CN115889332B - 一种晶圆片清洗系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶圆片清洗系统，涉及半导体清洗技术领域，包括加热系统、液体循环系统、晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统，其中：加热系统包括加热模块和清洗槽，清洗槽位于加热模块中间，清洗槽中设置有液体循环系统，晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统沿着液体流动方向依次设置在液体循环系统中；加热模块用于控制液体的温度；液体循环系统用于控制液体的流速和液体的超声振动频率；晶圆片放置装置用于置入晶圆片，过滤网筛系统用于除去颗粒物杂质，分子透析系统用于除去分子杂质，电场吸附系统用于除去带电粒子杂质。本发明能防止杂质回粘到晶圆片上，清洗效果好。

Description

一种晶圆片清洗系统

技术领域

本发明涉及半导体清洗技术领域，具体涉及一种晶圆片清洗系统。

背景技术

在晶圆片的制作过程中，清洗几乎贯穿整个生产流程。其中，湿法清洗是目前的主流技术路线，通过采用特定的化学药液对晶圆片的表面进行无损伤清洗。

目前，晶圆片常采用槽式清洗设备进行批量清洗，将晶圆片置入清洗篮或清洗架中，放到盛有特定化学药液的清洗槽进行清洗，但是在晶圆片的批量清洗过程中，产生的杂质容易回粘到晶圆片上，导致清洗效果差，影响晶圆片的后续加工。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种晶圆片清洗系统，通过加热系统、液体循环系统、以及沿着液体流动方向依次设置的过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统及时除去晶圆片清洗过程中产生的杂质，防止杂质回粘，清洗效果好。

本发明提供了一种晶圆片清洗系统，所述晶圆片清洗系统包括加热系统、液体循环系统、晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统，其中：

所述加热系统包括加热模块和清洗槽，所述清洗槽位于所述加热模块中间，所述清洗槽中设置有液体循环系统，所述晶圆片放置装置、所述过滤网筛系统、所述分子透析系统和所述电场吸附系统沿着液体流动的方向依次设置在所述液体循环系统中；

所述加热模块用于控制所述清洗槽中液体的温度；

所述液体循环系统用于控制所述清洗槽中液体的流速和液体的超声振动频率；

所述晶圆片放置装置用于置入晶圆片，设置在所述清洗槽中的第一位置；所述过滤网筛系统用于除去颗粒物杂质，设置在所述清洗槽中的第二位置；所述分子透析系统用于除去分子杂质，设置在所述清洗槽中的第三位置；所述电场吸附系统用于除去带电粒子杂质，设置在所述清洗槽中的第四位置；

所述液体循环系统中的液体依次流经所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第四位置和所述第一位置。

具体的，所述加热模块为水浴加热模块或者油浴加热模块。

具体的，所述加热系统的工作温度范围为75～85℃。

具体的，所述液体循环系统的工作流速范围为30～50sccm。

具体的，所述液体循环系统的超声振动频率工作范围为10～30MHz。

具体的，所述过滤网筛系统包括3～7层网筛，所述网筛互相错位叠加设置，所述网筛的孔径沿着液体流动方向依次减小。

具体的，所述网筛的孔径为100～1000nm。

具体的，所述分子透析系统包括5～10层分子透析膜，所述分子透析膜的孔径沿着液体流动方向依次减小。

具体的，所述分子透析膜的孔径为1～100nm。

具体的，所述电场吸附系统的工作电压为3～6V。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

所述加热系统为晶圆片的清洗提供了良好的反应环境，使杂质更容易脱落，提高了清洗效果；

所述液体循环系统使液体流动起来，能及时将洗脱的杂质带走；所述液体循环系统还施加超声振动，促使杂质脱落，并且使杂质不容易附着到晶圆片或清洗槽壁上，提高了清洗效果；

所述过滤网筛系统能除去液体中的颗粒物杂质，所述分子透析系统能除去液体中的分子杂质，所述电场吸附系统能除去液体中的带电粒子杂质，沿着液体流动方向依次设置的所述过滤网筛系统、所述分子透析系统和所述电场吸附系统共同构建成三级除杂系统，能将液体中的杂质按照粒径的大小依次去除，避免杂质回粘到晶圆片上，有效地提高了清洗效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本发明实施例中晶圆片清洗系统的原理图；

