JP2003337432A - 機能水を使ったレジスト除去方法、およびその装置 - Google Patents
機能水を使ったレジスト除去方法、およびその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】洗浄コストや環境保全の観点から優れており、
また、除去能力も極めて高いレジスト処理方法、および
その装置を提供すること。 【解決手段】この発明の機能水を使ったレジスト除去方
法は、以下の工程からなることを特徴とする。 ．レジストが塗布された基板に対して、波長１７２±
１０ｎｍの真空紫外光を照射させル工程。 ．このレジスト面に対して機能水を略均一に塗布させ
る工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。
また、除去能力も極めて高いレジスト処理方法、および
その装置を提供すること。 【解決手段】この発明の機能水を使ったレジスト除去方
法は、以下の工程からなることを特徴とする。 ．レジストが塗布された基板に対して、波長１７２±
１０ｎｍの真空紫外光を照射させル工程。 ．このレジスト面に対して機能水を略均一に塗布させ
る工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はオゾン水などの機
能水を使ったレジスト処理方法、およびレジスト装置に
関する。特に、オゾン水などの機能水とエキシマランプ
の光エネルギーを使った処理に関する。
能水を使ったレジスト処理方法、およびレジスト装置に
関する。特に、オゾン水などの機能水とエキシマランプ
の光エネルギーを使った処理に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造技術分野において、回路パタ
ーンの微細化、高密度化・高集積化が進むにつれて処理
プロセスにおいては各種デバイスにダメージなどを与え
ることなく、また、不純物を付着させないなどの高いレ
ベルの技術が要求されている。また、半導体リソグラフ
ィープロセスではレジストを基板上に塗布させて、レジ
ストパターンをマスクとして様々な処理が行なわれる
が、最終的には基板上からレジストを除去する、いわゆ
るアッシング（灰化）処理が行なわれる。このアッシン
グは、一般的には、酸素プラズマを使った方法が多く採
用され、大部分のレジストを基板上から除去した後に、
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）や過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を使った
薬剤への浸漬による洗浄処理が行なわれる。
ーンの微細化、高密度化・高集積化が進むにつれて処理
プロセスにおいては各種デバイスにダメージなどを与え
ることなく、また、不純物を付着させないなどの高いレ
ベルの技術が要求されている。また、半導体リソグラフ
ィープロセスではレジストを基板上に塗布させて、レジ
ストパターンをマスクとして様々な処理が行なわれる
が、最終的には基板上からレジストを除去する、いわゆ
るアッシング（灰化）処理が行なわれる。このアッシン
グは、一般的には、酸素プラズマを使った方法が多く採
用され、大部分のレジストを基板上から除去した後に、
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）や過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を使った
薬剤への浸漬による洗浄処理が行なわれる。
【０００３】しかしながら、酸素プラズマを使ったアッ
シングは、レジストやデバイスの種類にもよるが、デバ
イスに対してダメージを与えるという致命的な問題があ
り、また、完全にレジスト除去ができないため前記のよ
うに薬剤処理を併用しなければならなかった。そして、
薬剤による処理は、洗浄コストや環境保全の観点からも
好ましいものではなく使用量の削減が強く求められてい
る。また、エッチング工程においては、基板やレジスト
の中に副生成物を生成させてしまい、この副生成物が酸
素プラズマによるアッシングや薬剤処理では十分に除去
できないという問題も生じる。
シングは、レジストやデバイスの種類にもよるが、デバ
イスに対してダメージを与えるという致命的な問題があ
り、また、完全にレジスト除去ができないため前記のよ
うに薬剤処理を併用しなければならなかった。そして、
薬剤による処理は、洗浄コストや環境保全の観点からも
好ましいものではなく使用量の削減が強く求められてい
る。また、エッチング工程においては、基板やレジスト
の中に副生成物を生成させてしまい、この副生成物が酸
素プラズマによるアッシングや薬剤処理では十分に除去
できないという問題も生じる。
【０００４】一方、近年、オゾン水やイオン水などの機
能水を前記薬剤処理（かならずしもアッシングという意
味ではなく、一般的な洗浄処理という意味において）の
代替技術として研究が始まりつつある。しかし、オゾン
水やイオン水などの機能水を用いた洗浄方法は、通常、
機能水単体もしくは超音波と組み合わせたバッチ式の洗
浄方式であるが、薬剤を多量に使用した洗浄方式と比較
すると洗浄能力という点で劣るというのが実情である。
さらに、機能水による処理を超音波などのように他のエ
ネルギー源と併用する場合は、エネルギー分布の問題に
より機能水の洗浄反応が必ずしも均一に行なわれず、例
えば、アッシングにおいてはレジストが部分的に残存す
るという問題を発生させる。
能水を前記薬剤処理（かならずしもアッシングという意
味ではなく、一般的な洗浄処理という意味において）の
代替技術として研究が始まりつつある。しかし、オゾン
水やイオン水などの機能水を用いた洗浄方法は、通常、
機能水単体もしくは超音波と組み合わせたバッチ式の洗
浄方式であるが、薬剤を多量に使用した洗浄方式と比較
すると洗浄能力という点で劣るというのが実情である。
さらに、機能水による処理を超音波などのように他のエ
ネルギー源と併用する場合は、エネルギー分布の問題に
より機能水の洗浄反応が必ずしも均一に行なわれず、例
えば、アッシングにおいてはレジストが部分的に残存す
るという問題を発生させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明が解決しよう
とする課題は、洗浄コストや環境保全の観点から優れて
おり、また、除去能力も極めて高いレジスト処理方法、
