JPH01119020A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH01119020A
JPH01119020A JP62276716A JP27671687A JPH01119020A JP H01119020 A JPH01119020 A JP H01119020A JP 62276716 A JP62276716 A JP 62276716A JP 27671687 A JP27671687 A JP 27671687A JP H01119020 A JPH01119020 A JP H01119020A
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JP
Japan
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laser
wavelength
optical system
wafer
circuit pattern
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Pending
Application number
JP62276716A
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English (en)
Inventor
Makoto Torigoe
真 鳥越
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Priority to US07/264,078 priority patent/US4964720A/en
Publication of JPH01119020A publication Critical patent/JPH01119020A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は露光装置に関する。特に、本発明はレーザ光に
よりマスクの微細回路パターンを照明し、この微細回路
パターンをウェハ上に転写する為の露光装置に関する。
〔従来技術〕
近年、半導体集積回路の高集積化に伴なって、ウェハ上
に転写する回路パターンの微細化の要請が高まっている
。この為、所謂ステッパーと呼称される半導体露光装置
においては、従来のg線(λ=436nm)等から成る
焼き付は光に代えて更に短波長の光を使用する方式が考
えられている。
所謂遠紫外領域の短波長光を供給する光源として、エキ
シマレーザが良く知られており、各半導体露光装置メー
カ及びICメーカ等でエキシマレーザを光源とする露光
装置の研究開発が活発に行われている。この種の露光装
置の詳細は、例えば特表昭61−502507号公報等
に記載されている。
エキシマレーザから供給されるレーザ光の波長は、例え
ばKrFエキシマレーザでλ=248nm程度であり、
この様な遠視外域の光に対して適当な透過率を備えた硝
材は石英或いは蛍石に限定される。
従って、エキシマレーザを光源とした投影露光装置にお
いては、マスクパターンをウエノ1上に投影する投影光
学系を上記の限られた硝材で構成しなければならない。
従って、エキシマレーザから通常の状態で供給される波
長幅0.4nm(FWHM)程度のレーザ光に対して色
収差の補正を行うことが困難であった。
この為に、上記公表公報にも示される如く、エキシマレ
ーザからのレーザ光のスペクトル線幅を、レーザキャビ
ティ内にグレーティングやエタロン等の波長選択素子を
挿入することにより、非常に狭くする手法が提案されて
いる。この様な狭帯化したレーザ光を使用することで、
上述の色収差の問題は解決できる。
しかしながら、上記の狭帯化を行う方式では、グレーテ
ィングやエタロン等の波長選択素子の機械的安定性の不
定や、周囲の温度や湿度等の環境変化の為に、レーザ光
の波長が変化して投影光学系のピント変化や倍率変動が
生じ、回路パターンの転写性能が劣化する。
〔発明の概要〕
本発明の目的は、上記従来の問題点を解消し、波長変動
が殆ど生じない遠紫外のレーザ光を使用する、新規な露
光装置を提供することにある。
上記目的を達成する為に、本発明に係る露光装置は、マ
スクのパターンをウェハ上に転写する為の露光装置であ
って、金属蒸気レーザ源と該レーザ源からのレーザ光の
光路中に配設した高調波発生手段とを有し、該発生手段
