TWI702312B - 半導體裝置之製造裝置及製造方法 - Google Patents
半導體裝置之製造裝置及製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI702312B TWI702312B TW105139408A TW105139408A TWI702312B TW I702312 B TWI702312 B TW I702312B TW 105139408 A TW105139408 A TW 105139408A TW 105139408 A TW105139408 A TW 105139408A TW I702312 B TWI702312 B TW I702312B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- wafer
- holding portion
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 172
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 104
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/007—Current directing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本發明之半導體裝置之製造裝置包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其向保持於該基板保持部之基板供給處理液；電解處理部，其與該基板保持部對向配置，且對保持於該基板保持部之基板進行電解處理；及端子，其用以對基板施加電壓；且上述電解處理部包含：直接電極，其與供給至基板之處理液接觸，用以於與基板之間施加電壓；及間接電極，其於供給至基板之處理液中形成電場。
Description
本發明係關於一種半導體裝置之製造裝置、及使用該製造裝置之半導體裝置之製造方法。
於半導體裝置之製造步驟中，例如進行鍍覆處理或蝕刻處理等電解處理。 對半導體晶圓之鍍覆處理先前係利用例如專利文獻1所記載之鍍覆裝置進行。於鍍覆裝置中，與陽極電極相對配置之半導體晶圓係以其鍍覆處理面朝向下方之方式配置。又，支持半導體晶圓之支持部構成連接於該半導體晶圓之陰極電極。而且，藉由使鍍覆液通過上述陽極電極朝向半導體晶圓之鍍覆處理面噴流而進行半導體晶圓之鍍覆處理。 又，於專利文獻1所記載之鍍覆裝置設置有超音波振子，藉由使自上述超音波振子振盪出之超音波傳遞至鍍覆液而攪拌鍍覆液。藉此，可謀求鍍覆處理之均勻性之提高。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本
專利特開2004-250747號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於使用專利文獻1所記載之鍍覆裝置之情形時，為了攪拌鍍覆液而需要超音波振子，從而需要大規模之攪拌構件。而且，於裝置構成上，亦有無法設置此種攪拌構件之情形。 本發明係鑒於上述方面而完成者，其目的在於高效率地製造半導體裝置。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明之一態樣係一種半導體裝置之製造裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；電解處理部，其與上述基板保持部對向配置，且對保持於該基板保持部之基板進行電解處理；及端子，其用以對基板施加電壓；且上述電解處理部包含：直接電極，其與供給至基板之上述處理液接觸，用以於與基板之間施加電壓；及間接電極，其於供給至基板之上述處理液中形成電場。 於例如處理液中所包含之被處理離子為陽離子之情形時，若對間接電極施加電壓而於處理液中形成電場(靜電場)，則帶負電之粒子向電解處理部(間接電極及直接電極)側集中，而被處理離子朝基板側移動。然後，將直接電極設為陽極並將基板設為陰極而施加電壓，於直接電極與基板之間流通電流。如此一來，已移動至基板側之被處理離子之電荷被交換，而將被處理離子還原。 又，於例如被處理離子為陰離子之情形時，亦同樣地，若對間接電極施加電壓而於處理液中形成電場，則被處理離子朝基板側移動。然後，將直接電極設為陰極並將基板設為陽極而施加電壓，於直接電極與基板之間流通電流。如此一來，已移動至基板側之被處理離子之電荷被交換，而將被處理離子氧化。 如此般，於本發明之一態樣中，由於個別地進行基於間接電極之被處理離子之移動及基於直接電極與基板之被處理離子之氧化或還原(以下，有時簡稱為「氧化還原」)，故而可於在基板之表面均勻地集聚有充足之被處理離子之狀態下進行被處理離子之氧化還原。因此，可對基板之表面均勻地進行電解處理。而且，無需用於如先前般攪拌鍍覆液以提高電解處理之均勻性的大規模之構件，而可使裝置構成簡化。因此，可高效率且適當地製造半導體裝置。 另一觀點之本發明之一態樣係一種半導體裝置之製造裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；電解處理部，其與上述基板保持部對向配置，且對保持於該基板保持部之基板進行電解處理；及端子，其用以對基板施加電壓；且上述電解處理部包含：本體部，其包含絕緣體；共通電極，其設置於上述本體部之表面，與供給至基板之上述處理液接觸而於與基板之間施加電壓，並且於供給至基板之上述處理液中形成電場；及電容器，其經由配線連接於上述共通電極。 另一觀點之本發明之