およびその装置を提供することである。
とする課題は、洗浄コストや環境保全の観点から優れて
おり、また、除去能力も極めて高いレジスト処理方法、
およびその装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明の機能水を使ったレジスト除去方法は、以
下の工程からなることを特徴とする。 ．レジストが塗布された基板に対して、波長１７２±
１０ｎｍの真空紫外光を照射させル工程。 ．このレジスト面に対して機能水を略均一に塗布させ
る工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。 さらに、レジスト面に対する機能水の塗布工程では、前
記基板を回転させながら当該レジスト面に対して機能水
を滴下させることを特徴とする。
に、この発明の機能水を使ったレジスト除去方法は、以
下の工程からなることを特徴とする。 ．レジストが塗布された基板に対して、波長１７２±
１０ｎｍの真空紫外光を照射させル工程。 ．このレジスト面に対して機能水を略均一に塗布させ
る工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。 さらに、レジスト面に対する機能水の塗布工程では、前
記基板を回転させながら当該レジスト面に対して機能水
を滴下させることを特徴とする。
【０００７】さらに、機能水は、オゾン水、アルカリイ
オン水、酸性イオン水であることを特徴とする。また、
機能水に向かって紫外光を照射させる工程は、波長２２
２±１０ｎｍの紫外光を照射させることを特徴とする。
また、波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、および／ま
たは波長２２２±１０ｎｍの紫外光はエキシマランプに
よることを特徴とする。また、この波長１７２±１０ｎ
ｍの真空紫外光、および／または波長１９０〜３１０ｎ
ｍの紫外光による照射は基板を回転させて行うことを特
徴とする。
オン水、酸性イオン水であることを特徴とする。また、
機能水に向かって紫外光を照射させる工程は、波長２２
２±１０ｎｍの紫外光を照射させることを特徴とする。
また、波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、および／ま
たは波長２２２±１０ｎｍの紫外光はエキシマランプに
よることを特徴とする。また、この波長１７２±１０ｎ
ｍの真空紫外光、および／または波長１９０〜３１０ｎ
ｍの紫外光による照射は基板を回転させて行うことを特
徴とする。
【０００８】また、この発明の機能水を使ったレジスト
除去装置は、方法装置本体内に処理室を有し、この処理
室は、レジストが塗布された基板を保持するステージ
と、このレジスト面に対して波長１７２±１０ｎｍの真
空紫外光を照射させるエキシマランプと、このレジスト
面に対して機能水を供給する機能水供給機構と、このレ
ジスト面に対して波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光を照
射させる紫外光放射ランプとよりなることを特徴とす
る。
除去装置は、方法装置本体内に処理室を有し、この処理
室は、レジストが塗布された基板を保持するステージ
と、このレジスト面に対して波長１７２±１０ｎｍの真
空紫外光を照射させるエキシマランプと、このレジスト
面に対して機能水を供給する機能水供給機構と、このレ
ジスト面に対して波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光を照
射させる紫外光放射ランプとよりなることを特徴とす
る。
【０００９】また、前記処理室は複数形成され、第一の
処理室には、レジストが塗布された基板を保持するステ
ージと、このレジスト面に対して波長１７２±１０ｎｍ
の真空紫外光を照射させるエキシマランプを有して、第
二の処理室には、レジスト面に対して機能水を供給する
機能水供給機構と、このレジスト面に対して波長１９０
〜３１０ｎｍの紫外光を照射させる紫外光放射ランプを
有することを特徴とする。さらに、前記第二の処理室が
複数個設けられることを特徴とする。
処理室には、レジストが塗布された基板を保持するステ
ージと、このレジスト面に対して波長１７２±１０ｎｍ
の真空紫外光を照射させるエキシマランプを有して、第
二の処理室には、レジスト面に対して機能水を供給する
機能水供給機構と、このレジスト面に対して波長１９０
〜３１０ｎｍの紫外光を照射させる紫外光放射ランプを
有することを特徴とする。さらに、前記第二の処理室が
複数個設けられることを特徴とする。
【００１０】また、他の発明では、レジストを有する基
板から当該レジストを除去するプロセス（いわゆる、ア
ッシング）ではなく、エッチング時に生じる副生成物を
基板から除去するプロセスに関するもので、以下の工程
からなることを特徴とする。 ．エッチング時に生じる副生成物を有する基板に対し
て、波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光を照射させる工
程。 ．この基板の副生成物を有する面に対して機能水を略
均一に塗布させる工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。
板から当該レジストを除去するプロセス（いわゆる、ア
ッシング）ではなく、エッチング時に生じる副生成物を
基板から除去するプロセスに関するもので、以下の工程
からなることを特徴とする。 ．エッチング時に生じる副生成物を有する基板に対し
て、波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光を照射させる工
程。 ．この基板の副生成物を有する面に対して機能水を略
均一に塗布させる工程。 ．この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光を照射させる工程。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明のレジスト除去方法
を実施する装置であって、その概略構成を一例として示
している。紫外線処理装置１０は、全体を構成するケー
シングが、例えばステンレスからなり、ランプ室Ｒと処
理室Ｔより構成され、その間を紫外線透過部材１１が区
画している。
を実施する装置であって、その概略構成を一例として示
している。紫外線処理装置１０は、全体を構成するケー
