RU2001117202A - Высокочистый тантал и содержащие его изделия, подобные мишеням для напыления - Google Patents
Высокочистый тантал и содержащие его изделия, подобные мишеням для напыленияInfo
- Publication number
- RU2001117202A RU2001117202A RU2001117202/02A RU2001117202A RU2001117202A RU 2001117202 A RU2001117202 A RU 2001117202A RU 2001117202/02 A RU2001117202/02 A RU 2001117202/02A RU 2001117202 A RU2001117202 A RU 2001117202A RU 2001117202 A RU2001117202 A RU 2001117202A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tantalum
- metal
- metal tantalum
- clause
- random
- Prior art date
Links
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 71
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 64
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 8
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 7
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 5
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 3
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 claims 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N Hafnium Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DPXAUKPQZOAHGF-UHFFFAOYSA-G Potassium heptafluorotantalate Chemical compound [K+].[K+].F[Ta-2](F)(F)(F)(F)(F)F DPXAUKPQZOAHGF-UHFFFAOYSA-G 0.000 claims 1
- 239000005092 Ruthenium Substances 0.000 claims 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052803 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N technetium Chemical compound [Tc] GKLVYJBZJHMRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 238000010313 vacuum arc remelting Methods 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium(0) Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (63)
1. Металлический тантал, отличающийся тем, что он имеет чистоту по меньшей мере около 99,995% и средний размер зерен около 150 микрон или менее.
2. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что металл является полностью перекристаллизованным.
3. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что указанный металл является по меньшей мере частично перекристаллизованным.
4. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что перекристаллизовано около 98% или более металла.
5. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что перекристаллизовано около 80% или более указанного металла.
6. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что металл имеет текстуру, в которой (100) полюсная фигура имеет интенсивность центрального пика ниже, чем примерно 15 рандом, или логарифм отношения интенсивностей (111):(100) центрального пика больше чем примерно -4,0, или и то, и другое.
7. Металлический тантал по п.6, отличающийся тем, что интенсивность центрального пика имеет значения от примерно 0 рандом до примерно 15 рандом.
8. Металлический тантал по п.6, отличающийся тем, что интенсивность центрального пика имеет значения от примерно 0 рандом до примерно 10 рандом.
9. Металлический тантал по п.6, отличающийся тем, что логарифм отношения имеет значения от примерно -4,0 до примерно 15.
10. Металлический тантал по п.6, отличающийся тем, что логарифм отношения имеет значения от примерно -1,5 до примерно 7.
11. Металлический тантал по п.6, отличающийся тем, что интенсивность центрального пика имеет значения от примерно 0 рандом до примерно 15 рандом и указанный логарифм отношения имеет значения от примерно -4,0 до примерно 15.
12. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что имеет чистоту от 99,995% до примерно 99,999%.
13. Металлический сплав, отличающийся тем, что он включает металлический тантал по п.1, или 6, или 3.
14. Конденсаторная емкость, отличающаяся тем, что она имеет металлический тантал по п.1, или 6, или 3.
15. Слой резистивной пленки, отличающийся тем, что она имеет металлический тантал по п.1, или 6, или 3.
16. Металлический тантал, имеющий средний размер зерен около 50 микрон или менее, или текстуру, в которой (100) полюсная фигура имеет интенсивность центрального пика равна или ниже, примерно, 15 рандом, или с логарифм отношения интенсивностей (111): (100) центрального пика больше, чем примерно -4,0, или сочетание этих признаков.
17. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что средний размер зерна составляет от примерно 25 до примерно 50 мкм.
18. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что логарифм отношения интенсивностей (111):(100) центрального пика больше, чем примерно -4,0.
19. Металлический тантал по п.16, имеющий средний размер зерен около 50 микрон или менее и текстуру, в которой (100) полюсная фигура имеет интенсивности центрального пика равно или ниже, примерно, 15 рандом.
20. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что металл имеет чистоту по меньшей мере 99,995% тантала.
21. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что металл имеет чистоту по меньшей мере 99,999% тантала.
22. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что металл является полностью перекристаллизованным.
23. Металлический тантал по п.20, отличающийся тем, что металл является полностью перекристаллизованным.
24. Металлический тантал по п.21, отличающийся тем, что металл является полностью перекристаллизованным.
25. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что около 80% или более металла является полностью перекристаллизованным.
26. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что интенсивность центрального пика имеет значения от примерно 0 рандом до примерно 15 рандом.
27. Металлический тантал по п.16, отличающийся тем, что логарифм отношения имеет значения от примерно -4,0 до примерно 15.
28. Изделие, отличающееся тем, что оно содержит металлический тантал по п.1, или 6, или 3, или 16, или 21.
29. Мишень для напыления, отличающаяся тем, что она содержит металлический тантал по п.1, или 6, или 3, или 16, или 21.
30. Способ получения металлического тантала, включающий взаимодействие содержащей тантал соли с по меньшей мере одним агентом, способным восстанавливать соль до тантала и второй соли, в реакционной емкости, имеющей мешалку, отличающийся тем, что реакционная емкость или футеровка реакционной емкости и мешалка или футеровка мешалки изготовлены из металлического материала, имеющего такое же или более высокое давление пара, как и тантал при температуре плавления тантала.
