JP2632558B2 - レーザビーム照射装置および照射方法 - Google Patents
レーザビーム照射装置および照射方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザビームの照射装置および照射方法に係
り、特に、アモルファスシリコン膜の結晶化、あるいは
イオン打込み領域の不純物の活性化等に好適なレーザビ
ーム照射装置および照射方法に関する。
り、特に、アモルファスシリコン膜の結晶化、あるいは
イオン打込み領域の不純物の活性化等に好適なレーザビ
ーム照射装置および照射方法に関する。
（従来の技術） 近年、アモルファスシリコン膜の結晶化、あるいはイ
オン打込み領域の不純物の活性化がレーザビームの照射
によって行れるようになってきた。
オン打込み領域の不純物の活性化がレーザビームの照射
によって行れるようになってきた。
ところが、一般的にレーザビーム断面のエネルギ強度
は均一ではなく、ビーム断面の中心部から外周部に向か
って弱くなる分布を示す。
は均一ではなく、ビーム断面の中心部から外周部に向か
って弱くなる分布を示す。
さらに、レーザの照射時間が長くなるとビーム形状が
変化するという問題も発生する。
変化するという問題も発生する。
このような問題点を解決するための１つの方法とし
て、従来技術では、照射するレーザビームのエネルギを
強くする方法が用いられている。
て、従来技術では、照射するレーザビームのエネルギを
強くする方法が用いられている。
レーザビームのエネルギを強くすると、アモルファス
シリコン膜の結晶化の場合、照射後の結晶成分量が増加
したり、結晶化が深い領域にまで進むという効果があ
り、イオン打込み領域の不純物の活性化の場合には、活
性化率が上昇したり、結晶化が深い領域にまで進むとい
う効果がある。
シリコン膜の結晶化の場合、照射後の結晶成分量が増加
したり、結晶化が深い領域にまで進むという効果があ
り、イオン打込み領域の不純物の活性化の場合には、活
性化率が上昇したり、結晶化が深い領域にまで進むとい
う効果がある。
また、前記問題点を解決するためのもう１つの方法と
して、特にパルス状のレーザビームを用いる場合には、
レーザビームあるいは被処理物のいずれか一方を、ビー
ム径よりも小さい距離で動かしながらレーザビームを照
射する方法、すなわち、レーザビーム断面の輪郭部を重
ね合わせながら照射する方法が用いられている。
して、特にパルス状のレーザビームを用いる場合には、
レーザビームあるいは被処理物のいずれか一方を、ビー
ム径よりも小さい距離で動かしながらレーザビームを照
射する方法、すなわち、レーザビーム断面の輪郭部を重
ね合わせながら照射する方法が用いられている。
第３図は、断面形状が長方形のビーム（図中、太い実
線で囲った部分）を、縦（列）方向には1/4、横（行）
方向には1/5ずつ重ね合わせながら照射する従来の方法
を示した図である。
線で囲った部分）を、縦（列）方向には1/4、横（行）
方向には1/5ずつ重ね合わせながら照射する従来の方法
を示した図である。
このようにレーザビームを照射していくと、最終的に
は照射回数が１回の部分（白抜部分）、２回の部分（点
線斜線部分）、４回の部分（実線斜線部分）ができる。
は照射回数が１回の部分（白抜部分）、２回の部分（点
線斜線部分）、４回の部分（実線斜線部分）ができる。
なお、図においては、説明を簡略化するために一部分
のみに斜線を施したが、その他の部分も同様になること
は明らかであろう。
のみに斜線を施したが、その他の部分も同様になること
は明らかであろう。
（発明が解決しようとする課題） レーザビームのエネルギを強くすると、処理膜の表面
が凹凸になったり、膜はがれが生じたりする問題があ
る。
が凹凸になったり、膜はがれが生じたりする問題があ
る。
また、レーザビームのエネルギが強くなくても、レー
ザビームが多数回照射された部分では、前記と同様に処
理膜の表面が凹凸になったり、膜はがれが生じたりする
問題が生じる。そして、これらの問題は、処理膜の表面
にSiO2膜をキャップとしてかぶせても解決することがで
きない。
ザビームが多数回照射された部分では、前記と同様に処
理膜の表面が凹凸になったり、膜はがれが生じたりする
