JPS61152069A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61152069A JPS61152069A JP27292584A JP27292584A JPS61152069A JP S61152069 A JPS61152069 A JP S61152069A JP 27292584 A JP27292584 A JP 27292584A JP 27292584 A JP27292584 A JP 27292584A JP S61152069 A JPS61152069 A JP S61152069A
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- JP
- Japan
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- ion
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- excimer laser
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
- H01L29/7322—Vertical transistors having emitter-base and base-collector junctions leaving at the same surface of the body, e.g. planar transistor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置、特にバイポーラトランジスタの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
高集積回路で重要なル−ナ型バイホーラド２ンジスタは
、シリコン基板に２度のイオン打込みとアニールを行な
って形成する〇 現在性なわｎているバイポーラトランジスタの一般的な
製造は１例えｉｊ、ＮＰＮ型トランジスタの場合、第１
図に示すように、Ｎ型半導体基板１ＫＰ型不純物をイオ
ン注入しｔ、気炉アニールすることによりペース領域２
を形成する。さらに表面の絶縁膜３に設けられた窓から
８塁不純物をイオン注入し電気炉アニールすることによ
フエミッタ領域４を形成する。しかしながらその時の電
気炉アニールによシベース不純物が再拡散し、バイホー
２トランジスタの特性に大きく影響するベース幅ｄ（狭
いほど特性はよい）が広くなってしまう。
、シリコン基板に２度のイオン打込みとアニールを行な
って形成する〇 現在性なわｎているバイポーラトランジスタの一般的な
製造は１例えｉｊ、ＮＰＮ型トランジスタの場合、第１
図に示すように、Ｎ型半導体基板１ＫＰ型不純物をイオ
ン注入しｔ、気炉アニールすることによりペース領域２
を形成する。さらに表面の絶縁膜３に設けられた窓から
８塁不純物をイオン注入し電気炉アニールすることによ
フエミッタ領域４を形成する。しかしながらその時の電
気炉アニールによシベース不純物が再拡散し、バイホー
２トランジスタの特性に大きく影響するベース幅ｄ（狭
いほど特性はよい）が広くなってしまう。
このような欠点を取シ除く方法として、特開昭５５−１
６５８７４号に記載のように１ エミッタ領域を形成す
る際電気炉アニールのかわシにレーザアニールを用いる
方法がある。この場合には第２図に示すように、ベース
不純物の再拡散は起こらずベース幅は広がらない。
６５８７４号に記載のように１ エミッタ領域を形成す
る際電気炉アニールのかわシにレーザアニールを用いる
方法がある。この場合には第２図に示すように、ベース
不純物の再拡散は起こらずベース幅は広がらない。
しかし、現在、集積回路のよシ一層の高集積化。
高性能化が進行しておシ、バイポーラトランジスタにお
いても次の点が要求さｎている。
いても次の点が要求さｎている。
（１）ペース領域、エミッタ領域をよシ薄く形成する０
（２）エミッタ領域の不純物濃度７ｏフアイルカ急しゅ
んである。
んである。
（３）ベース幅がさらに狭い。
本発明は、上記した従来技術の欠点に監みなされ友もの
で、高集積化に適した高性能フ゛レーナ型バイホー２ト
ランジスタの裏造方法を提供することを目的としている
。
で、高集積化に適した高性能フ゛レーナ型バイホー２ト
ランジスタの裏造方法を提供することを目的としている
。
本発明では、バイボートランジスタのベース領域、エミ
ッタ領域ともＫ、不純物をイオン注入しエキシマレーザ
照射することにょル、形成することを特徴としている。
ッタ領域ともＫ、不純物をイオン注入しエキシマレーザ
照射することにょル、形成することを特徴としている。
以下、本発Ｆ！Ａｔ−Ｎ Ｐ Ｎ型ト２ンジスタの製造
に適用し友場合の実施例に基づいて、本発明の詳細な説
明する。
に適用し友場合の実施例に基づいて、本発明の詳細な説
明する。
第３図（ａ）に示すように、Ｎ型半導体基板１に絶縁膜
３をＣＶＤ法等によ多形成する。リンクラフイ技術によ
シ、第５図（ｂｌのように孔部７をもうけＰ型不純物を
イオン注入（１０”ａ坊ｍｓ／ｃｍ”程度）しエキシマ
レーザ光を表に示すエネルギー密度で照射する。第３図
（Ｃ） Ｋ示すようにベース領域２が形成さｒした０そ
の後絶縁膜３をＣＶＤ法等によ多形成し、その絶縁膜３
に第３図（司に示すようにエミッタ窓８′ｆ：リンクラ
フイ技術によ多形成する０エミツタ窓を通してＮ型不純
物をイオン注入（１０”ＩＬｔｏ国／ Ｃｍ”程度）シ
、エキシマレーザ光を表に示すエネルギー密度で照射す
る。第３１Ｎ（８）に示すようにエミッタ領域４が形成
さｆ′Ｌり。その後第３図（ｆ）に示すようにペースの
コンタクト窓を絶縁膜３にあけ、ペース及びエミッタの
引出し電、極５，６を形成してトランジスタを完成する
＠ エミッタ領域、ベース領域の厚さ、およびベース幅１５
Ｅに示す・ま友エミッタ領域の不純物濃度プロファイル
を第４図に示す０従来例よシも良好なものが得られた０ また本発明はＰＮＰ型トシト２ンジスタいても同様に実
施可能である０ 〔発明の効果〕 本発明によｎは、不純物濃度が急しゅんで浅いエミッタ
領域を持ち、ベース幅の狭いバイポーラトランジスタを
製作することができ、バイポーラトランジスタの高性能
化、高集積化に効果がある。
３をＣＶＤ法等によ多形成する。リンクラフイ技術によ
シ、第５図（ｂｌのように孔部７をもうけＰ型不純物を
イオン注入（１０”ａ坊ｍｓ／ｃｍ”程度）しエキシマ
レーザ光を表に示すエネルギー密度で照射する。第３図
（Ｃ） Ｋ示すようにベース領域２が形成さｒした０そ
の後絶縁膜３をＣＶＤ法等によ多形成し、その絶縁膜３
に第３図（司に示すようにエミッタ窓８′ｆ：リンクラ