シングが、例えばステンレスからなり、ランプ室Ｒと処
理室Ｔより構成され、その間を紫外線透過部材１１が区
画している。
【００１２】ランプ室Ｒは、内部にエキシマランプ２０
（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が金属ブロック２１の樋状
の溝に配置され、この金属ブロック２１には冷却水を流
す冷却水用貫通孔２２（２２ａ、２２ｂ）が設けられて
いる。エキシマランプ２０は、図においては円形断面を
表しているが、全体形状は概略棒状であって紙面垂直方
向に伸びる。このランプは、後述するが、例えば、ラン
プ２０ａとランプ２０ｃが波長１７２ｎｍの真空紫外光
を放射するものであり、ランプ２０ｂが波長２２２ｎｍ
の紫外光を放射するものを配置している。ランプ室Ｒの
側壁には、不活性ガスの吸引口２３ａと排気口２３ｂが
設けられ、内部を窒素ガスなどの不活性雰囲気にする。
（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）が金属ブロック２１の樋状
の溝に配置され、この金属ブロック２１には冷却水を流
す冷却水用貫通孔２２（２２ａ、２２ｂ）が設けられて
いる。エキシマランプ２０は、図においては円形断面を
表しているが、全体形状は概略棒状であって紙面垂直方
向に伸びる。このランプは、後述するが、例えば、ラン
プ２０ａとランプ２０ｃが波長１７２ｎｍの真空紫外光
を放射するものであり、ランプ２０ｂが波長２２２ｎｍ
の紫外光を放射するものを配置している。ランプ室Ｒの
側壁には、不活性ガスの吸引口２３ａと排気口２３ｂが
設けられ、内部を窒素ガスなどの不活性雰囲気にする。
【００１３】処理室Ｔの内部には、被処理基板Ｗが載置
されるステージ３１と、このステージ３１を回転させる
回転機構３２が設けられる。また、処理室Ｔの側壁に
は、被処理基板Ｗを搬入搬出する開口が設けられ、搬送
アーム３３によって被処理基板Ｗがステージ３１にセッ
ティングされる。搬送アーム３３は搬送アーム制御機構
３４に制御される。また、処理室Ｔの側壁には、機能水
供給ノズル４１が同様に室内に挿入退避されるためのノ
ズル用開口が設けられる。この機能水供給ノズル４１も
機能水供給ノズル制御機構４２によって制御される。搬
送アーム３３、機能水供給ノズル４１のためケーシング
側壁に設けられた開口は、処理室Ｔから退避していると
きは閉じるようになっている。紫外光透過部材１１と被
処理基板との距離は、たとえば１ｍｍであり、ステージ
３１に昇降機構を設けることで、照射時には両者を接近
させるとともに、搬送アーム３４やノズル４１の挿入時
には両者を離間できる。なお、ランプ室Ｒ内は、前述の
ように、不活性ガス雰囲気になっているので、エキシマ
ランプと紫外線透過部材１１との距離は問題にならな
い。
されるステージ３１と、このステージ３１を回転させる
回転機構３２が設けられる。また、処理室Ｔの側壁に
は、被処理基板Ｗを搬入搬出する開口が設けられ、搬送
アーム３３によって被処理基板Ｗがステージ３１にセッ
ティングされる。搬送アーム３３は搬送アーム制御機構
３４に制御される。また、処理室Ｔの側壁には、機能水
供給ノズル４１が同様に室内に挿入退避されるためのノ
ズル用開口が設けられる。この機能水供給ノズル４１も
機能水供給ノズル制御機構４２によって制御される。搬
送アーム３３、機能水供給ノズル４１のためケーシング
側壁に設けられた開口は、処理室Ｔから退避していると
きは閉じるようになっている。紫外光透過部材１１と被
処理基板との距離は、たとえば１ｍｍであり、ステージ
３１に昇降機構を設けることで、照射時には両者を接近
させるとともに、搬送アーム３４やノズル４１の挿入時
には両者を離間できる。なお、ランプ室Ｒ内は、前述の
ように、不活性ガス雰囲気になっているので、エキシマ
ランプと紫外線透過部材１１との距離は問題にならな
い。
【００１４】図１に示す処理装置に加えて、図２に示す
処理シーケンスを使って、本発明のレジスト除去方法を
説明する。図は処理手順（ａ）から（ｇ）を表す。
（ａ）において、エッチング処理を終えた半導体ウエハ
（シリコンウエハ）Ｗをステージ３１上にセッティング
する。ウエハＷにはレジストが塗布されており、ウエハ
Ｗとレジストの間に酸化膜や金属膜が形成されている。
（ｂ）において、エキシマランプ２０ａ、２０ｃを点灯
させて波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、具体的には
１７２ｎｍの光をレジスト面に照射させる。照射時間
は、例えば、３０秒であり、エキシマランプ２０の発光
強度は１５ｍＷ／ｍｍ２である。なお、このエキシマラ
ンプの照射は、ステージ３１を回転させながら行うこと
が好ましい。これは、ランプが図１に示すに棒状ランプ
の場合などにおいてレジスト面に対して均一に照射でき
るからである。この場合の回転数は、例えば３０ｒｐｍ
である。これにより、後段の工程において、オゾン水層
を均一、かつ薄く形成することができ、本工程はその前
処理と位置付けすることができる。
処理シーケンスを使って、本発明のレジスト除去方法を
説明する。図は処理手順（ａ）から（ｇ）を表す。
（ａ）において、エッチング処理を終えた半導体ウエハ
（シリコンウエハ）Ｗをステージ３１上にセッティング
する。ウエハＷにはレジストが塗布されており、ウエハ
Ｗとレジストの間に酸化膜や金属膜が形成されている。
（ｂ）において、エキシマランプ２０ａ、２０ｃを点灯
させて波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、具体的には
１７２ｎｍの光をレジスト面に照射させる。照射時間
は、例えば、３０秒であり、エキシマランプ２０の発光
強度は１５ｍＷ／ｍｍ２である。なお、このエキシマラ
ンプの照射は、ステージ３１を回転させながら行うこと
が好ましい。これは、ランプが図１に示すに棒状ランプ
の場合などにおいてレジスト面に対して均一に照射でき
るからである。この場合の回転数は、例えば３０ｒｐｍ
である。これにより、後段の工程において、オゾン水層
を均一、かつ薄く形成することができ、本工程はその前
処理と位置付けすることができる。
【００１５】（ｃ）において、機能水を供給する。これ
は、機能水供給ノズル４１を処理室Ｔ内に挿入させて、
このノズル４１から機能水、例えば、オゾン水をレジス
ト面に滴下させる。この滴下は、ステージ３１を、例え
ば、３００ｒｐｍで回転させながら、２ｃｃ／ｓｅｃの
