JPH01111338A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
洗浄方法及び洗浄装置Info
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- JPH01111338A JPH01111338A JP26991887A JP26991887A JPH01111338A JP H01111338 A JPH01111338 A JP H01111338A JP 26991887 A JP26991887 A JP 26991887A JP 26991887 A JP26991887 A JP 26991887A JP H01111338 A JPH01111338 A JP H01111338A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 68
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 11
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 8
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N tetrahydropyrrole Substances C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、洗浄方法及び洗浄装置に関し、特に、静電気
を帯びやすい物質から成る被洗浄物の洗浄に適用して好
適な洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
を帯びやすい物質から成る被洗浄物の洗浄に適用して好
適な洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
第1の発明による洗浄方法では、被洗浄物をアルコール
と純水とを交互に用いて繰り返し洗浄するようにしてい
る。これによって、静電気により被洗浄物に付着してい
る微細なダストを効果的に除去することができる。
と純水とを交互に用いて繰り返し洗浄するようにしてい
る。これによって、静電気により被洗浄物に付着してい
る微細なダストを効果的に除去することができる。
第2の発明による洗浄装置では、被洗浄物を有機洗浄剤
を用いて洗浄する洗浄装置において、上記被洗浄物に上
記有機洗浄剤を散布する手段と、上記被洗浄物の支持手
段とを有し、上記支持手段がエアモーターで回転される
。これによって、洗浄に有機洗浄剤を用いた場合に、こ
の有機洗浄剤に引火して爆発が生じるのを防止すること
ができる。
を用いて洗浄する洗浄装置において、上記被洗浄物に上
記有機洗浄剤を散布する手段と、上記被洗浄物の支持手
段とを有し、上記支持手段がエアモーターで回転される
。これによって、洗浄に有機洗浄剤を用いた場合に、こ
の有機洗浄剤に引火して爆発が生じるのを防止すること
ができる。
半導体集積回路の製造工程においては、半導体ウェーハ
を収納するためにウェーハキャリアが用いられる。この
うち、エツチング等のウエットプロセスでは、主として
テフロン製ウェーハキャリアが用いられている。
を収納するためにウェーハキャリアが用いられる。この
うち、エツチング等のウエットプロセスでは、主として
テフロン製ウェーハキャリアが用いられている。
従来、このテフロン製ウェーハキャリアの洗浄方法とし
ては、ブラシ洗浄、高圧ジェット洗浄、酸・アルカリ浸
漬洗浄、低圧スプレー洗浄等が用いられている。このう
ち、高圧ジェット洗浄では、n−メチル−2−ピロリデ
イン(NMP)と純水とを順次用いて洗浄を行い、低圧
スプレー洗浄では、例えばパラノニルフェニルポリエチ
レングリコールのような界面活性剤と純水との混合液を
用いて洗浄を行い、その他の方法では、硫酸及び過酸化
水素の水溶液と純水とを順次用いて洗浄を行う。
ては、ブラシ洗浄、高圧ジェット洗浄、酸・アルカリ浸
漬洗浄、低圧スプレー洗浄等が用いられている。このう
ち、高圧ジェット洗浄では、n−メチル−2−ピロリデ
イン(NMP)と純水とを順次用いて洗浄を行い、低圧
スプレー洗浄では、例えばパラノニルフェニルポリエチ
レングリコールのような界面活性剤と純水との混合液を
用いて洗浄を行い、その他の方法では、硫酸及び過酸化
水素の水溶液と純水とを順次用いて洗浄を行う。
しかしながら、本発明者の検討によれば、上述の従来の
洗浄方法は、比較的大きなダストや汚れを除去すること
はできるが、キャリアに存在する静電気により吸着して
いるダストの除去効果はほとんどなく、むしろ逆にキャ
リアに静電気が発生してダストの微粒子が付着してしま
う。このため、このテフロン製ウェーハキャリアを用い
て半導体ウェーハにウェットプロセス処理等を施した場
合に、半導体ウェーハにダストが付着してしまい、この
半導体ウェーハを用いて製造される半導体集積回路等の
歩留まり低下を招いていた。
洗浄方法は、比較的大きなダストや汚れを除去すること
はできるが、キャリアに存在する静電気により吸着して
いるダストの除去効果はほとんどなく、むしろ逆にキャ
