JPH04199620A - 半導体基板の湿式処理法及びその装置 - Google Patents
半導体基板の湿式処理法及びその装置Info
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- JPH04199620A JPH04199620A JP33171090A JP33171090A JPH04199620A JP H04199620 A JPH04199620 A JP H04199620A JP 33171090 A JP33171090 A JP 33171090A JP 33171090 A JP33171090 A JP 33171090A JP H04199620 A JPH04199620 A JP H04199620A
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体基板の洗浄、エツチング、陽極酸化、
メツキ、ホトレジストの現像などの湿式処理法及びその
装置に関する。
メツキ、ホトレジストの現像などの湿式処理法及びその
装置に関する。
［発明の概要］
半導体基板の湿式処理後の引き上げ乾燥時の保持具を処
理液中と処理液外に占有化して設置し、保持具を持ち替
えながら引き上げ乾燥することにより半導体基板と保持
具の接触部を処理液中から処理液外に比さない事により
基板表面への処理液の付着を防止し残置、パーティクル
を減少させる乾燥方式を用いたことを特徴とする湿式処
理法を具現化する装置 ［従来の技術］ 半導体基板の湿式処理の乾燥法としては、加熱法により
処理液を蒸発させる方法、回転法即ち半導体基板を回転
させ遠心力により処理液を除去する方法や、半導体基板
を処理液中から除々に引き上げながら表面張力を利用し
乾燥させる引き上げ法などがある。
理液中と処理液外に占有化して設置し、保持具を持ち替
えながら引き上げ乾燥することにより半導体基板と保持
具の接触部を処理液中から処理液外に比さない事により
基板表面への処理液の付着を防止し残置、パーティクル
を減少させる乾燥方式を用いたことを特徴とする湿式処
理法を具現化する装置 ［従来の技術］ 半導体基板の湿式処理の乾燥法としては、加熱法により
処理液を蒸発させる方法、回転法即ち半導体基板を回転
させ遠心力により処理液を除去する方法や、半導体基板
を処理液中から除々に引き上げながら表面張力を利用し
乾燥させる引き上げ法などがある。
［発明が解決しようとする課題］
これら従来の方法とその装置は各々に特徴を有するもの
であるが、他方に於て解決しなければならない問題点が
存在する。
であるが、他方に於て解決しなければならない問題点が
存在する。
加熱法は装置的には単純であるが、処理液蒸発後の残清
か残ったり、基板を加熱するため表面に変化を生じる場
合がある。回転法に於ては短時間に多量の基板を残漬な
どを生じる事なく処理できるが回転時に発生する静１！
気による基板表面へのダメージ、パーティクルの吸着な
どが問題となる。
か残ったり、基板を加熱するため表面に変化を生じる場
合がある。回転法に於ては短時間に多量の基板を残漬な
どを生じる事なく処理できるが回転時に発生する静１！
気による基板表面へのダメージ、パーティクルの吸着な
どが問題となる。
また、引き上げ法に於ては、加熱法、回転法で生ずる問
題はある程度解決されるが、表面張力と万有引力による
基板表面から処理液の除去であるため保持具と半導体基
板の接触部分に処理液が残り易く残渣の発生やパーティ
クルの付着等を生じる欠点がある。
題はある程度解決されるが、表面張力と万有引力による
基板表面から処理液の除去であるため保持具と半導体基
板の接触部分に処理液が残り易く残渣の発生やパーティ
クルの付着等を生じる欠点がある。
従って、本発明は上記の諸点に鑑み、引き上げ乾燥法の
変形により、構造的に簡単であってパーティクルの付着
や処理液の残漬を生じる事なく半導体基板の乾燥を行う
方式を用いた半導体基板の湿式処理方法及びその装置を
提供することを主たる目的とする。
変形により、構造的に簡単であってパーティクルの付着
や処理液の残漬を生じる事なく半導体基板の乾燥を行う
方式を用いた半導体基板の湿式処理方法及びその装置を
提供することを主たる目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば半導体基板の湿式処理後の引き上げ乾燥
時の保持具を処理液中と処理液外に占有化して設置し、
保持具を持ち替えながら引き上げ乾燥することにより半
導体基板と保持具の接触部を処理液中から処理液外に出
さない事により基板表面への処理液の付着を防止し残漬
、パーティクルを減少させる乾燥方式を用いたことを特
徴とする湿式処理法を具現化する装置が与えられる。
時の保持具を処理液中と処理液外に占有化して設置し、
保持具を持ち替えながら引き上げ乾燥することにより半
導体基板と保持具の接触部を処理液中から処理液外に出
さない事により基板表面への処理液の付着を防止し残漬
、パーティクルを減少させる乾燥方式を用いたことを特
徴とする湿式処理法を具現化する装置が与えられる。
［作用コ
本発明の上記の構成によれば半導体基板と保持具の接触
部を処理液中から処理液外に出さない事により基板表面
への処理液の付着を防止し残漬、パーティクルを減少さ
せる。
部を処理液中から処理液外に出さない事により基板表面
への処理液の付着を防止し残漬、パーティクルを減少さ
せる。
［実施例〕
本発明の実施例を図面を以って説明する。
第１図には、半導体基板の水洗後の引き上げ乾燥する場
合の好適な実施例の一例を模式的に説明する為の説明図
が示される。
合の好適な実施例の一例を模式的に説明する為の説明図
が示される。
第１図ａに於て、水洗槽１は液中の保持具４と液外の保
持具５を設置し、保持具４により半導体基板３を保持し
ながら水洗を行う。さらに水洗後筒２図のように引き上
