JP5547094B2 - 高純度エルビウムスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
希土類元素は一般に酸化数3の化合物が安定であるが、エルビウムも3価である。最近ではエルビウムをメタルゲート材料、High−kの用途等の電子材料として研究開発が進められており、注目されている金属である。
また、エルビウムは磁気冷凍材として用いられたが、電子部品として利用するというようなことが考えられていなかったので、それほど着目されてきた金属とは言えない。したがって、エルビウムの実用的な抽出方法に関する文献は多くない。希土類金属の抽出という中で、その一部に挙げられてきた程度である、次に、これを紹介する。
これによって酸素含有量が300ppm以下であり、カルシウム、リチウム、フッ素などの不純物が少ない高純度希土類金属を得ることが開示されている(例えば、特許文献4参照)。この技術も、上記と同様に溶融塩電解浴の利用を基本とするものであり、複雑な工程が必要であり、使用するリチウム、バリウム、カルシウム等が不純物として随伴する問題が残り、かつ酸素除去の効果も十分とは言えない。
上記の文献に示すように、エルビウムの精製効果は必ずしも十分ではなく、特に酸素の低減化を図るものは少なく、低減化を図っても十分ではないという問題がある。また、溶融塩電解を使用するものは工程が複雑となり、また精製効果が十分でないという問題がある。このように、高融点金属であり、蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する技術については、効率的かつ安定した生産方法がないというのが現状である。
上記従来技術に記載するように、エルビウムは酸素と結合し易く、酸素の除去が難しい材料であるが、本願発明は、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、さらに酸素含有量が200wtppm以下の高純度エルビウムを得ることができる。以上の高純度エルビウムは新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。
本願発明の高純度エルビウムの製造方法はこれらを包含する。さらに、このようにして得た高純度エルビウムは新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。
したがって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上、酸素含有量が200wtppm以下、アルカリ金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ100wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下である高純度エルビウムスパッタリングターゲットを得ることができる。
粗酸化エルビウムを還元性の金属と混合し、真空中1500〜2500°Cに加熱し還元する。還元性の金属としては、蒸気圧が低く還元力が高いイットリウム(Y)金属が有効であるが、これ以外にランタン(La)等の還元性金属を使用することも可能である。蒸気圧が低く還元力が高い金属であれば、その使用に特に制限はない。
また、アルカリ土類金属元素についても同様の問題があり、その含有量をそれぞれ20wtppm以下、好ましくは、それぞれ1wtppm以下とする。
本願発明のターゲットのα線量をガスフロー比例計数管方式の測定装置を用いて測定した結果、α線量は0.01cph/cm2以下であった。
このような事情から、ある程度、他の希土類の混入は黙認されるが、エルビウム自体の特性を向上させようとする場合は、少ないことが望ましいことは、言うまでもない。
また、ガス成分を除いた純度が4N以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。
また、酸化物が存在するとパーティクルやノジュール発生の原因となるので、好ましくない。また、後述するメタルゲート膜の性質に影響を少なからず与えるので、極力低減させる必要があることは言うまでもない。したがって、酸素については、厳重に制御することが望ましいことは言うまでもない。好ましくは100wtppm以下、さらに望ましくは10wtppm以下とする。
ターゲットの製造は、鍛造・圧延・切削・仕上げ加工(研磨)等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。
本発明は、エルビウム原料として、3Nの粗酸化エルビウム(Er2O3)を使用した。この原料に含まれる不純物を、表1に示す。
次に、これを還元性の金属であるイットリウム(Y)と混合し、真空蒸留装置を使用して、真空中1600°Cに加熱し還元した。酸化エルビウムの還元の進行と共に、エルビウムが蒸留され純度が向上し、エルビウムがコンデンサ部に貯留した。
蒸留熱還元反応は、次の通りである。
Er2O3(固体)+2Y(固体)→2Er(気体)+3Y2O3(固体)
上記コンデンサに貯留したエルビウム蒸留物から10kgを取り出し、CaO坩堝を使用し、Ar雰囲気中で溶解し、凝固させてインゴットとした。
ターゲットのα線量をガスフロー比例計数管方式の測定装置を用いて測定した結果、α線量は0.01cph/cm2以下であった。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。
実施例1と同様の原料を用いて、還元を行った。還元剤としてLaを用いた以外は、全て実施例1と同様に実施した。
この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であって、酸素含有量が60wtppm、アルカリ金属の各元素がそれぞれ1wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下の高純度エルビウムを製造することができた。実施例1および実施例2のいずれも、酸素含有量が100wtppm以下とすることが出来たが、実施例2の場合は放射性元素U,Thの含有量がやや高かった。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。この結果を、同様に表1に示す。
原料として3Nレベルの酸化エルビウムを用い、還元・蒸留温度を2500°Cとした以外は、全て実施例1と同様に実施した。
この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であって、酸素含有量が200wtppm、アルカリ金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ100wtppm以下、放射性元素がそれぞれ5wtppb以下の高純度エルビウムを製造することができた。この実施例では、還元・蒸留温度が高かったことから、全体に不純物が多いが許容範囲に収めることができた。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。この結果を、同様に表1に示す。
実施例1で得た金属エルビウムを再蒸留して、金属エルビウムを製造した。この不純物の含有量を表1に示す。
この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であって、酸素含有量が10wtppm以下、アルカリ金属の各元素がそれぞれ1wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ1wtppm以下、放射性元素がそれぞれ5wtppb以下の高純度エルビウムを製造することができた。この場合、再蒸留の効果により不純物濃度が極めて少ない結果が得られた。
このようにして製造したインゴットから得たスパッタリングターゲットは、表1に示すように、さらに高純度化することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。
原料として3Nレベルの酸化エルビウムを用い、還元・蒸留温度を2000°Cとした以外は、全て実施例1と同様に実施した。
