部６３０と捕捉部６４０が順次に提供される。選択的に振動部６３０と捕捉部６４０は液供給管５５５の同一な領域に提供されることができる。
一例で、図７に示されたように捕捉部６４０は多孔性材質で提供されることができる。一例で、捕捉部６４０は液供給管５５５内の処理液の流れ方向と垂直な面に提供されることができる。多孔性材質に形成されるホールはバブル(Ｂ)が通過することができない大きさで提供される。これに、バブル(Ｂ)とバブル(Ｂ)に吸着された不純物(Ｐ)は捕捉部６４０に捕捉されて捕捉部６４０を経つ処理液はきれいな状態になる。
一例で、図１１に示されたように捕捉部６４０は、液供給管５５５上部に連結される捕執管６４４と捕執管６４４内に陰圧を提供する減圧部材６４２を含むことができる。一例で、捕執管６４４は液供給管５５５上部で空の空間を形成する。制御部６２０は、不純物(Ｐ)データが基準データ範囲を超過する場合振動部６３０及び減圧部材６４２を作動させて捕執管６４４を通じてバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)が液供給管５５５から抜け出ることができるようにする。一例で、捕捉部６４０は減圧部材６４２から減圧の伝達を受ける膜６４１を有することができる。
一例で、捕捉部６４０は電気場発生装置で提供されることができる。電気場発生装置は静電気的引力でバブル(Ｂ)を吸着する。
選択的に、捕捉部６４０は多孔性材質で提供されるが、図１２に示されたように捕捉部６４０は処理液の移動方向と水平な面に提供される。これに、捕捉部６４０の表面積を広く提供することができる。選択的に、捕捉部６４０は多孔性材質で提供されるが、処理液の移動方向と垂直するように提供される。例えば、図１３に示されたように捕捉部６４０に向けて流れる処理液の方向と捕捉部６４０を経つ処理液の方向は相異に提供される。これに、捕捉部６４０にバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)が効果的に捕捉されることができる。
図１４は、本発明の液供給ユニット５００を利用して液を供給する方法の順序図を示す。液供給管５５５に処理液が供給されれば、上述したように測定部６１０は処理液内の不純物(Ｐ)の特性を測定する。測定部６１０が不純物(Ｐ)の特性を基盤で不純物(Ｐ)データを形成する。制御部６２０は不純物(Ｐ)データを基盤で処理液内の不純物(Ｐ)データが基準データ範囲内であるかの如何を判断する。仮に、基準データ範囲内なら振動部６３０と吸着部は作動されないで、測定部６１０は継続的に処理液内の不純物(Ｐ)の特性を測定する。
仮に、不純物(Ｐ)データが基準データ範囲の外なら制御部６２０は、振動部６３０にとって振動を発生させる。吸着部が多孔性材質で提供される場合別に吸着部を作動させる必要はない。仮に、吸着部が電気場発生装置または減圧部材６４２を含む場合制御部６２０は振動部６３０を作動させる時に吸着部も共に作動させる。制御部６２０は振動部６３０にとって振動を発生させる前に振動部６３０の振動周波数を決める。前述したように振動周波数は、不純物(Ｐ)の特性を基盤に制御部６２０に入力された性質データによって決まる。
一例で、振動部６３０と捕捉部６４０は隣接するように提供されることができる。一例で、図７に示されたように測定部６１０、振動部６３０、そして、捕捉部６４０が隣接するように提供されることができる。例えば、処理液が流れる方向を基準で、測定部６１０と振動部６３０が順次に提供されることができる。選択的に、測定部６１０の測定領域に振動部６３０が提供されることができる。
本発明によれば、処理液内のバブル(Ｂ)と不純物(Ｐ)を同時に除去することができる利点がある。
本発明によれば、処理液内でバブル(Ｂ)は発生させないが、不純物(Ｐ)を除去することができる利点がある。
本発明によれば、処理液内の不純物(Ｐ)の特性を把握して不純物(Ｐ)の特性によって不純物(Ｐ)とバブル(Ｂ)が吸着される周波数で振動を発生させ、不純物(Ｐ)とバブル(Ｂ)の吸着度を高めることができる利点がある。
前述した例では、液供給ユニット５００は感光液を供給するユニットで説明した。しかし、これと異なり、液供給ユニット５００は液を供給するための洗浄装置、ディスプレイ装置、エッチャー装置など他の装置にも利用されることができる。
再び、図２及び図３を参照すれば、バッファーチャンバ３８００は複数個で提供される。バッファーチャンバら３８００のうちで一部は、インデックスモジュール２０と返送チャンバ３４００との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを前端バッファー(front buffer)３８０２と称する。前端バッファーら３８０２は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。バッファーチャンバら３８０２、３８０４のうちで他の一部は返送チャンバ３４００とインターフェースモジュール４０との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを後端バッファー(rear buffer)３８０４と称する。後端バッファーら３８０４は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。前端バッファーら３８０２及び後端バッファーら３８０４それぞれは複数の基板ら(W)を一時的に保管する。前端バッファー３８０２に保管された基板(W)はインデックスロボット２２００及び返送ロボット３４２２によって搬入または搬出される。後端バッファー３８０４に保管された基板(W)は返送ロボット３４２２及び第１ロボット４６０２によって搬入または搬出される。
現象ブロック３０bは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、そして、液処理チャンバ３６００を有する。現象ブロック３０bの熱処理チャンバ３２００、そして、返送チャンバ３４００は塗布ブロック３０aの熱処理チャンバ３２００、そして、返送チャンバ３４００と概して類似な構造及び配置で提供されるので、これに対する説明は略する。現象ブロック３０bで液処理チャンバら３６００はすべて等しく現像液を供給して基板を現象処理する現象チャンバ３６００で提供される。
インターフェースモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェースモジュール４０はインターフェースフレーム４１００、付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして、返送部材４６００を有する。
インターフェースフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして、返送部材４６００はインターフェースフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバ４２００は塗布ブロック３０aで工程が完了された基板(W)が露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に付加工程チャンバ４２００は露光装置５０で工程が完了された基板(W)が現象ブロック３０bに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一例によれば、付加工程は基板(W)のエッジ領域を露光するエッジ露光工程、または、基板(W)の上面を洗浄する上面洗浄工程、または、基板(W)の下面を洗浄する下面洗浄工程であることがある。付加工程チャンバ４２００は複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバ４２００はすべて同一な工程を遂行できるように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバ４２００らのうちで一部はお互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
インターフェースバッファー４４００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして、現象ブロック３０bの間に返送される基板(W)が返送途中に一時的にとどまる空間を提供する。インターフェースバッファー４４００は複数個が提供され、複数のインターフェースバッファーら４４００はお互いに積層されるように提供されることができる。
一例によれば、返送チャンバ３４００の長さ方向の延長線を基準で一側面には付加工程チャンバ４２００が配置され、他の側面にはインターフェースバッファー４４００が配置されることができる。
返送部材４６００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして、現象ブロック３０bの間に基板(W)を返送する。返送部材４６００は１個または複数個のロボットで提供されることができる。一例によれば、返送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、そして、インターフェースバッファー４４００の間に基板(W)を返送し、インターフェースロボット４６０６はインターフェースバッファー４４００と露光装置５０との間に基板(W)を返送し、第２ロボット４６０４はインターフェースバッファー４４００と現象ブロック３０bとの間に基板(W)を返送するように提供されることができる。
第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６はそれぞれ基板(W)が置かれるハンドを含んで、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６に平行な軸を基準とした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
インデックスロボット２２００、第１ロボット４６０２、そして、第２ロボット４６０６のハンドはすべて返送ロボット３４２２のハンド３４２０と同一な形状で提供されることができる。選択的に熱処理チャンバの返送プレート３２４０と直接基板(W)を取り交わすロボットのハンドは、返送ロボット３４２２のハンド３４２０と同一な形状で提供され、残りロボットのハンドはこれと相異な形状で提供されることができる。
一実施例によれば、インデックスロボット２２００は塗布ブロック３０aに提供された前端熱処理チャンバ３２００の加熱ユニット３２３０と直接基板(W)を取り交わすことができるように提供される。
また、塗布ブロック３０a及び現象ブロック３０bに提供された返送ロボット３４２２は、熱処理チャンバ３２００に位置された返送プレート３２４０と直接基板(W)を取り交わすことができるように提供されることができる。
次には、上述した基板処理装置１を利用して基板を処理する方法の一実施例に対して説明する。基板(W)に対して塗布処理工程(Ｓ２０)、エッジ露光工程(Ｓ４０)、露光工程(Ｓ６０)、そして、現象処理工程(Ｓ８０)が順次に遂行される。
塗布処理工程(Ｓ２０)は熱処理チャンバ３２００で熱処理工程(Ｓ２１)、前端液処理チャンバ３６０２で反射防止膜塗布工程(Ｓ２２)、熱処理チャンバ３２００で熱処理工程(Ｓ２３)、後端液処理チャンバ３６０４でフォトレジスト膜塗布工程(Ｓ２４)、そして、熱処理チャンバ３２００で熱処理工程(Ｓ２５)が順次になされることで遂行される。
以下、容器１０で露光装置５０まで基板(W)の返送経路の一例を説明する。インデックスロボット２２００は基板(W)を容器１０から取り出して前端バッファー３８０２に返送する。返送ロボット３４２２は前端バッファー３８０２に保管された基板(W)を前端熱処理チャンバ３２００に返送する。基板(W)は返送プレート３２４０によって加熱ユニット３２３０に基板(W)を返送する。加熱ユニット３２３０で基板の加熱工程が完了すれば、返送プレート３２４０は基板を冷却ユニット３２２０に返送する。返送プレート３２４０は基板(W)を支持した状態で、冷却ユニット３２２０に接触されて基板(W)の冷却工程を遂行する。冷却工程が完了すれば、返送プレート３２４０が冷却ユニット３２２０の上部に移動され、返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００から基板(W)を搬出して前端液処理チャンバ３６０２に返送する。
