CN1921955A - 衬底处理设备和方法 - Google Patents

Abstract

衬底处理设备具有用于在固定力下固定衬底(W)的衬底固定机构(14)，所述固定力根据衬底固定机构(14)的旋转速度而改变；衬底旋转机构(22)，用于旋转衬底固定机构(14)以旋转由衬底固定机构(14)固定的衬底(W)；和处理液输送机构(12、15、19)，用于将处理液输送给由衬底固定机构(14)固定的衬底(W)的期望部分。

Description

衬底处理设备和方法

技术领域

本发明涉及一种衬底处理设备和方法，特别涉及用于处理诸如半导体晶片这样的旋转衬底同时给该衬底输送处理液的衬底处理设备和方法。

背景技术

迄今为止已知一种用于由衬底固定和旋转机构来固定和旋转衬底的同时、向衬底(例如半导体晶片)的前表面和后表面以及衬底的边缘表面输送诸如清洗液或刻蚀液这样的下面称作衬底处理液的化学液体的衬底处理设备。该衬底处理设备的衬底固定和旋转机构具有用于夹持衬底的周边部分以固定衬底的多个衬底固定机构。然而，即使将衬底处理液输送给由衬底固定和旋转机构来固定和旋转的衬底，衬底处理液也不能输送给衬底中与衬底固定机构接触的部分，即由衬底固定机构固定的衬底部分。相应地，该常规衬底处理设备存在以下问题：衬底的这些部分不能用衬底处理液来处理(清洗或刻蚀)。

鉴于此，已经发展了一种衬底处理设备，其具有用于在处理期间交替地固定衬底以防止由衬底固定机构固定的部分不被处理的多个衬底固定机构。具体地说，轮流地一些衬底固定机构固定衬底同时另一些衬底固定机构释放衬底。然而，这种衬底处理设备具有复杂结构并需要用于处理衬底的麻烦工艺。

此外，也已经公知一种衬底处理设备，用于执行第一处理工艺和第二处理工艺，第一处理工艺包括通过例如吸引衬底的后表面来固定衬底，并向衬底的边缘表面输送衬底处理液，同时旋转衬底；第二处理工艺包括固定衬底的边缘表面，并向衬底的后表面输送衬底处理液，同时旋转衬底。

在该常规衬底处理设备中，执行化学液处理、液体清洗和干燥的一系列工艺。在化学液处理期间附着在衬底或衬底固定和旋转机构上的化学液可能溅射和附着到衬底的表面上，或者该化学液的喷雾可能附着到衬底上的膜上。因此，衬底可能被化学液污染。因而，用于进行化学液处理的装置和用于进行清洗工艺和干燥处理的装置应该分开提供，以便防止污染。具体地说，当在常规单一晶片处理设备中执行化学液处理、纯水清洗和干燥的一系列工艺时，用于处理衬底的装置和用于干燥衬底的装置彼此分开，从而在衬底的干燥处理期间化学液不溅射到衬底上，或者在衬底的干燥处理期间化学液的喷雾对衬底的膜没有有害影响。

然而，如果用于处理衬底的边缘表面的机构和用于处理衬底的后表面的机构分开地设置在衬底处理设备中，或者如果用于执行化学液处理的装置和用于执行清洗工艺和干燥处理的装置分开地设置在衬底处理设备中，则该设备的占地面积增加，并且衬底处理的处理量降低。因而，希望在单个装置中进行上述工艺，以便防止由于增加的传送时间导致的占地面积增加和处理量降低。

尽管也有人提出了一种用于在单个装置中执行化学液处理、纯水清洗和干燥的一系列工艺的设备，但是该提出的设备具有复杂结构，并且在衬底正在被干燥时，不能充分地防止化学液溅射到衬底上。此外，该设备不能充分地防止化学液的喷雾对衬底的膜施加有害影响。

发明内容

鉴于上述缺陷做出本发明。因此，本发明的第一目的是提供一种衬底处理设备和方法，其能防止衬底在衬底固定机构固定衬底的部分上不被处理，还防止在清洗处理或干燥处理期间由于化学液附着在衬底上而产生污染。

本发明的第二目的是提供一种衬底处理设备和方法，其可以在单个设备中执行包括化学液处理、纯水清洗和干燥的一系列处理，并可以防止衬底被弹回的处理液、化学液气和化学液的烟雾污染。

根据本发明的第一方面，提供一种衬底处理设备，包括：用于在固定力下固定衬底的衬底固定机构，所述固定力根据衬底固定机构的旋转速度而改变；衬底旋转机构，用于旋转衬底固定机构以旋转由衬底固定机构固定的衬底；和处理液输送机构，用于将处理液输送给由衬底固定机构固定的衬底的期望部分。

因此，该衬底处理设备具有用于在固定力下固定衬底的衬底固定机构，所述固定力根据衬底固定机构的旋转速度而改变。因而，通过调节衬底固定机构的旋转速度可以取得期望的固定力。因此，可以在期望的固定力下固定衬底。

衬底处理设备进一步包括驱动装置，该驱动装置用于相对于由衬底固定机构固定的衬底的旋转速度来改变衬底固定机构的旋转速度。在这种情况下，可以改变衬底固定机构固定衬底的部分。相应地，防止衬底在衬底固定机构固定彻底的部分上不被处理。此外，在衬底旋转的同时可以改变衬底固定机构固定衬底的部分。因而，可以防止衬底在固定部分不被处理而不需要任何附加处理。

根据本发明的第二方面，提供一种衬底处理设备，包括：用于固定衬底的周边部分的衬底固定机构；具有附着在其上的衬底固定机构的基底部件，该基底部件面向衬底的至少一个表面；附着到基底部件的中心部分上的可旋转轴；用于选择性地向衬底输送化学液或第一清洗液的第一液体输送喷嘴；用于切换将要输送给第一喷嘴的化学液和第一清洗液的切换装置；用于向衬底固定机构的内表面和基底部件的上表面输送第二清洗液的第二液体输送喷嘴；用于向衬底和基底部件之间的空间输送气体的气体输送喷嘴；和喷嘴结构，包括第一液体输送喷嘴、第二液体输送喷嘴和气体输送喷嘴，该喷嘴结构设置在可旋转轴之内。

因此，通过适当地操作这些喷嘴可以控制化学液、清洗液和气体的输送和停止。因而，在干燥处理期间可以防止化学液溅射到衬底上。此外，可以防止化学液的烟雾对衬底的膜施加有害影响。

第一液体输送喷嘴可以配置为用第一清洗液来清洗第一液体输送喷嘴、喷嘴结构的外表面以及其附近部分。因此，可以用第一清洗液来清洗第一液体输送喷嘴、喷嘴结构的外表面及其附近部分。因而，可以防止附着在这些部分上的化学液散射，从而对衬底的膜施加有害影响。

该衬底处理设备进一步包括：连接到第一液体输送喷嘴的第一管道；连接到第二液体输送喷嘴的第二管道；和用于排放在第一管道和第二管道中保留的液体的液体排放机构。因此，即使在干燥处理期间在衬底和基底部件之间产生负压，液体排放机构也可以防止喷嘴中和连接到喷嘴的管道的内部的液体从喷嘴射出。因而，可以防止液体及其烟雾附着在衬底上，从而对衬底的膜施加有害影响。

该衬底处理设备进一步可包括净化气体输送管道，用于向可旋转轴和喷嘴结构之间的间隙输送净化气体。因此，可以防止液体及其烟雾进入可旋转轴。

该衬底处理设备进一步包括用于向衬底固定机构的外表面输送第三清洗液的第三液体输送喷嘴。第三液体输送喷嘴可以更有效地实现上述效果。

该衬底处理设备进一步包括设置在衬底固定机构外部以便覆盖衬底固定机构的防散射杯。防散射杯在垂直方向是可移动的。因此，可以用已经从喷嘴结构的喷嘴输送的流到衬底上表面的清洗液来清洗防散射杯的内壁。因而，可以防止衬底被弹回到防散射杯上的清洗液或其烟雾污染。

根据本发明的第三方面，提供一种衬底处理方法，包括：通过衬底固定机构固定衬底；通过衬底旋转机构旋转衬底固定机构以旋转衬底；和向旋转的衬底的期望部分输送处理液，同时相对于彼此改变衬底固定机构的旋转速度和衬底的旋转速度。可以增加或减小衬底固定机构的旋转速度以相对于彼此改变衬底固定机构的旋转速度和衬底的旋转速度。

因此，可以改变衬底固定机构固定衬底的部分。因而，可以防止衬底在衬底固定机构固定衬底的部分上不被处理。此外，可以改变衬底固定机构固定衬底的部分，同时用处理液处理衬底。相应地，在不需要任何附加处理的情况下防止衬底在固定部分不被处理。

衬底固定机构的旋转速度可以从第一旋转速度改变为第二旋转速度，然后衬底固定机构的旋转速度可以从第二旋转速度返回为第一旋转速度。在这种情况下，可以很快地使衬底的旋转速度与衬底固定机构的旋转速度相同。

可以在增加或减小衬底固定机构的旋转速度的同时或之后停止输送衬底处理液。在这种情况下，在衬底固定机构固定衬底的部分上能够产生更大的摩擦力。相应地，可以很快地使衬底的旋转速度与衬底固定机构的旋转速度相等。

