JPH02255292A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JPH02255292A
JPH02255292A JP1076269A JP7626989A JPH02255292A JP H02255292 A JPH02255292 A JP H02255292A JP 1076269 A JP1076269 A JP 1076269A JP 7626989 A JP7626989 A JP 7626989A JP H02255292 A JPH02255292 A JP H02255292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
laser
prism
width
optical axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1076269A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Imamura
清治 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP1076269A priority Critical patent/JPH02255292A/ja
Publication of JPH02255292A publication Critical patent/JPH02255292A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特にビーム断面が長方形であるレーザビーム
発振器を使用してワークに各種の加工を施すレーザ加工
装置に関する。
〔従来の技術〕
レーザ加工装置に使用するレーザ発振器として、最近で
はビーム断面が長方形のレーザビームを発振するものが
開発されている。このようなレーザの種類には、T E
 A CO寓 レーザ、エキシマレーザ。
スラブ形固体レーザなどが知られており、特に高出力 
(例えば平均比カニ数100 W級)のスラブ形固体レ
ーザには、パルス発振タイプのGGGスラブ形レーザ、
YAGスラブ形レーザ、(ガラススラブ形レーザ)など
がある、これらレーザのビーム断面の縦、横比は、スラ
ブ形固体結晶(または媒質)の寸法形状に依存して決り
、現在では縦:横の比が1=2からl:6まで様々なも
のが開発されている。
かかるレーザを採用したレーザ加工装置は様々な用途が
挙げられるが、特にビーム断面が長方形である特徴を生
かす点で、マーキング、シーム溶接、切断、スクライブ
加工への適用が有効である。
次に前記・したレーザ発振器を使用してマスクマーキン
グ、シーム溶接を行うレーザ加工装置の概要を第6図、
第7図により説明する。まず、第6図はマスクマーキン
グ加工を行う場合の従来におけるレーザ加工装置の構成
概略図を示すものである。ここで、レーザ発振器lから
出射したビーム断面が長方形であるレーザビーム2は、
マスク3に刻印されたマーク4 (ここではrABJと
書かれている)を透過し、対物レンズとしての結像レン
ズ5によりワーク6の表面上に照射されて符号7で示す
ようにマーキングされる。すなわち、マスク3に刻印さ
れたマーク4が横に長い場合のマーキング加工には、ビ
ーム断面が円形であるレーザビームと比べて、長方形断
面のレーザビームが適していることは明らかである。
また、第7図はシーム溶接を行う場合の従来におけるレ
ーザ加工装置の構成概略図である。ここで、レーザ発振
器1から出射したビーム断面が長方形であるレーザビー
ム2は、ペンドミラー8で全反射した後に加工用集光レ
ンズ9で集光されたビームスポットがワーク10の突き
合わせ部11に照射され、その溶接線に沿ってシーム溶
接する。なお、12は溶接されたビードを示す、この場
合に、レーザビーム2の長方形断面の長辺を溶接線の向
きに合わせ、ワーク10をX−Yテーブルなどで矢印方
向に移動操作しつつ、パルス発振による1パルス毎に断
面長方形のレーザビーム集光スポットを少しづつ重ねて
シーム溶接を行っていくことにより、円形のビームスポ
ットを同様な方式で照射する場合と比べて、高速度でし
かも溶接部が均一幅となるシーム溶接を実現できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、上記したマスクマーキング加工、あるいはシ
ーム溶接加工を行う場合に、レーザ発振器から発振する
レーザビームのビーム断面の縦。
横比率が一定のまま固定されていると、その加工範囲、
したがってレーザ加工装置としての適用範囲も限定され
ることになる。
すなわち、第6図に示したマスクマーキング加工におい
て、マーク4の縦、横比がレーザビーム2の縦、横圧か
ら逸脱した形状であるとマーキングが不能となる。また
、第7図に示したシーム溶掛加工の場合では、ワーク1
0の材質、突き合わせ部11の開先角度などの条件によ
っては、レーザビームの縦、横比が一定であると前記条
件に適合せず、溶接部の溶は込み不足、溶は落ち、ブロ
ーホールなどの溶接欠陥が生じるおそれがある。
かかる点、レーザ発振器から出射したレーザビームにつ
いて、そのビーム断面の縦1.横比率が任意に調節でき
れば前記した加工上での不具合を解消してレーザ加工装