图2是本发明实施例中晶圆片的光阻剥离制程的清洗流程图。

附图中，100、加热系统；110、加热模块；111、外加热模块；112、内加热模块；120、清洗槽；200、晶圆片放置装置；300、过滤网筛系统；400、分子透析系统；500、电场吸附系统；510、电极板；520、电场出口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

图1示出了本发明实施例中晶圆片清洗系统的原理图，所述晶圆片清洗系统包括加热系统100、液体循环系统、晶圆片放置装置200、过滤网筛系统300、分子透析系统400和电场吸附系统500，其中：所述加热系统100包括加热模块110和清洗槽120，所述清洗槽120位于所述加热模块110中间，所述清洗槽120中设置有液体循环系统，所述晶圆片放置装置200、所述过滤网筛系统300、所述分子透析系统400和所述电场吸附系统500沿着液体流动的方向依次设置在所述液体循环系统中。

所述加热模块110用于控制所述清洗槽120中液体的温度；所述加热模块110包括外加热模块111和内加热模块112，所述清洗槽120设置在所述外加热模块111和所述内加热模块112之间，这样加热速度快，能缩短加热时长。

所述清洗槽120为环形结构或框形结构，便于液体循环流动，也便于各系统的设置排布；所述清洗槽120拥有良好的耐化学腐蚀性能和耐热性能，用于盛放化学药液，所述化学药液是现有的，种类繁多，包括有机溶剂、无机酸和氧化剂等，通常根据晶圆片相应的制程进行相应的选择。

所述加热模块110为水浴加热模块110或者油浴加热模块110，即所述外加热模块111和所述内加热模块112均采用水或油作为传热介质，以水浴加热或油浴加热的方式对所述清洗槽120中的化学药液进行加热控制，使清洗槽120中的化学药液均匀受热，营造良好的反应环境，使杂质容易与化学药液反应洗脱；而且使用水浴加热或油浴加热的方式，有利于维持整个化学药液体系的温度均衡，便于稳定控制清洗反应的速率；如果化学药液受热不均，局部的温度差异过大，将导致部分晶圆片清洗不彻底，或导致部分晶圆片过热失效，使用水浴加热或油浴加热则能使化学药液均匀受热，降低该情况发生的概率。

所述液体循环系统用于控制所述清洗槽120中液体的流速和液体的超声振动频率；所述液体循环系统控制化学药液在清洗槽120中流动而且只朝一个方向流动，使各个区域的化学药液的温度、浓度等基本一致，保障晶圆片的清洗反应速率稳定；同时，流动的化学药液能发挥载流作用，将清洗反应的生成物、脱落的异物等杂质带走，防止杂质回粘到晶圆片上；而且，流动的化学药液能防止杂质沉积在清洗槽120的底部，也能防止杂质附着到清洗槽120的侧壁上，保持清洗槽120的清洁，避免清洗槽120的壁上形成难以清理的污垢。

所述液体循环系统还能控制化学药液的超声振动频率，通过超声振动，既能加快晶圆片上的杂质的脱落，又能使杂质难以再次附着到晶圆片上或清洗槽120的壁上，获得更好的清洗效果。

所述晶圆片放置装置200用于置入晶圆片，设置在所述清洗槽120中的第一位置；若干晶圆片一般先整齐插放入专用的清洗篮中，清洗篮是现有的，其形状和大小与晶圆片放置装置200相匹配，清洗蓝的内部有对称的沟槽，尺寸严格统一用于支撑晶圆片的边缘；插放在清洗蓝中的晶圆片之间存在间隔，使化学药液能够顺利通过；将装载有若干晶圆片的清洗篮置入晶圆片放置装置200中，晶圆片的侧边对着化学药液的流动方向，以保证每一个晶圆片的表面都能被化学药液浸没、冲刷。

