JP2021152202A - 陽極化成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板表面に膜質の異なる複数の多孔質層を形成する。【解決手段】実施形態によれば、陽極化成装置は、基板の陽極化成処理が可能な第１処理槽１０１と、第１処理槽の内側に設けられ基板の陽極化成処理が可能な第２処理槽１０３と、第１処理槽に第１電解液を供給可能な第１電解液供給ユニット１２と、第２処理槽に第２電解液を供給可能な第２電解液供給ユニット１１と、基板を保持可能な保持部１０８と、第１処理槽または第２処理槽の上方に設けられた第１電極１０４と、第１処理槽及び第２処理槽の下方に設けられた第２電極１０７とを含む。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、陽極化成装置に関する。

陽極化成によりシリコン表面に多孔質層を形成にする技術が知られている。

特開２００４−１１１４９１号公報

基板表面に膜質の異なる複数の多孔質層を形成できる陽極化成装置を提供する。

実施形態に係る陽極化成装置は、基板の陽極化成処理が可能な第１処理槽と、第１処理槽の内側に設けられ基板の陽極化成処理が可能な第２処理槽と、第１処理槽に第１電解液を供給可能な第１電解液供給ユニットと、第２処理槽に第２電解液を供給可能な第２電解液供給ユニットと、基板を保持可能な保持部と、第１処理槽または第２処理槽の上方に設けられた第１電極と、第１処理槽及び第２処理槽の下方に設けられた第２電極と、を含む。

図１は、第１実施形態に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２は、第１実施形態に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の斜視図である。 図３は、第１実施形態に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図４は、第１実施形態に係る陽極化成装置における陽極化成処理中の電解液の濃度モニタの結果を示すグラフである。 図５は、第１実施形態に係る陽極化成装置を用いて陽極化成処理を行った半導体基板を示す図である。 図６は、第１実施形態に係る陽極化成装置を用いて陽極化成処理を行った半導体基板を用いた半導体装置の製造方法を示す図である。 図７は、第２実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の斜視図である。 図８は、第２実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図９は、第２実施形態の第２例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図１０は、第２実施形態の第２例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の斜視図である。 図１１は、第２実施形態の第２例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図１２は、第２実施形態の第３例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の斜視図である。 図１３は、第２実施形態の第３例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図１４は、第３実施形態の第１例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図１５は、第３実施形態の第２例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図１６は、第３実施形態の第３例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図１７は、第３実施形態の第４例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図１８は、第３実施形態の第５例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図１９は、第３実施形態の第６例に係る陽極化成装置における陽極化成処理のフローチャートである。 図２０は、第４実施形態の第１例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２１は、第４実施形態の第２例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２２は、第４実施形態の第３例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２３は、第４実施形態の第４例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２４は、第５実施形態の第１例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２５は、第５実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図２６は、第５実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極改正処理部の保持部及び固定部の上面図である。 図２７は、第５実施形態の第２例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図２８は、第５実施形態の第３例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図２９は、第５実施形態の第３例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３０は、第５実施形態の第４例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３１は、第６実施形態に係る陽極化成装置のブロック図である。 図３２は、第７実施形態の第１例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図３３は、第７実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３４は、第７実施形態の第２例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３５は、第７実施形態の第３例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図３６は、第７実施形態の第３例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３７は、第７実施形態の第４例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図３８は、第８実施形態の第１例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図３９は、第８実施形態の第２例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図４０は、第８実施形態の第３例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図４１は、第８実施形態の第４例に係る陽極化成装置のブロック図である。 図４２は、第９実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極化成処理部の断面図である。 図４３は、第９実施形態の第１例に係る陽極化成装置の備える陽極改正処理部の保持部及び固定部の上面図である。 図４４は、図４３の領域ＲＡの拡大図である。 図４５は、図４３の領域ＲＡの拡大図である。 図４６は、第９実施形態の第２例に係る陽極化成装置の備える陽極改正処理部の保持部及び固定部の断面図である。

以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。また、以下に示す各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。実施形態の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

１．第１実施形態
第１実施形態に係る陽極化成装置について説明する。

１．１ 全体構成
まず、陽極化成装置の全体構成の一例について図１を用いて説明する。図１は、陽極化成装置のブロック図である。

図１に示すように、陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

陽極化成処理部１０は、処理槽及び処理槽に対応する電極（アノード及びカソード）を含み、半導体基板表面の陽極化成処理を行う。陽極化成処理部１０の構成については後述する。

電解液Ａ供給ユニット１１は、陽極化成処理部１０内に設けられた処理槽に電解液Ａを供給する。なお、電解液Ａ供給ユニット１１は、処理槽に供給する電解液Ａの液圧を調整するための図示せぬ機構（例えば、ポンプ等）を有する。電解液Ａは陽極化成処理に用いられる処理液である。電解液Ａとしては、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）を含む液体が用いられる。なお、本実施形態の電解液Ａ供給ユニット１１は、陽極化成処理部１０と電解液Ａ混合槽２０とにおいて、液体（電解液Ａ）を循環させるための機能を有していない。すなわち、電解液Ａ供給ユニット１１は、未使用（新液）の電解液Ａを陽極化成処理部１０に供給する。

電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａ混合槽２０、供給制御部２１、複数の液体供給部２２（図１の例では、３つの液体供給部２２ａ〜２２ｃ）、及び濃度センサ２３を含む。

電解液Ａ混合槽２０は、複数の液体を混合して電解液Ａを生成するための槽である。電解液Ａ供給ユニット１１は、例えば、原料として３つの液体Ａ〜Ｃを混合して電解液Ａを生成する。３つの液体Ａ〜Ｃは、例えば、ＨＦ溶液、ＤＩＷ（Deionized Water）、及びアルコール等であってもよい。なお、電解液Ａの生成に用いられる液体は、３種類に限定されない。また、電解液Ａの生成には液体以外の材料が用いられてもよい。生成された電解液Ａは、配管１７を通して陽極化成処理部１０内の処理槽に供給される。

供給制御部２１は、制御回路１４の制御により、電解液Ａ混合槽２０に供給する液体Ａ〜Ｃの供給量を制御する。例えば、供給制御部２１は、各液体の供給ラインに設けられたバルブ及び流量計を含む。

液体供給部２２ａ〜２２ｃは、供給ライン（配管）により、電解液Ａ混合槽２０とそれぞれ接続されている。液体供給部２２ａ〜２２ｃは、供給ラインを介して、電解液Ａ混合槽２０に液体Ａ〜Ｃをそれぞれ供給する。液体供給部２２ａ〜２２ｃは、例えば、液体Ａ〜Ｃの容器から液体Ａ〜Ｃを圧送するための機構をそれぞれ有していてもよい。

濃度センサ２３は、電解液Ａ混合槽２０内の電解液Ａの濃度（例えばＦ濃度）をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。制御回路１４は、濃度モニタの結果に基づいて、供給制御部２１を制御し、電解液Ａの濃度を調整する。

電解液Ｂ供給ユニット１２は、陽極化成処理部１０内に設けられた電解液Ａが供給される処理槽とは異なる処理槽に電解液Ｂを供給する。なお、電解液Ｂ供給ユニット１２は、処理槽に供給する電解液Ｂの液圧を調整するための図示せぬ機構（例えば、ポンプ等）を有する。電解液Ｂは、陽極化成処理に用いられる処理液である。電解液Ｂは、電解液Ａと同じであってもよく、異なっていてもよい。以下では、電解液Ｂは、電解液Ａと濃度（Ｆ濃度）が異なる場合について説明する。電解液Ｂには、ＨＦを含む液体が用いられる。なお、本実施形態の電解液Ｂ供給ユニット１２は、陽極化成処理部１０と電解液Ｂ混合槽３０とにおいて電解液Ｂを循環させるための機能を有する。すなわち、電解液Ｂ供給ユニット１２は、陽極化成処理部１０から回収した液体の成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０に供給できる。

電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂ混合槽３０、供給制御部３１、複数の液体供給部３２（図１の例では、３つの液体供給部３２ａ〜３２ｃ）、及び濃度センサ３３を含む。

電解液Ｂ混合槽３０は、複数の液体を混合して電解液Ｂを生成するための槽である。電解液Ｂ供給ユニット１２は、原料として、配管１６を介して陽極化成処理部１０から回収した液体と、３つの液体Ｄ〜Ｆとを混合して電解液Ｂの生成及び濃度調整が可能である。３つの液体Ｄ〜Ｆは、例えば、ＨＦ溶液、ＤＩＷ、及びアルコールであってもよい。なお、電解液Ｂの生成に用いられる液体は、３種類に限定されない。また、電解液Ｂの生成には液体以外の材料が用いられてもよい。生成された電解液Ｂは、配管１５を通して陽極化成処理部１０の処理槽の１つに供給される。また、電解液Ｂ混合槽３０は、槽内の液体がオーバーフローした場合等に排液処理を行うためのオーバーフロー管を有する。

供給制御部３１は、制御回路１４の制御により、電解液Ｂ混合槽３０に供給する液体Ｄ〜Ｆの供給量を制御する。例えば、供給制御部３１は、各液体の供給ラインに設けられたバルブ及び流量計を含む。

液体供給部３２ａ〜３２ｃは、供給ラインにより、電解液Ｂ混合槽３０とそれぞれ接続されている。液体供給部３２ａ〜３２ｃは、供給ラインを介して、電解液Ｂ混合槽３０に液体Ｄ〜Ｆをそれぞれ供給する。液体供給部３２ａ〜３２ｃは、例えば、液体Ｄ〜Ｆの容器から液体Ｄ〜Ｆを圧送するための機構をそれぞれ有していてもよい。

濃度センサ３３は、電解液Ｂ混合槽３０内の電解液Ｂの濃度（例えばＦ濃度）をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。制御回路１４は、濃度モニタの結果に基づいて、供給制御部３１を制御し、電解液Ｂの濃度を調整する。

電流供給部１３は、制御回路１４の制御により、陽極化成処理部１０内に設けられた電極に電流を供給する。

制御回路１４は、陽極化成装置１の全体を制御する。

１．２ 陽極化成処理部の詳細な構成
次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、陽極化成処理部１０の斜視図である。図３は、電解液Ａ及びＢが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図２及び図３の例は、陽極化成処理部１０は、それぞれ異なる電流源が接続された２つの上部電極と、２つの処理槽とを含む場合を示している。以下、本構成を、「分割電極 複数電源 分割処理槽」とも表記する。

図２に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、及び下部電極１０７を含む。なお、絶縁体１０５は廃されてもよい。この場合、例えば、上部電極１０４と上部電極１０６との間には、エアギャップが設けられもよい。すなわち、上部電極１０４と上部電極１０６とが電気的に接続されていない構成であればよい。