リアに静電気が発生してダストの微粒子が付着してしま
う。このため、このテフロン製ウェーハキャリアを用い
て半導体ウェーハにウェットプロセス処理等を施した場
合に、半導体ウェーハにダストが付着してしまい、この
半導体ウェーハを用いて製造される半導体集積回路等の
歩留まり低下を招いていた。
従って、本発明の第1の目的は、静電気により被洗浄物
に付着している微細なダストを効果的に除去することの
できる洗浄方法を提供することにある。
に付着している微細なダストを効果的に除去することの
できる洗浄方法を提供することにある。
本発明の第2の目的は、洗浄にアルコールのような有機
洗浄剤を用いた場合に、この有機洗浄剤に引火して爆発
が生じるのを防止することのできる洗浄装置を提供する
ことにある。
洗浄剤を用いた場合に、この有機洗浄剤に引火して爆発
が生じるのを防止することのできる洗浄装置を提供する
ことにある。
本発明者は、従来技術が有する上述の問題を解決すべく
鋭意検討を行った結果、次のような結論に達した。
鋭意検討を行った結果、次のような結論に達した。
テフロン等の高分子物質はその物質固有の静電気を有し
ており、その静電気による吸着力により微細なダストを
吸着する。吸着された微細ダストは、静電気による吸着
力により、自然の状態では遊離拡散することはないが、
例えばエツチングに用いられるフッ酸等の電解溶液中で
はその物質の静電気が減少するため、吸着された微細ダ
ストは遊離し、この電解溶液中に拡散する。その結果、
半導体ウェーハにダストが付着すると考えられる。
ており、その静電気による吸着力により微細なダストを
吸着する。吸着された微細ダストは、静電気による吸着
力により、自然の状態では遊離拡散することはないが、
例えばエツチングに用いられるフッ酸等の電解溶液中で
はその物質の静電気が減少するため、吸着された微細ダ
ストは遊離し、この電解溶液中に拡散する。その結果、
半導体ウェーハにダストが付着すると考えられる。
従って、テフロンキャリア等の洗浄は、この静電気を減
少させながら行うのが最も効果的である。
少させながら行うのが最も効果的である。
本発明者の検討によれば、この静電気を減少させるため
には、除電作用及び親水性置換作用を有するアルコール
を洗浄剤として用いるのが最適である。一方、このアル
コールのような有機洗浄剤を用いる場合には、引火によ
る爆発を未然に防止するための対策を洗浄装置に講する
ことが必要となる。
には、除電作用及び親水性置換作用を有するアルコール
を洗浄剤として用いるのが最適である。一方、このアル
コールのような有機洗浄剤を用いる場合には、引火によ
る爆発を未然に防止するための対策を洗浄装置に講する
ことが必要となる。
本発明は、以上の検討結果に基づいて案出されたもので
ある。
ある。
第1の発明による洗浄方法によれば、被洗浄物(例えば
ウェーハキャリア8)をアルコールと純水とを交互に用
いて繰り返し洗浄するようにしている。
ウェーハキャリア8)をアルコールと純水とを交互に用
いて繰り返し洗浄するようにしている。
第2の発明による洗浄装置によれば、被洗浄物(例えば
ウェーハキャリア8)を有機洗浄剤(例えばアルコール
18)を用いて洗浄する洗浄装置において、被洗浄物に
有機洗浄剤を散布する手段(例えばシャワーノズル6)
と、被洗浄物の支持手段(例えば回転板3及びキャリア
収納治具5)とを有し、この支持手段がエアモーター4
で回転される。
ウェーハキャリア8)を有機洗浄剤(例えばアルコール
18)を用いて洗浄する洗浄装置において、被洗浄物に
有機洗浄剤を散布する手段(例えばシャワーノズル6)
と、被洗浄物の支持手段(例えば回転板3及びキャリア
収納治具5)とを有し、この支持手段がエアモーター4
で回転される。
第1の発明の上記した手段によれば、アルコール洗浄に
よる除電作用及び親水性置換作用と、続いて行われる純
水による洗浄効果との相乗効果により、静電気により被
洗浄物に付着している微細なダストを効果的に除去する
ことができる。
よる除電作用及び親水性置換作用と、続いて行われる純
水による洗浄効果との相乗効果により、静電気により被
洗浄物に付着している微細なダストを効果的に除去する
ことができる。
第2の発明の上記した手段によれば、被洗浄物の洗浄に
有機洗浄剤を用いた場合に、被洗浄物の支持手段の回転
に用いるモーターの運転により有機洗浄剤に引火して爆
発が生じるのを防止することができる。
有機洗浄剤を用いた場合に、被洗浄物の支持手段の回転
に用いるモーターの運転により有機洗浄剤に引火して爆
発が生じるのを防止することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図に示すように、本実施例による洗浄装置において
は、筒状のチャンバー1、N2、回転板3、エアモータ
ー4、キャリア収納治具5、シャワーノズル6及び排気
ダクト7により本体が構成されている。
は、筒状のチャンバー1、N2、回転板3、エアモータ
ー4、キャリア収納治具5、シャワーノズル6及び排気
ダクト7により本体が構成されている。
上記キャリア収納治具5内には、洗浄を°行うべき例え
ばテフロン製ウェーハキャリア8が収納されるようにな