問題が生じる。そして、これらの問題は、処理膜の表面
にSiO2膜をキャップとしてかぶせても解決することがで
きない。
本発明の目的は、上記した問題点を解決して、アモル
ファスシリコン膜の結晶化、あるいはイオン打込み領域
の不純物の活性化等に好適なレーザビーム照射装置およ
び照射方法を提供することにある。
ファスシリコン膜の結晶化、あるいはイオン打込み領域
の不純物の活性化等に好適なレーザビーム照射装置およ
び照射方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記した問題点を解決するために、本発明は、半導体
層の表面にレーザビームを、その断面のすべての輪郭部
が半導体層の表面で互いに重なり合うように照射する場
合に、レーザビームの断面形状を規定することによっ
て、あるいは照射位置を制御することによって、前記重
なり合う部分でのレーザビームの照射回数を３回以下に
するようにした点に特徴がある。
層の表面にレーザビームを、その断面のすべての輪郭部
が半導体層の表面で互いに重なり合うように照射する場
合に、レーザビームの断面形状を規定することによっ
て、あるいは照射位置を制御することによって、前記重
なり合う部分でのレーザビームの照射回数を３回以下に
するようにした点に特徴がある。
（作用） 以下に、レーザの照射回数を３回以下に抑えることで
膜はがれが防止できる様子について説明する。
膜はがれが防止できる様子について説明する。
アモルファスシリコン膜にレーザを照射すると膜の結
晶化が起る。その結晶化の深さはレーザの波長と強度に
依存するが、一般に、一度レーザ照射された領域の光の
吸収係数は小さくなる。従って、結晶化した領域にさら
にレーザ光を照射すると、一度目よりも深い領域まで結
晶化が起る。第４図は、レーザの照射回数とシリコン膜
のはがれの面接割合との関係を示した図である。なお、
このときのレーザのエネルギ強度は300mJ/cm2であり、
シリコン膜の厚さは0.5μｍ以下である。
晶化が起る。その結晶化の深さはレーザの波長と強度に
依存するが、一般に、一度レーザ照射された領域の光の
吸収係数は小さくなる。従って、結晶化した領域にさら
にレーザ光を照射すると、一度目よりも深い領域まで結
晶化が起る。第４図は、レーザの照射回数とシリコン膜
のはがれの面接割合との関係を示した図である。なお、
このときのレーザのエネルギ強度は300mJ/cm2であり、
シリコン膜の厚さは0.5μｍ以下である。
同図から明らかなように、照射回数が３回を越える
と、すなわち照射回数が４回以上になると、膜はがれの
面積割合が急激に上昇する。
と、すなわち照射回数が４回以上になると、膜はがれの
面積割合が急激に上昇する。
しかし、照射回数が３回以下であればその割合が非常
に小さく、２回以下になると膜はがれは全く発生しな
い。
に小さく、２回以下になると膜はがれは全く発生しな
い。
なお、膜はがれの状況はエキシマレーザ（波長308n
m）を用いてもルビーレーザ（波長694nm）を用いても同
様であり、波長依存性はない。
m）を用いてもルビーレーザ（波長694nm）を用いても同
様であり、波長依存性はない。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例であるレーザビーム照射装
置の側面図である。
置の側面図である。
同図において、レーザ発振装置２から出力されたレー
ザビーム１は、ミラー３で反射されてレーザビーム均一
化機構４内に照射される。
ザビーム１は、ミラー３で反射されてレーザビーム均一
化機構４内に照射される。
該レーザビーム均一化機構４では、照射されたレーザ
ビーム１の断面内のエネルギ強度を均一にして出力す
る。
ビーム１の断面内のエネルギ強度を均一にして出力す
る。
レーザビーム均一化機構４から出力されたレーザビー
ムは、スリット板５によってビーム形状を規制され、ス
リット板５のスリットの通過したレーザビームのみが試
料６に照射される。
ムは、スリット板５によってビーム形状を規制され、ス
リット板５のスリットの通過したレーザビームのみが試
料６に照射される。
このとき、XYステージ７は、レーザビームが試料の表
面全体に均一に照射されるように試料６をXY方向に動か
