KR100815034B1 - 고순도 니오븀과 이를 함유하는 제품 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (75)
- 적어도 99.99%의 순도와, 25 미크론 이하의 평균 입자 크기를 갖고,a) (100) 극점도가 15 랜덤 보다 작은 중심 피크 강도를 갖는 조직, b) -4.0 보다 큰 (111):(100)의 중심 피크 강도의 로그 비율, 또는 c) 양자 모두를 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은 완전 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은 적어도 부분적으로 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 금속의 98% 이상은 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 금속의 80% 이상은 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 중심 피크 강도는 0 내지 15 랜덤인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 중심 피크 강도는 0 내지 10 랜덤인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 로그 비율은 -4.0 내지 15 인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 로그 비율은 -1.5 내지 7.0 인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 상기 중심 피크 강도는 0 내지 15 랜덤이고, 상기 로그 비율은 -4.0 내지 15 인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 99.995 내지 99.999% 의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 합금.
- 제3항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 합금.
- 삭제
- 제1항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
- 제3항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
- 삭제
- 제1항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 축전기.
- 제3항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 축전기.
- 삭제
- 제1항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 필름층.
- 제3항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항성 필름층.
- 삭제
- 제1항의 니오븀 금속을 적어도 일 성분으로 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
- 제3항의 니오븀 금속을 적어도 일 성분으로 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
- 삭제
- a) 25 미크론 이하의 평균 입자 크기, b) (100) 극점도가 30 랜덤 이하의 중심 피크 강도를 갖는 조직, 또는 c) -4.0 보다 큰 (111):(100) 중심 피크 강도의 로그 비율, 또는 그들의 조합을 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 삭제
- 제28항에 있어서, -4.0 보다 큰 (111):(100) 중심 피크 강도 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, a) 항목과 b) 항목을 모두 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 금속은 적어도 99.99% 순도의 니오븀을 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 금속은 99.999% 순도의 니오븀을 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 금속이 완전 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제32항에 있어서, 상기 금속이 완전 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제33항에 있어서, 상기 금속이 완전 재결정되는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 금속의 80% 이상이 완전히 재결정된 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 중심 피크 강도는 0 내지 15 랜덤인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항에 있어서, 상기 로그 비율은 -4.0 내지 15 인 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제28항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
- 제33항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 제품.
- 제28항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
- 제33항의 니오븀 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
- 제1항의 니오븀 금속을 제조하는 방법이며,염 함유 니오븀과 상기 염 함유 니오븀을 니오븀으로 환원시킬 수 있는 적어도 하나의 작용제를 갖는 금속 염을 교반기를 구비한 반응 용기 내에서 반응시키는 단계를 포함하고,반응 용기 또는 반응 용기 내의 라이너와 교반기 또는 교반기 상의 라이너는 니오븀의 녹는점에서의 니오븀의 증기 압력 이상을 갖는 금속 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제44항에 있어서, 염 함유 니오븀은 산화 니오븀을 포함하고, 금속 염은 플루오르화 칼륨-탄탈륨을 포함하고, 작용제는 나트륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제45항에 있어서, 플루오르화 나트륨 또는 염화 나트륨을 포함하는 적어도 하나의 희석 염을 상기 교반기로 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제44항에 있어서, 반응 용기 또는 라이너와 교반기 또는 교반기 상의 라이너는 금속계이고, 상기 금속은 니켈, 크롬, 철, 망간, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 테크네튬, 루테늄, 코발트, 로듐, 팔라듐, 백금, 또는 그들의 임의의 조합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제47항에 있어서, 금속은 니켈 또는 니켈계 합금인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제47항에 있어서, 금속은 크롬 또는 크롬계 합금인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제47항에 있어서, 금속은 철 또는 철계 합금인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제44항에 있어서, 수용액에 제2 염을 용해시킴으로써 니오븀을 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제51항에 있어서, 상기 회수된 니오븀 내에 존재하는 사실상의 모든 불순물을 제거하고 고순도 니오븀 및 선택적으로 상기 금속을 얻도록 충분한 진공에서 상기 금속 염으로부터 상기 회수된 니오븀 및 선택적으로 상기 금속을 용융시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 진공은 10-4 torr 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 회수된 용융 니오븀의 압력은 사실상의 모든 불순물의 증기압보다 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 불순물은 불순물을 증발시킴으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 상기 용융 단계는 전자 비임 용융으로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 상기 용융 단계는 진공 아크 재용융 처리로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제52항에 있어서, 고순도 니오븀은 고체를 형성하도록 허용되고 압연 공정, 단조 공정 또는 상기 압연 공정과 단조 공정 모두에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 니오븀 금속은 사실상의 미세하고 균일한 미세구조를 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 제1항에 있어서, 니오븀 금속은 10 내지 25 미크론의 평균 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 니오븀 금속.
