DE3712281A1 - Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug - Google Patents
Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeugInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von hochduktilem
Tantal-Halbzeug für die Verwendung auf dem Gebiet der Hochgeschwindigkeits
umformung.
Auf dem Gebiet der Hochgeschwindigkeitsumformung, wie sie z. B. bei Geschossen
vorkommt, wird üblicherweise hochduktiles Eisen oder Kupfer verwendet. Die
Eindringtiefe der Geschosse ist eine Funktion sowohl der Dichte des verwendeten
hochduktilen Werkstoffes als auch der Dichte des Werkstoffes, auf den das Ge
schoß auftrifft. Man ist daher seit langem bestrebt, einen hochduktilen Werk
stoff sehr hoher Dichte herzustellen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Her
stellung von hochduktilem Tantal-Halbzeug bereitzustellen, das für die Verwen
dung auf dem Gebiet der Hochgeschwindigkeitsumformung, insbesondere für Ge
schosse, geeignet ist.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch folgende Verfahrensschritte:
- a) aus mit direkt-reduziertem Tantal-Pulver, das pro g-Pulver weniger als 100 µg Niob, Wolfram und/oder Molybdän enthält, wird durch Pressen ein stabförmiger Körper hergestellt,
- b) der Körper wird in einem Elektronenstrahl-Ofen unter Aufrechterhal tung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar abgeschmolzen, die Schmelze in einer gekühlten Kokille gesammelt und ein Schmelzblock gebildet,
- c) der Schmelzblock wird mindestens zweimal im Elektronenstrahlofen unter Aufrechterhaltung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar durch Abschmelzen umgeschmolzen,
- d) der vom letzten Umschmelzzyklus erhaltene Schmelzblock wird zu einer Bramme verformt,
- e) die Bramme wird allseitig spanabhebend mit einer Rauhtiefe von maximal 25 µm geglättet,
- f) aus der glatten Bramme werden in üblicher Weise Halbzeuge durch Ver formen hergestellt, wobei in diesen Herstellungsprozeß mindestens eine Wärmebehandlung in einem induktiv und/oder widerstandsbeheizten Ofen unter Aufrechterhaltung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar einbezogen wird.
Bewährt hat es sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren, Natrium-reduziertes
Tantal-Pulver zu verwenden. Der Schmelzblock, der durch Abschmelzen des aus
Pulver durch Pressen hergestellten Körpers erhalten wird, wird vorteilhafter
weise mit einer höheren Schmelzrate (kg/h) im Elektronenstrahlofen abgeschmol
zen als der vorerwähnte Körper. Bewährt hat sich dabei die Schmelzrate für den
Schmelzblock wenigstens doppelt so groß zu wählen wie die Schmelzrate für den
durch Pressen des Pulvers hergestellten Körper.
Zur Herstellung der Bramme wird vorteilhafterweise der vom letzten Umschmelz
zyklus erhaltene Schmelzblock zunächst durch Kaltschmieden zu einem Rohling
verformt, der in blockförmige Einzelstücke zerteilt wird. Danach wird jedes
Einzelstück in leicht oxidierender Atmosphäre auf eine Temperatur von etwa
650° aufgeheizt und nach Entnahme aus dem Ofen, wenn das Einzelstück noch eine
Temperatur im Bereich von 450 bis 600°C besitzt, gestaucht. Nach vollständiger
Abkühlung auf Raumtemperatur wird der gestauchte Körper kalt zu einer Bramme
geschmiedet.
Bewährt hat es sich, in den Herstellungsprozeß für das Halbzeug einen Kalt
walzschritt mit Umformgraden von ρ 1,2 (ε 70%) einzuschalten, der sowohl
ein Walzen in Richtung der Achse des zuletzt erhaltenen Schmelzblockes als
auch in einer dazu quer verlaufenden Richtung umfaßt. Dabei ist es zweckmäßig,
vor dem Kaltwalzschritt eine Entspannungsglühung bei einer Temperatur von etwa
650°C und nach dem Kaltwalzschritt eine Rekristallisationsglühung im Bereich
von etwa 900°C durchzuführen.
