JP2001060562A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

半導体装置の作製方法

Info

Publication number
JP2001060562A
JP2001060562A JP2000237614A JP2000237614A JP2001060562A JP 2001060562 A JP2001060562 A JP 2001060562A JP 2000237614 A JP2000237614 A JP 2000237614A JP 2000237614 A JP2000237614 A JP 2000237614A JP 2001060562 A JP2001060562 A JP 2001060562A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
sample
optical system
film
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000237614A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
Koyu Cho
宏勇 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2001060562A publication Critical patent/JP2001060562A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C23C14/5813—Thermal treatment using lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses
    • G02B27/0966—Cylindrical lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02678—Beam shaping, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信頼性および量産性に優れた半導体装置の作
製方法を提供する。 【解決手段】 基板上に半導体膜を形成し、レーザー光
を光学系によって加工して前記レーザー光の断面を第１
の方向に拡張させさらに前記第１の方向と垂直な第２の
方向に収束させ、前記半導体膜を前記第２の方向に移動
させながら加工された前記レーザー光を前記半導体膜に
照射することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信頼性および量産
性に優れ、ばらつきが小さく、歩留りの高いレーザーア
ニール方法に関する。特に、本発明は、イオン照射、イ
オン注入、イオンドーピング等によってダメージを受
け、結晶性が著しく損なわれた被膜のレーザーアニール
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子プロセスの低温化に関
して盛んに研究が進められている。その理由の１つは、
ガラス等の絶縁基板上に半導体素子を形成する必要が生
じたからである。レーザーアニール技術は究極の低温プ
ロセスと注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
レーザーアニールの条件等については、各装置や被膜の
条件によって異なるものとして、十分な検討がおこなわ
れなかった。その結果、レーザーアニール技術は非常に
ばらつきが大きくて、到底実用化には到らないというコ
ンセンサスができていた。本発明の目的は、このような
従来には認知されていなかった条件を提示し、よって、
レーザーアニールによって再現性のよい結果を得ること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、特にイオン
照射、イオン注入、イオンドーピング等のダメージによ
って、被膜がアモルファス、あるいはそれに類した非常
に結晶性の悪化した状態で、半導体としても十分な特性
の示せないような被膜を活性化せしめる目的でレーザー
アニールの条件の最適化を探していたが、その際には、
レーザー光のエネルギーの条件ばかりではなく、含まれ
る不純物やレーザーパルスのショット数によっても最適
な条件が変動することを発見した。
【０００５】本発明では、活性化されるべき被膜は主と
してシリコン、ゲルマニウム、あるいはシリコンとゲル
マニウムの合金や炭化珪素等のIV族の元素から構成され
る被膜である。これらの被膜は１００Å〜１００００Å
の厚さである。これらの被膜をレーザーアニールする際
には、透光性を考慮して４００ｎｍ以下の短い波長のレ
ーザーを使用するとよいことが知られている。
【０００６】例えば、一般にレーザーのエネルギー密度
が高ければ活性化が十分におこなわれ、シート抵抗が低
下するものと考えられている。しかし、実際には、不純
物として燐が含まれている場合には、明らかにそのよう
な傾向が得られたとしても、不純物が硼素の場合には、
逆に高エネルギーでは劣化する。また、パルスレーザー
によるアニールではパルスのショット数が増加すると、
結果のばらつきが少なくなるものと考えられているが、
ショット数が多くなると被膜のモフォロジーが悪化し、
ミクロなばらつきが増大するという現象も生じることが
明らかになった。
【０００７】これは、レーザーの照射を重ねることによ
って、被膜中に結晶の核が大きく成長するためだと考え
られる。その結果、それまでは極めて均質であった被膜
中に０．１〜１μｍ程度のサイズで分布が生じるためで
ある。特に、レーザーのエネルギーが大きな領域では顕
著であった。
【０００８】また、レーザーアニールの際に被膜が大気
中に露出しているのではなく、厚さ３〜３００ｎｍ代表
的には１０〜１００ｎｍの透明な被膜によって覆われて