処理槽１０１は、例えば、円筒形状を有している。処理槽１０１の内径は、例えば、陽極化成処理の対象となる半導体基板１０００の内径と概略同じである。以下では、半導体基板１０００が単結晶シリコン（Ｓｉ）基板である場合について説明する。処理槽１０１の底面は、下部電極１０７に接する。陽極化成処理時、処理槽１０１の上端は、半導体基板１０００の表面近傍に位置する。すなわち、処理槽１０１の上端は、半導体基板１０００の下面（陽極化成処理される面）に接していない。処理槽１０１は、例えば、電解液Ａ及びＢに対して耐性を有する絶縁材料で構成される。処理槽１０１には配管１５及び１８が接続されている。配管１５は、処理槽１０１への液体供給ラインである。配管１８は、処理槽１０１からの液体排出ラインである。

バット１０２は、処理槽１０１の上端から溢れた液体を回収するために設けられている。バット１０２は、例えば、円筒形状を有している。バット１０２の内径は、処理槽１０１、上部電極１０４、及び半導体基板１０００の外径よりも大きい。バット１０２は、例えば、処理槽１０１と同心円状となるように配置されている。バット１０２の底面は、例えば、処理槽１０１の上端あるいは上端近傍の外周に接する。バットの上端の高さ位置は、処理槽１０１の上端よりも高い。バット１０２は、例えば、電解液Ａ及びＢに対して耐性を有する絶縁材料で構成される。なお、バット１０２は、処理槽１０１と同じ材料であってもよい。バット１０２には、配管１６が接続されている。配管１６は、バット１０２からの液体排出ラインである。

処理槽１０３は、例えば、円筒形状を有している。処理槽１０３の内径は、処理槽１０１の内径よりも小さい。処理槽１０３は、底面が下部電極１０７に接し、例えば、処理槽１０１と同心円状となるように配置されている。処理槽１０３の上端の高さ位置は、処理槽１０１と概略同じである。処理槽１０３の上端は、処理槽１０１と同様に、半導体基板１０００の下面に接していない。処理槽１０３は、例えば、電解液Ａ及びＢに対して耐性を有する絶縁材料で構成される。なお、処理槽１０３は、処理槽１０１と同じ材料であってもよい。処理槽１０３には配管１７及び１９が接続されている。配管１７は、処理槽１０３への液体供給ラインである。配管１９は、処理槽１０３からの液体排出ラインである。

上部電極１０４は、処理槽１０１を用いた陽極化成処理においてアノードとして機能する。従って、上部電極１０４は、処理槽１０１に対向する。上部電極１０６は、処理槽１０３を用いた陽極化成処理においてアノードとして機能する。従って、上部電極１０６は、処理槽１０３に対向する。処理槽１０１及び１０３の上方には、上部電極１０６を中心にして、絶縁体１０５及び上部電極１０４が同心円状に設けられている。すなわち、上部電極１０６と１０４とが同心円状に設けられており、上部電極１０６と１０４との間に、絶縁体１０５が設けられている。これにより、上部電極１０６と１０４とは電気的に接続されていない。

上部電極１０６の外径は、処理槽１０３の外径と概略同じである。上部電極１０４の外径は、処理槽１０１の外径と概略同じである。すなわち、上部電極１０４の外径は、半導体基板１０００と概略同じである。また、上部電極１０４の内径は、処理槽１０３の外径と概略同じである。

本実施形態では、上部電極１０４及び１０６に対して、電流供給部１３から、それぞれ異なる電流が供給される。より具体的には、電流供給部１３は、電流源４０及び４１を含む。電流源４０は、上部電極１０４及び下部電極１０７に接続され、陽極化成処理の際に上部電極１０４に任意の電流を供給する。電流源４１は、上部電極１０６及び下部電極１０７に接続され、陽極化成処理の際に上部電極１０６に任意の電流を供給する。

下部電極１０７は、上部電極１０４及び１０６と対向しており、陽極化成処理においてカソードとして機能する。上部電極１０４及び１０６、並びに下部電極１０７は、導電材料により構成される。

なお、処理槽１０１及び１０３並びにバット１０２に対して、配管１５〜１９は、それぞれ複数設けられてもよい。

図３に示すように、陽極化成処理部１０は、保持部１０８を含む。半導体基板１０００は、保持部１０８により、裏面が上部電極１０４及び１０６の底面に接し、表面（陽極化成される面）が下（処理槽１０１及び１０３）を向くように設置される。処理槽１０１の上端と半導体基板１０００との間には、ギャップＧＰ１が設けられている。また、処理槽１０３の上端と半導体基板１０００との間にはギャップＧＰ２が設けられている。

本実施形態では、陽極化成処理部１０に電解液Ａ及びＢを同時に供給する場合、処理槽１０３に供給する電解液Ａの液圧は、処理槽１０１に供給する電解液Ｂの液圧よりも高くされる（電解液Ａの液圧＞電解液Ｂの液圧）。また、陽極化成処理の際、配管１８及び１９は閉状態とされる。これにより、ギャップＧＰ２を通って、処理槽１０３から処理槽１０１に向かって電解液Ａが流れ込む。このとき、電解液Ａの液圧が電解液Ｂの液圧よりも高いため、処理槽１０１から処理槽１０３に向かって電解液Ｂは流れ込まない。また、処理槽１０１の余剰の電解液Ｂ（電解液Ａが混合した電解液Ｂ）は、ギャップＧＰ１を通って、バット１０２に流れ込む。

なお、図３の例では、処理槽１０１の外径が半導体基板１０００の内径よりも小さい。このため、処理槽１０１の上端と半導体基板１０００との間にギャップＧＰ１が設けられているが、これに限定されない。例えば、処理槽１０１の内径が、保持部１０８を含めた半導体基板１０００の外径よりも大きく、処理槽の上端が半導体基板１０００の陽極化成処理される面（下面）よりも高い位置にあってもよい。この場合、処理槽１０１の上端の内側と、保持部１０８（及び半導体基板１０００の外径）との間にギャップＧＰ１が設けられる。

１．３ 電解液の濃度調整の一例
次に、電解液の濃度調整の一例について、図４を用いて説明する。図４は、電解液Ｂ供給ユニット１２における濃度センサ３３のモニタ結果を示すグラフである。

図４に示すように、まず、電解液Ｂ供給ユニット１２は、時刻ｔ０において、電解液Ｂ混合槽３０において、予め設定された調整目標濃度の電解液Ｂを生成する。そして、電解液Ｂ供給ユニット１２は、生成した電解液Ｂを処理槽１０１に供給する。

時刻ｔ１において、陽極化成処理が開始される。時刻ｔ０〜ｔ６の期間、陽極化成処理は実行される。この期間、処理槽１０１と電解液Ｂ混合槽３０との間で、電解液Ｂが循環される。

時刻ｔ１〜ｔ２の期間、陽極化成処理により、電解液Ｂの濃度が徐々に低下する。

時刻ｔ２において、電解液Ｂの濃度が、予め設定された陽極化成処理を実行可能な下限濃度まで低下すると、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂ混合槽３０内において、液体Ｄ〜Ｆの少なくとも１つを追加して、電解液Ｂの濃度調整を開始する。

時刻ｔ２〜ｔ３の期間、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂの濃度調整を実行する。

時刻ｔ３において、電解液Ｂの濃度が、調整目標濃度に達すると、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂの濃度調整を終了する。

時刻ｔ３〜ｔ４の期間、陽極化成処理により、電解液Ｂの濃度が徐々に低下する。

時刻ｔ４において、電解液Ｂの濃度が、予め設定された陽極化成処理を実行可能な下限濃度まで低下すると、電解液Ｂ供給ユニット１２は、再度、電解液Ｂの濃度調整を開始する。

時刻ｔ４〜ｔ５の期間、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂの濃度調整を実行する。

時刻ｔ５において、電解液Ｂの濃度が、調整目標濃度に達すると、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂの濃度調整を終了する。

時刻ｔ６において、陽極化成処理が終了する。なお、図４の例は、時刻ｔ６において陽極化成処理が終了した後、電解液Ｂ供給ユニット１２が次の処理に備えて再度電解液Ｂの濃度調整を行う場合を示しているが、これに限定されない。電解液Ｂは、排液処理されてもよい。

１．４ 陽極化成処理後の半導体基板の表面状態
次に、陽極化成処理後の半導体基板１０００の表面状態について、図５を用いて説明する。図５の例は、陽極化成処理後の半導体基板１０００の表面及び断面を示す図である。

図５に示すように、本実施形態の陽極化成装置１を用いることにより、半導体基板１０００の表面（陽極化成処理される面）には、同心円状に異なる特性を有する多孔質層（例えば、ポーラスＳｉ層）が形成される。

より具体的には、半導体基板１０００の表面中央部には、上部電極１０６及び処理槽１０３（電解液Ａ）に対応する多孔質層１１００が形成される。また、半導体基板１０００の表面外周部には、上部電極１０４及び処理槽１０１（電解液Ｂ）に対応する多孔質層１２００が形成される。多孔質層１１００及び１２００は、陽極化成処理条件が異なる。具体的には、陽極化成処理条件として、例えば、上部電極１０４及び１０６に供給される電流量（上部電極１０４及び１０６の単位面積当たりの電流量）、及び／または電解液Ａ及びＢの濃度、等が異なる。これにより、陽極化成装置１は、膜質（機械的強度）が異なる多孔質層１１００と１２００とを形成できる。多孔質層１１００と１２００とは、例えば、硬度、ポーラスの平均粒径、密度、層の厚みのいずれかが異なる。例えば、多孔質層１１００の硬度は、多孔質層１２００よりも高くてもよく、低くてもよい。例えば、硬度は、ビッカース硬度計により測定できる。平均粒径は、ガス吸着法により測定できる。

１．５ 陽極化成処理を行った半導体基板を用いた半導体装置の製造方法の具体例
次に、陽極化成処理を行った半導体基板１０００を用いた半導体装置の製造方法の具体例について、図６を用いて説明する。図６は、半導体基板の貼り合わせ方法の一例を示すフローチャートである。半導体装置の製造方法の１つとして、デバイス層１が形成された第１（半導体）基板と、デバイス層２が形成された第２（半導体）基板とを貼り合わせて半導体装置を形成する方法がある。デバイス層１及び２には、例えば、トランジスタ等の素子を含む各種回路が設けられている。この場合、第１基板と第２基板、すなわちデバイス層１とデバイス層２とを貼り合わせた後、第１基板が除去される。図６の例では、第１基板に、本実施形態に係る陽極化成装置１を用いて形成された多孔質層を有する半導体基板を用いた場合について説明する。