所述过滤网筛系统300用于除去颗粒物杂质，设置在所述清洗槽120中的第二位置；颗粒物杂质主要包括金属碎屑、金属/非金属氧化物碎屑、光刻胶残渣、黏合剂残渣、切磨抛工序碎屑等，在晶圆片的清洗过程中，清洗反应生成物也会团聚形成颗粒物杂质；颗粒物杂质会影响晶圆片后续的光刻、干法刻蚀、沉积等，容易造成LED芯片短路；所述过滤网筛系统300能将化学药液中的颗粒物杂质拦截下来，不让颗粒物杂质继续下流。

所述分子透析系统400用于除去分子杂质，设置在所述清洗槽120中的第三位置；分子杂质主要包括C、H、O、Si、In、Sn、Cl、B、Si、Ag、W、Cr、Ti、Ni、Al、Au或Pt等元素杂糅在一起分子态物质，通常有单物质分子、多物质聚合物、金属络合物或有机高分子等，分子杂质会影响晶圆片后续的沉积工艺等，容易造成LED芯片电性失效；所述分子透析系统400只允许化学药液通过，并将分子杂质拦截下来。

所述电场吸附系统500用于除去带电粒子杂质，设置在所述清洗槽120中的第四位置；带电粒子杂质主要包括Cl、In、Sn、B、Ag、W、Cr、Ti、Ni、Al、Au或Pt等元素的离子，还包括有机高分子物质断裂后产生的带电荷小粒子等，带电粒子杂质吸附在晶圆片表面容易引起静电击穿，导致晶圆片损伤，影响最终的LED芯片产品的光学性能、稳定性能。

所述电场吸附系统500由两块平行电极板510和电场出口520组成，通过外加电压在两块平行电极板510之间形成电场，能将化学药液中的带电粒子杂质吸附住，带正电荷的粒子杂质会被电场的负极吸附，带负电荷的粒子杂质会被电场的正极吸附。

所述液体循环系统中的化学药液依次流经所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第四位置和所述第一位置；化学药液从第一位置的晶圆片放置装置200带着杂质依次流经第二位置的过滤网筛系统300、第三位置的分子透析系统400和第四位置的电场吸附系统500后，杂质按照粒径从大到小的顺序被去除干净，化学药液变干净，又回到第一位置的晶圆片放置装置200对晶圆片进行清洗。

所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置和所述第四位置之间设置有足够的化学药液流动距离，保证化学药液能够顺畅循环流动；而且根据所述晶圆片清洗系统的大小，优先等距离设置各个位置；同时，根据所述晶圆片清洗系统的实际清洗效果，可以微调各个位置之间的间距，将所述过滤网筛系统300、所述分子透析系统400和所述电场吸附系统500的效果最大化。

沿着液体流动方向依次设置的所述过滤网筛系统300、所述分子透析系统400和所述电场吸附系统500共同构建成三级除杂系统，能将化学药液中的杂质按照粒径的大小依次去除，避免杂质回粘到晶圆片上，有效地提高了清洗效果。

先除去颗粒物杂质，再除去分子杂质，最后再除去带电粒子杂质，这样的三级除杂设计，去除杂质的效率高，还能避免杂质堵塞系统，保障化学药液顺畅流动。

在该三级除杂系统中，位置越靠前，系统所需处理的杂质就越多，系统中堆积的杂质就越多，则清理或更换的频率就越高，从经济的角度考虑，过滤网筛系统300的成本相对较低，可以排在首位；用过滤网筛系统300先拦截掉大部分杂质，还能减轻分子透析系统400的压力，减少分子透析系统400的清理、更换频率。

实施例二：

晶圆片光刻完成后需要将光刻胶去除，即清洗剥离光阻，光阻的主要成分有树脂、感光剂和溶剂等，通常采用光阻清洗剂将其溶解去除，但是该过程会产生大量粘附性较强的黑色杂质，使用本发明的晶圆片清洗系统能避免黑色杂质回粘到晶圆片表面，避免黑色杂质影响晶圆片的后续加工，从而提高LED芯片产品的外观良率，提高LED芯片产品的光学性能、稳定性能。

