JPS62291928A - 乾燥装置 - Google Patents
乾燥装置Info
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- JPS62291928A JPS62291928A JP13652886A JP13652886A JPS62291928A JP S62291928 A JPS62291928 A JP S62291928A JP 13652886 A JP13652886 A JP 13652886A JP 13652886 A JP13652886 A JP 13652886A JP S62291928 A JPS62291928 A JP S62291928A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は乾燥装置に関するものであり、特に半導体ウェ
ハーの乾燥に適している。
ハーの乾燥に適している。
従来の技術
第３図は従来からのスピンドライ乾燥装置の基本構成を
示す断面図である。クレードル１にウェハーの入ったキ
ャリアを置き、回転体２を高速で回すことにより水をよ
シ乾燥させるものである。
示す断面図である。クレードル１にウェハーの入ったキ
ャリアを置き、回転体２を高速で回すことにより水をよ
シ乾燥させるものである。
このとき装置の上部にはＨ１ＣＰＡフィルターを充填さ
せたフタ３を置くことにより装置内に入り込む空気のダ
ストを取り除くようにする。
せたフタ３を置くことにより装置内に入り込む空気のダ
ストを取り除くようにする。
発明が解決しようとする問題点
従来からの装置ではＨＥＰＡフィルターを通してダスト
を除去する能力は高かったが、分子状の不純物、特にＣ
Ｏや有機系の蒸気は取り除けなかった。このままではシ
リコンウェハーが空気との摩擦で帯電したときに上記の
不純物が付きやすく、ＬＳＩ等の特性劣化の原因となる
。
を除去する能力は高かったが、分子状の不純物、特にＣ
Ｏや有機系の蒸気は取り除けなかった。このままではシ
リコンウェハーが空気との摩擦で帯電したときに上記の
不純物が付きやすく、ＬＳＩ等の特性劣化の原因となる
。
問題点を解決するだめの手段
本発明はまず、空気中の微粒子を除去するＵＬＰ人フィ
ルターと、空気中のＣＯや有機分子を冷水中で紫外線を
当てることにより酸化し、ｃｏ２に変えることによりト
ラップする水バブル槽と、空気の流れによって生じる帯
電を防止するオゾン発生装置としてコロナ放電４極を備
える空気導入装置ｉてより清浄度および導電性の高い空
気を導入して半導体ウェハー等を清浄に乾燥する装置で
ある。
ルターと、空気中のＣＯや有機分子を冷水中で紫外線を
当てることにより酸化し、ｃｏ２に変えることによりト
ラップする水バブル槽と、空気の流れによって生じる帯
電を防止するオゾン発生装置としてコロナ放電４極を備
える空気導入装置ｉてより清浄度および導電性の高い空
気を導入して半導体ウェハー等を清浄に乾燥する装置で
ある。
作用
本発明によれば乾燥装置に導入する空気は、まずＵＬＰ
人フィルターによりダストが除去される。
人フィルターによりダストが除去される。
次に、水バブル槽内でこの空気を水中に通して有機系物
質を溶解させる。溶解した有機系物質が再蒸発しないよ
うに紫外線ランプで紫外線を当て酸化させ最終的に二酸
化炭素とする。以上により微粒子と、有機物等分子レベ
ルの不純物まで除去された空気は、コロナ放電電極を通
過する時に一部がオゾンとなる。このオゾンによりウェ
ハーの帯電を防止し、ダストや不純物付着のない乾燥装
置を実現できる。
質を溶解させる。溶解した有機系物質が再蒸発しないよ
うに紫外線ランプで紫外線を当て酸化させ最終的に二酸
化炭素とする。以上により微粒子と、有機物等分子レベ
ルの不純物まで除去された空気は、コロナ放電電極を通
過する時に一部がオゾンとなる。このオゾンによりウェ
ハーの帯電を防止し、ダストや不純物付着のない乾燥装
置を実現できる。
以上の効果をさらに向上させる為に、水バブル槽内の水
は、低温（１０°Ｃ以下が望イしい）に保って循環する
機構全付加すれば、さらに清浄度の高い乾燥が実現でき
、超高密度半導体集積回路の製造工程に於ける歩留りは
高くなる。
は、低温（１０°Ｃ以下が望イしい）に保って循環する
機構全付加すれば、さらに清浄度の高い乾燥が実現でき
、超高密度半導体集積回路の製造工程に於ける歩留りは
高くなる。
実施例
第１図は本発明の一実施例を示す装置の概念図である。
空気導入部にはＨＥＰムフィルター４を用い、そこを通
った空気はダストを除去され水中トラップ槽８に導かれ
る。有機物が効率よく除去されるように多槽構造とし、
水中に放出される先端部には第２図のような細分化ノズ
ル９を使用した。さらにトラップした有機物を酸化し二
酸化炭素Ｃ０２に変換するために紫外線ランプを各種の
間に配置した。しかし、紫外線ランプの代りに純水中に
に２Ｓ２０８のような酸化剤を溶かすことにより有機物
を酸化させることも可能である。紫外線ランプを用いる
とメンテナンスがほとんどいらないし、酸化剤を用いる
と紫外線が吸収されてしまう塩素化物が溶は込んでいて
も酸化できるという利点がある。前者のＣ０２に変換す
る場合、００２の水への溶解度は、水温が低い程大きい
ので、約３°Ｃ程度の冷水を実用し、水を循環する機構
を設けた。
った空気はダストを除去され水中トラップ槽８に導かれ
る。有機物が効率よく除去されるように多槽構造とし、
水中に放出される先端部には第２図のような細分化ノズ
ル９を使用した。さらにトラップした有機物を酸化し二
酸化炭素Ｃ０２に変換するために紫外線ランプを各種の
間に配置した。しかし、紫外線ランプの代りに純水中に
に２Ｓ２０８のような酸化剤を溶かすことにより有機物
を酸化させることも可能である。紫外線ランプを用いる
とメンテナンスがほとんどいらないし、酸化剤を用いる
と紫外線が吸収されてしまう塩素化物が溶は込んでいて
も酸化できるという利点がある。前者のＣ０２に変換す
る場合、００２の水への溶解度は、水温が低い程大きい
ので、約３°Ｃ程度の冷水を実用し、水を循環する機構
を設けた。
有機物を除去した空気は太い配管に集められてスピンド
ライ装置の上部に導入される。スピンドライ乾燥での帯
電防止のために空気導入配管の途中にコロナ放電電極７
を取り付ける。コロナ放電により生成されたオゾンがウ
ェハー表面の電荷を取り除く役目をしている。オゾン発
生には乾いた空気が必要なため本装置には水中トラップ
槽８とコロナ放電電極７の間にシリカゲル等の乾燥剤１