一態樣係一種半導體裝置之製造方法，其包含：第1步驟，其係將保持基板之基板保持部、與對保持於該基板保持部之基板進行電解處理之電解處理部對向配置；第2步驟，其係藉由處理液供給部向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；第3步驟，其係使用以對基板施加電壓之端子與基板接觸，並且使上述電解處理部所具備之直接電極與上述處理液接觸；第4步驟，其係藉由對上述電解處理部所具備之間接電極施加電壓，而於上述處理液中形成電場，使該處理液中之被處理離子朝基板側移動；及第5步驟，其係藉由向上述直接電極與基板之間施加電壓，而將已移動至基板側之上述被處理離子氧化或還原。 另一觀點之本發明之
一態樣係一種半導體裝置之製造方法，其包含：第1步驟，其係將保持基板之基板保持部、與對保持於該基板保持部之基板進行電解處理之電解處理部對向配置；第2步驟，其係藉由處理液供給部向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；第3步驟，其係使用以對基板施加電壓之端子與基板接觸，並且使上述電解處理部所具備之共通電極與上述處理液接觸；第4步驟，其係藉由對上述共通電極施加電壓，而於上述處理液中形成電場，使該處理液中之被處理離子朝基板側移動；及第5步驟，其係藉由向上述共通電極與基板之間施加電壓，而將已移動至基板側之上述被處理離子氧化或還原；上述電解處理部進而具有包含絕緣體之本體部，上述共通電極設置於上述本體部之表面，且於上述共通電極經由配線連接有電容器。 [發明之效果] 根據本發明，可高效率且適當地製造半導體裝置。
以下，參照隨附圖式，對本發明之實施形態進行說明。再者，本發明並不受以下所示之實施形態限定。 圖1係表示本實施形態之半導體裝置之製造裝置1之構成之概略的說明圖。於製造裝置1，對作為基板之半導體晶圓W(以下，稱為「晶圓W」)進行鍍覆處理作為電解處理。於該晶圓W之表面，形成有用作電極之籽晶層(未圖示)。再者，於以下之說明中使用之圖式中，各構成要素之尺寸由於使技術理解之容易度優先，故而並不一定與實際之尺寸對應。 製造裝置1包含作為基板保持部之晶圓保持部10。晶圓保持部10係保持晶圓W並使其旋轉之旋轉夾頭。晶圓保持部10具有於俯視下具有較晶圓W之直徑大之直徑之表面10a，於該表面10a，設置有例如吸引晶圓W之吸引口(未圖示)。藉由自該吸引口進行吸引，可將晶圓W吸附保持於晶圓保持部10上。 於晶圓保持部10設置有例如具備馬達等之驅動機構11，可藉由該驅動機構11而以特定之速度旋轉。又，於驅動機構11設置有汽缸等升降驅動源，晶圓保持部10可於鉛直方向移動。再者，於本實施形態中，驅動機構11構成本發明中之旋轉機構及移動機構。 於晶圓保持部10之上方，與該晶圓保持部10對向地設置電解處理部20。電解處理部20具有包含絕緣體之本體部21。本體部21具有於俯視下具有較晶圓W之直徑大之直徑之表面21a。於本體部21設置有端子22、直接電極23及間接電極24。 端子22保持於本體部21，且自該本體部21之表面21a突出地設置。又，端子22具有彈性。而且，於進行鍍覆處理時，端子22如下述般與晶圓W(籽晶層)接觸，而對該晶圓W施加電壓。再者，端子22之數量並無特別限定，於本實施形態中設置有例如8個。又，端子22並非必須設置於本體部21，亦可與電解處理部20分開設置。 直接電極23設置於本體部21之表面21a。於進行鍍覆處理時，直接電極23如下述般與晶圓W上之鍍覆液接觸。 間接電極24設置於本體部21之內部。即，間接電極24未露出至外部。 於端子22、直接電極23及間接電極24連接有直流電源30。端子22連接於直流電源30之負極側。直接電極23及間接電極24分別連接於直流電源30之正極側。又，於直接電極23與直流電源30之間設置有用以切換該直接電極23與直流電源30之連接狀態之開關31。開關31之接通-
斷開由下述之控制部50控制。而且，於開關31接通之狀態下，將直接電極23與直流電源30連接，而於直接電極23與端子22之間流通電流。又，於開關31斷開之狀態下，將直接電極23與直流電源30切斷，而不於直接電極23與端子22之間流通電流。 於晶圓保持部10與電解處理部20之間設置有向晶圓W上供給作為處理液之鍍覆液的作為處理液供給部之噴嘴40。噴嘴40構成為藉由噴嘴移動機構41而於水平方向及鉛直方向移動自如，且相對於晶圓保持部10進退自如。又，噴嘴40連通於貯存鍍覆液之鍍覆液供給源(未圖示)，而自該鍍覆液供給源向噴嘴40供給鍍覆液。再者，作為鍍覆液，例如使用將硫酸銅與硫酸溶解所得之混合液，鍍覆液中包含作為被處理離子之銅離子。又，於本實施形態中，使用噴嘴40作為處理液供給部，但作為供給鍍覆液之機構，可使用其他各種構件。 再者，亦可於晶圓保持部10之周圍設置承接並回收自晶圓W飛散或滴落之液體之承杯(未圖示)。 於以上之製造裝置1設置有控制部50。控制部50例如為電腦，包含程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部儲存有控制製造裝置1中之晶圓W之處理之程式。再者，上述程式例如為記錄於電腦可讀取之硬碟(HD，Hard Disk)、軟碟(FD，Flexible Disk)、光碟(CD，Compact Disk)、磁光碟(MO，Magnetic Optical)、記憶卡等可於電腦中讀取之記憶媒體者，亦可為自該記憶媒體安裝至控制部50者。 其次，對使用如上述般構成之製造裝置1之製造方法中之鍍覆處理進行說明。 