ペースで約３０秒行なう。これにより、レジスト面に厚
さ０．５ｍｍのオゾン水層が均一に形成できる。機能水
は、例えば、装置外に配置させた機能水製造機から供給
する。オゾン水は、水に対して２０ｐｐｍ以上のオゾン
を含むものであって、例えば、５０ｐｐｍ含むものが適
用される。この工程では、前段のエキシマ照射工程とも
相まって、オゾン水層を薄く、均一に形成することがで
きる。数値例をあげると、レジスト面から１．０ｍｍ以
下、好ましくは０．３〜０．５ｍｍ、より好ましくは
０．１ｍｍ以下に形成できる。
は、機能水供給ノズル４１を処理室Ｔ内に挿入させて、
このノズル４１から機能水、例えば、オゾン水をレジス
ト面に滴下させる。この滴下は、ステージ３１を、例え
ば、３００ｒｐｍで回転させながら、２ｃｃ／ｓｅｃの
ペースで約３０秒行なう。これにより、レジスト面に厚
さ０．５ｍｍのオゾン水層が均一に形成できる。機能水
は、例えば、装置外に配置させた機能水製造機から供給
する。オゾン水は、水に対して２０ｐｐｍ以上のオゾン
を含むものであって、例えば、５０ｐｐｍ含むものが適
用される。この工程では、前段のエキシマ照射工程とも
相まって、オゾン水層を薄く、均一に形成することがで
きる。数値例をあげると、レジスト面から１．０ｍｍ以
下、好ましくは０．３〜０．５ｍｍ、より好ましくは
０．１ｍｍ以下に形成できる。
【００１６】（ｄ）において、機能水供給ノズル４１を
処理室Ｔから退避させて、波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光をレジスト面に照射させる。照射はエキシマランプ
２０ｂを点灯させ、波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光、
具体的には、波長２２２ｎｍの紫外光を前記オゾン水層
に向けて照射させる。照射時間は、例えば、３０秒であ
り、エキシマランプ２０の発光強度は８ｍＷ／ｍｍ２で
ある。なお、このときの照射も、ステージ３１を回転さ
せながら行うことが好ましい。この理由も前記のよう
に、レジスト面に対して均一に照射できるからである。
この場合の回転数は、例えば３０ｒｐｍである。従っ
て、（ｂ）（ｃ）（ｄ）の工程において、ステージ３１
は回転させたままとすることができ、速度を各種の工程
で変化させることになる。この工程により、紫外線ラン
プの放射エネルギを使ってオゾン水の分解作用を促進さ
せることができ、ウエハ表面に存在するレジストを膨潤
化できる。ここで、「膨潤化」とは、レジストが酸化膜
や金属層から剥がれやすくなくことを意味する。なお、
（ｃ）、（ｄ）の工程は、複数回、例えば、４〜５回繰
り返すことも効果的である。
処理室Ｔから退避させて、波長１９０〜３１０ｎｍの紫
外光をレジスト面に照射させる。照射はエキシマランプ
２０ｂを点灯させ、波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光、
具体的には、波長２２２ｎｍの紫外光を前記オゾン水層
に向けて照射させる。照射時間は、例えば、３０秒であ
り、エキシマランプ２０の発光強度は８ｍＷ／ｍｍ２で
ある。なお、このときの照射も、ステージ３１を回転さ
せながら行うことが好ましい。この理由も前記のよう
に、レジスト面に対して均一に照射できるからである。
この場合の回転数は、例えば３０ｒｐｍである。従っ
て、（ｂ）（ｃ）（ｄ）の工程において、ステージ３１
は回転させたままとすることができ、速度を各種の工程
で変化させることになる。この工程により、紫外線ラン
プの放射エネルギを使ってオゾン水の分解作用を促進さ
せることができ、ウエハ表面に存在するレジストを膨潤
化できる。ここで、「膨潤化」とは、レジストが酸化膜
や金属層から剥がれやすくなくことを意味する。なお、
（ｃ）、（ｄ）の工程は、複数回、例えば、４〜５回繰
り返すことも効果的である。
【００１７】その後、エキシマランプを消灯させて、ス
テージ３１を回転させて残存するレジストを機能水とと
もに排除させ（（ｅ）工程）、その後、洗い流しのため
に再度機能水を供給する（（ｆ）工程）。このとき、ス
テージ３１は、例えば１５００ｒｐｍで回転させて、
（ｆ）においては、２ｃｃ／ｓｅｃのオゾン水を１５秒
間滴下させる。さらに、ステージを回転させながら、純
水をウエハ面に供給してウエハ面を洗浄する。数値例を
あげると、５ｃｃ／ｓｅｃの水を５〜１０秒間滴下させ
る。その後、ステージのみを回転させて（純水などを滴
下させない）乾燥させる。なお、（ｅ）〜（ｇ）の工程
は、光処理を終えた後の残存するレジストや副生成物を
除去（洗い流す）するものである。
テージ３１を回転させて残存するレジストを機能水とと
もに排除させ（（ｅ）工程）、その後、洗い流しのため
に再度機能水を供給する（（ｆ）工程）。このとき、ス
テージ３１は、例えば１５００ｒｐｍで回転させて、
（ｆ）においては、２ｃｃ／ｓｅｃのオゾン水を１５秒
間滴下させる。さらに、ステージを回転させながら、純
水をウエハ面に供給してウエハ面を洗浄する。数値例を
あげると、５ｃｃ／ｓｅｃの水を５〜１０秒間滴下させ
る。その後、ステージのみを回転させて（純水などを滴
下させない）乾燥させる。なお、（ｅ）〜（ｇ）の工程
は、光処理を終えた後の残存するレジストや副生成物を
除去（洗い流す）するものである。
【００１８】なお、上記処理シーケンスにおいて、例え
ば、以下の変形例が可能である。処理基板は、シリコン
ウエハに限定されるものではなく、液晶基板やセラミッ
クス基板などを採用することができる。上記実施例で
は、シリコンウエハとレジストの間に酸化膜を有する場
合について例示したが、酸化膜に変えて金属膜層、例え
ば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを有する場
合もある。基板に保持されたレジストについては、その
種類は特に限定されるものではなく、全てのレジストに
対して本発明は適用することができ、一例をあげると、
ノボラック系レジスト、化学増幅型レジスト、電子線レ
ジストなどがある。
ば、以下の変形例が可能である。処理基板は、シリコン
ウエハに限定されるものではなく、液晶基板やセラミッ
クス基板などを採用することができる。上記実施例で
は、シリコンウエハとレジストの間に酸化膜を有する場
合について例示したが、酸化膜に変えて金属膜層、例え
ば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを有する場
