CN1818795A - 清洗装置、涂布·显影装置以及清洗方法 - Google Patents

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Abstract

在密闭容器(41)的内部，晶片(W)通过真空卡盘(42)以在密闭容器(41)内面和晶片(W)之间形成有小的间隙的状态被水平保持。在从流体供给路径(5)端部的流体供给孔(40)朝向晶片(W)的表面的中心部供给清洗液的同时，从沿着以晶片(W)的中线轴线为中心的圆周设置在密闭容器(41)的底部的沟的形态的流体排出部(44)排出清洗液。清洗液在充满晶片(W)表面和密闭容器(41)之间的间隙的状态下从晶片(W)的中心部向边缘部一边展宽一边流动，除去晶片上附着的粒子，从流体排出部(44)排出。能够不旋转晶片(W)地确实而且均匀地除去粒子。清洗装置(4)整体的尺寸也小。

Description

清洗装置、涂布·显影装置以及清洗方法
技术领域
本发明涉及基板的清洗技术，特别涉及适合用于清洗在涂布抗蚀剂液后被进行液浸曝光处理的半导体晶片等圆形基板的清洗技术。
背景技术
在半导体器件或者LCD基板的制造处理中，通过称为光刻法的技术对基板进行抗蚀剂图案的形成。所谓光刻法，是通过在半导体晶片(以下称“晶片”)等基板上涂布抗蚀剂液、把该抗蚀剂以规定的图案曝光后，进行显影处理，得到希望的抗蚀剂图案的技术。这样的处理，一般在进行抗蚀剂液的涂布以及显影的涂布·显影装置中使用连接曝光装置的系统进行。
近年来，有器件图案更加微细化以及薄膜化发展的倾向，伴随这点，提高曝光的分辨率的要求增强。因此，为进一步改善使用氟化氩(ArF)或者氟化氪(KrF)的曝光技术、提高分辨率，提出了在使光透过基板表面形成液层(或者纯水膜)的状态下曝光的技术(以下称“液浸曝光”)。在水中光的波长缩短，193nm的ArF的波长在水中实质上成为134nm，该液浸曝光就是利用这一现象。
使用图21简单说明液浸曝光装置。在通过未图示的保持机构保持水平姿势的晶片W的上方，离开晶片W的表面一定间隙面对设置曝光器件1。在曝光器件1的中央前端部设置透镜10。在该透镜10的外侧，设置给晶片W的表面供给纯水的供给口11和用于吸引回收供给的纯水的吸引口12。通过在从供给口11供给纯水的同时通过吸引口12回收该纯水，在透镜10和晶片W的表面间形成液膜(纯水膜)。通过从未图示的光源发出的光透过透镜10以及液膜照射晶片W，把规定的电路图案转印到抗蚀剂R上。
在一个转印区域(拍摄区域)13上。上述曝光处理结束后，如图22所示，在透镜10和晶片W的表面间形成液膜的状态下，使曝光器件1在横方向上移动，把该曝光器件1配置在对应下一转印区域13的位置上，在那里进行上述曝光处理，通过重复这样做，在晶片W的表面上顺序转印规定的电路图案。此外，图22中所示的拍摄区域13的尺寸比实际尺寸大。
在上述的液浸曝光中，担心抗蚀剂在液膜侧被溶解，其溶解成分、例如PAG(酸发生剂)或者淬火剂在晶片W上残留。在曝光处理结束后，进行除去晶片W的表面上的液体的处理，但是有时液体会在表面残留。特别是因为晶片W的边缘部成为斜面构造，有包含上述溶解成分的液体在晶片W边缘部的倾斜面上残留的可能性。
如果包含上述溶解成分的液体在晶片W上残留，则上述溶解成分在晶片W上附着，成为发生粒子的原因。粒子在保护图案上，进而在器件上产生缺陷。另外，粒子附着在配置在涂布·显影装置内的晶片传送臂上，它会在处理单元内飞散，或者成为引起转印到其他晶片W上这样的粒子污染的重要原因。
从上述溶解成分产生的粒子附着在晶片上W的话，在曝光处理后进行加热处理时，产生粒子的粘合或熔敷，影响图案的线宽。再有，在显影处理时，由于在晶片W上附着的粒子也有损伤图案的危险。
对于在液浸曝光处理时形成的液膜新的不溶性抗蚀剂液的开发正在进行。另外，为抑制抗蚀剂的溶解，而且使液浸曝光时的液体难于在晶片W表面残留，提出了在抗蚀剂上涂布不粘水的保护膜的方案。但是，新的抗蚀剂液的开发非常困难，另外，加上形成保护膜的工序，产生总工序数以及费用增加这样的问题。
考虑这样的问题，在液浸曝光处理后，通过清洗晶片W的表面以及边缘部，除去从抗蚀剂液溶解成分产生的粒子是一种现实的方法。作为清洗晶片W的单元，一般是一边把清洗液供给晶片W的中心部，一边使晶片W旋转，其后进行甩干这样的旋转清洗装置。把这样的单元，装配到涂布·显影装置中。
但是，在这样的清洗装置中，为使晶片W旋转需要旋转卡盘和用于回收从晶片W飞散的清洗液的大的杯子。因此，清洗装置整体变得大型化，另外装置的构造也变得复杂化。再有，在为把飞散的清洗液确实捕捉到杯内而设置吸引装置的情况下，会引起清洗装置更加的大型化。
在JP5-291223A中，公开了不具有旋转机构以及回收清洗液用的杯体的清洗装置。在这里，公开了具有装备可加热以及冷却的热交换器的清洗室和装备可加热以及冷却的热交换器的缓冲槽、从清洗室的大体中央供给缓冲槽内的清洗液清洗晶片W、通过在清洗室的下部中央部设置的排出孔排出清洗液、回收到缓冲槽内的清洗装置。
在JP5-291223A中记载的清洗装置中，通过向晶片W的中心喷射清洗液进行晶片W表面的清洗，从晶片W表面落下的清洗液流入上述排出孔，贮留在缓冲槽中。但是，在该清洗装置中遍及晶片W的全部面均匀喷射是困难的，因为确实清洗晶片W的表面以及边缘部困难，对于液浸曝光处理后的清洗不适合。
发明内容
本发明在这样的背景下提出，其目的是提供一种技术，能够在清洗基板时，用简易的结构均匀而且确实地除去在基板表面以及边缘部附着的抗蚀剂的溶解成分等的粒子。
本发明的另外的目的是提供一种技术，能够一边满足除去在基板表面以及边缘部附着的粒子的要求，一边能够节省涂布·显影装置的空间。
为实现上述目的，本发明提供一种清洗装置，它具有：用于水平保持圆形基板的基板保持部；密闭容器，在所述基板保持部中保持的基板的表面以及该基板的背面的至少边缘部之间形成间隙的状态下收容基板；清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的表面的中心部，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的表面的中心部供给清洗液；干燥气体供给路径，在向所述基板保持部中保持的基板供给了清洗液后供给干燥气体；和流体排出路径，设置在所述密闭容器的底部，并沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周在所述密闭容器内开口，从所述密闭容器排出清洗液；从所述清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，从基板的中心部向边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出。