により前記レーザ源の発振波長より更に波長が短い光を
生成し、該光により前記マスクを照明してマスクのパタ
ーンをウェハ上に転写することを特徴としている。
本発明に好適な金属蒸気レーザとして銅蒸気レーザがあ
る。銅蒸気レーザの発振波長はλ=510nm又はλ=
578nmであり、例えばλ=510nmのレーザ光は
高調波発生手段により波長λ’ =255nmの遠紫外
のレーザ光に変換できる。そして、この銅蒸気レーザは
非常に狭い帯域のレーザ光を発振し、しかも安定して特
定波長のレーザ光を供給する。従って、エキシマレーザ
を利用した従来の露光装置に比べ、常時ウェハ上に良好
な回路パターンの転写が行える。
本発明の更なる特徴は後述する実施例に記載されている
〔実施例〕
第1図は本露光装置の一実施例を示す概略構成図である
同図において、1は銅蒸気レーザであり、発振波長λ=
510nrri、出力W=70(W)の光源を構成する
。2はADPやβ−BaB204等の電気光学結晶から
成る高調波発生素子で、変調可能なレーザ光の有効径は
10mm程度である。3は銅蒸気レーザ1と高調波発生
素子2の間のレーザ光の光路中に配設したビーム径縮小
光学系であり、銅蒸気レーザ1から射出したビーム径数
cm程度のレーザ光を、ビーム径10mm程度の平行レ
ーザ光に変換する。これにより銅蒸気レーザ1からのレ
ーザ光を高調波発生素子2にて有効に変調できる。
高調波発生素子2は素子内を通過するレーザ光の波長を
1 / nに短波長化する機能を有しており、素子の高
調波の次数nを適宜設定して所望の波長の光を生成でき
る。この高調波発生素子の構造、波長変換原理に関する
詳細は、例えば「レーザ・ハンドブック」の第7章(朝
食書店)等の文献に示されている。
4はビーム拡大光学系であり、高調波発生素子2で生成
された短波長の平行レーザ光のビーム径を、照明用光束
として使用可能な大きさまで拡大する。本実施例の高調
波発生素子2は第2次高調波を発生するものであり、銅
蒸気レーザ1からの波長λ=510nmのレーザ光は高
調波発生素子2により波長λ=255nmのレーザ光に
変換され、ビーム拡大光学系4によりビーム径を拡大さ
れる。
ビーム径を拡大された平行レーザ光は折り曲げミラー5
、光束分割・インコヒーレント化光学系6、フライアイ
レンズ7、折り曲げミラー8、コンデンサレンズ9を介
して、回路パターンが形成されたレチクル(マスク)1
0を照明する。
光束分割・インコヒーレント化光学系6は、銅蒸気レー
ザ1が供給するコヒーレントなレーザ光を複数の光束に
分割すると共に互いにイン干渉パターンの影響を軽減し
てレチクル10の均一照明を達成する。この光束分割・
インコヒーレント化光学系に関しては、本件出願人によ
る特願昭61−260237号、特願昭61−2602
38号を参考にすると更に理解出来る。又、図示される
形態とは異なるが、USP4,619,508等に示さ
れる照明系も使用できる。
フライアイレンズ7は衆知の通り複数の2次光源を形成
するものであり、フライアイレンズ7の個々のレンズか
ら射出する互いにインコヒーレントなレーザ光は、折り
曲げミラー8及びコンデンサレンズ9を介してレチクル
10上で互いに重なり合う。
このフライアイレンズ7、折り曲げミラー8、コンデン
サレンズ9によるレーザ光の重ね合わせにより、レチク
ル10上の照度分布の均一化を図っている。
レチクル10は石英基板上にクロム等の金属で回路パタ
ーンが描かれたものである。又、銅蒸気レーザ1とレチ
クル10の間のレーザ光の光路中に位置するレンズ等の
各種透光性光学部材はすべて石英で構成されている。
11は石英又は蛍石を硝材として使用して構成した投影
光学系で、12はフォトレジストが上面に塗布されたウ
ェハである。レーザ光により均一照明されたレチクル1
0の回路パターンは、投影光学系11によりウェハ12
上に縮小投影され、ウェハ12上の各ショットに回路パ
ターンが転写される。
ウェハ12はウェハステージ13に固定され、ウェハス
テージ13は定盤14上に配設されている。そして、ウ
ェハステージ13は並進移動と回転、及び投影光学系1
1の光軸方向への上下移動が可能であり、不図示の駆動
装置により移動量と移動方向が制御される。
従って、ウェハステージ13の移動制御を行って、ウェ
ハ12の位置を投影光学系11のピント位置と一致させ
、ウェハ12をX、Y方向(不図示)に順次ステップ移