- 삭제
- 삭제
- 적어도 99.99%의 순도를 갖는 니오븀 금속으로부터 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법이며,a) 단계 b) 내지 단계 g)를 가능케 하도록 충분한 개시 단면적을 갖는 니오븀 금속의 표면을 기계적 또는 화학적으로 세척하는 단계와,b) 니오븀 금속을, 단계 d)에서의 어닐링 후 사실상의 균일한 재결정화를 달성하도록 충분한 변형을 갖는 적어도 하나의 압연 슬래브로 평단조하는 단계와,c) 적어도 하나의 압연 슬래브의 표면을 기계적 또는 화학적으로 세척하는 단계와,d) 적어도 하나의 압연 슬래브의 적어도 부분적 재결정화를 달성하도록 충분한 온도에서 충분한 시간 동안 적어도 하나의 압연 슬래브를 어닐링하는 단계와,e) 적어도 하나의 판을 형성하도록 개시 니오븀 금속의 축에 수직 및 수평 방향 모두로 적어도 하나의 압연 슬래브를 냉간 또는 열간 압연하는 단계와,f) 적어도 하나의 판을 평활교정하는 단계와,g) 150 미크론 이하의 평균 입자 크기와 (100) 조직 밴드가 거의 없는 조직을 갖도록 적어도 하나의 판을 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제63항에 있어서, 니오븀 금속은 적어도 99.999%의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제63항에 있어서, 니오븀 금속이 적어도 4시간 동안 상온 내지 1200℃ 범위의 온도에서 공기 중에 놓인 후 평단조가 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제63항에 있어서, 냉간 압연은 상온에서의 가로 압연이고, 열간 압연은 370℃ 보다 낮은 온도인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제63항에 있어서, 판의 어닐링 단계는 니오븀 금속의 재결정화를 달성하기에 충분한 온도와 시간 동안 진공 어닐링하는 단계인 것을 특징으로 하는 방법.
- 적어도 99.995%의 순도를 갖는 니오븀 금속으로부터 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법이며,a) 단계 b) 내지 단계 i)를 가능케 하도록 충분한 개시 단면적을 갖는 니오븀 금속의 표면을 기계적 또는 화학적으로 세척하는 단계와,b) 니오븀 금속을, 단계 d) 또는 단계 f)에서의 어닐링 후 사실상의 균일한 재결정화를 달성하도록 충분한 변형을 갖는 적어도 하나의 로드로 원형 단조하는 단계와,c) 로드를 빌릿으로 절단하고 상기 빌릿의 표면을 기계적 또는 화학적으로 세척하는 단계와,d) 적어도 부분적 재결정화를 달성하도록 빌릿을 선택적으로 어닐링하는 단계와,e) 빌릿을 예비 성형품으로 축방향 단조하는 단계와,f) 적어도 부분적 재결정화를 달성하도록 예비 성형품을 선택적으로 어닐링하는 단계와,g) 예비 성형품을 적어도 하나의 판으로 냉간 압연하는 단계와,h) 적어도 하나의 판의 표면을 선택적으로 기계적 또는 화학적으로 세척하는 단계와,i) 150 미크론 이하의 평균 입자 크기와 (100) 조직 밴드가 거의 없는 조직을 갖도록 적어도 하나의 판을 어닐링하는 단계를 포함하며,어닐링 단계가 적어도 단계 d) 또는 단계 f) 또는 상기 단계 d)와 단계 f) 모두에서 발생하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제68항에 있어서, 니오븀 금속은 적어도 99.999%의 순도를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제68항에 있어서, 원형 단조 단계는 니오븀 금속을 370℃ 이하의 온도로 되게 한 후 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제68항에 있어서, 빌릿을 단조하기 전에, 빌릿이 어닐링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제68항에 있어서, 예비 성형품의 냉간 압연 전에, 예비 성형품이 어닐링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제68항에 있어서, 예비 성형품의 어닐링 단계는 재결정화를 달성하기에 충분한 온도와 시간 동안 진공 어닐링되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟은 타겟의 두께의 전체에 걸쳐 원래의 (111)의 균일한 조직를 갖는 스퍼터링 타겟.
- 제16항에 있어서, 상기 니오븀 금속은 두께 전체에 걸쳐 혼합된 (111)의 균일한 조직을 갖고, 사실상 (100) 조직 밴드가 없어지는 스퍼터링 타겟.