゜の入ったフィルターを設けである。また、オゾンは空
気中の有機物を酸化できるので水中トラップ槽で除去し
きれなかった有機物を最終的に酸化してしまう。
ライ装置の上部に導入される。スピンドライ乾燥での帯
電防止のために空気導入配管の途中にコロナ放電電極７
を取り付ける。コロナ放電により生成されたオゾンがウ
ェハー表面の電荷を取り除く役目をしている。オゾン発
生には乾いた空気が必要なため本装置には水中トラップ
槽８とコロナ放電電極７の間にシリカゲル等の乾燥剤１
゜の入ったフィルターを設けである。また、オゾンは空
気中の有機物を酸化できるので水中トラップ槽で除去し
きれなかった有機物を最終的に酸化してしまう。
以上のように清浄化された空気で半導体基板の乾燥を行
う。乾燥方式としては回転方式や、この清浄化空気を加
熱して温風により乾燥する方式等が採用可能である。本
実施例では、回転方式を採用した。
う。乾燥方式としては回転方式や、この清浄化空気を加
熱して温風により乾燥する方式等が採用可能である。本
実施例では、回転方式を採用した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Ｈ１！：ＰＡフィルター
、水中トラップ槽、コロナ放電の三段構えで空気中の浮
遊有機物を酸化し安定な二酸化炭素に変えてしまうので
、乾燥部でのカーボン付着は無視できる。また空気を１
度水中に通すためにイオン化合物等の水に溶は易い物質
が取り除かれ乾燥装置内は清浄な状態に保たれている。
、水中トラップ槽、コロナ放電の三段構えで空気中の浮
遊有機物を酸化し安定な二酸化炭素に変えてしまうので
、乾燥部でのカーボン付着は無視できる。また空気を１
度水中に通すためにイオン化合物等の水に溶は易い物質
が取り除かれ乾燥装置内は清浄な状態に保たれている。
さらに、コロナ放電によりウェハーの外電が抑えられる
のでウェハーを乾燥装置から出しだときにも、周囲の有
機物質の再付着が極力抑えられ次工程への運搬もやりや
すぐなる。
のでウェハーを乾燥装置から出しだときにも、周囲の有
機物質の再付着が極力抑えられ次工程への運搬もやりや
すぐなる。
以上により超高密度集積回路の製造工程に於ける歩留り
は著しく向上する。
は著しく向上する。
第１図は本発明の一実施例におけるスピンドライ装置の
空気導入部の構成図、第２図は同装置の水中トラップ槽
に入る空気ノズルの先端の拡大図、第３図は従来のスピ
ンドライ装置の断面図である。 １・・・・・・クレードル、２・・・・・・回転体、３
・川・・フタ、４・・・・・・ＨＥＰ人フィルター、６
・・・・・・スピンドライ上部、６・・・・・・紫外線
ランプ、７・・・・・・コロナ放電電極、８・・・・・
・水中トラップ槽、９・・川・細分化ノズル、１ｏ・・
・・・・乾燥剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 口 弔３図
空気導入部の構成図、第２図は同装置の水中トラップ槽
に入る空気ノズルの先端の拡大図、第３図は従来のスピ
ンドライ装置の断面図である。 １・・・・・・クレードル、２・・・・・・回転体、３
・川・・フタ、４・・・・・・ＨＥＰ人フィルター、６
・・・・・・スピンドライ上部、６・・・・・・紫外線
ランプ、７・・・・・・コロナ放電電極、８・・・・・
・水中トラップ槽、９・・川・細分化ノズル、１ｏ・・
・・・・乾燥剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 口 弔３図
Claims (2)
- （１）ＵＬＰＡフィルターと水バブル槽とコロナ放電々
極を備え、上記水バブル槽が水槽と、上記水槽中の水面
下に位置する空気ふき出し口と、紫外線光源とを持った
空気導入装置を有してなる乾燥装置。 - （２）水バブル槽が、１０℃以下の水を循環できるもの
である特許請求の範囲第１項に記載の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13652886A JPS62291928A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13652886A JPS62291928A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291928A true JPS62291928A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15177291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13652886A Pending JPS62291928A (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708981A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-05-01 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13652886A patent/JPS62291928A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0708981A1 (en) * | 1993-07-16 | 1996-05-01 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| EP0708981A4 (en) * | 1993-07-16 | 1997-03-12 | Legacy Systems Inc | PROCESS AND APPARATUS FOR TREATING A SEMICONDUCTOR DISC IN A LIQUID |
| US5727578A (en) * | 1993-07-16 | 1998-03-17 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment and drying of semiconductor wafers in a fluid |
| US5776296A (en) * | 1993-07-16 | 1998-07-07 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
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