首先，如圖2所示，於將晶圓保持部10與電解處理部20對向配置之狀態下，藉由噴嘴移動機構41使噴嘴40移動至保持於晶圓保持部10之晶圓W之中心部之上方。此時，晶圓保持部10之表面10a與電解處理部20之本體部21之表面21a之間之距離為約100 mm。其後，一面藉由驅動機構11使晶圓W旋轉，一面自噴嘴40向晶圓W之中心部供給鍍覆液M。所供給之鍍覆液M藉由離心力而擴散至晶圓W整面。此時，藉由晶圓W進行旋轉，而鍍覆液M於晶圓面內均勻地擴散。繼而，若停止自噴嘴40供給鍍覆液M，並停止晶圓W之旋轉停止，則藉由鍍覆液M之表面張力使得鍍覆液M停留於晶圓W上，形成膜厚均勻之液漿。 其後，如圖3所示，藉由驅動機構11使晶圓保持部10上升。此時，晶圓保持部10之表面10a與電解處理部20之本體部21之表面21a之間之距離為約1 mm。繼而，使端子22與晶圓W接觸，並且使直接電極23與晶圓W上之鍍覆液M接觸。此時，由於端子22具有彈性，故而可調整該端子22之高度，而調整鍍覆液M之表面10a、21a間之距離。繼而，對各端子22施加特定之荷重、例如80 g，於端子22與晶圓W之間形成電接點。藉由如此般施加荷重，亦可對氧化膜等薄膜或難以形成接點之高度較高之材料形成電接點。 如圖4所示，向間接電極24與晶圓W之間連續地施加直流電壓，並且向直接電極23與晶圓W之間呈脈衝狀地施加直流電壓，即施加所謂之脈衝電壓。此時，對8個端子22中之每一個控制脈衝電壓。 若更詳細地進行說明，則如圖5所示，將間接電極24設為陽極並將晶圓W設為陰極而施加直流電壓，形成電場(靜電場)。如此一來，作為帶負電之粒子之硫酸根離子S向電解處理部20之表面(間接電極24及直接電極23)側集中，作為帶正電之粒子之銅離子C朝晶圓W之表面側移動。 此時，藉由預先將開關31設為斷開狀態，而預先將直接電極23設為電性浮動狀態。於此種狀況下，於電解處理部20與晶圓W之任一者之表面均不進行電荷交換，故而被靜電場吸引之帶電粒子排列於電極表面。如圖5所示，於晶圓W之表面，銅離子C亦均勻地排列。於晶圓W表面未進行銅離子C之電荷交換，水之電解亦得到抑制，故而可提高向間接電極24與晶圓W之間施加電壓時之電場。而且，可藉由該高電場使銅離子C之移動加快，而可提高鍍覆處理之鍍覆速率。進而，藉由任意地控制該電場，亦可任意地控制排列於晶圓W之表面之銅離子C。 再者，於本實施形態中，為了避免直接電極23成為陰極，不將直接電極23接地而將其設為電性浮動狀態。 其後，若充足之銅離子C移動並集聚至晶圓W側，則如圖6所示，將開關31接通。然後，將直接電極23設為陽極並將晶圓W設為陰極而施加電壓，於直接電極23與晶圓W之間流通電流。如此一來，進行與均勻地排列於晶圓W之表面之銅離子C之電荷交換，將銅離子C還原，而鍍銅60析出至晶圓W之表面。再者，此時，硫酸根離子S藉由直接電極23而氧化。 由於充足之銅離子C集聚於晶圓W之表面並於均勻地排列之狀態下被還原，故而可使鍍銅60均勻地析出至晶圓W之表面。其結果，鍍銅60中之結晶之密度變高，而可形成品質較佳之鍍銅60。又，由於在銅離子C均勻地排列於晶圓W之表面之狀態下進行還原，故而可均勻且高品質地生成鍍銅60。 然後，藉由反覆進行上述之來自噴嘴40之鍍覆液M之供給、基於間接電極24之銅離子C之移動、基於直接電極23及晶圓W之銅離子C之還原，而鍍銅60成長為特定之膜厚、約5 μm。如此，製造裝置1中之一連串鍍覆處理結束。 根據以上實施形態，基於間接電極24之銅離子C之移動及基於直接電極23與晶圓W之銅離子C之還原係個別地進行，因此，可於充足之銅離子C均勻地集聚於晶圓W之表面之狀態下進行銅離子C之還原。因此，可對晶圓W之表面均勻地進行鍍覆處理。而且，無需用於如先前般攪拌鍍覆液以提高鍍覆處理之均勻性的大規模之構件，而可使裝置構成簡化。因此，可高效率且適當地製造半導體裝置。 又，由於向晶圓W上供給鍍覆液M時使晶圓W旋轉，故而可使晶圓W上之鍍覆液M之膜厚於晶圓面內均勻。因此，可對晶圓W之表面更均勻地進行鍍覆處理。再者，即便晶圓W不進行旋轉，鍍覆液M亦藉由表面張力而於晶圓W上擴散，但如本實施形態般，藉由使晶圓W旋轉，可使鍍覆液M之膜厚更均勻。 又，於向晶圓W上供給鍍覆液M後，藉由驅動機構11使晶圓保持部10上升，使端子22與晶圓W接觸，並且使直接電極23與晶圓W上之鍍覆液M接觸。藉此，可同時對端子22、直接電極23及間接電極24進行位置調整，而可高效率地進行一連串處理。 再者，為了將晶圓W設為陰極而施加直流電壓，例如考慮對晶圓W連接電源，但於該情形時，連接於電源之配線等成為障礙物，而難以使晶圓W旋轉。鑒於該情況，於本實施形態中，僅使端子22與晶圓W接觸即可將該晶圓W用作陰極，故而於使晶圓W旋轉時，不存在阻礙其旋轉者，而可容易地進行晶圓W之旋轉處理。 又，藉由如上述般調整鍍覆液M之膜厚，而晶圓W上之銅離子C之量確定，故而可調整鍍銅60之膜厚。於本實施形態中，反覆進行鍍覆液M之供給、銅離子C之移動集聚及銅離子C之還原，但亦有如下情形，即，藉由調整上述鍍覆液M之膜厚，而進行上述動作1次即可形成特定膜厚之鍍銅60。 進而，由於調整鍍銅60之膜厚，故而可將鍍覆液M之膜厚抑制為較小，因此，鍍覆液M之使用效率較高，而可抑制鍍覆液M之使用量。 且說，於製造半導體裝置時，於鍍覆處理之前後進行各種液體處理。例如，於鍍覆處理之前進行洗淨處理之情形時，向晶圓上供給DIW(deionized water，去離子水)或IPA(isopropyl alcohol，異丙醇)等洗淨液。如此一來，於洗淨處理後，必須將晶圓W上之洗淨液置換為鍍覆液M，但此時，藉由如本實施形態般使晶圓W旋轉，可將洗淨液甩去而去除。