KR20100049857A - 전기장을 이용한 금속불순물 제거 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

세정조를 구비하는 배치식 웨이퍼 세정 장치에 있어서, 상기 세정조의 세정액에 함유된 금속 불순물을 효과적으로 제거하는 장치 및 방법이 제시된다. 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는, 양 단부가 세정조에 연결되어 세정조 내의 세정액을 순환시키는 순환유닛, 및 상기 순환유닛의 경로 상에 위치하여 세정액에 함유된 양전하로 해리된 양이온 불순물 및 음전하로 해리된 음이온 불순물을 포집하는 포집유닛을 포함하고, 상기 포집유닛은 음이온 불순물을 포집하는 양전극과 양이온 불순물을 포집하는 음전극을 구비한다. 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 의하면, 세정액 내의 양이온 불순물 및 음이온 불순물인 금속 불순물을 효과적으로 제거하여 웨이퍼 표면의 파티클과 금속 불순물을 감소시켜 최종 웨이퍼 청정도를 개선하며, 세정액의 순환 사용 횟수를 증가시킴으로써 세정액의 사용량을 절감하고 폐기물을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼, 세정, 양전극, 음전극, 금속 불순물.

Description

전기장을 이용한 금속불순물 제거 장치 및 방법 {Method and Apparatus for Improving Metallic Impurity by Using Electric Charge}
본 발명은 세정액 내 금속 불순물의 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 세정조를 구비한 배치식 웨이퍼 세정 장치에서 세정액 내에 함유된 금속 불순물을 양전하로 대전된 양전극과 음전하로 대전된 음전극을 이용하여 포집하여 제거하는 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 기판을 이용하여 증착, 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 이러한 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에 반도체 제조 시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 공정이 수행된다.
상기 공정을 위한 기판 처리 방식은 크게 건식 처리 방식 및 습식 처리 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 처리 방식은 여러 가지 약액을 이용하는 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 처리하는 배치식(batch type) 세정 장치와 낱장 단위로 기판을 처리하는 매엽식(single wafer type) 세정 장치로 구분된다.
배치식 세정 장치에서, 웨이퍼 표면의 금속 불순물의 제어는 초순수(DIW)가 들어 있는 세정조(bath) 내에 강산(HCl, HF 등)을 투입하여 금속 성분을 이온화하여 초순수 속에 용해시키는 방식을 사용하였다. 이 때, 금속 불순물의 포집률을 높이기 위해 킬레이트제(chelate agent)를 사용하는 경우도 있었다.
피세정체인 웨이퍼가 강산이 혼합된 세정액인 초순수 속에 침지되며, 초순수는 세정조 및 웨이퍼에서 발생하는 파티클 등을 제어하기 위해 순환배관, 펌프, 필터 등으로 구성된 순화 시스템을 통해 순환된다. 즉, 배치식 세정 장치에서는 생산성 및 약액 절감, 폐수 절감 등의 이유와 약액 교환 초기의 품질 악화 방지를 위해, 세정액을 수십 회씩 순환시켜 재사용하고 있다.