此外，本发明提供一种清洗装置，它具有：用于水平保持圆形基板的基板保持部；密闭容器，在所述基板保持部中保持的基板的表面以及该基板的背面的至少边缘部之间形成间隙的状态下收容基板；第一清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的表面的中心部，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的表面的中心部供给清洗液；第二清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的背面，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的背面供给清洗液；干燥气体供给路径，在向所述基板保持部中保持的基板供给了清洗液后供给干燥气体；和流体排出路径，以包围在所述基板保持部中保持的基板的边缘的方式在所述密闭容器内开口，从所述密闭容器排出清洗液；从所述第一清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，朝向基板的边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出，从所述第二清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的背面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，朝向基板的边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出。
所述基板保持部，可以取接触基板背面的中心部，吸附基板的环状真空卡盘。另外，所述清洗液供给路径可以兼用作所述干燥气体供给路径。另外，所述流体排出路径可以兼用作用于排出所述干燥气体的排出路径。所述清洗装置可以适合地作为对在表面上涂布抗蚀剂液、接着进行了曝光处理后的基板的表面以及边缘部进行清洗的清洗装置使用。该曝光处理可以采取液浸曝光处理。
在所述密闭容器的内面，可以沿着以在基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周，相对半径方向地交互形成施行了亲水处理的亲水性区域和施行了疏水处理的疏水性区域。或者所述密闭容器可以形成为在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙随着从基板的中心部朝向边缘部延伸慢慢变窄。或者，在面对所述密闭容器的所述基板保持部中保持的基板表面的面上，可以沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的同心圆的圆周形成多个凹部。另外，可以在所述流体排出路径的中途，设置用于提高流体在基板的圆周方向上的排出的均匀性的缓冲室。在基板保持部中保持的基板表面和密闭容器之间的基板的边缘部区域的间隙可以形成为比中央部区域的间隙小。另外，所述密闭容器可以形成为使在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙，在基板的边缘部的规定位置急剧变窄，接着在该规定位置的外侧展宽。
所述清洗装置可以进一步具有：在所述清洗液供给路径中设置的清洗液流量调整部，在所述干燥气体供给路径中设置的干燥气体流量调整部，控制所述清洗液流量调整部以及所述干燥气体流量调整部的控制部，使在通过所述清洗液供给路径向所述密闭容器内以第一清洗液流量供给了清洗液后，以比第一清洗液流量大的第二清洗液流量供给，在接着代替清洗液通过所述干燥气体供给路径向所述密闭容器内以第一干燥气体流量供给了干燥气体后，以比第一干燥气体流量大的第二干燥气体流量供给。
所述清洗装置可以进一步具有用于向在所述基板保持部中保持的基板的表面或背面的至少一方的边缘部供给清洗液的清洗液辅助供给部，在这种情况下，该清洗液辅助供给部可以沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周设置在所述密闭容器内。另外，可以做成在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙可变。
优选，在所述基板保持部中保持的基板和所述密闭容器之间的间隙为大于等于1mm、小于等于5mm。
上述的清洗装置是具有载体载放部、处理部、可连接曝光装置构成的接口部的涂布·显影装置，可装配到把通过载体搬入所述载体载放部的基板交付给所述处理部，在所述处理部内在基板上形成抗蚀剂，通过所述接口部向所述曝光装置送出基板，对在通过所述接口部返回来的曝光后的基板在所述处理部中进行显影，然后把基板交付所述载体载放部这样构成的涂布·显影装置内。
进而本发明提供一种对涂布保护液、接着进行过曝光处理的基板进行清洗的清洗方法。该方法包含：在密闭容器的内部，向在和该密闭容器之间形成间隙的状态下保持的基板的表面的中心部供给清洗液，由此，一边用所述清洗液充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙，一边使所述清洗液从基板的中心部向边缘部流动，同时从沿着以基板的中心轴线为中心的圆周设置在所述密闭容器的底部的流体排出路径排出所述清洗液的工序；接着，代替清洗液，向基板供给干燥气体，一边用所述干燥气体充满基板表面和密闭容器之间的间隙，一边使所述干燥气体向基板的边缘部流动，同时从所述流体排出路径排出所述干燥气体的工序。