す。なお、レーザビームの照射角度を制御することによ
って、該レーザビームが試料６上で走査されるようにし
ても良い。
面全体に均一に照射されるように試料６をXY方向に動か
す。なお、レーザビームの照射角度を制御することによ
って、該レーザビームが試料６上で走査されるようにし
ても良い。
前記レーザ発振装置２およびXYステージ７の制御は、
制御系８によって行われる。
制御系８によって行われる。
第５図（ａ）は、前記スリット板５の中央部に設けら
れたスリットを通過して試料６上に照射されるレーザビ
ームの形状を示した図であり、本実施例では、一辺が10
mmの正方形のコーナ部分から、等辺が2mmの２等辺三角
形を取り除いた形状となっている。
れたスリットを通過して試料６上に照射されるレーザビ
ームの形状を示した図であり、本実施例では、一辺が10
mmの正方形のコーナ部分から、等辺が2mmの２等辺三角
形を取り除いた形状となっている。
換言すれば、前記スリット板５の中央部に設けられた
スリットが、同図に示した形状を有するともいえる。
スリットが、同図に示した形状を有するともいえる。
以下に、上記した構成を有するレーザビーム照射装置
を用いて薄膜トランジスタを形成する方法について説明
する。
を用いて薄膜トランジスタを形成する方法について説明
する。
初めに、100mm角のガラス基板上に常圧CVD法によって
SiO2下地膜を堆積させる。
SiO2下地膜を堆積させる。
次に、該SiO2下地膜の表面に、減圧CVD法によってモ
ノシランガス（SiH4）を用いて、550℃の温度でアモル
ファスシリコン膜を0.2μｍ堆積し、さらに、常圧CVD法
によってSiO2膜を0.1μｍ堆積し、これをキャップ膜と
する。
ノシランガス（SiH4）を用いて、550℃の温度でアモル
ファスシリコン膜を0.2μｍ堆積し、さらに、常圧CVD法
によってSiO2膜を0.1μｍ堆積し、これをキャップ膜と
する。
次に、波長308nmのエキシマレーザを用い、レーザ光
強度300J/cm2で前記アモルファスシリコン膜にレーザビ
ームを照射して多結晶シリコン膜とする。
強度300J/cm2で前記アモルファスシリコン膜にレーザビ
ームを照射して多結晶シリコン膜とする。
なお、本発明者が行なった実験におけるレーザビーム
の照射方法では、試料の移動速度が40mm/s、縦方向およ
び横方向の重ね合わせ幅d1,d2は共に2mmで8mmずつ進
む。すなわち、レーザビーム照射場所の移動周期は5Hz
となる。このとき、100mm角の基板全面への照射には30
秒を要した。
の照射方法では、試料の移動速度が40mm/s、縦方向およ
び横方向の重ね合わせ幅d1,d2は共に2mmで8mmずつ進
む。すなわち、レーザビーム照射場所の移動周期は5Hz
となる。このとき、100mm角の基板全面への照射には30
秒を要した。
第５図（ｂ）は、このときのレーザビームの重ね合わ
せ方法を示した図であり、図中、太い実線で囲った部分
がレーザビームの断面形状を示している。このようにビ
ームを照射していくと、最終的には照射回数が１回の部
分（白抜部分）と２回の部分（点線斜線部分）ができ
る。
せ方法を示した図であり、図中、太い実線で囲った部分
がレーザビームの断面形状を示している。このようにビ
ームを照射していくと、最終的には照射回数が１回の部
分（白抜部分）と２回の部分（点線斜線部分）ができ
る。
なお、図においては、説明を簡略化するために一部分
のみに斜線を施した。
のみに斜線を施した。
本実施例によれば、レーザの重ね合せ回数は最大２回
であるため、表面は平らに保たれ、膜はがれは生じな
い。レーザ照射後、HF溶液によりSiO2キャップ膜を除去
し、さらに、ホト・エッチ工程により多結晶シリコン膜
を島状にする。
であるため、表面は平らに保たれ、膜はがれは生じな
い。レーザ照射後、HF溶液によりSiO2キャップ膜を除去
し、さらに、ホト・エッチ工程により多結晶シリコン膜
を島状にする。
次に、ゲート絶縁膜であるSiO2膜を常圧CVD法により
0.1μｍ堆積する。続いて、ゲート電極となるシリコン
層を減圧CVD法により0.2μｍ堆積する。さらに、ホト・
エッチ工程によりゲート電極領域を形成する。
0.1μｍ堆積する。続いて、ゲート電極となるシリコン