っている。上記回転板3は、上記エアモーター4により
、その回転軸3aの回りに回転可能になっている。上記
M2は1.゛エアシリンダ9によって開閉可能になって
いる。また、上記排気ダクト7と上記チャンバー1との
間には、エアシリンダ10によって開閉可能に排気ダン
パ11が設けられている。
ばテフロン製ウェーハキャリア8が収納されるようにな
っている。上記回転板3は、上記エアモーター4により
、その回転軸3aの回りに回転可能になっている。上記
M2は1.゛エアシリンダ9によって開閉可能になって
いる。また、上記排気ダクト7と上記チャンバー1との
間には、エアシリンダ10によって開閉可能に排気ダン
パ11が設けられている。
符号12はドライエアー供給用の配管である。
この配管12は、上記エアシリンダ9、lO及びエアモ
ーター−4に接続されている。また、この配管12は、
チャンバー1への導入配管13を介してシャワーノズル
6に接続されている。なお、この導入配管13に至る上
記配管12の途中にはフィルター14が設けられ、この
フィルター14によりダスト等が濾過された清浄なドラ
イエアが上記シャワーノズル6に供給されるようになっ
ている。また、エアモーター4に至る配管12の途中に
はニアコントローラー15が設けられ、このニアコント
ローラー15により、エアモーター4へのエアの供給が
制御されるようになっている。
ーター−4に接続されている。また、この配管12は、
チャンバー1への導入配管13を介してシャワーノズル
6に接続されている。なお、この導入配管13に至る上
記配管12の途中にはフィルター14が設けられ、この
フィルター14によりダスト等が濾過された清浄なドラ
イエアが上記シャワーノズル6に供給されるようになっ
ている。また、エアモーター4に至る配管12の途中に
はニアコントローラー15が設けられ、このニアコント
ローラー15により、エアモーター4へのエアの供給が
制御されるようになっている。
また、上記導入配管13には純水供給用の配管16が接
続され、これらの配管16及び導入配管13を介して上
記シャワーノズル6に純水を供給することができるよう
になっている。
続され、これらの配管16及び導入配管13を介して上
記シャワーノズル6に純水を供給することができるよう
になっている。
符号17は、例えばIPA(イソプロピルアルコール)
のようなアルコール18を収納したアルコールボトルで
ある。このアルコールボトル17には、窒素(N、)ガ
ス供給用の配管19により、この配管19の途中に設け
られたフィルター20により濾過された清浄なN!ガス
が供給されるようになっている。そして、このN2ガス
の圧力により、アルコールボトル17内のアルコール1
8を配管21を通じてアルコール回収タンク22内に回
収することができるようになっている。なお、上記アル
コールボトル17の空表示はセンサー23により行われ
る。
のようなアルコール18を収納したアルコールボトルで
ある。このアルコールボトル17には、窒素(N、)ガ
ス供給用の配管19により、この配管19の途中に設け
られたフィルター20により濾過された清浄なN!ガス
が供給されるようになっている。そして、このN2ガス
の圧力により、アルコールボトル17内のアルコール1
8を配管21を通じてアルコール回収タンク22内に回
収することができるようになっている。なお、上記アル
コールボトル17の空表示はセンサー23により行われ
る。
上記アルコール回収タンク18内に回収されたアルコー
ル18は、管24を通じてエアポンプ25により配管2
6に供給される。この配管26に供給されたアルコール
18は、この配管26に設けられたフィルター27によ
り濾過された後、導入配管13を介してシャワーノズル
6に供給されるようになっている。なお、上記エアポン
プ25にはドライエア供給用の配管12が接続され、こ
の配管12から供給されるエアにより作動するようにな
っている。また、上記アルコール回収タンク22には、
アルコール18の液面を感知し、この液面の位置をあら
かじめ設定された上限及び下限内に保つためのセンサー
28.29が設けられている。なお、上記アルコール回
収タンク22内は、図示省略したポンプにより排気され
るようになっている。さらに、このアルコール回収タン
ク18内のアルコール18はドレンに流すことができる
ようになっている。
ル18は、管24を通じてエアポンプ25により配管2
6に供給される。この配管26に供給されたアルコール
18は、この配管26に設けられたフィルター27によ
り濾過された後、導入配管13を介してシャワーノズル
6に供給されるようになっている。なお、上記エアポン
プ25にはドライエア供給用の配管12が接続され、こ
の配管12から供給されるエアにより作動するようにな
っている。また、上記アルコール回収タンク22には、
アルコール18の液面を感知し、この液面の位置をあら
かじめ設定された上限及び下限内に保つためのセンサー
28.29が設けられている。なお、上記アルコール回
収タンク22内は、図示省略したポンプにより排気され
るようになっている。さらに、このアルコール回収タン
ク18内のアルコール18はドレンに流すことができる