再进一步，本发明提供一种对涂布保护液、接着进行过曝光处理后的基板进行清洗的清洗方法。该方法包含：在密闭容器的内部，向在和该密闭容器之间形成间隙的状态下保持的基板的表面的中心部供给清洗液，同时向基板的背面供给清洗液，由此，一边用所述清洗液充满基板和所述密闭容器之间的间隙，一边使所述清洗液向基板的边缘部流动，同时从以包围基板的边缘的方式形成的流体排出路径排出所述清洗液的工序，接着，代替清洗液，向基板供给干燥气体，一边用所述干燥气体充满基板和密闭容器之间的间隙，一边使所述干燥气体向基板的边缘部流动，同时从所述流体排出路径排出所述干燥气体的工序。
附图说明
图1是本发明的一个实施形态的涂布·显影装置的概略平面图。
图2是图1所示的涂布·显影装置的概略斜视图。
图3是把表示装配到图1所示的涂布·显影装置内的清洗装置的结构的概略截面图与在该清洗装置上连接的配管系统一起表示的图。
图4是概略表示图4所示的清洗装置的结构的一部分截断的斜视图。
图5是用于说明图4所示清洗装置的作用的概略截面图。
图6是用于说明图4所示清洗装置的作用的概略截面图。
图7是用于说明图4所示清洗装置的作用的概略截面图。
图8是表示清洗装置的第一变形例的概略图，(a)是截面图，(b)是表示盖体的下表面的平面图。
图9是表示清洗装置的第二变形例的概略截面图。
图10是表示清洗装置的第三变形例的概略图，(a)是截面图，(b)是表示盖体的下表面的平面图。
图11是表示清洗装置的第四变形例的概略截面图。
图12是表示清洗装置的第五变形例的概略截面图。
图13是表示清洗装置的第六变形例的概略截面图。
图14是表示清洗装置的第七变形例的概略截面图。
图15是表示清洗装置的第八变形例的概略截面图。
图16是表示清洗装置的第九变形例的概略截面图。
图17是表示清洗装置的第十变形例的概略截面图。
图18是表示清洗装置的第十一变形例的概略截面图。
图19是表示清洗装置的第十二变形例的概略截面图。
图20是表示清洗装置的第十三变形例的概略截面图。
图21是用于说明液浸曝光的晶片表面附近的截面图。
图22是用于说明液浸曝光的晶片的平面图。
符号说明
W    半导体晶片
2    载体
4        清洗装置
8、41    密闭容器
41A      容器本体
41B      盖体
42       真空卡盘(基板保持部)
44       流体排出部
5        流体供给路径
51       清洗液供给路径
52       干燥气体供给路径
具体实施方式
首先，参照图1以及图2，简单说明基于本发明的在装配有清洗装置的涂布·显影装置上连接曝光装置的抗蚀剂图案形成系统的整体结构。此外，为简化说明，称图1的X轴正方向为前、负方向为后、Y轴正方向为右、负方向为左。图中的附图标记B1表示对于该涂布·显影装置搬入搬出用于密闭容放多个例如13块基板例如晶片W的载体2的载体载放部。在载体载放部B1上设置具有可多个并排载放载体2的载放台20a的载体站20、在该载体站20的前方的壁面上设置的、通过闸板(未图示)开闭的开口部21、和用于通过该开口部21从载体2取出晶片W的接交器件(晶片搬运臂)A1。
在载体载放部B1的前侧，连接由框体22包围周围的处理部B2。在处理部B2的左边部分，配置多段叠层加热单元以及冷却单元形成的单元搁板U1、U2、U3。在处理部B2的右边部分，配置多段叠层多个液处理单元形成的单元搁板U4、U5。进而在处理部B2上，设置进行在单元搁板U1～U5的各单元间晶片W的接交的主搬运组件A2、A3(主搬运臂)。单元搁板U1、U2、U3；单元搁板U4、U5以及主搬运组件A2、A3分别在前后方向上排成一列。在对于构成各单元搁板的处理单元的主搬运组件A2、A3的连接部位，形成搬运晶片用的开口部。因此，晶片W可以在处理部B2内的任意单元搁板间自由地移动。
主搬运组件A2、A3设置在由包含单元搁板U1、U2、U3的前面以及后面、单元搁板U4、U5的左面、在该主搬运组件的左侧配置的面的区段壁围起来的空间内。另外，图中附图标记24表示在各液处理单元中使用的处理液的温度调节装置以及处理部B2内的装备温湿度调节用的导管等的温湿度调整单元。
单元搁板U1、U2、U3通过多段例如10段叠层用于进行在单元搁板U4、U5的液处理单元中进行的液处理的前处理以及后处理的各种单元构成。在单元搁板U1、U2、U3中包含的处理单元中，包含接交单元、疏水化处理单元(ADH)、用于调节晶片W到规定温度的温调单元(CPL)、用于在抗蚀剂液的涂布前进行晶片W的加热处理的加热单元(BAKE)、用于在抗蚀剂液的涂布后进行晶片W的加热处理的称为预焙烘单元的加热单元(PAB)、用于加热处理在显影处理后的晶片W的称为后焙烘单元的加热单元(POST)等。
单元搁板U4、U5如图2所示，通过多段例如5段叠层反射防止膜涂布单元(BARC)26、抗蚀剂涂布单元(COT)27、向晶片W供给显影液进行显影处理的显影单元(DEV)28等的液处理单元构成。
在处理部B2中单元搁板U3的前侧，通过接口部B3连接曝光装置B4。曝光装置B4可以做作液浸曝光装置。该接口部B3具有在后部设置的第一搬运室3A以及在前部设置的第二搬运室3B。在这些搬运室3A以及3B中，分别设置升降自如、围绕竖直轴旋转自由地而且在X轴方向以及Y轴方向移动自由的第一搬运臂31以及第二搬运臂32。
在第一搬运室3A中第一搬运臂31的右侧设置单元搁板U6。该单元搁板U6由在上下方向上叠层接交单元、高精度温调单元(CPL)、后曝光烘焙处理液浸曝光完毕的晶片W的加热·冷却单元(PEB)、根据本发明的清洗装置(清洗单元)4形成。高精度温调单元(CPL)、加热·冷却单元(PEB)以及清洗装置4也可以设置在处理部B2的单元搁板U1、U2、U3上。
简单说明上述的抗蚀剂图案形成系统中晶片W的流动。在载体载放部B1上载放的载体2内的晶片W，在处理部B2内，按照温调单元(CPL)、反射防止膜形成单元(BARC)、加热单元(BAKE)、温调单元(CPL)、涂布单元(COT)、以及加热单元(PAB)的顺序搬运，在各单元中执行规定的处理后，搬入曝光装置B4内，在那里在晶片W的表面形成纯水液膜的状态下进行液浸曝光。曝光处理后的晶片W被搬运到接口部B3内的清洗装置4，在那里进行晶片W的至少表面以及边缘部的清洗处理以及干燥处理。接着把晶片W在处理部B2内按照加热单元(PAB)、高精度温调单元(CPL)、显影单元(DEV)、加热单元(POST)、以及温调单元(CPL)的顺序搬运，在各单元中执行规定的处理后，返回到载体载放部B1的载体2内。
