DE69635603T2 - Höckerkontakt für eine Leiterplatte und Halbleitermodul mit derselben - Google Patents

Höckerkontakt für eine Leiterplatte und Halbleitermodul mit derselben Download PDF

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Meiko Electronics Co Ltd
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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte mit Mustern in der Form von Höckern mit einer sehr begrenzten Schwankung hinsichtlich der Höhe, die aus wenigstens einer Oberfläche davon herausragen, und spezifischer auf eine Leiterplatte, die mit Leitungsstrukturen hoher Zuverlässigkeit zwischen dessen allgemeinen Ausgangs- und Eingangsanschlüssen und Leiterschaltkreisen ausgebildet und in der Lage ist, Halbleiterbauelemente mit hoher Dichte zu packen, auf einen höckerförmigen Kontaktkopf, der unter Verwendung der Leiterplatte erhalten wurde und in der Lage ist, sogar Feinrasterabstand-Schaltkreiskomponenten, wie z. B. LSIs, Flüssigkristallanzeigen, TABs, PDPs, usw., zufriedenstellend nach Verdrahtungsfehlern zu prüfen, und über eine hohe Genauigkeit bei den Rasterabständen zwischen den Prüfungsanschlüssen und ausgezeichneten Hochfrequenz-Eigenschaften verfügt, und auf ein Verfahren zur Herstellung dieser Elemente mit einer hohen Produktivität und bei niedrigen Kosten.
  • Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Halbleiterkomponenten-Packungsmodul mit einer neuartigen Verbindungsstruktur, das die zuvor genannte Leiterplatte als einen Packungsträger verwendet und verschiedene Halbleiterkomponenten besitzt, die auf dem Träger mittels Plättchen-Bonden (die bonding) befestigt wurden.
  • Stand der Technik
  • Gewöhnlich wird eine Halbleiterbauelement-Packung, die in verschiedene elektronische Geräte inkorporiert werden kann, wie z. B. ein Computer, ein tragfähiges Kommunikationsgerät, eine Flüssigkristallanzeige, usw., derart konstruiert, dass ein Halbleiterbauelement, wie z. B. ein bloßer Chip, auf einer Leiterplatte befestigt wird, die mit vorbestimmten Mustern für Leiterschaltkreise ausgebildet ist, wobei die Kontinuität zwischen diesem Bauelement und den jeweiligen Ausgangs- und Eingangsanschlüssen der Leiterschaltkreise begründet wird, um das Halbleiterbauelement zu packen, und wobei die gesamte Struktur harzgegossen ist.
  • Das Halbleiterbauelement kann mittels eines Verfahrens, in dem es an die Leiterplatte durch Plättchen-Bonden geklebt wird und die Ausgangs- und Eingangsanschlüsse der Leiterplatte und die Anschlüsse (Lötaugen) des Halbleiterbauelements durch Drahtbonden verbunden (wire-bonded) werden, mittels eines Verfahrens, in dem ein Flip Chip mit den Ausgangs- und Eingangsanschlüssen der Leiterplatte zum Beispiel durch Löten verbunden wird, oder mittels eines Verfahrens gepackt werden, in dem die Ausgangs- und Eingangsanschlüsse der Leiterplatte und die Leitungsanschlüsse des Halbleiterbauelements unmittelbar durch Löten verbunden werden.
  • Die auf diese Art und Weise hergestellte Halbleiterbauelement-Packung wird in Nutzausstattung inkorporiert, indem sie auf einer Hauptplatine (Packungsträger) befestigt wird, auf der die Leiterschaltkreise mit den vorbestimmten Mustern angeordnet sind. Gewöhnlich erstreckt sich in diesem Fall das Flächenverhältnis einer Halbleiterbauelement-Packung zu der Hauptplatine von etwa 1/10 bis 1/5, so dass eine Vielzahl von Halbleiterbauelement-Packungen auf der Hauptplatine befestigt werden kann.
  • Herkömmlich wird für das Montieren auf der Hauptplatine teilweise das Drahtbonden (wire-bonding) verwendet. Um das Erfordernis einer Packung hoher Dichte zu erfüllen, hat man jedoch kürzlich angefangen, weit verbreitet ein neuartiges Verfahren zu verwenden, so dass Lötpaste auf den Lötaugen der Hauptplatine mustergedruckt wird, die Anschlüsse (Leitungsanschlüsse oder Ball Grid Arrays) der Halbleiterbauelement-Packung auf dem resultierenden Muster registriert werden, und. die gesamte resultierende Struktur dem Blanklöten in einer Aufschmelz-Vorrichtung unterworfen wird.
  • Es besteht eine wachsende Tendenz bei modernen elektronischen Geräten, der Größe nach kleiner, bei der Arbeitsgeschwin digkeit schneller und in der Funktion mannigfaltiger zu werden. Dementsprechend gibt es eine steigende Nachfrage bei der Entwicklung von Leiterplatten, die in der Lage sind, Halbleiterkomponenten mit hoher Dichte ungeachtet der Kleinheit in der Gesamtgröße zu packen.
  • Dazu ist es ratsam, mehrschichtige Leiterplatten und auszubildende Feinmuster-Leiterschaltkreise zu verwenden. Gewöhnlich werden jedoch herkömmliche Mehrschicht-Leiterplatten über das sogenannte Aufbau-Verfahren hergestellt, so dass sie die folgenden Probleme einschließen.
  • Bei der Herstellung einer Mehrschicht-Leiterplatte über das Aufbau-Verfahren wird eine Einheits-Leiterplatte zuerst durch die Ausbildung eines Leiterschaltkreises, der als ein Signal-Muster dient, auf der Oberfläche eines Isolierträgers als eine Unterschicht vorbereitet. Eine weitere Einheits-Leiterplatte, die mit einem weiteren Leiterschaltkreis als ein weiteres Signal-Muster ausgebildet wurde, wird für die Verbindung auf die erste Einheits-Leiterplatte gelegt. Dieser Arbeitsablauf wird wiederholt, so dass eine Vielzahl von Einheits-Leiterplatten aufeinanderfolgend von unten nach oben zusammengesetzt wird.
  • In diesem Fall schließt eine Leitungsstruktur zwischen Leiterschaltkreisen in je zwei benachbarten Schichten, obere und untere, gewöhnlich eine Vielzahl von durchgehenden Löchern ein, die in einem vorbestimmten ebenen Muster durch die Einheits-Leiterplatte in der Richtung der Dicke davon gebohrt sind. Nachdem die Wandoberfläche von jedem durchgehenden Loch eine elektrische Leitfähigkeit erhalten hat, z. B. durch stromlose Abscheidung (electroless plating), wird eine Elektroplattierung durchgeführt, wobei der Leiterschaltkreis in der unteren Schicht als eine elektrische Leitungsbahn verwendet wird, und die jeweiligen Lötaugen der Leiterschaltkreise in den oberen und unteren Schichten werden mithilfe der resultierenden Abscheidung elektrisch verbunden.
  • Um die Packung hoher Dichter zu erwirken, sollten dafür die durchgehenden Löcher dem Durchmesser nach klein gemacht sein. Praktisch kann jedoch der Lochdurchmesser nur bedingt verkleinert werden.
  • Allgemein werden die durchgehenden Löcher durch Bohrung ausgebildet, so dass ihr Durchmesser in Anbetracht der Bohrungsstärke nicht sehr klein gemacht werden kann. Normalerweise erstreckt sich der Durchmesser von gebohrten Löchern von 150 bis 200 μm. Der Durchmesser von durchgehenden Löchern, die durch Photolithographie ausgebildet wurden, erstreckt sich von etwa 100 bis 150 μm.
  • In dem Fall, in dem eine Abscheidung auf der Wandoberfläche von jedem gebohrten durchgehenden Loch durch Kombinieren der stromlosen Abscheidung und des Elektroplattierens ausgebildet wurde, muss ein bestimmtes Maß an Dicke sichergestellt werden, weil die elektrische Kontinuität zwischen den Leiterschaltkreisen in den oberen und unteren Schichten nicht zufriedenstellend sein kann, wenn die Abscheidung zu dünn ist. Für eine gute elektrische Leitung zwischen den Leiterschaltkreisen wird die Dicke der Abscheidung normalerweise auf etwa 20 bis 30 μm in Abhängigkeit von der Art der Leiterplatte eingestellt.