いることも必要であることを見出した。このような被膜
はレーザー光を透過する目的から酸化珪素や窒化珪素が
適しているが、通常はこの被膜をゲート酸化膜として用
いる必要から酸化珪素を主たる材料とする被膜を用い
る。もちろん、可動イオンをパッシベーションする目的
からこれにリンや硼素がドープされていてもよい。も
し、IV族被膜がこのような透明な被膜で被覆されていな
い場合には、先に述べたような不均質性が一段と加速さ
れた。
【０００９】このような条件を満たした上で、さらに平
坦な（均質な）被膜を得るには、照射されるレーザー光
のエネルギー密度をＥ〔ｍＪ／ｃｍ2 〕、レーザーパル
スのショット数をＮ〔回〕としたときに、 ｌｏｇ10Ｎ≦Ａ（Ｅ−Ｂ） という関係があることを見出した。このＡ、Ｂは被膜に
含まれている不純物によって異なるのであるが、不純物
が燐の場合には、Ａ＝−０．０２、Ｂ＝３５０であり、
不純物が硼素の場合には、Ａ＝−０．０２、Ｂ＝３００
であった。また本発明は、透明な膜の代わりに透明基板
を用いてもよい。即ち、この場合のレーザー処理方法
は、絶縁透明基板上に、形成されたIV族元素を主成分と
し、高エネルギーの不純物イオンを照射された被膜に波
長４００ｎｍ以下、パルス幅５０ｎｓｅｃ以下のパルス
状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せ
しめるレーザーアニール方法において、該パルス状レー
ザー光は前記絶縁透明基板を通して該被膜に照射される
ことと、照射されるレーザーのエネルギー密度Ｅ〔ｍＪ
／ｃｍ2 〕と照射パルス数Ｎの間に、ｌｏｇ10Ｎ≦−
０．０２（Ｅ−３５０）の関係を有することを特徴とす
るレーザー処理方法である。以下に実施例を示し、より
詳細に本発明を説明する。
【００１０】
【実施例】本実施例では、IV族元素からなる膜（半導体
膜）中に不純物を導入してＮ型とＰ型の一方を付与し、
さらにマスクを用いて前記膜の一部に不純物を導入して
その部分にＮ型とＰ型の他方を付与する。図１には本実
施例で使用したレーザーアニール装置の概念図を示す。
レーザー光は発振器２で発振され、全反射ミラー５、６
を経由して増幅器３で増幅され、さらに全反射ミラー
７、８を経由して光学系４に導入される。それまでのレ
ーザー光のビームは３×２ｃｍ2 程度の長方形である
が、この光学系４によって長さ１０〜３０ｃｍ、幅０．
１〜１ｃｍ程度の細長いビームに加工される。この光学
系を経たレーザー光のエネルギーは最大で１０００ｍＪ
／ショットであった。
【００１１】光学系４の内部の光路は図５のように示さ
れる。光学系４に入射したレーザー光は、シリンドリカ
ル凹レンズＡ、シリンドリカル凸レンズＢ、横方向のフ
ライアイレンズＣ、縦方向のフライアイレンズＤを通過
する。これらフライアイレンズＣ、Ｄを通過することに
よってレーザー光はそれまでのガウス分布型から矩形分
布に変化する。さらに、シリンドリカル凸レンズＥ、Ｆ
を通過してミラーＧ（図１ではミラー９）を介して、シ
リンドリカルレンズＨによって集束され、試料に照射さ
れる。
【００１２】本実施例では、図５の距離Ｘ1 、Ｘ2 を固
定し、仮想焦点Ｉ（これはフライアイレンズの曲面の違
いによって生ずるようになっている）とミラーＧとの距
離Ｘ 3 、と距離Ｘ4 、Ｘ5 とを調節して、倍率Ｍ、焦点
距離Ｆを調整した。すなわち、これらの間には、 Ｍ＝（Ｘ3 ＋Ｘ4 ）／Ｘ5 、１／Ｆ＝１／（Ｘ3 ＋
Ｘ4 ）＋１／Ｘ5 、という関係がある。なお、本実施例
では光路全長Ｘ6 は約１．３ｍであった。
【００１３】このような細長いビームに加工するのは、
加工性を向上させるためである。すなわち、短冊状のビ
ームは光学系４を出た後、全反射ミラー９を経て、試料
１１に照射されるが、試料の幅よりも長いので、結局、
試料は１つの方向にのみ移動させてゆけばよい。したが
って、試料のステージおよび駆動装置１０は構造が簡単
で保守も容易である。また、試料をセットする際の位置
合わせの操作（アライメント）も容易である。
【００１４】これに対して、正方形に近いビームであれ
ば、それだけで基板全面をカバーすることは不可能であ
るので、試料を縦方向、横方向というように２次元的に
移動させなければならない。しかし、その場合にはステ
ージの駆動装置は複雑になり、また、位置合わせも２次
元的に行わなければならないので難しい。特にアライメ
ントを手動でおこなう場合には、その工程での時間のロ
スが大きく生産性が低下する。なお、これらの装置は防
振台等の安定な架台１上に固定される必要がある。
【００１５】試料は、縦１００ｍｍ、横１００〜３００
ｍｍの各種ガラス基板（例えば、コーニング社製７０５
９番ガラス）を使用した。レーザーはＫｒＦレーザー
（波長２４８ｎｍ、パルス幅３０ｎｓｅｃ）を使用し
た。
【００１６】ガラス基板上にプラズマＣＶＤ法によって
アモルファスシリコン膜（半導体膜）を厚さ１００Å〜
１００００Å例えば１０００Å（１００ｎｍ）形成し
た。これを６００℃で４８時間アニールして結晶化させ
た。そして、これを島状にパターニングした。さらに、
スパッタ法によって厚さ７０ｎｍの酸化珪素膜を形成
し、基板全面に燐をドープした。このときはいわゆるイ
オンドーピング法を使用し、プラズマ源はフォスフィン
ＰＨ3 を使用した。加速電圧は８０ｋＶとした。さら
に、基板の一部をマスクして、硼素をイオンドーピング
法によって注入した。プラズマ源はジボランＢ2 Ｈ
6 で、加速電圧は６５ｋＶであった。すなわち、マスク
された箇所には燐が注入され、結果としてＮ型を示し、
マスクされなかった箇所には燐と硼素が注入され、結果
としてＰ型を示す。
【００１７】そして、様々なエネルギー密度、ショット
数のレーザーを照射し、レーザー活性化をおこない、シ
ート抵抗を測定して、モフォロジーを光学顕微鏡によっ
て観察した。図２〜図４にその結果を示す。
【００１８】図２は燐イオンを注入したシリコン膜のシ