根据本发明的第四方面，提供一种衬底处理方法，包括：通过衬底固定机构固定衬底；通过衬底旋转机构旋转衬底固定机构以旋转衬底；向旋转衬底输送处理液以处理衬底；在输送处理液之后，以第一高旋转速度旋转衬底；向以第一高旋转速度旋转的衬底的至少一个表面输送清洗液，以清洗固定到衬底上的处理液；和在用清洗液覆盖了衬底的至少一个表面的状态下除去附着在衬底固定机构和衬底旋转机构的至少一个上的化学液。第一高旋转速度可以在1000到3000rpm范围内。

在这种情况下，即使化学液从衬底固定机构吹到衬底上，也能防止这种化学液附着在衬底上。此外，当化学液从衬底固定机构散射和弹回时，防止化学液变为烟雾，这种烟雾对衬底的前表面和后表面具有有害影响。

衬底可以以第二高旋转速度旋转，以除去清洗液和干燥衬底。在这种情况下，可以以基本上等于第一高旋转速度的高旋转速度旋转衬底持续期望的时间。因此，由于衬底固定机构在清洗处理期间以高旋转速度旋转，因此可以可靠地除去附着在衬底固定机构上的化学液。另外，由于可以可靠地除去在清洗处理中附着在衬底固定机构上的化学液，因此防止化学液在干燥处理期间附着在衬底上，从而污染衬底。

根据本发明的第五方面，提供一种衬底处理方法，包括：通过衬底固定机构固定衬底；通过衬底旋转机构旋转衬底固定机构以旋转衬底；向旋转衬底输送处理液以处理衬底；和向旋转衬底输送清洗液以清洗衬底固定机构。在输送清洗液期间，衬底固定机构可以以低于300rpm的旋转速度旋转。因此，当清洗衬底时，可以清洗附着在衬底固定机构上的化学液。

根据本发明的第六方面，提供一种衬底处理方法，包括：通过衬底固定机构固定衬底；通过衬底旋转机构旋转衬底固定机构以旋转衬底；向旋转衬底输送处理液以处理衬底；在输送处理液之后，以第一高旋转速度旋转衬底；向以第一高旋转速度旋转的衬底的至少一个表面输送清洗液，以清洗附着在衬底上的处理液；在用清洗液覆盖了衬底的至少一个表面的状态下除去附着在衬底固定机构和衬底旋转机构的至少一个上的化学液；向旋转衬底输送清洗液以清洗衬底固定机构；和以基本上等于第一高旋转速度的第二旋转速度旋转衬底持续期望的时间，以除去清洗液和干燥衬底。清洗液可以包括纯水、脱气水或溶解气体的水。

因此，由于衬底固定机构以高旋转速度旋转，所以在衬底的清洗处理期间可以可靠地除去附着在衬底固定机构上的化学液。即使化学液从衬底固定机构吹到衬底上，也可以防止化学液附着在衬底上。此外，当化学液从衬底固定机构散射并弹回时，防止化学液变为烟雾，这种烟雾将对衬底的前表面和后表面产生有害影响。此外，在衬底固定机构的清洗处理期间可以可靠地除去附着在衬底固定机构上的化学液。另外，在衬底的清洗工艺和衬底固定机构的清洗工艺期间可以可靠地除去附着在衬底固定机构上的化学液。相应地，防止在干燥处理期间化学液附着在衬底上。因此，可以防止污染衬底。

处理液可以输送给衬底的周边部分，以除去在衬底的周边部分上形成的膜。该将要除去的膜可包括：包含Cu、Co、Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo的其中之一的膜、或者具有多个层的膜，其中每个层包含Cu、Co、Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo的其中之一。在这种情况下，在处理衬底的膜期间，可以移动衬底固定机构固定衬底的部分。因而，可以在不存在未被处理的任何部分的情况下除去在衬底的周边部分形成的膜。此外，由于可以在除去膜期间移动衬底的固定部分，因此可以在不需要任何附加处理的情况下防止衬底在固定部分不被处理。

根据本发明的第七方面，提供一种衬底处理方法，包括：通过衬底固定机构固定衬底；通过衬底旋转机构旋转衬底固定机构以旋转衬底；向旋转衬底输送处理液以处理衬底；从第一液体输送喷嘴向衬底输送化学液；把将从第一液体输送喷嘴输送的液体切换为清洗液，以向衬底输送清洗液；将清洗液输送给第一液体输送喷嘴和第一液体输送喷嘴的附近部分，以清洗第一液体输送喷嘴和第一液体输送喷嘴的附近部分；和旋转衬底固定机构，以除去附着在衬底上的液体，并干燥衬底。

因此，防止在干燥处理期间化学液溅射到衬底上。此外，防止化学液的烟雾对衬底的膜施加有害影响。由于可以清洗第一液体输送喷嘴和第一液体输送喷嘴的附近部分，因此保留在第一液体输送喷嘴和第一液体输送喷嘴的附近部分中的液体或其雾不会对衬底的膜上施加有害影响。

可以停止输送清洗液，并且可以在停止输送之后和干燥衬底之前，排放保留在第一液体输送喷嘴和连接到第一液体输送喷嘴的管道中的液体。因此，即使在干燥处理期间在衬底和基底部件之间产生负压，液体排放机构也可以防止喷嘴中和连接到喷嘴的管道内部的液体从喷嘴射出。相应地，可以防止液体或其烟雾附着在衬底上，从而对衬底的膜施加有害影响。

此外，在干燥衬底之前，可以从第二液体输送喷嘴输送清洗液，从而清洗衬底固定机构的内表面和具有固定在其上的衬底固定机构的基底部件的上表面。因此，由于可以清洗衬底固定机构的内表面和基底部件的上表面，因此可以更有效地防止对衬底的膜的不良影响。

在干燥衬底期间，可以将气体从气体输送喷嘴输送给在衬底和具有附着在其上的衬底固定机构的基底部件之间的空间。因此，由于烟雾或类似物不能进入该空间，因此可以防止烟雾施加不良影响。该气体可以吹掉衬底的下表面的中心部分上的液体。相应地，气体可以帮助干燥衬底的下表面的中心部分，在该中心部分上，通过甩干不可能吹掉液体。

在清洗第一液体输送喷嘴及其附近部分期间，可以将该气体从气体输送喷嘴输送到衬底和基底部件之间的空间。由于该气体防止液体进入该空间，因此在干燥处理期间可以有效地输送该气体。

从下面结合附图的说明使本发明的上述和其它目的、特征和优点更明显，其中附图以举例形式示出了本发明的优选实施例。

附图说明

图1是表示根据本发明第一实施例的衬底处理设备的示意图；

图2A是表示图1所示的衬底处理设备中的衬底固定机构的部分平面图；

图2B是沿着图2A的线A-A截取的示意剖面图；

图3A和3B是解释图2B中的衬底固定机构的操作的示意剖面图；

图4A-4C是表示图1所示的衬底处理设备的衬底固定机构的旋转速度变化的例子的曲线图；

图5A和5B是表示图1所示的衬底处理设备的衬底固定机构的旋转速度变化的例子的曲线图；

图6是表示图1所示的衬底处理设备中的处理工艺的例子的流程图；

图7是表示图1所示的衬底处理设备的操作的示意图；

图8是表示图1所示的衬底处理设备的操作的示意图；

图9是表示图1所示的衬底处理设备的操作的示意图；

图10是表示图1所示的衬底处理设备中的处理工艺的另一例子的流程图；

图11是表示根据本发明第二实施例的衬底处理设备的示意图；

图12是表示图11所示的衬底处理设备中的衬底固定卡盘和卡盘固定基座的平面图；

图13是表示图11所示的衬底处理设备的操作的示意图；

图14是表示图11所示的衬底处理设备的操作的示意图；

图15是表示结合了根据本发明的衬底处理设备的Cu电镀设备的平面图；和

图16是表示结合了根据本发明的衬底处理设备的无电电镀设备的平面图。

实施发明的最佳方式

下面参图1-16描述根据本发明的衬底处理设备的实施例。在图1-16中，相同或相应的部件用相同或相应的参考标记表示，并且不重复描述。

图1表示根据本发明第一实施例的衬底处理设备的示意设置。如图1所示，衬底处理设备1具有衬底固定和旋转机构20，该机构20包括：作为衬底旋转机构的可旋转轴22，用于旋转将要处理的诸如半导体晶片这样的衬底W；在水平向外方向上从可旋转轴22的上端开始径向延伸的多个基底部件17；和设置在基底部件17的末端上的多个衬底固定机构14。提供多组(至少三组)基底部件17和衬底固定机构14。衬底W被固定在该多个衬底固定机构14的中心部分上。

衬底处理设备1具有耦合到可旋转轴22上的驱动装置。衬底固定和旋转机构20围绕着可旋转轴22来旋转衬底W，同时衬底固定机构14固定衬底W。驱动装置以所期望的加速度或减速度来加速或减速衬底固定和旋转机构20，以便以所希望的旋转速度来旋转可旋转轴22。例如，可以使用Si衬底，其具有淀积在该Si衬底上的热氧化物膜和淀积在该热氧化物膜上的Ta-N膜、Cu溅射膜和Cu电镀膜。该热氧化物膜可以具有大约1000埃的厚度。该Ta-N膜可以具有大约300埃的厚度。该Cu溅射膜可具有大约1500埃的厚度。该Cu电镀膜可具有大约10000埃的厚度。该热氧化物膜淀积在Si衬底的前表面和后表面上。其它膜只淀积在Si衬底的前表面上。

