JP2002530534A5 - - Google Patents

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JP2002530534A5
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも９９．９９５％の純度、約７５μm以下の平均粒度および約２ｍｍ〜約３．８ｃm（約０．０８０〜約１．５０インチ）の厚みを有する金属タンタルであって、該金属タンタルの全厚みのいたるところで、
ａ）（１００）極点図が該タンタルのいかなる５％厚さ増分内でも約０ランダムから約５ランダムの中心ピーク強度を有する、および
ｂ）同一増分内での（１１１）：（１００）中心ピーク強度の比の自然対数が約−１．５〜約７．０または約−３．０〜約５．０である、
を満たす集合組織を有する、金属タンタル。
【請求項２】 該金属が十分に再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項３】 該金属が少なくとも部分的に再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項４】 該金属の約９８％以上が再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項５】 該金属の約８０％以上が再結晶化される請求項１記載の金属タンタル。
【請求項６】 該比の自然対数が約−１．５から約７．０である請求項１記載の金属タンタル。
【請求項７】 ９９．９９５％から約９９．９９９％の純度を有する請求項１記載の金属タンタル。
【請求項８】 請求項１記載の金属タンタルを使用してなるスパッタターゲット。
【請求項９】 請求項３記載の金属タンタルを使用してなるスパッタターゲット。
【請求項１０】 請求項１記載の金属タンタルを構成部材として含むキャパシタ缶。
【請求項１１】 請求項３記載の金属タンタルを構成部材として含むキャパシタ缶。
【請求項１２】 請求項１記載の金属タンタルを使用して抵抗膜層を製造する方法。
【請求項１３】 請求項３記載の金属タンタルを使用して抵抗膜層を製造する方法。
【請求項１４】 請求項１記載の金属タンタルを少なくとも１構成部材として含んでなる物品。
【請求項１５】 請求項３記載の金属タンタルを少なくとも１構成部材として含んでなる物品。
【請求項１６】 金属タンタルが実質的に微細で均一なミクロ構造を有する請求項１記載の金属タンタル。
【請求項１７】 金属タンタルが約２５〜約７５μｍの平均粒径を有する請求項１記載の金属タンタル。
さらに、金属タンタルは微細な集合組織を有するのが好適である。もっと好適には、集合組織は、タンタルのいかなる５％厚さ増分内でも（１００）中心ピーク強度（以下「中心強度」または「強度」とも言う）が約１５ランダム（about 15 random）より小さく、および／または約−４．０より大きい（すなわち−４．０、−３．０、−２．０、−１．５、−１．０等を意味する）同一増分以内で（１１１）：（１００）中心ピーク強度比の自然対数（Ｌｎ）（以下「対数比」とも言う）を有し、またはその（１００）中心強度および比の両方を有する。中心ピーク強度は好ましくは約０ランダムから約１０ランダムであり、もっと好ましくは約０ランダムから約５ランダムである。他の（１００）中心強度の範囲は、約１ランダムから約１０ランダムそして約１ランダムから約５ランダムを含むが、これらに限定されない。さらに、（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比は約−４．０から約１５であり、もっと好ましくは約−１．５から約７．０である。対数比の他の適した範囲は約−４．０から約１０、そして約−３．０から約５．０であるが、これらに限定されない。最も好適には、金属タンタルは少なくとも約９９．９９５％の望ましい純度、好適な粒径、ならびに（１００）増分中心ピーク強度（以下「増分強度」または「増分中心強度」とも言う）および増分中心強度の（１１１）：（１００）比について好適な集合組織を有する。集合組織を特徴づけるための使用されうる方法および装置は、Ａｄａｍｓらの Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｒｕｍ Ｖｏｌ．１５７〜１６２（１９９４）， ３１−４２頁； Ａｄａｍｓらの Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ Ａ．Ｖｏｌ．２４Ａ（１９９３年４月）Ｎｏ．４、８１９〜８３１頁； ＷｒｉｇｈｔらのＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ （１３７ Ｃｈａｏｎｅｉ Ｄａｊｉｅ，北京、１９９６）（Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ： Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｖｅｎｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｔｅｘｔｕｒｅｓ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）； ＷｒｉｇｈｔのＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ−Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ， Ｖｏｌ．５， Ｎｏ．３（１９９３）に記載されており、すべてはここに引用により丸ごと組入れられる。
本発明の高純度金属タンタルは、多くの領域で使用されうる。たとえば高純度金属タンタルは、スパッタターゲットに、または高純度金属からなる化学エネルギー（ＣＥ）弾薬の弾頭ライナー（munitions warhead liner）に製造され得る。さらに高純度金属はキャパシタのアノードもしくは抵抗性膜層に使用され、形成されうる。本発明の金属タンタルは従来のタンタルが用いられているあらゆる物品もしくは部品に使用され得、従来のタンタルを含む種々の製品もしくは部品を製造する方法および手段が高純度金属タンタルを種々の物品もしくは部品に組入れる際にここで同様に使用されうる。たとえば、受板（backing plate）を使用するように、スパッタターゲットを製造するのに使用される次の処理は、米国特許第５，７５３，０９０、５，６８７，６００および５，５２２，５３５号明細書に記載されているが、ここでも使用され得、これらの特許は引用により丸ごとここに組入れられる。
タンタル粉末は、真空アーク再溶融（vacuum arc remelt: ＶＡＲ）、もしくは電子ビーム溶融のような数多くの方法で溶融されうる。通常、溶融時の真空は、高純度タンタルを得るために、回収タンタルから存在する不純物を実質的に除去するのに十分である。好ましくは、溶融は約１．３×１０−2Ｐａ（１０−４Ｔｏｒｒ）以上のような高真空で生じる。好ましくは、溶融タンタルへの圧力は、ニッケルおよび鉄のようなこれらの不純物が蒸発されるように金属不純物の蒸気圧よりも低い。鋳造インゴットの径はできるかぎり大きくあるべきであり、好ましくは約２４．１ｃｍ（９．５インチ）より大きい。大きい径は精製速度を高める真空界面に比較的大きい溶融表面を確保させる。加えて大きいインゴット径は比較的大量の冷間作用が処理中の金属に与えられ、最終製品の特性を改良する。いったん溶融タンタルの大部分が固化すると、形成されるインゴットは９９．９９５％以上、そして好ましくは９９．９９９％以上の純度を有する。電子ビーム処理は２０，０００〜２８，０００ボルトおよび１５〜４０Ａを用いて、約１．３×１０−1から約１．３×１０−４Ｐａ（約１×１０−3〜約１×１０−6Ｔｏｒｒ）の真空下で、約１３５〜約３６０kg／時間（約３００〜約８００ポンド／時間）の溶融速度で行なわれる。もっと好ましくは溶融速度は約１８０〜約２７０kg／時間（約４００〜約６００ポンド／時間であり、２４，０００〜２６，０００ボルトおよび１７〜３６Ａを用い、そして約１．３×１０−2〜１．３×１０−3Ｐａ（１×１０−４〜１０−5Ｔｏｒｒ）の真空下である。ＶＡＲ処理に関して、溶融速度は好ましくは２２５〜９００kg／時間（５００〜２０００ポンド／時間）であり、２．７〜１．３×１０−2Ｐａ（２×１０−2〜１０−４Ｔｏｒｒ）の真空下で２５〜４５ボルトおよび１２０００〜２２０００Ａを用い、もっと好ましくは３０〜３６ボルト，１６０００〜１８０００Ａで、２．７〜１．３×１０−2Ｐａ（２×１０−2〜１×１０−４Ｔｏｒｒ）の真空下で３６０〜５４０kg／時間（８００〜１２００ポンド／時間）である。
インゴットを獲得し、スパッタターゲットを形成することに関して、次の方法が使用されうる。１つの態様において、高純度金属タンタルから製造されるスパッタターゲットはタンタル金属の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することにより製造され得、そこでは金属タンタルは下記のようなつづく処理工程を可能にするのに十分な開始断面領域を有する。好適には金属タンタルは少なくとも２４．１ｃｍ（９．５インチ）以上の断面領域を有する。次の工程は金属タンタルを１つ以上の圧延スラブに平形鍛造加工することを含む。圧延スラブは、十分な変形を有しており、下記のようにこの工程にすぐ続くアニ―ル工程後に、実質的に均一な再結晶化を達成する。ついで圧延スラブは圧延スラブの少なくとも部分的な再結晶化を達成するのに十分な真空および温度でアニールされる。好適なアニ―ル温度および時間は下記および実施例に記載される。ついで圧延スラブは少なくとも１つの板を形成するために開始金属タンタル（たとえばタンタルインゴット）の軸に垂直および平行の方向の両方に冷間および温間圧延に供される。ついで板はフラテニング（たとえば水平圧延）に供される。ついで板は約１５０μｍ以下の平均粒径および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織を有するように十分な温度で十分な時間、最終的にアニールされる。好適には、（１００）集合組織バンドは存在しない。ついで、板は機械的もしくは化学的に再度清浄化され、所望の寸法を有するスパッタターゲットに形成される。通常、平形鍛造加工は、金属タンタルが大気〜約３７０℃の範囲の温度で空気中に少なくとも約４時間置かれた後に行なわれる。さらに、好適には冷間圧延の前に、圧延スラブは金属タンタルの少なくとも１部の再結晶化を達成するための温度（たとえば約９５０℃〜約１５００℃）および時間（たとえば約０．５〜約８時間）でアニールされる。好適には、冷間圧延は大気温度での横圧延であり、温間圧延は約３７０℃未満の温度である。