ようになっている。
上記チャンバー1の底部は、配管30により上記アルコ
ール回収タンク22の上部に接続され、このチャンバー
1の底部に溜まったアルコール18を上記アルコール回
収タンク22内に回収することができるようになってい
る。このアルコール回収タンク22内のアルコール18
はドレンに流すことができるようになっている。さらに
、この配管30は、配管31により上記配管26に接続
されている。
ール回収タンク22の上部に接続され、このチャンバー
1の底部に溜まったアルコール18を上記アルコール回
収タンク22内に回収することができるようになってい
る。このアルコール回収タンク22内のアルコール18
はドレンに流すことができるようになっている。さらに
、この配管30は、配管31により上記配管26に接続
されている。
なお、符号v1〜■、は電磁弁、符号■。〜V目はエア
弁、符号V12 〜v0はレギュレーター弁、符号Va
tはエアで作動する三方弁である。
弁、符号V12 〜v0はレギュレーター弁、符号Va
tはエアで作動する三方弁である。
次に、上述のように構成された本実施例による洗浄装置
によりウェーハキャリアを洗浄する方法について説明す
る。
によりウェーハキャリアを洗浄する方法について説明す
る。
通常、ウェーハキャリアを洗浄する前にチャンバー1、
回転板3、キャリア収納治具5等の洗浄(自己洗浄)を
まず行うので、最初にこれについて説明する。
回転板3、キャリア収納治具5等の洗浄(自己洗浄)を
まず行うので、最初にこれについて説明する。
第1図において、まずキャリア収納治具5にウェーハキ
ャリア8を収納しない状態でチャンバー1のM2を閉め
、エアモーター4を回転させる。
ャリア8を収納しない状態でチャンバー1のM2を閉め
、エアモーター4を回転させる。
このエアモーター4の回転により、回転板3とともにキ
ャリア収納治具5が回転する。次に、排気ダンパ11を
閉め、回転板3の回転数が設定回転数に達したら、シャ
ワーノズル6よりアルコールと純水とをチャンバー1内
に交互に散布(または噴霧)する。設定時間終了後、排
気ダンパ11を開け、フィルター14により濾過された
ドライエアーの噴霧で乾燥を行う。その後、回転Fi、
3の回転が停止して自己洗浄が終了する。なお、アルコ
ール、純水及びドライエアーの切り換えはエア弁■、〜
VIOの切り換えにより行う。また、アルコール噴霧時
′は、三方弁v、7の切り換えにより、チャンバー1の
底部に溜まったアルコールをアルコール回収タンク22
内に回収する。
ャリア収納治具5が回転する。次に、排気ダンパ11を
閉め、回転板3の回転数が設定回転数に達したら、シャ
ワーノズル6よりアルコールと純水とをチャンバー1内
に交互に散布(または噴霧)する。設定時間終了後、排
気ダンパ11を開け、フィルター14により濾過された
ドライエアーの噴霧で乾燥を行う。その後、回転Fi、
3の回転が停止して自己洗浄が終了する。なお、アルコ
ール、純水及びドライエアーの切り換えはエア弁■、〜
VIOの切り換えにより行う。また、アルコール噴霧時
′は、三方弁v、7の切り換えにより、チャンバー1の
底部に溜まったアルコールをアルコール回収タンク22
内に回収する。
次に、ウェーハキャリアの洗浄方法について説明する。
まず、チャンバー1のM2を開け、キャリア収納治具5
内にウェーハキャリア8を収納した後、M2を閉める。
内にウェーハキャリア8を収納した後、M2を閉める。
次に、排気ダンパ11を閉め、エアモーター4により回
転板3を回転させ、この回転板3の回転数が設定回転数
に達したら、シャワーノズル6よりアルコールと純水と
を交互に噴霧し、これを繰り返し行うことにより、回転
による噴霧粒との衝突及び遠心力の作用でウェーハキャ
リア8の洗浄を行う。設定時間終了後、排気ダンパ11
を開け、シャワーノズル6よりドライエアーを吹き出し
、遠心力及びドライエアーの作用により速やかに乾燥を
行う。これによって、ウェーハキャリア8の洗浄が終了
する。
転板3を回転させ、この回転板3の回転数が設定回転数
に達したら、シャワーノズル6よりアルコールと純水と
を交互に噴霧し、これを繰り返し行うことにより、回転
による噴霧粒との衝突及び遠心力の作用でウェーハキャ
リア8の洗浄を行う。設定時間終了後、排気ダンパ11
を開け、シャワーノズル6よりドライエアーを吹き出し
、遠心力及びドライエアーの作用により速やかに乾燥を
行う。これによって、ウェーハキャリア8の洗浄が終了
する。
なお、アルコール回収タンク22内のアルコール18の
液面がセンサー29の位置、すなわち下限の位置になっ
たら、液面が上限の位置にくるまでアルコールボトル1
7よりアルコール回収タンク22内にアルコール18を
移送してその減少量を補う。
液面がセンサー29の位置、すなわち下限の位置になっ
たら、液面が上限の位置にくるまでアルコールボトル1
7よりアルコール回収タンク22内にアルコール18を
移送してその減少量を補う。
表1は、本実施例による洗浄方法の効果を従来の洗浄方
法の効果と比較するための実験データである。
法の効果と比較するための実験データである。
表1
注)HsH側、C:中心、U:U側