衬底处理设备1包括设置在衬底固定和旋转机构20的中心部分附近的喷嘴结构5。喷嘴结构5具有向由衬底固定机构14固定的衬底W的后表面开口的喷嘴15、以及基本上在水平方向开口的喷嘴16。喷嘴结构5与可旋转轴22分开形成，因此不与可旋转轴22一起旋转。喷嘴15向衬底W的后表面输送衬底处理液。喷嘴16基本上以扇形形状喷射衬底处理液，以便将衬底处理液输送给基底部件17的上表面和衬底固定机构14的内表面(在可旋转轴22侧)。

此外，喷嘴15连接到用于输送衬底清洗液的化学液管道31和32以及用于输送另一种化学液的化学液管道33。可以通过打开或关闭设置在化学液管道31、32、和33上的阀门31a、32a和33a来切换从喷嘴15输送的衬底处理液的类型。因此，阀门31a-33a用做用于切换将要输送给喷嘴15的衬底处理液的开关装置。喷嘴16连接到用于输送衬底清洗液的液体输送管道34。液体输送管道34具有设置在其上的阀门34a。尽管DIW(纯水)或溶解气体的水一般用做衬底清洗液，但是也可以使用其它化学液进行清洗。

衬底处理设备1还包括设置在衬底固定和旋转机构20的外部的喷嘴18，用于利用清洗液来清洗衬底固定和旋转机构20。喷嘴18将清洗液从喷嘴18的末端基本上以扇形形状喷射到衬底固定机构14的外表面(在与可旋转轴22相反的一侧)和基底部件17的外表面，以便清洗这些表面。喷嘴18连接到清洗液管道37上，清洗液管道37具有设置在其上的阀门37a。

衬底处理设备1还包括设置在衬底固定和旋转机构20上方的喷嘴11和12。喷嘴11向衬底W的前表面输送清洗液，而喷嘴12向衬底W的前表面输送化学液。喷嘴11连接到液体输送管道35，而液体输送管道35具有设置在其上的阀门35a。喷嘴12连接到具有设置在其上的阀门36a的液体输送管道36。通过调节阀门35a和36a的开口，可以控制分别从喷嘴11和12输送来的清洗液和化学液的流速，以具有几个级。

衬底处理设备1具有用于防止输送给衬底W的衬底处理液散射的防散射杯13。防散射杯13设置成包围衬底固定和旋转机构20。防散射杯13在垂直方向是可移动的。当防散射杯13位于图1所示的位置时，即基本上位于与衬底固定机构14相同的高度时，防散射杯13主要通过倾斜部分13a接收从衬底固定和旋转机构20和衬底W散射的衬底处理液。

如图1所示，衬底处理设备1包括设置在防散射杯13外部的臂部23。臂部23构成为可摆动和可垂直移动的。臂部23具有设置在臂部23的末端的边缘喷嘴19，用于向衬底W输送衬底处理液。臂部23可以将边缘喷嘴19移动到所希望的位置上。例如，臂部23可以将边缘喷嘴19移动到衬底W上方的位置上，以便向衬底W的所希望的区域输送衬底处理液。或者，臂部23可以将边缘喷嘴19收回到防散射杯13外部的位置上。边缘喷嘴19连接到液体输送管道38，该液体输送管道38具有设置在其上的阀门38a。

可旋转轴22连接到具有设置在其上的N₂阀门39a的N₂气体输送管道39。在处理衬底W期间，打开N₂阀门39a以从N₂气体输送管道39输送N₂气体。相应地，在处理衬底W期间防止诸如清洗液和化学液这样的衬底处理液进入可旋转轴22的内部。

下面将详细介绍衬底固定机构14。图2A和2B是表示多个衬底固定机构14之一的部分放大图。图2A是衬底固定机构14的平面图，图2B是沿着图2A的线A-A截取的示意剖面图。如图2A和2B所示，衬底固定机构14包括：主体部分25，该主体部分25具有在可旋转轴22一侧形成在主体部分25上的水平表面25a，以及设置在水平表面25a上的突起25c，在该突起上放置衬底W。主体部分25还具有以预定距离隔开且彼此面对的一对侧板25b和25b、以及在侧板25b和25b之间水平延伸的轴29。衬底固定机构14具有轴29延伸穿过的棘爪27。棘爪27可围绕轴29旋转。

轴29在一个位置处延伸穿过棘爪27，使得位于轴29下面的棘爪27的下部27a的质量大于位于轴29上面的棘爪27的上部27b的质量。当衬底固定和旋转机构20旋转时，衬底固定机构14在由图2A中的箭头B表示的方向上旋转。如果衬底固定机构14的旋转速度增加，则离心力施加于棘爪27上，以使棘爪27围绕轴29在图3A中的箭头C表示的方向上旋转。具体地说，旋转棘爪27使得设置在棘爪27的上部27b上的压具28与衬底W的上表面接触。然后，如图3B所示，压具28从突起25c上方挤压设置在突起25c上的衬底W，并固定衬底W。

压具28挤压衬底W的力，即衬底固定机构14固定衬底W的固定力取决于衬底固定和旋转机构20的旋转速度。当衬底固定和旋转机构20具有较高的旋转速度时，衬底固定机构14以较大的固定力来固定衬底。因而，当衬底固定和旋转机构20的旋转速度增加时，在压具28和衬底固定机构14的突起25c与衬底W接触的部分上产生的诸如静摩擦力、最大摩擦力或动摩擦力这样的摩擦力也增加。

接着，将介绍改变由衬底固定机构14固定的衬底W的固定部分的操作。首先，如图2A和2B所示，衬底W放置在衬底固定机构14的突起25c上。此时，衬底固定机构14旋转。当衬底固定机构14的旋转速度增加时，棘爪27逐渐地在由图3A中的箭头C表示的方向上旋转。然后，如图3B所示，压具28从衬底W的上方挤压衬底W，使衬底W被压具28和突起25c固定。此时，由衬底固定机构14固定的衬底W与衬底固定机构14一体地旋转。当衬底固定机构14的旋转速度进一步增加时，用于衬底固定机构14固定衬底W的固定力也增加。当衬底固定机构14的旋转速度增加直到产生所希望的固定力时，衬底固定机构14的旋转速度保持在恒定值，以下将其称为初始旋转速度。

图4A-4C、5A和5B表示从初始旋转速度开始改变衬底固定机构14的旋转速度的一些例子。如图4A所示，以初始旋转速度N₀(图4A中为350rpm)旋转的衬底固定机构14的旋转速度以加速度α₁(图4A中的1000rpm/s)增加，使得在衬底W上产生的惯性力大于在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生的静摩擦力(最大摩擦力)。因此，衬底固定机构14的旋转速度增加到旋转速度N₁(图4A中的400rpm)。结果是，在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生滑动，从而移动由压具28固定的衬底W的固定部分。此时，衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度改变了，从而衬底W开始相对于衬底固定机构14移动。然后，在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生的动摩擦力逐渐地减小衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度。预定时间之后，衬底W的旋转速度和衬底固定机构14的旋转速度变为相同值N₁。然后，衬底W与衬底固定机构14一体地旋转，同时衬底W被固定在初始固定部分以外的部分上。

在图5A所示的另一例子中，以初始旋转速度n₀(图5A中为400rpm)旋转的衬底固定机构14的旋转速度以加速度β₁(图5A中的-1000rpm/s)减小，使得在衬底W上产生的惯性力大于在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生的静摩擦力(最大摩擦力)。因此，衬底固定机构14的旋转速度减小到旋转速度n₁(图5A中的350rpm)。结果是，在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生滑动，从而在与旋转速度以加速度α₁增加的情况下的方向相反的方向上移动由压具28固定的衬底W的固定部分。此时，衬底W相对于衬底固定机构14移动，并且在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生的动摩擦力逐渐减小衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度。预定时间之后，衬底W的旋转速度和衬底固定机构14的旋转速度变为相同值n₁。然后，衬底W与衬底固定机构14一体地旋转，同时衬底W被固定在初始固定部分以外的部分上。

在改变衬底固定机构14的旋转速度之后，在直到衬底W的旋转速度达到与衬底固定机构14相同的旋转速度为止用了很长时间的情况下，可以如下控制衬底固定机构14的旋转速度。如图4B或5B所示，衬底固定机构14的旋转速度以加速度α₁或β₁增加或减小到旋转速度N₁或n₁。在预定时间(保持时间T₁)内旋转速度N₁或n₁保持恒定。然后，衬底固定机构14的旋转速度以加速度α₂(图4B中的-100rpm/s)或β₂(图5B中的100rpm/s)减小或增加到旋转速度N₂或n₂，其等于初始旋转速度N₀或n₀。因此，减小或增加以前已经增加或减小的衬底固定机构14的旋转速度，以便等于或接近于初始旋转速度。相应地，能够很快地使衬底W的旋转速度与衬底固定机构14的旋转速度相等。

特别是，当增加衬底固定机构14的旋转速度时，可以减小衬底W的相对旋转速度，即使在压具28和突起25c与衬底W接触的部分上产生摩擦力(动摩擦力)。在这种情况下，如图4C所示，紧接着在衬底固定机构14从初始旋转速度N₀以加速度α₁增加之后，以加速度α₂减小衬底固定机构14的旋转速度。然后，衬底固定机构14的旋转速度保持在低于初始旋转速度N₀的恒定值N₁。因此，能够快速地使衬底W的旋转速度与衬底固定机构14的旋转速度相等。