置の汎用性を高めることができる。この点に関して、従
来では2枚のシリンドリカルレンズを用いてビーム整形
を行う方式が知られているが、この方式はビームの整形
が固定であるために、前述のようにレーザ加工の種類9
条件に応じて長方形断面のレーザビームの縦、横比率を
広範囲で任意に可変rIIIIffすることはできない
なお、視野絞りなどを用い、レーザビームの一部をトリ
ミングしてビーム整形を行うことも考えられるが、この
方法ではレーザ出力を100%育効に活用することがで
きない。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、簡易
な整形手段を追加することにより、レーザ発振器から出
射した断面長方形のレーザビームの縦、横比率を広範囲
に可変tii節できるようにしたレーザ加工装置を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明のレーザ加工装置に
おいては、レーザ発振器と対物レンズとの間の光路上に
プリズムとレーザビームの光軸調整手段とを配備し、前
記の光軸調整手段で対物レンズとここを透過するレーザ
ビームとの光軸を整合させつつ、プリズムに対するレー
ザビームの入射角を変えてワークに照射するレーザビー
ムのビーム断面の縦、横比率を可変調節するよう構成す
るものとする。
C作用〕 上記の構成において、プリズムは偏角用の三角プリズム
であり、そのプリズム面の底辺がレーザビームの光軸に
対して垂直配置とし、かつ旋回式の調整機構を介してレ
ーザビームの入射角が変えられるように配備されている
。また、このブリズムと直列に並べて光路上にはレーザ
ビームの光軸調整手段としてのペンドミラーを配備し、
このペンドミラーの角度、位置を付属の旋回/スライド
式の調節機構により調整してレーザビームが対物レンズ
の光軸中心を通るようにしている。
ここで、プリズムへのレーザビームの入射角、例えば長
方形断面の縦方向でのレーザビームの入射角を変えると
、プリズムの屈折作用によりレーザビームの縦方向のビ
ーム幅がプリズムへの入射前と出射後とで変化する。ま
た、この場合に入射ビーム幅、出射ビーム幅の比率とプ
リズムへの入射角との関には一定の関係がある。
次に、前記の関係を第4図、第5図で説明する。
まず、第4図は先記した三角プリズムにおける光学模式
図であり、図において、13は三角プリズムでその頂角
をa度、屈折率をnとする。また、三角プリズム13を
遣るレーザビーム2について、入射ビーム2aのビーム
幅を−1,入射角を11、出射ビーム2bのビーム幅を
−2,1ift折角をr2、入力ビーム2aと出射ビー
ム2bとの間の相対的な角度である偏角をZで表すと、
入射ビーム2aのビーム幅賀1と出射ビーム2bのビー
ム幅−2との間には次の関係式が成立する。
1nA sin i k A−5in−’() また、入射ビーム2aと出射ビーム2bとの間の偏角2
は次式で表される。
Z = l l + r 2− a  −=−=−==
−(2)第5図は材質がガラス(Mi折率n −1,5
) 、頂角aが15′″、30°、45°の三角プリズ
ムについて、上記+11. (21式より求めた入射角
11とビーム幅の倍率−2/M1.および偏角2との関
係を数値で表した図である。この図から明らかなように
ビーム幅の倍率−2/−1は、入射角11が大きくなる
につれて増加することが判る。同時に入射角11の変化
に伴って偏角Zも変わって出射ビーム2bの方向も変化
することが判る。
したがって、先記したレーザ加工の種類9条件などに応
じてレーザビームのプリズムへの入射角11を前記のよ
うり可変設定することにより、レーザ発振器より出射し
た縦、横比率が一定であるレーザビームを、プリズム通
過後の状態で所望の縦。
横比率に可変整形することかできる。
〔実施例〕
第1図および第3図はそれぞれ第7図で述べたシーム溶
接用レーザ加工装置を対象とする本発明の異なる実施例
の構成図、第2図は第1図の平面図であり、第7図に対
応する同一部材には同じ符号が付しである。
まず、第1図、第2図の実施例において、ビーム断面が
長方形のレーザビーム2を発振するレーザ発振器1と加
工用集光レンズ9との間の光路上にはペンドミラー8と
並べてその手前側には三角プリズム13が直列に配備さ
れている。この三角プリズム13はレーザビーム2の光
軸に対してプリズム面の底辺が垂直となるように配置さ
れている。
また、第2図に明示されているように、三角プリズム1
3にはレーザビーム2に対するプリズム面の角度を矢印
θ方向で可変設定する旋回式の調整機構14が、またペ
ンドミラー8にはミラー面の角度。
並びに水平方向位置を矢印θ、H方向で可変設定する旋
回/スライド式の調整機構15が付設されている。なお
、レーザ発振器1から出射する断面長方形のレーザビー
ム2について、三角プリズム13に対する入射ビームの
縦幅を簀1.横幅を−O1三角プリズム13を通過した
出射ビームの縦幅を−2として表す。
かかる構成でレーザ発振器1よりビーム断面が長方形で
あるレーザビーム2を発振すると、レーザビームの横幅
−〇はプリズム13を通過した後でも不変(レーザビー
ムの横幅方向とプリズム面が並行である)であるのに対
し、縦幅−1は第4図、第5図で説明したようにプリズ
ム13の屈折作用を受けて縦幅W2に変化する。ここで