ート抵抗とレーザー光のエネルギー密度、およびショッ
ト数の関係を示す。燐のドーズ量は２×１０15ｃｍ-2で
ある。レーザーのエネルギー密度が２００ｍＪ／ｃｍ2
以下では、活性化のために多くのショット数を要し、そ
れでもなお１０ｋΩ／□程度の高いシート抵抗しか得ら
れなかったが、２００ｍＪ／ｃｍ2 以上では、１〜１０
ショットのレーザー照射で充分な活性化がおこなえた。
【００１９】図３は硼素イオン（４×１０15ｃｍ-2）を
注入したシリコン膜（半導体膜）のレーザー活性化を示
す。やはり、２００ｍＪ／ｃｍ2 以下のエネルギー密度
では活性化は不十分で多くのショット数が必要であっ
た。一方、２００〜３００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲では、充
分に低いシート抵抗が１〜１０ショットで得られたが、
３００ｍＪ／ｃｍ2 以上のレーザー照射では、かえって
シート抵抗が高くなってしまった。特に２００ｍＪ／ｃ
ｍ2 以下の場合とは逆に、ショット数が多いほどシート
抵抗が大きくなったが、これは、多数のレーザー照射に
よって、被膜の均一性が悪化し、結晶の粒界が成長した
ためである。
【００２０】実際のプロセスでは、レーザーアニール
は、Ｐ型領域もＮ型領域も同時におこなう。したがっ
て、レーザーのエネルギー密度を３５０ｍＪ／ｃｍ2 に
設定したら、Ｎ型領域は充分に活性化されるが、Ｐ型領
域は特性がかえって悪化してしまう。このため、本実施
例の条件では、エネルギー密度は２００〜３００ｍＪ／
ｃｍ2 の範囲、特に２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲
が好ましかった。パルス数は１〜１００パルスが良い。
【００２１】さて、レーザーアニールによって被膜のモ
フォロジーに変化が生じることは先に述べた通りである
が、実際にショット数とエネルギー密度とモフォロジー
を検討すると、図４のような結果が得られた。ここで、
Ａｎｎｅａｌｉｎｇ Ｐｕｌｓｅとは、レーザーのショ
ット数を意味している。図の黒丸は燐ドープシリコンに
於ける表面モフォロジーに変化が現れる点を、白丸は硼
素ドープシリコンに於ける変化点をそれぞれ示してい
る。図において右上の領域は膜表面のモフォロジーの悪
い（粗い）状態を示し、左下はモフォロジーの良好な
（平坦な）状態を示す。燐ドープシリコンの方がレーザ
ーに対して抵抗力が強いことがわかる。この結果から、
表面モフォロジーを変化させないようにレーザーアニー
ルをおこなうための条件は、照射されるレーザー光のエ
ネルギー密度をＥ〔ｍＪ／ｃｍ2 〕、レーザーパルスの
ショット数をＮ〔回〕としたときに、 ｌｏｇ10Ｎ≦Ａ（Ｅ−Ｂ） とであり、不純物が燐の場合には、Ａ＝−０．０２、Ｂ
＝３５０であり、不純物が硼素の場合には、Ａ＝−０．
０２、Ｂ＝３００であることが導かれた。
【００２２】モフォロジーが荒れた場合には、部分によ
ってシリコンの特性が著しく悪化するため、ばらつきが
著しく大きくなる。実際にモフォロジーの悪い（表面の
粗い）シリコン膜ではシート抵抗のばらつきは２０％以
上であった。ばらつきを下げるためには上記の条件を満
たし、かつ、適正なレーザーエネルギー密度を設定しな
ければならない。
【００２３】例えば、レーザーエネルギー密度を２５０
ｍＪ／ｃｍ2 とした場合には、レーザーのショット数は
１０回以下が望ましい。また、レーザーエネルギー密度
を２８０ｍＪ／ｃｍ2 とした場合には、レーザーのショ
ット数は１〜３回が望ましい。このような条件でレーザ
ーアニールをおこなったときには、シート抵抗のばらつ
きを１０％以下におさえることができた。
【００２４】
【発明の効果】本発明によって最適なレーザーアニール
をおこない、よって、ばらつきが少なく信頼性の高い半
導体膜を得ることができた。このように本発明は工業
上、有益なものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例で使用したレーザーアニール装置の概念
図を示す。
【図２】実施例で得られたレーザーアニールされたシリ
コン膜（燐ドープ、Ｎ型）のシート抵抗、レーザーエネ
ルギー密度とショット数の関係を示す。
【図３】実施例で得られたレーザーアニールされたシリ
コン膜（燐＆硼素ドープ、Ｐ型）のシート抵抗、レーザ
ーエネルギー密度とショット数の関係を示す。
【図４】実施例で得られたシリコン膜のモフォロジーと
レーザーエネルギー密度、ショット数の関係を示す。
【図５】実施例で使用したレーザーアニール装置の光学
系の概念図を示す。
【符号の説明】
１ 光学架台 ２ レーザー装置（発振段） ３ レーザー装置（増幅段） ４ ビーム成形光学系 ５〜９ 全反射ミラー １０ 試料ステージおよび駆動機構 １１ 試料（ガラス基板）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年８月２４日（２０００．８．２
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に半導体膜を形成し、 レーザー光を光学系によって加工して、前記レーザー光
    の断面を第１の方向に拡張させさらに前記第１の方向と
    垂直な第２の方向に収束させ、 前記半導体膜を前記第２の方向に移動させながら、加工
    された前記レーザー光を前記半導体膜に照射することを
    特徴とする半導体装置の作製方法。
JP2000237614A 1992-06-26 2000-08-04 半導体装置の作製方法 Withdrawn JP2001060562A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19300592 1992-06-26
JP4-193005 1992-06-26
JP4-252295 1992-08-27
JP25229592 1992-08-27