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---|---|
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---|---|---|---|
KR1020027015753A KR100815034B1 (ko) | 2000-05-22 | 2001-05-21 | 고순도 니오븀과 이를 함유하는 제품 및 이를 제조하는 방법 |
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Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL156802A0 (en) | 2001-01-11 | 2004-02-08 | Cabot Corp | Tantalum and niobium billets and methods of producing same |
ES2272707T3 (es) * | 2001-02-20 | 2007-05-01 | H. C. Starck, Inc. | Placas de metal refractario de textura uniforme y metodos para fabricar las mismas. |
US7210641B2 (en) | 2001-02-28 | 2007-05-01 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
JP4928706B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 光学薄膜形成用Nbスパッタリングターゲットの製造方法 |
TWI341337B (en) | 2003-01-07 | 2011-05-01 | Cabot Corp | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
CN101676217A (zh) | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
US7228722B2 (en) * | 2003-06-09 | 2007-06-12 | Cabot Corporation | Method of forming sputtering articles by multidirectional deformation |
EP1639620A2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-29 | Cabot Corporation | Method and design for sputter target attachment to a backing plate |
WO2005080961A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Cabot Corporation | Ultrasonic method for detecting banding in metals |
US8252126B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US7666243B2 (en) | 2004-10-27 | 2010-02-23 | H.C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
JP2006161066A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッド |
US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
US8128765B2 (en) * | 2005-04-05 | 2012-03-06 | Jefferson Science Associates, Llc | Large grain cavities from pure niobium ingot |
US8177947B2 (en) * | 2005-04-28 | 2012-05-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target |
US20070044873A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | H. C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
JP4034802B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-01-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒およびNb3Sn超電導線材の製造方法 |
WO2007103309A2 (en) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Cabot Corporation | Methods of producing deformed metal articles |
CN100357464C (zh) * | 2006-06-03 | 2007-12-26 | 郭青蔚 | 草酸体系萃取法制取无氟氧化铌工艺 |
CN100529150C (zh) * | 2007-12-17 | 2009-08-19 | 西部金属材料股份有限公司 | 一种制备金属铌带材的方法 |
JP5308683B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-10-09 | 株式会社神戸製鋼所 | ブロンズ法Nb3Sn超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒、Nb3Sn超電導線材製造用前駆体およびその製造方法、並びにNb3Sn超電導線材 |
US9834829B1 (en) | 2009-07-07 | 2017-12-05 | H.C. Starck Inc. | Niobium-based alloy that is resistant to aqueous corrosion |
US20110008201A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | H.C. Starck Inc. | Niobium based alloy that is resistant to aqueous corrosion |
EP2810722B1 (en) * | 2012-02-02 | 2016-04-06 | Shinohara Press Service Co., Ltd. | Method of manufacturing pure niobium end group components for superconducting acceleration cavity |
WO2014156918A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ニオブスパッタリングターゲット |
CN103316912B (zh) * | 2013-07-09 | 2014-12-17 | 武汉科技大学 | 一种极薄铌带的轧制方法 |
EP3870382A1 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-01 | Global Advanced Metals USA, Inc. | Spherical niobium alloy powder, products containing the same, and methods of making the same |
US11885009B2 (en) * | 2019-02-12 | 2024-01-30 | Uchicago Argonne, Llc | Method of making thin films |
CN113574203A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-10-29 | Jx金属株式会社 | 铌溅射靶 |
CN110983218B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-09-03 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种组织均匀的小规格纯铌棒材的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104180A (ja) | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 超高純度ニオブを用いてなるジヨセフソン素子 |
JP2000104164A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-11 | Toshiba Corp | スパッタタ―ゲット |
Family Cites Families (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3085871A (en) | 1958-02-24 | 1963-04-16 | Griffiths Kenneth Frank | Method for producing the refractory metals hafnium, titanium, vanadium, silicon, zirconium, thorium, columbium, and chromium |
NL252366A (ko) | 1958-06-13 | |||
US3110585A (en) | 1959-10-21 | 1963-11-12 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
GB955832A (en) | 1959-10-21 | 1964-04-22 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
US3497402A (en) | 1966-02-03 | 1970-02-24 | Nat Res Corp | Stabilized grain-size tantalum alloy |
CH515996A (de) | 1968-06-06 | 1971-11-30 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal |
US3597192A (en) | 1968-12-05 | 1971-08-03 | Atomic Energy Commission | Preparation of tantalum metal |
DE2517180C3 (de) | 1975-04-18 | 1979-04-19 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren |
US4149876A (en) | 1978-06-06 | 1979-04-17 | Fansteel Inc. | Process for producing tantalum and columbium powder |
