CN100423206C - 用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明是通过使用加热化学气体而生成的雾状化学剂来进行基片清洗的一个系统，尤其适用于半导体硅片与平板显示器的清洗，而这种雾状化学剂则是由加热化学气体而产生的。这种不同的被加热的雾状化学剂，依不同的工艺程序经加压后，连续地进入处理容器内，这些微小的化学物质经加热加压后，渗透到复杂的基片表层上，形成一个有效的工业处理薄膜。该装置是由一种能拒腐于所有典型化学剂及气体的材料构成。它具有使雾状化学剂及气体不断循环以达到均匀处理内部基片的功能。由于基片工业处理容器的最小化设计而节约化学液与去离子水的消耗，同时成功实现最优化基片的清洁与祛污功能，同时增强基片化学工艺处理的均匀性和产量。

Description

用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统

技术领域

本发明是一个用化学方法处理基片的方法和系统，尤其适用于对半导体硅片和平板显示器(FPD)的清洗。

背景技术

自从半导体产业开始，湿处理技术已经开始运用了。它不仅用于祛除因先前的加工程序而造成的金属与非金属污染物，而且还能为下一工艺过程形成一个最优的基片表面状态。这一处理过程占据了整个VLSI(超大规模集成电路)生产过程的30％以上。因此不适当的清洗过程会给基片表面造成损害，电路故障，过量化学液和去离子水的消耗，从而给生产质量及产量造成了负面的影响。

当前最流行的化学湿处理剂仍然是基于美国RCA公司研制的标准清洁剂，主要为过氧化氢(H₂O₂)。包含有SC-1(氢氧化铵NH₄OH、过氧化氢H₂O₂和去离子水H₂O混合剂)和SC-2(氯化氢酸HCL、过氧化氢H₂O₂和去离子水H₂O混合剂)两种工艺。SC-1被用于除去轻有机颗粒，SC-2被用于除去金属颗粒。其中清洗剂需要加热至70℃-85℃之间(参见电子工业出版社于2004年10月01日出版发行的《芯片制造》一书第五章P81-82中所记载的在20世纪60年代中开发出的RCA湿法清洗工艺的介绍及于2006年12月出版发行的《半导体集成电路制造手册》一书第十八章P215记载的自20世纪70年代开发RCA清洗以来典型的RCA湿法清洗工艺)。其他流行的化学清洗方法就是SPM(硫酸H₂SO₄和过氧化氢H₂O₂)和SOM(硫酸H₂SO4和臭氧气体O₃)清洗方法。SPM和SOM方法两者都主要应用于除去重有机污染物。其他一些在被改进和可供选择的化学处理菜单正在被提出和运用。例如，人们用液体过氧化氢(H₂O₂)加入液体氟化氢(HF)来防止铜附着在硅片表面。用臭氧水(O₃-H₂O)来代替SPM和SOM清洗等等。

时下可普遍利用的清洗处理方法和设备包括多槽处理法(运用不同的化学液体处理槽)，单容器处理方法(不同的化学液体通过同一容器)，和离心喷雾处理法(在旋转槽内将不同的化学液体喷到基片上)。

在多槽处理法中，硅片和平板显示器被放置在一系列含有不同液体化学剂和去离子水的容器中进行腐蚀、清洗、冲淋。它主要的不足是使用了过于复杂的自动化控制装置及化学PH值和过滤控制系统。与其他的处理技术相比，它还消耗了更多的化学液、去离子水，同时具有很大的体积。在单容器清洗系统中，硅片和平板显示器被放在处理器中，不同的化学液和去离子水也相继流入容器。它具有一个较小的体积，但它仍然消耗大量的化学品和去离子水。在离心喷雾处理过程中，硅片和平板显示器被放入处理容器的同时，化学液和去离子水也相继喷射到基片上。尽管它也有较小的体积，但它却使用了较复杂的旋转机械装置与其控制系统。