具体的，图2示出了本发明实施例中晶圆片的光阻剥离制程的清洗流程图，包括以下步骤：

S1、将需要剥离光阻的若干晶圆片插放入清洗篮中，等待清洗；

S2、往所述清洗槽中加入适量的光阻清洗剂；

通常光阻清洗剂要淹没所述晶圆片放置装置200，保证能把晶圆片完全浸没。

S3、设置所述晶圆片清洗系统的运行参数，并启动所述晶圆片清洗系统对所述光阻清洗剂进行预热；

需设定好加热系统100的工作温度、液体循环系统的工作流速及超声振动频率，以及设定好电场吸附系统500的工作电压；所述液体循环系统驱动所述光阻清洗剂在所述清洗槽120中循环流动，并且对所述光阻清洗剂施加超声振动，能加快所述光阻清洗剂的升温速度，缩短所述光阻清洗剂的预热时长。

S4、所述光阻清洗剂的温度到达预设值后，将装载有晶圆片的所述清洗篮置入所述晶圆片放置装置内进行清洗；

S5、清洗至预设时间后，取出装载有晶圆片的所述清洗篮进行冲水；

光阻剥离制程的清洗一般需要5～10min，接着用去离子水将所述晶圆片表面残留的光阻清洗剂冲洗干净，然后可以用氮气吹干或晾干。

具体的，所述加热系统100的工作温度范围为75～85℃，即能将所述光阻清洗剂的温度控制在75～85℃之间；而且所述加热系统100采用水或油为传热介质，以水浴加热或油浴加热的方式对清洗槽120中的光阻清洗剂进行加热控制，能使清洗槽120中的光阻清洗剂均匀受热，稳定在75～85℃，形成良好的反应环境，使光阻容易与光阻清洗剂反应溶解，从而使晶圆片上的光阻被剥离；而且使用水浴加热或油浴加热的方式，有利于维持整个光阻清洗剂体系的温度均衡，便于稳定控制光阻与光阻清洗剂的反应速率，从而控制清洗进程。

优选的，将光阻清洗剂的温度稳定在79～81℃，如果光阻清洗剂的温度偏低，则光阻的溶解效果差，剥离不干净；如果光阻清洗剂的温度偏高，则容易导致晶圆片的膜层失效。

具体的，所述液体循环系统的工作流速范围为30～50sccm，即能将所述光阻清洗剂的流速控制在30～50sccm之间，如果光阻清洗剂的流速太快，则光阻的溶解反应不充分，如果光阻清洗剂的流速太慢，则容易导致产生的黑色杂质立刻回粘到晶圆片上。

优选的，控制光阻清洗剂以38～42sccm的速度流动，能将光阻溶解反应产生的黑色杂质及其他杂质及时带走，防止杂质回粘到晶圆片上，防止杂质沉积在清洗槽120的底部，也防止杂质附着到清洗槽120的侧壁上，保持清洗槽120的清洁，避免清洗槽120的壁上形成难以清理的污垢；一旦形成难以清理的污垢，容易对晶圆片造成二次污染。

所述液体循环系统控制光阻清洗剂在清洗槽120中流动而且只朝一个方向流动，使各个区域的光阻清洗剂的温度、浓度等基本一致，保障光阻的溶解反应速率稳定，将晶圆片上的光阻均匀清洗剥离下来。

所述液体循环系统还能给光阻清洗剂施加超声振动，具体的，所述液体循环系统的超声振动频率工作范围为10～30MHz，如果超声振动频率偏低，则洗脱杂质的效果较差，如果超声振动频率偏高，则容易导致晶圆片的膜层失效。

优选的，对光阻清洗剂施加15～25MHz的超声振动频率，既能加快晶圆片上的光阻及其他杂质的脱落，又能使产生的黑色杂质难以再次附着到晶圆片或清洗槽120的壁上，获得更好的清洗效果。