JPS56145109A (en) | 1980-04-12 | 1981-11-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Preparation of tantalum carbide or niobium carbide |
JPS57106525A (en) | 1980-12-19 | 1982-07-02 | Rasa Kogyo Kk | Manufacture of lithium niobate or lithium tantalate |
JPS59202624A (ja) | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | 薄膜形成用蒸発源 |
JPS6066425A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
JPS60124452A (ja) | 1983-12-07 | 1985-07-03 | Hitachi Ltd | 高純度金属スリ−ブの製造方法 |
JPS619532A (ja) | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Daido Steel Co Ltd | ニオブ又はタンタルの金属鋳塊の製造方法 |
JPS61146717A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | タンタルの精製方法 |
JPS61281831A (ja) | 1985-06-07 | 1986-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高純度タンタルの精製法 |
JPS62297A (ja) | 1985-06-25 | 1987-01-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層分析要素 |
LU86090A1 (fr) * | 1985-09-23 | 1987-04-02 | Metallurgie Hoboken | Procede pour preparer du tantale ou du niobium affins |
JPS62108517A (ja) | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 分子線源 |
JPS62158118A (ja) | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Chiyuugai Tekunosu Kk | 酸化ニオブの製法 |
JPS62259448A (ja) | 1986-04-14 | 1987-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁膜形成法 |
JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
JPS63216966A (ja) | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
JPS6415334A (en) | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toho Titanium Co Ltd | Production of metal from metal halide |
JPS6473009A (en) | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Showa Denko Kk | Production of high purity tantalum or niobium powder |
JPS6473028A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Tosoh Corp | Recovering method for high purity tantalum from scrap tantalum |
JPS6475632A (en) | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tosoh Corp | Recovering method for tantalum from scrap tantalum |
US4960163A (en) * | 1988-11-21 | 1990-10-02 | Aluminum Company Of America | Fine grain casting by mechanical stirring |
JPH0735586B2 (ja) | 1989-08-25 | 1995-04-19 | 住友金属工業株式会社 | 着色フェライト系ステンレス鋼とその製造方法 |
JPH03150828A (ja) | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 |
JP3031474B2 (ja) | 1989-12-26 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | 高純度タンタル材,タンタルターゲット,薄膜および半導体装置の製造方法 |
US5530467A (en) | 1990-02-01 | 1996-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target, film resistor and thermal printer head |
JPH042618A (ja) | 1990-04-20 | 1992-01-07 | Nikko Kyodo Co Ltd | 弗化タンタルカリウムの精製方法 |
JPH0421524A (ja) | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Nikko Kyodo Co Ltd | 弗化タンタルカリウムの精製方法 |
DE4032566C2 (de) | 1990-10-13 | 1993-12-16 | Schott Glaswerke | Bleifreies optisches Glas mit negativ abweichender anomaler Teildispersion |
US5269403A (en) | 1992-06-15 | 1993-12-14 | Johnson Matthey Electronics | Sputtering target assembly for a sputter coating apparatus |
TW234767B (ko) | 1992-09-29 | 1994-11-21 | Nippon En Kk | |
US5693203A (en) * | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5406850A (en) | 1993-01-14 | 1995-04-18 | Tosoh Smd, Inc. | Method of non-destructively testing a sputtering target |
JPH06264232A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Nikko Kinzoku Kk | Ta製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法 |
US5409548A (en) | 1993-05-17 | 1995-04-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric detector array utilizing material and fabrication technique |
DE4414571C1 (de) | 1994-04-27 | 1996-01-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Tantal-Niob-Konzentraten |
US5442978A (en) * | 1994-05-19 | 1995-08-22 | H. C. Starck, Inc. | Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions |
US5687600A (en) | 1994-10-26 | 1997-11-18 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal sputtering target assembly |
US5522535A (en) | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
JPH08165528A (ja) | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Japan Energy Corp | 高純度高融点金属または合金の製造方法 |
US5590389A (en) * | 1994-12-23 | 1996-12-31 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
JP3852967B2 (ja) | 1995-07-14 | 2006-12-06 | 株式会社アルバック | 低圧スパッタリング装置 |
CN1289243C (zh) * | 1996-11-07 | 2006-12-13 | 卡伯特公司 | 铌粉、铌电容器和用其降低直流电泄漏的方法 |
US6010676A (en) | 1997-09-12 | 2000-01-04 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a highly pure tantalum compound |
US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
TW460883B (en) * | 1999-02-16 | 2001-10-21 | Showa Denko Kk | Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor |
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2001
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2005
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104180A (ja) | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 超高純度ニオブを用いてなるジヨセフソン素子 |
JP2000104164A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-11 | Toshiba Corp | スパッタタ―ゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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