其他湿处理技术也同样被用于清洗半导体硅片和平板显示器(FPD)，例如，使用高压(每平方英寸2000～3000英磅)化学处理剂清洗，用去离子水喷射，亲水纤维刷洗等。他们主要使用在CMP后工艺中和平板显示器的单基片清洗。高压液体喷射清洗法的不足在于会引起基片内部产生强应力，而洗涤清洗则会刮伤基片的表面，等等。

当半导体硅片和平板显示器(FPD)正向着大尺寸化发展时，这个行业的公司，科学家和工程师也越来越关心此项处理设备和技术的功能性能价值比(COO)。换句话说，他们越来越关心每个基片(基片或平板显示器)的制造成本。在湿处理领域，无论在任何一个功能性价比分析中，去离子水和液体化学剂都占了最大的消耗比重。英特尔公司的CORDON和ROBERT在他们的功能性价比(COO)分析报告中揭示出在直径为200毫米的硅片湿处理过程中去离子水成本最高(32％)，液体化学剂第三(16％)，基本设备成本占第二(23％)。减少去离子水和化学剂的消耗不仅有利于功能性价比(COO)，更重要的是有利于环境。

人们一直在寻找新的方法和技术力求在保证减少污染，增加产量的同时来减少功能性价比，当集成电路集成度日益增高的情况下，对颗粒污染要求也越来越高。所以使用更少化学剂的干燥清洗法(气态或气体)已被提议来代替特定的湿处理方法(如许多湿刻蚀已被等离子刻蚀代替)。但这样的清洗过程仅能祛除特定类型的污染物，但却从干处理过程中留下一些物质颗粒和金属污染物。这些方法由于使用的紫外线更加活跃，加速了等离子的活跃性引起了基片表面的损坏。并且干燥处理法不像湿处理清洗法在清洗过程中能祛除特定的物质颗粒，因为它不能使用特定的已配制好的化学清洗合成剂，原因是这些合成剂不能在它们的蒸汽和气体中存在(例如SC-1，NH₄OH+H₂O₂+H₂O)。因此，化学湿处理技术仍然会在今后的数十年中在这个行业中处于主导地位。

因此，市场上对能够生产出一种处理技术先进，并且成本费用低的一种新型的湿处理方法和系统有着强烈的需求。

发明内容

本发明便是为满足市场需要而设计的一种全新的湿处理方法和系统，它可以使化学剂和去离子水的消耗最小化，化学剂浪费最小化，并且它又是一个简单的设备装置。

这种方法和系统也将用于基片制造的许多程序中，就像雾化化学沉积(NCD)，雾化光胶镀层(NPC)，雾化化学电镀(NCP)等等。

将要清洗的基片被自动传送机(可以使用自动传送机，也可以使用人工传送和半自动传送)放入处理容器的承载篮里，这个承载篮会被自动传送进系统。然后由一个机械装置将盖部、底部和承载篮一起封闭起来。基于各个过程需要，一种已经预先控制好温度的惰性气体被称为氮气，首先流入处理容器内起着温度调节作用，然后各种不同的被加热和加压的雾状化学剂进入处理容器内循环作用。这些微型雾状化学剂因受到热量和压力作用便能穿过错综复杂的基片表层，然后在每个基片上形成一个有效的化学工艺处理薄膜。

这些化学剂在被雾化前都要被加热。一些高粘度的化学剂通过加热过程可以大大降低它的粘性，这样才容易被雾化。

在每次雾状化学剂处理后，接着就是具有兆声能量的去离子水的快速清洗和加热的氮气进行等温工艺步骤。而且清洗时间比起现在正在使用的湿处理技术来说短得多，它仅需要清洗基片上残余的很少的化学处理剂和容器内壁。