合もある。基板に保持されたレジストについては、その
種類は特に限定されるものではなく、全てのレジストに
対して本発明は適用することができ、一例をあげると、
ノボラック系レジスト、化学増幅型レジスト、電子線レ
ジストなどがある。
【００１９】（ｂ）の工程では、エキシマランプからの
放射波長は、１７２ｎｍに限定されるものではなく、１
７２±１０ｎｍの範囲の光が適用でき、例えば、１７５
ｎｍの光を使うこともできる。また、照射時間や照射強
度は、処理のスループットやレジストの種類で異なるも
のであり、前記実施例に限定されないことは言うまでも
ない。（ｃ）（ｆ）の工程では、機能水は、オゾン水に
限定されるものではなく、アルカリイオン水や酸性イオ
ン水を使うこともでき、また、これらを混合させて使う
こともできる。さらには、機能水はノズルで滴下する方
法に限定されるものではなく、その他の供給手段を使う
こともできる。また、機能水の供給に対しては、機能水
の層を均一に形成するという観点からステージを回転さ
せることが好ましいが、ステージの回転は必須のことで
はなく、また、回転スピードや機能水の供給ペースも種
々に採用できることは言うまでもない。（ｄ）の工程で
は、紫外線ランプからの放射波長は、２２２ｎｍに限定
されるものではなく、１９０〜３１０ｎｍの光が適用で
きる。その他全工程において、種々の数値例は限定され
るものではないことは同様である。また、ステージに加
熱機構を設けることで基板を加熱させながら処理するこ
ともでき、これにより除去作用を一層活発化させること
もできる。エキシマランプの数や配置も前記実施例に限
定されるものではなく、基板に対して、２種類の波長の
光が良好に照射できれば、他の構成を採用することもで
きる。また、後述するが、前記した一連の処理プロセス
は必ずしも同一の装置内で行なうことに限定されず、工
程ごとに異なる装置や容器を用意してもよい。
放射波長は、１７２ｎｍに限定されるものではなく、１
７２±１０ｎｍの範囲の光が適用でき、例えば、１７５
ｎｍの光を使うこともできる。また、照射時間や照射強
度は、処理のスループットやレジストの種類で異なるも
のであり、前記実施例に限定されないことは言うまでも
ない。（ｃ）（ｆ）の工程では、機能水は、オゾン水に
限定されるものではなく、アルカリイオン水や酸性イオ
ン水を使うこともでき、また、これらを混合させて使う
こともできる。さらには、機能水はノズルで滴下する方
法に限定されるものではなく、その他の供給手段を使う
こともできる。また、機能水の供給に対しては、機能水
の層を均一に形成するという観点からステージを回転さ
せることが好ましいが、ステージの回転は必須のことで
はなく、また、回転スピードや機能水の供給ペースも種
々に採用できることは言うまでもない。（ｄ）の工程で
は、紫外線ランプからの放射波長は、２２２ｎｍに限定
されるものではなく、１９０〜３１０ｎｍの光が適用で
きる。その他全工程において、種々の数値例は限定され
るものではないことは同様である。また、ステージに加
熱機構を設けることで基板を加熱させながら処理するこ
ともでき、これにより除去作用を一層活発化させること
もできる。エキシマランプの数や配置も前記実施例に限
定されるものではなく、基板に対して、２種類の波長の
光が良好に照射できれば、他の構成を採用することもで
きる。また、後述するが、前記した一連の処理プロセス
は必ずしも同一の装置内で行なうことに限定されず、工
程ごとに異なる装置や容器を用意してもよい。
【００２０】以上、説明したレジスト除去方法によれ
ば、従来の酸素プラズマによるアッシングに比べて、デ
バイスに対してダメージを与えるという問題が解消する
とともに、また、酸素プラズマ処理に続き、環境的問題
を誘発する薬剤処理を併用させる必要もない。また、オ
ゾン水やイオン水などの機能水のみを使う洗浄（レジス
ト除去）処理に比べて、本発明のレジスト方法はエキシ
マランプの照射を伴うため洗浄能力は格段に高いものと
なる。さらに、機能水をレジスト面に滴下させる前に、
このレジスト面にエキシマ光の照射を行なうため機能水
層をきわめて薄く、かつ均一に形成することができる。
また、このレジスト除去の前工程であるエッチング工程
において、レジストに副生成物、いわゆるポリマーを生
成することがあるが、本発明のレジスト除去方法ではこ
の副生成物の良好に除去できるという利点を有する。
ば、従来の酸素プラズマによるアッシングに比べて、デ
バイスに対してダメージを与えるという問題が解消する
とともに、また、酸素プラズマ処理に続き、環境的問題
を誘発する薬剤処理を併用させる必要もない。また、オ
ゾン水やイオン水などの機能水のみを使う洗浄（レジス
ト除去）処理に比べて、本発明のレジスト方法はエキシ
マランプの照射を伴うため洗浄能力は格段に高いものと
なる。さらに、機能水をレジスト面に滴下させる前に、
このレジスト面にエキシマ光の照射を行なうため機能水
層をきわめて薄く、かつ均一に形成することができる。
また、このレジスト除去の前工程であるエッチング工程
において、レジストに副生成物、いわゆるポリマーを生
成することがあるが、本発明のレジスト除去方法ではこ
の副生成物の良好に除去できるという利点を有する。
【００２１】なお、本発明の方法は、レジストを有する
ウエハだけではなく、例えば、既にレジスト除去を終え
たウエハに対して、前記副生成物を除去するために適用
することもできる。この場合は、図２に示す処理シーケ
ンスと同様の処理であって、ステージに載せる被対象物
がレジストを有さないエッチング処理後の副生成物を含
むウエハということになる。
ウエハだけではなく、例えば、既にレジスト除去を終え
たウエハに対して、前記副生成物を除去するために適用
することもできる。この場合は、図２に示す処理シーケ
ンスと同様の処理であって、ステージに載せる被対象物
がレジストを有さないエッチング処理後の副生成物を含
むウエハということになる。
【００２２】ここで、エキシマランプについて説明す
る。エキシマランプ２０は、図３に示すように全体形状
が円筒状であり、材質は誘電体バリア放電によって誘電
体として機能するとともに、真空紫外光を透過する合成
石英ガラスから構成される。放電ランプ２０は内側管５
１と外側管５２が同軸に配置して二重円筒管を構成する
とともに、両端を閉じたことから内側管５１と外側管５
２の間に放電空間５３が形成される。放電空間５３には
誘電体バリア放電によってエキシマ分子を形成するとと
もに、このエキシマ分子から真空紫外光を放射する放電