  • Allgemein wird deshalb eine Abscheidung mit einer Dicke von 15 bis 20 μm auf der Oberfläche von jedem durchgehenden Loch mit einem Durchmesser von 150 bis 200 μm in der Leitungsstruktur basierend auf den durchgehenden Löchern gebildet. In der Mitte von jedem durchgehenden Loch ist in diesem Fall ein Totraum mit einem Durchmesser von etwa 100 bis 150 μm vorhanden, der über absolut keine Verbindung mit der Leitung zwischen den Leiterschaltkreisen verfügt.
  • Ferner wird in dem Fall von inneren Kontaktlöchern (Via-Löchern) ein Totraum mit einem Durchmesser von etwa 60 bis 70 μm erzeugt, wenn der Durchmesser von jedem Loch zum Beispiel 100 μm beträgt. Somit kann der Durchmesser der herkömmlichen durchgehenden Löcher oder der inneren Kontaktlöcher nur bedingt verkleinert werden und hat zwangsläufig keine Auswirkung auf die Leitung zwischen den Leiterschaltkreisen.
  • Normalerweise wird der folgende Arbeitsablauf durchgeführt, um die Abscheidung auf der Wandoberfläche von jedem durchgehenden Loch in jeder der inneren Schichten zu bilden, die in einer Aufeinanderfolge aufgebaut werden. Nachdem der gesamten Oberfläche einer inneren Ziel-Schicht (einschließlich der Wandoberfläche von jedem vorhandenen durchgehenden Loch oder innerem Kontaktloch) durch stromlose Abscheidung eine elektrische Leitfähigkeit verliehen wurde, wird eine dünne Abscheidung durch Elektroplattierung der inneren Schichtoberfläche gebildet. Dann wird zum Beispiel ein Trockenfilm auf die Oberfläche der Abscheidung geklebt, um sie abzudecken, und wird ausgesetzt und entwickelt, um nur diejenigen Abschnitte auszusetzen, die den durchgehenden Löchern entsprechen. Die resultierende Struktur wird mit dem verbliebenen maskierten Abschnitt weiter elektroplattiert, woraufhin eine Abscheidung mit einer gegebenen Dicke auf der Oberfläche von jedem durchgehenden Loch (und Lötauge) gebildet wird. Anschließend wird der Trockenfilm abgetrennt und die dünne Abscheidung auf der ausgesetzten Oberfläche der inneren Schicht und die Abscheidung, die durch die stromlose Abscheidung gebildet wurde, werden zum Beispiel durch Weichätzung (soft etching) entfernt.
  • Bei der Herstellung einer Mehrschicht-Leiterplatte durch Aufbau der einzelnen inneren Schichten muss deshalb der zuvor genannte Arbeitsablauf für jede innere Schicht wiederholt werden, so dass komplizierte Herstellungsprozesse erforderlich sind. Somit benötigt die Herstellung eine lange Zeit, die zwangsläufig hohe Herstellungskosten nach sich zieht.
  • In dem Fall der inneren Kontaktlöcher können feste Leitungsstrukturen zwischen den Schichten durch die Bildung einer Abscheidung an der Wandoberfläche von jedem Kontaktloch und durch anschließende Einbettung von zum Beispiel elektrisch leitfähiger Paste in den Totraum ausgebildet werden, der in der Mitte der Abscheidung verblieben ist.
  • In diesem Fall können die festen Leitungsstrukturen möglicherweise durch eine gleichzeitige elektrolytische Abscheidung und die Füllung eines leitfähigen Materials in sämtliche der Kontaktlöcher durch Elektroplattierung an der Stelle der Einbettung der leitfähigen Paste ausgebildet werden. Bei dem Aufbau-Verfahren ist es jedoch erforderlich, dass eine Leitungsbahn separat für einen Einganganschluss für die Elektroplattierung vorab der ersten Stufe der Herstellung bereitgestellt wird, so dass die Herstellungsprozesse komplizierter sind.
  • Bei der Ausbildung eines Packungsträgers, wie z. B. eine Halbleiterbauelement-Packung, oder einer Leiterplatte, wie z. B. eine Hauptplatine, die ein herausragendes Höckermuster auf dessen Packungsoberfläche durch das Aufbau-Verfahren besitzt, wird ein Höckermaterial z. B. über Elektroplattierung elektrolytisch abgeschieden, um das Höckermuster mit einer beabsichtigten Höhe auf einem vorbestimmten Abschnitt eines Leiterschaltkreises in der Oberschicht neben anderen Leiterschaltkreisen zu bilden, die in einer Aufeinanderfolge aufgebaut wurden.
  • Bei einem tatsächlichen Elektroplattierungs-Arbeitsablauf können jedoch nicht sämtliche Höcker, die das Höckermuster bilden, mit der gleichen Höhe aufgrund der Einflüsse einer empfindlichen Schwankung bei den Plattierungsbedingungen oder einer Schwankung in den elektrischen Stromflüssen zu den Stellen für die Bildung der einzelnen Höcker ausgebildet werden, so dass die Höckerhöhe variiert. In dem Fall, in dem die Zielhöckerhöhe zum Beispiel 0,03 mm beträgt, beträgt die Schwankung der Höckerhöhe etwa ±0,003 mm.
  • Wenn die Schwankung bei der Höckerhöhe zu breit ist, dann werden einige Höcker mit den Lötaugen der Halbleiterbauelement-Packung nicht verbunden, obwohl die Lötaugen für einen Aufschmelz-Prozess positioniert sind. Somit kann eine zuverlässige Packung nicht erwirkt werden.
  • In Anbetracht dieser Umstände ist es notwendig, dass die Schwankung hinsichtlich der Höhe der Höcker in dem Fall der Leiterplatte minimiert wird, bei der das Höckermuster auf dessen Packungsoberfläche ausgebildet ist.
  • Ein Kontaktkopf zum Prüfen von Leitungsschaltkreisen (wiring circuits) in LSIs, Flüssigkristallanzeigen, usw., nach Fehlern stellt eine Art von Leiterplatte dar. Herkömmlich werden in dem Kontaktkopf dieser Art Nadeltastköpfe oder L-förmige Nadeln in ein elektrisch isolierendes starres Material eingebettet und an dem Körper des Kopfes an vorbestimmten Rasterabständen befestigt, so dass ihre jeweiligen Kopfenden mit vorbestimmten Prüfungsstellen in einem Leitungsschaltkreis als ein Prüfungsobjekt in Verbindung treten können. Ferner werden Drähte einzeln an die jeweiligen anderen Enden der Tastköpfe oder Nadeln gelötet, so dass Signale für die Prüfungsstellen von den anderen Enden abgerufen werden können. Andererseits gibt es ein Höckersystem, in dem Höcker zum Beispiel durch Elektroplattierung in spezifischen Schaltkreisabschnitten einer Leiterplatte, die ein vorbestimmtes Schaltkreismuster besitzt, oder durch ein Filmbildungsverfahren ausgebildet werden, das auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung verwendet wird, und diese Höcker werden an der Stelle der zuvor genannten Nadeltastköpfe oder der L-förmigen Nadeln betrieben.
  • Unlängst sind die Schaltkreismuster verschiedener Schaltkreiskomponenten als Prüfungsobjekte und deshalb die Rasterabstände zwischen den Prüfungsstellen zunehmend feiner geworden.
  • Um die Feinrasterabstände zwischen den Prüfungsstellen anzupassen, werden in dem Fall eines Nadeltastkopf-Kopfes Löcher ausgebildet und zickzackförmig an winzigen Intervallen in der Oberfläche des Kopfes angeordnet, damit die Kopfenden der Nadeltastköpfe herausragen können. In dem Fall eines Kopfes, der L-förmige Nadeln verwendet, sind die zu befestigenden Nadeln eingereiht.
  • Diese Gegenmaßnahmen ziehen jedoch den Arbeitsablauf, die einzelnen Nadeltastköpfe oder L-förmige Nadeln bei gleichmäßigen Rasterabständen zu befestigen, die zahlenmäßig bemerkenswert ansteigen, während die Rasterabstände zwischen den Prüfungsstellen feiner werden, und ferner den Arbeitsablauf nach sich, einen Draht an jeden Tastkopf oder Nadel zu löten. Somit erfordert die Fertigstellung von Erzeugnissen sehr viel Kunstfertigkeit und eine lange Arbeitsablaufzeit, so dass die resultierenden Köpfe zwangsläufig sehr teuer sind. Sogar nachdem die Nadeltastköpfe oder L-förmige Nadeln an dem Kopf befestigt sind, erfordern ihre jeweiligen Kopfenden außerdem eine genaue Position und deshalb eine erneute Anordnung. Während der Lagerung vor dem Versenden muss darüber hinaus genau aufgepasst werden, dass die Tastkopf- oder Nadelspitzen nicht gegen andere Objekte stoßen.
