JPH0521463A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

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JPH0521463A
JPH0521463A JP19357991A JP19357991A JPH0521463A JP H0521463 A JPH0521463 A JP H0521463A JP 19357991 A JP19357991 A JP 19357991A JP 19357991 A JP19357991 A JP 19357991A JP H0521463 A JPH0521463 A JP H0521463A
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thin film
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Tatsuya Miyagawa
達也 宮川
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アモルファスシリコン膜のチャネル形成領域
のポリシリコン化と不純物注入領域の活性化とを一度の
熱アニール処理で同時に行うことにより、製造工程数を
少なくする。 【構成】 絶縁基板1上に形成した下地用シリコン酸化
膜2上にアモルファスシリコン膜3を形成し、アモルフ
ァスシリコン膜3上に表面保護用のシリコン酸化膜4を
形成し、アモルファスシリコン膜3のチャネル形成領域
5に対応する部分のシリコン酸化膜4上にフォトレジス
ト膜6をパターン形成し、フォトレジスト膜6をマスク
としてアモルファスシリコン膜3にリンイオン等の不純
物を注入してソース・ドレイン領域となる不純物注入領
域7を形成し、フォトレジスト膜6およびシリコン酸化
膜4を除去し、600℃程度の温度下で24時間〜72
時間の熱アニール処理を行うと、アモルファスシリコン
膜3のチャネル形成領域5がポリシリコン化されると同
時に不純物注入領域7が活性化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜トランジスタの製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜トランジスタの製造方法には、ガラ
ス基板等からなる絶縁基板の上面にアモルファスシリコ
ン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜にエキシマ
レーザを照射することにより該アモルファスシリコン膜
をポリシリコン化してポリシリコン膜とし、このポリシ
リコン膜のチャネル形成領域を除く部分にリンイオン等
の不純物注入によりソース・ドレイン領域となる不純物
注入領域を形成し、この不純物注入領域を活性化するた
めに再度エキシマレーザを照射し、以下所定の工程を経
て薄膜トランジスタを製造する方法がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような薄膜トランジスタの製造方法では、アモルフ
ァスシリコン膜をポリシリコン化するためのレーザ照射
と不純物注入領域を活性化するためのレーザ照射の2回
のレーザ照射を行っているので、製造工程数が多いとい
う問題があった。この発明の目的は、製造工程数を少な
くすることのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供
することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、アモルファ
スシリコン膜のチャネル形成領域を除く部分に不純物注
入により不純物注入領域を形成した後、熱アニール処理
を行うことにより、アモルファスシリコン膜のチャネル
形成領域をポリシリコン化すると同時に不純物注入領域
を活性化するようにしたものである。
【0005】
【作用】この発明によれば、アモルファスシリコン膜の
チャネル形成領域を除く部分に不純物注入により不純物
注入領域を形成した後、熱アニール処理を行って、アモ
ルファスシリコン膜のチャネル形成領域をポリシリコン
化すると同時に不純物注入領域を活性化しているので、
ポリシリコン化と活性化とを一度の熱アニール処理で同
時に行うことができ、したがって製造工程数を少なくす
ることができる。
【0006】
【実施例】図1〜図3はそれぞれこの発明の一実施例に
おける薄膜トランジスタの各製造工程を示したものであ
る。そこで、これらの図を順に参照しながら、薄膜トラ
ンジスタの製造方法について説明する。
【0007】まず、図1に示すように、ガラス基板等か
らなる絶縁基板1の上面に下地用シリコン酸化膜2を形
成する。次に、下地用シリコン酸化膜2の上面にアモル
ファスシリコン膜3を形成する。次に、アモルファスシ
リコン膜3の上面に表面保護用シリコン酸化膜4を形成
する。次に、アモルファスシリコン膜3のチャネル形成
領域5に対応する部分の表面保護用シリコン酸化膜4の
上面にフォトレジスト膜6をパターン形成する。次に、
フォトレジスト膜6をマスクとしてアモルファスシリコ
ン膜3のチャネル形成領域5の両側にリンイオン等の不
純物注入によりソース・ドレイン領域となる不純物注入
領域7を形成する。
【0008】次に、フォトレジスト膜6および表面保護
用シリコン酸化膜4をエッチングして除去する(図2参
照)。次に、600℃程度の温度下で24時間〜72時