도 1은 일반적인 배치식 세정 장치에서 세정액의 순환 횟수에 따른 세정 효율을 나타내는 그래프이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 배치식 세정 장치에서의 파티클은 필터 시스템을 통하여 여과가 되나, 반복 순환에 의한 세정액의 재사용이 계속됨으로써 세정액에 함유된 금속 불순물의 농도가 진하게 되는 문제가 있다. 이로 인해, 순환 횟수가 증가할수록 세정 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
또한, 금속 불순물의 제거를 위해 강산을 적용함으로써, 금속 불순물의 입자는 양전하로 대전되는 반면에 웨이퍼 표면은 음전하로 대전되어 이온 결합력(ionic force)에 의해 금속 불순물의 재흡착이 발생하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 배치식 세정 장치의 세정액 순환 시스템 상에 양전하로 대전된 양전극 및 음전하로 대전된 음전극을 제공하여, 세정조 내의 웨이퍼에서 해리된 금속 양이온 불순물 및 음이온 불순물을 포집함으로써 세정조 내의 청정도를 개선하는 금속 불순물 제거 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 세정액에 함유된 금속 불순물을 효과적으로 제거하여 금속 불순물이 웨이퍼에 재흡착되는 현상을 방지함으로써, 웨이퍼의 품질을 개선할 수 있는 금속 불순물 제거 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 표면의 금속 불순물로 인한 세정액의 불순도를 개선함으로써 세정액 순환 횟수를 증가시켜 약액 사용량 및 폐기물을 절감시킬 수 있는 금속 불순물 제거 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는, 웨이퍼가 침지되는 세정조를 구비하는 배치식 세정 장치에 사용되고, 양 단부가 상기 세정조에 연결되어 상기 세정조 내의 세정액을 순환시키는 순환유닛, 및 상기 순환유닛의 경로 상에 위치하여 상기 세정액에 함유된 양이온 불순물 및 음이온 불순물을 포집하는 포집유닛을 포함하고, 상기 포집유닛은 음이온 불순물을 포집하는 양(+)전극과 양이온 불순물을 포집하는 음(-)전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 양전극은 순환유닛 경로 상에 위치하고 양전하로 대전되며, 상기 음 대전부는 순환유닛 경로 상에 위치하고 음전하로 대전된다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 전원부를 더 포함하며, 상기 전원부는 상기 양전극에 양전하를 인가하고 상기 음전극에 음전하를 인가한다. 상기 전원부의 음극은 상기 양전극과 연결되고, 상기 전원부의 양극은 상기 음전극과 연결되며, 상기 전원부는 직류 전류를 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 밸브를 더 포함하며, 상기 밸브는 상기 순환유닛의 경로 상에 위치하며, 상기 세정액의 순환 유로를 선택적으로 차단한다.
바람직하게, 상기 밸브는 복수 개로 구성되고, 상기 복수 개의 밸브 사이에 상기 양전극 및 음전극이 위치할 수 있다.
바람직하게, 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 상기 양전극 및 상기 음전극을 외부로부터 격리시키는 격리부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 제어유닛을 더 포함할 수 있으며, 상기 제어유닛은 상기 세정조 내의 웨이퍼의 유, 무에 따라, 상기 전원부의 강도 조절 및 온, 오프를 수행한다.
또한, 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 모니터링유닛을 더 포함할 수 있고, 상기 모니터링유닛은 상기 세정조 내의 세정액에 함유된 불순물인 금속이온 또는 파티클을 측정하거나 웨이퍼의 유, 무를 감지하며, 상기 제어유닛과 연결된다. 상기 제어유닛은 상기 모니터링유닛의 측정값에 따라 상기 전원부의 강도를 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치의 상기 순환유닛은, 양 단부가 상기 세정조에 연결되어 상기 세정액이 이동하는 통로를 형성하는 순환배관, 상기 순환배관의 경로 상에 위치하여 상기 세정액이 순환하는 동력을 제공하는 펌프, 및 상기 순환배관의 경로 상에 위치하여 상기 세정액 내의 불순물을 여과시키는 필터를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 펌프는 상기 세정액의 유량을 가변 시킬 수 있다.
바람직하게, 상기 양전극 및 음전극 근방에서, 상기 순환배관의 내부 직경이 넓어지고 내부에 홈이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 방법은, 웨이퍼가 침지되는 세정조를 구비하는 배치식 웨이퍼 세정 장치에서 사용되고, 상기 세정조의 세정액을 세정조 외부에 위치한 순환배관으로 순환시키고, 상기 순환배관의 경로 상에 위치한 양전극과 음전극에서 각각 음이온 불순물과 양이온 불순물을 포집하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 양전극과 음전극 주변의 순환배관에 밸브를 설치하고, 상기 밸브에 의해 순환배관을 차단하여 상기 양전극, 음전극 또는 순환배관의 교체가 가능하도록 할 수 있다.