金属タンタルを処理してスパッタターゲットにするもう１つの方法は、金属タンタル（たとえばタンタルインゴット）の表面を機械的もしくは化学的に清浄化することを含み、そこでは金属タンタルは上述のように次の処理を可能にするのに十分な開始断面領域を有する。次の工程は金属タンタルを円形鍛造加工して少なくとも１つのロッドにすることを含み、そこでのロッドは、十分な変形を有しており、この工程の後にすぐに生じるアニール工程後に、または冷間圧延の前のアニール工程後に、実質的に均一な再結晶化を達成する。ついでタンタルロッドはビレットに切断され、表面を機械的もしくは化学的に清浄化される。任意のアニール工程は、少なくとも部分的な再結晶化を達成するためにあとで行なわれる。さらにビレットは軸方向に鍛造加工されプリフォームになる。再度、任意のアニール工程が少なくとも部分的な再結晶化を達成するために後で行なわれうる。しかし、任意のアニール工程の少なくとも１つもしくは両方が行なわれる。ついでプリフォームは冷間圧延に供され、少なくとも１つの板になる。後で、板の表面は任意に機械的もしくは化学的に清浄化されうる。ついで、最終アニール工程は、約１５０μｍ以下の平均粒径、および（１００）集合組織バンドが全くないわけではなくとも実質的に（１００）集合組織バンドのない集合組織を生じさせる。円形鍛造加工は、金属タンタルを約３７０℃以下の温度に供した後に行なうのが通常である。もっと高温が使用されうるが、表面の酸化の増大をもたらす。好適にはビレットの鍛造加工前に、ビレットはアニールされる。さらに、冷間圧延の前にプリフォームはアニールされうる。通常、これらのアニール温度は約９００℃〜約１，２００℃である。さらにアニールは金属タンタルの再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニールであるのが好適である。
上記の、０．２５０”板１２５Ｄ、０．２５０”板１２５Ｂ、０．２５０”板１２５Ｃ、０．４００”鍛造加工９５０Ａ、０．４００”鍛造加工９５０Ｂ、０．４００”鍛造加工９５０Ｃ、および０．４００”鍛造加工９５０Ｄは、各々参考例として記載したものである。
本出願では、参考例も含めて以下の態様が提供される。
１． 少くとも９９．９９５％の純度および約１５０μｍ以下の平均粒度を有する金属タンタル。
２． 該金属が十分に再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
３． 該金属が少なくとも部分的に再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
４． 該金属の約９８％以上が再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
５． 該金属の約８０％以上が再結晶化される態様1記載の金属タンタル。
６． 該金属がａ）（１００）極点図が約１５ランダムより小さい中心ピーク強度を有する集合組織、ｂ）約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比；またはｃ）両方、を有する態様１記載の金属タンタル。
７． 該中心がピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムである態様6記載の金属タンタル。
８． 該中心ピーク強度が約０から約１０ランダムである態様6記載の金属タンタル。
９． 該対数比が約−４．０から約１５である態様6記載の金属タンタル。
１０． 該対数比が約−１．５から約７．０である態様６記載の金属タンタル。
１１． 該中心ピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムであり、そして該対数比が約−４．０から約１５である態様6記載の金属タンタル。
１２． ９９．９９５％から約９９．９９９％の純度を有する態様1記載の金属タンタル。
１３． 態様1記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１４． 態様6記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１５． 態様3記載の金属タンタルを含有してなる金属合金。
１６． 態様1記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１７． 態様6記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１８． 態様3記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
１９． 態様1記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２０． 態様6記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２１． 態様3記載の金属タンタルを含有してなるキャパシタ缶。
２２． 態様1記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２３． 態様6記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２４． 態様3記載の金属タンタルを含有してなる抵抗膜層。
２５． 態様1記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２６． 態様6記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２７． 態様3記載の金属タンタルを少くとも１成分として含んでなる物品。
２８． ａ）約５０μｍ以下の平均粒径、またはｂ）（１００）極点図が約１５ランダム以下の中心ピーク強度を有する集合組織、またはｃ）約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の対数比、またはそれらの組合わせ、を有する金属タンタル。
２９． 約２５から約５０μｍの平均粒径を有する態様28記載の金属タンタル。
３０． 約−４．０より大きい（１１１）：（１００）中心ピーク強度の比を有する態様28記載の金属タンタル。
３１． ａ）およびｂ）の両方を有する態様28記載の金属タンタル。
３２． 該金属が少くともタンタル９９．９９５％の純度を有する態様28記載の金属タンタル。
３３． 該金属が少くともタンタル９９．９９９％の純度を有する態様28記載の金属タンタル。
３４． 該金属が十分に再結晶化される態様28記載の金属タンタル。
３５． 該金属が十分に再結晶化される態様32記載の金属タンタル。
３６． 該金属が十分に再結晶化される態様33記載の金属タンタル。
３７． 該金属の約８０％以上が十分に再結晶化される態様28記載の金属タンタル。
３８． 該中心ピーク強度が約０ランダムから約１５ランダムである態様28記載の金属タンタル。
３９． 該対数比が約−４．０から約１５である態様28記載の金属タンタル。
４０． 態様28記載の金属タンタルを含有してなる物品。
４１． 態様33記載の金属タンタルを含有してなる物品。
４２． 態様28記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
４３． 態様33記載の金属タンタルを含有してなるスパッタターゲット。
４４． タンタルを含有する塩を、攪拌機を有する反応容器中でその塩をタンタルおよび第２の塩に還元しうる少くとも１つの試薬を反応させることを含む態様１記載の金属タンタルの製造方法であり、反応容器もしくは反応容器の内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の外張りはタンタルの融点でタンタルの蒸気圧以上の蒸気圧を有する金属で製造されていることを特徴とする金属タンタルの製造方法。
４５． タンタルを含有する塩がフッ化カリウムタンタルからなり、試薬がナトリウムからなる態様44記載の方法。
４６． 第２の塩がフッ化ナトリウムおよび１または塩化ナトリウムからなる態様45記載の方法。
４７． タンタルを含有する該塩を反応させる前に、該方法は、タンタルおよび不純物からなる酸溶液を生成させること、不純物を含有する酸溶液からタンタルを含有する酸溶液の密度による分離を行うこと、ならびにタンタルを含有する酸溶液を再結晶化させて、タンタルを含有する塩を生成させること；からなる態様44記載の方法。
４８． タンタルおよび不純物が、タンタルおよび不純物からなる破砕鉱石である態様47記載の方法。
４９． タンタルおよび不純物からなる酸溶液が酸溶液をタンタルからなる破砕鉱石と一緒にすることにより生成される態様47記載の方法。
５０． 反応が、攪拌下に約８００℃〜１１００℃で生じる態様44記載の方法。
５１． 反応容器もしくは内張り、ならびに攪拌機もしくは攪拌機の外張りが金属にもとづき、該金属はニッケル、クロム、鉄、マンガン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、テクネチウム、ルテニウム、コバルト、ロジウム、パラジウム、白金、もしくはそれらの組合わせ、である態様44記載の方法。
５２． 金属がニッケルもしくはニッケルにもとづく合金である態様51記載の方法。
５３． 金属がクロムもしくはクロムにもとづく合金である態様51記載の方法。