層を減圧CVD法により0.2μｍ堆積する。さらに、ホト・
エッチ工程によりゲート電極領域を形成する。
次に、イオン打込み法によりリン（Ｐ）を30KeVエネ
ルギで５×1015cm-2打込む。
ルギで５×1015cm-2打込む。
次に、チッ素中で600℃、20時間の熱処理により不純
物原子を活性化する。続いてAlを蒸着させ、ホト・エッ
チ工程により電極配線とする。
物原子を活性化する。続いてAlを蒸着させ、ホト・エッ
チ工程により電極配線とする。
以上によって得られたTFTは、キャリア移動度約120cm
2/Vs、しきい電圧4V、逆方向リーク電流（ゲート電圧VG
＝−5V印加時）５×10-12Aなる特性を示した。
2/Vs、しきい電圧4V、逆方向リーク電流（ゲート電圧VG
＝−5V印加時）５×10-12Aなる特性を示した。
第６図（ａ）は、本発明の第２の実施例のレーザビー
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
本実施例のビーム形状は、円形の輪郭部に該円形と同
一半径の６つの弧20−１〜20−６を、互いに隣り合う弧
の一部が交差するように等間隔で配置した場合に、互い
に交差する２つの弧と前記円形の円周とで囲まれる６つ
の三角形状の領域21−１〜21−６のうち、同一の直径上
に存在する２つの三角形状領域21−２、21−５以外の４
つの三角形状領域を、前記円形の輪郭部から取り除いた
形状である。
一半径の６つの弧20−１〜20−６を、互いに隣り合う弧
の一部が交差するように等間隔で配置した場合に、互い
に交差する２つの弧と前記円形の円周とで囲まれる６つ
の三角形状の領域21−１〜21−６のうち、同一の直径上
に存在する２つの三角形状領域21−２、21−５以外の４
つの三角形状領域を、前記円形の輪郭部から取り除いた
形状である。
換言すれば、断面形状が円形であるビームを、同図
（ｂ）に示したように、互いに隣り合う列内のレーザビ
ーム照射位置の位相がレーザビームの走査方向（図中、
縦方向）に対して半周期ずつずれるように照射した場合
に、互いに一部分を重ね合う３つの円形ビームの全てに
共通して重なる部分がなくなるように、その一部を取り
除いた形状となっている。
（ｂ）に示したように、互いに隣り合う列内のレーザビ
ーム照射位置の位相がレーザビームの走査方向（図中、
縦方向）に対して半周期ずつずれるように照射した場合
に、互いに一部分を重ね合う３つの円形ビームの全てに
共通して重なる部分がなくなるように、その一部を取り
除いた形状となっている。
第７図（ａ）は、本発明の第３の実施例のレーザビー
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
本実施例のビーム形状は、六角形の輪郭部に該六角形
の各辺に平行な直線30−１〜30−６を配置した場合に、
互いに交差する２つの直線と前記六角形の外周とで囲ま
れる６つの平行四辺形領域31−１〜31−６のうち、レー
ザビームの走査方向［同図（ｂ）中では横方向］と直角
方向で互いに対向する２つの平行四辺形領域31−１、31
−４を、前記六角形の輪郭部から取り除いた形状である 換言すれば、断面形状が六角形であるビームを、前記
第２実施例と同様に、互いに隣り合う列内のレーザビー
ム照射位置の位相がレーザビームの走査方向に対して半
周期ずつずれるように照射した場合に、互いに一部分を
重ね合う３つの六角形ビームの全てに共通して重なる部
分がなくなるように、その一部を取り除いた形状となっ
ている。
の各辺に平行な直線30−１〜30−６を配置した場合に、
互いに交差する２つの直線と前記六角形の外周とで囲ま
れる６つの平行四辺形領域31−１〜31−６のうち、レー
ザビームの走査方向［同図（ｂ）中では横方向］と直角
方向で互いに対向する２つの平行四辺形領域31−１、31
−４を、前記六角形の輪郭部から取り除いた形状である 換言すれば、断面形状が六角形であるビームを、前記
第２実施例と同様に、互いに隣り合う列内のレーザビー
ム照射位置の位相がレーザビームの走査方向に対して半
周期ずつずれるように照射した場合に、互いに一部分を
重ね合う３つの六角形ビームの全てに共通して重なる部
分がなくなるように、その一部を取り除いた形状となっ