前端液処理チャンバ３６０２で基板(W)上に反射防止膜を塗布する。
返送ロボット３４２２が前端液処理チャンバ３６０２から基板(W)を搬出して熱処理チャンバ３２００に基板(W)を搬入する。熱処理チャンバ３２００には上述した加熱工程及び冷却工程が順次に進行され、各熱処理工程が完了すれば、返送ロボット３４２２は基板(W)を搬出して後端液処理チャンバ３６０４に返送する。
以後、後端液処理チャンバ３６０４で基板(W)上にフォトレジスト膜を塗布する。返送ロボット３４２２が後端液処理チャンバ３６０４から基板(W)を搬出して熱処理チャンバ３２００に基板(W)を搬入する。熱処理チャンバ３２００には上述した加熱工程及び冷却工程が順次に進行され、各熱処理工程が完了すれば、返送ロボット３４２２は基板(W)を後端バッファー３８０４に返送する。インターフェースモジュール４０の第１ロボット４６０２が後端バッファー３８０４から基板(W)を搬出して補助工程チャンバ４２００に返送する。
補助工程チャンバ４２００で基板(W)に対してエッジ露光工程が遂行される。
以後、第１ロボット４６０２が補助工程チャンバ４２００から基板(W)を搬出してインターフェースバッファー４４００に基板(W)を返送する。以後、第２ロボット４６０６はインターフェースバッファー４４００から基板(W)を搬出して露光装置５０に返送する。現象処理工程(Ｓ８０)は熱処理チャンバ３２００で熱処理工程(Ｓ８１)、液処理チャンバ３６００で現象工程(Ｓ８２)、そして、熱処理チャンバ３２００で熱処理工程(Ｓ８３)が順次になされることで遂行される。
以下、露光装置５０から容器１０まで基板(W)の返送経路の一例を説明する。
第２ロボット４６０６が露光装置５０から基板(W)を搬出してインターフェースバッファー４４００に基板(W)を返送する。以後、第１ロボット４６０２がインターフェースバッファー４４００から基板(W)を搬出して後端バッファー３８０４に基板(W)を返送する。返送ロボット３４２２は後端バッファー３８０４から基板(W)を搬出して熱処理チャンバ３２００に基板(W)を返送する。熱処理チャンバ３２００には基板(W)の加熱工程及び冷却工程が順次に遂行する。冷却工程が完了すれば、基板(W)は返送ロボット３４２２によって現象チャンバ３６００に返送する。現象チャンバ３６００には基板(W)上に現像液を供給して現象工程を遂行する。
基板(W)は返送ロボット３４２２によって現象チャンバ３６００から搬出されて熱処理チャンバ３２００に搬入される。基板(W)は熱処理チャンバ３２００で加熱工程及び冷却工程が順次に遂行される。冷却工程が完了すれば、基板(W)は返送ロボット３４２２によって熱処理チャンバ３２００から基板(W)を搬出して前端バッファー３８０２に返送する。
以後、インデックスロボット２２００が前端バッファー３８０２から基板(W)を取り出して容器１０に返送する。
前述した基板処理装置１の処理ブロックは、塗布処理工程と現象処理工程を遂行することで説明した。しかし、これと異なり、基板処理装置１はインターフェースモジュールなしにインデックスモジュール２０と処理ブロック３７のみを具備することができる。この場合、処理ブロック３７は塗布処理工程のみを遂行し、基板(W)上に塗布される膜はスピンオンハードマスク膜(SOH)であることがある。
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、上述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
５００ 液供給ユニット
５１０ 保存容器
５１２ 第１バルブ
５１４ 連結ライン
５２０ トラップタンク
６００ 不純物除去ユニット
５１０ 保存容器
５１２ 第１バルブ
５１４ 連結ライン
５２０ トラップタンク
６００ 不純物除去ユニット
Claims (20)
- ノズルと、
前記ノズルに処理液を供給する液供給管と、
前記液供給管に設置されて前記処理液内の不純物を除去する不純物除去ユニットを含み、
前記不純物除去ユニットは、
前記処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成する測定部と、
前記処理液に振動を加える振動部と、
前記振動が加えられた処理液内の不純物を吸着する捕捉部と、そして
前記測定部と前記振動部を制御する制御部を含み、
前記制御部は、
前記不純物データが基準データ範囲を超過する場合前記振動部を作動させることを特徴とする液供給ユニット。 - 前記制御部は、
前記測定部で測定された前記不純物の特性に基づいて基盤で前記振動部の振動周波数を決めることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記振動周波数は、
前記処理液内の不純物が前記処理液内のバブルに吸着される周波数であることを特徴とする請求項２に記載の液供給ユニット。 - 前記振動周波数は、
複数の周波数が重畳されて提供されることを特徴とする請求項３に記載の液供給ユニット。 - 前記測定部と前記振動部は隣接するように提供されることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。
- 前記振動部と前記捕捉部は隣接するように提供されることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。
- 前記測定部は、
前記不純物の状態を撮影して前記不純物データを形成する撮像部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記測定部は、
前記液供給管内の前記処理液の流れ方向と垂直な面にメッシュ形態で提供されるワイヤーメッシュを含み、
前記ワイヤーメッシュは前記ワイヤーメッシュ上の電気伝導度を測定して前記不純物データを形成することを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記測定部は、
前記液供給管内の前記不純物の移動速度を測定して前記不純物データを形成する速度測定機を含むことを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記振動部は、