接着，参照图3～图7，说明把上述抗蚀剂图案形成装置特别装配到涂布·显影装置内的根据本发明的清洗装置4的第一实施形态。附图标记41是收容圆形基板的晶片W的扁平的圆筒形状的密闭容器。该密闭容器41由容器本体41A、和通过升降机构41C可自由升降的盖体41B构成。在密闭容器4的内部，设置用于水平保持晶片W的真空卡盘42(基板保持部)。该真空卡盘42包围晶片W的背面的中心部，具有吸附晶片W的背面的环状的吸附部42a。真空卡盘42和真空泵43连接。在真空卡盘42中保持的晶片W的表面及背面和密闭容器41的内面之间(在图示例中在晶片W的表面和盖体41B的下表面之间，以及晶片W的背面和容器本体41A的底壁的上表面之间)设置间隙。这些间隙很小，其大小优选大于等于1mm、小于等于5mm。另外，在晶片W的边缘和密闭容器41的内周面(在图示的例子中容器本体41A的侧周壁的内面)之间也设置间隙。该间隙也很小，优选大于等于1mm、小于等于5mm。
在密闭容器41的上部(在图示的例子中盖体41B)，在与在真空卡盘42内保持的晶片W表面的中心部对应的位置上，形成用于向晶片W表面的中心部供给清洗液的流体供给孔40。在该流体供给孔40上连接流体供给路径5。亦即流体供给孔40提供向密闭容器41内开口的流体供给路径5的流体出口端开口。流体供给路径5分支为清洗液供给路径51和干燥气体供给路径52。清洗液供给源53连接清洗液供给路径51，另外，在清洗液供给路径51内，中间设置清洗液流量调整部51a、过滤器51b以及脱氧组件51c。干燥气体供给源54连接干燥气体供给路径52，另外，在干燥气体供给路径52内，中间设置干燥气体流量调整部52a以及过滤器52b。作为清洗液，例如可以使用纯水或者功能水，另外，作为干燥气体，例如可以使用氮气。作为功能水，例如有含臭氧的水、调整了pH值的水、水分子被活性化了的水等。过滤器51b以及52b分别是除去清洗液以及干燥气体中包含的粒子的部件。脱氧组件51c是为防止在供给密闭容器41时清洗液的发泡、除去在清洗液中溶解的气体的部件。
在例示的实施形态中，清洗液流量调整部51a以及干燥气体流量调整部52a各个都通过主阀MV1、MV2和迂回这些主阀MV1、MV2的旁路流路B1、B2以及在这些旁路流路B1、B2中设置的子阀SV1、SV2构成。通过切换清洗液流量调整部51a以及干燥气体流量调整部52a的阀，可以对密闭容器41选择地供给清洗液或干燥气体。
在密闭容器41的底部(在图示的例子中容器本体41A的底部)，沿着以在真空卡盘42中保持的晶片W的中心轴线为中心的圆周，设置用于从密闭容器41排出清洗液的流体排出部44。该流体排出部44可以由以包围真空卡盘42的方式配置的环状沟构成。在流体排出部44中，连接用于向密闭容器41的外部排出流体的排出管44a。亦即，流体排出部44的上端开口提供由流体排出部44以及排出管44a形成的流体排出路径的流体入口端开口。在该排出管44a上连接气液分离部45，在该气液分离部45上连接用于贮留液体(清洗液)的废液槽46和用于吸引气体(干燥气体)的吸引组件47。作为吸引组件47，例如有泵或者喷射器。附图标记V1表示排液阀，附图标记V2表示排气阀。
在真空卡盘42的内侧，设置对于真空卡盘42辅助接交晶片W的多个例如3根升降杆48。这些升降杆48通过升降机构48a自由升降，升降杆48的前端位于容器本体41A的上方，能够在和在图3中未图示的搬运组件(第一搬运臂31)之间为进行晶片W的接交的接交位置、和升降杆48的前端位于比真空卡盘42低的位置的处理位置之间移动。
清洗装置4具有控制部C，通过该控制部C控制涉及清洗液流量调整部51a、干燥气体流量调整部52a、升降机构41C、48a、真空泵43、排液阀V1、排气阀V2等的清洗处理全部的结构部件的动作。
参照图5～图7说明清洗装置4的动作。首先，如图5(a)所示，打开盖体41B，使升降杆48位于接交位置，把晶片W从第一搬运臂31(图5(a)中未示)接收到升降杆48上。接着如图5(b)所示，使升降杆48下降到处理位置，把晶片W交给真空卡盘42，使真空泵43动作，通过真空卡盘42吸附并保持晶片W。进而，关闭盖体41B，把晶片W在密闭容器41B内密闭。这里，搬入清洗装置4内的晶片W是已经在曝光装置B4中执行过液浸曝光的晶片W。
接着，如图6(a)所示，打开子阀SV1和排液阀V1，在其余的阀V2、MV1、SV2、MV2关闭的状态下，向密闭容器41供给清洗液L。此时的清洗液L的流量(第一清洗流量)取不使在密闭容器41内发生泡(发生泡的话有损害清洗处理均匀性的危险)的流量，例如0.2～1升/分左右。清洗液L在约10秒内供给，由此使在晶片W和密闭容器41之间的间隙内充满清洗液。
接着如图6(b)所示，在打开主阀MV1和排液阀V1，其余的阀V2、SV1、SV2、MV2关闭的状态下，以比上述第一清洗液流量大的第二清洗液流量例如0.5～2升/分左右的流量在约10秒内向密闭容器41供给清洗液L。亦即继续维持晶片W和密闭容器41之间的间隙充满清洗液的状态，一边向密闭容器41供给清洗液，一边从流体排出部44排出清洗液L。由此，清洗液L从晶片W表面侧的中心部放射状地向边缘部均匀地一边展宽一边流动，接着回流到晶片W的背面侧到真空卡盘42的外侧的流体排出部44，在和晶片W接触的状态下流到密闭容器41内。因此，在晶片W表面以及背面附着的抗蚀剂的溶解成分以及粒子被从晶片W除去，和清洗液一同流动，从流体排出部44排出。
接着，如图7(a)所示，打开子阀SV2和排液阀V1，在其余的阀V2、MV1、SV1、MV2关闭的状态下，向密闭容器41供给干燥气体G。此时的干燥气体G的流量(第一干燥气体流量)取能够吹出密闭容器41内的清洗液L的程度的流量，例如0.5～10升/分左右。此外，此时如果用大流量供给干燥气体G，则有清洗液的排出不均匀的危险。干燥气体G约在10秒内供给，由此，通过流体排出部44把密闭容器41内的清洗液L排出到废液槽46，把密闭容器41内的清洗液L换成干燥气体G。
接着如图7(b)所示，在打开主阀MV2和排气阀V2，在其余的阀V12、SV1、MV1、MV2关闭的状态下，以比上述第一干燥气体流量大的第二干燥气体流量例如5～50升/分左右的流量在约10秒内向密闭容器41供给干燥气体G。由此，通过在晶片W和密闭容器41之间的间隙内通过干燥气体G，使晶片W的表面以及背面干燥。