この実験は、洗浄後のウェーハキャリア8のH形状を有
する一方の側面側、中心及びU形状を有する他方の側面
側の3か所にダストが付着していないクリーンなシリコ
ンウェー八をそれぞれ置き、このウェーハキャリア8を
半導体製造ラインにおいてエツチング液へのディッピン
グ、純水による流水洗浄及びスピンドライヤーによる乾
燥を行った後、シリコンウェー八表面に付着したダスト
数を調べることにより行った。
する一方の側面側、中心及びU形状を有する他方の側面
側の3か所にダストが付着していないクリーンなシリコ
ンウェー八をそれぞれ置き、このウェーハキャリア8を
半導体製造ラインにおいてエツチング液へのディッピン
グ、純水による流水洗浄及びスピンドライヤーによる乾
燥を行った後、シリコンウェー八表面に付着したダスト
数を調べることにより行った。
表1に示すように、従来のブラシ洗浄及び低圧スプレー
洗浄では1回の洗浄及び2回の洗浄のいずれの場合でも
0.5μm以上のダスト数は15〜205個と多いばか
りではなく、2回洗浄によってかえってダスト数が増え
ることもあることがわかる。これに対して、本実施例に
よる洗浄方法では、1回の洗浄ではダスト数が低減しな
いものの、2回の洗浄により0.5μm以上のダスト数
が3〜8個に激減しており、洗浄が極めて効果的に行わ
れたことがわかる。
洗浄では1回の洗浄及び2回の洗浄のいずれの場合でも
0.5μm以上のダスト数は15〜205個と多いばか
りではなく、2回洗浄によってかえってダスト数が増え
ることもあることがわかる。これに対して、本実施例に
よる洗浄方法では、1回の洗浄ではダスト数が低減しな
いものの、2回の洗浄により0.5μm以上のダスト数
が3〜8個に激減しており、洗浄が極めて効果的に行わ
れたことがわかる。
このように、本実施例による洗浄方法によれば、アルコ
ールと純水とを交互に用いて繰り返し洗浄を行っている
ので、静電気によりウェーハキャリア8の表面に付着し
た微粒子を効果的に除去することができ、ウェーハキャ
リア8の清浄化を行うことができる。これによって、ウ
ェットプロセス等においてこのウェーハキャリア8に収
納される半導体ウェーハ(図示せず)に付着するダスト
数を低減することができ、従ってこの半導体ウェーハを
用いて製造される半導体集積回路やC0D(電荷結合素
子)の歩留まりの向上を図ることができる。
ールと純水とを交互に用いて繰り返し洗浄を行っている
ので、静電気によりウェーハキャリア8の表面に付着し
た微粒子を効果的に除去することができ、ウェーハキャ
リア8の清浄化を行うことができる。これによって、ウ
ェットプロセス等においてこのウェーハキャリア8に収
納される半導体ウェーハ(図示せず)に付着するダスト
数を低減することができ、従ってこの半導体ウェーハを
用いて製造される半導体集積回路やC0D(電荷結合素
子)の歩留まりの向上を図ることができる。
また、本実施例による洗浄装置によれば、キャリア収納
治具5及び回転板3を回転させるためのモーターとして
電気を用いないエアモーター4を用いており、さらに装
置本体周辺部の弁にはエア弁■9〜V目及びエア三方弁
Vlllを用いている。
治具5及び回転板3を回転させるためのモーターとして
電気を用いないエアモーター4を用いており、さらに装
置本体周辺部の弁にはエア弁■9〜V目及びエア三方弁
Vlllを用いている。
これによって、上述のように洗浄にアルコールのような
有機洗浄剤を用いた場合に、モーターや弁の作動により
アルコールに引火して爆発が生じるのを防止することが
できる。
有機洗浄剤を用いた場合に、モーターや弁の作動により
アルコールに引火して爆発が生じるのを防止することが
できる。
以上、本発明を実施例につき具体的に説明したが、本発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、洗浄回数は必要に応じて選定することができる
。また、上述の実施例においては、本発明をウェーハキ
ャリア8の洗浄に適用した場合について説明したが、本
発明は各種のテフロン製品はもとよりテフロン以外の材
料を用いた各種の被洗浄物に適用することができる。
。また、上述の実施例においては、本発明をウェーハキ
ャリア8の洗浄に適用した場合について説明したが、本
発明は各種のテフロン製品はもとよりテフロン以外の材
料を用いた各種の被洗浄物に適用することができる。
第1の発明による洗浄方法によれば、アルコールと純水
とを交互に用いて繰り返し洗浄を行っているので、静電
気により被洗浄物に付着している微粒子を効果的に除去
することができる。
とを交互に用いて繰り返し洗浄を行っているので、静電
気により被洗浄物に付着している微粒子を効果的に除去
することができる。
第2の発明による洗浄装置によれば、被洗浄物の支持手
段がエアモーターで回転されるので、洗浄に有機洗浄剤
を用いた場合に、この有機洗浄剤に引火して爆発が生じ
るのを防止することができる。
段がエアモーターで回転されるので、洗浄に有機洗浄剤
を用いた場合に、この有機洗浄剤に引火して爆発が生じ
るのを防止することができる。
第1図は、本発明の一実施例による洗浄装置を示すブロ