５４． 金属が鉄もしくは鉄にもとづく合金である態様51記載の方法。
５５． 水性溶液中に第２の塩を溶解させることによりタンタルを回収することをさらに含む態様44記載の方法。
５６． 十分な真空中で該回収タンタルを溶融して該回収タンタル中に存在する不純物を実質的に除去して、高純度タンタルを得ることをさらに含む態様55記載の方法。
５７． 真空が１０ −４ ｔｏｒｒ以下である態様56記載の方法。
５８． 溶融回収タンタルへの圧力は実質的にすべての不純物の蒸気圧よりも低い態様56記載の方法。
５９． 不純物が不純物の蒸発により除去される態様56記載の方法。
６０． 該溶融が電子ビーム溶融により行われる態様56記載の方法。
６１． 該溶融が真空アーク再溶融処理により行われる態様56記載の方法。
６２． 高純度タンタルが固体を形成し、圧延処理、鍛造加工処理もしくはその両方に供さる態様56記載の方法。
６３． 金属タンタルが実質的に微細で均一なミクロ構造を有する態様1記載の金属タンタル。
６４． 金属タンタルが約２５〜約１５０μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６５． 金属タンタルが約２５〜約１００μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６６． 金属タンタルが約２５〜約７５μｍの平均粒径を有する態様1記載の金属タンタル。
６７． ａ）金属タンタルの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属タンタルは工程（ｂ）〜（ｇ）を可能にするのに十分な開始断面領域を有すること；ｂ）金属タンタルを少なくとも１つの圧延スラブに平形に鍛造加工すること、そして少なくとも１つの圧延スラブは工程ｄ）におけるアニール後に実質的に均一な再結晶を達成するのに十分な変形を有すること；ｃ）少なくとも１つの圧延スラブの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること；ｄ）少なくとも１つの圧延スラブの少なくとも部分的再結晶化を達成するために十分な温度および十分な時間、少なくとも１つの圧延スラブをアニールすること；ｅ）少なくとも１つの板を形成するために開始金属タンタルの軸に垂直および平行な方向の両方に少なくとも１つの圧延スラブを冷間もしくは温間圧延すること；ｆ）少なくとも１つの板を平らにすること；ならびにｇ）約１５０μｍ以下の平均粒径および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織、を有するように少なくとも１つの板をアニールすること、を含む、少なくとも９９．９９５％の純度を有する金属タンタルからスパッタターゲットを製造する方法。
６８． 金属タンタルが少なくとも９９．９９９％の純度を有する態様67記載の方法。
６９． 金属タンタルが空気中で少なくとも４時間、大気〜約１２００℃の温度に置かれた後に平形の鍛造加工が生じる態様67記載の方法。
７０． 冷間圧延が大気温度における横圧延であり、温間圧延が約３７０℃未満の温度である態様67記載の方法。
７１． 板のアニールが金属タンタルの再結晶化を達成するのに十分な温度と時間での真空アニールである態様67記載の方法。
７２． ａ）金属タンタルの表面を機械的もしくは化学的に清浄化すること、そして金属タンタルは工程（ｂ）〜（ｉ）を可能にするのに十分な開始断面領域を有すること；ｂ）金属タンタルを少なくとも１つのロットに円形鍛造加工すること、そして少なくとも１つのロッドは工程ｄ）もしくは工程ｆ）におけるアニールの後に実質的に均一な再結晶を達成するのに十分な変形を有すること；ｃ）ロッドをビレットに切断すること、そしてビレットの表面を機械的もしくは化学的に清浄にすること；ｄ）少なくとも部分的に再結晶化を達成するためにビレットを任意にアニールすること；ｅ）ビレットを軸方向に鍛造加工してプリフォームにすること；ｆ）少なくとも部分的に再結晶化を達成させるためにプリフォームを任意にアニールすること；ｇ）プリフォームを冷間圧延して少なくとも1つの板にすること；ｈ）その少なくとも1つの板の表面を機械的もしくは化学的に、任意に清浄化すること；ならびにｊ）約１５０μｍ以下の平均粒径、および（１００）集合組織バンドを実質的に欠く集合組織、を有するように少なくとも１つの板をアニールすること、そしてアニールは少なくとも工程ｄ）もしくはｆ）または両方で生じる、を含む、少なくとも９９．９９５％の純度を有する金属タンタルからスパッタターゲットを製造する方法。
７３． 金属タンタルが少なくとも９９．９９９％の純度を有する態様72記載の方法。
７４． 円形鍛造加工が、金属タンタルを約３７０℃以下の温度にさらさせた後に生じる態様72記載の方法。
７５． ビレットの鍛造加工の前にビレットがアニールされる態様72記載の方法。
７６． プリフォームの冷間圧延の前にプリフォームがアニールされる態様72記載の方法。
７７． プリフォームのアニールが再結晶化を達成するのに十分な温度での真空アニールである態様72記載の方法。
本発明の他の態様は、本明細書を考慮して、そしてここに開示された本発明の実施から当業者に明らかであろう。本明細書および実施例は例証的なものであり、発明の真の範囲および趣旨は請求範囲の記載に示される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図２Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図２Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図３Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図３Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図４Ａ】
本発明の高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図４Ｂ】
本発明の高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図５Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図５Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図６Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図６Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図７Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図７Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図８Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図８Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図９Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図９Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図１０Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１０Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
【図１１Ａ】
参考例としての高純度タンタル板の集合組織勾配（増分厚さ対ランダム）に関するグラフである。
【図１１Ｂ】
参考例としての高純度タンタル板の対数比（１１１）：（１００）勾配（増分厚さ対Ｌｎ（１１１／１００））に関するグラフである。
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WO (1) WO2000031310A1 (ja)

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569270B2 (en) 1997-07-11 2003-05-27 Honeywell International Inc. Process for producing a metal article
US6323055B1 (en) * 1998-05-27 2001-11-27 The Alta Group, Inc. Tantalum sputtering target and method of manufacture
US6348139B1 (en) 1998-06-17 2002-02-19 Honeywell International Inc. Tantalum-comprising articles
US6348113B1 (en) 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
US20040072009A1 (en) * 1999-12-16 2004-04-15 Segal Vladimir M. Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets
US6878250B1 (en) 1999-12-16 2005-04-12 Honeywell International Inc. Sputtering targets formed from cast materials
US6331233B1 (en) 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
US7517417B2 (en) * 2000-02-02 2009-04-14 Honeywell International Inc. Tantalum PVD component producing methods