  • In dem Fall eines Kopfes mit eingereihten L-förmigen Nadeln sind die jeweiligen länglichen Abschnitte der Nadeln parallel zu einander angeordnet. Wenn die Frequenzen der Eingangs- und Ausgangs-Signale erhöht werden, um zum Beispiel die Prüfungsge schwindigkeit zu erhöhen, dann können deshalb die resultierenden Eigenschaften des Kopfes in einigen Fällen unter Verursachung von Prüfungsfehlern gegenteilig beeinträchtigt werden.
  • Bei der Ausbildung von Höckern eines höckerförmigen Kopfes durch Elektroplattierung unterliegt andererseits die Höckerhöhe einer wesentlichen Schwankung, wie zuvor erwähnt wurde. Die breite Schwankung hinsichtlich der Höckerhöhe ist für den Kopf schwerwiegend, in dem sämtliche Höcker mit ihren entsprechenden Prüfungsstellen in dem Leitungsschaltkreis als eine unerlässliche Notwendigkeit zuverlässig in Kontakt gebracht werden müssen.
  • In dem Fall, in dem Höcker mithilfe eines Herstellungsgeräts für dünne Filme ausgebildet werden, das auf dem Gebiet der Halbleiterherstellung verwendet wird und sehr teuer ist, sind die resultierenden Köpfe ebenfalls sehr teuer und ein Mechanismus zum Integrieren der Köpfe mit Tastkopfkarten ist notwendig. Ferner ist ein Antriebsmechanismus zum Bewegen der Höcker in dem Leitungsschaltkreis zu der Prüfungszeit nach oben, damit sie mit den Prüfungsstellen in Kontakt gebracht werden, und nach der Prüfung nach unten erforderlich. Somit sind die erhaltenen Köpfe in der Konstruktion kompliziert und teuerer.
  • Wenn ein Versuch unternommen wird, Halbleiterkomponenten auf dem herkömmlichen Packungsträger mit einer hohen Dichte zu befestigen, dann vergrößert sich der Totraum zwangsläufig mit der Zunahme der Stellen zum Befestigen der Komponenten, weil die Leitungsstrukturen auf durchgehenden löchern oder inneren Kontaktlöchern basieren, wie zuvor erwähnt wurde. In einem Packungsträger mit einer bestimmten Standard-Größe sind deshalb die Anzahl an Regionen für die Ausbildung von notwendigen Höcker-Mustern (oder Lötaugen) für die Komponenten-Packung und das Ausmaß davon beschränkt, so dass das Bestreben nach einer Packung hoher Dichte eingeschränkt sein sollte. Wenn die Packung hoher Dichte beabsichtigt ist, dann ist eine Anordnung von zusätzlichen Signal-Mustern erforderlich, so dass die Mehrschicht-Struktur der Träger- oder Leiterplatte damit verknüpft ist, weiter entwickelt zu werden. Dementsprechend werden die Drähte in den Signal-Mustern verlängert, so dass die Zuverlässigkeit der elektrischen Eigenschaften des resultierenden Packungsträgers in einigen Fällen gesenkt werden kann.
  • Das US-Patent Nr. 4,922,192 offenbart einen höckerförmigen Kontaktkopf, der einen Isolierträger, eine bewegliche Region, die in einer vorbestimmten Position in dem Isolierträger ausgebildet ist, so dass sich wenigstens die obere Oberfläche der beweglichen Region nach oben und nach unten bewegen kann, eine Vielzahl von Signal-Leitern, die auf der oberen Oberfläche des Isolierträgers angeordnet sind und sich zu der beweglichen Region hin erstrecken, wobei sich wenigstens das Kopfende von jedem der Signal-Leiter in der beweglichen Region befindet, und Höcker umfasst, die einzeln aus den oberen Oberflächen der jeweiligen Kopfenden der Signal-Leiter herausragen, wobei die obere Oberfläche der beweglichen Region mit der oberen Oberfläche des Isolierträgers bündig ist.
  • AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen höckerförmigen Kontaktkopf bereitzustellen, der in der Lage ist, falls erforderlich, eine Feinrasterabstand-Anordnung eines Prüfungsobjekts bequem anzupassen, wobei eine Hochfrequenz-Prüfung ohne Fehler sichergestellt wird, und der billig herstellbar ist sowie eine Herstellungsverfahren dafür bereitzustellen. Schichten, wobei gemeinsam die Höcker und die Signal-Leiter gebildet werden; einen Schritt zur Entfernung der zweiten Schutzschicht und anschließend Bindung der resultierenden ausgesetzten Oberfläche an die Oberfläche der Öffnungsseite eines Isolierträgers, der mit einer Apertur mit einer Öffnung in einer vorbestimmten Form ausgebildet ist; und einen Schritt zur Auffüllung eines hohlen Abschnitts, der durch die Apertur und die leitfähige Folie bestimmt wird, mit einem elastischen Glied und anschließend Entfernung der leitfähigen Folie durch Ätzung, wodurch die jeweiligen oberen Oberflächen der Höcker und der Signal-Leiter ausgesetzt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein höckerförmiger Kontaktkopf gemäß Anspruch 1 und Verfahren für die Herstellung eines höckerförmigen Kontaktkopfes gemäß Anspruch 10 und 11 bereitgestellt.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leiterplatte M1 gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie II-II der 1 genommen wurde;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine weitere Leiterplatte M2 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 4 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie IV-IV der 3 genommen wurde;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Multi-Chip-Höckerplatine M3 als eine Modifikation der Leiterplatte M1 zeigt;
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht, die eine weitere Multi-Chip-Höckerplatine M4 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 7 ist eine teilweise Schnitt-Ansicht, die ein Profil der Leiterplatte M1 nahe der oberen Oberfläche davon zeigt;
  • 8 ist eine teilweise Schnitt-Ansicht, die ein Profil der Leiterplatte M2 nahe der oberen Oberfläche davon zeigt;
  • 9 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, in der eine dünne Leiterschicht durch Beschichtung der Oberfläche eines leitfähigen Trägers ausgebildet wurde;
  • 10 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht a1 auf der Oberfläche der dünnen Leiterschicht erhalten wurde;
  • 11 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die erhalten wird, indem die Schutzschicht a1 auf erwarteten Höcker-Bildungsstellen übrig gelassen wurde;
  • 12 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer elektrolytisch abgeschiedenen Schicht auf der Oberfläche der dünnen Leiterschicht erhalten wurde;
  • 13 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Aussparungen für Höcker in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht erhalten wurde;
  • 14 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht a2 mit ersten Löchern, die einzeln mit den Aussparungen für Höcker verbinden, und mit ebenen Mustern erhalten wurde, die Lötauge-Schaltkreisen entsprechen;
  • 15 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine ausgebildete Struktur mit Höckern, ersten säulenförmigen Leitern und Lötauge-Schaltkreisen zeigt;
  • 16 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Entfernen der Schutzschicht a2 erhalten wurde, um die Oberfläche der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht auszusetzen;
  • 17 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die eine Schutzschicht a3 einschließt, die durch Beschichtung der Oberfläche der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht ausgebildet wurde;
  • 18 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung eines abgeschiedenen Films auf den jeweiligen Oberflächen der Schutzschicht a3, von ersten säulenförmigen Leitern und Lötauge-Schaltkreisen durch stromlose Abscheidung erhalten wurde;
  • 19 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht an auf dem abgeschiedenen Film der 18 und durch anschließende Ausbildung der Schicht a4 mit einem ebenen Muster, das einem zu bildenden Leiterschaltkreis entspricht, und mit Löchern für säulenförmige Leiter erhalten wurde;
  • 20 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Elektroplattierung des ebenen Musters und der Löcher für die säulenförmigen Leiter der 19 mit einem leitfähigen Material erhalten wurde;
  • 21 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Entfernen der Schutzschicht a4 und anschließendes Entfernen des abgeschiedenen Films erhalten wurde, um den Leiterschaltkreis und die säulenförmigen Leiter auf der Schutz schicht a3 zu bilden;
  • 22 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die eine Schutzschicht a5 einschließt, die durch Beschichtung des Leiterschaltkreises und der säulenförmigen Leiter gebildet wurde;
  • 23 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Löchern in der Schutzschicht a5 erhalten wurde;
  • 24 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein Glied A zeigt, das durch Bildung von säulenförmigen Leitern durch Auffüllen der Löcher der 23 mit einem leitfähigen Material durch Elektroplattierung erhalten wurde;
  • 25 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Beschichtung der Schutzschicht a5 und der jeweiligen Stirnseiten der säulenförmigen Leiter des Glieds A erhalten wurde, um darauf einen abgeschiedenen Film durch stromlose Abscheidung zu bilden;
  • 26 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht b1 auf dem abgeschiedenen Film und durch anschließende Bildung der Schutzschicht b1 mit ebenen Mustern erhalten wurde, die den zu bildenden Leiterschaltkreisen entsprechen;