図６に示すように、まず、本実施形態の陽極化成装置１を用いて、第１基板１０００ａの陽極化成処理を行い、表面に多孔質層１１００及び１２００を形成する（ａ）。

次に、第１基板の多孔質層１１００及び１２００が形成された面にデバイス層１を形成する（ｂ）。また、第２基板１０００ｂにデバイス層２を形成する（ｃ）。

次に、デバイス層１とデバイス層２とが向かい合い、互いに電気的に接続されるように、第１基板１０００ａと第２基板１０００ｂとを貼り合わせる（ｄ）。

次に、多孔質層１１００及び１２００を剥離層として、第１基板１０００ａとデバイス層１（第２基板１０００ｂ）とを剥離させる（ｅ）。剥離した第１基板１０００ａは、表面を研磨し、残存する多孔質層１１００及び１２００を除去する（ｆ）。これにより、表面研磨された第１基板１０００ａは、再利用できる。

次に、第２基板表面の多孔質層１１００及び１２００を除去する（ｇ）。これにより、デバイス層１及び２が設けられた第２基板１０００ｂが形成される。

ここで、多孔質層１１００及び１２００は、デバイス層１の製造工程、及び第１基板１０００ａと第２基板１０００ｂとの貼り合わせ工程（ｄ）において、第１基板１０００ａからの多孔質層の剥離や多孔質層の破断が発生しないような硬度を有している。さらに、多孔質層１１００及び１２００は、第１基板１０００ａと第２基板１０００ｂとの剥離工程（ｅ）において、剥離層として機能するような硬度を有している。例えば、デバイス層１の製造工程及び貼り合わせ工程において剥離が発生しないためには、多孔質層１２００（外周部）の硬度が、多孔質層１１００（中央部）の硬度よりも高い方が好ましい。

１．６ 本実施形態に係る効果
例えば、半導体装置の製造方法の１つである半導体基板の貼り合わせ法において、多孔質層を有していない半導体基板を用いた場合、半導体基板の機械的強度が高いため、半導体基板とその上に形成されたデバイス層との間での剥離は困難である。従って、不要となった半導体基板は、研削等により除去される場合が多い。この場合、研削により除去された半導体基板は、廃棄され再利用できない。また、半導体基板とデバイス層との間に単一層の多孔質層を設けた場合、多孔質層の機械的強度が低いため、デバイス層の製造工程、あるいは半導体基板の貼り合わせ工程において多孔質層の剥離や破断が発生する可能性が高い。

これに対し、本実施形態に係る構成であれば、陽極化成装置１は、半導体基板表面の中央部と外周部とに対して濃度の異なる電解液Ａ及びＢを供給できる。また、陽極化成装置１は、半導体基板表面の中央部と外周部とにそれぞれ対応する２つの上部電極１０６及び１０４を有し、各々に異なる電流量を供給できる。従って、陽極化成装置１は、半導体基板表面の中央部と外周部とで膜質の異なる多孔質層１１００及び１２００を形成できる。

本実施形態の陽極化成装置１を用いて、半導体基板表面の中央部と外周部とで膜質の異なる多孔質層１１００及び１２００を形成することにより、例えば、半導体基板の貼り合わせ法において、デバイス層の製造工程、あるいは半導体基板の貼り合わせ工程において剥離が発生せずに、半導体基板の剥離工程において剥離層として機能する、多孔質層１１００及び１２００を形成できる。これにより、多孔質層の位置で分離された半導体基板を再利用できる。

２．第２実施形態
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と異なる陽極化成装置１の構成について、３つの例を示す。以下、第１実施形態と異なる点を中心に説明する。

２．１ 第１例
まず、第１例に係る陽極化成装置１について説明する。第１例では、陽極化成処理部１０の上部電極が分割されていない場合について説明する。第１例の陽極化成装置１の全体構成は、第１実施形態の図１と同じである。

次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について、図７及び図８を用いて説明する。図７は、陽極化成処理部１０の斜視図である。図８は、電解液Ａ及びＢが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図７及び図８の例は、陽極化成処理部１０が、１つの電流源に接続された１つの上部電極と、２つの処理槽とを含む場合を示している。以下、本構成を、「同一電極 単一電源 分割処理槽」とも表記する。

図７及び図８に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。すなわち、本例の陽極化成処理部１０は、第１実施形態の図２及び図３に対して、上部電極が分割されていない構成である。

上部電極１０４は、処理槽１０１及び１０３を用いた陽極化成処理においてアノードとして機能する。従って、上部電極１０４は、処理槽１０１及び１０３に対向する。上部電極１０４の外径は、処理槽１０１の外径と概略同じである。すなわち、上部電極１０４の外径は、半導体基板１０００と概略同じである。上部電極１０４の上面の高さ位置は、バット１０２の上端よりも高い。

本実施形態では、電流供給部１３は、電流源４０を含む。電流源４０は、上部電極１０４及び下部電極１０７に接続され、陽極化成処理の際に上部電極１０４に任意の電流を供給する。

他の構成、すなわち、処理槽１０１及び１０３、バット１０２等に関する構成は、第１実施形態の図２及び図３と同様である。

２．２ 第２例
次に、第２例に係る陽極化成装置１について説明する。第２例では、陽極化成処理部１０の処理槽１０３が廃されている場合について説明する。

まず、陽極化成装置１の全体構成の一例について図９を用いて説明する。図９は、陽極化成装置１のブロック図である。

図９に示すように、本例の陽極化成装置１では、電解液Ｂ供給ユニット１２が廃されている。そして、第１実施形態の図１の電解液Ｂ供給ユニット１２と同様に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａ混合槽２０と陽極化成処理部１０とにおいて電解液Ａを循環させる循環機構を有する。より具体的には、電解液Ａ混合槽２０において、配管１６を介して陽極化成処理部１０から回収された液体と、３つの液体Ａ〜Ｃとを混合して電解液Ａの生成及び濃度調整が可能である。生成された電解液Ａは、配管１５を通して陽極化成処理部１０に供給される。また、電解液Ａ混合槽２０は、槽内の液体がオーバーフローした場合等に排液処理を行うためのオーバーフロー管を有する。なお、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａの循環機構を有していなくてもよい。すなわち、第１実施形態の図１と同じ構成であってもよい。

次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、陽極化成処理部１０の斜視図である。図１１は、電解液Ａが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図１０及び図１１の例は、陽極化成処理部１０が、１つの電流源に接続された２つの上部電極１０４及び１０６と、１つの処理槽１０１とを含む場合を示している。以下、本構成を、「分割電極 単一電源 同一処理槽」とも表記する。

図１０及び図１１に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。すなわち、本例の陽極化成処理部１０は、第１実施形態の図２及び図３に対して、処理槽１０３が廃された構成である。また、本例では、処理槽１０３に接続されていた配管１７及び１９も廃されている。

上部電極１０４は、陽極化成処理において多孔質層１２００を形成する際のアノードとして機能する。上部電極１０６は、陽極化成処理において多孔質層１１００を形成する際のアノードとして機能する。

本例では、上部電極１０４は、スイッチＳＷ１を介して電流源４０に接続されている。また、上部電極１０６は、スイッチＳＷ２を介して電流源４０に接続されている。

図１１に示すように、本例では、処理槽１０３が廃されているため、ギャップＧＰ２は無い。陽極化成処理の際、配管１８は閉状態とされる。このため、処理槽１０１の余剰の電解液Ａは、ギャップＧＰ１を通って、バット１０２に流れ込む。

他の構成、すなわち、処理槽１０１、バット１０２、並びに上部電極１０４及び１０６等に関する構成は、第１実施形態の図２及び図３と同様である。

２．３ 第３例
次に、第３例に係る陽極化成装置１について説明する。第３例では、第２実施形態の第２例と異なり、上部電極１０４及び１０６のそれぞれに電流源が設けられている場合について説明する。第３例の陽極化成装置１の全体構成は、第２実施形態の第２例の図９と同じである。

次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について図１２及び図１３を用いて説明する。図１２は、陽極化成処理部１０の斜視図である。図１３は、電解液Ａが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図１２及び図１３の例は、陽極化成処理部１０が、それぞれ異なる電流源に接続された２つの上部電極と、１つの処理槽とを含む場合を示している。以下、本構成を、「分割電極 複数電源 同一処理槽」とも表記する。

図１２及び図１３に示すように、陽極化成処理部１０の構成は、第２実施形態の第２例の図１０及び図１１と、同様である。

本例では、第１実施形態の図２及び図３と同様に、上部電極１０４は、電流源４０に接続されている。また、上部電極１０６は、電流源４１に接続されている。

２．４ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。

３．第３実施形態
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、陽極化成装置１を用いた陽極化成処理の方法について６つの例を示す。以下、第１及び第２実施形態と異なる点を中心に説明する。

３．１ 第１例
まず、第１例に係る陽極化成処理の方法について、図１４を用いて説明する。図１４は、第１例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第１例では、第１実施形態または第２実施形態の第１例で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを異なるタイミングで形成する場合の一例について説明する。

図１４に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａを生成し、処理槽１０３に供給する（ステップＳ１１）。

次に、制御回路１４は、半導体基板１０００の中央部の陽極化成処理を実行する（ステップＳ１２）。すなわち、制御回路１４は、多孔質層１１００を形成する。より具体的には、例えば、第１実施形態に係る陽極化成装置１の場合、電流源４１から上部電極１０６に電流が供給され、陽極化成処理が実行される。また、例えば、第２実施形態の第１例に係る陽極化成装置１の場合、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給される。このとき、処理槽１０１に電解液Ｂが供給されていない。このため、多孔質層１１００は形成され、多孔質層１２００は形成されない。

次に、制御回路１４は、配管１９を介して処理槽１０３から電解液Ａを排出する（ステップＳ１３）。

次に、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂを生成し、処理槽１０１に供給する（ステップＳ１４）。

次に、制御回路１４は、半導体基板１０００の外周部の陽極化成処理を実行する（ステップＳ１５）。すなわち、制御回路１４は、多孔質層１２００を形成する。より具体的には、例えば、第１実施形態に係る陽極化成装置１の場合、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給され、陽極化成処理が実行される。また、例えば、第２実施形態の第１例に係る陽極化成装置１の場合、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給される。このとき、処理槽１０３に電解液Ａが供給されていない。このため、多孔質層１２００は形成され、多孔質層１１００は形成されない。

次に、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ｂを排出する（ステップＳ１６）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

なお、本例では、多孔質層１１００を形成してから多孔質層１２００を形成する場合について説明したが、多孔質層１２００を形成してから多孔質層１１００を形成してもよい。

３．２ 第２例
次に、第２例に係る陽極化成処理の方法について、図１５を用いて説明する。図１５は、第２例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第２例では、第１実施形態または第２実施形態の第１例で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを一括して形成する場合の一例について説明する。

図１５に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａを生成し、処理槽１０３に供給する。また、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂを生成し、処理槽１０１に供給する（ステップＳ２１）。