ック図である。 図面における主要な符号の説明 l:チャンバー、3−回転板、4;エアモーター、5:
キャリア収納治具、6:シャワーノズル、8:ウェーハ
キャリア、17:アルコールボトル、18:アルコール
、22:アルコール回収タンク。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知
ック図である。 図面における主要な符号の説明 l:チャンバー、3−回転板、4;エアモーター、5:
キャリア収納治具、6:シャワーノズル、8:ウェーハ
キャリア、17:アルコールボトル、18:アルコール
、22:アルコール回収タンク。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被洗浄物をアルコールと純水とを交互に用いて繰り
返し洗浄するようにしたことを特徴とする洗浄方法。 2、被洗浄物を有機洗浄剤を用いて洗浄する洗浄装置に
おいて、 上記被洗浄物に上記有機洗浄剤を散布する手段と、 上記被洗浄物の支持手段とを有し、 上記支持手段がエアモーターで回転されることを特徴と
する洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26991887A JPH01111338A (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26991887A JPH01111338A (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01111338A true JPH01111338A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17479029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26991887A Pending JPH01111338A (ja) | 1987-10-24 | 1987-10-24 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01111338A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04126578A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-27 | Japan Field Kk | 非水溶系の可燃性溶剤を用いた被洗浄物の洗浄方法および装置 |
EP0702397A2 (en) | 1992-06-15 | 1996-03-20 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
WO2000002672A1 (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Semitool, Inc. | Cleaning apparatus |
US6062239A (en) * | 1998-06-30 | 2000-05-16 | Semitool, Inc. | Cross flow centrifugal processor |
US6125863A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-03 | Semitool, Inc. | Offset rotor flat media processor |
US6830057B2 (en) | 2002-11-01 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Wafer container cleaning system |
US6904920B2 (en) | 1998-07-10 | 2005-06-14 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for cleaning containers |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61270833A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS6219300B2 (ja) * | 1980-02-28 | 1987-04-27 | Gutsudoiyaa Taiya Ando Rabaa Co Za | |
JPS62128125A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Canon Inc | ウエハ洗浄装置 |
-
1987
- 1987-10-24 JP JP26991887A patent/JPH01111338A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6219300B2 (ja) * | 1980-02-28 | 1987-04-27 | Gutsudoiyaa Taiya Ando Rabaa Co Za | |