  • 27 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Elektroplattierung der ebenen Muster der 26 mit einem leitfähigen Material erhalten wurde;
  • 28 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Entfernen der Schutzschicht b1 erhalten wurde;
  • 29 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein Glied B(1) zeigt, das durch Bildung von Leiterschaltkreisen auf der Schutzschicht a5 erhalten wurde;
  • 30 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die eine Schutzschicht b2 einschließt, die durch Beschichtung der Leiterschaltkreise der 29 gebildet wurde;
  • 31 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Löchern für säulenförmige Leiter in der Schutzschicht b2 erhalten wurde;
  • 32 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von säulenförmigen Leitern durch Auffüllen der Löcher der 31 mit einem leitfähigen Material durch Elektroplattierung erhalten wurde;
  • 33 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Beschichtung der Oberfläche der Schutzschicht b2 und der jeweiligen Stirnseiten der säulenförmigen Leiter erhalten wurde, um darauf einen abgeschiedenen Film durch stromlose Abscheidung zu bilden;
  • 34 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht b3 auf dem abgeschiedenen Film der 33 und durch anschließende Bildung der Schicht b3 mit ebenen Mustern erhalten wurde, die den zu bildenden Leiterschaltkreisen entsprechen;
  • 35 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Elektroplattierung der ebenen Muster der 34 mit einem leitfähigen Material erhalten wurde;
  • 36 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Entfernen der Schutzschicht b3 erhalten wurde;
  • 37 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein Glied B(2) zeigt, das durch Bildung von Leiterschaltkreisen auf der Schutzschicht b2 erhalten wurde;
  • 38 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem die Oberfläche des Glieds B(1) und ein Isolierträger durch das Wärmedruckverfahren zusammengeklebt werden;
  • 39 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine integrierte Struktur C zeigt, die aus dem Glied B(1) und dem Isolierträger zusammengesetzt ist;
  • 40 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Trennen des leitfähigen Trägers von der integrierten Struktur C erhalten wurde;
  • 41 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Leiterplatte M1 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 42 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die erhalten wird, indem eine Schutzschicht a1 auf erwarteten Höcker-Bildungsstellen auf dem abgeschiedenen Film übrig gelassen wurde;
  • 43 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Aussparungen für Höcker in einer elektrolytisch abgeschiedenen Schicht erhalten wurde;
  • 44 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer Schutzschicht a2 mit ebenen Mustern für Leiterschaltkreise, die einzeln mit den Aussparungen für Höcker verbinden, und von ebenen Mustern für Lötauge-Schaltkreise erhalten wurde;
  • 45 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Elektroplattierung der ebenen Muster der 44 erhalten wurde, um Höcker, Leiterschaltkreise und Lötauge-Schaltkreise zu bilden;
  • 46 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Beschichtung der Leiterschaltkreise, der Lötauge-Schaltkreise und der Schutzschicht a2, um eine Schutzschicht a3 zu bilden, und durch anschließende Bildung der Schicht a3 mit Löchern für säulenförmige Leiter erhalten wurde;
  • 47 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein Glied A zeigt, das durch Bildung von säulenförmigen Leitern durch Auffüllen der Löcher der 46 mit einem leitfähigen Material durch Elektroplattierung erhalten wurde;
  • 48 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem die Glieder B(1) und B(2) durch das Wärmedruckverfahren an einen Isolierträger geklebt werden;
  • 49 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Leiterplatte M5 für eine doppelseitige Packung zeigt, die durch ein Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurde;
  • 50 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem ein Film auf das Glied B(2) geklebt wird, während die Leiterplatte für eine doppelseitige Packung hergestellt wird;
  • 51 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leiterplatte M6 für eine doppelseitige Packung zeigt, die unter Verwendung einer Leiterplatte gemäß der Erfindung hergestellt wurde;
  • 52 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Leiterplatte M7 gemäß der Erfindung zeigt, die mit einem Kühlkörper und einem Weg für die Wärmeübertragung bereitgestellt wird;
  • 53 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Kopf C1 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 54 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y1-Y1 der 53 genommen wurde;
  • 55 ist eine teilweise Schnitt-Ansicht, die eine Anordnung von Höckern auf der oberen Oberfläche eines elastischen Glieds zeigt;
  • 56 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Kopf C1 zeigt, der mit einem Hebe-Mittel (verschlossene Luftkammer) bereitgestellt wird;
  • 57 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Kopf C1 zeigt, der mit einem weiteren Hebe-Mittel bereitgestellt wird;
  • 58 ist eine Schnitt-Ansicht, die einen Kopf C2 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 59 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Kopf C2 auf einer Hauptplatine angebracht zeigt;
  • 60 ist eine Schnitt-Ansicht, die einen Kopf C3 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 61 ist eine perspektivische Ansicht, die ein bevorzugtes Beispiel des Kopfes C3 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 62 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht einer Region Y2, die in der 61 eingekreist ist;
  • 63 ist eine teilweise Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y3-Y3 der 61 genommen wurde;
  • 64 ist eine teilweise Schnitt-Ansicht, die den Höcker-Arbeitsablauf des Kopfes C3 darstellt;
  • 65 ist eine Schnitt-Ansicht, die einen Kopf C4 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 66 ist eine Schnitt-Ansicht eines Kontaktkopfes, der unter Verwendung des Kopfes C4 der 65 hergestellt wurde;
  • 67 ist eine Schnitt-Ansicht, die einen Kopf C5 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 68 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Kopf C5 der 67 auf einer Hauptplatine befestigt zeigt;
  • 69 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Kopf C6 gemäß der Erfindung zeigt;
  • 70 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y4-Y4 der 69 genommen wurde;
  • 71 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer ersten Schutzschicht auf einer leitfähigen Folie erhalten wurde;
  • 72 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Aperturen in der ersten Schutzschicht erhalten wurde;
  • 73 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung von Aussparungen für Höcker in der leitfähigen Folie erhalten wurde;
  • 74 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Bildung einer zweiten Schutzschicht auf der leitfähigen Folie und durch anschließende Bildung der Schicht mit Mustern erhalten wurde, die Kerben-Mustern für zu bildende Signal-Leiter entsprechen;
  • 75 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch elektrolytische Abscheidung eines leitfähigen Materials in den Aussparungen für Höcker und auf den Kerben-Mustern für Signal-Leiter erhalten wurde;
  • 76 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Ausbildung der Oberfläche der leitfähigen Folie mit Höckern und Signal-Leitern erhalten wurde;
  • 77 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem die Oberfläche der leitfähigen Folie der 76 und ein Isolierträger durch das Wärmedruckverfahren zusammengeklebt werden;
  • 78 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein weiteres Beispiel des Weges zeigt, auf dem die leitfähige Folie und der Isolierträger durch das Wärmedruckverfahren geklebt werden;
  • 79 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem ein elastisches Glied in einen hohlen Abschnitt gefüllt wird, der gebildet wird, wenn die leitfähige Folie der 76 und der Isolierträger zusammengefügt werden;
  • 80 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein weiteres Verfahren zum Füllen des elastischen Glieds zeigt;
  • 81 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Füllen des elastischen Glieds in den hohlen Abschnitt erhalten wurde, der in der 79 gezeigt ist;
  • 82 ist eine Schnitt-Ansicht, die den Weg zeigt, auf dem ein weiterer Isolierträger an der Struktur angebracht wird, die in der 81 gezeigt ist;
  • 83 ist eine Schnitt-Ansicht, die eine Struktur zeigt, die durch Abtrennen der leitfähigen Folie erhalten wurde;
  • 84 ist eine teilweise Grundriss-Ansicht, die einen weiteren Kontaktkopf C7 gemäß der Erfindung zeigt; und
  • 85 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein Beispiel eines Halbleiterkomponenten-Packungsmoduls gemäß der Erfindung zeigt.