바람직하게, 상기 세정조 내의 웨이퍼의 유무에 따라 상기 전원부의 강도 조절 및 온, 오프를 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 의하면, 배치식 세정 장 치의 세정액 순환 시스템 상에 제공된 양전극 및 음전극에 의해 세정액 내에 함유된 금속 양이온 불순물 및 음이온 불순물을 포집할 수 있어 세정조 내의 청정도를 개선하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 의하면, 세정액에 함유된 금속 불순물을 효과적으로 제거함으로써 금속 불순물이 웨이퍼에 재흡착되는 현상을 방지할 수 있어, 웨이퍼의 품질을 개선할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 의하면, 웨이퍼 표면의 금속 불순물로 인한 세정액의 불순도를 개선함으로써 세정액 순환 횟수를 증가시킬 수 있어, 약액 사용량 및 폐기물 발생을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치 및 방법에 의하면, 세정액 재순환 횟수를 증가시킴으로써, 약액 교환 초기에 발생하는 웨이퍼의 품질 악화 현상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치가 구비된 배치식 세정 장치의 세정조의 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 방법의 흐름도 이다.
본 발명의 금속 불순물 제거 장치는 세정조(B)와 연결되어, 세정조(B) 내의 세정액을 순화시키는 순환유닛 및 상기 순환유닛의 경로 상에 위치한 포집유닛(100)을 포함한다.
포집유닛(100)은 양전극(110), 음전극(120), 전원부(130), 밸브(142, 144) 및 격리부(150)를 포함하여, 세정액에 함유된 양이온 불순물 및 음이온 불순물을 포집한다.
양전극(110)과 음전극(120)은 순환배관(210)의 경로 상에 위치하고, 양전극(110)은 양전하로 대전되어 세정액 내의 양이온 불순물을 포집하고, 음전극(120)은 음전하로 대전되어 세정액 내의 음이온 불순물을 포집한다. 본 실시예에서는 필터(230)와 인접하게 양전극이 배치되고, 이어서 음전극(120)이 배치되어 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고 양전극(110)과 음전극(120)의 위치는 서로 바뀔 수 있음은 당연하다 할 것이다.
전원부(130)는 직류 전류를 이용하여 상기 양전극(110)과 음전극(120)으로 양전하 및 음전하는 제공한다. 전원부(130)의 음극은 양전극(110)과 연결되고, 양극은 음전극(120)과 연결되어, 양전극(110)과 음전극(120)에 음이온 불순물과 양이온 불순물이 각각 포집될 수 있도록 하는 전기장이 형성되도록 한다.
양전하가 대전된 양전극(110)으로는 음전하를 띄는 세정액 내의 음이온 불순물이 포집된다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 표면으로의 파티클의 재부착이 방지된다.
음전하로 대전된 음전극(120)으로는 양전하를 띄는 양이온 금속 불순물이 포집된다. 즉, 웨이퍼(W)에서 해리된 금속 이온은 이곳에서 포집된다.
제1 밸브(142)와 제2 밸브(144) 사이에 양전극(110)과 음전극(120)이 배치된다. 제1 밸브(142)와 제2 밸브(144)는 순환배관(210)의 유로를 조절하거나 완전히 차단할 수 있다.
밸브(142, 144)는 양전극(110), 음전극(120), 또는 포집유닛(100) 주변의 순환배관(210)의 교체 시에 사용된다. 구체적으로, 양이온(110)과 음이온(120)에 이온성 금속 불순물이나 파티클들이 누적되었을 때 이를 교체하여야 하는데, 이 때 제1 밸브(142)와 제2 밸브(144)를 이용하여 순환배관(210)의 유로를 차단할 수 있다. 본 실시예에서는 밸브의 개수를 제1 밸브(142)와 제2 밸브(144) 2개로 구성하였지만, 밸브의 개수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 순환배관(210)의 유로를 효과적으로 차단할 수 있는 것이라면 하나 또는 3개 이상의 밸브가 사용될 수도 있다.
격리부(150)는 양전극(110)과 음전극(120)을 감싸고 있으며, 이들 양전극(110)과 음전극(120)을 외부로부터 격리시킨다. 양전극(110)과 음전극(120)은 다른 구성요소들에 비해 다량의 열을 발생하게 되는데, 격리부(150)가 이들을 다른 구성요소, 특히 다른 전기 장비들로부터 격리시킴으로써, 다른 전기 장비들의 열화를 방지할 수 있으며, 이로 인해 품질 저하를 예방할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치는 제어유닛(300) 및 모니터링유닛(400)을 더 포함할 수 있다.