此外，当由于衬底W和衬底固定机构14之间的旋转速度的差别而使衬底固定机构14的固定部分偏移时，衬底处理液可以进入衬底固定机构14的突起25c和压具28与衬底W接触的部分中。在这种情况下，在衬底固定机构14的突起25c和压具28与衬底W接触的这些部分上产生的摩擦力变小。因而，为了快速地使衬底W的旋转速度与衬底固定机构14的旋转速度相等，在预定时刻处停止从喷嘴15、16、11、12等输送衬底处理液。例如，当衬底固定机构14的旋转速度增加时停止从喷嘴15向衬底W的背面输送衬底处理液。在这种情况下，当衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度改变时，衬底处理液不能进入突起25c和压具28与衬底W接触的部分。因而，在这些接触部分能够产生大的摩擦力。结果是，可以快速地使衬底固定机构14和衬底W的旋转速度相等。在衬底固定机构14加速时停止衬底处理液的输送不是必需的。可以在衬底固定机构14的旋转速度已经增加之后，停止从喷嘴15向衬底W的背面输送衬底处理液。

改变衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度不限于上述方法。例如，当衬底固定和旋转机构20的初始旋转速度低时，压具28不与衬底W接触。因而，当衬底W不被压具28固定时衬底W旋转。在这种情况下，从喷嘴15向衬底W的背面输送衬底处理液。因此，输送的处理液能够向衬底W提供的阻力以改变衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度。此外，可以将衬底处理液以增加的流率和流速从喷嘴15向衬底W的背面输送，从而升高衬底W，以便在突起25c和衬底W之间形成间隙。因此，能够减小衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度。

可以基于衬底固定机构14的旋转操作、停止输送衬底处理液的时刻、形成在衬底W上的膜的类型和衬底W的处理条件来制备关于衬底固定机构14固定衬底W的固定部分的移动量的数据库，该衬底固定机构14的旋转操作由以下数据确定：初始旋转速度N₀或n₀、已经从初始旋转速度N₀或n₀以加速度α₁或β₁改变的旋转速度N₁或n₁、保持旋转速度N₀或n₀的保持时间T₁、已经从旋转速度N₁或n₁以加速度α₂或β₂改变的旋转速度N₂或n₂、以及保持旋转速度N₂或n₂的保持时间T₂。从这个数据库可获得期望的移动量所需的旋转操作。衬底固定机构14可以在获得的处理衬底的条件下旋转。

如图1所示，衬底处理设备1可包括凹槽/定向平面传感器21。凹槽/定向平面传感器21可以检测在处理衬底W期间在衬底W中形成的凹槽或定向平面的移动和测量该移动的量。如果在处理衬底W期间不能获得衬底固定部分的希望移动量，则用于改变衬底固定机构14的旋转速度的上述操作可以重复预定次数。然后，可以判断是否获得所希望的移动量。此外，可以提供报警装置(未示出)，以便在判断表明不能获得所希望的移动量时触发报警。

如上所述，衬底W相对于衬底固定机构14的相对旋转速度可以改变，以便移动衬底固定机构14固定衬底W的固定部分并以所希望的值来调节固定部分的移动量。

接着，将介绍利用上述衬底处理设备1来处理衬底的操作的例子。在这个例子中，清洗衬底W，并且刻蚀衬底W的倾斜部分(边缘部分及其附近部分)。图6是表示这个例子的操作的流程图。下面将参照图1和6-9介绍该例子。

首先，将衬底处理设备1的防散射杯13降低到图7所示的位置。此时，用机械手(未示出)等将衬底W传送并引入到衬底固定机构14的中心部分。这样，将衬底W放在突起25c上(步骤1)。

将防散射杯13升高到图1所示的位置(步骤2)。

旋转衬底固定和旋转结构20，以便以350rpm的初始旋转速度旋转衬底固定机构14和由衬底固定机构14固定的衬底W。此时，直到初始旋转速度，衬底固定和旋转机构20的加速度都设置为400rpm/s。以这个加速度，由于衬底W的重量而在衬底W和突起25c之间产生的静摩擦力(最大摩擦力)高于在衬底W上产生的惯性力。因而，衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的的固定部分相对于衬底固定机构14不滑动。因此，衬底W的旋转速度相对于衬底固定机构14的旋转速度不会改变。在衬底W以旋转速度350rpm旋转的状态下，从喷嘴12向衬底W的前表面输送作为化学液的硫酸。此外，从喷嘴15向衬底W的背面输送作为化学液的硫酸和氧化水的混合液。这样，处理了衬底(步骤3)。

在衬底W以350rpm旋转速度旋转的状态下，臂部23向上移动，使得边缘喷嘴19位于高于防散射杯13的位置上。然后，臂部23围绕其轴旋转，以便将边缘喷嘴19移动到衬底W的上方。边缘喷嘴19向下移动到高于衬底W的上表面大约2cm的位置上。这个状态示于图8中。在那个位置，从喷嘴19向衬底W的边缘部分输送作为化学液的氧化水。具体地说，向在从衬底W的边缘(周边边缘)向内3mm范围内的区域输送氧化水。因此，用从喷嘴12输送来的硫酸和从边缘喷嘴19输送来的氧化水的混合物处理了从衬底W的边缘向内3mm范围内的区域。相应地，刻蚀了在这个区域中形成的Cu膜(步骤4)。在这个状态下，由于没有处理液输送到衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分，因此不刻蚀该固定部分。

在预定时间内输送来自喷嘴12的硫酸和来自边缘喷嘴19的氧化水的混合物之后，为了移动衬底固定机构14固定衬底W的衬底的固定部分，在输送化学液的同时将衬底固定机构14的旋转速度增加到400rpm。此时，衬底固定机构14的加速度设置为1000rpm/s。这个操作使衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分滑动，以便移动衬底固定机构14初始地固定衬底W的衬底W的部分。相应地，可以将衬底处理液输送给衬底W的整个前表面和侧面。预定时间之后，将衬底W的旋转速度增加到400rpm，这与衬底固定机构14的旋转速度相同。因此，衬底W与衬底固定机构14一体地旋转(步骤5)。

此外，在预定施加内将化学液输送给衬底W。然后，停止从喷嘴12输送化学液，而将作为化学液的DIW从喷嘴11向衬底W输送。同时，还从喷嘴15作为化学液输送DIW，代替硫酸和氧化水的混合物。臂部23垂直地移动并旋转，从而将边缘喷嘴19移动到防散射杯13的外部。因此，边缘喷嘴19返回到图1所示的位置(步骤6)。

然后，将防散射杯13降低到图9所示的位置(步骤7)。此时，希望衬底固定和旋转机构20的旋转速度为大约100rpm到大约300rpm，以便防止附着在衬底W或衬底固定机构14上的衬底处理液散射在防散射杯13上，从而引起在防散射杯13的内壁上的飞溅。

完成防散射杯13的移动之后，从喷嘴18输送DIW，以便清洗衬底固定机构14和基底部件17的外圆周表面。此外，从喷嘴16输送DIW，以便清洗基底部件17的上表面和衬底固定机构14在可旋转轴22一侧的表面(内表面)。停止通过连接到喷嘴15的化学液管道31输送DIW，而通过化学液管道32输送DIW。具体地说，通过化学液管道32以一定流率和流速输送DIW，使得DIW不到达衬底W的背面。这样，用DIW清洗了喷嘴15和16(步骤8)。

在预定时间内进行上述清洗处理之后，再次将防散射杯13升高到图1所示的位置(步骤9)。

然后，停止从喷嘴11、15、16和18输送DIW。将衬底固定和旋转机构20的旋转速度增加到2000rpm，以甩干衬底W。此时，直到2000rpm，衬底固定机构14的加速度设置为400rpm/s。以这个加速度，衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分相对于衬底固定机构14不滑动。因此，衬底W的旋转速度相对于衬底固定机构14的旋转速度不改变。由于在步骤8中已经用DIW清洗了防散射杯13和衬底固定和旋转结构20的内壁，因此在不受化学液的任何影响的情况下甩干了衬底W(步骤10)。

甩干处理进行预定时间之后，停止衬底固定和旋转机构20的旋转，从而完成衬底W的处理。此时，用于停止衬底固定和旋转机构20的衬底固定和旋转机构20的加速度设置为-400rpm/s。以该加速度，衬底固定机构14固定衬底W的衬底固W的定部分相对于衬底固定机构14不滑动。因此，衬底W的旋转速度相对于衬底固定机构14的旋转速度不改变。停止衬底W的旋转之后，将防散射杯13降低到图7所示的位置。然后，用机械手将衬底W取出(步骤11)。

根据上述操作的顺序，可以刻蚀形成在从衬底W的上表面的周边边缘向内3mm范围内的区域上以及在衬底W的侧表面上的Cu膜，并清洗衬底W的背面。此外，可以用输送给衬底W的前表面的硫酸除去在Cu膜的表面上薄薄地形成的Cu氧化膜。如果不必除去Cu氧化膜，则可以从喷嘴11输送DIW，代替在步骤3中从喷嘴12输送硫酸，并且可以从边缘喷嘴19输送硫酸和氧化水的混合物，代替在步骤4中从边缘喷嘴19输送氧化水。