31. Способ по п.30, отличающийся тем, что содержащая тантал соль включает калий-фторид тантала, а агент включает натрий.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что вторая соль включает фторид натрия и/или хлорид натрия.
33. Способ по п.30, отличающийся тем, что перед реакцией содержащей тантал соли получают кислотный раствор, включающий тантал и примеси и проводят разделения в градиенте плотности кислотного раствора, содержащего тантал, от кислотного раствора, содержащего другие примеси и кристаллизации содержащего тантал кислотного раствора для образования содержащей тантал соли.
34. Способ по п.33, отличающийся тем, что тантал и примеси представляют собой размолотую руду, включающую тантал и примеси.
35. Способ по п.33, отличающийся тем, что кислотный раствор, содержащий тантал и примеси, образуют соединением раствора кислоты с размолотой рудой, включающей тантал.
36. Способ по п.30, отличающийся тем, что реакцию ведут при температуре от примерно 800°С до примерно 1100°С при перемешивании.
37. Способ по п.30, отличающийся тем, что реакционная емкость или футеровка и мешалка или футеровка изготовлены на основе металла, выбранного из группы никель, хром, железо, марганец, титан, цирконий, гафний, ванадий, технеций, рутений, кобальт, родий, палладий, платина, или любое их сочетание.
38. Способ по п.37, отличающийся тем, что металлом является никель или сплав на основе никеля.
39. Способ по п.37, отличающийся тем, что металлом является хром или сплав на основе хрома.
40. Способ по п.37, отличающийся тем, что металлом является железо или сплав на основе железа.
41. Способ по п.30, отличающийся тем, что дополнительно извлекают тантал путем растворения второй соли в водном растворе.
42. Способ по п.41, отличающийся тем, что дополнительно плавят извлеченный тантал в достаточном вакууме для удаления практически любых присутствующих примесей из извлеченного тантала и получения высокочистого тантала.
43. Способ по п.42, отличающийся тем, что вакуум составляет 10-1 мм рт. ст. или более.
44. Способ по п.42, отличающийся тем, что давление над расплавом извлеченного тантала ниже, чем давление паров практически всех примесей.
45. Способ по п.42, отличающийся тем, что примеси удаляют испарением примесей.
46. Способ по п.42, отличающийся тем, что плавление осуществляют путем электронно-лучевой плавки.
47. Способ по п.42, отличающийся тем, что плавление осуществляют вакуумно-дуговым переплавом.
48. Способ по п.42, отличающийся тем, что высокочистому танталу дают возможность затвердеть и подвергают его переработке прокаткой, штамповкой, или и тем и другим.
49. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что металлический тантал имеющее преимущественно тонкую и однородную микроструктуру.
50. Металлический тантал по п.1, отличающийся тем, что металлический тантал имеет средний размер зерна от примерно 25 до примерно 150 микрон.
51. Металлический тантал по п.50, отличающийся тем, что металлический тантал имеет средний размер зерна от примерно 25 до примерно 100 микрон.
52. Металлический тантал по п.51, отличающийся тем, что металлический тантал имеет средний размер зерна от примерно 25 до примерно 75 микрон.
53. Способ изготовления мишени для напыления из металлического тантала, имеющего чистоту по меньшей мере 99,995%, отличающийся тем, что механически или химически очищают поверхности металлического тантала, имеющего достаточную начальную площадь поперечного сечения, проводят
плоскую штамповку металлического тантала в по меньшей мере одну заготовку для прокатки, имеющую достаточную деформацию для достижения практически однородной перекристаллизации после последующего отжига;
механически или химически очищают поверхность по меньшей мере одной заготовки для прокатки; отжигают по меньшей мере одну заготовку для прокатки при достаточной температуре и в течение достаточного времени для достижения по меньшей мере частичной перекристаллизации по меньшей мере одной заготовки для прокатки; осуществляют
холодную или горячую прокатку, по меньшей мере, одной заготовки для прокатки и в перпендикулярном, и в параллельном направлении к оси исходного металлического тантала для формования по меньшей мере одной пластины;
расплющивают, по меньшей мере, одну пластину и
отжигают, по меньшей мере, одну пластину для получения среднего размера зерна, равного или меньшего 150 микрон, и текстуры, практически свободной от (100) структурных связей.
54. Способ по п.53, отличающийся тем, что металлический тантал имеет чистоту по меньшей мере 99,999%.
55. Способ по п.53, отличающийся тем, что свободную штамповку проводят после выдержки металлического тантала на воздухе в течение по меньшей мере, примерно, 4 часов и при температурах в интервале от температуры окружающей среды до, примерно, 1200°С.
56. Способ по п.53, отличающийся тем, что холодной прокаткой является поперечная прокатка при температуре окружающей среды, а горячую прокатку проводят при температурах ниже примерно 370°С.
57. Способ по п.53, отличающийся тем, что отжиг представляет собой вакуумный отжиг при температуре и в течение времени, достаточных для того, чтобы достичь перекристаллизации металлического тантала.