ている。
第８図（ａ）は、本発明の第４の実施例のレーザビー
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
ム形状であり、同図（ｂ）は、その形状を有するレーザ
ビームを用いて半導体基板をレーザ処理する場合の重ね
合わせ方法を示している。
本実施例のビーム形状は、四角形であるビームのコー
ナ部から、行方向の重ね合わせ幅および列方向の重ね合
わせ幅を２辺とする長方形を取り除いた略四角形状であ
り、その重ね合わせ方法は、隣り合う列ごとに、そのレ
ーザビームの照射位置を、四角形ビームの走査方向［同
図（ｂ）中では縦方向］に平行する該四角形ビームの一
辺の長さの3/8ずつずらすことによって、互いに隣り合
う列同士は、一方の列内で照射回数が複数回の部分と他
方の列内で照射回数が複数回の部分とが互いに重なり合
わないようにするものである。
ナ部から、行方向の重ね合わせ幅および列方向の重ね合
わせ幅を２辺とする長方形を取り除いた略四角形状であ
り、その重ね合わせ方法は、隣り合う列ごとに、そのレ
ーザビームの照射位置を、四角形ビームの走査方向［同
図（ｂ）中では縦方向］に平行する該四角形ビームの一
辺の長さの3/8ずつずらすことによって、互いに隣り合
う列同士は、一方の列内で照射回数が複数回の部分と他
方の列内で照射回数が複数回の部分とが互いに重なり合
わないようにするものである。
上記した第２、第３、第４の実施例によれば、ビーム
照射の重なり回数を２回以下にすることができる。
照射の重なり回数を２回以下にすることができる。
なお、ビーム照射の重なり回数を３回まで許容するの
であれば、上記した第２、第３、第４の実施例のよう
に、ビーム形状を略円形、略六角形、略四角形とする必
要はなく、それぞれ円形、六角形、四角形とすることが
できる。
であれば、上記した第２、第３、第４の実施例のよう
に、ビーム形状を略円形、略六角形、略四角形とする必
要はなく、それぞれ円形、六角形、四角形とすることが
できる。
第10図は、断面形状が四角形であるレーザビームを用
いて、ビーム照射の重なり回数を３回以下とする場合の
レーザビーム照射方法を示している。
いて、ビーム照射の重なり回数を３回以下とする場合の
レーザビーム照射方法を示している。
同図より明らかなように、断面形状が四角形であるレ
ーザビームを用いても、前記第４の実施例に関して説明
した照射方法を適用すれば、ビーム照射の重なり回数を
３回以下にすることができる。
ーザビームを用いても、前記第４の実施例に関して説明
した照射方法を適用すれば、ビーム照射の重なり回数を
３回以下にすることができる。
第２図は本発明のレーザビーム照射装置のその他の実
施例の側面図、第９図はレーザビーム出口の詳細を示し
た斜視図であり、第１図と同一の符号は同一または同等
部分を表している。
施例の側面図、第９図はレーザビーム出口の詳細を示し
た斜視図であり、第１図と同一の符号は同一または同等
部分を表している。
本実施例では、レーザビームを、直径1mmのガラスフ
ァイバ10を用いて試料の上方まで導き、レーザビーム形
状は、ガラスファイバ10を束ねるファイバ束ね板９によ
って規定される点に特徴がある。
ァイバ10を用いて試料の上方まで導き、レーザビーム形
状は、ガラスファイバ10を束ねるファイバ束ね板９によ
って規定される点に特徴がある。
なお、前記第９図に示したファイバ束ね板９は、特に
第５図に関して説明したビーム形状を実現する場合を示
しており、88本のガラスファイバが束ねられている。
第５図に関して説明したビーム形状を実現する場合を示
しており、88本のガラスファイバが束ねられている。
このように、本実施例においても、ファイバ束ね板９
によってガラスファイバ10の束ね形状を規定すれば、レ
ーザビームの断面形状を上記実施例と同様の形状とする
ことができるので、上記と同様の効果を達成することが
できる。
によってガラスファイバ10の束ね形状を規定すれば、レ
ーザビームの断面形状を上記実施例と同様の形状とする
ことができるので、上記と同様の効果を達成することが
できる。
（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、レ