这样在进行晶片W的清洗以及干燥后，关闭全部阀V1、V2、MV1、SV1、MV2、SV2，打开盖体41B，解除通过真空卡盘42对晶片W的吸附。接着，使升降杆48上升到上述接交位置，把晶片W接收到第一搬运臂31内。接着，晶片W由第一搬运臂31搬运到进行下一工序的PEB处理的加热单元中。
根据上述的清洗装置4，可以实现以下有利的效果。
(1)在晶片W和密闭容器41的间隙中充满的清洗液L，从晶片W的表面侧的中心部放射状地向边缘部均匀地一边展宽一边流动，进而从晶片W的边缘回流到晶片W的背面侧，从晶片W的背面的边缘部向半径方向内侧均匀流动，最后流入流体排出部44。因此，晶片W的表面的全部区域以及晶片W的背面的流体排出部44的外侧的全部区域上接触清洗液，可以确实地洗净这些区域。另外，因为晶片半径方向的清洗液的流速在晶片圆周方向上大体相等，所以能够进行在晶片W的圆周方向上均匀的清洗。不必为得到该清洗效果而旋转晶片，不需要旋转卡盘。这使清洗装置的部件数目得以削减，并且能够做到小型化。
(2)另外，在根据本发明的清洗装置4中，按照其动作原理，不需要对于旋转清洗装置不可缺少的用于回收从晶片飞散的清洗液的大直径的杯子，另外，晶片W和密闭容器41内面之间的间隙小。因此，可以使清洗装置4的尺寸缩小。这样的小尺寸的清洗装置4，有助于装配它的接口部B3或者处理部B2节省空间，进而避免抗蚀剂图案形成装置的大型化。另外，因为晶片W和密闭容器41内面之间的间隙小，所以可以减少清洗液以及干燥气体的使用量。
(3)因为接近圆筒状的真空卡盘42在其周围设置流体排出部44，所以真空卡盘42的外圆周面成为密闭容器41内的清洗液L以及干燥气体G的流路的终点，因为清洗液L以及干燥气体G平滑地流入流体排出部44，所以能够提高清洗和干燥效果。
(4)因为在圆筒状的真空卡盘42的内侧配置升降杆48，所以在处理中处理流体不会泄漏到配置升降杆48的空间内。
(5)在清洗装置4内，通过对液浸曝光后且在加热(PEB)处理前的晶片W进行清洗处理，能够除去在晶片W的表面以及背面附着的在液浸曝光时产生的抗蚀剂的溶解成分以及粒子。由此，可以防止向搬运臂以及其他处理单元的粒子的飞散以及转印。另外，可以防止由于所述溶解成分以及粒子引起的在液浸曝光后的加热(PEB)处理时晶片W的面内温度均匀性的恶化。因此，在使用化学放大型的抗蚀剂的场合，能够使在曝光时发生的酸催化剂向抗蚀剂内均匀扩散，能够确保图案线宽的均匀性。另外能够抑制由于粒子引起的显影缺陷的发生。
此外，在例示的实施形态中，流体排出部为沿着以晶片W的中心轴线为中心的圆周连续无缝隙延伸的圆周状沟的形态，但是不限于此，流体排出部也可以为沿着以晶片W的中心轴线为中心的圆周断续存在的沟。例如，也可以在密闭容器的底部沿以晶片W的中心轴线为中心的圆周排列多个流体排出孔。
另外，也可以把清洗液的排出路径、干燥气体的排出路径分开设置在密闭容器41内。另外，也可以代替把使清洗液供给路径51和干燥气体供给路径52合流的流体供给路径5连接在流体供给孔40上，而在把清洗液供给路径51直接连接在流体供给孔40上的同时，把从清洗液供给路径51分离的干燥气体供给路径52在流体供给孔40以外的部位连接到密闭容器41上。
下面参照图8～图20说明清洗装置4的各种变形例。
图8～图12所示的清洗装置4，具有确实保证在清洗液的供给开始后，清洗液的外圆周轮廓扩展为同心圆状的结构。
首先，在图8所示的清洗装置4中，在所述密闭容器41的内面，以同心圆状交互设置施加了亲水处理的亲水性区域(画影线的区域)51和施加了疏水处理的疏水性区域(无影线的区域)52。图8(b)是密闭容器41的盖体41B的内面的概略平面图。在盖体41B的中心部，亦即面对晶片的中心部且在设置液体供给孔40(图8(b)中未示)的部分上，设置由以晶片W的中心轴线为中心的圆分区的亲水性区域51。在该中心的圆形的亲水性区域51的外侧，设置与该亲水性区域51同心环状的疏水性区域52，再在其外侧设置环状的亲水性区域51。如图8(a)所示，在密闭容器41的纵截面中，在密闭容器41的内面，从配置流体供给孔40的位置到配置流体排出路径44的位置，交互设置环状的亲水性区域以及疏水性区域。各区域的直径方向的宽度可以取10mm左右。其他的结构和上述实施形态相同。
如上所述，晶片W和密闭容器41的内面之间的间隙非常小。因此，从流体供给孔40供给到晶片表面的中央部、即中心的亲水性区域51和晶片W之间的间隙内的清洗液，被邻接该亲水性区域51的疏水性区域52反弹，不能进入该疏水性区域52和晶片W之间的间隙内。清洗液可在由于中心的亲水性区域51和晶片W之间的间隙内充满清洗液而使该间隙内的内压升高后，侵入其相邻的疏水性区域52和晶片W之间的间隙内。这样，因为清洗液阶段性地展宽，所以清洗液在直径方向的进行速度在晶片圆周方向上变得均匀。在清洗结束后的干燥气体的供给开始后立即，根据和上述同样的原理，清洗液从晶片W和密闭容器41的内面之间的间隙在圆周方向上被均匀地除去。因此清洗液不易残留，可快速进行从清洗液到干燥气体的置换。
图9表示的清洗装置4是密闭容器41的上部内面(盖体41B的下表面)和密闭容器41的底部内面(容器本体41A的底部上表面)相对水平面成1°～2°左右的角度倾斜，以使晶片W表面和密闭容器41之间的间隙随着从晶片W的中心部向边缘部延伸慢慢变窄。在这一场合，晶片W和密闭容器41的内面之间的间隙也在大于等于1mm、小于等于5mm的范围内。其他的结构和上述实施形态相同。
如果晶片W和密闭容器41内面之间的间隙在晶片W半径方向上一定，则晶片W每单位面积的间隙的容积，越接近晶片W的边缘部越大。因此，在清洗液的供给量一定的场合，清洗液朝向晶片W外侧的速度，越接近晶片W的边缘部变得越小。
对此，在图9的结构中，可使晶片W每单位面积的间隙的容积与晶片W半径方向位置无关而大体相同。因此，由于清洗液朝向晶片W外侧的速度，与晶片W半径方向位置无关而大体相同，因此能够在晶片W半径方向上大致均匀地进行清洗。