58. Способ изготовления мишени для напыления из металлического тантала, имеющего чистоту по меньшей мере 99,995%, отличающийся тем, что
механически или химически очищают поверхности металлического тантала, имеющего достаточную начальную площадь поперечного сечения, проводят
круговую штамповку металлического тантала в, по меньшей мере, один пруток, где по меньшей мере один пруток имеет достаточную деформацию для достижения практически однородной перекристаллизации после последующего отжига
нарезают пруток на заготовки и проводят механическую или химическую очистку поверхностей заготовок; в случае необходимости отжигают для достижения по меньшей мере частичной перекристаллизации; штампуют заготовки по оси в полуфабрикаты; в случае необходимости отжигают полуфабрикаты для достижения по меньшей мере частичной перекристаллизации, осуществляют холодную прокатку полуфабрикатов в по меньшей мере одну пластину; в случае необходимости механически или химически очищают поверхности по меньшей мере одной пластины; и отжигают по меньшей мере одну пластину для получения среднего размера зерна, равного или меньшего чем примерно 150 микрон, и текстуру, практически свободной от (100) текстурных связей, если не полностью свободной от (100) текстурных связей.
59. Способ по п.58, отличающийся тем, что металлический тантал имеет чистоту по меньшей мере 9,999%.
60. Способ по п.58, отличающийся тем, что круговую штамповку проводят после того, как металлический тантал подвергнут воздействию температур около 370°С или ниже.
61. Способ по п.58, отличающийся тем, что перед штамповкой заготовки отжигают.
62. Способ по п.58, отличающийся тем, что перед холодной прокаткой полуфабрикаты отжигают.
63. Способ по п.58, в котором отжиг полуфабрикатов представляет собой вакуумный отжиг при достаточных температуре и времени для достижения перекристаллизации.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/199,569 | 1998-11-25 | ||
| US09/199,569 US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001117202A true RU2001117202A (ru) | 2003-05-27 |
| RU2233899C2 RU2233899C2 (ru) | 2004-08-10 |
Family
ID=22738107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001117202/02A RU2233899C2 (ru) | 1998-11-25 | 1999-11-24 | Высокочистый тантал и содержащие его изделия, подобные мишеням для распыления |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6348113B1 (ru) |
| EP (2) | EP1137820B2 (ru) |
| JP (3) | JP4652574B2 (ru) |
| KR (1) | KR100624630B1 (ru) |
| CN (2) | CN101407881B (ru) |
| AT (1) | ATE279542T1 (ru) |
| AU (1) | AU764689B2 (ru) |
| BR (1) | BR9915674A (ru) |
| CA (1) | CA2352336A1 (ru) |
| DE (1) | DE69921181T3 (ru) |
| ID (1) | ID29867A (ru) |
| MX (1) | MXPA01005264A (ru) |
| RU (1) | RU2233899C2 (ru) |
| TW (1) | TW530091B (ru) |
| WO (1) | WO2000031310A1 (ru) |
Families Citing this family (117)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
| US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
| US6348139B1 (en) | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
| US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
| US6878250B1 (en) | 1999-12-16 | 2005-04-12 | Honeywell International Inc. | Sputtering targets formed from cast materials |
| US20040072009A1 (en) * | 1999-12-16 | 2004-04-15 | Segal Vladimir M. | Copper sputtering targets and methods of forming copper sputtering targets |
| US7517417B2 (en) * | 2000-02-02 | 2009-04-14 | Honeywell International Inc. | Tantalum PVD component producing methods |
| US6331233B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
| JP5341292B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2013-11-13 | キャボット コーポレイション | ニオブスパッタ要素、ニオブ金属およびそれを含む物品 |
| JP2002060803A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-28 | Showa Kyabotto Super Metal Kk | 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法 |
| US6887356B2 (en) | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
| IL156802A0 (en) | 2001-01-11 | 2004-02-08 | Cabot Corp | Tantalum and niobium billets and methods of producing same |
| US7794554B2 (en) | 2001-02-14 | 2010-09-14 | H.C. Starck Inc. | Rejuvenation of refractory metal products |
| ATE325906T1 (de) * | 2001-02-14 | 2006-06-15 | Starck H C Inc | Reparatur von tantalsputtertargets. |
| ES2272707T3 (es) * | 2001-02-20 | 2007-05-01 | H. C. Starck, Inc. | Placas de metal refractario de textura uniforme y metodos para fabricar las mismas. |
| US6596641B2 (en) * | 2001-03-01 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
| US6770154B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-08-03 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target |
| US7081148B2 (en) * | 2001-09-18 | 2006-07-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target |
| US6800259B2 (en) * | 2002-03-04 | 2004-10-05 | Cabot Corporation | Methods to control H2S and arsine emissions |
| US20040016635A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
| JP4883546B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2012-02-22 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 |
| US20040065546A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Michaluk Christopher A. | Method to recover spent components of a sputter target |