在经过所有规定程序后，最终需要具有兆声能量去离子水进行清洗。接下来一步就是在容器中加入被称作异丙基酒精(IPA)的雾化有机溶液，它是由加热的惰性气体氮气制成的。被加热的雾状异丙基酒精的表面张力比冷却时相比要小得多，比起去离子水的表面张力更小，同时它在使用时要比过热的异丙基酒精蒸汽要安全得多。被加压的雾状异丙基酒精会在去离子水表面形成一个化学工艺处理薄膜，并以它表面低张力的特性从基片上排去大部分水和残余物质。最后一个步骤就是用被加热的氮气干燥基片和处理容器。

然后，处理容器会被一个机械装置打开，干燥的基片也会被从承载篮里卸下来进入下一个处理工艺。

这个发明还包括一个雾化器的设计，它能以它集中和凝结化学剂的功能来产生优质的微型雾状化学剂。基于不同的处理工艺，不同的化学气体被雾化成不同比率的混合化学剂。当每平方英寸1-10英磅的较低压的化学剂遇到每平方英寸10-20英磅的较高压化学气体时，它们会被分解成小颗粒。这些小颗粒以高速度在感应壁上相互碰撞，然后被分解成小于10微米的更小的颗粒。相应的化学剂和气体的压力控制雾状化学剂的流动速度。雾化器的输出轨道被设计成垂直型长轨道，大多数浓缩化学剂由于比重又流回化学容器以便回收再利用。

这项发明的一个重要对象是在清洗基片时使用不同的化学气体雾化不同的液体化学剂。这个方法不仅能节约化学液和去离子水，还能给这个行业带来巨大的工艺灵活性。该项发明的具体过程包括：

使用加热的臭氧气体(O₃)雾化去离子水(H₂O)来祛除基片的常见颗粒和剥离光胶。

使用加热氟化氢(HF)气体雾化过氧化氢(H₂O₂)来防止各类颗粒粘附在基片上。

使用加热的氟化氢(HF)气体雾化去离子水(H₂O)来祛除金属性和氧化性的物质颗粒。

使用加热的带有正电极的氮气(N₂)气体雾化一种电镀化学溶液，从而使带负电的基片镀上所需的金属。

使用加热的氮气气体雾化加热的光胶来为基片镀层。

与此项发明相匹配的还有一个处理容器的设计。该处理器的材料是由一种能拒腐于所有化学剂及气体的物质制成的。雾状化学剂从边阀门(不在中心)沿着圆形内壁被放入处理容器内，目的是为了让雾状化学剂和气体能循环一致。处理容器由三部分组成，分别是顶盖，容器承载篮和底部。它们是在整个过程中保持不泄露一定压力的气体。与顶盖相连的一排化学剂阀门数量是由容器内的基片数量决定的，以此来保证雾状化学剂能够快速一致地与基片表面相接触。盖内装有一组兆声振子装置，在清洗过程中它们会被按所设程序开启并释放兆声波清洗能量。处理容器的基片承载篮被制成U型，这样就不需要其他底部支撑板和另外的承载篮就能稳固地撑起基片，以此提高清洗效率，节约化学剂和去离子水的消耗。在处理容器的底部有一排阀门起到排水和通风的作用。为了适合圆形基片处理容器被设计成O型横切面，针对方型基片也可将它设计成长椭圆型。处理容器的构造被设计成空间最小化，以此来节约化学剂和去离子水，最终可以节约处理时间和增加产量。

该项系统是通过使用雾状化学剂进行基片清洗的系统，尤其适用于半导体硅片和平板显示器(FPD)的清洗，而这种雾状化学剂则是由加热化学气体而产生的。设计独特的喷雾器和处理容器已被应用于该项先进的工艺中，从而使之更便于使用。即使这些技术发明适合于本专利所述的个例，但它们的应用范围远不止在此所述的个例。