因此，使晶圓W旋轉對該晶圓W上之處理液之置換有效。 其次，對製造裝置1之其他實施形態進行說明。於圖1所示之製造裝置1，開關31係切換直接電極23與直流電源30之連接狀態者，但開關之構成並不限定於此。例如，亦可如圖7所示般於間接電極24設置開關100。開關100對間接電極24與直流電源30之連接、及間接電極24與直接電極23之連接進行切換。開關100之切換係由控制部50控制。再者，圖7所示之製造裝置1之其他構成與圖1所示之製造裝置1之其他構成相同。 於上述情形時，如圖8所示，於晶圓W上形成鍍覆液M之液漿，使端子22與晶圓W接觸，並且使直接電極23與晶圓W上之鍍覆液M接觸。其後，藉由開關100，將間接電極24與直流電源30連接。然後，將間接電極24設為陽極並將晶圓W設為陰極而施加直流電壓，形成電場(靜電場)。如此一來，於間接電極24儲存正電荷，而作為帶負電之粒子之硫酸根離子S向電解處理部20之表面側集中。另一方面，於晶圓W儲存負電荷，而作為帶正電之粒子之銅離子C朝晶圓W之表面側移動。再者，於以下之說明中，有將如此般藉由開關100將間接電極24與直流電源30連接而於間接電極24儲存電荷之狀態稱為「充電」的情形。 再者，為了避免直接電極23成為陰極，不將直接電極23接地而將其設為電性浮動狀態。於此種狀況下，於直接電極23與晶圓W之任一者之表面均不進行電荷交換，故而被靜電場吸引之帶電粒子排列於電極表面。 利用開關100之間接電極24與直流電源30之連接係進行至在間接電極24與晶圓W儲存有充足之電荷為止，即，進行至滿充電為止。如此一來，銅離子C均勻地排列於晶圓W之表面。於晶圓W之表面未進行銅離子C之電荷交換，水之電解亦得到抑制，故而可提高向間接電極24與晶圓W之間施加電壓時之電場。而且，可藉由該高電場使銅離子C之移動加快。進而，藉由任意地控制該電場，亦可任意地控制排列於晶圓W之表面之銅離子C。 其後，如圖9所示，切換開關100，將間接電極24與直流電源30之連接切斷，而將間接電極24與直接電極23連接。如此一來，儲存於間接電極24之正電荷朝直接電極23移動，集中於電解處理部20之表面側之硫酸根離子S之電荷被交換，而硫酸根離子S被氧化。伴隨於此，排列於晶圓W之表面之銅離子C之電荷被交換，而銅離子C被還原。而且，鍍銅60析出至晶圓W之表面。再者，於以下之說明中，有將如此般藉由開關100將間接電極24與直接電極23連接而電荷自間接電極24移動之狀態稱為「放電」的情形。 由於充足之銅離子C集聚於晶圓W之表面並於均勻地排列之狀態下被還原，故而可使鍍銅60均勻地析出至晶圓W之表面。其結果，鍍銅60中之結晶之密度變高，而可形成品質較佳之鍍銅60。又，由於在銅離子C均勻地排列於晶圓W之表面之狀態下進行還原，故而可均勻且高品質地生成鍍銅60。 然後，藉由反覆進行上述之來自噴嘴40之鍍覆液M之供給、充電時之銅離子C之移動集聚及放電時之銅離子C之還原，而鍍銅60成長為特定之膜厚、約5 μm。如此，製造裝置1中之一連串鍍覆處理結束。 於本實施形態中，亦可享受與上述實施形態相同之效果。即，可使用構成簡單之製造裝置1對晶圓W之表面均勻地進行鍍覆處理。 再者，即便代替使用開關100及直流電源30，而使用脈衝電源施加脈衝電壓，亦可享受與本實施形態相同之作用效果。 其次，對製造裝置1之其他實施形態進行說明。亦可如圖10所示般於電解處理部20中於本體部21之內部將間接電極24積層複數個。間接電極24之積層方法可採取各種方法。可如圖11(a)所示般將獨立之間接電極24設置複數層，亦可如圖11(b)所示般將間接電極24設置成梳齒狀，還可如圖11(c)所示般將2個梳齒狀之間接電極24交替地設置。 於上述情形時，可增大間接電極24之電容。如此一來，可提高集聚於晶圓W之表面之銅離子C之濃度。若提高銅離子C之濃度，則可於充足之銅離子C集聚於晶圓W之表面之狀態下進行銅離子C之電荷交換，藉此，可提高鍍覆處理之速率。又，由於在銅離子C均勻地排列於晶圓W之表面之狀態下進行銅離子C之電荷交換，故而亦可提高鍍覆處理之均勻性。 再者，於本實施形態中，亦可使用圖7所示之開關100代替開關31。 其次，對製造裝置1之其他實施形態進行說明。於圖1所示之電解處理部20之本體部21設置有端子22、直接電極23及間接電極24，但亦可代替此，而如圖12所示般於本體部21設置端子110、共通電極111及電容器112。 端子110具有與端子22相同之構成，即，其被保持於本體部21，且自該本體部21之表面21a突出地設置。又，端子110具有彈性。 共通電極111設置於本體部21之表面21a。進行鍍覆處理時，共通電極111與晶圓W上之鍍覆液M接觸。再者，共通電極111具有上述實施形態之直接電極23之功能及間接電極24之功能。 於端子110及共通電極111連接有直流電源120。端子110連接於直流電源120之負極側。共通電極111連接於直流電源120之正極側。 於共通電極111連接有第1配線121及第2配線122。於第1配線121設置有電容器112。電容器112可設置於作為絕緣體之本體部21之內部，亦可於本體部21之外部由絕緣體覆蓋而設置。於第2配線122設置有開關123。開關123之接通斷開係由控制部50控制。 而且，於開關123接通之狀態下，將共通電極111與直流電源120連接，而於共通電極111與端子110之間流通電流。又，於開關123斷開之狀態下，將共通電極111與直流電源120切斷，而不於共通電極111與直流電源120之間流通電流。再者，圖12所示之製造裝置1之其他構成與圖1所示之製造裝置1之其他構成相同。 於上述情形時，如圖13所示，於晶圓W上形成鍍覆液M之液漿，使端子110與晶圓W接觸，並且使共通電極111與晶圓W上之鍍覆液M接觸。