次に、制御回路１４は、半導体基板１０００の陽極化成処理を実行する（ステップＳ２２）。すなわち、制御回路１４は、多孔質層１１００及び１２００を形成する。より具体的には、例えば、第１実施形態に係る陽極化成装置１の場合、電流源４０が上部電極１０４に電流を供給し、電流源４１が上部電極１０６に電流を供給する。また、例えば、第２実施形態の第１例に係る陽極化成装置１の場合、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給される。これにより、多孔質層１１００と多孔質層１２００とが一括して形成される。

次に、制御回路１４は、配管１９を介して処理槽１０３から電解液Ａを排出する。また、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ｂを排出する（ステップＳ２３）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

３．３ 第３例
次に、第３例に係る陽極化成処理の方法について、図１６を用いて説明する。図１６は、第３例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第３例では、第２実施形態の第２例で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを異なるタイミングで形成する場合の一例について説明する。

図１６に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａを生成し、処理槽１０１に供給する（ステップＳ３１）。

次に、制御回路１４は、スイッチＳＷ１及びＳＷ２の一方をオン状態にして、陽極化成処理を実行する（ステップＳ３２）。制御回路１４がスイッチＳＷ２をオン状態にした場合には、電流源４０から上部電極１０６に電流が供給され、多孔質層１１００が形成される。あるいは、制御回路１４がスイッチＳＷ１をオン状態にした場合には、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給され、多孔質層１２００が形成される。

次に、制御回路１４は、ステップＳ３２でオン状態にしなかったスイッチＳＷ１及びＳＷ２の他方をオン状態にして、陽極化成処理を実行する（ステップＳ３３）。これにより、ステップＳ３２で形成されなかった多孔質層１１００または多孔質層１２００のいずれかが形成される。

次に、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ａを排出する（ステップＳ３４）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

なお、本例では、多孔質層１１００及び多孔質層１２００の形成順序は、任意に設定し得る。

３．４ 第４例
次に、第４例に係る陽極化成処理の方法について、図１７を用いて説明する。図１７は、第４例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第４例では、第２実施形態の第３例で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを異なるタイミングで形成する場合の一例について説明する。

図１７に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａを生成し、処理槽１０１に供給する（ステップＳ４１）。

次に、制御回路１４は、電流源４０及び４１の一方から対応する上部電極に電流を供給して、半導体基板１０００の中央部及び外周部の一方に対して陽極化成処理を実行する（ステップＳ４２）。電流源４１から上部電極１０６に電流が供給された場合には、多孔質層１１００が形成される。あるいは、電流源４０から上部電極１０４に電流が供給された場合には、多孔質層１２００が形成される。

次に、制御回路１４は、ステップＳ４２で使用しなかった電流源４０及び４１の他方から対応する上部電極に電流を供給して、半導体基板１０００の中央部及び外周部の他方に対して陽極化成処理を実行する（ステップＳ４３）。これにより、ステップＳ４２で形成されなかった多孔質層１１００または多孔質層１２００のいずれかが形成される。

次に、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ａを排出する（ステップＳ４４）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

なお、本例では、多孔質層１１００及び多孔質層１２００の形成順序は、任意に設定し得る。

３．５ 第５例
次に、第５例に係る陽極化成処理の方法について、図１８を用いて説明する。図１８は、第５例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第５例では、第２実施形態の第３例で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを一括して形成する場合の一例について説明する。

図１８に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ａを生成し、処理槽１０１に供給する（ステップＳ５１）。

次に、制御回路１４は、電流源４０及び４１から対応する上部電極１０４及び１０６に大きさの異なる電流を供給して、陽極化成処理を実行する（ステップＳ５２）。これにより、多孔質層１１００と多孔質層１２００とが一括して形成される。

次に、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ａを排出する（ステップＳ５３）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

３．６ 第６例
次に、第６例に係る陽極化成処理の方法について、図１９を用いて説明する。図１９は、第６例に係る陽極化成処理の方法を示すフローチャートである。第６例では、第１実施形態で説明した陽極化成装置１を用いて、多孔質層１１００と多孔質層１２００とを一括して形成する場合の一例について説明する。

図１９に示すように、陽極化成装置１内に搬入された半導体基板１０００は、保持部１０８により固定される（ステップＳ１０）。

次に、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂを生成し、処理槽１０１に供給する。また、電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ｂと濃度の異なる電解液Ａを生成し、処理槽１０３に供給する（ステップＳ６１）。

次に、制御回路１４は、電流源４０及び４１から対応する上部電極１０４及び１０６に大きさの異なる電流を供給して、陽極化成処理を実行する（ステップＳ６２）。すなわち、本例では、制御回路１４は、電解液濃度及び電流量が異なる条件で、陽極化成処理を実行する。これにより、多孔質層１１００と多孔質層１２００とが一括して形成される。

次に、制御回路１４は、配管１９を介して処理槽１０３から電解液Ａを排出する。また、制御回路１４は、配管１８を介して処理槽１０１から電解液Ｂを排出する（ステップＳ６３）。

半導体基板１０００が陽極化成装置１から搬出され、陽極化成処理が終了する（ステップＳ１７）。

３．７ 本実施形態に係る効果
本実施形態の第１例〜第６例を、第１及び第２実施形態で説明した陽極化成装置１にて実行できる。

４．第４実施形態
次に、第４実施形態について、説明する。第４実施形態では、第１実施形態とは異なる電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２の構成について、４つの例を説明する。以下、第１乃至第３実施形態と異なる点を中心に説明する。

４．１ 第１例
まず、第１例に係る陽極化成装置１について、図２０を用いて説明する。図２０は、陽極化成装置１のブロック図である。第１例では、第１実施形態と異なり、電解液Ｂ供給ユニット１２が電解液Ｂの循環機構を有していない場合について説明する。

図２０に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、制御回路１４、及び濃度センサ５０を含む。

電解液Ａ供給ユニット１１の構成は、第１実施形態の図１の電解液Ａ供給ユニット１１と同様である。

電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ａ供給ユニット１１と同様に、循環機構を有しておらず、未使用の電解液Ｂを陽極化成処理部１０に供給する。すなわち、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂ混合槽３０において、３つの液体Ｄ〜Ｆを混合して電解液Ｂを生成する。

配管１６は、電解液Ｂ混合槽３０には、接続されておらず、陽極化成処理部１０で使用された液体（すなわち、バット１０２からの回収液）は、排液として排出される。

濃度センサ５０は、配管１６における排液（電解液Ａと電解液Ｂとの混合液）の濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。例えば、本例の陽極化成装置１では、陽極化成処理毎に、電解液Ａ及びＢの新液の供給と排液処理とを繰り返す。但し、濃度センサ５０における排液の濃度モニタの結果から、処理槽１０１及び１０３内の電解液Ａ及びＢが、次の陽極化成処理において、再利用可能と判定された場合には、処理槽１０１及び１０３の電解液Ａ及びＢの全部または一部を再利用できる。一部を再利用する場合、不足分の電解液Ａ及びＢが電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２からそれぞれ供給される。

４．２ 第２例
次に、第２例に係る陽極化成装置１について、図２１を用いて説明する。図２１は、陽極化成装置１のブロック図である。第２例では、電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２が電解液の循環機構を有している場合について説明する。

図２１に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

電解液Ｂ供給ユニット１２の構成は、第１実施形態の図１の電解液Ｂ供給ユニット１２と同様である。つまり、処理槽１０１から配管１６を介して電解液Ｂを回収する。

電解液Ａ供給ユニット１１は、電解液Ｂ供給ユニット１２と同様に、配管１６を介して、陽極化成処理部１０内のバット１０２から回収した液体（電解液Ａと電解液Ｂとの混合液）の成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０の処理槽１０３に供給できる。

４．３ 第３例
次に、第３例に係る陽極化成装置１について、図２２を用いて説明する。図２２は、陽極化成装置１のブロック図である。第３例では、第２例とは異なり、電解液Ａ供給ユニット１１が処理槽１０３から配管１９を介して電解液Ａを回収する場合について説明する。

図２２に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

本例の電解液Ａ供給ユニット１１の電解液Ａ混合槽２０は、配管１９を介して陽極化成処理部１０の処理槽１０３と接続されている。すなわち、電解液Ａ供給ユニット１１は、処理槽１０３から回収した電解液Ａの成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０の処理槽１０３に供給できる。他の構成は、第４実施形態の第２例の図２１と同じである。

４．４ 第４例
次に、第４例に係る陽極化成装置１について、図２３を用いて説明する。図２３は、陽極化成装置１のブロック図である。第４例では、第１実施形態と異なり、電解液Ａ供給ユニット１１が循環機構を有しており、電解液Ｂ供給ユニット１２は循環機構を有していない場合について説明する。

図２３に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

本例の電解液Ａ供給ユニット１１の電解液Ａ混合槽２０は、第４実施形態の第２例の図２１と同様に、配管１６を介して、陽極化成処理部１０内のバット１０２から回収した液体（電解液Ａと電解液Ｂとの混合液）の成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０の処理槽１０３に供給できる。

電解液Ｂ供給ユニット１２は、第４実施形態の第１例の図２０と同様に、循環機構を有しておらず、未使用の電解液Ｂを陽極化成処理部１０に供給する。すなわち、電解液Ｂ供給ユニット１２は、電解液Ｂ混合槽３０において、３つの液体Ｄ〜Ｆを混合して電解液Ｂを生成する。

４．５ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第１乃至第３実施形態と同様の効果が得られる。

なお、第２実施形態の第１例及び第２例で説明した陽極化成処理部１０を本実施形態の第１乃至第４例に適用できる。また、第３実施形態の第１例、第２例、及び第６例で説明した陽極化成処理の方法を本実施形態の第１乃至第４例にて実行できる。

５．第５実施形態
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態は、第１乃至第４実施形態とは異なる陽極化成装置１の構成について４つの例を説明する。本実施形態の陽極化成装置１は、上部電極と半導体基板１０００の上面（陽極化成処理されない面）との間に電解液を供給するための機構を有している。以下、第１乃至第４実施形態と異なる点を中心に説明する。

５．１ 第１例
５．１．１ 全体構成
まず、第１例の陽極化成装置１の全体構成について図２４を用いて説明する。図２４は、陽極化成装置のブロック図である。なお、本実施形態の電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２は、第１実施形態と同じ構成である。このため、図２４の例では、電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２の構成要素の詳細については、省略されている。