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000207589A Division JP2001044131A (ja) 1992-06-26 2000-07-07 半導体装置の作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001060562A true JP2001060562A (ja) 2001-03-06

Family

ID=26507640

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5173709A Withdrawn JPH06124913A (ja) 1992-06-26 1993-06-21 レーザー処理方法
JP2000144681A Withdrawn JP2000357667A (ja) 1992-06-26 2000-05-17 レーザー処理装置
JP2000144655A Withdrawn JP2001023921A (ja) 1992-06-26 2000-05-17 レーザー処理装置
JP2000144672A Expired - Fee Related JP3708793B2 (ja) 1992-06-26 2000-05-17 半導体膜作製方法
JP2000207589A Withdrawn JP2001044131A (ja) 1992-06-26 2000-07-07 半導体装置の作製方法
JP2000237614A Withdrawn JP2001060562A (ja) 1992-06-26 2000-08-04 半導体装置の作製方法
JP2004034893A Withdrawn JP2004186704A (ja) 1992-06-26 2004-02-12 レーザー処理装置
JP2007034243A Expired - Lifetime JP4602365B2 (ja) 1992-06-26 2007-02-15 半導体膜の作製方法
JP2009266610A Expired - Lifetime JP4832566B2 (ja) 1992-06-26 2009-11-24 半導体膜の作製方法
JP2011149279A Withdrawn JP2011223027A (ja) 1992-06-26 2011-07-05 半導体膜の作製方法及び電子機器

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5173709A Withdrawn JPH06124913A (ja) 1992-06-26 1993-06-21 レーザー処理方法
JP2000144681A Withdrawn JP2000357667A (ja) 1992-06-26 2000-05-17 レーザー処理装置
JP2000144655A Withdrawn JP2001023921A (ja) 1992-06-26 2000-05-17 レーザー処理装置
JP2000144672A Expired - Fee Related JP3708793B2 (ja) 1992-06-26 2000-05-17 半導体膜作製方法
JP2000207589A Withdrawn JP2001044131A (ja) 1992-06-26 2000-07-07 半導体装置の作製方法

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004034893A Withdrawn JP2004186704A (ja) 1992-06-26 2004-02-12 レーザー処理装置
JP2007034243A Expired - Lifetime JP4602365B2 (ja) 1992-06-26 2007-02-15 半導体膜の作製方法
JP2009266610A Expired - Lifetime JP4832566B2 (ja) 1992-06-26 2009-11-24 半導体膜の作製方法
JP2011149279A Withdrawn JP2011223027A (ja) 1992-06-26 2011-07-05 半導体膜の作製方法及び電子機器

Country Status (4)

Country Link
US (7) US5897799A (ja)
JP (10) JPH06124913A (ja)
KR (6) KR970005141B1 (ja)
CN (7) CN1076864C (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014914A (ja) * 2010-07-20 2011-01-20 Emd:Kk 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法

Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6149988A (en) * 1986-09-26 2000-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
US6261856B1 (en) * 1987-09-16 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
JPH06124913A (ja) * 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
US5643801A (en) * 1992-11-06 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method and alignment
US6897100B2 (en) 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN1052566C (zh) 1993-11-05 2000-05-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
KR100321541B1 (ko) 1994-03-09 2002-06-20 야마자끼 순페이 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법
US6723590B1 (en) 1994-03-09 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for laser-processing semiconductor device
US6300176B1 (en) * 1994-07-22 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method
JP3469337B2 (ja) * 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6130120A (en) * 1995-01-03 2000-10-10 Goldstar Electron Co., Ltd. Method and structure for crystallizing a film
US5854803A (en) * 1995-01-12 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
TW305063B (ja) * 1995-02-02 1997-05-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW297138B (ja) * 1995-05-31 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP2007251196A (ja) * 1995-07-25 2007-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー光照射装置及び半導体装置の作製方法
US6524977B1 (en) 1995-07-25 2003-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of laser annealing using linear beam having quasi-trapezoidal energy profile for increased depth of focus
JP3917231B2 (ja) 1996-02-06 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置およびレーザー照射方法
US6599790B1 (en) 1996-02-15 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Laser-irradiation method and laser-irradiation device
JPH09234579A (ja) * 1996-02-28 1997-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
US6759628B1 (en) * 1996-06-20 2004-07-06 Sony Corporation Laser annealing apparatus
US6040019A (en) * 1997-02-14 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method of selectively annealing damaged doped regions
JPH10253916A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー光学装置
JP3770999B2 (ja) * 1997-04-21 2006-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及びレーザー照射方法
JP3462053B2 (ja) * 1997-09-30 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 ビームホモジェナイザーおよびレーザー照射装置およびレーザー照射方法および半導体デバイス
JPH11186189A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー照射装置
JP4663047B2 (ja) 1998-07-13 2011-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
US6246524B1 (en) 1998-07-13 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
KR100430231B1 (ko) * 1998-10-02 2004-07-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 레이저어닐장비
US6392810B1 (en) 1998-10-05 2002-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, beam homogenizer, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device
US6204160B1 (en) * 1999-02-22 2001-03-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making electrical contacts and junctions in silicon carbide
US6393042B1 (en) 1999-03-08 2002-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
JP3562389B2 (ja) * 1999-06-25 2004-09-08 三菱電機株式会社 レーザ熱処理装置
JP4827276B2 (ja) 1999-07-05 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置、レーザー照射方法及び半導体装置の作製方法
US7160765B2 (en) * 1999-08-13 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US6567219B1 (en) * 1999-08-13 2003-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
TW544743B (en) * 1999-08-13 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6548370B1 (en) 1999-08-18 2003-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer by applying laser irradiation that vary in energy to its top and bottom surfaces
TW494444B (en) * 1999-08-18 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus and laser annealing method
KR100319455B1 (ko) 1999-12-24 2002-01-05 오길록 결정화 장비용 광학 시스템
US6872607B2 (en) * 2000-03-21 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7078321B2 (en) 2000-06-19 2006-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW523791B (en) * 2000-09-01 2003-03-11 Semiconductor Energy Lab Method of processing beam, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP4921643B2 (ja) * 2001-02-22 2012-04-25 株式会社Ｉｈｉ 照明光学系及びこれを備えるレーザー処理装置
TW528879B (en) * 2001-02-22 2003-04-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Illumination optical system and laser processor having the same
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US7009140B2 (en) 2001-04-18 2006-03-07 Cymer, Inc. Laser thin film poly-silicon annealing optical system
TW558861B (en) * 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
TW552645B (en) 2001-08-03 2003-09-11 Semiconductor Energy Lab Laser irradiating device, laser irradiating method and manufacturing method of semiconductor device
US7372630B2 (en) * 2001-08-17 2008-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser, irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
CN2546122Y (zh) * 2001-11-20 2003-04-23 青岛迪玛特五金工具有限公司 孔加工机械的激光定位系统
US6937336B2 (en) * 2002-08-15 2005-08-30 Black & Decker, Inc. Optical alignment system for power tool
US8004664B2 (en) 2002-04-18 2011-08-23 Chang Type Industrial Company Power tool control system