| US20040078308A1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-04-22 | Michaluk Christopher A. | Method of supplying metal material for manufacture of sputtering targets and other articles |
| JP4263900B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2009-05-13 | 日鉱金属株式会社 | Ｔａスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| TWI341337B (en) * | 2003-01-07 | 2011-05-01 | Cabot Corp | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
| US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
| US20070276488A1 (en) * | 2003-02-10 | 2007-11-29 | Jurgen Wachter | Medical implant or device |
| ATE343403T1 (de) * | 2003-02-10 | 2006-11-15 | Heraeus Gmbh W C | Verbesserte metalllegierung für medizinische geräte und implantate |
| US20080038146A1 (en) * | 2003-02-10 | 2008-02-14 | Jurgen Wachter | Metal alloy for medical devices and implants |
| US6921470B2 (en) * | 2003-02-13 | 2005-07-26 | Cabot Corporation | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
| US20040186810A1 (en) * | 2003-02-14 | 2004-09-23 | Michaluk Christopher A. | Method of supplying sputtering targets to fabricators and other users |
| US20040262157A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-12-30 | Ford Robert B. | Method of forming sputtering target assembly and assemblies made therefrom |
| EP1609881B1 (en) * | 2003-04-01 | 2011-04-20 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing a tantalum sputtering target |
| CN1809904A (zh) * | 2003-04-25 | 2006-07-26 | 卡伯特公司 | 一种形成烧结阀金属材料的方法 |
| CN101676217A (zh) | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
| US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
| EP1639620A2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-29 | Cabot Corporation | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
| US6992261B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-01-31 | Cabot Corporation | Sputtering target assemblies using resistance welding |
| EP1681368B1 (en) * | 2003-11-06 | 2021-06-30 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Method to produce a tantalum sputtering target |
| WO2005064037A2 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cabot Corporation | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
| US20050252268A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-11-17 | Michaluk Christopher A | High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same |
| US20050155677A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Wickersham Charles E.Jr. | Tantalum and other metals with (110) orientation |
| WO2005068668A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Cabot Corporation | CONVERSION OF Ta2O5 TO Ta METAL |
| WO2005080961A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Cabot Corporation | Ultrasonic method for detecting banding in metals |
| BRPI0509236A (pt) * | 2004-03-26 | 2007-11-27 | Starck H C Inc | potes de metal refratário |
| US8252126B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
| CN101010160A (zh) * | 2004-06-28 | 2007-08-01 | 卡伯特公司 | 高电容钽片及其制备方法 |
| US7666243B2 (en) * | 2004-10-27 | 2010-02-23 | H.C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7255747B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with independent stations |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
| US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
| US8177947B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target |
| US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
| US20070044873A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | H. C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
| DE112006002609T5 (de) | 2005-09-28 | 2008-08-21 | Cabot Corp., Boston | Trägheitsbondverfahren zum Ausbilden einer Sputtertarget-Anordnung und dadurch hergestellte Sputtertarget-Anordnung |
| WO2007040014A1 (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット |
| US20070084527A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-19 | Stephane Ferrasse | High-strength mechanical and structural components, and methods of making high-strength components |
| US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
| WO2007103309A2 (en) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Cabot Corporation | Methods of producing deformed metal articles |
| JP4974362B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-07-11 | 株式会社アルバック | Ｔａスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US20070251818A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Wuwen Yi | Copper physical vapor deposition targets and methods of making copper physical vapor deposition targets |
| US20080105084A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Niotan, Inc. | Method of production of tantalum powder with low impurity level |
| GB0622463D0 (en) * | 2006-11-10 | 2006-12-20 | Avx Ltd | Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes |
| MX2009011368A (es) * | 2007-04-27 | 2009-11-09 | Starck H C Inc | Aleacion a base de tantalio resistente a corrosion acuosa. |
| JP4874879B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2012-02-15 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US8250895B2 (en) * | 2007-08-06 | 2012-08-28 | H.C. Starck Inc. | Methods and apparatus for controlling texture of plates and sheets by tilt rolling |
| US9095885B2 (en) | 2007-08-06 | 2015-08-04 | H.C. Starck Inc. | Refractory metal plates with improved uniformity of texture |