ーザビーム照射による照射面での凹凸の発生および膜は
がれを防止し、アモルファスシリコン膜の結晶化、ある
いはイオン打込み領域の不純物の活性化等を効率良く行
うことができるようになる。
ーザビーム照射による照射面での凹凸の発生および膜は
がれを防止し、アモルファスシリコン膜の結晶化、ある
いはイオン打込み領域の不純物の活性化等を効率良く行
うことができるようになる。
第1,2図は、本発明の実施例であるレーザビーム照射装
置の側面図である。 第３図は従来技術のレーザビーム照射を示した図であ
る。 第４図はレーザビーム照射回数と膜はがれ面積との関係
を示した図である。 第5,6,7,8,10図は、本発明のレーザビーム照射装置によ
るレーザビームの断面図およびその照射方法を示した図
である。 第９図は第２図のＡ矢示図である。 １……レーザビーム、２……レーザ発振装置、３……ミ
ラー、４……レーザビーム均一化機構、５……スリット
板、６……試料、７……XYステージ、８……制御系、９
……ファイバ束ね板、10……光ファイバ
置の側面図である。 第３図は従来技術のレーザビーム照射を示した図であ
る。 第４図はレーザビーム照射回数と膜はがれ面積との関係
を示した図である。 第5,6,7,8,10図は、本発明のレーザビーム照射装置によ
るレーザビームの断面図およびその照射方法を示した図
である。 第９図は第２図のＡ矢示図である。 １……レーザビーム、２……レーザ発振装置、３……ミ
ラー、４……レーザビーム均一化機構、５……スリット
板、６……試料、７……XYステージ、８……制御系、９
……ファイバ束ね板、10……光ファイバ
Claims (11)
- 【請求項１】絶縁性基板の表面に多結晶または非晶質半
導体層を形成し、この半導体層にパルス状のレーザビー
ムを行方向および列方向に走査しながら照射するレーザ
ビームの照射方法において、 前記レーザビームを、その断面のすべての輪郭部が、前
記半導体層の表面で互いに重なり合い、かつ、重なり合
う部分での照射回数が３回以下になるように照射するこ
とを特徴とするレーザビームの照射方法。 - 【請求項２】前記レーザビームの断面形状は、該レーザ
ビームを、半導体層の表面で輪郭部が互いに重なり合う
ように行方向および列方向に予定の規則に従って照射し
た場合に、前記重なり合う部分での重なり回数が３回以
下になる形状であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のレーザビームの照射方法。 - 【請求項３】前記レーザビームは、半導体層の表面での
断面の列方向の輪郭部が互いに重なり合うように等間隔
で照射され、互いに隣り合う列同士は、一方の列内で照
射回数が複数回の部分と他方の列内で照射回数が複数回
の部分とが互いに重なり合わないように配置されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
レーザビームの照射方法。 - 【請求項４】前記レーザビームは、半導体層の表面での
断面の列方向の輪郭部が互いに重なり合うように等間隔
で照射され、互いに隣り合う列内のそれぞれのレーザビ
ーム照射位置の位相は、レーザビームの走査方向に対し
て半周期ずつずれていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第３項のいずれかに記載のレーザビーム
の照射方法。 - 【請求項５】レーザビーム生成手段と、 レーザビームが照射される基板を載置する台と、 基板およびレーザビームの少なくとも一方を行方向およ
び列方向に動かして、基板とレーザビーム照射位置との
相対位置を制御する相対位置制御手段と、 レーザビームの、基板表面での断面形状を規定する手段
とを具備したレーザビーム照射装置において、 前記レーザビームの断面形状を規定する手段は、該レー
ザビームが、基板表面ですべての輪郭部が互いに重なり
合うように行方向および列方向に予定の規則に従って照
射された場合に、前記重なり合う部分での重なり回数が
３回以下になるようにレーザビームの断面形状を規定す
ることを特徴とするレーザビームの照射装置。 - 【請求項６】前記レーザビームの断面形状は、円形の輪
郭部内に該円形と同一半径の６つの弧を、互いに隣り合