KR20030095313A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 레이저 어닐링장치 및 레이저 박막형성장치
US20030233921A1 (en) 2002-06-19 2003-12-25 Garcia Jaime E. Cutter with optical alignment system
JP2004128421A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US7160762B2 (en) * 2002-11-08 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and laser irradiation apparatus
JP4429586B2 (ja) * 2002-11-08 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7919726B2 (en) * 2002-11-29 2011-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
US7056810B2 (en) * 2002-12-18 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus and electric appliance
JP4515034B2 (ja) * 2003-02-28 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1468774B1 (en) * 2003-02-28 2009-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7524712B2 (en) * 2003-03-07 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and laser irradiation method and laser irradiation apparatus
US7304005B2 (en) * 2003-03-17 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7210820B2 (en) * 2003-05-07 2007-05-01 Resonetics, Inc. Methods and apparatuses for homogenizing light
US7208395B2 (en) * 2003-06-26 2007-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device
US7336907B2 (en) * 2003-10-31 2008-02-26 Texas Instruments Incorporated Optical assembly having cylindrical lenses and related method of modulating optical signals
CN1886872A (zh) * 2003-11-26 2006-12-27 Tcz股份有限公司 激光薄膜多晶硅退火系统
JP4342429B2 (ja) * 2004-02-09 2009-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20060146906A1 (en) * 2004-02-18 2006-07-06 Cymer, Inc. LLP EUV drive laser
JP4579575B2 (ja) 2004-05-14 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法及びレーザ照射装置
WO2007049525A1 (en) 2005-10-26 2007-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP5132119B2 (ja) * 2005-10-26 2013-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7679029B2 (en) 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
CN101346800B (zh) * 2005-12-20 2011-09-14 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法
US7307237B2 (en) * 2005-12-29 2007-12-11 Honeywell International, Inc. Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips
JP2008124149A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 光学装置および結晶化装置
DE102007036262A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Robert Bosch Gmbh Radarsensor für Kraftfahrzeuge
JP2009283807A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Canon Inc 窒化物半導体層を含む構造体、窒化物半導体層を含む複合基板、及びこれらの製造方法
JP5414467B2 (ja) * 2009-11-09 2014-02-12 キヤノン株式会社 レーザ加工方法
US9069255B2 (en) * 2009-11-18 2015-06-30 Jim Hennessy Carrier sheet for a photosensitive printing element
CN102169816B (zh) * 2011-03-09 2013-02-27 清华大学 一种超浅结深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置
GB2490143B (en) * 2011-04-20 2013-03-13 Rolls Royce Plc Method of manufacturing a component
DE102011002236A1 (de) * 2011-04-21 2012-10-25 Dritte Patentportfolio Beteiligungsgesellschaft Mbh & Co.Kg Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen Schicht
US9769902B1 (en) 2011-05-09 2017-09-19 The United States Of America As Represented By Secretary Of The Air Force Laser sensor stimulator
US9859348B2 (en) 2011-10-14 2018-01-02 Diftek Lasers, Inc. Electronic device and method of making thereof
US9396932B2 (en) 2014-06-04 2016-07-19 Diftek Lasers, Inc. Method of fabricating crystalline island on substrate
RU2486282C1 (ru) * 2011-11-17 2013-06-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ получения имплантированного ионами олова кварцевого стекла
JP5920662B2 (ja) * 2012-06-05 2016-05-18 三菱マテリアル株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP5920661B2 (ja) * 2012-06-05 2016-05-18 三菱マテリアル株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
EP2869963B1 (de) * 2012-07-04 2016-09-28 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung und verfahren zur laserbearbeitung grossflächiger substrate unter verwendung von mindestens zwei brücken
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
US11407066B2 (en) 2014-01-15 2022-08-09 Siltectra Gmbh Splitting of a solid using conversion of material
WO2016077587A2 (en) * 2014-11-12 2016-05-19 President And Fellows Of Harvard College Creation of hyperdoped semiconductors with concurrent high crystallinity and high sub-bandgap absorptance using nanosecond laser annealing
EP3223994B1 (de) 2014-11-27 2023-04-26 Siltectra GmbH Laserbasiertes trennverfahren
FR3035540B1 (fr) * 2015-04-27 2017-04-28 Centre Nat Rech Scient Procede d'impression au moyen de deux lasers
US10312310B2 (en) 2016-01-19 2019-06-04 Diftek Lasers, Inc. OLED display and method of fabrication thereof
CN106024604B (zh) * 2016-08-02 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种激光退火设备
JP6870286B2 (ja) * 2016-11-15 2021-05-12 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US9933592B1 (en) 2017-01-20 2018-04-03 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Large aperture, passive optical athermalized beam expander for eye-safe lasers
CN106903424B (zh) * 2017-02-20 2018-05-29 温州大学激光与光电智能制造研究院 一种基于激光冲击波提高光学元件力学性能的后处理方法
US10411027B2 (en) 2017-10-19 2019-09-10 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuits with memory cells and method for producing the same
CN109095587B (zh) * 2018-08-28 2021-08-03 江苏大学 一种基于空化降解废水的光学装置
CN111843713A (zh) * 2020-06-29 2020-10-30 江苏亚威艾欧斯激光科技有限公司 透镜加工装置及透镜阵列