図２４に示すように、陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

陽極化成処理部１０は、複数の処理槽及び複数の電極を含み、半導体基板表面の陽極化成処理を行う。陽極化成処理部１０の構成については後述する。

電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、及び電流供給部１３は、第１実施形態の図１と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、陽極化成処理部１０内の上部電極と半導体基板１０００の上面（陽極化成処理されない面）との間に設けられた処理槽に電解液Ｃを供給する。なお、電解液Ｃ供給ユニット６１は、処理槽に供給する電解液Ｃの液圧を調整するための図示せぬ機構（例えば、ポンプ等）を有する。電解液Ｃとしては、例えば、陽極化成処理の際、半導体基板１０００とほとんど反応しない（Ｓｉを溶解しない）溶液が用いられる。なお、半導体基板１０００の金属汚染を抑制するため、電解液Ｃは、金属元素を含まない方が好ましい。本実施形態の電解液Ｃ供給ユニット６１は、陽極化成処理部１０と電解液Ｃ混合槽７０とにおいて、電解液Ｃを循環させるための機能を有する。すなわち、電解液Ｃ供給ユニット６１は、陽極化成処理部１０から配管６４を介して回収した液体の成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０に供給できる。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、電解液Ｃ混合槽７０、供給制御部７１、複数の液体供給部７２（図２４の例では、３つの液体供給部７２ａ〜７２ｃ）、及び濃度センサ７３を含む。

電解液Ｃ混合槽７０は、複数の液体を混合して電解液Ｃを生成するための槽である。電解液Ｃ供給ユニット６１は、例えば、原料として３つの液体Ｇ〜Ｉを混合して電解液Ｃを生成する。なお、電解液Ｃの生成に用いられる液体は、３種類に限定されない。また、電解液Ｃの生成には、液体以外の材料が用いられてもよい。例えば、電解液Ｃは、陽極化成処理の際、半導体基板１０００とほとんど反応しない希釈ＨＦ水溶液であってもよいし、希釈ＨＣｌ水溶液であってもよいし、非水溶性有機電解液であってもよい。例えば、電解液Ｃの原料として、非水溶性電解液であるアセトニトリル（acetonitrile）、炭酸プロピレン（propylene carbonate）、またはジメチルホルムアミド（dimethylformamide）の少なくとも１つが選択されてもよい。また、電解液Ｃの原料として、フッ化物源となる無水ＨＦ（anhydrous HF）、テトラフルオロホウ酸塩（tetrafluoroborate）、またはフルオロホウ酸リチウム（lithium fluoroborate）の少なくとも１つが選択されてもよい。生成された電解液Ｃは、配管６３を通して陽極化成処理部１０内の処理槽に供給される。また、電解液Ｃ混合槽７０は、槽内の液体がオーバーフローした場合等に排液処理を行うためのオーバーフロー管を有する。

供給制御部７１は、制御回路１４の制御により、電解液Ｃ混合槽７０に供給する液体Ｇ〜Ｉの供給量を制御する。例えば、供給制御部７１は、各液体の供給ラインに設けられたバルブ及び流量計を含む。

液体供給部７２ａ〜７２ｃは、供給ライン（配管）により、電解液Ｃ混合槽７０とそれぞれ接続されている。液体供給部７２ａ〜７２ｃは、供給ラインを介して、電解液Ｃ混合槽７０に液体Ｇ〜Ｉをそれぞれ供給する。液体供給部７２ａ〜７２ｃは、例えば、液体Ｇ〜Ｉの容器から液体Ｇ〜Ｉを圧送するための機構をそれぞれ有していてもよい。

濃度センサ７３は、電解液Ｃ混合槽７０内の電解液Ｃの濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。制御回路１４は、濃度モニタの結果に基づいて、供給制御部７１を制御し、電解液Ｃの濃度を調整する。なお、濃度センサ７３は、電解液Ｃの抵抗値を測定してもよい。

制御回路１４は、陽極化成装置１の全体を制御する。より具体的には、制御回路１４は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、及び電流供給部１３を制御する。

５．１．２ 陽極化成処理部の詳細な構成
次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について、図２５を用いて説明する。図２５は、電解液Ａ〜Ｃが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図２５の例は、第１実施形態と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 複数電源 分割処理槽」の構成である場合を示している。

図２５に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１０３、及び１１１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７の構成は、第１実施形態の図２と同様である。第１実施形態と同様に、上部電極１０４には、電流源４０が接続される。上部電極１０６には、電流源４１が接続される。

処理槽１１１は、例えば、円筒形状を有している。処理槽１１１の上端は、上部電極１０４及び１０６の下面に位置する。陽極化成処理時、処理槽１１１の下端は、半導体基板１０００の上面（陽極化成処理されない面）に位置する。処理槽１１１の外周は保持部１０８の側面に囲まれている。すなわち、上部電極１０４及び１０６の下面と半導体基板１０００の上面と保持部１０８の側面とに囲まれた領域が処理槽１１１に相当する。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４及び１０６と、処理槽１０１及び１０３との間に設けられる。処理槽１１１には、配管６３及び６４が接続されている。配管６３は、処理槽１１１への液体供給ラインである。配管６４は、処理槽１１１からの液体排出ラインである。本実施形態では、配管６３は、電解液Ｃ混合槽７０の液体供給ラインに接続される。配管６４は、電解液Ｃ混合槽７０の液体回収ラインに接続される。なお、配管６３及び６４は、それぞれ複数設けられてもよい。更に、処理槽１１１には、処理槽１１１内の液体を廃液として排出する際に用いられる廃液排出用の配管が接続されていてもよい。

本実施形態の保持部１０８は、例えば円筒形状を有する。保持部１０８の上端近傍の内面には、上部電極１０４が接する。第１及び第２実施形態の例では、保持部１０８の下端に、半導体基板１０００の下面に接するＬ字型のフック部が設けられていた。この場合、半導体基板１０００は、上部電極とフック部とに挟まれることにより固定されていた。これに対し、本例では、半導体基板１０００の下面に接するフック部は廃されている。保持部１０８は、固定部１１３を含む。固定部１１３は、保持部１０８の側面に設けられる。陽極化成処理の際に、電解液Ａ及びＢの液圧によって、半導体基板１０００は、下側から固定部１１３に押し当てられる。保持部１０８及び固定部１１３は、電解液Ｃに対して耐性を有する絶縁材料で構成される。例えば、保持部１０８及び固定部１１３には、半導体基板１０００とのシール性を改善するため、弾性材料が用いられてもよい。なお、固定部１１３の断面の形状は、任意である。例えば、固定部１１３の断面の形状は、半円形であってもよいし、矩形状であってもよい。

本実施形態では、電解液Ａ及びＢの液圧は、電解液Ｃの液圧よりも高く設定される。このため、陽極化成処理の際、電解液Ａ及びＢの液圧により、半導体基板１０００の上面は、固定部１１３に押し当てられる。

半導体基板１０００の下面（陽極化成処理される面）と下部電極１０７との間には、固定部１１３が設けられていない。換言すれば、半導体基板１０００の下面は、保持部１０８と接していない。このため、陽極化成処理の際、半導体基板１０００の下面の外周に、陽極化成処理されない領域（以下、「エッジカット領域」とも表記する）が設けられない。このため、半導体基板１０００の下側の面の全面に多孔質層１１００及び１２００が形成される。

５．１．３ 接触部の構成
次に、固定部１１３の構成の一例について、図２６を用いて説明する。図２６は、固定部１１３の上面図である。

図２６に示すように、本実施形態の固定部１１３は、リング形状を有している。陽極化成処理の際、半導体基板１０００の上面の外周（エッジ）全体が固定部１１３と接する。これにより、処理槽１０１から処理槽１１１への液体の染み出しが抑制される。

５．２ 第２例
次に、第２例について説明する。第２例では、第１例と異なる陽極化成処理部１０の構成について、図２７を用いて説明する。図２７は、電解液Ａ〜Ｃが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図２７の例は、第２実施形態の第１例と同様に、陽極化成装置１が、「同一電極 単一電源 分割処理槽」の構成である場合を示している。

本例の陽極化成装置１の全体構成は、第５実施形態の第１例の図２４と同様である。

図２７に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１０３、及び１１１、バット１０２、上部電極１０４、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第１例の図８と同様である。第２実施形態の第１例と同様に、上部電極１０４に電流供給部１３（電流源４０）が接続される。

本例では、上部電極１０４の下面と半導体基板１０００の上面と保持部１０８の側面とに囲まれた領域が処理槽１１１に相当する。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４と、処理槽１０１及び１０３との間に設けられる。

５．３ 第３例
次に、第３例について説明する。第３例では、第１及び第２例と異なる陽極化成装置１の構成について、図２８及び図２９を用いて説明する。図２８は、陽極化成装置のブロック図である。図２９は、電解液Ａ及びＣが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図２９の例は、第２実施形態の第２例と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 単一電源 同一処理槽」の構成である場合を示している。

図２８に示すように、本例の陽極化成装置１は、第５実施形態の第１例の構成（図２４）から、電解液Ｂ供給ユニット１２、並びに配管１６及び１７を廃した構成である。電解液Ａ供給ユニット１１の電解液Ａ混合槽２０は、配管１５を介して陽極化成処理部１０内の処理槽１０１に接続される。

図２９に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１及び１１１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第２例の図１１と同様である。第２実施形態の第２例と同様に、本例では、上部電極１０４は、スイッチＳＷ１を介して電流源４０に接続されている。また、上部電極１０６は、スイッチＳＷ２を介して電流源４０に接続されている。

本例では、上部電極１０４及び１０６の下面と半導体基板１０００の上面と保持部１０８の側面とに囲まれた領域が処理槽１１１に相当する。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４及び１０６と、処理槽１０１との間に設けられる。

５．４ 第４例
次に、第４例について説明する。第４例では、第３例と異なる陽極化成処理部１０の構成について、図３０を用いて説明する。図３０は、電解液Ａ〜Ｃが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図３０の例は、第２実施形態の第３例と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 複数電源 同一処理槽」の構成である場合を示している。

本例の陽極化成装置１の全体構成は、第５実施形態の第３例の図２８と同様である。

図３０に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１及び１１１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第３例の図１３と同様である。第２実施形態の第３例と同様に、上部電極１０４には、電流源４０が接続される。上部電極１０６には、電流源４１が接続される。

処理槽１１１の構成は、第５実施形態の第３例の図２９と同様である。

５．５ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第１乃至第４実施形態と同様の効果が得られる。

更に、本実施形態に係る構成であれば、陽極化成装置は、上部電極と半導体基板との間に電解液を供給できる。これにより、上部電極と半導体基板との接触面積を抑制できる。従って、上部電極による半導体基板の金属汚染を低減できる。

更に、本実施形態に係る構成であれば、上部電極と半導体基板との間に電解液を供給することにより、上部電極と半導体基板との間の導通不良を抑制できる。

６．第６実施形態
次に、第６実施形態について説明する。第６実施形態では、第５実施形態の第１例とは異なる電解液Ｃ供給ユニット６１の構成について説明する。

６．１ 全体構成
陽極化成装置１の全体構成について、図３１を用いて説明する。図３１は、陽極化成装置１のブロック図である。

図３１に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電流供給部１３、制御回路１４、並びに濃度センサ９１を含む。

陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４は、第５実施形態の第１例の図２４と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、循環機構を有しておらず、未使用の電解液Ｃを陽極化成処理部１０に供給する。すなわち、電解液Ｃ供給ユニット６１は、電解液Ｃ混合槽７０において、３つの液体Ｇ〜Ｉを混合して電解液Ｃを生成する。

配管６４は、電解液Ｃ混合槽７０には、接続されておらず、処理槽１１１で使用された液体は、廃液として排出される。

濃度センサ９１は、配管６４における排液の濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。例えば、本例の陽極化成装置１では、陽極化成処理毎に、電解液Ｃの新液の供給と排液処理とを繰り返す。但し、濃度センサ９１のモニタ結果から、処理槽１１１内の電解液Ｃが、次の陽極化成処理において、再利用可能と判定された場合、陽極化成装置１は、処理槽１１１の電解液Ｃの全部または一部を再利用できる。一部を再利用する場合、不足分の電解液Ｃが電解液Ｃ供給ユニット６１から供給される。

６．２ 本実施形態に係る効果
本実施形態を第５実施形態に適用できる。

７．第７実施形態
次に、第７実施形態について説明する。第７実施形態では、上部電極と半導体基板上面との間に２種類の電解液が供給されている場合について４つの例を説明する。以下、第５及び第６実施形態と異なる点を中心に説明する。

７．１ 第１例
７．１．１ 全体構成
まず、第１例の陽極化成装置１の全体構成について図３２を用いて説明する。図３２は、陽極化成装置のブロック図である。なお、図３２の例では、電解液Ａ供給ユニット１１及び電解液Ｂ供給ユニット１２の構成要素の詳細については、省略されている。

図３２に示すように、陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

陽極化成処理部１０は、上部電極と半導体基板１０００との間に２つの処理槽を有する。陽極化成処理部１０の詳細は後述する。

電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、及び電流供給部１３は、第１実施形態の図１と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１の構成は、第５実施形態の第１例の図２４と同様である。電解液Ｃ混合槽７０は、配管６５及び６６を介して、陽極化成処理部１０に接続される。すなわち、電解液Ｃ供給ユニット６１は、配管６５を介して、陽極化成処理部１０に電解液Ｃを供給し、配管６６を介して、陽極化成処理部１０から液体を回収する。

電解液Ｄ供給ユニット６２は、陽極化成処理部１０内の上部電極と半導体基板１０００の上面（陽極化成処理されない面）との間に設けられた処理槽に電解液Ｄを供給する。なお、電解液Ｄ供給ユニット６２は、処理槽に供給する電解液Ｄの液圧を調整するための図示せぬ機構（例えば、ポンプ等）を有する。電解液Ｄとしては、例えば、陽極化成処理の際、半導体基板１０００とほとんど反応しない溶液が用いられる。なお、半導体基板１０００の金属汚染を抑制するため、電解液Ｄは、金属元素を含まない方が好ましい。電解液Ｄは、電解液Ｃと同じであってもよく、異なっていてもよい。以下では、電解液Ｄは、電解液Ｃと濃度（抵抗値）が異なる場合について説明する。なお、電解液Ｄの抵抗値は、電解液Ｃの抵抗値より高くてもよいし、低くてもよい。上部電極１０４及び１０６の材質、電解液Ａ〜Ｄの組み合わせによる陽極化成処理への効果（電界への影響）等を考慮して、電解液Ｃ及びＤの抵抗値は調整される。本実施形態の電解液Ｄ供給ユニット６２は、陽極化成処理部１０と電解液Ｄ混合槽８０とにおいて電解液Ｄを循環させるための機能を有する。すなわち、電解液Ｄ供給ユニット６２は、陽極化成処理部１０から回収した液体の成分調整を行い、再度、陽極化成処理部１０に供給できる。

電解液Ｄ供給ユニット６２は、電解液Ｄ混合槽８０、供給制御部８１、複数の液体供給部８２（図２４の例では、３つの液体供給部８２ａ〜８２ｃ）、及び濃度センサ８３を含む。

電解液Ｄ混合槽８０は、複数の液体を混合して電解液Ｄを生成するための槽である。電解液Ｄ供給ユニット６２は、原料として、配管６４を介して陽極化成処理部１０から回収した液体と、３つの液体Ｊ〜Ｌとを混合して、電解液Ｄの生成及び濃度調整が可能である。なお、電解液Ｄの生成に用いられる液体は、３種類に限定されない。また、電解液Ｄの生成には、液体以外の材料が用いられてもよい。電解液Ｃと同様に、例えば、電解液Ｄは、陽極化成処理の際、半導体基板１０００とほとんど反応しない希釈ＨＦ水溶液であってもよいし、希釈ＨＣｌ水溶液であってもよいし、非水溶性有機電解液であってもよい。例えば、電解液Ｄの原料として、非水溶性電解液であるアセトニトリル（acetonitrile）、炭酸プロピレン（propylene carbonate）、またはジメチルホルムアミド（dimethylformamide）の少なくとも１つが選択されてもよい。また、電解液Ｄの原料として、フッ化物源となる無水ＨＦ（anhydrous HF）、テトラフルオロホウ酸塩（tetrafluoroborate）、またはフルオロホウ酸リチウム（lithium fluoroborate）の少なくとも１つが選択されてもよい。生成された電解液Ｄは、配管６３を通して陽極化成処理部１０の処理槽の１つに供給される。また、電解液Ｄ混合槽８０は、槽内の液体がオーバーフローした場合等に排液処理を行うためのオーバーフロー管を有する。

供給制御部８１は、制御回路１４の制御により、電解液Ｄ混合槽８０に供給する液体Ｊ〜Ｌの供給量を制御する。例えば、供給制御部８１は、各液体の供給ラインに設けられたバルブ及び流量計を含む。

液体供給部８２ａ〜８２ｃは、供給ラインにより、電解液Ｄ混合槽８０とそれぞれ接続されている。液体供給部８２ａ〜８２ｃは、供給ラインを介して、電解液Ｄ混合槽８０に液体Ｊ〜Ｌをそれぞれ供給する。液体供給部８２ａ〜８２ｃは、例えば、液体Ｊ〜Ｌの容器から液体Ｊ〜Ｌを圧送するための機構をそれぞれ有していてもよい。

濃度センサ８３は、電解液Ｄ混合槽８０内の電解液Ｄの濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。制御回路１４は、濃度モニタの結果に基づいて、供給制御部８１を制御し、電解液Ｄの濃度を調整する。なお、濃度センサ８３は、電解液Ｄの抵抗値を測定してもよい。

制御回路１４は、陽極化成装置１の全体を制御する。より具体的には、制御回路１４は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、及び電流供給部１３を制御する。

７．１．２ 陽極化成処理部の詳細な構成
次に、陽極化成処理部１０の詳細な構成の一例について、図３３を用いて説明する。図３３は、電解液Ａ〜Ｄが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図３３の例は、第１実施形態と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 複数電源 分割処理槽」の構成である場合を示している。

図３３に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１０３、１１１、及び１１２、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７の構成は、第１実施形態の図２と同様である。第１実施形態と同様に、上部電極１０４には、電流源４０が接続される。上部電極１０６には、電流源４１が接続される。

本例では、処理槽１１１の上端は、上部電極１０４の下面に位置する。上部電極１０４の下面と半導体基板１０００の上面と保持部１０８の側面と処理槽１１２の側面とに囲まれた領域が処理槽１１１に相当する。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４と、処理槽１０１との間に設けられる。

処理槽１１２は、例えば、円筒形状を有している。処理槽１１２は、例えば、処理槽１１１と同心円状となるように配置されている。処理槽１１２の内径は、処理槽１１１の内径よりも小さい。例えば、処理槽１１２の内径は、上部電極１０６と概略同じである。処理槽１１２は、多孔質層１１００の形成に対応する。処理槽１１２の上端は、上部電極１０６の下面に接する。処理槽１１２の下端は、半導体基板１０００の上面近傍に位置し、半導体基板１０００の上面に接していない。上部電極１０６の下面と半導体基板１０００の上面と処理槽１１２の側面とに囲まれた領域が処理槽１１２に相当する。換言すれば、処理槽１１２は、上部電極１０６と、処理槽１０３との間に設けられる。処理槽１１２の下端と半導体基板１０００との間には、ギャップＧＰ３が設けられている。処理槽１１２の側面は、例えば、電解液Ｃ及びＤに対して耐性を有する絶縁材料で構成される。なお、処理槽１１２は、保持部１０８と同じ材料であってもよい。処理槽１０３には、配管６５及び６６が接続されている。配管６５は、処理槽１１２への液体供給ラインである。配管６６は、処理槽１１２からの液体排出ラインである。本実施形態では、配管６５は、電解液Ｃ混合槽７０の液体供給ラインに接続される。配管６６は、電解液Ｃ混合槽７０の液体回収ラインに接続される。なお、配管６５及び６６は、複数設けられてもよい。更に、処理槽１１２には、処理槽１１２内の液体を廃液として排出する際に用いられる廃液排出用の配管が接続されていてもよい。

本実施形態では、電解液Ａ及びＢの液圧は、電解液Ｃ及びＤの液圧よりも高く設定される（電解液Ａ＋Ｂの液圧＞電解液Ｃ＋Ｄの液圧）。このため、陽極化成処理の際、電解液Ａ及びＢの液圧により、半導体基板１０００の上面は、固定部１１３に押し当てられる。

また、電解液Ｃの液圧は、電解液Ｄの液圧よりも高く設定される（電解液Ｃの液圧＞電解液Ｄの液圧）。これにより、陽極化成処理の際、ギャップＧＰ３を通って、処理槽１１２から処理槽１１１に向かって電解液Ｃが流れ込む。例えば、電解液Ａ〜Ｄが供給される場合、電解液Ａ〜Ｄの液圧は、電解液Ａ＞電解液Ｂ＞電解液Ｃ＞電解液Ｄの関係にあってもよい。

７．２ 第２例
次に、第２例について説明する。第２例では、第１例と異なる陽極化成処理部１０の構成について、図３４を用いて説明する。図３４は、電解液Ａ〜Ｄが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図３４の例は、第２実施形態の第１例と同様に、陽極化成装置１が、「同一電極 単一電源 分割処理槽」の構成である場合を示している。

本例の陽極化成装置１の全体構成は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。

図３４に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１０３、１１１、及び１１２、バット１０２、上部電極１０４、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１及び１０３、バット１０２、上部電極１０４、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第１例の図８と同様である。第２実施形態の第１例と同様に、上部電極１０４に対して、電流供給部１３（電流源４０）から電流が供給される。

本例では、例えば、処理槽１１１の内径は、処理槽１０３の内径と概略同じである。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４の処理槽１０１と対向する領域と、処理槽１０１との間に設けられる。処理槽１１２は、上部電極１０４の処理槽１０３と対向する領域と、処理槽１０３との間に設けられる。