用ガス、例えばキセノンガスが封入される。数値例をあ
げると、放電ランプ２０は全長８００ｍｍ、外径２７ｍ
ｍ、内側管５１の外径は１６ｍｍ、内側管５１と外側管
５２の肉厚は１ｍｍである。
る。エキシマランプ２０は、図３に示すように全体形状
が円筒状であり、材質は誘電体バリア放電によって誘電
体として機能するとともに、真空紫外光を透過する合成
石英ガラスから構成される。放電ランプ２０は内側管５
１と外側管５２が同軸に配置して二重円筒管を構成する
とともに、両端を閉じたことから内側管５１と外側管５
２の間に放電空間５３が形成される。放電空間５３には
誘電体バリア放電によってエキシマ分子を形成するとと
もに、このエキシマ分子から真空紫外光を放射する放電
用ガス、例えばキセノンガスが封入される。数値例をあ
げると、放電ランプ２０は全長８００ｍｍ、外径２７ｍ
ｍ、内側管５１の外径は１６ｍｍ、内側管５１と外側管
５２の肉厚は１ｍｍである。
【００２３】外側管５２の外面には網状電極５４が設け
られ、内側管５１の内部に他方の電極である内側電極５
５が設けられる。網状電極５４はシームレスに構成さ
れ、全体として伸縮性を有することから外側管５２への
密着性を良くすることができる。内側電極５５はパイプ
状、あるいは断面において一部に切り欠きを有する概略
Ｃ字状のものであり内側管５１に密着するように設けら
れる。放電空間５３には必要に応じてゲッタが配置され
る。
られ、内側管５１の内部に他方の電極である内側電極５
５が設けられる。網状電極５４はシームレスに構成さ
れ、全体として伸縮性を有することから外側管５２への
密着性を良くすることができる。内側電極５５はパイプ
状、あるいは断面において一部に切り欠きを有する概略
Ｃ字状のものであり内側管５１に密着するように設けら
れる。放電空間５３には必要に応じてゲッタが配置され
る。
【００２４】網状電極５４、内側電極５５の間には、図
示略の交流電源が接続され、これにより放電空間５３に
エキシマ分子が形成されて真空紫外光を発光する。この
ようなエキシマランプは、電極間に誘電体と放電空間を
介在させて放電させるものであり、誘電体バリア放電ラ
ンプと称する場合もあり、単一波長の真空紫外光を強く
放射するという、従来の低圧水銀放電ランプや高圧アー
ク放電ランプにはない優れた特徴を有している。この単
一波長の光は、放電容器内の封入ガスによって決まり、
キセノンガス（Ｘｅ）の場合は波長１７２ｎｍの光、ア
ルゴンガス（Ａｒ）と塩素ガス（ＣＬ）の場合は波長１
７５ｎｍの光、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）の場合
は波長１９１ｎｍの光、アルゴン（Ａｒ）とフッ素
（Ｆ）の場合は波長１９３ｎｍの光、クリプトン（Ｋ
ｒ）と臭素（Ｉ）の場合は波長２０７ｎｍの光、クリプ
トン（Ｋｒ）と塩素（ＣＬ）の場合は波長２２２ｎｍの
光を放射する。さらに、必要に応じて瞬時（１秒以内）
に点滅点灯できるという特徴も有する。
示略の交流電源が接続され、これにより放電空間５３に
エキシマ分子が形成されて真空紫外光を発光する。この
ようなエキシマランプは、電極間に誘電体と放電空間を
介在させて放電させるものであり、誘電体バリア放電ラ
ンプと称する場合もあり、単一波長の真空紫外光を強く
放射するという、従来の低圧水銀放電ランプや高圧アー
ク放電ランプにはない優れた特徴を有している。この単
一波長の光は、放電容器内の封入ガスによって決まり、
キセノンガス（Ｘｅ）の場合は波長１７２ｎｍの光、ア
ルゴンガス（Ａｒ）と塩素ガス（ＣＬ）の場合は波長１
７５ｎｍの光、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）の場合
は波長１９１ｎｍの光、アルゴン（Ａｒ）とフッ素
（Ｆ）の場合は波長１９３ｎｍの光、クリプトン（Ｋ
ｒ）と臭素（Ｉ）の場合は波長２０７ｎｍの光、クリプ
トン（Ｋｒ）と塩素（ＣＬ）の場合は波長２２２ｎｍの
光を放射する。さらに、必要に応じて瞬時（１秒以内）
に点滅点灯できるという特徴も有する。
【００２５】エキシマランプの形状は円筒形状に限定さ
れるものではなく、特公平８−２１３６９号に示す平板
形状や、特許第３０４３５６５号に示すいわゆるヘッド
オン型ランプなどを採用できる。また、エキシマランプ
は誘電体を介在させて放電させる放電ランプに限定され
るものではなく、マイクロ波により励起する無電極放電
ランプなどを採用することもできエキシマ発光をするこ
とができれば放電形式は限定されるものではない。
れるものではなく、特公平８−２１３６９号に示す平板
形状や、特許第３０４３５６５号に示すいわゆるヘッド
オン型ランプなどを採用できる。また、エキシマランプ
は誘電体を介在させて放電させる放電ランプに限定され
るものではなく、マイクロ波により励起する無電極放電
ランプなどを採用することもできエキシマ発光をするこ
とができれば放電形式は限定されるものではない。
【００２６】本発明のレジスト処理方法においては、
（ｂ）工程における第一照射（機能水滴下前）は波長１
７２±１０ｎｍの真空紫外光を使うものであり、具体的
には、キセノンガスを封入させた波長１７２ｎｍの光、
アルゴンガスと塩素ガスを封入させた波長１７５ｎｍの
光を使うことができる。また、（ｄ）工程における第二
照射（機能水滴下後）は波長１９０〜３１０ｎｍの紫外
光を使うものであり、具体的には、エキシマランプであ
って、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）を封入させた波
長１９１ｎｍの光、アルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）を
封入させた波長１９３ｎｍの光、クリプトン（Ｋｒ）と
臭素（Ｉ）を封入させた波長２０７ｎｍの光、クリプト
ン（Ｋｒ）と塩素（ＣＬ）を封入させた波長２２２ｎｍ
の光を使うことができ、さらに、エキシマランプではな
く、波長２５４ｎｍの光を放射する低圧水銀ランプや波
長３０８ｎｍの光を放射する水銀ランプを使うこともで
き、さらには、ＡｒＦレーザやＫｒＦレーザを使うこと
もできる。
（ｂ）工程における第一照射（機能水滴下前）は波長１
７２±１０ｎｍの真空紫外光を使うものであり、具体的
には、キセノンガスを封入させた波長１７２ｎｍの光、
アルゴンガスと塩素ガスを封入させた波長１７５ｎｍの
光を使うことができる。また、（ｄ）工程における第二
照射（機能水滴下後）は波長１９０〜３１０ｎｍの紫外