う弧の一部が交差するように等間隔で配置した場合に、
互いに交差する２つの弧と前記円形の円周とで囲まれる
６つの三角形状の領域のうち、同一の直径上に存在する
２つの三角形状領域以外の４つの三角形状領域を、前記
円形の輪郭部から取り除いた形状であることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載のレーザビームの照射装
置。 - 【請求項７】前記レーザビームの断面形状は、六角形の
輪郭部内に該六角形の各辺に平行な直線を配置した場合
に、互いに交差する２つの直線と前記六角形の外周とで
囲まれる６つの平行四辺形領域のうち、互いに対向する
２つの平行四辺形領域を、前記六角形の輪郭部から取り
除いた形状であることを特徴とする特許請求の範囲第５
項記載のレーザビームの照射装置。 - 【請求項８】前記レーザビームの断面形状は、長方形の
角部から、行方向の重ね合わせ幅および列方向の重ね合
わせ幅を２辺とする三角形を取り除いた八角形であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のレーザビー
ムの照射装置。 - 【請求項９】前記レーザビームの断面形状は、長方形の
角部から、行方向の重ね合わせ幅および列方向の重ね合
わせ幅を２辺とする長方形を取り除いた形状であること
を特徴とする特許請求の範囲第５項記載のレーザビーム
の照射装置。 - 【請求項１０】前記レーザビームの断面形状を規定する
手段は、レーザビームの一部を遮断し、その他の部分を
通過させるスリット板であることを特徴とする特許請求
の範囲第５項ないし第９項のいずれかに記載のレーザビ
ームの照射装置。 - 【請求項１１】前記レーザビームの断面形状を規定する
手段は、前記レーザビームの生成手段から基板表面の上
方までレーザビームを導くガラスファイバと、該ガラス
ファイバを予定の形状に束ねるファイバ束ね板からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項ないし第９項の
いずれかに記載のレーザビームの照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22518588A JP2632558B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レーザビーム照射装置および照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22518588A JP2632558B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レーザビーム照射装置および照射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273623A JPH0273623A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2632558B2 true JP2632558B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=16825295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22518588A Expired - Lifetime JP2632558B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レーザビーム照射装置および照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632558B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-09-08 JP JP22518588A patent/JP2632558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH0273623A (ja) | 1990-03-13 |
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