光阻清洗剂是循环流动的，但是光阻溶解反应产生的黑色杂质、以及其他剥离下来的杂质会被过滤网筛系统300、分子透析系统400或电场吸附系统500拦截下来。

具体的，所述过滤网筛系统300包括3～7层网筛，所述网筛互相错位叠加设置，所述网筛的孔径沿着液体流动方向依次减小，所述网筛的孔径为100～1000nm。

所述过滤网筛系统300主要用于拦截光阻清洗剂中粒径大于100nm的颗粒物杂质，通过互相错位设置3～7层网筛，将过滤网筛系统300的拦截筛除效果最大化，还能防止因某一网筛破裂而导致拦截筛除失效；所述网筛的孔径沿着液体流动方向依次减小，能将光阻清洗剂中的杂质按照粒径的大小依次拦截筛除，避免杂质拥堵在靠前的网筛上，影响光阻清洗剂流动；这样的分级拦截筛除设计能有效提高杂质的筛除效率，并且保障光阻清洗剂流动顺畅。

具体的，所述分子透析系统400包括5～10层分子透析膜，所述分子透析膜的孔径沿着液体流动方向依次减小，所述分子透析膜的孔径为1～100nm。

所述分子透析系统400主要用于拦截光阻清洗剂中粒径大于1nm的分子杂质，通过设置5～10层分子透析膜，能将光阻清洗剂中的分子杂质全部拦截下来，只允许光阻清洗剂通过；由于分子透析膜的孔径存在一定偏差，如果分子透析膜的层数设置偏少，可能会漏过一些分子杂质；但是如果分子透析膜的层数设置过多，则提高了成本，还会影响化学药液通过效率；设置5～10层分子透析膜比较合适；所述分子透析膜的孔径沿着液体流动方向依次减小，优选的，每层分子透析膜的孔径以10nm或20nm递减，能将光阻清洗剂中的杂质按照粒径的大小依次拦截，避免杂质拥堵在靠前的分子透析膜上，影响光阻清洗剂流动；这样的分级拦截设计能有效提高杂质的拦截效率，并且保障光阻清洗剂流动顺畅。

具体的，所述电场吸附系统500的工作电压为3～6V。

所述电场吸附系统500主要用于吸附光阻清洗剂中的带电粒子杂质，所述电场吸附系统500由两块平行电极板510和电场出口520组成，通过外加3～6V的电压，在两块平行电极板510之间形成电场，光阻清洗剂从两块平行电极板510之间流过，即光阻清洗剂从电场中流过，带正电荷的粒子杂质会被电场的负极吸附，带负电荷的粒子杂质会被电场的正极吸附。

优选的，控制所述电场吸附系统500的电压为4～5V，电场电压偏低则吸附带电粒子杂质的效果差；电场电压偏高则容易造成电场击穿，导致系统故障，还容易导致光阻清洗剂电解。

光阻清洗剂从晶圆片放置装置200带着光阻溶解反应生成的黑色杂质、及其他洗脱的杂质依次流经过滤网筛系统300、分子透析系统400和电场吸附系统500后，光阻溶解反应生成的黑色杂质、及其他洗脱的杂质按照粒径从大到小的顺序被去除干净，干净无杂质的光阻清洗剂又回到晶圆片放置装置200对晶圆片进行清洗。

沿着光阻清洗剂流动方向依次设置的所述过滤网筛系统300、所述分子透析系统400和所述电场吸附系统500共同构建成三级除杂系统，能将光阻清洗剂中的杂质按照粒径的大小依次去除，避免杂质回粘到晶圆片上，有效地提高了清洗效果。

先除去颗粒物杂质，再除去分子杂质，最后再去除带电粒子，这样的三级除杂设计，去除杂质的效率高，还能避免杂质堵塞系统，保障光阻清洗剂顺畅流动。

在该三级除杂系统中，位置越靠前，系统所需处理的杂质就越多，系统中堆积的杂质就越多，则清理或更换的频率就越高，从经济的角度考虑，过滤网筛系统300的成本相对较低，可以排在首位；用过滤网筛系统300先拦截掉大部分杂质，还能减轻分子透析系统400的压力，减少分子透析系统400的更换频率。

本发明提供了一种晶圆片清洗系统，所述加热系统100中的加热模块110将清洗槽120包裹住，加热效率高；而且所述加热系统100为晶圆片的清洗提供了良好的反应环境，使杂质更容易脱落；所述加热系统100使用水浴加热或油浴加热的方式，有利于维持整个化学药液体系的温度均衡，便于稳定控制清洗反应的速率。