另外，通过使密闭容器41的上部内面如图9所示倾斜，在清洗结束后开始供给干燥气体后立即从晶片W的中心部向边缘部快速吹出清洗液。因此，清洗液和干燥气体的置换容易进行。再有，通过使密闭容器41的底部内面朝向流体排出部44延伸变低倾斜，能够使密闭容器41内的清洗液平滑地流入流体排出部44，并从密闭容器41排出。因此，清洗液和干燥气体的置换快速进行，能够快速进行晶片W的表面以及背面的干燥。
在图10表示的清洗装置4中，在密闭容器41的上部内面(盖体41B的下表面)上，以同心圆状形成以晶片W的中心轴线为中心的多个凹部53。如图10(a)所示，在截面视图中，凹部53的轮廓是连接多个圆弧的波形。另外，如作为密闭容器41的盖体41B的下表面的平面图的图10(b)所示，面对晶片W的中心部的盖体41B的中心部上形成圆形的第一凹部53a，在其外侧，以同心圆状形成多个环状的凹部。各凹部的半径方向的宽度为5mm～20mm，优选8mm左右，另外，各凹部的最大深度为0.3mm～3mm，优选为2mm左右。
凹部53可以说起缓冲区的作用，在清洗液充满位于内侧的凹部53和晶片W之间的间隙后，向其外侧的凹部53和晶片W之间的间隙扩展。这样，因为清洗液阶段性地扩展，所以清洗液在晶片W半径方向的进行速度在晶片圆周方向上变得均匀。在清洗结束后开始供给干燥气体后立即，根据和上述同样的原理，从晶片W和密闭容器41的上部内面之间的间隙中，在晶片W的圆周方向上均匀地除去清洗液。因此能够使清洗液不易残留，快速进行从清洗液到干燥气体的置换。另外，因为在密闭容器上面有凹凸(凹部53)，所以在清洗液中发生湍流，由于该湍流提高了清洗效果。
在图11表示的清洗装置中，在流体排出部44的中途遍及该流体排出部44的全圆周设置缓冲室54。在把清洗液或干燥气体从密闭容器41排出时，在所述清洗液或干燥气体一旦充满缓冲室54后，从其下流侧排出。因此，能够使在流体排出部44入口部附近的清洗液的排出压以及干燥气体的排气压在晶片W圆周方向上均匀，其结果，能够使晶片W周围的清洗液以及干燥气体的流速在晶片W圆周方向上均匀。
在图12表示的清洗装置中，在流体供给孔40的下端出口部55上，形成向下方展宽的锥形。由此，因为清洗液或干燥气体在半径方向一边展宽一边供给密闭容器41内，所以清洗液以及干燥气体易于均匀且快速地从晶片W的中心部向边缘部扩散。
在图13表示的清洗装置中，通过改变密闭容器41的盖体41B的厚度(在盖体41B的下面设置级差)，使在晶片W边缘部处晶片W表面与密闭容器41之间的间隙比晶片中心部小。在晶片W边缘部处晶片W表面与密闭容器41之间的间隙优选为0.5～1mm左右。在其他部位处晶片W与密闭容器41之间的间隙取小于等于5mm。
在这一场合，也在清洗液充满晶片W中心侧的晶片W表面和密闭容器41之间的间隙后，清洗液流向其外侧。因此，即使流过晶片W中心侧的间隙的清洗液的流速比间隙大小变化的部位在晶片圆周方向上不同，可是清洗液的流速在间隙尺寸变化的部位在圆周方向上仍然均匀。
另外，间隙变窄后，清洗液压力上升，清洗力升高。因为晶片W的边缘部成为斜面结构粒子的附着量增多，所以以高的清洗力清洗晶片W边缘部很有效。另外，即使在供给干燥气体时，也能够使在晶片半径方向流动的干燥气体的流速在晶片W圆周方向上均匀。
代替把晶片W和密闭容器41的间隙如图13所示在晶片W的边缘部急剧变窄，如图14所示，把容器本体41A的底部上表面和盖体41B的下表面形成倾斜，使晶片W和密闭容器41之间的间隙随从晶片W的中心部向边缘部延伸慢慢变小，而且，在边缘部例如可以设置0.5～1mm左右的一定的间隙。在其他部位处晶片W和密闭容器41之间的间隙取小于等于5mm。这样做，也能使清洗液以及干燥气体在晶片W圆周方向上的流速分布均匀，同时提高晶片W的边缘部的清洗效果。
图15以及图16所示的清洗装置4具有提高晶片边缘部的清洗效果的结构。首先，在图15所示的清洗装置中，沿着以晶片W的中心轴线为中心的圆周在密闭容器41内设置用于向晶片W的表面以及背面的边缘部供给清洗液的清洗液辅助供给部。在盖体41B的内部，在遍及盖体41B的全周上形成用于向晶片W表面的边缘部供给清洗液的第一清洗液流路61。该清洗液流路61在中途有缓冲室62。另外，清洗液流路61随着向下方延伸朝半径方向外侧倾斜，由此，能够朝向晶片W的边缘部喷出清洗液。
在容器本体41A的底部遍及容器本体41A的全周也形成用于向晶片W背面的边缘部供给清洗液的第二清洗液流路63。该清洗液流路63在中途具有缓冲室64。另外，使能够朝向晶片W的背面侧边缘部喷出清洗液，随着朝向上方使向半径方向外侧倾斜。
通过配管65、供给阀V3把第一以及第二清洗液流路61、63连接到清洗液供给路径51。以规定的定时向该清洗液流路61、63供给清洗液，向晶片W的表面以及背面的边缘部喷出。
由此，因为能够直接向粒子附着量特别多的晶片W的表面或背面的边缘部喷射清洗液，所以能够使在所述边缘部的清洗力增大，确实除去粒子。此外，在图示例子中，清洗液辅助供给部通过第一以及第二清洗液流路61、63和清洗液的供给系统构成，但是仅设置第一以及第二清洗液流路61、63其中任何一个也可以。另外，代替遍及密闭容器41的容器本体41A的底部以及盖体41B的全周形成清洗液流路61、64，也可以沿着以晶片W的中心轴线为中心的圆周多个排列用于朝向晶片W的边缘部供给清洗液的喷嘴。另外，不需要一定设置缓冲室62、64。
在图16所示的清洗装置4中，在盖体41B的下表面设置环状的突起，使晶片W和密闭容器41之间的间隙在晶片W的边缘部例如急剧缩小到0.5～1mm左右，接着急剧展宽。在其他部位处晶片W和密闭容器41之间的间隙取小于等于5mm。通过突起的缩小的效果，处于突起附近的清洗液的流速升高，由此能够提高晶片W的边缘部的清洗效果。
图17所示的清洗装置4具有用于提高晶片W的干燥效果的结构。在密闭容器41的盖体41B的内部，遍及盖体41B的全周形成用于向晶片W表面的边缘部供给干燥气体的第一干燥气体流路66，进而，在容器本体41A的底部，遍及容器本体41A的全周形成用于向晶片W背面的边缘部供给干燥气体的第二干燥气体流路67。
第一干燥气体流路66随着朝向下方延伸朝向半径方向外侧倾斜，由此能够朝向晶片W的表面边缘部喷射清洗液。第二干燥气体流路67随着朝向上方延伸朝向半径方向外侧倾斜，由此能够朝向晶片W的背面边缘部喷射清洗液。第一以及第二干燥气体流路66、67通过配管68以及供给阀V4连接干燥气体供给路52。以规定的定时向该干燥气体流路66、67供给干燥气体，向晶片W的表面以及背面的边缘部喷射。