動しながら各ショットに回路パターンを転写する。
本実施例では、銅蒸気レーザ1が供給する波長λ=51
0nmのレーザ光の第2高調波である波長λ’ =25
5nmのレーザによってレチクル10を照明し、レチク
ル10の回路パターンをウェハ12上に転写している。
銅蒸気レーザ1が供給するレーザ光のスペクトル幅はΔ
λ=0.006nm (7GHz)程度であり、高調波
発生素子2を通過後のレーザ光(λ’ av255nm
)のスペクトル幅は更に半分に狭帯化されて、Δλ’ 
==0.003nm程度になる。従って、上述の如(投
影光学系11は、石英又は蛍石のいずれか一方を使用し
た単一硝材のみで構成出来、投影光学系11の色収差補
正は殆ど配慮する必要がない。又、仮に色収差の補正が
ある程度必要な場合でも、石英と蛍石から成るレンズを
単純に配列するだけで済み、所謂貼り合せレンズは不要
である。遠紫外光に対する貼り合せレンズは吸収や耐久
性の点に問題があり、この意味でも、本実施例の露光装
置の利点が生かされている。
本実施例では銅蒸気レーザ1の第2次高調波を、高調波
発生素子2で生成して使用しているが、金属蒸気レーザ
と高調波の次数(n)は、焼き付は光として如何なる波
長のレーザ光を使用するかにより決定される。
即ち、高調波(焼き付は光)の波長が400nm以上で
あれば、従来のg線(オー。436nm)に比べて短波
長化の効果の度合が小さく、高解像力は望めない。
一方、波長を200 nm以下にすると、レーザ光が空
気や石英、蛍石等で吸収され始めるという問題が生じる
。従って、高調波としては波長200〜400nm程度
、金属蒸気レーザとしては波長200〜400nmのn
倍の発振波長を有するレーザを選択する。そして、高調
波発生素子により金属蒸気レーザからのレーザ光を第1
次高調波に変換して、この高調波を焼き付は光とする。
下記の表に、銅蒸気レーザを含む各種金属蒸気レーザの
発振波長と出力を示す。
高調波発生素子2は、前述の通りADPやβ−BaBz
O<等の電気光学結晶で構成されるが、レーザ光の有効
利用を図る為に出来るだけ変換効率の高い素子を使用す
るのが好ましい。
β−BaBzo4は変換効率10〜40%程度であり、
本発明に好適な素子の1つである。
又、第1図において、高調波発生素子2はビーム縮小光
学系3とビーム拡大光学系4の間の平行レーザ光の光路
中に配されており、高調波発生素子2を通過するレーザ
光のエネルギ密度が高すぎる場合、素子2が損傷をおこ
す。従って、レーザ光のエネルギ密度が素子2の損傷し
きい値を越える場合には、このしきい値以下となる様に
、銅蒸気レーザ1の出力を制御したり、銅蒸気レーザ1
と高調波発生素子2の間の光路中にNDフィルタ等を設
け、レーザ光の強度を減衰させる必要がある。
さて、従来のエキシマレーザの繰り返し周波数は、数百
Hz程度であり、露光装置のスルーブツト向上の為に0
.1秒程度の短時間でウェハ上の所定ショットを露光す
る場合、1回の露光を数十パルスで行うことになる。そ
して、この露光時の露光量制御は、良好なパターンの転
写を行う為に精確に行わなければならない。従って、パ
ルス間強度のばらつきが士数%とあるとして、繰り返し
周波数、即ち1回の露光(ショット)に用いるパルス数
が多い程露光量制御は精確になる。
本発明に使用する金属蒸気レーザの繰り返し周波数は通
常数KHzであり、エキシマレーザのそれに比べて10
倍以上高い。従って、1回の露光時間を0.1秒程度と
しても、1ショット当り数百パルスレーザ光を供給出来
、精確な露光量制御が可能である。
又、前述のUSP4,619,508に示される様な、
レーザ光走査方式による2次光源の形成とインコヒーレ
ント化を行う照明系の場合にも、レーザ光のパルス数が
多い程スペックルの影響を軽減するのに有効である。
従って、この種の照明系を搭載した露光装置に対しても
本発明は極めて有効である。
本発明で使用する金属蒸気レーザは、レーザ発振時に遷
移する金属イオンや金属原子のエネルギ準位間の準位差
のみにより発振波長が決まるレーザである。従って、レ
ーザの機械的不安定性や温度、湿度等の環境変化に起因
してレーザの発振波長が変動することはない。この為、
投影光学系のピントや倍率変化が生じることはなく、常
に良好な回路パターンの転写が行える。
又、金属蒸気レーザは、レーザ発振時に機械的振動や発
熱が伴なう為、例えば第1図に示すレーザユニット1.