Family Cites Families (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5313976B1 (ja) * 1969-08-04 1978-05-13
US4151008A (en) * 1974-11-15 1979-04-24 Spire Corporation Method involving pulsed light processing of semiconductor devices
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
JPS53135653A (en) 1977-05-01 1978-11-27 Canon Inc Photoelectric detecting optical device
US4155779A (en) * 1978-08-21 1979-05-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Control techniques for annealing semiconductors
JPS5842448B2 (ja) * 1978-08-25 1983-09-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
US4309224A (en) * 1978-10-06 1982-01-05 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device
US4305640A (en) * 1978-11-24 1981-12-15 National Research Development Corporation Laser beam annealing diffuser
US4198246A (en) * 1978-11-27 1980-04-15 Rca Corporation Pulsed laser irradiation for reducing resistivity of a doped polycrystalline silicon film
US4309225A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
US4546009A (en) * 1979-10-01 1985-10-08 Exxon Research Engineering Co High-mobility amorphous silicon displaying non-dispersive transport properties
JPS5669837A (en) * 1979-11-12 1981-06-11 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
NL8006339A (nl) * 1979-11-21 1981-06-16 Hitachi Ltd Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
JPS5783745A (en) 1980-11-08 1982-05-25 Chuo Spring Co Ltd Formation of shock-proof end piece for control cable
DE3272410D1 (en) * 1981-02-16 1986-09-11 Fujitsu Ltd Method of producing mosfet type semiconductor device
US4379727A (en) * 1981-07-08 1983-04-12 International Business Machines Corporation Method of laser annealing of subsurface ion implanted regions
US4431459A (en) * 1981-07-17 1984-02-14 National Semiconductor Corporation Fabrication of MOSFETs by laser annealing through anti-reflective coating
JPS5823479A (ja) * 1981-08-05 1983-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS5880852A (ja) * 1981-11-10 1983-05-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4475027A (en) * 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
US4484334A (en) * 1981-11-17 1984-11-20 Allied Corporation Optical beam concentrator
JPS58127318A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁層上への単結晶膜形成方法
US4436557A (en) * 1982-02-19 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Modified laser-annealing process for improving the quality of electrical P-N junctions and devices
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
JPS58191420A (ja) * 1982-05-04 1983-11-08 Nec Corp 単結晶シリコン膜形成法
US4473433A (en) * 1982-06-18 1984-09-25 At&T Bell Laboratories Process for producing dielectrically isolated single crystal silicon devices
JPS5945089A (ja) * 1982-09-09 1984-03-13 Toshiba Corp 肉盛溶接方法
US4536231A (en) * 1982-10-19 1985-08-20 Harris Corporation Polysilicon thin films of improved electrical uniformity
US4592799A (en) * 1983-05-09 1986-06-03 Sony Corporation Method of recrystallizing a polycrystalline, amorphous or small grain material
JPS605508A (ja) 1983-06-24 1985-01-12 Agency Of Ind Science & Technol 半導体結晶薄膜の製造方法
JPS6014441A (ja) 1983-07-04 1985-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
US4662708A (en) * 1983-10-24 1987-05-05 Armco Inc. Optical scanning system for laser treatment of electrical steel and the like
JPS60224282A (ja) * 1984-04-20 1985-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JPH0693515B2 (ja) * 1984-04-26 1994-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
GB2158843A (en) 1984-05-14 1985-11-20 Philips Electronic Associated Method of manufacturing a semiconductor device by molecular beam epitaxy
JPH07118443B2 (ja) * 1984-05-18 1995-12-18 ソニー株式会社 半導体装置の製法
JPS60257511A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Sony Corp 熱処理方法及びそれに用いる熱処理装置
JPS6180815A (ja) * 1984-09-27 1986-04-24 Sony Corp 線状エネルギ−ビ−ム照射装置
US4937459A (en) 1984-11-16 1990-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Alignment signal detecting device
JPS61141174A (ja) * 1984-12-13 1986-06-28 Seiko Epson Corp 固体撮像装置
JPS61152069A (ja) 1984-12-26 1986-07-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US4769750A (en) * 1985-10-18 1988-09-06 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical system
US4733944A (en) * 1986-01-24 1988-03-29 Xmr, Inc. Optical beam integration system
DE3784537T2 (de) * 1986-04-11 1993-09-30 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht.
JPS636501A (ja) 1986-06-27 1988-01-12 Komatsu Ltd インテグレ−タプリズム
JPS6325933A (ja) * 1986-07-17 1988-02-03 Nec Corp シリコン基板の歪付け方法
JPS6344739A (ja) * 1986-08-12 1988-02-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6149988A (en) 1986-09-26 2000-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
US5708252A (en) * 1986-09-26 1998-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Excimer laser scanning system
JPS6384789A (ja) 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
JPH0355921Y2 (ja) * 1986-11-11 1991-12-13
JPH0786647B2 (ja) * 1986-12-24 1995-09-20 株式会社ニコン 照明装置
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
JP2773117B2 (ja) 1987-06-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US4773944A (en) * 1987-09-08 1988-09-27 Energy Conversion Devices, Inc. Large area, low voltage, high current photovoltaic modules and method of fabricating same
JPS6476715A (en) * 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Manufacture of polycrystalline semiconductor thin film
JPS6487814A (en) 1987-09-29 1989-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Exhaust gas filter
JP2540744B2 (ja) 1987-10-08 1996-10-09 株式会社ニコン レ―ザを用いた露光用照明装置
JPH01119020A (ja) 1987-10-30 1989-05-11 Canon Inc 露光装置
JPH0676312B2 (ja) * 1988-01-19 1994-09-28 株式会社サンギ 洗顔，洗髪及び入浴剤
JP2623276B2 (ja) 1988-01-22 1997-06-25 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置の製造方法
US5307207A (en) * 1988-03-16 1994-04-26 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus
JPH0831645B2 (ja) 1988-03-16 1996-03-27 株式会社ニコン 照明装置
JPH01239837A (ja) * 1988-03-19 1989-09-25 Nippon Denso Co Ltd 再結晶化方法
JPH01241862A (ja) * 1988-03-24 1989-09-26 Sony Corp 表示装置の製造方法
JPH01245993A (ja) * 1988-03-27 1989-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜加工装置
NL8800953A (nl) * 1988-04-13 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam.
JP2664723B2 (ja) 1988-05-11 1997-10-22 富士通株式会社 レーザアニール装置
JPH01286478A (ja) 1988-05-13 1989-11-17 Hitachi Ltd ビーム均一化光学系おゆび製造法