Als Ergebnis des erfindungsgemäßen Verfahrens erhält man hochduktile
Tantal-Halbzeuge, die bezüglich ihrer mechanischen Eigenschaften und ihres
Gefügeaufbaus isotrop sind. Die erfindungsgemäß hergestellten Tantal-Halbzeuge
sind Textur-frei und besitzen eine Korngröße, die feiner als 30 µm (nach
ASTM E 112) ist. Ihre Zugfestigkeit ist kleiner als 200 N/mm2, ihre Dehnung
ist größer als 60%. Die Gesamtreinheit der erfindungsgemäßen Werkstoffe wird
durch die Bestimmung des Restwiderstandsverhältnisses (elektrischer Widerstand
bei der Temperatur von 273 K: durch elektrischen Widerstand bei der
Temperatur von 4,2 K) errechnet. Es beträgt bei erfindungsgemäßen Werkstoffen
wenigstens 200.
Anhand des nachfolgenden Ausführungsbeispiels wird ein Verfahren zur Herstel
lung eines erfindungsgemäßen hochduktilen Tantal-Halbzeuges beschrieben.
Zur Herstellung des durch Pressen erzeugten stabförmigen Körpers wurde
Natrium-reduziertes Tantal-Pulver verwendet, dessen Verunreinigungsgehalte
(µg/g) sich aus nachstehender Tabelle ergeben:
Aus diesem Tantal-Pulver wurde durch kalt-isostatisches Pressen ein stab
förmiger Körper hergestellt. Dieser Körper wurde als Abschmelzelektrode in
einen Elektronenstrahlofen eingesetzt und mit einer Schmelzrate im Bereich von
25 bis 35 kg/h abgeschmolzen. Während des Abschmelzprozesses wurde ein Druck
von 2 × 10-4 mbar aufrechterhalten. Die Schmelze wurde in einer wasser
gekühlten Kokille gesammelt und ein Schmelzblock (Ingot) mit einem Durchmesser
von 150 mm gebildet. Dieser Schmelzblock wurde anschließend dreimal in dem
Elektronenstrahlofen durch Abschmelzen umgeschmolzen, wobei der jeweils gebil
dete Schmelzblock wieder als Abschmelzelektrode eingesetzt wurde. Während des
ersten Umschmelzvorganges wurde in dem Elektronenstrahlofen ein Druck von
8 × 10-5 mbar aufrechterhalten, die Schmelzrate lag im Bereich von 70
bis 100 kg/h. Die entsprechenden Werte für den zweiten Umschmelzvorgang betru
gen 6 × 10-5 mbar, die Schmelzrate lag wiederum im Bereich von 70 bis 100
kg/h, während beim letzten Umschmelzvorgang der Druck im Elektronenstrahlofen
auf 3 × 10-5 mbar abgesenkt war und die Schmelzrate 120 kg/h betrug. Der
Durchmesser des vom letzten Umschmelzzyklus erhaltenen Schmelzblocks betrug
175 mm.
Der zuletzt erhaltene Schmelzblock wurde danach durch thermo-mechanische Um
formung zu einer Bramme verformt. Dabei wurde zunächst der Schmelzblock an 150
mm achtkant kaltgeschmiedet, danach wurde er in blockförmige Einzelstücke von
350 mm Länge zerteilt. Jedes Einzelstück wurde dann in leicht oxidierender
Atmosphäre in einem gasbeheizten Herdofen auf 650°C aufgeheizt und bei dieser
Temperatur während einer Dauer von etwa 2 bis 3 Stunden gehalten. Nach der
Entnahme aus dem Herdofen wurden die Einzelstücke bei einer Temperatur von ca.