７．３ 第３例
次に、第３例について説明する。第３例では、第１及び第２例と異なる陽極化成装置１の構成について、図３５及び図３６を用いて説明する。図３５は、陽極化成装置のブロック図である。図３６は、電解液Ａ、Ｃ、Ｄが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図３６の例は、第２実施形態の第２例と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 単一電源 同一処理槽」の構成である場合を示している。

図３５に示すように、本例の陽極化成装置１は、第７実施形態の第１例の構成（図３２）から、電解液Ｂ供給ユニット１２、並びに配管１６及び１７を廃した構成である。電解液Ａ供給ユニット１１の電解液Ａ混合槽２０は、配管１５を介して処理槽１０１に接続される。

図３６に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１１１、及び１１２、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第２例の図１１と同様である。第２実施形態の第２例と同様に、本例では、上部電極１０４は、スイッチＳＷ１を介して電流源４０に接続されている。また、上部電極１０６は、スイッチＳＷ２を介して電流源４０に接続されている。

本例では、処理槽１１１の上端は、上部電極１０４の下面に位置する。上部電極１０４の下面と半導体基板１０００の上面と保持部１０８の側面と処理槽１１２の側面とに囲まれた領域が処理槽１１１に相当する。また、処理槽１１２の上端は、上部電極１０６の下面に位置する。上部電極１０６の下面と半導体基板１０００の上面と処理槽１１２の側面とに囲まれた領域が処理槽１１２に相当する。換言すれば、処理槽１１１は、上部電極１０４と、処理槽１０１の上部電極１０４と対向する領域との間に設けられる。処理槽１１２は、上部電極１０６と、処理槽１０１の上部電極１０６と対向する領域との間に設けられる。

７．４ 第４例
次に、第４例について説明する。第４例では、第３例と異なる陽極化成処理部１０の構成について、図３７を用いて説明する。図３７は、電解液Ａ、Ｃ、Ｄが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図３７の例は、第２実施形態の第３例と同様に、陽極化成装置１が、「分割電極 複数電源 同一処理槽」の構成である場合を示している。

本例の陽極化成装置１の全体構成は、第７実施形態の第３例の図３５と同様である。

図３７に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１１１、及び１１２、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、及び保持部１０８を含む。

処理槽１０１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、並びに下部電極１０７は、第２実施形態の第３例の図１３と同様である。第２実施形態の第３例と同様に、上部電極１０４には、電流源４０が接続される。上部電極１０６には、電流源４１が接続される。

処理槽１１１及び１１２の構成は、第７実施形態の第３例の図３６と同様である。

７．５ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第６実施形態と同様の効果が得られる。

更に、本実施形態に係る構成であれば、上部電極と半導体基板との間において、半導体基板上面の中央部と外周部とに対して抵抗値の異なる電解液Ｃ及びＤを供給できる。更に、第１、第３、第４例の場合、２つの上部電極１０６及び１０４に供給される電流量に応じた電解液Ｃ及びＤをそれぞれ供給できる。これにより、陽極化成処理において、多孔質層１１００及び１２００形成の制御性を向上できる。更に、上部電極の電圧制御のレンジをより広くできる。更に、電解液Ｃ及びＤの抵抗値を調整することにより、消費電力を低減できる。

８．第８実施形態
次に、第８実施形態について説明する。第８実施形態では、第７実施形態の第１例とは異なる電解液Ｃ供給ユニット６１及び電解液Ｄ供給ユニット６２の構成について、４つの例を説明する。以下、第７実施形態の第１例と異なる点を中心に説明する。

８．１ 第１例
まず、第１例の陽極化成装置１について、図３８を用いて説明する。図３８は、陽極化成装置１のブロック図である。第１例では、第１実施形態と異なり、電解液Ｃ供給ユニット６１及び電解液Ｄ供給ユニット６２が循環機構を有していない場合について説明する。

図３８に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、制御回路１４、並びに濃度センサ９１及び９２を含む。

陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、循環機構を有しておらず、未使用の電解液Ｃを陽極化成処理部１０に供給する。すなわち、電解液Ｃ供給ユニット６１は、電解液Ｃ混合槽７０において、３つの液体Ｇ〜Ｉを混合して電解液Ｃを生成する。

電解液Ｄ供給ユニット６２は、電解液Ｃ供給ユニット６１と同様に、循環機構を有しておらず、未使用の電解液Ｄを陽極化成処理部１０に供給する。すなわち、電解液Ｄ供給ユニット６２は、電解液Ｄ混合槽８０において、３つの液体Ｊ〜Ｌを混合して電解液Ｄを生成する。

配管６４は、電解液Ｄ混合槽８０には、接続されておらず、処理槽１１１で使用された液体は、廃液として排出される。

配管６６は、電解液Ｃ混合槽７０には、接続されておらず、処理槽１１２で使用された液体は、廃液として排出される。

濃度センサ９１は、配管６６における排液の濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。濃度センサ９２は、配管６４における排液の濃度をモニタし、その結果を制御回路１４に送信する。例えば、本例の陽極化成装置１では、陽極化成処理毎に、電解液Ｃ及びＤの新液の供給と排液処理とを繰り返す。但し、濃度センサ９１のモニタ結果から、処理槽１１２内の電解液Ｃが、次の陽極化成処理において、再利用可能と判定された場合、陽極化成装置１は、処理槽１１２の電解液Ｃの全部または一部を再利用できる。同様に、濃度センサ９２のモニタ結果から、処理槽１１１内の電解液Ｄが、次の陽極化成処理において、再利用可能と判定された場合、陽極化成装置１は、処理槽１１１の電解液Ｄの全部または一部を再利用できる。一部を再利用する場合、不足分の電解液Ｃ及びＤが電解液Ｃ供給ユニット６１及び電解液Ｄ供給ユニット６２からそれぞれ供給される。

８．２ 第２例
次に、第２例の陽極化成装置１について、図３９を用いて説明する。図３９は、陽極化成装置１のブロック図である。第２例では、電解液Ｃ供給ユニット６１及び電解液Ｄ供給ユニット６２が処理槽１１１の排液を循環させる場合について説明する。

図３９に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。本例では、電解液Ｃ供給ユニット６１は、処理槽１１１から配管６４を介して液体を回収する。電解液Ｃ供給ユニット６１は、配管６４を介して処理槽１１１から回収した液体（電解液Ｃと電解液Ｄとの混合液）と、３つの液体Ｇ〜Ｉとを混合して、電解液Ｃの生成及び濃度調整が可能である。なお、本例では、配管６６が省略されているが、配管６６は、廃されていてもよく、処理槽１１２の廃液排出用ラインとして用いられてもよい。

電解液Ｄ供給ユニット６２は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。電解液Ｄ供給ユニット６２は、電解液Ｃ供給ユニット６１と同様に、処理槽１１１から配管６４を介して液体を回収する。

８．３ 第３例
次に、第３例の陽極化成装置１について、図４０を用いて説明する。図４０は、陽極化成装置１のブロック図である。第３例では、電解液Ｃ供給ユニット６１が循環機構を有しておらず、電解液Ｄ供給ユニット６２が循環機構を有している場合について説明する。

図４０に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、制御回路１４、及び濃度センサ９１を含む。

陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、及び制御回路１４は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１及び濃度センサ９１は、第８実施形態の第１例の図３８と同様である。

８．４ 第４例
次に、第４例の陽極化成装置１について、図４１を用いて説明する。図４１は、陽極化成装置１のブロック図である。第４例では、電解液Ｃ供給ユニット６１が循環機構を有しており、電解液Ｄ供給ユニット６２は循環機構を有していない場合について説明する。

図４１に示すように、本例の陽極化成装置１は、陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電解液Ｃ供給ユニット６１、電解液Ｄ供給ユニット６２、電流供給部１３、及び制御回路１４を含む。

陽極化成処理部１０、電解液Ａ供給ユニット１１、電解液Ｂ供給ユニット１２、電流供給部１３、及び制御回路１４は、第７実施形態の第１例の図３２と同様である。

電解液Ｃ供給ユニット６１は、第８実施形態の第２例の図３９と同様である。本例では、電解液Ｃ供給ユニット６１は、処理槽１１１から配管６４を介して液体を回収する。なお、本例では、電解液Ｃ供給ユニット６１が、処理槽１１１から配管６４を介して液体（電解液Ｃと電解液Ｄとの混合液）を回収する場合について説明したが、電解液Ｃ供給ユニット６１は、処理槽１１２から配管６６を介して液体（電解液Ｃ）を回収してもよい。この場合、例えば、処理槽１１１に接続されている配管６４は、処理槽１１１の廃液排出用ラインとして用いられる。

電解液Ｄ供給ユニット６２は、第８実施形態の第１例の図３８と同様である。なお、電解液Ｃ供給ユニット６１が、処理槽１１２から配管６６を介して液体（電解液Ｃ）を回収している場合、すなわち、配管６６が廃液排出用ラインとして用いられている場合、陽極化成装置１は、第６実施形態の第１例で説明した濃度センサ９２を有していてもよい。濃度センサ９２のモニタ結果から、処理槽１１１内の電解液Ｄが、次の陽極化成処理において、再利用可能と判定された場合、陽極化成装置１は、処理槽１１１の電解液Ｄの全部または一部を再利用できる。

８．５ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成を、第７実施形態に適用できる。

９．第９実施形態
次に、第９実施形態について説明する。第９実施形態では、第５及び第７実施形態とは異なる保持部１０８の構成について、２つの例を説明する。以下、第５及び第７実施形態と異なる点を中心に説明する。

９．１ 第１例
まず、第１例について説明する。第１例では、保持部１０８が上下に配置された２つの固定部１１３ａ及び１１３ｂを有している場合について、図４２〜図４５を用いて説明する。図４２は、電解液Ａ〜Ｃが供給されている状態における陽極化成処理部１０の断面図である。図４３は、固定部１１３ａの上面図である。図４４及び図４５は、図４２の領域ＲＡの拡大図である。図４４は、半導体基板１０００を陽極化成装置１にセットするときの固定部１１３ａ及び１１３ｂの位置を示している。図４５は、陽極化成処理の際の固定部１１３ａ及び１１３ｂの位置を示している。

図４２に示すように、陽極化成処理部１０は、処理槽１０１、１０３、及び１１１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、下部電極１０７、並びに保持部１０８を含む。処理槽１０１、１０３、及び１１１、バット１０２、上部電極１０４及び１０６、絶縁体１０５、及び下部電極１０７は、第７実施形態の第１例と同様である。なお、陽極化成処理部１０の構成は、第５及び第７実施形態で説明したいずれの構成であってもよい。

保持部１０８は、複数の固定部１１３ａ及び１１３ｂを含む。固定部１１３ａ及び１１３ｂの断面の形状は、例えば、三角形であってもよい。固定部１１３ａ及び１１３ｂの形状は、任意である。固定部１１３ａ及び１１３ｂの断面の形状は、半導体基板１０００を保持可能であり、且つ半導体基板１０００との接触面がより少ない形状が好ましい。