JPS61270833A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62128125A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Canon Inc | ウエハ洗浄装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04126578A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-04-27 | Japan Field Kk | 非水溶系の可燃性溶剤を用いた被洗浄物の洗浄方法および装置 |
EP1191575A2 (en) * | 1992-06-15 | 2002-03-27 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
EP0702397A2 (en) | 1992-06-15 | 1996-03-20 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
US5562113A (en) * | 1992-06-15 | 1996-10-08 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
EP0776027A2 (en) * | 1992-06-15 | 1997-05-28 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
EP0776027A3 (en) * | 1992-06-15 | 1997-08-06 | Semitool Inc | Apparatus for centrifugal cleaning of wafer supports |
US5738128A (en) * | 1992-06-15 | 1998-04-14 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
US5972127A (en) * | 1992-06-15 | 1999-10-26 | Thompson; Raymon F. | Methods for centrifugally cleaning wafer carriers |
EP1191575A3 (en) * | 1992-06-15 | 2006-01-18 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
EP0702397B1 (en) * | 1992-06-15 | 2002-05-08 | Semitool, Inc. | Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus |
US6062239A (en) * | 1998-06-30 | 2000-05-16 | Semitool, Inc. | Cross flow centrifugal processor |
US6125863A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-03 | Semitool, Inc. | Offset rotor flat media processor |
US6432214B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Semitool, Inc. | Cleaning apparatus |
US6797076B1 (en) | 1998-07-10 | 2004-09-28 | Semitool, Inc. | Spray nozzle system for a semiconductor wafer container cleaning aparatus |
US6904920B2 (en) | 1998-07-10 | 2005-06-14 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for cleaning containers |
WO2000002672A1 (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Semitool, Inc. | Cleaning apparatus |
US6830057B2 (en) | 2002-11-01 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Wafer container cleaning system |
US7060138B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-06-13 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning wafer containers |
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