フイ技術によ多形成する０エミツタ窓を通してＮ型不純
物をイオン注入（１０”ＩＬｔｏ国／ Ｃｍ”程度）シ
、エキシマレーザ光を表に示すエネルギー密度で照射す
る。第３１Ｎ（８）に示すようにエミッタ領域４が形成
さｆ′Ｌり。その後第３図（ｆ）に示すようにペースの
コンタクト窓を絶縁膜３にあけ、ペース及びエミッタの
引出し電、極５，６を形成してトランジスタを完成する
＠ エミッタ領域、ベース領域の厚さ、およびベース幅１５
Ｅに示す・ま友エミッタ領域の不純物濃度プロファイル
を第４図に示す０従来例よシも良好なものが得られた０ また本発明はＰＮＰ型トシト２ンジスタいても同様に実
施可能である０ 〔発明の効果〕 本発明によｎは、不純物濃度が急しゅんで浅いエミッタ
領域を持ち、ベース幅の狭いバイポーラトランジスタを
製作することができ、バイポーラトランジスタの高性能
化、高集積化に効果がある。
第１図および第２図は従来例を示す図、第３図は本発明
の実施例を示す図、第４図は不純物分布を示す図である
。 １・・・Ｎ型半導体基板、２・・・ベース領域、３・・
・絶縁膜、４・・・エミッタ領域、５．６・・・エミッ
タの引出し電極、７・・・孔部、８・・・エミツタ窓％
ｄ・・・ベース幅、ａ・・・本発明によるもの、ｂ・・
・従来例。 ヤ ／ 図 ケ ２ 図 才３ｙＡ （拘
の実施例を示す図、第４図は不純物分布を示す図である
。 １・・・Ｎ型半導体基板、２・・・ベース領域、３・・
・絶縁膜、４・・・エミッタ領域、５．６・・・エミッ
タの引出し電極、７・・・孔部、８・・・エミツタ窓％
ｄ・・・ベース幅、ａ・・・本発明によるもの、ｂ・・
・従来例。 ヤ ／ 図 ケ ２ 図 才３ｙＡ （拘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一導電型の半導体基板に反対導電型の不純物をイオ
ン注入した後エキシマレーザ照射により不純物を活性化
することによりベースを形成し、さらに該ベース領域内
にそれより浅く前記基板と同一導電型の不純物をイオン
注入しエキシマレーザ照射により不純物を活性化してエ
ミッタを形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 ２ 前記エキシマレーザ光のレーザエネルギ密度が０．
６Ｊ／ｃｍ＾２から３．０Ｊ／ｃｍ＾２の値であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27292584A JPS61152069A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27292584A JPS61152069A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152069A true JPS61152069A (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=17520664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27292584A Pending JPS61152069A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152069A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114521A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Sony Corp | バイポーラ半導体装置の製造方法 |
| US6440785B1 (en) | 1992-06-26 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device utilizing a laser annealing process |
| JP2016006882A (ja) * | 2009-04-07 | 2016-01-14 | レイザー システムズ アンド ソリューションズ オブ ヨーロッパＬａｓｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｏｆ Ｅｕｒｏｐｅ | レーザエネルギによって半導体材料表面を照射する方法および装置 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27292584A patent/JPS61152069A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114521A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Sony Corp | バイポーラ半導体装置の製造方法 |
| US6440785B1 (en) | 1992-06-26 | 2002-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device utilizing a laser annealing process |
| US6991975B1 (en) | 1992-06-26 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser process |
| JP2010045411A (ja) * | 1992-06-26 | 2010-02-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜の作製方法、レーザー処理方法及びレーザー照射装置 |
| US7985635B2 (en) | 1992-06-26 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser process |
| JP2011223027A (ja) * | 1992-06-26 | 2011-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体膜の作製方法及び電子機器 |
| JP2016006882A (ja) * | 2009-04-07 | 2016-01-14 | レイザー システムズ アンド ソリューションズ オブ ヨーロッパＬａｓｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｏｆ Ｅｕｒｏｐｅ | レーザエネルギによって半導体材料表面を照射する方法および装置 |
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