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung sind nur der höckerförmige Kontaktkopf und die Verfahren zur Herstellung des höckerförmigen Kontaktkopfes tatsächliche Ausführungsformen der Erfindung. Die Leiterplatten und die Herstellungsverfahren davon sind lediglich Beispiele, die zum Verstehen der Erfindung nützlich sind.
  • Als erstes werden Leiterplatten und ein Herstellungsverfahren dafür gemäß der vorliegenden Erfindung detailliert unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Die 1 und die 2, die eine entlang der Linie II-II der 1 genommene Schnitt-Ansicht ist, zeigen eine Leiterplatte M1 gemäß der Erfindung, und die 3 und die 4, die eine entlang der Linie IV-IV der 3 genommene Schnitt-Ansicht ist, zeigen eine weitere Leiterplatte M2 der Erfindung.
  • Die 5 und 6 sind perspektivische Ansichten, die weitere Leiterplatten (Multi-Chip-Höckerplatinen) M3 beziehungsweise M4 gemäß der Erfindung zeigen.
  • Diese Leiterplatten M1, M2, M3 und M4 besitzen die allgemeinen Höcker 3 in einem vorbestimmten ebenen Muster oder Mustern, die aus einer Oberfläche 1a einer Isolier-Basis 1 herausragen. In jedem der Leiterplatten M1, M2 und M3 sind die Lötauge-Schaltkreise 4 in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 ausgesetzt. In der Leiterplatte M4 sind die Lötauge-Schaltkreise jedoch in der Basis 1 ausgebildet, ohne ausgesetzt zu sein.
  • Obwohl Leiterschaltkreise (wurden erwähnt) in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 in dem Fall der Leiterplatte M1 nicht ausgesetzt sind, ist ein Leiterschaltkreis 2a in der Basis-Oberfläche 1a in dem Fall der Leiterplatte M2 ausgesetzt.
  • Die jeweiligen grundlegenden Konstruktionen dieser Leiterplatten können durch diejenigen der Leiterplatten M1 und M2 dargestellt werden. Die Leiterplatte (Multi-Chip-Höckerplatine) M3 unterscheidet sich von der Leiterplatte M1 nur in der Anzahl an Höcker-Mustern und kann als eine Modifikation der Leiterplatte M1 betrachtet werden. Die Leiterplatte (Multi-Chip-Höckerplatine) M4 kann durch Anordnung der Lötauge-Schaltkreise 4 in einem vorbestimmten Muster in der Isolier-Basis 1 durch ein Herstellungsverfahren erhalten werden, das später erwähnt wird.
  • Basierend auf diesen Verhältnissen werden die Leiterplatten M1 und M2 zuerst im Detail beschrieben.
  • In jedem der Leiterplatten M1 und M2 sind die Leiterschaltkreise 2a und 2b in eine Vielzahl von Schichten (zwei Schichten, wie dargestellt ist) in die Isolier-Basis 1 eingebettet und in der Richtung der Dicke der Basis 1 räumlich von einander getrennt.
  • In dem Fall der Leiterplatte M1 ragen die Höcker 3 aus der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 heraus und die Lötauge-Schaltkreise 4 sind ausgesetzt. Der Leiterschaltkreis 2a in der Oberschicht auf der Oberflächenseite ist in der Oberfläche 1a nicht ausgesetzt und die Höcker 3 und der Leiterschaltkreis 2a, die Lötauge-Schaltkreise 4 und der Leiterschaltkreis 2b und die zwei Leiterschaltkreise 2a und 2b sind einzeln mithilfe von säulenförmigen Leitern 51 und 5 (werden später erwähnt) elektrisch miteinander verbunden.
  • In diesem Fall sind die ersten säulenförmigen Leiter 51 , die eine Leitungsstruktur für die Höcker 3 und den Leiterschaltkreis 2a bilden, größer als die Höcker 3 in der Profilgröße, aufgrund von Bedingungen für das Herstellungsverfahren, das später erwähnt wird. Die anderen säulenförmigen Leiter besitzen jedoch einen kleineren Durchmesser.
  • In dem Fall der Leiterplatte M2 sind andererseits der Leiterschaltkreis 2a in der Oberschicht und die Lötauge-Schaltkreise 4 in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 ausgesetzt, und die Höcker 3 sind auf dem Kopf des Leiterschaltkreises 2a integral ausgebildet.
  • Die Leiterplatte M2 kann mit dieser Konstruktion als ein höckerförmiger Kontaktkopf (wird später erwähnt) gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden, wenn sie nur mit dem Leiterschaltkreis 2a in der Oberschicht bereitgestellt wird, ohne eine Vielzahl von Leiterschichten einzuschließen.
  • Wie durch die gestrichelten Linien in den 1 und 3 angezeigt wird, ist eine vorbestimmte Halbleiterkomponente S auf dem Höcker-Muster von jedem der Leiterplatten M1 und M2 befestigt. Wenn die Halbleiterkomponente S ein bloßer Chip ist, dann kann in diesem Fall jede der Leiterplatten M1 und M2 als ein Packungsträger zum Zusammensetzen einer Halbleiterbauelement-Packung verwendet werden. Wenn die Halbleiterkomponente S eine Halbleiterbauelement-Packung ist, die bereits zusammengesetzt ist, dann kann andererseits jede Leiterplatte als eine Hauptplatine verwendet werden.
  • In dem Fall der Leiterplatte M1, wie in der 7 gezeigt ist, ist jeder Höcker 3 eine Mehrschicht-Struktur (Zweischicht-Struktur, wie dargestellt ist), die die gestapelten dünnen Schichten 3a und 3b einschließt, die durch aufeinander folgende elektrolytische Abscheidung von unterschiedlichen leitfähigen Materialien gebildet werden, und jeder Lötauge-Schaltkreis 4 ist ferner eine Mehrschicht-Struktur (Zweischicht-Struktur, wie dargestellt ist), die die gestapelten dünnen Schichten 4a und 4b einschließt, die durch aufeinander folgende elektrolytische Abscheidung von unterschiedlichen leitfähigen Materialien gebildet werden. Die dünnen Schichten 3a und 4a, die äußere Schicht-Abschnitte von jedem Höcker 3 beziehungsweise jedem Lötauge-Schaltkreis 4 bilden, sind aus ein und demselben leitfähigen Material gebildet, während die dünnen Schichten 3b und 4b, die innere Schicht-Abschnitte von jedem Höcker 3 beziehungsweise jedem Lötauge-Schaltkreis 4 bilden, ferner aus ein und demselben leitfähigen Material gebildet sind.
  • In diesem Fall sollen die äußeren Schicht-Abschnitte 3a und 4a als Barriere-Schichten gegen ein Ätzmittel fungieren, das in dem später erwähnten Herstellungsverfahren verwendet wird, so dass sie aus einem leitfähigen Material gebildet werden, das gegen Korrosion durch das Ätzmittel beständig ist. In dem Fall, in dem das verwendete Ätzmittel ein Ätzmittel ist, das für das Ätzen von zum Beispiel Kupfer ausgelegt ist, können Gold, Nickel oder Nickel-Kobalt oder eine andere Nickel-Legierung als ein geeignetes leitfähiges Material für die äußeren Schicht-Abschnitte 3a und 4a verwendet werden. Andererseits sollten die inneren Schicht-Abschnitte 3b und 4b vorzugsweise aus Kupfer gebildet werden, der hochgradig elektrisch leitfähig ist.
  • In dem Fall von jedem ersten säulenförmigen Leiter 51 , der ein größeres Profil als das von jedem Höcker 3 besitzt, ist eine Schicht des leitfähigen Materials, das den äußeren Schicht-Abschnitt 3a bildet, in einer stufenförmigen Struktur nahe der Grenze zwischen dem Leiter 51 und dessen entsprechendem Höcker 3 ausgebildet, während der gesamte verbleidende Abschnitt aus dem gleichen leitfähigen Material wie der innere Schicht-Abschnitt 3b ausgebildet ist.
  • In dem Fall der Leiterplatte M2, wie in der 8 gezeigt ist, sind andererseits jeder Höcker 3 und der Leiterschaltkreis 2a, die in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 ausgesetzt sind wie jeder Höcker 3 der Leiterplatte M1 Mehrschicht-Strukturen, wobei jede aus den äußeren und inneren Schicht-Abschnitten 3a und 3b zusammengesetzt ist. Ferner ist bei jedem Lötauge-Schaltkreis 4, der in der Oberfläche 1a ausgesetzt ist, die obere Oberfläche aus einer Schicht aus dem gleichen Material wie der äußere Schicht-Abschnitt 3a ausgebildet, und der Abschnitt, der unter der oberen Oberfläche liegt, ist aus dem gleichen Material wie der innere Schicht-Abschnitt 3b ausgebildet.