제어유닛(300)은 전원부(130)와 연결되어, 전원부(130)에서 인가하는 전류 량의 강도 제어 또는 전원부(130)의 온, 오프(on, off)를 수행한다.
모니터링유닛(400)은 세정조(B)에 인접하게 또는 그 내부에 배치되며, 세정조(B) 내의 세정액에 함유된 불순물인 금속이온 또는 파티클을 측정한다. 또한, 모니터링유닛(400)은 세정조(B) 내의 웨이퍼(W)의 유, 무를 측정할 수도 있다. 금속이온 또는 파티클의 측정을 위해 모니터링유닛(400)은 금속 이온 측정기 또는 파티클 카운터(particle counter)를 포함할 수 있다.
모니터링유닛(400)은 제어유닛(300)과 연결되며, 제어유닛(300)은 모니터링유닛(400)에서의 웨이퍼(W) 유, 무 또는 금속이온이나 파티클의 측정결과에 따라 전원부(130)로 온, 오프 신호 또는 전원부(130)의 강도 조절 신호를 전달하여, 전원부(130)의 제어를 수행한다.
순환유닛은 순환배관(210), 펌프(220) 및 필터(230)를 포함하여, 세정조(B) 내의 세정액이 순환배관(210)을 통하여 순환하여 다시 세정조(B) 내로 공급되도록 한다.
순환배관(210)의 양 단부는 세정조(B)에 연결되어 있으며, 파이프 형상을 가져서 세정액이 이동하는 통로를 형성한다.
포집유닛(100) 주변, 특히 양전극(110)과 음전극(120) 근방의 순환배관(210)에서는, 그 직경이 다른 순환배관(210)에서의 직경보다 넓게 형성될 수 있다. 양전극(110)과 음전극(120) 주변의 순환배관(210)의 내부 직경이 넓어짐으로 인해서, 이 곳을 지나가는 세정액의 유속은 감소하게 된다. 이에 의해, 양전극(110)과 음전극(120) 주변에서의 세정액의 접촉 빈도가 증가하게 되므로, 양전 극(110)과 음전극(120)에서의 금속 불순물 포집 효율이 높아지게 된다.
또한, 양전극(110)과 음전극(120) 근방의 순환배관(210) 내부에는 홈이 형성될 수 있다. 이러한 홈은 세정액의 스월(swirl)을 형성하여 세정액과 양전극(110) 및 음전극(120) 사이의 접촉 빈도를 증가시킨다. 마찬가지로, 이에 의해 양전극(110)과 음전극(120)에서의 금속 불순물 포집 효율은 상승한다.
펌프(220)는 순환배관(210)의 경로 상에 위치하여, 세정액이 순환되는 동력을 제공한다. 펌프(220)는 세정액의 유량을 가변 시킬 수 있도록 구성된다. 모니터링유닛(400)에 의한 세정조(B) 내의 모니터링 결과에 따라 제어유닛(300)은 펌프(220)의 유량 조절 신호를 보내어, 최적의 금속 불순물 포집 효율을 확보하기 위한 유량을 제어할 수 있다.
필터(230)는 순환배관(210)의 경로 상에 배치되어, 세정액 내의 불순물을 일부 여과시킨다.
본 발명에 따른 금속 불순물 제거 방법은 상기 금속 불순물 제거 장치에 의해 수행된다.
구체적으로, 세정조(B)의 세정액은 세정조(B) 외부로 연결된 순환배관(210)을 통해 배출된다. 상기 세정액은 펌프(220)에 의해 필터(230)를 거쳐 포집유닛(100)으로 이송된다.
포집유닛(100)에 도달한 세정액에 함유된 양이온 불순물과 음이온 불순물은 이 곳에 구비된 양전극(110)과 음전극(120)에 의해 각각 포집된다.
전술한 바와 같이, 모니터링유닛(400)에 의한 모니터링 결과에 따라 제어 유닛(300)은 전원부(130)를 제어하여 양이온 불순물과 음이온 불순물의 포집이 최적화되도록 한다.
포집유닛(100)에서 양이온 및 음이온인 금속 불순물이 제거된 세정액은 다시금 순환배관(210)을 통해 세정조(B)로 공급된다.