将要被除去的、形成在衬底的周边部分上的不需要的膜不限于Cu膜。例如，本发明可适用于包含以下一种成分的膜：Co、诸如Co-W-P或Co-W-B这样Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo，或者可适用于具有各含有这些成分之一的多层的膜。

接着，将介绍利用上述衬底处理设备1来处理衬底的操作的另一例子。在这个例子中，清洗衬底W，并且刻蚀衬底W的倾斜部分(边缘部分及其附近部分)。图10是表示这个例子的操作的流程图。下面将参照图1和7-10介绍该例子。

首先，将衬底处理设备1的防散射杯13降低到图7所示的位置。此时，用机械手(未示出)等将衬底W传送并引入到衬底固定机构14的中心部分。因此，将衬底W放在衬底固定机构14的突起25c上(步骤1)。

将防散射杯13升高到图1所示的位置(步骤2)。

旋转衬底固定和旋转结构20，以便以350rpm的初始旋转速度旋转衬底固定机构14和由衬底固定机构14固定的衬底W。此时直到该初始旋转速度，衬底固定和旋转机构20的加速度设置为400rpm/s。以这个加速度，由于衬底W的重量而在衬底W和突起25c之间产生的静摩擦力(最大摩擦力)高于在衬底W上产生的惯性力。因而，衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分相对于衬底固定机构14不滑动。因此，衬底W的旋转速度相对于衬底固定机构14的旋转速度不改变。在衬底W以旋转速度350rpm旋转的状态下，从喷嘴12向衬底W的前表面输送作为化学液的硫酸。此外，从喷嘴15向衬底W的背面输送作为化学液的硫酸和氧化水的混合液。这样，处理了衬底(步骤3)。

在衬底W以350rpm旋转速度旋转的状态下，臂部23向上移动，使得边缘喷嘴19位于高于防散射杯13的位置上。然后，臂部23围绕其轴旋转，以便将边缘喷嘴19移动到衬底W的上方。边缘喷嘴19向下移动到高于衬底W的上表面大约2cm的位置上。这个状态示于图8中。在那个位置上，从喷嘴19向衬底W的边缘部分输送作为化学液的氧化水。具体地说，向在从衬底W的边缘(周边边缘)向内3mm范围内的区域输送氧化水。因此，用从喷嘴12输送来的硫酸和从边缘喷嘴19输送来的氧化水的混合物来处理从衬底W的边缘向内3mm范围内的区域。相应地，刻蚀在这个区域中形成的Cu膜(步骤4)。在那个状态下，由于没有处理液输送到衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分，因此不刻蚀该固定部分。

在预定时间内输送来自喷嘴12的硫酸和来自边缘喷嘴19的氧化水的混合物之后，为了移动衬底固定机构14固定衬底W的衬底的固定部分，在输送化学液的同时将衬底固定机构14的旋转速度增加到400rpm。此时，衬底固定机构14的加速度设置为1000rpm/s。这个操作使衬底固定机构14固定衬底W的衬底W的固定部分滑动，以便移动衬底固定机构14初始固定衬底W的衬底W的部分。相应地，可以将衬底处理液输送给衬底W的整个前表面、背面和侧面。预定时间之后，将衬底W的旋转速度增加到400rpm，这与衬底固定机构14的旋转速度相同。因此，衬底W与衬底固定机构14一体地旋转(步骤5)。

在预定时间内进一步将化学液输送给衬底W。然后，从喷嘴11输送作为清洗液的DIW。之后，停止从喷嘴12输送化学液。为了防止衬底W的前表面露出，希望在从喷嘴11输送作为清洗液的DIW之后，停止从喷嘴12输送化学液。另一方面，从喷嘴15输送作为清洗液的DIW，代替硫酸和氧化水的混合物。臂部23垂直地移动并旋转，从而将边缘喷嘴19移动到防散射杯13的外部。因此，边缘喷嘴19返回到图1所示的位置(步骤6)。

从喷嘴11和15向衬底W的前表面和背面输送DIW持续预定时间，从而清洗分别附着在衬底W的前表面和背面的化学液。此外，从喷嘴16输送DIW，从而清洗基底部件17的上表面和衬底固定机构14的在可旋转轴22一侧的表面(内表面)。停止通过连接到喷嘴15的化学液管道31输送DIW，而通过化学液管道32输送DIW。具体地说，通过化学液管道32以一定流率和流速输送DIW，使得DIW不到达衬底W的背面。这样，用DIW清洗了喷嘴15和16(步骤7)。

在向衬底W的前表面和背面输送DIW的状态下，将衬底固定和旋转机构20的旋转速度增加到2000rpm(步骤8-1)。结果，可以吹掉和除去附着在衬底固定机构14上的化学液。此时，从喷嘴11和15分别向衬底W的前表面和背面输送DIW。相应地，由于用DIW覆盖了衬底W的前表面和背面，所以即使将化学液从衬底固定机构14吹到衬底W上，也能防止化学液附着在衬底W的前表面和背面上。此外，当从衬底固定机构14散射化学液并相对于防散射杯13等弹回时，也能防止化学液变成雾，这种雾将对衬底W的前表面和背面具有不利影响。将衬底固定和旋转机构20的旋转速度设置为2000rpm，这等于下述的甩干处理期间的衬底固定和旋转机构20的旋转速度。因此，在清洗处理期间，衬底固定和旋转机构20以等于甩干处理中的旋转速度的高旋转速度旋转持续预定时间。相应地，能够可靠地吹掉和除去附着在衬底固定机构14上的化学液。

在将DIW输送给衬底W的前表面和背面的状态下，将衬底固定和旋转机构20的旋转速度降低到50rpm(步骤8-2)。在该旋转速度，输送给衬底W的DIW流到衬底固定机构14上。因而，可以通过DIW清洗和除去附着在衬底固定机构14上的化学液。

只执行步骤8-1和步骤8-2的处理的其中之一，或者执行两者。当执行步骤8-1和步骤8-2的两者处理时，处理的顺序不限于上述例子。具体地说，可以在步骤8-1之前执行步骤8-2。

接着，将衬底固定和旋转机构20的旋转速度增加到100rpm。然后，将防散射杯13移动到图9所示的位置(步骤9)。此时，希望衬底固定和旋转机构20的旋转速度为大约100rpm至大约300rpm，以便防止附着在衬底W或衬底固定机构14上的衬底处理液散射到防散射杯13上，从而引起飞溅在防散射杯13的内壁上。当防散射杯13位于图9所示的位置时，防散射杯13可以在防散射杯13的上内壁接收从衬底W或衬底固定机构14散射的DIW。此时，通过调节衬底W的旋转速度和DIW的流率在合适值，由防散射杯13的上内壁接收到的DIW向下流到防散射杯13的内壁上，以便清洗防散射杯13的内壁。

执行利用DIW的清洗处理持续预定时间之后，将防散射杯13移动到图1所示的位置(步骤10)。

然后，停止从喷嘴11、15和16输送DIW。将衬底固定和旋转机构20的旋转速度增加到2000rpm，从而甩干衬底W(步骤11)。此时，由于已经用在步骤6-9中输送的DIW清洗了防散射杯13和衬底固定和旋转机构20的内壁，因此在不受化学液的任何影响的情况下甩干了衬底W。

执行甩干处理持续预定时间之后，停止衬底固定和旋转机构20的旋转。因此，停止衬底W的旋转，从而完成衬底W的处理。停止衬底W的旋转之后，将防散射杯13降低到图7所示的位置。然后，通过机械手取出衬底W(步骤12)。

根据上述操作的顺序，可以刻蚀形成在从衬底W的上表面的周边边缘向内3mm范围内的区域中和在衬底W的侧面上的Cu膜，并清洗衬底W的背面。此外，通过输送给衬底W的前表面的硫酸可以除去薄薄地形成在Cu膜的表面上的Cu氧化膜。如果不必除去Cu氧化膜，则可以从喷嘴11输送DIW，代替在步骤3中从喷嘴12和输送硫酸，并且可以从喷嘴19输送硫酸和氧化水的混合物，代替在步骤4中从边缘喷嘴19输送氧化水。

形成在衬底的周边部分上的、将要除去的不需要的膜不限于Cu膜。例如，本发明可适用于包含以下一种成分的膜：Co、诸如Co-W-P或Co-W-B这样的Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo，或者可适用于具有多个层的膜，每个层含有这些成分的其中之一。

根据上述操作，在步骤8-1的清洗工艺中将DIW输送给衬底W的前表面和背面，以便覆盖衬底W的前表面和背面的同时，衬底固定机构14以高旋转速度旋转。相应地，可以可靠地吹掉附着在衬底固定机构14上的化学液，并防止污染衬底W的前表面和背面。由于已经在步骤11的甩干处理中除去了附着在衬底固定机构14上的化学液，因此衬底W不会被化学液污染。因此，可以在单个设备中执行衬底的清洗处理和干燥处理。相应地，可以防止衬底处理设备的占地面积增加，并提高了衬底处理设备的处理量。纯水、去气水、溶解气体的水等可用做上述清洗液。