この結果、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であって、酸素含有量が200wtppm、アルカリ金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ100wtppm以下、放射性元素がそれぞれ5wtppb以下の高純度エルビウムを製造することができた。この実施例では、還元・蒸留温度が実施例1と実施例3の中間であり、それらの中間程度の、不純物含有量となった。
このインゴットから得たスパッタリングターゲットは、同様に高純度を維持することができ、これをスパッタすることにより均一な特性の高純度エルビウムの薄膜を基板上に形成することができた。この結果を、同様に表1に示す。
実施例1と同様の原料を用い、還元剤としてCaを用いたが、還元することができなかった。これは、Caが還元剤としての役割をすることができなかったためである。
以上の実施例においては特に示していないが、エルビウムの還元及び蒸留を行う際の温度1500〜2500°Cの温度の範囲で、所望の結果が得られたことを確認した。
また、実施例においては特に示していないが、純度3Nを超える高純度の原料を用いた場合には、いずれも本願発明の精製条件で純度4Nの高純度エルビウムであって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上、酸素含有量が200wtppm以下、アルカリ金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ100wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下を達成できることを確認した。特に、酸素含有量が200wtppm以下とすることが可能であることを確認した。
以上については、重複する煩雑さを避けるために、実施例として掲載していないが、具体的な条件として確認されたものである。
Claims (3)
- 酸化エルビウムを還元金属と混合した後、真空中で加熱して金属エルビムに還元しつつ蒸留し、さらに蒸留物を不活性雰囲気中で溶解し鋳造して得たインゴットからターゲットに作製した、希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上、酸素含有量が200wtppm以下、アルカリ金属の各元素がそれぞれ10wtppm以下、遷移金属の各元素がそれぞれ100wtppm以下、放射性元素がそれぞれ10wtppb以下であり、α線量を0.01cph/cm2以下とすることを特徴とする高純度エルビウムスパッタリングターゲットの製造方法。
- エルビウムの還元及び蒸留を行う際に、1500〜2500°Cの温度に加熱することを特徴とする請求項1記載の高純度エルビウムスパッタリングターゲットの製造方法。
- 純度3N以下の酸化エルビウムを原料に用い、これを精製して純度4N以上の高純度エルビウムを得ることを特徴とする請求項1又は2記載の高純度エルビウムスパッタリングターゲットの製造方法。
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KR101547051B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2015-08-24 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 에르븀, 고순도 에르븀으로 이루어지는 스퍼터링 타깃, 고순도 에르븀을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 및 고순도 에르븀의 제조 방법 |
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CN104120288B (zh) * | 2014-07-21 | 2016-01-20 | 东北大学 | 一种直接热还原连续制备金属钐的方法 |
CN104805406B (zh) * | 2015-04-17 | 2017-06-06 | 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 | 铝钪旋转靶材及其制备方法 |
CN106521293B (zh) * | 2016-08-04 | 2018-03-09 | 中国科学院金属研究所 | 一种钢中添加稀土金属提高性能的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009001866A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Nikko Kinzoku Kk | エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0765129B2 (ja) | 1986-06-30 | 1995-07-12 | 三菱化学株式会社 | 希土類金属の製造法 |
US4895592A (en) * | 1987-12-14 | 1990-01-23 | Eastman Kodak Company | High purity sputtering target material and method for preparing high purity sputtering target materials |
JPH0790411A (ja) | 1993-09-14 | 1995-04-04 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 高純度希土類金属の製造方法 |
JPH0790410A (ja) | 1993-09-14 | 1995-04-04 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 低酸素希土類金属の製造方法 |
JPH0885833A (ja) | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類金属の精製方法 |
US6056857A (en) * | 1997-08-13 | 2000-05-02 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Cryogenic annealing of sputtering targets |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
CN1121507C (zh) * | 1999-08-06 | 2003-09-17 | 上海交通大学 | 含混合稀土元素的高阻溅射靶材及其生产工艺 |
US6689630B2 (en) * | 2000-05-23 | 2004-02-10 | Ohio University | Method of forming an amorphous aluminum nitride emitter including a rare earth or transition metal element |
US6887356B2 (en) * | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
EP1686196B1 (en) * | 2003-11-19 | 2009-04-29 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing high purity hafnium |
US20050225927A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Tagusagawa Solon Y | Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom |
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