这样，因为能够直接向晶片W的表面以及背面的边缘部喷射干燥气体，所以可以迅速进行该边缘部附近的干燥。此外，也可以只设置第一以及第二清洗液流路61、63之中任何一个。另外，代替遍及密闭容器41的容器本体41A的底部以及盖体41B的全周形成第一以及第二干燥气体流路66、67，也可以沿着以晶片W的中心轴线为中心的圆周排列多个用于向晶片W的边缘部供给干燥气体的喷嘴。
在图18所示的清洗装置4中，遍及围绕晶片W边缘的密闭容器41(容器本体41A)的侧周部的全周设置追加的流体排出部71。在流体排出部72上连接排出管71。排出管72通过气液分离部75连接吸引组件47以及废液槽46。在容器本体41A的底部的真空卡盘42的周围，形成用于向密闭容器41供给清洗液以及干燥气体的供给流路73。该供给流路73通过中间设有阀V5的配管74连接在流体供给路径5上。
在这一情况下，供给到晶片W表面与密闭容器41的间隙、以及晶片W背面与密闭容器41的间隙的清洗液或者干燥气体，因为从晶片W的中心部朝向边缘部展宽，从在晶片W边缘的外侧形成的流体排出部71排出，所以也可以无斑点地洗净晶片W的表面以及背面的全部面。此外，在图18所示的清洗装置中，也可以装入上述图9～图17所示结构中的至少一个。
在图19中，表示可变更晶片W表面以及背面与密闭容器41之间的间隙构成的实施形态。密闭容器8有上侧部分和下侧部分，这些上侧部分及下侧部分分别有上部板81以及底部板82。这些上部板81以及底部板82的边缘部各通过柔软构件81a、82a与侧壁部81b、82b连接。上部板81以及底部板82分别通过升降机构83、84自由升降。附图标记85表示真空卡盘，该真空卡盘85也通过升降机构85a自由升降。
如果通过升降机构83、84升降柔软构件81a、82a，则柔软构件81a、82a挠曲，能够一边继续维持密闭容器8的密闭状态，一边把晶片W表面和密闭容器8的间隙、和晶片W背面与密闭容器8的间隙分别调整到规定范围内，例如0.5mm～5mm的范围内。在底部板82的真空卡盘85的周围，和图3所示实施形态相同，形成流体排出部44。
在图19所示的清洗装置中，把晶片W吸附在真空卡盘85上、密切接触密闭容器8的上侧部分和下侧部分后，通过升降机构83、84、85a把晶片W表面和密闭容器8的间隙以及晶片W背面与密闭容器8的间隙的大小调整到规定值。其后，和上述实施形态同样，向密闭容器8内顺序供给清洗液以及干燥气体，进行晶片W的表面以及背面的清洗及干燥。
根据图19所示的结构，能够变更清洗液供给时和干燥气体供给时间隙的大小，另外，能够对应抗蚀剂材料变更间隙的大小。亦即能够对应进行的处理设定最合适的间隙大小。能够更加提高清洗效率以及干燥效率。因为抗蚀剂根据其种类疏水性不同，所以这样能够调整晶片W背面和密闭容器8的间隙十分有效。
在图20的清洗装置中，清洗液供给路径51和干燥气体供给路径52连接在混合室86上。在该结构中，向混合室86供给清洗液和干燥气体，可以在将它们混合后通过流体供给路径5供给晶片W，能够根据处理的类别，得到高的清洗效果。
此外，也可以在密闭容器41(或8)的全部内面上施行疏水化处理，在这种场合，因为能够抑制水滴向密闭容器的内面附着，所以能够迅速进行通过干燥气体对晶片W以及密闭容器的内面的干燥。另外，也可以通过氟类树脂构成和密闭容器41(8)的清洗液接触的部分，在这种场合，能够抑制清洗液中的不纯物的溶解。
根据本发明的清洗装置，不是仅用于液浸曝光后的晶片W的清洗，而可以用于任意的基板清洗处理。例如，使用根据本发明的清洗装置，能够在进行抗蚀剂液的涂布以及加热(PAB)处理后、进行液浸曝光前，进行晶片的表面以及边缘部的清洗。由此，能够从晶片除去粒子，能够提高曝光精度。

Claims (20)

1.一种清洗装置，其特征在于，具有：
用于水平保持圆形基板的基板保持部；
密闭容器，在所述基板保持部中保持的基板的表面以及该基板的背面的至少边缘部之间形成间隙的状态下收容基板；
清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的表面的中心部，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的表面的中心部供给清洗液；
干燥气体供给路径，在向所述基板保持部中保持的基板供给了清洗液后供给干燥气体；和
流体排出路径，设置在所述密闭容器的底部，并沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周在所述密闭容器内开口，从所述密闭容器排出清洗液；
从所述清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，从基板的中心部向边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出。
2.一种清洗装置，其特征在于，具有：
用于水平保持圆形基板的基板保持部，
密闭容器，在所述基板保持部中保持的基板的表面以及该基板的背面的至少边缘部之间形成间隙的状态下收容基板；
第一清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的表面的中心部，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的表面的中心部供给清洗液；
第二清洗液供给路径，朝向在所述基板保持部中保持的基板的背面，在所述密闭容器内开口，朝向该基板的背面供给清洗液；
干燥气体供给路径，在向所述基板保持部中保持的基板供给了清洗液后供给干燥气体；和
流体排出路径，以包围在所述基板保持部中保持的基板的边缘的方式在所述密闭容器内开口，从所述密闭容器排出清洗液；
从所述第一清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，朝向基板的边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出，从所述第二清洗液供给路径向所述密闭容器内供给的清洗液，在充满基板的背面和所述密闭容器之间的间隙的状态下，朝向基板的边缘部一边展宽一边流动，从所述流体排出路径排出。