此時，對各端子110施加特定之荷重、例如7 kg，而於端子110與晶圓W之間形成電接點。藉由如此般施加荷重，亦可對氧化膜等薄膜或難以形成接點之高度較高之材料形成電接點。 繼而，如圖4所示，經由第1配線121及端子110向共通電極111與晶圓W之間連續地施加直流電壓，並且經由第2配線122及端子110向共通電極111與晶圓W之間呈脈衝狀地施加直流電壓，即施加所謂之脈衝電壓。 若更詳細地進行說明，則如圖13所示，經由第1配線121及端子110向共通電極111與晶圓W之間連續地施加直流電壓，而將電容器112充電。即，於電容器112之共通電極111側儲存正電荷，於電容器112之直流電源120側儲存負電荷。而且，於鍍覆液M形成電場(靜電場)。如此一來，於共通電極111儲存正電荷，而作為帶負電之粒子之硫酸根離子S向共通電極111側集中。另一方面，於晶圓W儲存負電荷，而作為帶正電之粒子之銅離子C朝晶圓W側移動。 其後，若充足之銅離子C移動並集聚至晶圓W側，則如圖14所示，將開關123接通。繼而，經由第2配線122及端子110向共通電極111與晶圓W之間呈脈衝狀地施加直流電壓，將共通電極111設為陽極並將晶圓W設為陰極而施加電壓，而於共通電極111與晶圓W之間流通電流。進而，自電容器112放電，使儲存於電容器112之共通電極111側之正電荷朝共通電極111移動，而集中於共通電極111側之硫酸根離子S之電荷被交換，從而硫酸根離子S被氧化。伴隨於此，排列於晶圓W之表面之銅離子C之電荷被交換，而銅離子C被還原。然後，鍍銅60析出至晶圓W之表面。 由於充足之銅離子C集聚於晶圓W之表面並於均勻地排列之狀態下被還原，故而可使鍍銅60均勻地析出至晶圓W之表面。其結果，鍍銅60中之結晶之密度變高，而可形成品質較佳之鍍銅60。又，由於在銅離子C均勻地排列於晶圓W之表面之狀態下進行還原，故而可均勻且高品質地生成鍍銅60。 然後，藉由反覆進行上述之來自噴嘴40之鍍覆液M之供給、充電時之銅離子C之移動集聚及放電時之銅離子C之還原，而鍍銅60成長為特定之膜厚、例如約5 μm。如此，製造裝置1中之一連串鍍覆處理結束。 於本實施形態中，亦可享受與上述實施形態相同之效果。即，可使用構成簡單之製造裝置1對晶圓W之表面均勻地進行鍍覆處理。又，藉由增大電容器112之電容，可提高集聚於晶圓W之表面之銅離子C之濃度，而可提高鍍覆處理之速率，並且亦可提高鍍覆處理之均勻性。 於以上之實施形態中，亦可如圖15所示般將由端子110、共通電極111、電容器112、直流電源120、配線121、122及開關123構成之電路設置複數個、例如700個。該電路之個數與形成於晶圓W之晶片之個數對應。即，端子110於進行鍍覆處理時與晶圓W接觸，且與各晶片之籽晶層接觸。 又，於1個電路中，共通電極111及電容器112亦可設置複數個。即，共通電極111與電容器112亦可相對於1個端子110設置複數個。再者，電容器112可設置於作為絕緣體之本體部21之內部，亦可於本體部21之外部由絕緣體覆蓋而設置。 於上述情形時，可進一步增大電容器112之電容。如此一來，可進一步提高集聚於晶圓W之表面之銅離子C之濃度，而可提高鍍覆處理之速率，並且亦可提高鍍覆處理之均勻性。 再者，於本實施形態中，上述電路以晶圓W之晶片為單位設置有複數個，但亦可控制對每一電路施加之電壓。例如藉由以於晶圓W之中央部與外周部施加不同之電壓之方式進行控制，可於晶圓面內均勻地進行鍍覆處理。而且，可於晶圓面內使鍍銅60之膜厚均勻。 其次，對製造裝置1之其他實施形態進行說明。圖1所示之晶圓保持部10為旋轉夾頭，但代替此，而如圖16所示，晶圓保持部130具備上表面開口之容器131，於容器131之內部保持晶圓W，且貯存鍍覆液M。 於晶圓保持部130設置有例如設有汽缸等升降驅動源之驅動機構132，藉由該驅動機構132而容器131可於鉛直方向移動。再者，於本實施形態中，驅動機構132構成本發明中之移動機構。 再者，圖16所示之製造裝置1之其他構成與圖1所示之製造裝置1之其他構成相同。 於上述情形時，於將晶圓W保持於容器131之內部之狀態下，自噴嘴40向容器131之內部供給鍍覆液M。繼而，對晶圓W進行鍍覆處理。 於本實施形態中，亦可享受與上述實施形態相同之效果。即，可使用構成簡單之製造裝置1對晶圓W之表面均勻地進行鍍覆處理。又，可於容器131中貯存大量之鍍覆液M，因此，於例如鍍銅60之目標膜厚較大之情形時，本實施形態尤其有用。 如圖17所示，上述晶圓保持部130亦可應用於圖12所示之製造裝置1。於本實施形態中，亦可享受與上述實施形態相同之效果。 於以上之實施形態中，於製造裝置1中，藉由驅動機構11(驅動機構132)使晶圓保持部10(晶圓保持部130)移動，但亦可為使電解處理部20移動，還可為使晶圓保持部10(晶圓保持部130)與電解處理部20之兩者移動。 於以上之實施形態中，對進行鍍覆處理作為電解處理之情形進行了說明，但本發明可應用於例如蝕刻處理等各種電解處理。 又，於以上之實施形態中，對在晶圓W之表面側將銅離子C還原之情形進行了說明，但本發明亦可應用於在晶圓W之表面側將被處理離子氧化之情形。於上述情形時，被處理離子為陰離子，於上述實施形態中使陽極與陰極相反而進行同樣之電解處理即可。於本實施形態中，被處理離子之氧化與還原亦可存在差異，亦可享受與上述實施形態相同之效果。 以上，一面參照隨附圖式，一面對本發明之較佳之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述例。業者應當明白可於申請專利範圍所記載之思想之範疇內想到各種變更例或修正例，應瞭解該等亦當然屬於本發明之技術性範圍內。本發明係不限定於該例而可採用各種態樣者。 (相關申請案之相互參照) 本案係基於2015年12月3日向日本提出申請之日本專利特願2015-236353號而主張優先權，並將其內容引用於本文中。