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0220681A (ja) * 1988-07-05 1990-01-24 Fujitsu Ltd レーザビームの集束方法
JPH0251224A (ja) 1988-08-15 1990-02-21 Tokyo Electron Ltd 不純物の注入方法
JP2632558B2 (ja) * 1988-09-08 1997-07-23 株式会社日立製作所 レーザビーム照射装置および照射方法
US5180690A (en) * 1988-12-14 1993-01-19 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material
US5253110A (en) 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JP2679319B2 (ja) * 1988-12-22 1997-11-19 株式会社ニコン 照明装置及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
JPH02187294A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Nec Corp レーザビーム整形装置
JP2535610B2 (ja) * 1989-02-22 1996-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JPH02255292A (ja) * 1989-03-28 1990-10-16 Fuji Electric Co Ltd レーザ加工装置
US5225924A (en) * 1989-04-07 1993-07-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Optical beam scanning system
JP3190653B2 (ja) * 1989-05-09 2001-07-23 ソニー株式会社 アニール方法およびアニール装置
US5272361A (en) * 1989-06-30 1993-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect semiconductor device with immunity to hot carrier effects
US5089802A (en) * 1989-08-28 1992-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Diamond thermistor and manufacturing method for the same
JPH03132012A (ja) * 1989-10-18 1991-06-05 Nikon Corp 半導体露光装置
US4997250A (en) * 1989-11-17 1991-03-05 General Electric Company Fiber output coupler with beam shaping optics for laser materials processing system
JPH03159119A (ja) * 1989-11-17 1991-07-09 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5232674A (en) * 1989-12-20 1993-08-03 Fujitsu Limited Method of improving surface morphology of laser irradiated surface
JP3033120B2 (ja) * 1990-04-02 2000-04-17 セイコーエプソン株式会社 半導体薄膜の製造方法
JPH0411226A (ja) 1990-04-27 1992-01-16 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法
JP2657957B2 (ja) * 1990-04-27 1997-09-30 キヤノン株式会社 投影装置及び光照射方法
US5095386A (en) * 1990-05-01 1992-03-10 Charles Lescrenier Optical system for generating lines of light using crossed cylindrical lenses
DE69127395T2 (de) * 1990-05-11 1998-01-02 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter
JP2700277B2 (ja) 1990-06-01 1998-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP3248109B2 (ja) 1990-11-02 2002-01-21 ソニー株式会社 ステップアンドリピート式のレーザ結晶化方法及びレーザ光照射方法
US5236865A (en) * 1991-01-16 1993-08-17 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously forming silicide and effecting dopant activation on a semiconductor wafer
JP3149450B2 (ja) * 1991-04-04 2001-03-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及び製造装置
US5097291A (en) * 1991-04-22 1992-03-17 Nikon Corporation Energy amount control device
JP3277548B2 (ja) * 1991-05-08 2002-04-22 セイコーエプソン株式会社 ディスプレイ基板
JP3213338B2 (ja) * 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
JP3466633B2 (ja) * 1991-06-12 2003-11-17 ソニー株式会社 多結晶半導体層のアニール方法
GB9114018D0 (en) * 1991-06-28 1991-08-14 Philips Electronic Associated Thin-film transistor manufacture
JPH0521339A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Ricoh Co Ltd 薄膜半導体装置とその製法
KR100269350B1 (ko) * 1991-11-26 2000-10-16 구본준 박막트랜지스터의제조방법
KR950003235B1 (ko) * 1991-12-30 1995-04-06 주식회사 금성사 반도체 소자의 구조
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
US5372836A (en) * 1992-03-27 1994-12-13 Tokyo Electron Limited Method of forming polycrystalling silicon film in process of manufacturing LCD
JP3211377B2 (ja) * 1992-06-17 2001-09-25 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JPH06124913A (ja) 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
MY109592A (en) * 1992-11-16 1997-03-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate, and apparatus and method for evaluating semiconductor crystals.
US5403762A (en) * 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
JPH06232069A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US5366926A (en) * 1993-06-07 1994-11-22 Xerox Corporation Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon
US6300176B1 (en) 1994-07-22 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method
JP3286518B2 (ja) 1996-01-23 2002-05-27 三洋電機株式会社 ラジオ受信機の電界強度検出回路
JP3917231B2 (ja) 1996-02-06 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置およびレーザー照射方法
US5699191A (en) 1996-10-24 1997-12-16 Xerox Corporation Narrow-pitch beam homogenizer
JP3813269B2 (ja) 1996-11-01 2006-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射システム
US5986807A (en) 1997-01-13 1999-11-16 Xerox Corporation Single binary optical element beam homogenizer
JPH10253916A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー光学装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014914A (ja) * 2010-07-20 2011-01-20 Emd:Kk 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004186704A (ja) 2004-07-02
JP2001044131A (ja) 2001-02-16
CN1087750A (zh) 1994-06-08
CN1921069B (zh) 2010-12-08
KR100203981B1 (ko) 1999-06-15
US6002101A (en) 1999-12-14
US5968383A (en) 1999-10-19
KR0169872B1 (ko) 1999-10-01
JP2010045411A (ja) 2010-02-25
JP2001023921A (ja) 2001-01-26
CN1139105C (zh) 2004-02-18
JP2007158376A (ja) 2007-06-21
US7985635B2 (en) 2011-07-26
CN1350322A (zh) 2002-05-22
KR100261853B1 (ko) 2000-08-01
CN1921069A (zh) 2007-02-28
CN1214450C (zh) 2005-08-10
CN1076864C (zh) 2001-12-26
US6440785B1 (en) 2002-08-27
US5897799A (en) 1999-04-27
CN1108225C (zh) 2003-05-14
JP2000357667A (ja) 2000-12-26
CN1414615A (zh) 2003-04-30
CN1216404C (zh) 2005-08-24
CN1414604A (zh) 2003-04-30
KR940001496A (ko) 1994-01-11
JP2001015449A (ja) 2001-01-19
JP2011223027A (ja) 2011-11-04
JPH06124913A (ja) 1994-05-06
US5858473A (en) 1999-01-12
JP4832566B2 (ja) 2011-12-07
CN1128193A (zh) 1996-08-07
KR970005141B1 (ko) 1997-04-12
KR100261852B1 (ko) 2000-07-15
CN1284742A (zh) 2001-02-21
US6991975B1 (en) 2006-01-31
JP3708793B2 (ja) 2005-10-19
US20060194377A1 (en) 2006-08-31
JP4602365B2 (ja) 2010-12-22
KR0169945B1 (en) 1999-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3708793B2 (ja) 半導体膜作製方法
KR100348342B1 (ko) 레이저 어닐링 방법 및 장치
US6563843B1 (en) Laser irradiation device
US6528359B2 (en) Laser annealing method and laser annealing device
JP4021135B2 (ja) レーザ照射装置及び半導体装置の作製方法
KR100294165B1 (ko) 레이저어닐방법
JPH08195357A (ja) レーザー照射装置
JPH07249592A (ja) 半導体デバイスのレーザー処理方法
US5122223A (en) Graphoepitaxy using energy beams
JP3587900B2 (ja) 結晶性珪素膜の作製方法
JPH10150002A (ja) 半導体膜作製方法
JPH10150003A (ja) レーザー処理装置
JPH10150001A (ja) レーザー処理装置
JPH08241872A (ja) レーザーアニール方法
JPH04130623A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050307

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060808

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060830