DE60136351D1 (de) * 2000-05-22 2008-12-11 Cabot Corp Hochreines niobmetall und erzeugnisse daraus und verfahren zu dessen herstellung
JP2002060803A (ja) * 2000-08-10 2002-02-28 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法
US6887356B2 (en) 2000-11-27 2005-05-03 Cabot Corporation Hollow cathode target and methods of making same
CN1257998C (zh) * 2001-01-11 2006-05-31 卡伯特公司 钽和铌的坯料及其制造方法
US7794554B2 (en) 2001-02-14 2010-09-14 H.C. Starck Inc. Rejuvenation of refractory metal products
CN1221684C (zh) * 2001-02-14 2005-10-05 H·C·施塔克公司 高熔点金属制品的再生
KR100966682B1 (ko) * 2001-02-20 2010-06-29 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 균일한 조직을 갖는 내화성 금속판 및 이 금속판의 제작방법
US6596641B2 (en) * 2001-03-01 2003-07-22 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6770154B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-03 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
US7081148B2 (en) * 2001-09-18 2006-07-25 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
US6800259B2 (en) * 2002-03-04 2004-10-05 Cabot Corporation Methods to control H2S and arsine emissions
US20040016635A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Ford Robert B. Monolithic sputtering target assembly
JP4883546B2 (ja) * 2002-09-20 2012-02-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲットの製造方法
US20040065546A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Michaluk Christopher A. Method to recover spent components of a sputter target
US20040078308A1 (en) * 2002-10-21 2004-04-22 Michaluk Christopher A. Method of supplying metal material for manufacture of sputtering targets and other articles
JP4263900B2 (ja) * 2002-11-13 2009-05-13 日鉱金属株式会社 Ｔａスパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI341337B (en) * 2003-01-07 2011-05-01 Cabot Corp Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
US20080038146A1 (en) * 2003-02-10 2008-02-14 Jurgen Wachter Metal alloy for medical devices and implants
PT1444993E (pt) * 2003-02-10 2007-01-31 Heraeus Gmbh W C Liga metálica melhorada para dispositivos médicos e implantes
US20070276488A1 (en) * 2003-02-10 2007-11-29 Jurgen Wachter Medical implant or device
US6921470B2 (en) * 2003-02-13 2005-07-26 Cabot Corporation Method of forming metal blanks for sputtering targets
US20040186810A1 (en) * 2003-02-14 2004-09-23 Michaluk Christopher A. Method of supplying sputtering targets to fabricators and other users
US20040262157A1 (en) * 2003-02-25 2004-12-30 Ford Robert B. Method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom
CN103966561A (zh) * 2003-04-01 2014-08-06 Jx日矿日石金属株式会社 钽溅射靶及其制造方法
CN1809904A (zh) * 2003-04-25 2006-07-26 卡伯特公司 一种形成烧结阀金属材料的方法
US7515397B2 (en) 2003-05-19 2009-04-07 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US7228722B2 (en) * 2003-06-09 2007-06-12 Cabot Corporation Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation
CN1836307A (zh) * 2003-06-20 2006-09-20 卡伯特公司 溅镀靶安装到垫板上的方法和设计
US6992261B2 (en) * 2003-07-15 2006-01-31 Cabot Corporation Sputtering target assemblies using resistance welding
CN101857950B (zh) * 2003-11-06 2012-08-08 Jx日矿日石金属株式会社 钽溅射靶
US20050252268A1 (en) * 2003-12-22 2005-11-17 Michaluk Christopher A High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same
EP1704266A2 (en) * 2003-12-22 2006-09-27 Cabot Corporation High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same
US20050155677A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Wickersham Charles E.Jr. Tantalum and other metals with (110) orientation
US7481864B2 (en) * 2004-01-14 2009-01-27 Cabot Corporation Conversion of Ta2O5 to Ta metal
US20070144623A1 (en) * 2004-02-18 2007-06-28 Wickersham Charles E Jr Ultrasonic method for detecting banding in metals
ATE509129T1 (de) * 2004-03-26 2011-05-15 Starck H C Inc Töpfe aus refraktärem metall
US8252126B2 (en) * 2004-05-06 2012-08-28 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging
DE112005001499T5 (de) * 2004-06-28 2007-05-10 Cabot Corp., Boston Flockenförmiges Tantal mit hoher Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung
US7666243B2 (en) * 2004-10-27 2010-02-23 H.C. Starck Inc. Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7998287B2 (en) * 2005-02-10 2011-08-16 Cabot Corporation Tantalum sputtering target and method of fabrication
US9659758B2 (en) * 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
KR100968395B1 (ko) * 2005-04-28 2010-07-07 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