| US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
| US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
| WO2010051040A1 (en) * | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Tosoh Smd, Inc. | Method of making a sputter target and sputter targets made thereby |
| US8430944B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-04-30 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Fine particle recovery methods for valve metal powders |
| KR20110106787A (ko) | 2009-01-22 | 2011-09-29 | 토소우 에스엠디, 인크 | 모놀리식 알루미늄 합금 타겟 및 그 제조방법 |
| CN102301018B (zh) * | 2009-01-29 | 2015-07-15 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜 |
| SG173141A1 (en) * | 2009-05-22 | 2011-08-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target |
| KR101338630B1 (ko) * | 2009-08-11 | 2013-12-06 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈륨 스퍼터링 타깃 |
| SG174153A1 (en) | 2009-08-11 | 2011-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target |
| KR20150039218A (ko) * | 2009-11-17 | 2015-04-09 | 가부시끼가이샤 도시바 | 탄탈 스퍼터링 타겟 및 탄탈 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| SG186765A1 (en) * | 2010-08-09 | 2013-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target |
| CN101920435B (zh) * | 2010-08-20 | 2012-01-11 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 溅射钽环件的制备工艺 |
| US8687347B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-04-01 | Avx Corporation | Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor |
| CN102296272B (zh) * | 2011-08-17 | 2013-09-04 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 钽靶材制作方法 |
| KR101374281B1 (ko) * | 2011-09-19 | 2014-04-09 | (주)나인디지트 | 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 판재 및 그 제조방법 |
| CN102517550B (zh) * | 2011-12-20 | 2014-07-09 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材 |
| US20130160948A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Lam Research Corporation | Plasma Processing Devices With Corrosion Resistant Components |
| CN103572223B (zh) * | 2012-08-01 | 2016-01-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钽靶材及钽靶材组件的制造方法 |
| CN103028898A (zh) * | 2012-08-16 | 2013-04-10 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种高性能钽靶材的制备方法 |
| CN102873093B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-12-03 | 西安诺博尔稀贵金属材料有限公司 | 一种大尺寸钽板材的制备方法 |
| US9117821B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-08-25 | Carnegie Mellon University | Oriented crystal nanowire interconnects |
| CN103240417B (zh) * | 2013-05-27 | 2016-02-10 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种钽带及其制备方法 |
| KR101500108B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2015-03-06 | 희성금속 주식회사 | 미세 결정입자를 갖는 스퍼터링용 탄탈럼 타겟 및 이의 제조방법 |
| JP2017512897A (ja) * | 2014-02-27 | 2017-05-25 | ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド | 高純度タンタル粉末及びその調製方法 |
| WO2015146516A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6573629B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2019-09-11 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドＨ．Ｃ． Ｓｔａｒｃｋ， Ｉｎｃ． | 高純度耐熱金属粉体、及び無秩序な組織を有し得るスパッタリングターゲットにおけるその使用 |
| KR101605633B1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-01 | 희성금속 주식회사 | 반도체용 탄탈럼 타겟의 제조방법 및 이로부터 제조된 탄탈럼 스퍼터링 타겟 |
| KR20170134365A (ko) * | 2015-04-10 | 2017-12-06 | 토소우 에스엠디, 인크 | 탄탈 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 스퍼터 타겟 |
| SG11201708112TA (en) | 2015-05-22 | 2017-11-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target, and production method therefor |
| WO2016190160A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Ｊｘ金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| RU2647966C2 (ru) * | 2015-10-20 | 2018-03-21 | Акционерное общество "Ульбинский металлургический завод" | Устройство для получения порошка тантала |
| US11837449B2 (en) * | 2016-03-25 | 2023-12-05 | Jx Metals Corporation | Ti-Nb alloy sputtering target and production method thereof |
| CN106048231B (zh) * | 2016-07-14 | 2018-06-08 | 上海交通大学 | 废旧钽电容器中回收钽、银、镍和铁的方法 |
| WO2018179742A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Ｊｘ金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
| US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
| KR102389784B1 (ko) | 2018-03-05 | 2022-04-22 | 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. | 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터 |
| CN111819016A (zh) | 2018-03-05 | 2020-10-23 | 全球先进金属美国股份有限公司 | 球形钽粉末、含其的产品以及其制造方法 |
| WO2019236160A2 (en) | 2018-03-05 | 2019-12-12 | Global Advanced Metals Usa, Inc. | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
| TWI704246B (zh) * | 2018-03-07 | 2020-09-11 | 住華科技股份有限公司 | 承載板、濺鍍用靶材及其黏貼方法 |
| CN109338316B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-04-28 | 中南大学 | 一种组织及织构可控的超高纯钽及其制备方法和应用 |
| CN109097713B (zh) * | 2018-09-29 | 2019-12-03 | 中南大学 | 一种超细晶Ta材及其制备方法 |
| KR102123214B1 (ko) * | 2018-10-26 | 2020-06-16 | 한국생산기술연구원 | 탄탈륨 와이어 제조 방법 |
| CN111004985B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-11 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种镍钒溅射靶材的制备方法 |
| CN111440938B (zh) * | 2020-04-21 | 2022-01-28 | 合肥工业大学 | 一种轧制纯钽箔的退火强化工艺方法 |
| CN115261695A (zh) * | 2022-08-19 | 2022-11-01 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种耐腐蚀性的钽钨铂合金及其制备方法 |