所述液体循环系统使流动起来，使各个区域的化学药液的温度、浓度等基本一致，保障晶圆片的清洗反应速率稳定；流动的化学药液还能及时将洗脱的杂质带走，防止杂质回粘到晶圆片上；所述液体循环系统还能施加超声振动，促使杂质脱落，并且使杂质不容易附着到晶圆片上或清洗槽120的壁上，获得更好的清洗效果。

所述过滤网筛系统300能除去化学药液中的颗粒物杂质，所述分子透析系统400能除去化学药液中的分子杂质，所述电场吸附系统500能除去化学药液中的带电粒子杂质，沿着化学药液流动方向依次设置的所述过滤网筛系统300、所述分子透析系统400和所述电场吸附系统500共同构建成三级除杂系统，能将化学药液中的杂质按照粒径的大小依次去除，避免杂质回粘到晶圆片上，有效地提高了清洗效果。

先除去颗粒物杂质，再除去分子杂质，最后再去除带电粒子，这样的三级除杂设计，去除杂质的效率高，还能避免杂质堵塞系统，保障化学药液顺畅流动。

所述过滤网筛系统300包括互相错位设置的3～7层网筛，所述网筛的孔径沿着化学药液流动方向依次减小；所述分子透析系统400包括若干层分子透析膜，所述分子透析膜的孔径沿着化学药液流动方向依次减小；这样的设计能将化学药液中的杂质按照粒径的大小依次拦截，避免杂质拥堵在靠前的网筛或分子透析膜上，影响化学药液流动；这样的分级拦截设计能有效提高杂质的拦截效率，并且保障化学药液流动顺畅。

本发明提供的一种晶圆片清洗系统，提高了LED芯片产品的外观良率，也解决了因杂质的存在而导致的LED芯片膜层异常脱落问题，提高了LED芯片产品的光电性能，增强了LED芯片产品的稳定性；具体的，LED芯片产品的外观良率提高了5％～10％，光电性能合格率提高了3％～5％，芯片产品的稳定性提高了一个数量级。

以上对本发明实施例所提供的一种晶圆片清洗系统进行了详细介绍，本文中应采用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种晶圆片清洗系统，其特征在于，所述晶圆片清洗系统包括加热系统、液体循环系统、晶圆片放置装置、过滤网筛系统、分子透析系统和电场吸附系统，其中：

所述加热系统包括加热模块和清洗槽，所述清洗槽位于所述加热模块中间，所述清洗槽中设置有液体循环系统，所述晶圆片放置装置、所述过滤网筛系统、所述分子透析系统和所述电场吸附系统沿着液体流动的方向依次设置在所述液体循环系统中；

所述加热模块用于控制所述清洗槽中液体的温度；

所述液体循环系统用于控制所述清洗槽中液体的流速和液体的超声振动频率；

所述晶圆片放置装置用于置入晶圆片，设置在所述清洗槽中的第一位置；所述过滤网筛系统用于除去颗粒物杂质，设置在所述清洗槽中的第二位置；所述分子透析系统用于除去分子杂质，设置在所述清洗槽中的第三位置；所述电场吸附系统用于除去带电粒子杂质，设置在所述清洗槽中的第四位置；

所述液体循环系统中的液体依次流经所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第四位置和所述第一位置。

2.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述加热模块为水浴加热模块或者油浴加热模块。

3.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述加热系统的工作温度范围为75～85℃。

4.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述液体循环系统的工作流速范围为30～50sccm。

5.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述液体循环系统的超声振动频率工作范围为10～30MHz。

6.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述过滤网筛系统包括3～7层网筛，所述网筛互相错位叠加设置，所述网筛的孔径沿着液体流动方向依次减小。

7.如权利要求6所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述网筛的孔径为100～1000nm。

8.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述分子透析系统包括5～10层分子透析膜，所述分子透析膜的孔径沿着液体流动方向依次减小。

9.如权利要求8所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述分子透析膜的孔径为1～100nm。

10.如权利要求1所述的晶圆片清洗系统，其特征在于，所述电场吸附系统的工作电压为3～6V。