550°C auf einem Schmiedehammer gestaucht. Nach seiner vollständigen Abkühlung
auf Raumtemperatur wurde das gestauchte Einzelstück zu einer Bramme kalt
geschmiedet, bis an Abmessungen in mm von ca. 160 × 65 × 800. Hieran schloß
sich ein Fräsvorgang mit einer Rauhtiefe von 20 µm zur Glättung der Bramme
an. Die geglättete Bramme wurde entfettet und zunächst in Königswasser und
danach in einem Säuregemisch, das aus einem Volumenanteil konzentrierter
Fluorwasserstoffsäure, zwei Volumenanteilen konzentrierter Salpetersäure und
zwei Volumenanteile Wasser bestand, gebeizt. Hieran schloß sich ein Kaltwalzen
mit hoher Einzelstichabnahme an, wobei sowohl in Richtung der Achse des
zuletzt erhaltenen Schmelzblockes als auch in einer quer dazu verlaufenden
Richtung gewalzt wurde. Der Verformungsgrad betrug ρ 1,3 (ε 75%). Nach
diesem Kaltwalzvorgang wurde das kaltgewalzte Teil entfettet und gebeizt.
Danach wurde eine Entspannungsglühung in einem induktiv beheizten Ofen durch
geführt, in dem während der Wärmebehandlung ein Druck von 2 × 10-4 mbar auf
rechterhalten wurde. Nach dieser Entspannungsglühung wurde das geglühte Teil
mehreren Kaltwalzschritten unterworfen, wobei wiederum ein Walzen in Richtung
längs und quer zur Achse des zuletzt erhaltenen Schmelzblocks durchgeführt
wurde. Auch dieser Kaltwalzvorgang wurde mit hoher Einzelstichabnahme durch
geführt. Der Verformungsgrad betrug ρ 1,9 (ε 85%).Im Anschluß an diesen
Kaltwalzschritt wurde das Werkstück wieder, wie bereits oben geschildert, ge
schliffen, entfettet und gebeizt und dann in einem widerstandsbeheizten
Vakuumofen einer Rekristallisationsglühung bei 875°C unterworfen.
Das so erhaltene hochduktile Tantal-Halbzeug war Textur-frei und wies eine
Korngröße feiner als 30 µm nach (ASTM E 112) auf. Seine Zugfestigkeit
betrug 192 N/mm2, seine Dehnung betrug 65%, das Restwiderstandsverhältnis
wurde mit 220 ermittelt.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung von hochduktilem Tantal-Halbzeug für die Ver
wendung auf dem Gebiet der Hochgeschwindigkeitsumformung, gekennzeichnet
durch folgende Verfahrensschritte:
- a) aus mit direkt reduziertem Tantal-Pulver, das pro g-Pulver weniger als 100 µg Niob; Wolfram und/oder Molybdän enthält, wird durch Pressen ein stabförmiger Körper hergestellt,
- b) der Körper wird in einem Elektronenstrahl-Ofen unter Aufrechter haltung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar abgeschmolzen, die Schmelze in einer gekühlten Kokille gesammelt und ein Schmelzblock gebildet,
- c) der Schmelzblock wird mindestens zweimal im Elektronenstrahlofen unter Aufrechterhaltung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar durch Abschmelzen umgeschmolzen,
- d) der vom letzten Umschmelzzyklus erhaltene Schmelzblock wird zu einer Bramme verformt,
- e) die Bramme wird allseitig spanabhebend mit einer Rauhtiefe von maximal 25 µm geglättet,
- f) aus der glatten Bramme werden in üblicher Weise Halbzeuge durch Verformen hergestellt, wobei in diesen Herstellungsprozeß mindestens eine Wärmebehandlung in einem induktiv und/oder wider standsbeheizten Ofen unter Aufrechterhaltung eines Druckes von weniger als 5 × 10-4 mbar einbezogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzblock
mit einer höheren Schmelzrate (kg/h) abgeschmolzen wird als der durch
Pressen hergestellte Körper.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzrate für
den Schmelzblock wenigstens etwa doppelt so groß gewählt wird wie die
Schmelzrate für den durch Pressen hergestellten Körper.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der vom
letzten Umschmelzzyklus erhaltene Schmelzblock durch Kaltschmieden zu
einem Rohling umgeformt, der in blockförmige Einzelstücke zerteilt wird,
wonach jedes Einzelstück in leicht oxidierender Atmosphäre auf eine
Temperatur von etwa 650°C aufgeheizt, nach geringer Abkühlung bei einer
Temperatur im Bereich von 450 bis 600°C gestaucht und nach vollständiger
Abkühlung auf Raumtemperatur kalt zu einer Bramme geschmiedet wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in den
Herstellungsprozeß für das Halbzeug ein Kaltwalzen mit Umformgraden von
ρ 1,2 (ε 70%) eingeschaltet wird, das sowohl ein Walzen in Richtung
der Achse des letzterhaltenen Schmelzblockes als auch in einer dazu quer
verlaufenden Richtung umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Kaltwalzen
eine Entspannungsglühung bei einer Temperatur von etwa 650°C und nach dem
Kaltwalzen eine Rekristallisationsglühung im Bereich von etwa 800
bis 900°C durchgeführt werden.