三角プリズム13に対するレーザビーム2の入射角11
を変えると、入射ビームの縦幅−1と出射ビームの縦幅
−2との間で−1〉賀2.111−W2.111−12
となるようにビーム幅の倍率−2/−1が様々に変化す
る。また、ビーム幅の倍率(W2/1ll)変化に伴っ
て入射ビームと出射ビームとの間の相対的な偏角Zも僅
かながら変化するようになるので、ペンドミラー8に付
設した旋回/スライド式調整機構15を操作して出射側
のレーザビームが対物レンズである集光レンズ9の光軸
中心を通るようl、、11整する。
上記のようにレーザ加工の条件に適合させてレーザビー
ム2の三角プリズム13に対する入射角11を可変設定
し、かつ同時にプリズムからの出射ビームが集光レンズ
9の中心を遣るようにペンドミラー8の角度5位置を調
整することにより、レーザビーム2の横幅−〇を不変の
ままワークに向けて照射するレーザビームの縦幅賀2を
変えてビーム断面の縦、横比率が所要の値となるように
整形できる。なお、前記した調整機構14.15は手動
操作による他、第5図に示したデータを基に自動制御系
で操作することもできる。
第3図は前記と異なる実施例を示すものであり、前記実
施例と比べて三角プリズム13とペンドミラー8との並
ぶ順序を光路上で前後に入れ替えたものであり、図示さ
れてないが三角プリズム13.ペンドミラー8には第2
図に示したと同様な旋回ないし旋回/スライド式の調整
機構が付設されている。
かかる構成で、ペンドミラー8の角度を変えると三角プ
リズム13に対するレーザビーム20入射角11が変化
し、これにより入射ビーム幅W1と出射ビーム幅−2と
の倍率、つまり集光レンズ9を透過してワークに照射さ
れるレーザビームの縦、横比率をレーザ加工条件に合わ
せて様々に可変調節することができる。なお、この実施
例でも三角プリズム13への入射角11の調節に伴う偏
角2の変動分を補償してレーザビームが集光レンズ9の
光軸中心を通過するように、先記の実施例と同様なm1
ll整を行うものとする。
〔発明の効果〕
本発明に°よるレーザ加工装置は、以上述べたように構
成されているので、次記の効果を奏する。
(1)レーザ発振器より出射したビーム断面が長方形で
あるレーザビームをプリズムに通過させ、ここでレーザ
ビームのプリズムへの入射角を可変設定することで、プ
リズムより出射したレーザビームのビーム断面の縦、横
比率を広範囲で任意に可変調節することができる。
(2)これにより、例えばマスクマーキング加工の場合
には、マスクに刻印したマークの縦、横寸法比率に対応
してレーザビームの縦、横比率を調整でき、またシーム
溶接加工を行う場合でも、ワーク側の突き合わせ部の開
先角度、材質、溶接速度などの条件に適合したレーザビ
ームの縦、横比率を選定して欠陥、不良のない溶接を行
うことができるなど、加工用途、使用範囲が広く汎用性
の高いレーザ加工装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第3図はそれぞれ異なる本発明実施例の構成概
要図、第2図は第1図の平面図、第4図は三角プリズム
の光学模式図、第5図は第4図の三角プリズムに対する
レーザビームの入射角とビーム幅の倍率、偏角との関係
図、第6図、第7図はそれぞれマスクマーキング加工2
 シーム溶接加工を対象とした従来のレーザ加工装置の
構成概要図である6図において、 1:レーザ発振器、2:レーザビーム、8;ペンドミラ
ー (光軸洲整手段)  9:集光レンズ(対物レンズ
)、13:三角プリズム、14ニブリズムの調整機構、
15:ペンドミラーの調整機構、il:入射角、−1=
入射ビ一ム幅、W2:出射ビーム第2図 λ射角(tlつ ¥”i5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)ビーム断面が長方形であるレーザビームを発振する
    レーザ発振器に加工用対物レンズを組合せ、レーザ発振
    器より出射したレーザビームを対物レンズを通じてワー
    クに照射して各種の加工を行うレーザ加工装置において
    、レーザ発振器と対物レンズとの間の光路上にプリズム
    とレーザビームの光軸調整手段とを配備し、前記の光軸
    調整手段で対物レンズとここを透過するレーザビームと
    の光軸を整合させつつ、プリズムに対するレーザビーム
    の入射角を変えてワークに照射するレーザビームのビー
    ム断面の縦、横比率を可変調節するよう構成したことを
    特徴とするレーザ加工装置。
JP1076269A 1989-03-28 1989-03-28 レーザ加工装置 Pending JPH02255292A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1076269A JPH02255292A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1076269A JPH02255292A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02255292A true JPH02255292A (ja) 1990-10-16

Family