此项发明的新颖特征已在上述说明中阐述过。但倘若阅读了下面有关具体配置的描述并结合所附图表的分析，则可以对这项发明的构造，操作方法，附件及优点有更加深入的了解。

附图说明

图1A是此项发明的方法和系统简图。

图1B是此项发明的方法和系统简图。

图2是此项发明化学雾化器的设计图。

图3是此项发明处理容器的设计图。

图4是此项发明基片工艺处理过程的流程图。

图中：

110---基片

111---O型处理容器

112---基片放置槽

113---压力传感器

114---排水阀

115---通风阀

116---真空泵

117---阀门

118---三通处理阀门

120---兆声振子装置

200---化学剂集合管件

221---阀门集合管件

222---压力调节器

224---气体加热器

225---气体过滤器

226---温度热电偶

227---化学剂混合容器

228---控制阀

229---仪表泵

230---处理加热器

231---热电偶传感器

232---压力调节器

233---气体流动控制器

234---压力传感器

235---通风阀

236---氮气

237---雾化器

238---控制阀

239---过滤器

240---控制阀

241---共振围壁

242---垂直管

243---阀门

244---阀门

245---阀门

246---化学气体

247---调节器

248---控制阀门

249---化学剂容器

250---阀门

300---端口

301---端口

302---横断面

303---O型交叉口

401---基片处理工艺步骤

402---基片处理工艺步骤

403---基片处理工艺步骤

404---基片处理工艺步骤

405---基片处理工艺步骤

406---基片处理工艺步骤

407---基片处理工艺步骤

408---基片处理工艺步骤

409---基片处理工艺步骤

410---基片处理工艺步骤

501---顶盖部分

502---承载篮部分

503---底部

504---下部部分

505---O型环

506---O型环

507---O型围壁

具体实施方式

图1A是关于此项发明方法和系统的一般结构图。一个可以容纳处理基片(110)的O型处理容器(111)(也可以是椭圆型容纳方型基片)(图中是基片，也可以是平板显示器)。一组基片放置凹槽(112)防止基片互相碰撞。雾状化学剂通过一排阀门(117)被压进容器内。一个压力传感器(113)是用来调控处理过程中的压力的，主控自身的电子模拟信号反馈给计算机控制系统(技术上是如此，但图纸上没有画出来)。处理容器内部的压力可以控制真空泵(116)和通风阀(115)。位于顶部的一排阀门(117)也可以为整个去离子水和氮气(N₂)进行处理服务。位于处理容器底部的一排排水阀门(114)可以连接到排水处理程序上。

在处理罐的顶端安装了一组兆声振子装置(120)，在清洗过程中它们会被开启并释放兆声波清洗能量。

计算机控制系统控制着一组有三条路径的处理阀(118)。在此需求上，各种不同的雾状化学剂通过这个三通处理阀(118)进入处理容器内。三通处理阀(118)和雾状化学剂集合管件(200)的需要量取决于客户具体基片工艺处理需求。

现在来看图1B，它展示了雾状化学剂的一般结构简图。基于此需求，几种化学气体(246)都被连接到一个集合阀(221)上。每排化学气体有一个压力调节器(222)来控制它的流出压力，还有一个气体流动集中控制器(FMC)(223)来控制它的气体流速。有一支气体加热器(224)和气体过滤器(225)被连接进普通气体流动管。气体加热器(224)是为了加热容器内的气体，而气体过滤器(225)是为了尽可能挡住流入气体中的微小物质颗粒。一个温度热电偶(226)控制着气体温度，为系统控制器提供控制。调节器(247)是被用来控制提供到集合管中的氮气(N2)的压力。

每种化学混合剂都配有一个容器(如SC-1)。被混合的化学剂数量是预先决定了的。它可以是一种(H₂O+O₂ gas process)，可以两种(H₂O₂+H₂O+HF gas process)，也可以是三种(NH₄OH+H₂O₂+H₂O+N₂ gasprocess)。每一种化学剂根据它的混合比率在计量泵(229)的作用下，经控制阀(228)进入到容器中。加热器(230)在预先设定的温度中加热化学混合剂。而且温度是由浸在化学剂中压力调节器(232)来调节的。氮气(N₂)通过它的压力调节器和控制阀(248)流入容器中，鼓泡化学混合剂，并促进温度和化学性质的一致性。有一个压力传感器(234)来控制容器压力。当容器压力过高或正在鼓泡时，一个通风阀(235)就被用来使容器排压。