3.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述基板保持部是接触基板背面的中心部，吸附基板的环状真空卡盘。
4.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗液供给路径兼用作所述干燥气体供给路径。
5.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述流体排出路径兼用作用于排出所述干燥气体的排出路径。
6.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置是用于清洗在表面上涂布抗蚀剂液、接着进行曝光处理后的基板表面以及边缘部的清洗装置。
7.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在所述密闭容器的内面，沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周，相对于半径方向交互地形成施行了亲水处理的亲水性区域和施行了疏水处理的疏水性区域。
8.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述密闭容器形成为在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙随着从基板的中心部朝向边缘部延伸慢慢变窄。
9.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在面对所述密闭容器的所述基板保持部中保持的基板表面的面上，沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的同心圆的圆周形成多个凹部。
10.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在所述流体排出路径的中途，设置用于提高流体在基板的圆周方向上的排出均匀性的缓冲室。
11.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在基板保持部中保持的基板表面和密闭容器之间的基板的边缘部区域的间隙形成为比中央部区域的间隙小。
12.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述密闭容器形成为在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙在基板的边缘部的规定位置急剧变窄，接着在该规定位置的外侧展宽。
13.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，进一步具有：
在所述清洗液供给路径中设置的清洗液流量调整部，
在所述干燥气体供给路径中设置的干燥气体流量调整部，
控制所述清洗液流量调整部以及所述干燥气体流量调整部的控制部，使在通过所述清洗液供给路径向所述密闭容器内以第一清洗液流量供给了清洗液后，以比第一清洗液流量大的第二清洗液流量供给，在接着代替清洗液通过所述干燥气体供给路径向所述密闭容器内以第一干燥气体流量供给了干燥气体后，以比第一干燥气体流量大的第二干燥气体流量供给。
14.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，进一步具有清洗液辅助供给部，用于向在所述基板保持部中保持的基板表面或背面的至少一方的边缘部供给清洗液，该清洗液辅助供给部沿着以在所述基板保持部中保持的基板的中心轴线为中心的圆周设置在所述密闭容器内。
15.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在所述基板保持部中保持的基板表面和所述密闭容器之间的间隙可以变更。
16.权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，在所述基板保持部中保持的基板和所述密闭容器之间的间隙为大于等于1mm、小于等于5mm。
17.权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，所述曝光处理是在基板表面形成液层后进行曝光的液浸曝光处理。
18.一种涂布·显影装置，具有载体载放部、处理部、可连接曝光装置地构成的接口部，把通过载体搬入所述载体载放部的基板交付给所述处理部，在所述处理部内在基板上形成抗蚀剂，通过所述接口部向所述曝光装置送出基板，对在通过所述接口部返回来的曝光后的基板在所述处理部中进行显影，然后把基板交付所述载体载放部，其特征在于，
把权利要求1或者权利要求2所述的清洗装置装配到所述处理部或者所述接口部内，通过所述清洗装置清洗曝光前的基板或者曝光后的基板。
19.一种对在涂布保护液后、接着进行过曝光处理的基板进行清洗的清洗方法，其特征在于，包含：
在密闭容器的内部，向在和该密闭容器之间形成间隙的状态下保持的基板的表面的中心部供给清洗液，由此，一边用所述清洗液充满基板的表面和所述密闭容器之间的间隙，一边使所述清洗液从基板的中心部向边缘部流动，同时从沿着以基板的中心轴线为中心的圆周设置在所述密闭容器的底部的流体排出路径排出所述清洗液的工序；
接着，代替清洗液，向基板供给干燥气体，一边用所述干燥气体充满基板表面和密闭容器之间的间隙，一边使所述干燥气体向基板的边缘部流动，同时从所述流体排出路径排出所述干燥气体的工序。
20.一种对在涂布保护液后、接着进行过曝光处理后的基板进行清洗的清洗方法，其特征在于，包含：
在密闭容器的内部，向在和该密闭容器之间形成间隙的状态下保持的基板的表面的中心部供给清洗液，同时向基板的背面供给清洗液，由此，一边用所述清洗液充满基板和所述密闭容器之间的间隙，一边使所述清洗液向基板的边缘部流动，同时从以包围基板的边缘的方式形成的流体排出路径排出所述清洗液的工序，
接着，代替清洗液，向基板供给干燥气体，一边用所述干燥气体充满基板和密闭容器之间的间隙，一边使所述干燥气体向基板的边缘部流动，同时从所述流体排出路径排出所述干燥气体的工序。
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