光を使うものであり、具体的には、エキシマランプであ
って、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）を封入させた波
長１９１ｎｍの光、アルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）を
封入させた波長１９３ｎｍの光、クリプトン（Ｋｒ）と
臭素（Ｉ）を封入させた波長２０７ｎｍの光、クリプト
ン（Ｋｒ）と塩素（ＣＬ）を封入させた波長２２２ｎｍ
の光を使うことができ、さらに、エキシマランプではな
く、波長２５４ｎｍの光を放射する低圧水銀ランプや波
長３０８ｎｍの光を放射する水銀ランプを使うこともで
き、さらには、ＡｒＦレーザやＫｒＦレーザを使うこと
もできる。
【００２７】図４は、本発明に係るレジスト処理装置の
他の実施例を示す。本実施例では、機能水供給前の第１
照射と、機能水を供給させた後の第２照射を別々の照射
装置において行い、さらに、第２照射装置の数が第１照
射装置の数より多いことを特徴とする。これは、第２照
射装置で要する処理時間は、第１照射装置で要する時間
の２〜３倍の時間を要するからであり、その理由は、第
２照射装置における処理プロセスは、機能水の滴下やそ
れに伴う供給ノズルの出し入れに要するからである。従
って、第１照射装置で処理を終えた処理基板は、複数個
設けられた第２照射装置のいずれかによって処理ができ
るため、当該処理基板が処理待ちに陥るという問題を解
消できる。
他の実施例を示す。本実施例では、機能水供給前の第１
照射と、機能水を供給させた後の第２照射を別々の照射
装置において行い、さらに、第２照射装置の数が第１照
射装置の数より多いことを特徴とする。これは、第２照
射装置で要する処理時間は、第１照射装置で要する時間
の２〜３倍の時間を要するからであり、その理由は、第
２照射装置における処理プロセスは、機能水の滴下やそ
れに伴う供給ノズルの出し入れに要するからである。従
って、第１照射装置で処理を終えた処理基板は、複数個
設けられた第２照射装置のいずれかによって処理ができ
るため、当該処理基板が処理待ちに陥るという問題を解
消できる。
【００２８】この処理シーケンスを図に従って説明する
と、まず、処理基板Ｗ１が第１照射装置１０ａにセッテ
ィングされて第１照射（波長１７２ｎｍ）を受ける。次
に、照射処理を終えた基板Ｗ１は、第２照射装置１０ｂ
に搬送されて、ここで第２照射（波長２２２ｎｍ）を受
ける。一方、第１照射装置１０ａにおいては、基板Ｗ１
が排出されると、続けて、次の処理基板Ｗ２が搬入、セ
ッティングされる。ここで、第１照射装置１０ａにおけ
る処理時間ｔ１は、第２照射装置１０ｂにおける処理時
間ｔ２の半分以下であるため、第１照射装置１０ａにお
ける処理基板Ｗ２の処理は、第２照射装置１０ｂにおけ
る処理基板Ｗ１の処理よりも早く終えることになる。従
って、第１照射装置１０ａで処理を終えた処理基板Ｗ２
は、他の第２照射装置１０ｃに搬送され、ここで第２照
射処理を受けることとなる。このように、第２照射装置
の数を第１照射装置の数より多くすることで、両者の処
理スピードの違いを緩和させることができ、処理待ちと
いう状態を回避させることができる。
と、まず、処理基板Ｗ１が第１照射装置１０ａにセッテ
ィングされて第１照射（波長１７２ｎｍ）を受ける。次
に、照射処理を終えた基板Ｗ１は、第２照射装置１０ｂ
に搬送されて、ここで第２照射（波長２２２ｎｍ）を受
ける。一方、第１照射装置１０ａにおいては、基板Ｗ１
が排出されると、続けて、次の処理基板Ｗ２が搬入、セ
ッティングされる。ここで、第１照射装置１０ａにおけ
る処理時間ｔ１は、第２照射装置１０ｂにおける処理時
間ｔ２の半分以下であるため、第１照射装置１０ａにお
ける処理基板Ｗ２の処理は、第２照射装置１０ｂにおけ
る処理基板Ｗ１の処理よりも早く終えることになる。従
って、第１照射装置１０ａで処理を終えた処理基板Ｗ２
は、他の第２照射装置１０ｃに搬送され、ここで第２照
射処理を受けることとなる。このように、第２照射装置
の数を第１照射装置の数より多くすることで、両者の処
理スピードの違いを緩和させることができ、処理待ちと
いう状態を回避させることができる。
【００２９】なお、第２照射装置の数は２つに限らず、
それ以上の数を用意することもできる。また、第１照射
装置を複数個設けることもでき、この場合は、第２照射
装置はそれ以上の数を用意することができる。さらに、
各照射装置における処理がスムーズに行なわれるために
は、各々装置の処理を全体としてコントロールする制御
回路が設けられる。
それ以上の数を用意することもできる。また、第１照射
装置を複数個設けることもでき、この場合は、第２照射
装置はそれ以上の数を用意することができる。さらに、
各照射装置における処理がスムーズに行なわれるために
は、各々装置の処理を全体としてコントロールする制御
回路が設けられる。
【００３０】ここで、本発明のレジスト除去方法の効果
を表す実験について説明する。エッチング処理を終えた
8インチのウエハに対してレジスト除去の実験を行なっ
た。レジストは化学増幅型レジストであって、ウエハに
塗布されている。実験１は、本発明の処理プロセスであ
って、第１の照射（１７２±１０ｎｍの光）、及び第２
の照射（１９０〜３１０ｎｍの光）を行い、その後、オ
ゾン水を供給させてレジスト除去を行なった。実験２
は、比較用の処理プロセスであって、第１の照射（１７
２±１０ｎｍの光）、第２の照射（１９０〜３１０ｎｍ
の光）いずれの照射もすることなく、オゾン水のみでレ
ジスト除去を行なった。実験３は、比較用の処理プロセ
スであって、第２の照射と、その後、オゾン水を供給さ
せてレジスト除去を行なった。
を表す実験について説明する。エッチング処理を終えた
8インチのウエハに対してレジスト除去の実験を行なっ
た。レジストは化学増幅型レジストであって、ウエハに
塗布されている。実験１は、本発明の処理プロセスであ
って、第１の照射（１７２±１０ｎｍの光）、及び第２
の照射（１９０〜３１０ｎｍの光）を行い、その後、オ
ゾン水を供給させてレジスト除去を行なった。実験２
は、比較用の処理プロセスであって、第１の照射（１７
２±１０ｎｍの光）、第２の照射（１９０〜３１０ｎｍ
の光）いずれの照射もすることなく、オゾン水のみでレ
ジスト除去を行なった。実験３は、比較用の処理プロセ
スであって、第２の照射と、その後、オゾン水を供給さ
せてレジスト除去を行なった。