固定部１１３ａと固定部１１３ｂとは、保持部１０８の側面において異なる高さ位置に配置される。例えば、固定部１１３ａは、固定部１１３ｂよりも保持部１０８の上端側（上部電極１０４に近い側）に配置されている。固定部１１３ａ及び１１３ｂは、保持部１０８の内面に突き出している状態（以下、「突き出し状態」と表記する）と、保持部１０８の内部に引っ込んでいる状態（以下、「引っ込み状態」と表記する）となるように移動可能である。

図４３に示すように、例えば、３つの固定部１１３ａは、保持部１０８の中心に対してそれぞれが１２０°回転した位置に配置されている。なお、図４３の例は、固定部１１３ａが突き出し状態にある場合を示している。固定部１１３ａは、上面から見て、例えば、三角形の形状を有する。従って、固定部１１３ａは、例えば、円錐または四角錐の形状を有していてもよい。なお、固定部１１３ａの個数は、任意である。陽極化成処理の際に、半導体基板１０００を固定できるように、少なくとも３つ以上の固定部１１３ａが配置されていればよい。

固定部１１３ｂも固定部１１３ａと同様である。なお、固定部１１３ｂの形状、個数、及び配置は、固定部１１３ａと異なっていてもよい。

次に、固定部１１３ａ及び１１３ｂの動作について説明する。
図４４に示すように、例えば、半導体基板１０００を保持部１０８の内部にセットする場合、固定部１１３ａは、引っ込み状態とされ、固定部１１３ｂは、突き出し状態とされる。これにより、上方から半導体基板１０００をセットした際に、固定部１１３ｂが半導体基板１０００の下面を保持し、半導体基板１０００の落下を防止する。

図４５に示すように、例えば、陽極化成処理の際、固定部１１３ａは、突き出し状態とされ、固定部１１３ｂは、引っ込み状態とされる。これにより、半導体基板１０００は、下側から固定部１１３ａに押し当てられ、その位置が固定される。

９．２ 第２例
次に、第２例について説明する。第２例では、保持部１０８に弾性材料が用いられているについて、図４６を用いて説明する。図４６は、保持部１０８と半導体基板１０００の配置を示す概念図である。

図４６に示すように、保持部１０８に弾性材料を用いる場合、半導体基板１０００の先端が保持部１０８に押し当てられると、保持部１０８と半導体基板１０００とのシール性が向上する。なお、保持部１０８は、半導体基板１０００の外周全体に接していてもよいし、外周の一部に接していてもよい。

９．３本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成を、第５乃至第８実施形態に適応できる。

なお、本実施形態の第１例と第２例とを組み合わせてもよい。

１０．変形例
上記実施形態に係る陽極化成装置は、基板の陽極化成処理が可能な第１処理槽（１０１）と、第１処理槽の内側に設けられ基板の陽極化成処理が可能な第２処理槽（１０３）と、第１処理槽に第１電解液を供給可能な第１電解液供給ユニット（１２）と、第２処理槽に第２電解液を供給可能な第２電解液供給ユニット（１１）と、基板を保持可能な保持部（１０８）と、第１処理槽または第２処理槽の上方に設けられた第１電極（１０４）と、第１処理槽及び第２処理槽の下方に設けられた第２電極（１０７）と、を含む。

上記実施形態を適用することにより、基板表面に膜質の異なる複数の多孔質層を形成できる。

なお、実施形態は上記説明した形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、半導体基板表面の中央部と外周部とで２種類の異なる膜質の多孔質層を形成できる陽極化成装置について説明したが、３種類以上の異なる膜質の多孔質層を形成できる陽極化成装置であってもよい。より具体的には、陽極化成装置１において、上部電極が、例えば同心円状に、３つ以上設けられていてもよいし、処理槽が、例えば同心円状に、３つ以上設けられていてもよい。

また、上記実施形態における「接続」とは、他の何かを介在させて間接的に接続されている状態も含む。

また、上記実施形態における「概略同じ」とは、陽極化成処理を実行するにあって、多孔質層の形成に影響を与えない程度の誤差を含む。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…陽極化成装置
１０…陽極化成処理部
１１…電解液Ａ供給ユニット
１２…電解液Ｂ供給ユニット
１３…電流供給部
１４…制御回路
１５〜１９、６３〜６６…配管
２０…電解液Ａ混合槽
２１、３１、７１、８１…供給制御部
２２ａ〜２２ｃ、３２ａ〜３２ｃ、７２ａ〜７２ｃ、８２ａ〜８２ｃ…液体供給部
２３、３３、５０、７３、８３、９１、９２…濃度センサ
３０…電解液Ｂ混合槽
４０、４１…電流源
６１…電解液Ｃ供給ユニット
６２…電解液Ｄ供給ユニット
７０…電解液Ｃ混合槽
８０…電解液Ｄ混合槽
１０１、１０３、１１１、１１２…処理槽
１０２…バット
１０４、１０６…上部電極
１０５…絶縁体
１０７…下部電極
１０８…保持部
１１３、１１３ａ、１１３ｂ…固定部
１０００、１０００ａ、１０００ｂ…半導体基板
１１００、１２００…多孔質層
ＳＷ１、ＳＷ２…スイッチ

Claims (17)

1. 基板の陽極化成処理が可能な第１処理槽と、
   第１処理槽の内側に設けられ、前記基板の陽極化成処理が可能な第２処理槽と、
   前記第１処理槽に第１電解液を供給可能な第１電解液供給ユニットと、
   前記第２処理槽に第２電解液を供給可能な第２電解液供給ユニットと、
   前記基板を保持可能な保持部と、
   前記第１処理槽または前記第２処理槽の上方に設けられた第１電極と、
   前記第１処理槽及び前記第２処理槽の下方に設けられた第２電極と、
   を備える、
   陽極化成装置。
2. 前記第１電極の内側に設けられた第３電極をさらに有し、
   前記第１電極は、前記第１処理槽に対向し、前記第３電極は前記第２処理槽に対向する、
   請求項１に記載の陽極化成装置。
3. 前記第１電解液供給ユニットは、少なくとも第１液体を用いて前記第１電解液を生成可能であり、
   前記第１電解液供給ユニットは、
   前記第１電解液を格納可能な第１混合槽と、
   前記第１混合槽において前記第１電解液の濃度をモニタ可能な第１濃度センサと、
   前記第１濃度センサの結果に基づいて、前記第１混合槽への前記第１液体の供給を制御可能な第１供給制御部と
   を含む、
   請求項１または２に記載の陽極化成装置。
4. 前記第１電解液供給ユニットは、前記第１処理槽から回収した第２液体を更に用いて、前記第１電解液を生成可能である、
   請求項３に記載の陽極化成装置。
5. 前記第２電解液供給ユニットは、少なくとも第３液体を用いて前記第２電解液を生成可能であり、
   前記第２電解液供給ユニットは、
   前記第２電解液を格納可能な第２混合槽と、
   前記第２混合槽において前記第２電解液の濃度をモニタ可能な第２濃度センサと、
   前記第２濃度センサの結果に基づいて、前記第２混合槽への前記第３液体の供給を制御可能な第２供給制御部と
   を含む、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の陽極化成装置。
6. 前記第２電解液供給ユニットは、前記第１処理槽から回収した第４液体を更に用いて前記第２電解液を生成可能である、
   請求項５に記載の陽極化成装置。
7. 前記第２電解液供給ユニットは、前記第２処理槽から回収した第５液体を更に用いて前記第２電解液を生成可能である、
   請求項５に記載の陽極化成装置。
8. 前記第１及び第２処理槽は円筒形状を有し、前記第２処理槽の内径は、前記第１処理槽の内径よりも小さい、
   請求項１乃至６のいずれか一項に記載の陽極化成装置。
9. 前記第１電極に第１電流を供給可能な第１電流源と、
   前記第３電極に第２電流を供給可能な第２電流源と
   を更に備える、
   請求項２に記載の陽極化成装置。
10. 第３電流源と、
    前記第３電流源と前記第１電極とを電気的に接続可能な第１スイッチと、
    前記第３電流源と前記第３電極とを電気的に接続可能な第２スイッチと
    を更に備える、
    請求項２に記載の陽極化成装置。
11. 前記第１処理槽と前記第１電極との間、または前記第２処理槽と前記第１電極との間に設けられた第３処理槽と、
    前記第３処理槽に第３電解液を供給可能な第３電解液供給ユニットと
    を更に備える、
    請求項１に記載の陽極化成装置。
12. 前記第２処理槽と前記第１電極との間に設けられた第３処理槽と、
    前記第１処理槽と前記第３電極との間に設けられた第４処理槽と、
    前記第３処理槽に第３電解液を供給可能な第３電解液供給ユニットと
    前記第４処理槽に第４電解液を供給可能な第４電解液供給ユニットと
    を更に備える、
    請求項２に記載の陽極化成装置。
13. 前記第３電解液供給ユニットは、少なくとも第６液体を用いて前記第３電解液を生成可能であり、
    前記第３電解液供給ユニットは、
    前記第３電解液を格納可能な第３混合槽と、
    前記第３混合槽において前記第３電解液の濃度をモニタ可能な第３濃度センサと、
    前記第３濃度センサの結果に基づいて、前記第３混合槽への前記第６液体の供給を制御可能な第３供給制御部と
    を含む、
    請求項１１または１２に記載の陽極化成装置。
14. 前記第３電解液供給ユニットは、前記第３処理槽から回収した第７液体を更に用いて前記第３電解液を生成可能である、
    請求項１３に記載の陽極化成装置。
15. 基板の陽極化成処理が可能な第１処理槽と、
    前記第１処理槽に第１電解液を供給可能な第１電解液供給ユニットと、
    前記基板を保持可能な保持部と、
    前記第１処理槽の上方に設けられた第１電極と、
    前記第１電極の内側に設けられた第２電極と
    前記第１及び第２電極に対向し前記第１処理槽の下方に設けられた第３電極と、
    を備える、
    陽極化成装置。
16. 前記第１処理槽と前記第１電極との間、及び前記第１処理槽と前記第２電極との間に設けられた第３処理槽と、
    前記第３処理槽に第３電解液を供給可能な第３電解液供給ユニットと
    を更に備える、
    請求項１５に記載の陽極化成装置。
17. 前記第１処理槽と前記第１電極との間に設けられた第３処理槽と、
    前記第１処理槽と前記第２電極との間に設けられた第４処理槽と、
    前記第３処理槽に第３電解液を供給可能な第３電解液供給ユニットと
    前記第４処理槽に第４電解液を供給可能な第４電解液供給ユニットと
    を更に備える、
    請求項１５に記載の陽極化成装置。

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