US20070044873A1 (en) 2005-08-31 2007-03-01 H. C. Starck Inc. Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
KR20080054414A (ko) * 2005-09-28 2008-06-17 캐보트 코포레이션 스퍼터링 타켓 조립체를 형성하는 관성 접합 방법 및그로부터 제조된 조립체
JP4949259B2 (ja) * 2005-10-04 2012-06-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
US20070084527A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Stephane Ferrasse High-strength mechanical and structural components, and methods of making high-strength components
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
CZ308045B6 (cs) 2006-03-07 2019-11-20 Cabot Corp Způsob výroby kovového výrobku a kovová deska, vyrobená tímto způsobem
JP4974362B2 (ja) * 2006-04-13 2012-07-11 株式会社アルバック Ｔａスパッタリングターゲットおよびその製造方法
US20070251818A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Wuwen Yi Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets
US20080105084A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-08 Niotan, Inc. Method of production of tantalum powder with low impurity level
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
EP2152924B1 (en) * 2007-04-27 2017-08-09 H.C. Starck Inc. Tantalum based alloy that is resistant to aqueous corrosion
JP4874879B2 (ja) * 2007-06-21 2012-02-15 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法
US8250895B2 (en) * 2007-08-06 2012-08-28 H.C. Starck Inc. Methods and apparatus for controlling texture of plates and sheets by tilt rolling
US9095885B2 (en) 2007-08-06 2015-08-04 H.C. Starck Inc. Refractory metal plates with improved uniformity of texture
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
WO2010051040A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Tosoh Smd, Inc. Method of making a sputter target and sputter targets made thereby
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
WO2010085316A1 (en) 2009-01-22 2010-07-29 Tosoh Smd, Inc. Monolithic aluminum alloy target and method of manufacturing
JP5547094B2 (ja) * 2009-01-29 2014-07-09 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 高純度エルビウムスパッタリングターゲットの製造方法
SG173141A1 (en) * 2009-05-22 2011-08-29 Jx Nippon Mining & Metals Corp Tantalum sputtering target
CN102471874B (zh) * 2009-08-11 2014-09-17 吉坤日矿日石金属株式会社 钽溅射靶
US9845528B2 (en) 2009-08-11 2017-12-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target
JP5714506B2 (ja) * 2009-11-17 2015-05-07 株式会社東芝 タンタルスパッタリングターゲットおよびタンタルスパッタリングターゲットの製造方法ならびに半導体素子の製造方法
KR20130008089A (ko) 2010-08-09 2013-01-21 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 탄탈 스퍼터링 타깃
CN101920435B (zh) * 2010-08-20 2012-01-11 宁夏东方钽业股份有限公司 溅射钽环件的制备工艺
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
CN102296272B (zh) * 2011-08-17 2013-09-04 宁波江丰电子材料有限公司 钽靶材制作方法
KR101374281B1 (ko) * 2011-09-19 2014-04-09 (주)나인디지트 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 판재 및 그 제조방법
CN102517550B (zh) * 2011-12-20 2014-07-09 宁波江丰电子材料有限公司 高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材
US20130160948A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Lam Research Corporation Plasma Processing Devices With Corrosion Resistant Components
CN103572223B (zh) * 2012-08-01 2016-01-27 宁波江丰电子材料股份有限公司 钽靶材及钽靶材组件的制造方法
CN103028898A (zh) * 2012-08-16 2013-04-10 宁夏东方钽业股份有限公司 一种高性能钽靶材的制备方法
CN102873093B (zh) * 2012-10-31 2014-12-03 西安诺博尔稀贵金属材料有限公司 一种大尺寸钽板材的制备方法
US9117821B2 (en) * 2013-03-12 2015-08-25 Carnegie Mellon University Oriented crystal nanowire interconnects
CN103240417B (zh) * 2013-05-27 2016-02-10 宁夏东方钽业股份有限公司 一种钽带及其制备方法
KR101500108B1 (ko) * 2013-07-23 2015-03-06 희성금속 주식회사 미세 결정입자를 갖는 스퍼터링용 탄탈럼 타겟 및 이의 제조방법
CN105377481B (zh) * 2014-02-27 2018-02-06 宁夏东方钽业股份有限公司 一种高纯钽粉及其制备方法
US20160208377A1 (en) * 2014-03-27 2016-07-21 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target and method for producing same
EP3129176A1 (en) * 2014-04-11 2017-02-15 H.C. Starck Inc. High purity refractory metal sputtering targets which have a uniform random texture manufactured by hot isostatic pressing high purity refractory metal powders
KR101605633B1 (ko) 2014-09-30 2016-04-01 희성금속 주식회사 반도체용 탄탈럼 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 탄탈럼 스퍼터링 타겟
US10655214B2 (en) * 2015-04-10 2020-05-19 Tosoh Smd, Inc. Method of making a tantalum sputter target and sputter targets made thereby
JP6293928B2 (ja) * 2015-05-22 2018-03-14 Ｊｘ金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
US10658163B2 (en) 2015-05-22 2020-05-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target, and production method therefor