图11是表示根据本发明第二实施例的衬底处理设备101的侧视图，图12是表示图11所示的衬底处理设备101中的衬底固定机构(衬底固定夹盘)114和基底部件(夹持固定基座)117的平面图。衬底处理设备101具有圆形基底部件117、设置在基底部件117的周边部分附近(在从基底部件117的周边向内预定距离处的位置上)的用于固定诸如半导体晶片这样的衬底W的至少三个衬底固定机构114(图12中是四个衬底固定机构)、和固定在基底部件117的中心部分上的可旋转轴122。通过驱动装置(未示出)使基底部件117围绕可旋转轴122旋转，同时衬底W由衬底固定机构114固定。基底部件117稍微大于衬底W，从而覆盖衬底W的整个下表面。因而，当通过高速旋转甩干衬底W时，防止从衬底W散射的液体溅射到基底部件117上并附着在衬底W的下表面上。

衬底处理设备101包括连接到化学液管道L1上的化学液输送喷嘴112以及连接到纯水管道L2上的清洗液输送喷嘴111，其中管道L1具有设置在其上的阀门V1，纯水管道L2具有设置在其上的阀门V2。当打开阀门V1以向化学液输送喷嘴112输送化学液151时，从化学液输送喷嘴112向衬底W的上表面输送化学液151。当打开阀门V2以向清洗液输送喷嘴111输送纯水(DIW)152时，纯水152输送给衬底W的上表面。

衬底处理设备101还包括延伸穿过可旋转轴122的喷嘴结构105。喷嘴结构105设置在位于衬底W下面的基底部件117的中心部分上。喷嘴结构105包括三个喷嘴115、116和170。喷嘴115连接到具有设置在其上的阀门V3的化学液管道L3、具有设置在其上的阀门V5的纯水管道L5以及具有设置在其上的阀门V4的排水管道L4。因此，可以通过分别化学液管道L3和纯水管道L5将化学液153和纯水154输送给喷嘴115。排水管道L4连接到排放管道154。喷嘴16连接到具有设置在其上的阀门V6的纯水管道L6和具有设置在其上的阀门V7的排水管道L7上。纯水156通过纯水管道L6输送给喷嘴166。排水管道L7连接到排放管道157。喷嘴170连接到具有设置在其上的阀门V8的气体管道L8。N₂气体158通过气体管道L8输送给喷嘴170。在可旋转轴122和喷嘴结构105之间的间隙161连接到净化气体输送管道L9，该管道L9具有设置在其上的阀门V9。N₂气体159作为净化气体通过净化气体输送管道L9输送给间隙161。

衬底处理设备101具有围绕衬底固定机构114和基底部件117设置的防散射杯113。防散射杯113具有设置在防散射杯113的上端的喷嘴118。喷嘴118连接到具有设置在其上的阀门V10的纯水管道L10。纯水160通过纯水管道L10输送给喷嘴118。

化学液153和纯水154可通过阀门V3和V5选择性地输送给喷嘴115。因此，选择性地将化学液153和纯水154从喷嘴115输送给衬底W的下表面。从喷嘴115以一定流率输送液体(主要是纯水154)，使得该液体不到达衬底W。使液体不到达衬底W的流率定义为使液体不从喷嘴115直接被吹到衬底W上的每单位时间的流量，或者定义为使液体从喷嘴115溢出的每单位时间的流量。结果，液体可以在喷嘴结构105的上表面上流动，从而清洗喷嘴结构105(喷嘴115及其附近部分)。喷嘴115通过阀门V4连接到排放管道155。当关闭阀门V3和V5并且只打开阀门V4时，可以将保留在喷嘴115和连接到喷嘴115的管道中的液体排放到排放管道155。

在本实施例中，可以清洗连接到喷嘴115和喷嘴结构105的管道(化学液管道L3、纯水管道L5和排水管道L4)的内部。首先，打开阀门V3，以通过化学液管道L3将化学液153输送给喷嘴115，并且从喷嘴115将化学液153输送给衬底W。然后，关闭阀门V3并且打开阀门V4，以收回在连接袄喷嘴115的管道中的液体。因此，在连接到喷嘴115的管道中的化学液153可以立即被排放到排放管道155。接着，阀门V4保持打开，并且打开阀门V5。因而，纯水154可以从纯水管道L5和化学液管道L3的分支点P流到排水管道L4，由此清洗这些管道的内部。此外，阀门V5保持打开并关闭阀门V4。因而，纯水154可以从纯水管道L5和化学液管道L3的分支点P流到喷嘴115，由此清洗这些管道的内部。

由于从喷嘴115以使纯水154不到达衬底W的下表面的流率输送纯水154，因此可以清洗包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105。重要的是预先清洗纯水管道L5和化学液管道L3的分支点P。如果没有清洗分支点P，则从喷嘴115连续地输送含有少量化学液153的纯水。

在甩干衬底W之前，只打开连接到喷嘴115的阀门V4，以通过排放管道155排放喷嘴115中和连接到喷嘴115的管道内部的液体。当在甩干处理等期间以高旋转速度旋转衬底W时，可以在衬底W和基底部件117之间产生负压。因此，可以防止喷嘴115中和连接到喷嘴115的管道内部的液体从喷嘴115射出。因而，可以有效地干燥衬底。如果化学液保留在包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105中，则在甩干处理期间在衬底W和基底部件117之间产生负压。因而，化学液可以散射并有问题地附着在衬底W上。

喷嘴116可以如飞沫一样输送液体。当关闭阀门V7和打开阀门V6时，纯水156是通过纯水管道L6输送给喷嘴116。这样，将纯水156从喷嘴116输送给衬底W的下表面、基底部件117的上表面、和衬底固定机构114的内表面，以清洗这些表面。通过喷嘴116清洗喷嘴结构105以及清洗基础部件117与衬底固定机构114的内表面，导致清洗了覆盖衬底W的下表面的所有部件。此外，甩干处理之前，只打开阀门V7，以通过排水管道L7将连接到喷嘴116的管道中的液体排放到排放管道157。因此，如结合喷嘴115所述的，即使在甩干处理等期间在衬底W和基础部件117之间产生负压，也可以防止喷嘴115中和连接到喷嘴116的管道内部的液体从喷嘴115射出。因而，可以有效地干燥衬底。

喷嘴170可以通过气体管道L8和阀门V8输送N₂气体158。因而，能够用N₂气体158填充衬底W和基础部件117之间的空间，以便保持该空间处于高压力，优选处于高于该空间外部的压力(甚至在甩干处理期间)。因此，可以防止化学液或其雾被引入到衬底W的下表面和基础部件117之间的空间。此外，N₂气体可以吹掉存在于衬底W的下表面的中心部分上的液体。因而，N₂气体可帮助干燥衬底W的下表面的中心部分，从这部分中不可能通过甩干吹掉液体。在衬底W的干燥处理期间主要输送N₂气体，以引入防止化学液或其雾，并帮助干燥衬底。当用清洗液清洗包括输送N₂气体的喷嘴170的部件时，清洗液可能进入喷嘴170。因而，当清洗包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105时，或者当用从喷嘴115输送来的化学液处理衬底W的背面时，或者当用从喷嘴116输送来的纯水清洗覆盖衬底W的下表面的所有部件时，以使液体不进入喷嘴170的流率输送N₂气体。因此，可以防止进入喷嘴170的液体在干燥处理期间射出，从而对干燥处理施加不利影响。

一般情况下，纯水(DIW)或溶解气体的水可用做用于衬底W的清洗液。然而，可以根据清洗的目的使用化学液。将要输送给衬底W的下表面的气体可以包括N₂气体或干燥空气，并且不限于这些例子。例如，可以采用各种惰性气体。

在图11中，防散射杯113可以接收用于处理衬底W的化学液，从而防止化学液散射。在图11所示的位置，防散射杯113主要通过防散射杯113的倾斜部分113a接收诸如化学液或清洗液这样的衬底处理液。图13表示防散射杯113移动到清洗防散射杯113的内壁的位置上。在图13所示的位置上，防散射杯113通过防散射杯113的上部接收清洗液。通过将衬底W的旋转速度和清洗液的流率设置为适当值，由内壁的上部接收到的清洗液向下流到防散射杯113的内壁上，从而清洗防散射杯113的内壁。通过阀门V10和纯水管道L10向喷嘴118输送纯水160。喷嘴118像飞沫一样喷射纯水160。喷嘴118可以输送纯水160到衬底固定机构114的外表面和基础部件117的侧面，从而清洗这些表面。

图14表示当将衬底W送进和送出衬底处理设备101时的防散射杯113。在图14中，通过机械手等在防散射杯113附近将衬底W送进和送出衬底处理设备101。在处理衬底W期间，持续打开阀门V9，以向在可旋转轴122和喷嘴结构105之间形成的间隙161输送作为净化气体的N₂气体。因此，可以防止液体或雾进入可旋转轴122。

下面将介绍半导体晶片用做将要在具有上述设置的衬底处理设备101中处理的衬底W的例子。对具有面向上的裸硅表面的半导体晶片执行以下步骤1-9的处理。

将防散射杯113移动到图14所示的位置，即移动到使衬底固定机构114位于防散射杯113的上端上方预定距离的位置上。在这个状态下，衬底处理设备101接收由机械手等传送来的衬底W，并通过衬底固定机构114固定衬底W的周边部分(步骤1)。