1‧‧‧製造裝置
10‧‧‧晶圓保持部
10a‧‧‧晶圓保持部之表面
11‧‧‧驅動機構
20‧‧‧電解處理部
21‧‧‧本體部
21a‧‧‧本體部之表面
22‧‧‧端子
23‧‧‧直接電極
24‧‧‧間接電極
30‧‧‧直流電源
31‧‧‧開關
40‧‧‧噴嘴
41‧‧‧噴嘴移動機構
50‧‧‧控制部
60‧‧‧鍍銅
100‧‧‧開關
110‧‧‧端子
111‧‧‧共通電極
112‧‧‧電容器
120‧‧‧直流電源
121‧‧‧第1配線
122‧‧‧第2配線
123‧‧‧開關
130‧‧‧晶圓保持部
131‧‧‧容器
132‧‧‧驅動機構
C‧‧‧銅離子
M‧‧‧鍍覆液
S‧‧‧硫酸根離子
W‧‧‧晶圓(半導體晶圓)
圖1係表示本實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖2係表示於晶圓上形成鍍覆液之液漿之情況的說明圖。 圖3係表示使端子與晶圓接觸並且使直接電極與晶圓上之鍍覆液接觸之情況的說明圖。 圖4係表示向間接電極與晶圓之間連續地施加直流電壓並且向直接電極與晶圓之間呈脈衝狀地施加直流電壓之情況的曲線圖。 圖5係表示已向間接電極與晶圓之間施加電壓之情況的說明圖。 圖6係表示已向直接電極與晶圓之間施加電壓之情況的說明圖。 圖7係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖8係表示已向間接電極與晶圓之間施加電壓之情況的說明圖。 圖9係表示已向直接電極與晶圓之間施加電壓之情況的說明圖。 圖10係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖11係表示將間接電極積層之情況的說明圖，(a)表示獨立之間接電極設置複數層之情形，(b)表示間接電極呈梳齒狀設置之情形，(c)表示2個梳齒狀之間接電極交替地設置之情形。 圖12係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖13表示已將電容器充電之情況的說明圖。 圖14表示已將電容器放電之情況的說明圖。 圖15係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖16係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。 圖17係表示其他實施形態之半導體裝置之製造裝置之構成之概略的說明圖。
Claims (15)
- 一種半導體裝置之製造裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；電解處理部，其與上述基板保持部對向配置，且對保持於該基板保持部之基板進行電解處理；及端子，其用以對基板施加電壓；且上述電解處理部包含：本體部，其包含絕緣體且保持上述端子；直接電極，其與供給至基板之上述處理液接觸，用以於與基板之間施加電壓；及間接電極，其於供給至基板之上述處理液中形成電場，於上述本體部設置有上述直接電極及上述間接電極。
- 如請求項1之半導體裝置之製造裝置，其中上述直接電極設置於上述本體部之表面，且上述間接電極設置於上述本體部之內部。
- 如請求項2之半導體裝置之製造裝置，其中上述間接電極於上述本體部之內部積層設置有複數個。
- 一種半導體裝置之製造裝置，其包含： 基板保持部，其保持基板；處理液供給部，其向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；電解處理部，其與上述基板保持部對向配置，且對保持於該基板保持部之基板進行電解處理；及端子，其用以對基板施加電壓；且上述電解處理部包含：本體部，其包含絕緣體且保持上述端子；共通電極，其設置於上述本體部之表面，與供給至基板之上述處理液接觸而於與基板之間施加電壓，並且於供給至基板之上述處理液中形成電場；及電容器，其經由配線而連接於上述共通電極。
- 如請求項1之半導體裝置之製造裝置，其進而包含使上述基板保持部或上述電解處理部相對移動之移動機構。
- 如請求項1之半導體裝置之製造裝置，其進而包含使上述基板保持部旋轉之旋轉機構。
- 如請求項1之半導體裝置之製造裝置，其中上述基板保持部具備上表面開口之容器，於該容器之內部保持基板，且貯存上述處理液。
- 一種半導體裝置之製造方法，其包含： 第1步驟，其係將保持基板之基板保持部、與對保持於該基板保持部之基板進行電解處理之電解處理部對向配置；第2步驟，其係藉由處理液供給部，向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；第3步驟，其係使用以對基板施加電壓之端子與基板接觸，並且使上述電解處理部所具備之直接電極與上述處理液接觸；第4步驟，其係藉由對上述電解處理部所具備之間接電極施加電壓，而於上述處理液中形成電場，使該處理液中之被處理離子朝基板側移動；及第5步驟，其係藉由向上述直接電極與基板之間施加電壓，而將已移動至基板側之上述被處理離子氧化或還原，上述電解處理部具有包含絕緣體且保持上述端子之本體部，於上述本體部設置有上述直接電極及上述間接電極。
- 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中上述直接電極設置於上述本體部之表面，且上述間接電極設置於上述本體部之內部。