【００３１】実験１はレジストがほぼ１００％除去され
たのに対し、実験２は約５％のレジストしか除去されて
おらず、また、実験３は約６０％のレジストが除去され
た。この結果、本発明のレジスト処理方法のように、１
７２±１０ｎｍの第１の照射と、１９０〜３１０ｎｍの
第２照射を行なうことでレジストの除去効率が極めて高
いことが示される。
たのに対し、実験２は約５％のレジストしか除去されて
おらず、また、実験３は約６０％のレジストが除去され
た。この結果、本発明のレジスト処理方法のように、１
７２±１０ｎｍの第１の照射と、１９０〜３１０ｎｍの
第２照射を行なうことでレジストの除去効率が極めて高
いことが示される。
【００３２】なお、本発明のレジスト除去方法では、後
処理として薬剤の使用が不要になるという大きな利点を
有するが、これは薬剤の使用を積極的に排除するもので
はなく、場合によっては薬剤等の併用することが当然と
して可能である。また、弗酸処理を行なうことも可能で
あり、この場合は残存する酸化膜をより完璧に排除でき
るという効果を有する。
処理として薬剤の使用が不要になるという大きな利点を
有するが、これは薬剤の使用を積極的に排除するもので
はなく、場合によっては薬剤等の併用することが当然と
して可能である。また、弗酸処理を行なうことも可能で
あり、この場合は残存する酸化膜をより完璧に排除でき
るという効果を有する。
【００３３】以上、説明したように本発明のレジスト除
去方法は、従来の酸素プラズマによるアッシングに比べ
て、デバイスに対してダメージを与えるという問題が解
消するとともに、また、酸素プラズマ処理に続き、環境
的問題を誘発する薬剤処理を併用させる必要もない。つ
まり、プラズマによるアッシングが不要になるばかり
か、薬剤処理の不要になるという大きな利点を有する。
また、オゾン水やイオン水などの機能水のみを使う洗浄
（レジスト除去）処理に比べて、エキシマランプの照射
を伴うため洗浄能力は格段に高いものとなる。
去方法は、従来の酸素プラズマによるアッシングに比べ
て、デバイスに対してダメージを与えるという問題が解
消するとともに、また、酸素プラズマ処理に続き、環境
的問題を誘発する薬剤処理を併用させる必要もない。つ
まり、プラズマによるアッシングが不要になるばかり
か、薬剤処理の不要になるという大きな利点を有する。
また、オゾン水やイオン水などの機能水のみを使う洗浄
（レジスト除去）処理に比べて、エキシマランプの照射
を伴うため洗浄能力は格段に高いものとなる。
【図１】本発明のレジスト除去装置を示す。
【図２】本発明のレジスト除去方法を示す。
【図３】本発明に使うエキシマランプを示す。
【図４】本発明のレジスト除去装置の他の実施例を示
す。
す。
１０ レジスト除去装置
１１ 紫外線透過部材
２０ エキシマランプ
３１ ステージ
４１ 機能水供給ノズル
Ｗ 処理基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大竹 聖司
茨城県つくば市吾妻１−15−１ 大成ビル
106 株式会社つくばセミテクノロジー内
(72)発明者 菱沼 宣是
兵庫県姫路市別所町佐土1194番地 ウシオ
電機株式会社内
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA02 LA03
5F046 MA02 MA04
Claims (10)
- 【請求項１】レジストが塗布された基板に対して、波長
１７２±１０ｎｍの真空紫外光を照射させ、 このレジスト面に対して機能水を略均一に塗布させ、 この機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光
を照射させることを特徴とする機能水を使ったレジスト
除去方法。 - 【請求項２】前記レジスト面に対する前記機能水の塗布
は、前記基板を回転させながら当該レジスト面に対して
機能水を滴下させることを特徴とする請求項１の機能水
を使ったレジスト除去方法。 - 【請求項３】前記機能水は、オゾン水、アルカリイオン
水、酸性イオン水のいずれかであることを特徴とする請
求項１の機能水を使ったレジスト除去方法。 - 【請求項４】前記機能水に向かって紫外光を照射させる
工程は、波長２２２±１０ｎｍの紫外光を照射させるこ
とを特徴とする請求項１の機能水を使ったレジスト除去
方法。 - 【請求項５】前記波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、
および／または波長２２２±１０ｎｍの紫外光はエキシ
マランプによることを特徴とする請求項１の機能水を使
ったレジスト除去方法。 - 【請求項６】前記波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光、
および／または波長１９０〜３１０ｎｍの紫外光は、前
記基板を回転させながら照射することを特徴とする請求
項１の機能水を使ったレジスト除去方法。 - 【請求項７】装置本体内に処理室を有し、 この処理室は、レジストが塗布された基板を保持するス
テージと、このレジスト面に対して波長１７２±１０ｎ
ｍの真空紫外光を照射させるエキシマランプと、このレ
ジスト面に対して機能水を供給する機能水供給機構と、
このレジスト面に対して波長１９０〜３１０ｎｍの紫外
光を照射させる紫外光放射ランプとよりなることを特徴
とする機能水を使ったレジスト除去装置。 - 【請求項８】装置本体内に複数の処理室を有し、 第一の処理室には、レジストが塗布された基板を保持す
るステージと、このレジスト面に対して波長１７２±１
０ｎｍの真空紫外光を照射させるエキシマランプを有
し、 第二の処理室には、レジスト面に対して機能水を供給す
る機能水供給機構と、このレジスト面に対して波長１９
０〜３１０ｎｍの紫外光を照射させる紫外光放射ランプ
を有することを特徴とする機能水を使ったレジスト除去
装置。 - 【請求項９】前記第二の処理室は複数個設けられること
を特徴とする請求項７の機能水を使ったレジスト除去装
置。 - 【請求項１０】エッチング時に生じる副生成物を有する
基板に対して、波長１７２±１０ｎｍの真空紫外光を照
射させて、 その後、当該副生成物を有する面に対して機能水を略均
一に塗布させて、 その後、当該機能水に向かって波長１９０〜３１０ｎｍ
の紫外光を照射させることを特徴とする機能水を使った
副生成物の除去方法。
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