然后，将防散射杯113升高到图11所示的位置，即，升高到使防散射杯113的上端位于衬底固定机构114的上端上方预定距离的位置上(步骤2)。

以大约500rpm速度旋转基础部件117、衬底固定机构114和衬底W。打开阀门V1，以通过化学液管道L1将作为化学液的氢氟酸输送到化学液输送喷嘴112。因此，从化学液输送喷嘴112向衬底W的上表面输送化学液151。打开阀门V3，以将作为化学液153的氢氟酸输送给喷嘴115。因此，从喷嘴115向衬底W的下表面输送化学液153(步骤3)。

从化学液输送喷嘴112输送作为化学液151的氢氟酸持续预定时间。然后，关闭阀门V1以停止输送化学液151。为了防止衬底W的表面暴露，希望在关闭阀门V1之前打开阀门V2。在这种情况下，在停止从化学液输送喷嘴12输送化学液之前，可以从化学液输送喷嘴111输送纯水。因此，纯水152和化学液151可以同时输送到衬底W的上表面上。打开阀门V6，以从喷嘴116输送纯水153。关闭阀门V3以停止从喷嘴115输送化学液153。打开阀门V4，以将连接到喷嘴115的管道中的液体排放到排放管道155(步骤4)。

将纯水152和纯水156从清洗液输送喷嘴111和喷嘴116分别输送到上表面和下表面持续预定时间，以清洗保留在衬底W的上表面和下表面上的化学液。此时，从喷嘴116输送纯水156，以清洗基础部件117的上表面和衬底固定机构114的内表面。当清洗了保留在衬底W的上表面和下表面上的化学液时，在关闭阀门V4之后，打开阀门V5。因此，从喷嘴115输送纯水154。以使纯水154不到达衬底W的下表面的流率从喷嘴115输送纯水154。相应地，清洗了包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105。打开阀门V8，以向喷嘴170输送N₂气体。因此，吹动该气体直到干燥处理，以防止纯水进入喷嘴170(步骤5)。

将基础部件117、衬底固定机构114和衬底W的旋转速度减小到100rpm。然后，将防散射杯113移动到图13所示的位置。这个移动允许从衬底W散射的纯水被输送给防散射杯113的内壁。因此，可以用纯水来清洗防散射杯113的内壁。打开阀门V10以清洗衬底固定机构114的外表面和基础部件117的侧表面(步骤6)。为了防止飞溅在防散射杯113的内壁上，基础部件117、衬底固定机构114和衬底W的旋转速度优选在大约100至大约300rpm的范围内。

在执行清洗持续预定时间之后，将防散射杯113移动到图11所示的位置(步骤7)。

关闭阀门V2以停止向清洗液输送喷嘴111输送纯水152。关闭阀门V5和V6以停止向喷嘴115和116输送纯水。然后，打开阀门V4和V7一会以将喷嘴115和116中以及连接到喷嘴115和116的管道中的液体排放到排放管道155和157(步骤8)。因此，可以使包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105附近的液体量最少。

关闭阀门V4和V7之后，增加基底部件117、衬底固定机构114和衬底W的旋转速度。基础部件117、衬底固定机构114和衬底W以2000rpm旋转预定时间(步骤9)。这个操作允许附着在衬底W上的液体被离心力吹掉，由此有效地干燥衬底W。

特别是，在步骤9中，通过保护衬底W的下表面和防止雾进入而可以有效地处理衬底的下表面。由于衬底W的下表面被基础部件117保护，因此可以防止液体从周围弹回。由于将N₂气体输送给衬底W和基础部件117之间的空间，因此可以防止从周围环境引入雾。清洗了面向衬底的下表面的基础部件117和包括喷嘴115、116和170的喷嘴结构105。排放了喷嘴115和116以及与其连接的管道中的液体。因而，液体不会因衬底W的加速或减速而被吹动。输送气体，从而在步骤5-8中，在喷嘴170中不收集处理液。因而，在干燥处理期间可以有效地输送该气体。

由于尽管化学液溅射在防散射杯113的内壁上但是清洗了衬底固定机构114的内表面和外表面以及防散射杯113的内壁，因此在防散射杯113的内壁上不产生化学液的雾。因而，可以在没有产生在衬底W的下表面上的任何水印(watermark)、保留在衬底W的下表面上的化学液或受到大气的任何影响的情况下处理裸硅衬底W。

图15是表示结合了根据本发明的衬底处理设备的Cu电镀设备50的平面图。如图15所示，Cu电镀设备50具有：衬底盒511、512、513和514，衬底传送机械手521和522，清洗槽531和532，电镀槽541、542、543和544，以及衬底台55。清洗槽531和532的每个包括根据本发明的衬底处理设备。清洗槽531和532连接到清洗液输送装置56。电镀槽541、542、543和544连接到电镀液输送装置57。Cu电镀设备50还包括显示器59和控制器58，控制器58向Cu电镀设备50中的各个部件发送控制信号。

在Cu电镀设备50中，衬底传送机械手521基于从控制器58发送的控制信号从衬底盒511至514的其中之一中取出一个未处理的衬底W，并将其放在衬底台55上。将放在衬底台55上的衬底W用衬底传送机械手522依次地传送到电镀槽541-544。在电镀槽541-544中，在衬底W的表面上进行Cu电镀。然后，利用衬底传送机械手522将衬底W传送到清洗槽531和532。在清洗槽531和532中，在衬底W的表面上进行清洗和刻蚀。从电镀液输送装置57输送在电镀槽541-544中使用的电镀液。从清洗液输送装置56输送将要在清洗槽531和532中使用的清洗液。

Cu电镀设备50通过从控制器58发送的控制信号来控制清洗液输送装置56、电镀液输送装置57和包括测量装置的附加装置(未示出)。控制器58向各个装置如清洗液输送装置56和镀液输送装置57发送控制信号，以根据输入的方法来执行操作。根据控制信号，分别打开和关闭在电镀液输送管道60和清洗液输送管道61中设置的阀门(未示出)，并且驱动电机(未示出)。此外，可以提供流量计等。在这种情况下，可以将来自流量计的信号输入到控制器58，以便能够执行反馈控制，以使测量值与预置值一致。如果测量值在预定容限以外，或者如果流量计输出警告信号，则可以停止该设备。清洗液输送装置56、电镀液输送装置57、控制器58、显示器59等可以设置在CU电镀设备50的框架内。

图16是表示结合了根据本发明的衬底处理设备的无电极电镀设备70的平面图。如图16所示，无电极电镀设备70具有：衬底盒711、712、713和714，衬底传送机械手721和722，清洗槽73，滚动型清洗装置76，无电极电镀槽741和742，预处理槽77，籽晶施加槽78和衬底台75。清洗槽73包括根据本发明的衬底处理设备。清洗槽73和滚动型清洗装置76连接到清洗液输送装置82。无电极电镀槽741和742、预处理槽77和籽晶施加槽78连接到化学液输送装置83。无电极电镀设备70还包括显示器79和控制器84，控制器84向无电极电镀设备70中的各个部件发送控制信号。

在无电极电镀设备70中，衬底传送机械手721基于从控制器84发送的控制信号从衬底盒711-714之一中取出一个未处理衬底W，并将其放在衬底台75上。用衬底传送机械手722将放在衬底台75上的衬底W传送到预处理槽77。在预处理槽77中，在衬底W上进行预处理。将衬底W传送到籽晶施加槽78，在那里在衬底的表面上形成籽晶层。然后，将衬底W传送到无电极电镀槽741和742，在那里，在衬底的表面上形成电镀膜。将具有电镀膜的衬底W传送到清洗槽73，在那里，在衬底W的表面上进行清洗和刻蚀。

下面将参照图1介绍在清洗槽73中的衬底处理设备的操作的例子。从喷嘴12向衬底W的表面输送作为化学液的硫酸。从喷嘴15向衬底W的背面输送硫酸和氧化水的混合物。此外，从边缘喷嘴19向衬底W的边缘部分输送氧化水。因此，通过从喷嘴12输送的氧化水和硫酸的混合物刻蚀衬底W的边缘部分。或者，可以从喷嘴11向衬底W的表面输送DIW，可以从喷嘴15向衬底W的背面输送硫酸和氧化水的混合物，并且可以从边缘喷嘴19向衬底W的边缘部分输送硫酸和氧化水的混合物。

完成上述处理之后，从喷嘴11和15向分别衬底W的前表面和背面输送DIW，从而清洗衬底W。然后，将衬底W传送到滚动型清洗装置76。从化学液输送装置83输送将要在无电极电镀槽741和742中使用的电镀液、将要在预处理槽77中使用的预处理液以及将要在籽晶施加槽78中使用的籽晶施加液。从清洗液输送装置82输送将要在清洗槽73和滚动型清洗装置76中使用的清洗液。

无电极电镀设备70通过从控制器84输送来的控制信号控制清洗液输送装置82、化学液输送装置83和包括测量装置的附加装置(未示出)。控制器84将控制信号发送给各个装置，如清洗液输送装置82和化学液输送装置，以便根据输入的方法执行操作。根据控制信号，分别打开和关闭设置在化学液输送管道80和清洗液输送管道81中的阀门(未示出)，并且驱动电机(未示出)。此外，可以设置流量计等。在这种情况下，可以将来自流量计的信号输入到控制器84中，从而可以执行反馈控制以使测量值与预置值一致。如果测量值在预定容限以外，或者如果流量计输出警告信号，则然后可以停止该设备。清洗液输送装置82、化学液输送装置83、控制器84、显示器79等可以设置在无电极电镀设备70的框架内。