間の熱アニール処理を行うと、アモルファスシリコン膜
3のチャネル形成領域5がポリシリコン化されると同時
に不純物注入領域7が活性化される。このように、アモ
ルファスシリコン膜3のチャネル形成領域5をポリシリ
コン化すると同時に不純物注入領域7を活性化している
ので、ポリシリコン化と活性化とを一度の熱アニール処
理で同時に行うことができ、したがって製造工程数を少
なくすることができる。
【0009】次に、図3に示すように、全表面に酸化シ
リコンや窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜8を形成
する。次に、不純物注入領域7に対応する部分における
ゲート絶縁膜8にコンタクトホール9を形成する。次
に、チャネル形成領域5に対応する部分のゲート絶縁膜
8の上面にアルミニウム等からなるゲート電極10をパ
ターン形成し、同時に、コンタクトホール9を介して不
純物注入領域7と接続されるソース・ドレイン電極11
をゲート絶縁膜8の上面にパターン形成する。かくし
て、薄膜トランジスタが製造される。
【0010】なお、フォトレジスト膜6をマスクとして
アモルファスシリコン膜3にリンイオン等の不純物を注
入すると、アニール処理により不純物に横方向の広がり
が生じる。そこで、図4に示すように、フォトレジスト
膜6の寸法をこの広がりの分だけ大きくしておき、図5
に示すように、アニール処理後にチャネル形成領域5の
チャネル長が所定の長さとなるようにする。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、アモルファスシリコン膜のチャネル形成領域を除く
部分に不純物注入により不純物注入領域を形成した後、
熱アニール処理を行って、アモルファスシリコン膜のチ
ャネル形成領域をポリシリコン化すると同時に不純物注
入領域を活性化しているので、ポリシリコン化と活性化
とを一度の熱アニール処理で同時に行うことができ、し
たがって製造工程数を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例における薄膜トランジスタ
の製造に際し、絶縁基板上に形成したアモルファスシリ
コン膜のチャネル形成領域を除く部分に不純物注入によ
り不純物注入領域を形成した状態の断面図。
【図2】この薄膜トランジスタの製造に際し、熱アニー
ルすることにより、アモルファスシリコン膜のチャネル
形成領域をポリシリコン化すると同時に不純物注入領域
を活性化した状態の断面図。
【図3】この薄膜トランジスタの製造に際し、ゲート電
極およびソース・ドレイン電極を形成した状態の断面
図。
【図4】この薄膜トランジスタを実際に製造する際の図
1同様の状態の断面図。
【図5】この薄膜トランジスタを実際に製造する際の図
2同様の状態の断面図。
【符号の説明】
1 絶縁基板 3 アモルファスシリコン膜 5 チャネル形成領域 7 不純物注入領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 8617−4M H01L 21/265 P

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 アモルファスシリコン膜のチャネル形成
    領域を除く部分に不純物注入により不純物注入領域を形
    成した後、熱アニール処理を行うことにより、前記アモ
    ルファスシリコン膜のチャネル形成領域をポリシリコン
    化すると同時に前記不純物注入領域を活性化することを
    特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001061760A1 (fr) * 2000-02-15 2001-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de fabrication d'un transistor a couches minces, et ecran a cristaux liquides
US7465614B2 (en) 2004-07-22 2008-12-16 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and semiconductor fabricated by the same method
US7544550B2 (en) 2004-07-05 2009-06-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and semiconductor fabricated by the same method
US7696030B2 (en) 2004-06-30 2010-04-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and semiconductor fabricated by the same method

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US6716768B2 (en) 2000-02-15 2004-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film transistor, and liquid-crystal display
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