げ乾燥を開始し保持具４により半導体基板３をゆっくり
と液中より上昇させながら乾燥させる。次に第３図のよ
うに保持具５の位置まで半導体基板３の乾燥の終了した
部分を液外の保持具５により保持する。その後第４図の
ように保持具４から保持具５に持ち変えをして保持具４
は液中で停止させ保持具５によりゆっくりと引き上げ乾
燥を継続し半導体基板３を液中より引き上げて、乾燥を
終了する。以上の様な実施例は、１枚処理でも多数枚処
理でも可能であり、保持方法により引き上げ角度を変更
してもよい、また液の種類により引き上げ速度の変更も
可能となる。
持具５を設置し、保持具４により半導体基板３を保持し
ながら水洗を行う。さらに水洗後筒２図のように引き上
げ乾燥を開始し保持具４により半導体基板３をゆっくり
と液中より上昇させながら乾燥させる。次に第３図のよ
うに保持具５の位置まで半導体基板３の乾燥の終了した
部分を液外の保持具５により保持する。その後第４図の
ように保持具４から保持具５に持ち変えをして保持具４
は液中で停止させ保持具５によりゆっくりと引き上げ乾
燥を継続し半導体基板３を液中より引き上げて、乾燥を
終了する。以上の様な実施例は、１枚処理でも多数枚処
理でも可能であり、保持方法により引き上げ角度を変更
してもよい、また液の種類により引き上げ速度の変更も
可能となる。
［発明の効果］
本発明は、以上説明したように、処理液中の保持具と処
理液外の保持具を持ち替えながら引き上げ乾燥すること
により処理液が残り易い液中から液外へ出る際の半導体
基板と液体中の保持具との接触部分をなくしているため
、乾燥時の局所的な液残りを防止でき、残漬やパーティ
クルの発生を防ぐ効果がある。
理液外の保持具を持ち替えながら引き上げ乾燥すること
により処理液が残り易い液中から液外へ出る際の半導体
基板と液体中の保持具との接触部分をなくしているため
、乾燥時の局所的な液残りを防止でき、残漬やパーティ
クルの発生を防ぐ効果がある。
第１図〜第４図は、本発明の詳細な説明するための実施
例を示す工程図である。 １・・・洗浄槽想 ２・・・処理液 ３・・・半導体基板 ４・・・処理液内の保持具 ５・・・処理液外の保持具 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）某ＩＩ逸 詰、Ｐ・コ ′８３（１） Ｊ４昭
例を示す工程図である。 １・・・洗浄槽想 ２・・・処理液 ３・・・半導体基板 ４・・・処理液内の保持具 ５・・・処理液外の保持具 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）某ＩＩ逸 詰、Ｐ・コ ′８３（１） Ｊ４昭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の湿式処理後の表面の引き上げ 乾燥工程において、引き上げ保持具を処理液中と処理液
外に別々に設置し、持ち替えながら引き上げ乾燥を行う
事を特徴とする半導体基板の湿式処理法及びその装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33171090A JPH04199620A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33171090A JPH04199620A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199620A true JPH04199620A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18246726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33171090A Pending JPH04199620A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体基板の湿式処理法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5727578A (en) * | 1993-07-16 | 1998-03-17 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment and drying of semiconductor wafers in a fluid |
| KR100872995B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2008-12-09 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33171090A patent/JPH04199620A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5727578A (en) * | 1993-07-16 | 1998-03-17 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment and drying of semiconductor wafers in a fluid |
| US5776296A (en) * | 1993-07-16 | 1998-07-07 | Legacy Systems, Inc. | Apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| KR100872995B1 (ko) * | 2007-09-07 | 2008-12-09 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
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