RU2647966C2 (ru) * 2015-10-20 2018-03-21 Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" Устройство для получения порошка тантала
US11837449B2 (en) * 2016-03-25 2023-12-05 Jx Metals Corporation Ti-Nb alloy sputtering target and production method thereof
CN106048231B (zh) * 2016-07-14 2018-06-08 上海交通大学 废旧钽电容器中回收钽、银、镍和铁的方法
SG11201810892XA (en) 2017-03-30 2019-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Tantalum sputtering target
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
CA3091448C (en) 2018-03-05 2024-03-19 Craig Sungail Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
US10943744B2 (en) 2018-03-05 2021-03-09 Global Advanced Metals Usa, Inc. Anodes containing spherical powder and capacitors
EP3746239A2 (en) 2018-03-05 2020-12-09 Global Advanced Metals USA, Inc. Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
TWI704246B (zh) * 2018-03-07 2020-09-11 住華科技股份有限公司 承載板、濺鍍用靶材及其黏貼方法
CN109338316B (zh) * 2018-09-12 2020-04-28 中南大学 一种组织及织构可控的超高纯钽及其制备方法和应用
CN109097713B (zh) * 2018-09-29 2019-12-03 中南大学 一种超细晶Ta材及其制备方法
KR102123214B1 (ko) * 2018-10-26 2020-06-16 한국생산기술연구원 탄탈륨 와이어 제조 방법
CN111004985B (zh) * 2019-11-25 2021-05-11 有研亿金新材料有限公司 一种镍钒溅射靶材的制备方法
CN111440938B (zh) * 2020-04-21 2022-01-28 合肥工业大学 一种轧制纯钽箔的退火强化工艺方法
CN115261695A (zh) * 2022-08-19 2022-11-01 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种耐腐蚀性的钽钨铂合金及其制备方法
CN115572844B (zh) * 2022-10-27 2024-01-19 先导薄膜材料(安徽)有限公司 从钽残靶中回收钽的方法

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US460048A (en) * 1891-09-22 Electric coupling
US2516863A (en) * 1946-07-15 1950-08-01 Gardner Daniel Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof
US2992095A (en) 1958-01-17 1961-07-11 Wah Chang Corp Process of separating niobium and tantalum values in oxidic ores and of producing pure niobium
US3085871A (en) 1958-02-24 1963-04-16 Griffiths Kenneth Frank Method for producing the refractory metals hafnium, titanium, vanadium, silicon, zirconium, thorium, columbium, and chromium
NL252366A (ja) 1958-06-13
US3110585A (en) 1959-10-21 1963-11-12 Ciba Ltd Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof
GB955832A (en) 1959-10-21 1964-04-22 Ciba Ltd Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof
US3335037A (en) * 1963-12-27 1967-08-08 Gen Electric Method for producing tantalum sheet
US3268328A (en) 1964-11-03 1966-08-23 Nat Res Corp Metallurgy
US3497402A (en) * 1966-02-03 1970-02-24 Nat Res Corp Stabilized grain-size tantalum alloy
CH515996A (de) 1968-06-06 1971-11-30 Starck Hermann C Fa Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal
US3597192A (en) 1968-12-05 1971-08-03 Atomic Energy Commission Preparation of tantalum metal
US3653850A (en) 1969-04-14 1972-04-04 Norton Co Process for purifying tantalum fluoride salts
FR2129996B1 (ja) * 1971-03-25 1975-01-17 Centre Nat Etd Spatiales
US3767456A (en) 1971-09-07 1973-10-23 Fansteel Inc Chemical vapor deposition of steel with tantalum and columbium
DE2215151C3 (de) 1972-03-28 1979-05-23 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal
LU67831A1 (ja) 1972-10-31 1973-08-28 Siemens Ag
US3829310A (en) 1973-04-30 1974-08-13 Norton Co High surface area valve metal powder
DE2517180C3 (de) 1975-04-18 1979-04-19 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren
US3995039A (en) 1975-05-27 1976-11-30 Merck & Co., Inc. Pyrazolo [1,5-a] [1,3,5] triazines
US4032328A (en) 1975-10-23 1977-06-28 University Of Minnesota, Inc. Metal reduction process
US4141719A (en) 1977-05-31 1979-02-27 Fansteel Inc. Tantalum metal powder
US4149876A (en) 1978-06-06 1979-04-17 Fansteel Inc. Process for producing tantalum and columbium powder
JPS5548512A (en) 1978-10-02 1980-04-07 Chem Design Kenkyusho:Kk Point cutter
IT1153988B (it) 1981-10-05 1987-01-21 Medea Res Srl Composizioni ad attivita' antimicrobica
USRE34035E (en) 1982-02-27 1992-08-18 U.S. Philips Corp. Carbon containing layer
JPS59131291A (ja) 1983-01-17 1984-07-28 Mitsubishi Electric Corp マルチウエイスピ−カ装置用チヤンネル・デバイデイング・アンプ
US4600448A (en) 1983-06-01 1986-07-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Copper-tantalum alloy
JPS6066425A (ja) * 1983-09-22 1985-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法
JPS60122751A (ja) 1983-12-02 1985-07-01 Sumitomo Metal Ind Ltd 耐アルカリ性ガラス繊維用原料組成物
US4490340A (en) 1984-02-29 1984-12-25 Gte Products Corporation Process for the recovery of high purity tantalum oxide