  • Obwohl jede oben beschriebene Mehrschicht-Struktur eine Zweischicht-Struktur ist, ist sie nicht auf diese Anordnung beschränkt, und dessen äußerer Schicht-Abschnitt kann zum Beispiel eine laminare Struktur sein, die durch elektrolytische Abscheidung von unterschiedlichen leitfähigen Material in zwei oder mehreren Schichten ausgebildet wurde. Ferner sollte jedoch in diesem Fall die Oberschicht aus einem Material ausgebildet werden, das gegen Korrosion durch das Ätzmittel beständig ist, das in dem später beschriebenen Schritt verwendet wird, wie zuvor erwähnt wurde.
  • In diesen Leiterplatten M1 und M2 werden die säulenförmigen Leiter 51 und 5 durch Füllen eines leitfähigen Materials in Löcher ausgebildet, die über ein Verfahren gebildet werden, das später erwähnt wird. Dabei wird das leitfähige Material über Elektroplattierung elektrolytisch abgeschieden. Wenn zum Beispiel diese Löcher den gleichen Durchmesser wie die herkömmlichen durchgehenden Löcher oder inneren Kontaktlöcher besitzen, dann ist somit die Stromkapazität viel größer als in dem Fall der herkömmlichen Leitungsstruktur, in der eine Abscheidung auf den Wandoberflächen der durchgehenden Löcher oder inneren Kontaktlöcher gebildet wird. Mit anderen Worten kann der Durchmesser der säulenförmigen Leiter 5 kleiner als in der herkömmlichen Struktur gemacht werden, die auf den durchgehenden Löchern oder inneren Kontaktlöchern basiert, und zwar in dem Fall, in dem ein Versuch unternommen wird, eine notwendige Stromkapazität für die Aktivierung der Leiterplatten sicherzustellen.
  • Dementsprechend kann der zuvor genannte Totraum im Vergleich zu der herkömmlichen Leitungsstruktur minimiert werden, die die durchgehenden Löcher oder inneren Kontaktlöcher einschließt. Somit kann die Verteilungsdichte der Höcker 3, die auf der Oberfläche der Leiterplatte ausgebildet werden können, verbessert und deshalb eine Packung hoher Dichte von Halbleiterkomponenten erwirkt werden.
  • In den Leiterplatten M1 und M2 wird die Kontinuität zwischen den Leiterschaltkreisen mithilfe der säulenförmigen Leiter 5 sichergestellt. Dementsprechend erfordert die Herstellung dieser Leiterplatten keine Bearbeitung, wie z. B. Bohren, das beim Ausbilden der durchgehenden Löcher oder inneren Kontaktlöcher notwendig ist, die Regionen zwischen den Leiterschaltkreisen durchdringen. Somit können die ebenen Muster feiner gemacht werden, und aus diesem Grund kann ferner eine Packung hoher Dichte von Halbleiterkomponenten erwirkt werden.
  • Das unterscheidungskräftigste Merkmal des Herstellungsverfahrens für Leiterplatten gemäß der vorliegenden Erfindung ist, dass die Höcker zuerst ausgebildet werden und die Leiterschaltkreise in einer Vielzahl von Schichten anschließend aufeinander folgend unter den Höckern mit den säulenförmigen Leitern zwischen ihnen ausgebildet werden.
  • Jede Leiterplatte der Erfindung wird hergestellt, indem die zuvor erwähnten Schritte A, B, C und D in der genannten Reihenfolge ausgeführt werden. In dem Schritt A wird ein Glied A (wird später erwähnt) durch Einbetten von Höckern, ersten säulenförmigen Leitern und Oberschicht-Leiterschaltkreisen und/oder Lötauge-Schaltkreisen in einem Schutz-Abschnitt hergestellt. In dem Schritt B wird ein Glied B(1) oder B(2) (wird später erwähnt) durch Anbringen eines zusätzlichen Leiterschaltkreises und von säulenförmigen Leitern an das Glied A hergestellt. In dem Schritt C wird eine integrierte Struktur C durch Integration des Glieds B(1) oder B(2) mit einem Isolierträger hergestellt. Schließlich wird die beabsichtigte Leiterplatte in dem Schritt D hergestellt.
  • In diesem Fall kann die Leiterplatte M1 hergestellt werden, indem die Schritte A1 bis A14 ausgeführt werden, die den Schritt A bilden, während die Leiterplatte M2 hergestellt werden kann, indem die Schritte A15 bis A18 an der Stelle der Schritte A5 bis A14 aus den Schritten A1 bis A14 des Schritts A ausgeführt werden.
  • Das Herstellungsverfahren für die Leiterplatte M1 wird zuerst beschrieben.
  • Als erstes wird das Glied A auf die folgende Art und Weise hergestellt. Die einzelnen Schritte werden nun der Reihe nach beschrieben:
  • Schritt A1:
  • Wie in der 9 gezeigt ist, wird eine dünne Leiterschicht 7 mit einer Dicke von etwa 2 bis 3 μm auf einer Oberfläche 6a eines elektrisch leitfähigen Trägers 6, wie z. B. eine Edelstahlplatte, durch Elektroplattierung der Oberfläche mit zum Beispiel Kupfer auf eine herkömmliche Art und Weise gebildet. Der leitfähige Träger kann alternativ eine Kupferplatte sein.
  • Schritt A2:
  • Anschließend wird eine Schutzschicht a1 durch Beschichtung einer Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 gebildet ( 10). Die Schutzschicht a1 wird zum Beispiel durch die Verwendung eines herkömmlichen Trockenfilms oder durch Aufbringen eines flüssigen Photolacks gebildet. Die Dicke der Schutzschicht a1 wird derart eingestellt, dass sie im Wesentlichen mit der Höhe von zu bildenden Höckern gleich ist.
  • Die Schutzschicht a1 wird optisch ausgesetzt und entwickelt und sie wird vollständig mit Ausnahme derjenigen Abschnitte entfernt, die den erwarteten Höcker-Bildungsstellen entsprechen. Daraufhin wird die Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 in der Region ausgesetzt, die von der Schutzschicht a1 bereinigt wurde, wie in der 11 gezeigt ist.
  • Schritt A3:
  • Anschließend wird die Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als eine negative Elektrode verwendet wird, und eine elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 wird durch elektrolytische Abscheidung eines zuvor beschriebenen leitfähigen Materials auf der ausgesetzten Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 gebildet, so dass sie mit der verbleibenden Schutzschicht a1 bündig ist (12).
  • Das in diesem Schritt verwendete leitfähige Material ist keinen speziellen Beschränkungen unterworfen und kann zum Beispiel Kupfer, Silber, Aluminium oder Gold sein. Gewöhnlich ist Kupfer bevorzugt.
  • Schritt A4:
  • Anschließend wird die in den erwarteten Höcker-Bildungsstellen verbliebene Schutzschicht a1 entfernt. Nachfolgend werden Aussparungen für Höcker 3A in einem vorbestimmten ebenen Muster in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausgebildet, so dass die Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 durch die Aussparungen ausgesetzt wird, wie in der 13 gezeigt ist.
  • Schritt A5:
  • Anschließend wird eine Schutzschicht a2 auf einer Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 gebildet, so dass dessen Dicke im Wesentlichen mit der Höhe der zu bildenden ersten säulenförmigen Leiter gleich ist, und wird optisch ausgesetzt und entwickelt. Daraufhin werden erste Löcher 5A1 , die einzeln mit den Aussparungen für Höcker 3A verbinden, und ebene Muster 4A, die den Schaltkreis-Mustern von zu bildenden Lötauge-Schaltkreisen entsprechen, gleichzeitig in der Schutzschicht a2 ausgebildet, wie in der 14 gezeigt ist.