| CN115572844B (zh) * | 2022-10-27 | 2024-01-19 | 先导薄膜材料(安徽)有限公司 | 从钽残靶中回收钽的方法 |
Family Cites Families (116)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US460048A (en) * | 1891-09-22 | Electric coupling | ||
| US2516863A (en) | 1946-07-15 | 1950-08-01 | Gardner Daniel | Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof |
| US2992095A (en) | 1958-01-17 | 1961-07-11 | Wah Chang Corp | Process of separating niobium and tantalum values in oxidic ores and of producing pure niobium |
| US3085871A (en) | 1958-02-24 | 1963-04-16 | Griffiths Kenneth Frank | Method for producing the refractory metals hafnium, titanium, vanadium, silicon, zirconium, thorium, columbium, and chromium |
| NL252366A (ru) | 1958-06-13 | |||
| US3110585A (en) | 1959-10-21 | 1963-11-12 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
| GB955832A (en) | 1959-10-21 | 1964-04-22 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
| US3335037A (en) * | 1963-12-27 | 1967-08-08 | Gen Electric | Method for producing tantalum sheet |
| US3268328A (en) | 1964-11-03 | 1966-08-23 | Nat Res Corp | Metallurgy |
| US3497402A (en) * | 1966-02-03 | 1970-02-24 | Nat Res Corp | Stabilized grain-size tantalum alloy |
| CH515996A (de) | 1968-06-06 | 1971-11-30 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal |
| US3597192A (en) | 1968-12-05 | 1971-08-03 | Atomic Energy Commission | Preparation of tantalum metal |
| US3653850A (en) | 1969-04-14 | 1972-04-04 | Norton Co | Process for purifying tantalum fluoride salts |
| FR2129996B1 (ru) * | 1971-03-25 | 1975-01-17 | Centre Nat Etd Spatiales | |
| US3767456A (en) | 1971-09-07 | 1973-10-23 | Fansteel Inc | Chemical vapor deposition of steel with tantalum and columbium |
| DE2215151C3 (de) | 1972-03-28 | 1979-05-23 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von dünnen Schichten aus Tantal |
| LU67831A1 (ru) | 1972-10-31 | 1973-08-28 | Siemens Ag | |
| US3829310A (en) | 1973-04-30 | 1974-08-13 | Norton Co | High surface area valve metal powder |
| DE2517180C3 (de) | 1975-04-18 | 1979-04-19 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren |
| US3995039A (en) | 1975-05-27 | 1976-11-30 | Merck & Co., Inc. | Pyrazolo [1,5-a] [1,3,5] triazines |
| US4032328A (en) | 1975-10-23 | 1977-06-28 | University Of Minnesota, Inc. | Metal reduction process |
| US4141719A (en) | 1977-05-31 | 1979-02-27 | Fansteel Inc. | Tantalum metal powder |
| US4149876A (en) | 1978-06-06 | 1979-04-17 | Fansteel Inc. | Process for producing tantalum and columbium powder |
| JPS5548512A (en) | 1978-10-02 | 1980-04-07 | Chem Design Kenkyusho:Kk | Point cutter |
| IT1153988B (it) | 1981-10-05 | 1987-01-21 | Medea Res Srl | Composizioni ad attivita' antimicrobica |
| USRE34035E (en) | 1982-02-27 | 1992-08-18 | U.S. Philips Corp. | Carbon containing layer |
| JPS59131291A (ja) | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | マルチウエイスピ−カ装置用チヤンネル・デバイデイング・アンプ |
| US4600448A (en) | 1983-06-01 | 1986-07-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Copper-tantalum alloy |
| JPS6066425A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｌｓｉ電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
| JPS60122751A (ja) | 1983-12-02 | 1985-07-01 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 耐アルカリ性ガラス繊維用原料組成物 |
| US4490340A (en) | 1984-02-29 | 1984-12-25 | Gte Products Corporation | Process for the recovery of high purity tantalum oxide |
| JPS60247022A (ja) | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | エンジンの燃料供給制御装置 |
| JPS6185746A (ja) | 1984-10-03 | 1986-05-01 | 株式会社 本田ロツク | ヒユ−ズ回路ユニツト |
| JPS61133802A (ja) | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Toshiba Corp | 回転軸の芯出し用測定装置 |
| JPS61146717A (ja) | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | タンタルの精製方法 |
| GB2176923B (en) | 1985-06-25 | 1989-01-05 | Plessey Co Plc | Frequency dividing arrangements |
| LU86090A1 (fr) * | 1985-09-23 | 1987-04-02 | Metallurgie Hoboken | Procede pour preparer du tantale ou du niobium affins |
| US4684399A (en) | 1986-03-04 | 1987-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum powder process |
| JPS62229730A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 日本電信電話株式会社 | 同軸多極スイツチ |
| US4708313A (en) | 1986-03-31 | 1987-11-24 | Wang Laboratories, Inc. | Tilt apparatus for a display monitor |
| JPH0659831B2 (ja) | 1986-03-31 | 1994-08-10 | アイシン精機株式会社 | チルトステアリング装置 |
| JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
| JPS63119079A (ja) | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Seiko Epson Corp | 磁気デイスクの試験方法 |
| DE8700365U1 (de) | 1987-01-09 | 1987-02-26 | Raisch, Arthur, 7250 Leonberg | Vorrichtung zum Kennzeichnen von Felgen |
| JPS63216966A (ja) | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| DE3712281A1 (de) | 1987-04-10 | 1988-10-27 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur herstellung von hochduktilem tantal-halbzeug |
| US4786468A (en) | 1987-06-04 | 1988-11-22 | Battelle Memorial Institute | Corrosion resistant tantalum and tungsten alloys |
| JPS6415334A (en) | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toho Titanium Co Ltd | Production of metal from metal halide |
| JPH01289559A (ja) | 1988-05-13 | 1989-11-21 | Toyota Motor Corp | 金属部材の鋳ぐるみ方法 |
| JPH01290766A (ja) † | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Nippon Mining Co Ltd | Ｔｉ含有高純度Ｔａターゲット及びその製造方法 |