在雾化过程中，压力为每平方英寸1-10英磅的低压氮气(N₂)(236)通过一个控制阀(238)和液体化学过滤器(239)会推动混合化学剂进入液体雾化剂中。与此同时，压力为每平方英寸10-20英磅的较高压的化学气体通过它的控制阀，加热器和过滤器流入雾化器中。在雾化器(237)中当每平方英寸1-10英磅的液体化学剂遇到每平方英寸10-20英磅的较高压的化学气体时，它们就被分解成小微粒。那些小微粒在雾化器(237)的圆形感应壁(241)上以高速度创击，然后被分解成小于10微米的更小的颗粒。这些微型雾状化学剂通过一个垂直管道流入O型处理容器(111)。一个阀门(243)被用于控制开关雾状化学剂的流动。一个阀门(244)被用于雾化器集合管的通风。在此过程中，大多数的凝结化学剂由于引力的作用沿着垂直流管(242)流回到化学容器(249)中，然后通过一个控制阀(250)流回收集容器以便今后这使用或者回收。一个被安装在容器底部的阀门(245)将被连接到化学混合容器(237)上或化学消耗装置上。

图2是关于此项发明的雾化器的设计原理图。在此处理方法上，化学混合剂通过端口(300)流进设备中，而且化学气体也通过端口(301)流进设备中。它们在喷雾器的交集器(302)中作用。较高压的化学气体把低压的化学混合剂分解成小的微粒，这些小微粒在喷雾器的圆形感应壁上以高速度创击，然后被分解成小于10微米的更小的微粒。这些微型雾状化学剂通过O型管(303)流出来。

以下各步骤决定湿处理基片的方法：

A)在处理容器中安装(512)基片；

B)关闭(514)容器保持不泄漏一定压力的气体；

C)流进加热的氮气使温度等温；

D)在容器中加入(518)一种由加热的化学气体产生的雾状化学剂；

E)在容器中循环(520)雾状化学剂；

F)用去离子水和兆声能量清洗基片；

G)在容器中压入(524)热雾状异丙基酒精溶液，从基片上排去大多数的去离子水

H)加入(526)热氮气来完全干燥基片和容器；

I)使用(528)以化学气体制成的雾状化学剂来清洗基片；

J)使用(530)加热的臭氧气体来雾化去离子水以祛除基片上的普通颗粒和剥离光胶。

K)首次加热(532)氟化氢气体来雾化过氧化氢防止各类颗粒粘附在基片上；

L)第二次加热(534)氟化氢气体雾化去离子水来祛除金属和氧化物；

M)第三次加热(536)带正电的氮气气体用以雾化一种电镀化学溶液，从而使带负电的基片镀上所需的金属；

N)第四次加热(538)氮气气体用以雾化加热的光胶溶液从而为基片镀层；

O)产生(540)简单的雾状化学剂来处理基片，而且达到了既时既用的便捷工艺方法。

P)使雾状异丙基酒精溶液恒温来排去基片上的水分；

Q)首次加热(544)具有较高粘度的化学剂来降低粘性使之更易于被雾化；

R)至少与一种输入化学气体的多头导管相连接(546)使之更具有工艺灵活性。

S)通过计量泵加入(548)一种预先设定好化学剂混合剂比率的化学处理容器；

T)使用浸没式加热器第二次加热(550)化学混合剂。

U)在化学混合剂中氮气(552)使化学剂的温度和性质变得均匀一致。

制成雾状化学剂的雾化器由化学气体组成。雾化器包括：

A)一个有着至少一个输出端口的容器，它包括至少一个雾化共振壁；

B)至少一个液体化学剂输入端口和至少一个化学气体输入端口。

在处理过程中，至少有一个输出端口要被连接到一个具有流动机能的管道来收集凝结化学剂。至少有一个液体化学剂的输入端口要被连接到液体化学剂上，和至少一个化学气体输入端口被连接到化学气体上。液体化学剂的压力范围是每平方英寸1-10英磅。气体化学剂的压力范围是每平方英寸10-20英磅。