2,3,4.5と露光ユニット6.7,8,9,10,
11,12,13.14とを分離配置し、露光ユニット
に銅蒸気レーザ1の発熱や振動が伝達されないよう工夫
する。
ここでは、レーザユニット1〜5と露光ユニット6〜1
4に分離することを提案するが、全システムの構成に当
たり例えばレーザユニット1〜4と露光ユニット5〜1
4に分離する等適宜設計可能である。
又、この様に各ユニット毎に分離配置する場合、量ユニ
ット間を伝播するレーザ光のずれを防止するレーザ光の
位置合わせ機構や補正機構などを付加する。
又高調波発生素子2の変換効率は、レーザ光の入射角に
大きく左右する為、素子2の傾き調整機構を付加し、且
つ素子2で波長変換されたレーザ光の光量をモニターす
る装置を配設して、この光量モニタ装置からの出力信号
に応じて調整機構を駆動することにより素子2の傾き調
整を行うと良い。又、この光量モニタ装置としては、通
常の露光量モニタ装置を兼用して使用するのも好ましい
本実施例では、レチクル10の回路パターンをウェハ上
に転写する為の光学系として、複数のレンズから成る投
影光学系11を用いているが、この光学系として反射鏡
を組合せた反射光学系、或いはレンズ等の屈折光学素子
と反射鏡を組合せた反射屈折光学系(カタジオブライツ
ク系)などが使用できる。
〔発明の効果〕
以上、本発明によれば、金属蒸気レーザを用いてマスク
やレチクル等の回路パターンをウェハ上に転写する為、
エキシマレーザの如く波長変動に伴なう転写性能の悪化
を回避できる。
又、金属蒸気レーザは繰り返し周波数が高く、1回の露
光を非常に多数のパルス光で行える為、精確な露光量制
御が可能である。従って、常時最良の状態でマスクやレ
チクル等の回路パターンをウェハ上に転写できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略構
成図。 1・・・銅蒸気レーザ 2・・・高調波発生素子 6・・・光束分割・インコヒーレント化光学系10・・
・レチクル 11・・・投影光学系 12・・・ウエハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  マスクのパターンをウェハ上に転写する為の露光装置
    であって、金属蒸気レーザ源と該レーザ源からのレーザ
    光の光路中に配設した高調波発生手段とを有し、前記発
    生手段により前記レーザ源の発振波長より更に短波長化
    した波長の光を生成し、該光によって前記マスクを照明
    してマスクのパターンをウェハ上に転写することを特徴
    とする露光装置。
JP62276716A 1987-10-30 1987-10-30 露光装置 Pending JPH01119020A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01290276A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Nikon Corp 照明装置
US6991975B1 (en) 1992-06-26 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03208387A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Nikon Corp レーザ光の高調波発生装置及び露光装置
JP2924344B2 (ja) * 1991-08-09 1999-07-26 キヤノン株式会社 投影露光装置
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
KR100474578B1 (ko) * 1995-06-23 2005-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광장치와그제조방법,조명광학장치와그제조방법,노광방법,조명광학계의제조방법및반도체소자의제조방법
US6120725A (en) * 1997-07-25 2000-09-19 Matsushita Electric Works, Ltd. Method of forming a complex profile of uneven depressions in the surface of a workpiece by energy beam ablation
JP3985346B2 (ja) 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
US6069739A (en) * 1998-06-30 2000-05-30 Intel Corporation Method and lens arrangement to improve imaging performance of microlithography exposure tool

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3786366A (en) * 1971-10-01 1974-01-15 R Chimenti Super radiant laser illuminator and image amplifier
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
EP0183827B1 (en) * 1984-06-21 1991-08-28 AT&T Corp. Deep-uv lithography
US4773750A (en) * 1984-06-21 1988-09-27 Bruning John H Deep-UV lithography
JPS62188316A (ja) * 1986-02-14 1987-08-17 Canon Inc 投影露光装置
JPS63114187A (ja) * 1986-10-30 1988-05-19 Canon Inc 光束分割装置
JPS63114186A (ja) * 1986-10-30 1988-05-19 Canon Inc 照明装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01290276A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Nikon Corp 照明装置
US6991975B1 (en) 1992-06-26 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process
US7985635B2 (en) 1992-06-26 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process

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Publication number Publication date
US4964720A (en) 1990-10-23

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