将在衬底处理设备中执行的衬底处理不限于上述实施例中所述的处理。例如，通过改变设置喷嘴的位置、从这些喷嘴输送的清洗液或化学液的类型、以及输送清洗液或化学液的时刻，可以将衬底处理设备构成为执行适合于衬底类型的合适处理。此外，在本说明书或附图中未直接公开的任何形状、结构和材料都包括在本发明的范围内，只要它们具有如上所述的本发明的有益效果即可。

尽管已经详细地表示和介绍了本发明的某些优选实施例，但是应该理解的是在不脱离本发明的范围的情况下可以做各种改变和修改。

工业实用性

本发明适用于用来在向衬底输送处理液的同时处理诸如半导体晶片这样的旋转衬底的衬底处理设备。

Claims (27)

1、一种衬底处理设备，包括：

衬底固定机构，用于在固定力下固定衬底，所述固定力根据所述衬底固定机构的旋转速度而改变；

衬底旋转机构，用于旋转所述衬底固定机构以旋转由所述衬底固定机构固定的所述衬底；和

处理液输送机构，用于将处理液输送给由所述衬底固定机构固定的所述衬底的期望部分。

2、根据权利要求1的衬底处理设备，进一步包括驱动装置，所述驱动装置用于相对于由所述衬底固定机构固定的所述衬底的旋转速度来改变所述衬底固定机构的旋转速度。

3、一种衬底处理设备，包括：

衬底固定机构，用于固定衬底的周边部分；

基底部件，所述衬底固定机构附着在其上，所述基底部件面向所述衬底的至少一个表面；

可旋转轴，附着在所述基底部件的中心部分；

第一液体输送喷嘴，用于选择性地向所述衬底输送化学液或第一清洗液；

切换装置，用于切换将要输送给所述第一喷嘴的所述化学液和所述第一清洗液；

第二液体输送喷嘴，用于向所述衬底固定机构的内表面和所述基底部件的上表面输送第二清洗液；

气体输送喷嘴，用于向所述衬底和所述基底部件之间的空间输送气体；和

喷嘴结构，其包括所述第一液体输送喷嘴、所述第二液体输送喷嘴和所述气体输送喷嘴，所述喷嘴结构设置在所述可旋转轴之内。

4、根据权利要求3的衬底处理设备，其中将所述第一液体输送喷嘴配置为用所述第一清洗液来清洗所述第一液体输送喷嘴、所述喷嘴结构的外表面以及其附近部分。

5、根据权利要求3的衬底处理设备，进一步包括：

连接到所述第一液体输送喷嘴的第一管道；

连接到所述第二液体输送喷嘴的第二管道；和

液体排放机构，用于排放在所述第一管道和所述第二管道中保留的液体。

6、根据权利要求3的衬底处理设备，进一步包括净化气体输送管道，用于向在所述可旋转轴和所述喷嘴结构之间的间隙输送净化气体。

7、根据权利要求3的衬底处理设备，进一步包括第三液体输送喷嘴，用于向所述衬底固定机构的外表面输送第三清洗液。

8、根据权利要求1-7中任一项的衬底处理设备，进一步包括设置在所述衬底固定机构外部以覆盖所述衬底固定机构的防散射杯，所述防散射杯在垂直方向上是可移动的。

9、一种衬底处理方法，包括：

通过衬底固定机构来固定衬底；

通过衬底旋转机构来旋转所述衬底固定机构以旋转所述衬底；和

向所述旋转的衬底的期望部分输送处理液以处理所述衬底，同时相对于彼此改变所述衬底固定机构的旋转速度和所述衬底的旋转速度。

10、根据权利要求9的衬底处理方法，其中所述相对于彼此改变所述衬底固定机构的旋转速度和所述衬底的旋转速度进一步包括：

增加或减小所述衬底固定机构的旋转速度，以相对于彼此改变所述衬底固定机构的旋转速度和所述衬底的旋转速度。

11、根据权利要求10的衬底处理方法，其中所述相对于彼此改变所述衬底固定机构的旋转速度和所述衬底的旋转速度进一步包括：

在所述增加或减小所述衬底固定机构的旋转速度的同时或之后，停止所述输送衬底处理液。

12、根据权利要求9的衬底处理方法，其中所述相对于彼此改变所述衬底固定机构的旋转速度和所述衬底的旋转速度包括：

将所述衬底固定机构的旋转速度从第一旋转速度改变为第二旋转速度；和

然后将所述衬底固定机构的旋转速度从所述第二旋转速度改变为所述第一旋转速度。

13、一种衬底处理方法，包括：

通过衬底固定机构固定衬底；

通过衬底旋转机构来旋转所述衬底固定机构以旋转所述衬底；

向所述旋转的衬底输送处理液以处理所述衬底；

在所述输送处理液之后，以第一高旋转速度旋转所述衬底；

向以所述第一高旋转速度旋转的所述衬底的至少一个表面输送清洗液，以清洗附着于所述衬底的处理液；和

在利用所述清洗液覆盖了所述衬底的所述至少一个表面的状态下，除去附着在所述衬底固定机构和所述衬底旋转机构的至少一个上的化学液。

14、根据权利要求13的衬底处理方法，其中所述第一高旋转速度在1000到3000rpm的范围内。

15、根据权利要求13的衬底处理方法，进一步包括以第二高旋转速度旋转所述衬底，以除去所述清洗液和干燥所述衬底。

16、根据权利要求15的衬底处理方法，其中所述以第二高旋转速度旋转所述衬底包括以与所述第一高旋转速度基本上相等的高旋转速度旋转所述衬底持续期望的时间。

17、一种衬底处理方法，包括：

通过衬底固定机构来固定衬底；

通过衬底旋转机构旋转所述衬底固定机构以旋转所述衬底；

向所述旋转的衬底输送处理液以处理所述衬底；和

向所述旋转的衬底输送清洗液以清洗所述衬底固定机构。

18、根据权利要求17的衬底处理方法，其中所述旋转所述衬底固定机构包括在所述输送清洗液期间以低于300rpm的旋转速度旋转所述衬底固定机构。

19、一种衬底处理方法，包括：

通过衬底固定机构来固定衬底；

通过衬底旋转机构旋转所述衬底固定机构以旋转所述衬底；

向所述旋转的衬底输送处理液以处理所述衬底；

在输送所述处理液之后，以第一高旋转速度旋转所述衬底；

向以所述第一高旋转速度旋转的所述衬底的至少一个表面输送清洗液，以清洗附着在所述衬底上的所述处理液；

在利用所述清洗液覆盖了所述衬底的所述至少一个表面的状态下，除去附着在所述衬底固定机构和所述衬底旋转机构的至少一个上的化学液；

向所述旋转的衬底输送清洗液以清洗所述衬底固定机构；和

以与所述第一高旋转速度基本上相等的第二旋转速度旋转所述衬底持续期望的时间，以除去所述清洗液和干燥所述衬底。

20、根据权利要求13-19中任一项的衬底处理方法，其中所述清洗液包括纯水、脱气水或溶解气体的水。

21、根据权利要求9-20中任一项的衬底处理方法，其中输送所述处理液包括向所述衬底的周边部分输送所述处理液，以除去形成在所述衬底的所述周边部分上的膜。

22、根据权利要求21的衬底处理方法，其中将要除去的所述膜包括：包含Cu、Co、Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo的其中之一的膜，或者具有多个层的膜，其中每个层包含Cu、Co、Co合金、Ta、Ta-N、W、W-N、Ti、Ti-N、Ni、Ru、P、B和Mo的其中之一。

23、一种衬底处理方法，包括：

通过衬底固定机构固定所述衬底；

通过衬底旋转机构旋转所述衬底固定机构以旋转所述衬底；

向所述旋转的衬底输送处理液以处理所述衬底；

从第一液体输送喷嘴向所述衬底输送化学液；

把将从所述第一液体输送喷嘴输送的液体切换为清洗液；

向所述衬底输送所述清洗液；

将清洗液输送给所述第一液体输送喷嘴和所述第一液体输送喷嘴的附近部分，以清洗所述第一液体输送喷嘴和所述第一液体输送喷嘴的附近部分；和

旋转所述衬底固定机构，以除去附着在所述衬底上的液体和干燥所述衬底。

24、根据权利要求23的衬底处理方法，进一步包括：

停止输送所述清洗液；和

在所述停止之后和在所述干燥所述衬底之前，排放保留在所述第一液体输送喷嘴中和连接到所述第一液体输送喷嘴的管道中的液体。

25、根据权利要求23的衬底处理方法，进一步包括：

在所述干燥所述衬底之前，从第二液体输送喷嘴输送清洗液，以清洗所述衬底固定机构的内表面和所述衬底固定机构附着在其上的基底部件的上表面。

26、根据权利要求23的衬底处理方法，进一步包括：

在所述干燥所述衬底期间，将气体从气体输送喷嘴输送给在所述衬底和具有附着在其上的所述衬底固定机构的基底部件之间的空间。

27、根据权利要求26的衬底处理方法，进一步包括：

在所述清洗所述第一液体输送喷嘴及其所述附近部分期间，将所述气体从所述气体输送喷嘴输送到在所述衬底和所述基底部件之间的所述空间。

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