| JPH0270029A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nippon Mining Co Ltd | Ｔａ又はＮｂの製造方法及びその製造装置 |
| JPH02102790A (ja) | 1988-10-11 | 1990-04-16 | Toosui Kk | プール用水のオゾン処理装置 |
| JPH02123021A (ja) | 1988-10-28 | 1990-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品供給装置 |
| US4960163A (en) * | 1988-11-21 | 1990-10-02 | Aluminum Company Of America | Fine grain casting by mechanical stirring |
| US5294321A (en) | 1988-12-21 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target |
| DE3904292A1 (de) | 1989-02-14 | 1990-08-16 | Starck Hermann C Fa | Hochreines tantalpentoxid sowie verfahren zu dessen herstellung |
| US5242481A (en) | 1989-06-26 | 1993-09-07 | Cabot Corporation | Method of making powders and products of tantalum and niobium |
| US5204057A (en) | 1989-07-14 | 1993-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Highly purified titanium material and its named article, a sputtering target |
| US5013357A (en) | 1989-10-26 | 1991-05-07 | Westinghouse Electric Corp. | Direct production of niobium titanium alloy during niobium reduction |
| JP3031474B2 (ja) | 1989-12-26 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | 高純度タンタル材，タンタルターゲット，薄膜および半導体装置の製造方法 |
| US5530467A (en) | 1990-02-01 | 1996-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target, film resistor and thermal printer head |
| KR940008936B1 (ko) | 1990-02-15 | 1994-09-28 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고순도 금속재와 그 성질을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| JP2688452B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1997-12-10 | キャボット コーポレイション | 高表面積、低金属不純物のタンタル粉末の製造方法 |
| US5234491A (en) | 1990-05-17 | 1993-08-10 | Cabot Corporation | Method of producing high surface area, low metal impurity |
| DE4021207A1 (de) | 1990-07-03 | 1992-01-16 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur gewinnung und trennung von tantal und niob |
| WO1992004482A1 (en) | 1990-08-30 | 1992-03-19 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
| DE4032566C2 (de) | 1990-10-13 | 1993-12-16 | Schott Glaswerke | Bleifreies optisches Glas mit negativ abweichender anomaler Teildispersion |
| US5490914A (en) | 1995-02-14 | 1996-02-13 | Sony Corporation | High utilization sputtering target for cathode assembly |
| US5284561A (en) | 1991-11-13 | 1994-02-08 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for sputter coating employing machine readable indicia carried by target assembly |
| JPH04178940A (ja) | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 光記録媒体 |
| EP0521163B1 (en) | 1991-01-17 | 1997-05-28 | Ryoka Matthey Corporation | Aluminum alloy wiring layer, manufacturing thereof, and aluminum alloy sputtering target |
| US5087297A (en) | 1991-01-17 | 1992-02-11 | Johnson Matthey Inc. | Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same |
| US5234487A (en) | 1991-04-15 | 1993-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Method of producing tungsten-titanium sputter targets and targets produced thereby |
| US5143590A (en) | 1991-07-10 | 1992-09-01 | Johnson Matthey Inc. | Method of manufacturing sputtering target assembly |
| US5342571A (en) | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
| DE4207145C1 (en) | 1992-03-06 | 1993-04-29 | H.C. Starck Gmbh & Co Kg, 3380 Goslar, De | Hydro:methallurgical process for recovery of tantalum and niobium - by digesting material e.g. columbite ore with hydrofluoric acid followed by solvent extn. of formed fluoro:complexes |
| JPH05295531A (ja) | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Toshiba Corp | Ｔｉ−Ｗ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US5269403A (en) | 1992-06-15 | 1993-12-14 | Johnson Matthey Electronics | Sputtering target assembly for a sputter coating apparatus |
| US5693203A (en) * | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
| TW234767B (ru) | 1992-09-29 | 1994-11-21 | Nippon En Kk | |
| US5406850A (en) | 1993-01-14 | 1995-04-18 | Tosoh Smd, Inc. | Method of non-destructively testing a sputtering target |
| JPH06264232A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Nikko Kinzoku Kk | Ｔａ製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法 |
| US5455197A (en) | 1993-07-16 | 1995-10-03 | Materials Research Corporation | Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer |
| US5772860A (en) | 1993-09-27 | 1998-06-30 | Japan Energy Corporation | High purity titanium sputtering targets |
| US5709783A (en) | 1993-11-18 | 1998-01-20 | Mcdonnell Douglas Corporation | Preparation of sputtering targets |
| US5433835B1 (en) | 1993-11-24 | 1997-05-20 | Applied Materials Inc | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| DE4404374C1 (de) | 1994-02-11 | 1995-05-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Gewinnung und Trennung von Tantal und Niob |
| US5474667A (en) | 1994-02-22 | 1995-12-12 | Materials Research Corporation | Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor |
| DE4414571C1 (de) | 1994-04-27 | 1996-01-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Tantal-Niob-Konzentraten |
| US5442978A (en) * | 1994-05-19 | 1995-08-22 | H. C. Starck, Inc. | Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions |
| KR0141194B1 (ko) | 1994-06-10 | 1998-07-15 | 김광호 | 스퍼터링용 타아게트의 제조방법 |