コイルモータ、磁歪アクチュエーター、圧電素子のうちで何れか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記捕捉部は、
多孔性材質で提供されることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記捕捉部は、
電気場発生装置で提供されることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記捕捉部は、
前記液供給管上部に連結される捕集管と、
前記捕集管内に陰圧を提供する減圧部材をさらに含み、
前記制御部は、
前記不純物データが基準データ範囲を超過する場合前記振動部及び前記減圧部材を作動させることを特徴とする請求項１に記載の液供給ユニット。 - 前記不純物の特性は、
前記不純物の有無、前記不純物の大きさ、前記不純物の前記処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のうちで何れか一つに記載の液供給ユニット。 - 基板上に処理液を供給して基板を処理するが、
前記処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成して前記不純物データが基準データ範囲を超過する場合、
前記処理液に振動を印加して前記処理液内の不純物と前記処理液内のバブルを吸着させ、以後に前記処理液が前記基板に供給される前に前記処理液内でバブルに吸着された不純物を捕捉する液供給方法。 - 前記処理液に加えられる振動周波数は、前記不純物が前記処理液内のバブルに吸着される周波数であることを特徴とする請求項１５に記載の液供給方法。
- 前記処理液に加えられる振動周波数は複数の周波数が重畳されて提供されることを特徴とする請求項１５に記載の液供給方法。
- 前記不純物の特性は、
前記不純物の有無、前記不純物の大きさ、前記不純物の前記処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のうちで何れか一つに記載の液供給方法。 - 請求項１の液供給ユニットを利用して基板上に処理液を供給して基板を処理するが、
前記測定部が前記処理液内の不純物の特性を測定して不純物データを形成して前記不純物データが基準データ範囲を超過する場合、
前記振動部と前記処理液に振動を印加して前記処理液内の不純物と前記処理液内のバブルを吸着させ、以後に前記処理液が前記基板に供給される前に前記捕捉部が前記処理液内でバブルに吸着された不純物を捕捉するが、
前記処理液に加えられる振動周波数は、前記不純物が前記処理液内のバブルに吸着される周波数であり、
前記不純物の特性は、
前記不純物の有無、前記不純物の大きさ、前記不純物の前記処理液内の密度のうちで少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする液供給方法。 - 前記処理液は感光液を含むことを特徴とする請求項１９に記載の液供給方法。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001121063A (ja) | 1999-10-26 | 2001-05-08 | Tokyo Electron Ltd | フィルタ装置及び液処理装置 |
| JP2005136186A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Seiko Epson Corp | レジスト塗布装置、レジスト塗布方法および半導体装置の製造方法 |
| US20140370439A1 (en) | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Globalfoundries Inc. | Methods and systems for reducing bubbles in layers of photoresist material |
| JP2017033991A (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
| JP2019009215A (ja) | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281727A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH1076213A (ja) * | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
-
2022
- 2022-03-18 JP JP2022043630A patent/JP7337989B1/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001121063A (ja) | 1999-10-26 | 2001-05-08 | Tokyo Electron Ltd | フィルタ装置及び液処理装置 |
| JP2005136186A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Seiko Epson Corp | レジスト塗布装置、レジスト塗布方法および半導体装置の製造方法 |
| US20140370439A1 (en) | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Globalfoundries Inc. | Methods and systems for reducing bubbles in layers of photoresist material |
| JP2017033991A (ja) | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
| JP2019009215A (ja) | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
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