  • Das Profil von jedem ersten Loch 5A1 , das auf diese Art und Weise gebildet wurde, ist größer als das von jeder Höcker-Aussparung 3A. Somit bilden jedes erste Loch 5A1 und dessen entsprechende Höcker-Aussparung 3A eine Aushöhlung als ein Ganzes. Die Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 und eine Seitenwand 8b der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 werden an dem Unterteil der Höcker-Aussparung 3A ausgesetzt, während die Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 durch die ebenen Muster 4A ausgesetzt wird. Weil das Profil von jedem ersten Loch 5A1 größer als das der Höcker-Aussparung 3A ist, in die es sich öffnet, besitzt außerdem die Aushöhlung, die durch die Aussparung 3A und das Loch 5A1 bestimmt wird, eine stufenförmige Konfiguration, so dass eine Teiloberfläche 8c der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 in dem ersten Loch 5A1 in der Grenzregion zwischen den zweien ausgesetzt wird. Gewöhnlich wird ein Trockenfilm bei der Bildung der Schutzschicht a2 in diesem Schritt A5 verwendet, obwohl an Stelle davon ein flüssiger Photolack verwendet werden kann.
  • Wenn ein permanenter Photolack verwendet wird, um die Schutzschicht a2 in diesem Schritt A5 zu bilden, dann müssen die unten beschriebenen Schritte A7 bis A8 nicht immer ausgeführt werden.
  • Schritt A6:
  • Anschließend wird die gesamte resultierende Struktur in ein galvanisches Bad getaucht, um elektroplattiert zu werden, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird.
  • In diesem Fall wird die Elektroplattierung wenigstens zweimal in unterschiedlichen galvanischen Bädern ausgeführt. Spezifisch wird in dem Fall, in dem die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 aus Kupfer gebildet wurde, ein erster Zyklus der Elektroplattierung ausgeführt, um eine Schicht eines korrosionsbeständigen ersten leitfähigen Materials elektrolytisch abzuscheiden, wie z. B. Gold, Nickel oder eine Nickel-Kobalt-Legierung, das von dem Ätzmittel nicht korrodiert werden kann, das bei einem Ätzungsprozess in dem Schritt D verwendet wird, der später erwähnt wird. In diesem ersten Zyklus der Elektroplattierung wird das erste leitfähige Material in einer Schicht auf der ausgesetzten Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7, der Seitenwand 8b der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 und der Teiloberfläche 8c der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 in der Grenzregion und in jeder Aushöhlung elektrolytisch abgeschieden, die aus jeder Höcker-Aussparung 3A und dessen entsprechendem ersten Loch 5A1 gebildet wird. Die gleiche elektrolytische Abscheidung erflogt ferner in den ebenen Mustern 4A.
  • Nachdem der erste Zyklus der Elektroplattierung beendet ist, wird ein weiterer Zyklus der Elektroplattierung ausgeführt. In diesem zweiten Zyklus wird ein weiteres leitfähiges Material auf der dünnen Schicht des ersten leitfähigen Materials elektrolytisch abgeschieden. Das bei diesem Prozess abgeschiedene leitfähige Material kann ein beliebiges geeignetes Material sein, wie z. B. Kupfer oder Aluminium, das über eine hohe elektrische Leitfähigkeit verfügt.
  • In diesem Prozess der Elektroplattierung wird das erste leitfähige Material, das gegen Korrosion durch das in dem Schritt D verwendete Ätzmittel beständig ist, zuerst in einer Schicht in der Höcker-Aussparung 3A abgeschieden, und das zweite leitfähige Material wird weiter auf der Schicht, in jeder Aushöhlung, die von der Höcker-Aussparung 3A und dessen entsprechendem ersten Loch 5A1 gebildet wird, und in jedem ebenen Muster 4A abgeschieden. Als eine Folge werden die Aushöhlung und das ebene Muster mit diesen leitfähigen Materialien aufgefüllt.
  • Wenn der Schritt A6 beendet ist, dann werden deshalb die Höcker 3 auf eine derartige Art und Weise ausgebildet, dass jede Höcker-Aussparung 3A mit einer Zweischicht-Struktur aufgefüllt wird, die aus den äußeren und den inneren gestapelten dünnen Schichten (Schicht-Abschnitten) 3a und 3b zusammengesetzt ist, wie in der 15 gezeigt ist. Ferner wird in jedem ebenen Muster 4A eine Zweischicht-Struktur, wobei jede aus den äußeren und den inneren gestapelten dünnen Schichten (Schicht-Abschnitten) 4a und 4b zusammengesetzt ist, die aus den gleichen Materialien wie die dünnen Schichten 3a beziehungsweise 3b gebildet wurden, als der Lötauge-Schaltkreis 4 ausgebildet. Gemeinsam werden in den ersten Löchern 5A1 die ersten säulenförmigen Leiter 51 als Zweischicht-Strukturen ausgebildet, wobei jeder die dünne Schicht 3a in der Nachbarschaft des stufenförmigen Abschnitts und einen darunter liegenden Abschnitt einschließt, der aus dem gleichen Material wie die dünne Schicht 3b gebildet wurde.
  • In diesem Prozess der Elektroplattierung ist das Profil von jedem ersten Loch 5A1 größer als das von jeder Höcker-Aussparung 3A, so dass die einzelnen leitfähigen Materialien glatt in den Aussparungen für Höcker und dann in den ersten Löchern elektrolytisch abgeschieden werden. Wenn das galvanische Bad einer Ultraschallschwingung während dem Prozess der Elektroplattierung unterworfen wird, dann wird es ihm gestattet, sicher in die ersten Löcher 5A1 und in die Aussparungen für Höcker 3A einzudringen, obwohl diese Löcher und Aussparungen klein bemessen sind, und Gas, das während dem Prozess der Elektroplattierung erzeugt wurde, kann schnell aus den Löchern 5A1 und den Aussparungen 3A entfernt werden. Somit kann eine Plattierung mit hoher Zuverlässigkeit erwirkt werden.
  • Der leitfähige Träger 6, die dünne Leiterschicht 7 und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8, die über einen breiten Bereich verfügen, bilden eine Leitungsbahn für die Elektroplattierung. Dementsprechend kann ein großer elektrischer Strom geliefert werden, so dass die Stromdichte für die Elektroplattierung gesteigert werden kann. Als Folge können die Aussparungen für Höcker 3A, die ersten Löcher 5A1 und die ebenen Muster 4A mit den leitfähigen Materialien innerhalb einer kurzen Zeitspanne aufgefüllt werden.
  • In diesem Schritt A6 sind die Zyklen der Elektroplattierung der Anzahl nach nicht auf zwei beschränkt, und die Elektroplattierung kann bei Bedarf dreimal oder öfter wiederholt werden. Sogar in diesem Fall muss jedoch ein korrosionsbeständiges erstes leitfähiges Material, wie z. B. das zuvor erwähnte, in einer Schicht in dem ersten Zyklus der Elektroplattierung elektrolytisch abgeschieden werden.
  • Schritt A7:
  • Wenn die Aussparungen für Höcker 3A, die ersten Löcher 5A1 und die ebenen Muster 4A mit den Mehrschicht-Strukturen der leitfähigen Materialien aufgefüllt wurden, das heißt, wenn die gesamte abgeschiedene Oberfläche mit der Schutzschicht a2 bündig ist, dann wird die Elektroplattierung eingestellt und die Schicht a2 anschließend entfernt. Als eine Folge wird die Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausgesetzt und die Höcker 3, wobei jeder aus einer Mehrschicht-Struktur eines leitfähigen Materials, die jede Höcker-Aussparung auf füllt, und den ersten säulenförmigen Leitern 51 zusammengesetzt ist, die einzeln aus den Höckern herausragen, werden integral in vorbestimmten Abschnitten der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausgebildet, wie in der 16 gezeigt ist. Zu der gleichen Zeit werden die Lötauge-Schaltkreise 4 gebildet, wobei jeder aus einer Mehrschicht-Struktur eines leitfähigen Materials zusammengesetzt ist.
  • Schritt A8:
  • Anschließend wird die ausgesetzte Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 beschichtet, um eine Schutzschicht a3 mit einer Dicke zu bilden, so dass das Profil von jedem ersten säulenförmigen Leiter 51 und die Oberfläche von jedem Lötauge-Schaltkreis 4 ausgesetzt werden, wie in der 17 gezeigt ist. Spezifischer wird zum Beispiel ein flüssiger Photolack auf die Oberfläche 8a aufgebracht und optisch ausgesetzt und entwickelt, um eine Isolierschicht zu bilden.
  • Schritt A9:
  • Nachdem die Oberfläche der Schutzschicht a3 aufgeraut wurde, wird sie einer stromlosen Abscheidung unterworfen. Daraufhin werden die jeweiligen Oberflächen der Schutzschicht a3, der ersten säulenförmigen Leiter 51 und der Lötauge-Schaltkreise 4 beschichtet, um einen abgeschiedenen Film 9 zu bilden, wie in der 18 gezeigt ist.