| US5630918A (en) | 1994-06-13 | 1997-05-20 | Tosoh Corporation | ITO sputtering target |
| US5464711A (en) | 1994-08-01 | 1995-11-07 | Motorola Inc. | Process for fabricating an X-ray absorbing mask |
| US5656216A (en) | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US5687600A (en) | 1994-10-26 | 1997-11-18 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal sputtering target assembly |
| US5522535A (en) | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
| JPH08165528A (ja) | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Japan Energy Corp | 高純度高融点金属または合金の製造方法 |
| US5590389A (en) * | 1994-12-23 | 1996-12-31 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
| US5529673A (en) | 1995-02-17 | 1996-06-25 | Sony Corporation | Mechanically joined sputtering target and adapter therefor |
| US5736657A (en) | 1995-03-31 | 1998-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target |
| JP3852967B2 (ja) | 1995-07-14 | 2006-12-06 | 株式会社アルバック | 低圧スパッタリング装置 |
| KR100434646B1 (ko) | 1995-11-08 | 2004-09-01 | 도소 가부시키가이샤 | 소결된ito콤팩트의제조공정 |
| US5635146A (en) | 1995-11-30 | 1997-06-03 | Osram Sylvania Inc. | Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide |
| US5674367A (en) | 1995-12-22 | 1997-10-07 | Sony Corporation | Sputtering target having a shrink fit mounting ring |
| US5707599A (en) | 1996-02-13 | 1998-01-13 | Santiam Electroactive Materials | Process for purifying tantalum oxide and other metal oxides |
| US5741404A (en) | 1996-05-24 | 1998-04-21 | Micron Technology, Inc. | Multi-planar angulated sputtering target and method of use for filling openings |
| US5766380A (en) | 1996-11-05 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method for fabricating randomly oriented aluminum alloy sputtering targets with fine grains and fine precipitates |
| US6569270B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
| JPH1180942A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
| US6010676A (en) | 1997-09-12 | 2000-01-04 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a highly pure tantalum compound |
| US6323055B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
| US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
| US6193821B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-02-27 | Tosoh Smd, Inc. | Fine grain tantalum sputtering target and fabrication process |
| US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
| US6331233B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
| US6462339B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Method for quantifying the texture homogeneity of a polycrystalline material |
-
1998
- 1998-11-25 US US09/199,569 patent/US6348113B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-24 KR KR1020017006587A patent/KR100624630B1/ko active IP Right Grant
- 1999-11-24 CA CA002352336A patent/CA2352336A1/en not_active Abandoned
- 1999-11-24 BR BR9915674-1A patent/BR9915674A/pt not_active Application Discontinuation
- 1999-11-24 WO PCT/US1999/027832 patent/WO2000031310A1/en active IP Right Grant
- 1999-11-24 RU RU2001117202/02A patent/RU2233899C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 AU AU19204/00A patent/AU764689B2/en not_active Ceased
- 1999-11-24 AT AT99962850T patent/ATE279542T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 MX MXPA01005264A patent/MXPA01005264A/es unknown
- 1999-11-24 JP JP2000584117A patent/JP4652574B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 EP EP99962850.6A patent/EP1137820B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 CN CN2008101710248A patent/CN101407881B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 CN CNB998157031A patent/CN100480405C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 ID IDW00200101384A patent/ID29867A/id unknown
- 1999-11-24 DE DE69921181.6T patent/DE69921181T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 EP EP04024213A patent/EP1496130A1/en not_active Withdrawn
- 1999-11-25 TW TW088120603A patent/TW530091B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-08-06 US US09/922,815 patent/US6893513B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-14 US US10/145,336 patent/US7431782B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-17 US US10/320,980 patent/US7585380B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-14 JP JP2006250087A patent/JP5076137B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-03-31 JP JP2011080406A patent/JP2011190537A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2001117202A (ru) | Высокочистый тантал и содержащие его изделия, подобные мишеням для напыления | |
| KR100844636B1 (ko) | 탄탈 및 니오브 빌릿 및 그 제조 방법 | |
| JP2002530534A5 (ru) | ||
| KR100624630B1 (ko) | 고순도 탄탈, 그를 포함하는 스퍼터링 타겟과 같은 생성물 및 그들을 제조하는 방법 | |
| KR100815034B1 (ko) | 고순도 니오븀과 이를 함유하는 제품 및 이를 제조하는 방법 | |
| TW515848B (en) | Tantalum sputtering target and process of making same | |
| KR20010030864A (ko) | 내부식성 및 인발성 알루미늄 합금, 이의 제품 및 제품의제조방법 | |
| KR20040010246A (ko) | 초미세 입자-구리 기재의 스퍼터 타겟 | |
| JP4477875B2 (ja) | 高純度アルミニウム・スパッタリング・ターゲット | |
| JP7338036B2 (ja) | 大粒子スズスパッタリングターゲット | |
| JP2696037B2 (ja) | 成形性に優れた軟質アルミニウム合金薄板の製造方法 | |
| JPH03277749A (ja) | 耐食性に優れるアルミニウム合金材の製造方法 | |
| CN115992342A (zh) | 一种高纯银溅射靶材及其制备方法 | |
| TH54257A3 (ru) | ||
| TH31209C3 (ru) |