- 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中上述間接電極於上述本體部之內部積層設置有複數個。
- 一種半導體裝置之製造方法，其包含：第1步驟，其係將保持基板之基板保持部、與對保持於該基板保持部 之基板進行電解處理之電解處理部對向配置；第2步驟，其係藉由處理液供給部，向保持於上述基板保持部之基板供給處理液；第3步驟，其係使用以對基板施加電壓之端子與基板接觸，並且使上述電解處理部所具備之共通電極與上述處理液接觸；第4步驟，其係藉由對上述共通電極施加電壓，而於上述處理液中形成電場，使該處理液中之被處理離子朝基板側移動；及第5步驟，其係藉由向上述共通電極與基板之間施加電壓，而將已移動至基板側之上述被處理離子氧化或還原；上述電解處理部進而具有包含絕緣體且保持上述端子之本體部，上述共通電極設置於上述本體部之表面，且於上述共通電極經由配線而連接有電容器。
- 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中於上述第3步驟中，調整上述端子之高度而使該端子與基板接觸。
- 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中於上述第3步驟中，藉由移動機構使上述基板保持部或上述電解處理部相對移動。
- 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中於上述第2步驟中，一面藉由旋轉機構使上述基板保持部旋轉，一面藉由上述處理液供給部向保持於上述基板保持部之基板供給上述處理液。
- 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中上述基板保持部具備上表面開口之容器，且於上述第2步驟中，將基板保持於上述容器之內部，並且藉由上述處理液供給部向上述容器之內部供給上述處理液並加以貯存。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP??2015-236353 | 2015-12-03 | ||
| JP2015236353 | 2015-12-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201725287A TW201725287A (zh) | 2017-07-16 |
| TWI702312B true TWI702312B (zh) | 2020-08-21 |
Family
ID=58797196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105139408A TWI702312B (zh) | 2015-12-03 | 2016-11-30 | 半導體裝置之製造裝置及製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11111592B2 (zh) |
| JP (1) | JP6594445B2 (zh) |
| KR (1) | KR20180087273A (zh) |
| CN (1) | CN108368626B (zh) |
| TW (1) | TWI702312B (zh) |
| WO (1) | WO2017094568A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018070188A1 (ja) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 電解処理治具、電解処理治具の製造方法及び電解処理装置 |
| KR20190110556A (ko) | 2017-02-01 | 2019-09-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 전해 처리 장치 및 전해 처리 방법 |
| JP2021014599A (ja) * | 2017-11-22 | 2021-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2021014600A (ja) * | 2017-11-22 | 2021-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2021152202A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | キオクシア株式会社 | 陽極化成装置 |
| JP7458877B2 (ja) | 2020-04-17 | 2024-04-01 | 春生 岩津 | 電解処理方法及び電解処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010013680A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Nec Electronics Corp | 電気めっき装置、及び電気めっき方法 |