JPS60247022A (ja) 1984-05-22 1985-12-06 Nissan Motor Co Ltd エンジンの燃料供給制御装置
JPS6185746A (ja) 1984-10-03 1986-05-01 株式会社　本田ロツク ヒユ−ズ回路ユニツト
JPS61133802A (ja) 1984-12-05 1986-06-21 Toshiba Corp 回転軸の芯出し用測定装置
JPS61146717A (ja) 1984-12-18 1986-07-04 Sumitomo Chem Co Ltd タンタルの精製方法
GB2176923B (en) 1985-06-25 1989-01-05 Plessey Co Plc Frequency dividing arrangements
LU86090A1 (fr) * 1985-09-23 1987-04-02 Metallurgie Hoboken Procede pour preparer du tantale ou du niobium affins
US4684399A (en) 1986-03-04 1987-08-04 Cabot Corporation Tantalum powder process
JPS62229730A (ja) 1986-03-31 1987-10-08 日本電信電話株式会社 同軸多極スイツチ
US4708313A (en) 1986-03-31 1987-11-24 Wang Laboratories, Inc. Tilt apparatus for a display monitor
JPH0659831B2 (ja) 1986-03-31 1994-08-10 アイシン精機株式会社 チルトステアリング装置
JPH0621346B2 (ja) 1986-06-11 1994-03-23 日本鉱業株式会社 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法
JPS63119079A (ja) 1986-11-06 1988-05-23 Seiko Epson Corp 磁気デイスクの試験方法
DE8700365U1 (de) 1987-01-09 1987-02-26 Raisch, Arthur, 7250 Leonberg Vorrichtung zum Kennzeichnen von Felgen
JPS63216966A (ja) * 1987-03-06 1988-09-09 Toshiba Corp スパツタタ−ゲツト
DE3712281A1 (de) 1987-04-10 1988-10-27 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug
US4786468A (en) 1987-06-04 1988-11-22 Battelle Memorial Institute Corrosion resistant tantalum and tungsten alloys
JPS6415334A (en) 1987-07-09 1989-01-19 Toho Titanium Co Ltd Production of metal from metal halide
JPH01289559A (ja) 1988-05-13 1989-11-21 Toyota Motor Corp 金属部材の鋳ぐるみ方法
JPH01290766A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Nippon Mining Co Ltd Ｔｉ含有高純度Ｔａターゲット及びその製造方法
JPH0270029A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Nippon Mining Co Ltd Ｔａ又はＮｂの製造方法及びその製造装置
JPH02102790A (ja) 1988-10-11 1990-04-16 Toosui Kk プール用水のオゾン処理装置
JPH02123021A (ja) 1988-10-28 1990-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 部品供給装置
US4960163A (en) * 1988-11-21 1990-10-02 Aluminum Company Of America Fine grain casting by mechanical stirring
US5294321A (en) 1988-12-21 1994-03-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target
DE3904292A1 (de) 1989-02-14 1990-08-16 Starck Hermann C Fa Hochreines tantalpentoxid sowie verfahren zu dessen herstellung
US5242481A (en) 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US5204057A (en) 1989-07-14 1993-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Highly purified titanium material and its named article, a sputtering target
US5013357A (en) 1989-10-26 1991-05-07 Westinghouse Electric Corp. Direct production of niobium titanium alloy during niobium reduction
JP3031474B2 (ja) 1989-12-26 2000-04-10 株式会社東芝 高純度タンタル材，タンタルターゲット，薄膜および半導体装置の製造方法
US5530467A (en) 1990-02-01 1996-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target, film resistor and thermal printer head
KR940008936B1 (ko) 1990-02-15 1994-09-28 가부시끼가이샤 도시바 고순도 금속재와 그 성질을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
US5234491A (en) 1990-05-17 1993-08-10 Cabot Corporation Method of producing high surface area, low metal impurity
KR100220881B1 (ko) * 1990-05-17 1999-09-15 마싸 앤 피네간 고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조 방법
DE4021207A1 (de) 1990-07-03 1992-01-16 Starck Hermann C Fa Verfahren zur gewinnung und trennung von tantal und niob
AU8629491A (en) 1990-08-30 1992-03-30 Materials Research Corporation Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith
DE4032566C2 (de) 1990-10-13 1993-12-16 Schott Glaswerke Bleifreies optisches Glas mit negativ abweichender anomaler Teildispersion
US5284561A (en) 1991-11-13 1994-02-08 Materials Research Corporation Method and apparatus for sputter coating employing machine readable indicia carried by target assembly
US5490914A (en) 1995-02-14 1996-02-13 Sony Corporation High utilization sputtering target for cathode assembly
JPH04178940A (ja) 1990-11-13 1992-06-25 Mitsubishi Kasei Corp 光記録媒体
WO1992013360A1 (en) 1991-01-17 1992-08-06 Mitsubishi Kasei Corporation Aluminum alloy wiring layer, manufacturing thereof, and aluminum alloy sputtering target
US5087297A (en) 1991-01-17 1992-02-11 Johnson Matthey Inc. Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same
US5234487A (en) 1991-04-15 1993-08-10 Tosoh Smd, Inc. Method of producing tungsten-titanium sputter targets and targets produced thereby
US5143590A (en) 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5342571A (en) 1992-02-19 1994-08-30 Tosoh Smd, Inc. Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets
DE4207145C1 (en) 1992-03-06 1993-04-29 H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De Hydro:methallurgical process for recovery of tantalum and niobium - by digesting material e.g. columbite ore with hydrofluoric acid followed by solvent extn. of formed fluoro:complexes
JPH05295531A (ja) 1992-04-21 1993-11-09 Toshiba Corp Ｔｉ−Ｗ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US5269403A (en) 1992-06-15 1993-12-14 Johnson Matthey Electronics Sputtering target assembly for a sputter coating apparatus
US5693203A (en) * 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
TW234767B (ja) 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5406850A (en) 1993-01-14 1995-04-18 Tosoh Smd, Inc. Method of non-destructively testing a sputtering target
JPH06264232A (ja) 1993-03-12 1994-09-20 Nikko Kinzoku Kk Ｔａ製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法
US5455197A (en) 1993-07-16 1995-10-03 Materials Research Corporation Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer
US5772860A (en) 1993-09-27 1998-06-30 Japan Energy Corporation High purity titanium sputtering targets
US5709783A (en) 1993-11-18 1998-01-20 Mcdonnell Douglas Corporation Preparation of sputtering targets
US5433835B1 (en) 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
DE4404374C1 (de) 1994-02-11 1995-05-18 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Gewinnung und Trennung von Tantal und Niob
US5474667A (en) 1994-02-22 1995-12-12 Materials Research Corporation Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor
DE4414571C1 (de) 1994-04-27 1996-01-18 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Tantal-Niob-Konzentraten
US5442978A (en) * 1994-05-19 1995-08-22 H. C. Starck, Inc. Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions
KR0141194B1 (ko) 1994-06-10 1998-07-15 김광호 스퍼터링용 타아게트의 제조방법
US5630918A (en) 1994-06-13 1997-05-20 Tosoh Corporation ITO sputtering target
US5464711A (en) 1994-08-01 1995-11-07 Motorola Inc. Process for fabricating an X-ray absorbing mask
US5656216A (en) 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US5687600A (en) 1994-10-26 1997-11-18 Johnson Matthey Electronics, Inc. Metal sputtering target assembly
US5522535A (en) 1994-11-15 1996-06-04 Tosoh Smd, Inc. Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies
JPH08165528A (ja) 1994-12-09 1996-06-25 Japan Energy Corp 高純度高融点金属または合金の製造方法
US5590389A (en) * 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
US5529673A (en) 1995-02-17 1996-06-25 Sony Corporation Mechanically joined sputtering target and adapter therefor
US5736657A (en) 1995-03-31 1998-04-07 Ricoh Company, Ltd. Sputtering target
JP3852967B2 (ja) 1995-07-14 2006-12-06 株式会社アルバック 低圧スパッタリング装置
KR100434646B1 (ko) 1995-11-08 2004-09-01 도소 가부시키가이샤 소결된ito콤팩트의제조공정
US5635146A (en) 1995-11-30 1997-06-03 Osram Sylvania Inc. Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide
US5674367A (en) 1995-12-22 1997-10-07 Sony Corporation Sputtering target having a shrink fit mounting ring
US5707599A (en) 1996-02-13 1998-01-13 Santiam Electroactive Materials Process for purifying tantalum oxide and other metal oxides
US5741404A (en) 1996-05-24 1998-04-21 Micron Technology, Inc. Multi-planar angulated sputtering target and method of use for filling openings
US5766380A (en) 1996-11-05 1998-06-16 Sony Corporation Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates
US6569270B2 (en) 1997-07-11 2003-05-27 Honeywell International Inc. Process for producing a metal article
JPH1180942A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Japan Energy Corp Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体
US6010676A (en) 1997-09-12 2000-01-04 Osram Sylvania Inc. Method for making a highly pure tantalum compound
US6323055B1 (en) 1998-05-27 2001-11-27 The Alta Group, Inc. Tantalum sputtering target and method of manufacture
US6348139B1 (en) * 1998-06-17 2002-02-19 Honeywell International Inc. Tantalum-comprising articles
US6193821B1 (en) 1998-08-19 2001-02-27 Tosoh Smd, Inc. Fine grain tantalum sputtering target and fabrication process
US6348113B1 (en) * 1998-11-25 2002-02-19 Cabot Corporation High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same
US6331233B1 (en) 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
US6462339B1 (en) * 2000-09-20 2002-10-08 Cabot Corporation Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material

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