JPH11288909A - 複数枚1槽又は2槽式における自動洗浄方法 - Google Patents

複数枚1槽又は2槽式における自動洗浄方法

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JPH11288909A
JPH11288909A JP13731798A JP13731798A JPH11288909A JP H11288909 A JPH11288909 A JP H11288909A JP 13731798 A JP13731798 A JP 13731798A JP 13731798 A JP13731798 A JP 13731798A JP H11288909 A JPH11288909 A JP H11288909A
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JP
Japan
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wafers
clean
bath
gas
cleaning
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JP13731798A
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Sumio Hamaya
澄雄 浜谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体用ウエハが300ミリ、400ミリと
大口径化した時、ウエハをよりクリーンに洗浄できて、
又、洗浄装置そのものを極力小さくすると同時に量産工
場で十分に使用できる装置. 〔解決の手段〕 ウエハ複数枚を同時に薬液、水洗、乾
燥とワンチャンバーで処理できる.薬液の種類が多い
時、チャンバーを2槽にして課題を解決できた.

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】〔発明の属する技術分野〕 半導体の洗浄
装置においてウエハをよりクリーンに洗浄すると同時
に、装置そのものが小さくなる。又、複数枚処理によ
り、量産工場で使用できる。
【0002】〔従来の技術〕 ウエハをカセットの中に
入れて洗浄する方式、又、ウエハを端面チャックしたカ
セット式。1槽でワンカセットを収納して25枚処理す
る方式、及び枚葉式洗浄装置
【0003】〔発明が解決しようとする課題〕今後、ウ
エハが300ミリ、400ミリと大口径化になります.
装置をより小さく、ウエハをクリーンに洗浄して量産工
場で使用できる洗浄装置
【0004】〔課題を解決するための手段〕ウエハをよ
りクリーンに洗浄する方式として枚葉式がいちばん優れ
ています。しかし、量産工場で使用すると生産効率が下
がります。カセットレス式洗浄装置だとウエハを一度に
たくさん処理できるが装置そのものが大きくなります。
又、枚葉式に比べると洗浄効果が劣化します.ワンバス
式洗浄装置においては、装置は小さくなる、と同時に量
産工場に向いているが、超微細なデザイン・ルールにお
いて洗浄効果がよくありません。以上、各装置において
一長一短があります.これらの問題点をクリアしたの
が、今回発明した洗浄装置です。
【0005】〔作用〕槽のチャンバー内はクリーンN
ガス雰囲気です.まず下段でウエハ複数枚を等間隔で重
ねます.複数枚を同時にゆっくりと回転します.回転し
ている時、薬液をスプレー式にウエハの面に供給して薬
液処理、完了します。つぎに中段に移動して下段と同じ
方法で超純水で水洗します。完了後複数のウエハを同時
に90度回転して最初120℃のホットクリーンN
スをウエハ両面にブローします。終了後常温のクリーン
ガスをブローして、終了後クリーンNガスの雰囲
気内でIPAベーパをウエハの上面からブローして乾燥
終了です。薬液の種類が多い時、同じ方式で槽を2槽に
します。薬液処理の所でウエハに付着している重金属、
無機物、有機物等を除去します.水洗部分でよりクリー
ンな状態にします.乾燥部分は熱風の原理とIPAベー
パの原理を併用して乾燥します.
【0006】〔実施例〕枚葉式洗浄装置と比べた場合、
洗浄効果はほとんど同じであった.
【0007】〔発明の効果〕今回発明した洗浄方法は洗
浄装置そのものが小さくなる、と同時に洗浄効果の面で
もよりクリーンに洗浄できました。又、複数枚を同時処
理しますので量産工場でも十分に使用できます。
【図面の簡単な説明】
【図1】洗浄槽下段部のチャンバー内でウエハ収納
治具に入っている複数枚のウエハがあります. 回転機構の力でウエハ収納治具が回転します.回転
と同時に薬液供給スプレーノズルから薬液が出ます.
ある一定の薬液をスプレー式に流した後上下機構装置
で中段であらゆる超純水による水洗行程に移動します.
【符号の説明】
1 洗浄槽下段部のチャンバー 2 ウエハ収納治具 3 ウエハ 4 薬液供給スプレーノズル 5 回転機構及び上下機構装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1槽又は2槽式洗浄装置において、下段
    で、クリーンNガス雰囲気内でウエハを複数枚薬液処
    理します。中段で、クリーンNガス雰囲気内で超純水
    で水洗処理します。上段で、複数枚のウエハを水平から
    垂直にしてクリーンNガス雰囲気内で最初は120℃
    位のクリーンホットNガスをウエハ両面にブローしま
    す。その後、常温のクリーンNガスブローします。完
    了後、ウエハの上面からIPAベーパブローして乾燥し
    ます。この方式は、1槽でする方式と2槽でする方式の
    二種類とします。
JP13731798A 1998-03-31 1998-03-31 複数枚1槽又は2槽式における自動洗浄方法 Pending JPH11288909A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100423206C (zh) * 2003-07-02 2008-10-01 上海思恩电子技术有限公司 用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统
JP2009289777A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Sumco Corp シリコンウェーハ洗浄装置および方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100423206C (zh) * 2003-07-02 2008-10-01 上海思恩电子技术有限公司 用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统
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