ID=13600517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1076269A Pending JPH02255292A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02255292A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968383A (en) * 1992-06-26 1999-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus having beam expander
US6159777A (en) * 1993-02-04 2000-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming a TFT semiconductor device
US6329229B1 (en) 1993-11-05 2001-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN107414284A (zh) * 2017-09-04 2017-12-01 北京工业大学 一种准分子激光辅助微铣削加工方法与装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968383A (en) * 1992-06-26 1999-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus having beam expander
US6002101A (en) * 1992-06-26 1999-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by using a homogenized rectangular laser beam
US6440785B1 (en) 1992-06-26 2002-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method of manufacturing a semiconductor device utilizing a laser annealing process
US6991975B1 (en) 1992-06-26 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser process
US6159777A (en) * 1993-02-04 2000-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming a TFT semiconductor device
US6329229B1 (en) 1993-11-05 2001-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
US6897100B2 (en) * 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN107414284A (zh) * 2017-09-04 2017-12-01 北京工业大学 一种准分子激光辅助微铣削加工方法与装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02290685A (ja) レーザ加工機
JP2003200286A (ja) レーザマイクロスポット溶接装置
WO2009040103A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur laserbearbeitung
JPS6293095A (ja) レ−ザ加工装置
JP2000042779A (ja) レーザ加工装置
JP2005028428A (ja) レーザ加工装置
JPH02137687A (ja) レーザ集光装置
CN1978120B (zh) 激光加工系统
KR102375235B1 (ko) 레이저 가공 시스템 및 방법
JPH02255292A (ja) レーザ加工装置
JPH06285662A (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JPH0436794B2 (ja)
JPS60199585A (ja) レ−ザ溶接機
JP5046778B2 (ja) 多結晶膜の製造方法及びレーザ加工装置
JPH05504723A (ja) 高エネルギー放射線を使用する切削方法
JPS59218292A (ja) レ−ザ加工装置
JP3084780B2 (ja) レーザ加工装置
CN112823075B (zh) 激光加工机及激光加工方法
JPH02137688A (ja) レーザ加工装置
JPH03184687A (ja) レーザ加工装置
JPH07185860A (ja) レーザ加工装置
JP2021030295A (ja) レーザ加工装置および光学調整方法
JP2000271775A (ja) レーザ出射光学系
JP3397312B2 (ja) レーザビーム合成装置およびレーザ加工システム
JPS60213388A (ja) レ−ザ加工装置