雾化器还包括一个处理容器，这个容器包括一个圆柱型的装置；O型的容器内壁；容器顶盖部分；容器承载部分；容器底座部分；至少一排可以让雾状化学剂、去离子水和氮气流入的阀门端口；至少一排可以进行通风和排水功能的阀门端口；至少一组兆声振子装置，它们在清洗时被开启并释放兆声波清洗能量；还有至少一个在容器中气体封闭时的环型装置。O型容器壁外壁可以使雾状化学剂、气体化学剂和清洗去离子水在容器中循环。O型容器外壁可以制成椭圆型来容纳方型基片。至少一排阀门端口可以使雾状化学剂、去离子水和氮气流入容器，在容器中至少有两个阀门要被放在容器侧面产生一种循环流动的模式。至少一个被装在容器顶部的兆声振子装置使流动声速降低达到清洗基片的作用。容器的承载部分是一个U型的装置，它在底部不需要任何支撑棒就能起到承载作用。喷雾器是由一种可拒腐于各种化学剂和气体的材料制成的。喷雾器的圆柱型外壳包括O型输出端口，和圆形感应壁。喷雾器还有一个垂直长型的流动管。

图3是关于此项发明中处理容器的设计原理图。一个O型容器(111)(针对方型基片也可以设计成椭圆型)包括顶盖部分(501)，基片承载部分(502)和底座部分(503)。基片(110)(在图中看到的是基片，也可以为平板显示器)位于处理容器承载篮的下部(504)。一组分隔凹槽(112)可以防止基片相互之间碰撞。在整个处理过程中O型环的装置(505)起到密封容器的作用。处理容器由一种可适合于所有化学剂和气体的材料制成。雾状化学剂通过一排阀门被压缩进容器中，还能在整个过程中起到清洁去离子水和处理氮气的功能。在处理容器中有一排位于容器顶部一边的阀门，可以使雾状化学剂沿着容器壁形成一种循环流动的模式。真空泵和通风阀被连接到容器底部。还有一排排水阀也位于容器底部。

对兆声振子装置被安装在处理容器的顶盖中，在清洗过程中它们会被开启并释放兆声波清洗能量。

最后，图4是关于此项发明的流程图表。在步骤(401)，要被清洗的基片被放在处理容器的承载篮里，然后容器在步骤(402)被封闭。在步骤(403)，预先已经设定好温度的氮气流入容器对基片温度进行调节。在此过程后，在步骤(404)，温度已经稳定的容器和基片被雾状化学剂加热，并将它压缩进容器。在步骤(405)，雾状化学剂在容器中沿着容器的O型壁均匀地接触到每一片基片。在预先设定好化学处理时间之后，在步骤(406)去离子水会通过阀门流进容器中。清洗将一直持续直到清洗水的电阻率达到一定的传导值后才停止。在步骤(407)，系统控制器决定是否需要进行有工程师设定好的后续程序。如果是YES，系统将从上述步骤(403)开始重复。如果是NO，在步骤(408)，热的雾状异丙基酒精溶液就会被压缩进容器中。被压缩的雾状异丙基酒精会在去离子水的表面形成一层薄的保护薄膜，它还以它表面低张力的特性排去大量的水和基片上的残留物。在步骤(409)，热氮气流入容器中，将彻底清洗全部的基片和容器。最后，在步骤(410)，被清洗好的基片被卸出，进行它们下一个可能的产品工艺过程。

上面描述的原理(第一，第二或第N个)也可能适用于其他类型的构造，这也是可以理解的。

此项发明已经在雾化器的说明和描述中进行了具体的阐述，此处不再赘述。但是应该注意到，任何技术人员对该装置及方法在形式与细节上所做的调整、修改和删除都离不开此项发明的精髓。