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5411611A (en) * | 1993-08-05 | 1995-05-02 | Cabot Corporation | Consumable electrode method for forming micro-alloyed products |
US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
CN1066367C (zh) * | 1998-11-12 | 2001-05-30 | 北京有色金属研究总院 | 一种制造用于生产钼电极坯和钼流口坯的金属钼棒的方法 |
US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US20040072009A1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-04-15 | Segal Vladimir M. | Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets |
US6878250B1 (en) * | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
US7517417B2 (en) * | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
US6331233B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
IL156802A0 (en) * | 2001-01-11 | 2004-02-08 | Cabot Corp | Tantalum and niobium billets and methods of producing same |
US7416697B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-08-26 | General Electric Company | Method for preparing a metallic article having an other additive constituent, without any melting |
US7897103B2 (en) * | 2002-12-23 | 2011-03-01 | General Electric Company | Method for making and using a rod assembly |
US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
US20040256226A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-23 | Wickersham Charles E. | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
US7531021B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-05-12 | General Electric Company | Article having a dispersion of ultrafine titanium boride particles in a titanium-base matrix |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7998287B2 (en) | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
US20070084527A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Stephane Ferrasse | High-strength mechanical and structural components, and methods of making high-strength components |
CZ308045B6 (cs) | 2006-03-07 | 2019-11-20 | Cabot Corp | Způsob výroby kovového výrobku a kovová deska, vyrobená tímto způsobem |
US20070251818A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Wuwen Yi | Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4619695A (en) * | 1983-09-22 | 1986-10-28 | Nihon Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for producing high-purity metal targets for LSI electrodes |
US4627148A (en) * | 1983-12-07 | 1986-12-09 | Hitachi, Ltd. | Method of producing high-purity metal member |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2825641A (en) * | 1955-09-21 | 1958-03-04 | Robert A Beall | Method for melting refractory metals for casting purposes |
NL252366A (de) * | 1958-06-13 | |||
US3285716A (en) * | 1964-07-20 | 1966-11-15 | Kawecki Chemical Company | Etched tantalum foil |
US3497402A (en) * | 1966-02-03 | 1970-02-24 | Nat Res Corp | Stabilized grain-size tantalum alloy |
RO76187A2 (ro) * | 1980-11-14 | 1983-08-03 | Institutul De Cercetare Stiintifica Inginerie Tehnologica Si Proiectare Sectoare Calde,Ro | Procedeu si instalatie pentru topirea si turnarea metalelor greu fuzibile |
US4722756A (en) * | 1987-02-27 | 1988-02-02 | Cabot Corp | Method for deoxidizing tantalum material |
-
1987
- 1987-04-10 DE DE19873712281 patent/DE3712281A1/de active Granted
-
1988
- 1988-01-08 DE DE8888100151T patent/DE3860768D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-08 EP EP88100151A patent/EP0285741B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-23 US US07/172,201 patent/US4844746A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4619695A (en) * | 1983-09-22 | 1986-10-28 | Nihon Kogyo Kabushiki Kaisha | Process for producing high-purity metal targets for LSI electrodes |
US4627148A (en) * | 1983-12-07 | 1986-12-09 | Hitachi, Ltd. | Method of producing high-purity metal member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0285741B1 (de) | 1990-10-10 |
EP0285741A1 (de) | 1988-10-12 |
US4844746A (en) | 1989-07-04 |
DE3712281C2 (de) | 1989-09-14 |
DE3860768D1 (de) | 1990-11-15 |
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