따라서, 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 방법에 의해 순환된 세정액에는 금속 불순물이 제거되므로, 파티클의 재흡착 등의 문제가 개선되고 세정액 순환 횟수를 증가시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서 내에 포함되어 있음.
도 1은 일반적인 배치식 세정 장치에서 세정액의 순환 횟수에 따른 세정 효율을 나타내는 그래프이다;
도 2는 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 장치가 구비된 배치식 세정 장치의 세정조의 구성도이다;
도 3은 본 발명에 따른 금속 불순물 제거 방법의 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 포집유닛 110 : 양전극
120 : 음전극 130 : 전원부
142, 144 : 밸브 150 : 격리부
210 : 순환배관 220 : 펌프
230 : 필터 300 : 제어유닛
400 : 모니터링유닛 B : 세정조
W : 웨이퍼

Claims (14)

  1. 웨이퍼가 침지되는 세정조를 구비하는 배치식 세정 장치에 있어서,
    양 단부가 상기 세정조에 연결되어, 상기 세정조 내의 세정액을 순환시키는 순환유닛; 및
    상기 순환유닛의 경로 상에 위치하여, 상기 세정액에 함유된 양이온 불순물 및 음이온 불순물을 포집하는 포집유닛;
    을 포함하고,
    상기 포집유닛은 음이온 불순물을 포집하는 양(+)전극과 양이온 불순물을 포집하는 음(-)전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 내 금속 불순물 제거 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 양전극은 순환유닛 경로 상에 위치하고, 양전하로 대전되며,
    상기 음대전부는 순환유닛 경로 상에 위치하고, 음전하로 대전되는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 양전극에 양전하를 인가하고, 상기 음전극에 음전하를 인가하는 전원부를 더 포함하고,
    상기 전원부의 음극은 상기 양전극과 연결되고, 상기 전원부의 양극은 상기 음전극과 연결되며, 상기 전원부는 직류 전류를 이용하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환유닛의 경로 상에 위치하며, 상기 세정액의 순환 유로를 선택적으로 차단하는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 밸브는 복수 개로 구성되고, 상기 복수 개의 밸브 사이에 상기 양전극 및 음전극이 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 양전극 및 상기 음전극을 외부로부터 격리시키는 격리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정조 내의 웨이퍼의 유, 무(有, 無)에 따라, 상기 전원부의 강도 조절 및 온, 오프를 수행하는 제어유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 세정조 내의 세정액에 함유된 불순물인 금속이온 또는 파티클을 측정하거나 웨이퍼의 유, 무를 감지하는 모니터링유닛을 더 포함하고,
    상기 모니터링유닛은 상기 제어유닛과 연결되어, 상기 제어유닛은 상기 모니터링유닛의 측정결과에 따라 상기 전원부의 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제어 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환유닛은,
    양 단부가 상기 세정조에 연결되어, 상기 세정액이 이동하는 통로를 형성하는 순환배관;
    상기 순환배관의 경로 상에 위치하여, 상기 세정액이 순환하는 동력을 제공하는 펌프; 및
    상기 순환배관의 경로 상에 위치하여, 상기 세정액 내의 불순물을 여과시키는 필터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 펌프는 상기 세정액의 유량을 가변 시키는 것을 특징으로 하는 금속 불 순물 제거 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 양전극 및 음전극 근방에서, 상기 순환배관의 내부 직경이 넓어지고 내부에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 장치.
  12. 웨이퍼가 침지되는 세정조를 구비하는 배치식 웨이퍼 세정 방법에 있어서,
    상기 세정조의 세정액을 세정조 외부에 위치한 순환배관으로 순환시키고, 상기 순환배관의 경로 상에 위치한 양전극과 음전극에서 각각 음이온 불순물과 양이온 불순물을 포집하는 것을 특징으로 하는 세정액 내 금속 불순물 제거 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 양전극과 음전극 주변의 순환배관에 밸브를 설치하고, 상기 밸브에 의해 순환배관을 차단하여 상기 양전극, 음전극 또는 순환배관의 교체가 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 세정조 내의 웨이퍼의 유무에 따라 상기 전원부의 강도 조절 및 온, 오프를 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 불순물 제거 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20170032984A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus

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