Claims (12)

1. 用加热化学气体和加热的液体化学剂产生的雾状化学剂处理基片的方法，包括如下步骤：

在容器中安装基片；

关闭容器并保持不泄露其中的气体；

流入热氮气来等温；

在容器内流入加热加压的所述雾状化学剂，该雾状化学剂通过加热的化学气体和加热的液体化学剂都进入具有圆形雾化共振壁的雾化器内产生的，其中加热的化学气体的压力范围是每平方英寸10-20英磅，加热的液体化学剂的压力范围为每平方英寸1-10英磅；

在容器内循环雾状化学剂；

用去离子水清洗基片；

在容器内压入一种叫异丙基酒精的热雾状溶液，以此来祛除基片上大多数的去离子水；

加入热氮气来彻底干燥基片和容器。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于它还包括下列雾状化学剂清洗过程：

使用加热的臭氧气体雾化加热的去离子水来祛除基片上的常见颗粒和剥离光胶；

使用加热的氟化氢气体雾化加热的液态过氧化氢防止基片上粘附各类颗粒；

使用加热的氟化氢气体雾化加热的去离子水来祛除金属物质和氧化物颗粒；

使用加热的带有正电的氮气气体雾化一种加热的电镀化学溶液，从而使带负电的基片镀上所需的金属；

使用加热的氮气气体雾化加热的光胶溶液来为基片镀层；

使用一种加热的气体HCl加上加热的液体H₂O产生雾状化学剂的方法来处理基片。

3. 权利要求2所述的方法，其特征在于该方法还包括了一种连接各种输入化学气体的集合管路。

4. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于该方法还包括了一种存放预先被混合的化学剂容器，容器内含有预先设定好比率的，由计量泵产生的化学混合剂。

5. 一种用加热化学气体和加热的液体化学剂产生的加热加压雾状化学剂处理基片的系统，其特征在于该系统包括可以产生雾状化学剂雾化器，而雾状化学剂是由化学气体和液体化学剂产生的，雾化器主要包括：

有着O型输出端口的圆柱型外壳，和一个圆形雾化共振壁；

一个液体化学剂输入端口和一个化学气体输入端口，所述液体化学剂输入端口被连接到压力为每平方英寸1-10英磅的液体化学剂上，化学气体输入端口被连接到压力为每平方英寸10-20英磅的化学气体上。

6. 根据权利要求5所述的系统，其特征在于所述雾化器中有一个O型输出端口被连接到一个垂直长型的管道上，以便在清洗工艺过程中起到收集多数凝结化学剂。

7. 根据权利要求5所述的系统，其特征在于该系统还包括有一通过阀门及管道与雾化器相连通的处理容器，该容器包括：

圆柱型装置；

O型容器内壁；

容器顶盖；

容器基片承载部分；

容器底部部分；

一排使雾状化学剂、去离子水和氮气流入容器的阀门；

一排容器通风和排水阀门；

几组兆声振子装置，在清洗过程中会被按所设程序开启并释放兆声波清洗能量；

两个O型环保持不泄露一定压力的气体。

8. 根据权利要求7所述的系统，其特征在于所述O型容器内壁可以引导雾状化学剂、气体化学剂和去离子水在容器内部循环，针对方型基片可以用椭圆型容器内壁代替所述O型容器内壁。

9. 根据权利要求7所述的系统，其特征在于所述一排让雾状化学剂、去离子水和氮气流入容器的阀门端口，其中两个端口位于紧靠容器的侧面，以使容器内部产生一种循环流动模式。

10. 根据权利要求7所述的系统，其特征在于所述几组兆声振子装置，安装在容器顶部，它们会产生向下的超声能量来帮助基片清洗。

11. 根据权利要求7所述的系统，其特征在于所述容器承载部分制成U型，用于托起基片。

12. 根据权利要求10所述的系统，其特征在于所述承载部分里含有一组基片槽用来防止基片相互碰撞。

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