| TW201538805A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 電解處理方法及電解處理裝置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6497800B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-12-24 | Nutool Inc. | Device providing electrical contact to the surface of a semiconductor workpiece during metal plating |
| JP2000208627A (ja) | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2004250747A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP6198456B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及びテンプレート |
| JP6328582B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-05-23 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、および基板ホルダの電気接点の電気抵抗を決定する方法 |
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2017553794A patent/JP6594445B2/ja active Active
- 2016-11-22 WO PCT/JP2016/084655 patent/WO2017094568A1/ja active Application Filing
- 2016-11-22 KR KR1020187015368A patent/KR20180087273A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-11-22 US US15/780,303 patent/US11111592B2/en active Active
- 2016-11-22 CN CN201680070449.2A patent/CN108368626B/zh active Active
- 2016-11-30 TW TW105139408A patent/TWI702312B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010013680A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Nec Electronics Corp | 電気めっき装置、及び電気めっき方法 |
| TW201538805A (zh) * | 2014-01-08 | 2015-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 電解處理方法及電解處理裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11111592B2 (en) | 2021-09-07 |
| JPWO2017094568A1 (ja) | 2018-09-06 |
| KR20180087273A (ko) | 2018-08-01 |
| US20180355501A1 (en) | 2018-12-13 |
| WO2017094568A1 (ja) | 2017-06-08 |
| JP6594445B2 (ja) | 2019-10-23 |
| CN108368626A (zh) | 2018-08-03 |
| TW201725287A (zh) | 2017-07-16 |
| CN108368626B (zh) | 2020-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI702312B (zh) | 半導體裝置之製造裝置及製造方法 | |
| KR20040083103A (ko) | 전해질 처리장치 및 방법 | |
| JP6337016B2 (ja) | 電解処理方法及び電解処理装置 | |
| CN110249079B (zh) | 电解处理装置和电解处理方法 | |
| WO2019102866A1 (ja) | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR102416775B1 (ko) | 전해 처리 지그 및 전해 처리 방법 | |
| WO2018070188A1 (ja) | 電解処理治具、電解処理治具の製造方法及び電解処理装置 | |
| KR102499511B1 (ko) | 전해 처리 지그 및 전해 처리 방법 | |
| WO2020189004A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、および、半導体製造方法 | |
| WO2019102867A1 (ja) | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
| WO2021177035A1 (ja) | めっき処理装置 | |
| KR102523718B1 (ko) | 전해 처리 장치 및 전해 처리 방법 | |
| KR20010004742A (ko) | 반도체 소자의 화학기계적 연마 포스트-클리닝 방법 |