  • Schritt A10:
  • Anschließend wird eine Schutzschicht a4, die im Wesentlichen so dick wie ein zu bildender Leiterschaltkreis ist, durch Beschichtung der Oberfläche des abgeschiedenen Films 9 gebildet und optisch ausgesetzt und entwickelt. Daraufhin werden ein ebenes Muster 2A, das dem Schaltkreis-Muster des zu bildenden Leiterschaltkreises entspricht, und die ebenen Muster 5A1' gleichzeitig ausgebildet, die den säulenförmigen Leitern entsprechen, die mit den Lötauge-Schaltkreisen 4 verbunden werden sollen.
  • Als eine Folge werden die ebenen Muster 2A und 5A1' für den Leiterschaltkreis und für die säulenförmigen Leiter mit vorbestimmten ebenen Formen auf einer Oberfläche 9a des abgeschiedenen Films 9 ausgebildet, und die Filmoberfläche 9a wird durch diese ebenen Muster ausgesetzt, wie in der 19 gezeigt ist. Entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack können bei der Bildung der Schutzschicht a4 in diesem Schritt verwendet werden.
  • Schritt A11:
  • Anschließend wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, und ein leitfähiges Material, wie z. B. Kupfer, das über eine hohe elektrische Leitfähigkeit verfügt, wird auf der Oberfläche 9a des abgeschiedenen Films 9 elektrolytisch abgeschieden, der durch die ebene Muster 2A und 5A1' ausgesetzt wird, um mit der Oberfläche der Schutzschicht a4 bündig zu sein, wie in der 20 gezeigt ist.
  • Schritt A12:
  • Nachdem die Schutzschicht a4 anschließend entfernt wurde, um die Oberfläche 9a des abgeschiedenen Films 9 auszusetzen, wird ausschließlich die ausgesetzte Oberfläche zum Beispiel mittels Weichätzung entfernt. Als eine Folge wird die Oberfläche der Schutzschicht a3 ausgesetzt, und der Leiterschaltkreis 2a und die säulenförmigen Leiter 51', die einzeln mit den Lötauge-Schaltkreisen 4 verbunden sind, werden auf der ausgesetzten Oberfläche ausgebildet, wie in der 21 gezeigt ist.
  • Schritt A13:
  • Anschließend werden die ausgesetzte Oberfläche der Schutzschicht a3, der Leiterschaltkreis 2a und die säulenförmigen Leiter 51' vollständig beschichtet, um eine Schutzschicht a5 zu bilden, wie in der 22 gezeigt ist. Obwohl entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack bei der Bildung der Schutzschicht a5 verwendet werden kann, ist der flüssige Photolack bevorzugt.
  • Somit werden die zuvor gebildete Schutzschicht a3 und die Schutzschicht a5 vereint, um einen Schutz-Abschnitt A als eine Isolierschicht zu bilden, und der Leiterschaltkreis 2a und die säulenförmigen Leiter 51' werden in die Isolierschicht eingebettet. In diesem Fall wird die Dicke der Schutzschicht a5 in den Regionen, die dem Schaltkreis 2a und den Leitern 51' entsprechen, derart eingestellt, dass sie mit der Höhe der zu bildenden zweiten säulenförmigen Leiter (werden später erwähnt) im Wesentlichen gleich sind.
  • Anschließend wird die Schutzschicht a5 optisch ausgesetzt und entwickelt, um mit dem Leiterschaltkreis 2a und den zweiten Löchern 5A2 ausgebildet zu werden, die mit den säulenförmigen Leitern 51' verbinden, wie in der 23 gezeigt ist. Somit werden die jeweiligen Stirnseiten des Schaltkreises 2a und der Leiter 51' durch die zweiten Löcher 5A2 ausgesetzt.
  • Schritt A14:
  • Schließlich wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, ein leitfähiges Material wird auf den jeweiligen Oberflächen des Leiterschaltkreises 2a und der säulenförmigen Leiter 51' elektrolytisch abgeschieden, die durch die zweiten Löcher 5A2 ausgesetzt sind, und die Löcher 5A2 werden aufgefüllt, um zweite säulenförmige Leiter 52 zu bilden, woraufhin der Schritt A beendet ist. In diesem Fall werden die zweiten säulenförmigen Leiter 52 , die mit den Lötauge-Schaltkreisen 4 elektrisch verbunden sind, integral mit ihren entsprechenden säulenförmigen Leitern 51' ausgebildet, die zuvor gebildet wurden.
  • Wenn der Schritt A beendet ist, dann befinden sich die Höcker 3 in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8, die ersten säulenförmigen Leiter 51 , die Lötauge-Schaltkreise 4, der Leiterschaltkreis 2a und die zweiten säulenförmigen Leiter 52 sind in einen Schutz-Abschnitt A eingebettet und die jeweiligen Stirnseiten der säulenförmigen Leiter 52 sind in einem vorbestimmten Muster auf der Oberfläche der Schutzschicht a5 ausgesetzt, wie in der 24 gezeigt ist. Das Glied A wird auf diese Art und Weise hergestellt.
  • Somit werden in diesem Glied A Leitungsstrukturen zwischen den Höckern 3, den ersten säulenförmigen Leitern 51 , dem abgeschiedenen Film 9, dem Leiterschaltkreis 2a und den zweiten säulenförmigen Leitern 52 und zwischen den Lötauge-Schaltkreisen 4, dem abgeschiedenen Film 9 und den zweiten säulenförmigen Leitern 52 einzeln ausgebildet.
  • Dann wird ein weiterer zusätzlicher Leiterschaltkreis an das resultierende Glied A angebracht, indem das Glied A dem folgenden Schritt B unterworfen wird.
  • In diesem Fall setzt sich der Schritt B entweder aus dem zuvor erwähnten Schritt B(1) oder B(2) zusammen. Wenn der Schritt B(1) verwendet wird, der die Schritte B1 bis B4 (werden später erwähnt) einschließt, dann kann ein Zwischen-Glied B(1) für die Leiterplatte M1 hergestellt werden, in dem die zwei Leiterschaltkreise eingebettet sind, wie in den 1 und 2 gezeigt ist. Wenn der Schritt B(2) verwendet wird, der die Schritte B5 bis B10 einschließt, dann kann andererseits ein Zwischen-Glied B(2) für die Leiterplatte M1 mit drei oder mehreren darin eingebetteten Leiterschaltkreisen hergestellt werden.
  • Der Schritt B(1) wird zuerst beschrieben.
  • Schritt B1:
  • Zuerst wird die Oberfläche der Schutzschicht a5 des in dem Schritt A hergestellten Glieds A einer stromlosen Abscheidung unterworfen, woraufhin ein abgeschiedener Film 10 gebildet wird, der die gesamte Oberfläche abdeckt, wie in der 25 gezeigt ist.
  • Schritt B2:
  • Anschließend wird eine Oberfläche 10a des abgeschiedenen Films 10 beschichtet, um eine Schutzschicht b1 zu bilden, die optisch ausgesetzt und entwickelt wird, woraufhin ein ebenes Muster 2B ausgebildet wird, das dem Schaltkreis-Muster eines zu bildenden Leiterschaltkreises entspricht. Als eine Folge wird das Leiterschaltkreis-Muster 2B mit einer vorbestimmten ebenen Form auf der Oberfläche 10a des abgeschiedenen Films 10 ausgebildet, und die Film-Oberfläche 10a wird durch das Muster 2B ausgesetzt, wie in der 26 gezeigt ist. In diesem Fall kann entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack bei der Bildung der Schutzschicht b1 verwendet werden.
  • Schritt B3:
  • Anschließend wird die Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, und ein leitfähiges Material, wie z. B. Kupfer, das über eine hohe elektrische Leitfähigkeit verfügt, wird auf der ausgesetzten Oberfläche 10a des abgeschiedenen Films 10 bis zu einer solchen Dicke elektrolytisch abgeschieden, dass es mit der Schutzschicht b1 bündig ist. Daraufhin wird der Leiterschaltkreis 2b auf dem ebenen Muster 2B ausgebildet, wie in der 27 gezeigt ist.
  • Schritt B4:
  • Anschließend wird die Schutzschicht b1 entfernt. Daraufhin wird die Oberfläche 10a des abgeschiedenen Films 10 in der Region ausgesetzt, die bisher von der Schicht b1 eingenommen worden ist, wie in der 28 gezeigt ist.
  • Der ausgesetzte abgeschiedene Film 10 wird zum Beispiel durch Weichätzung entfernt.
  • Als eine Folge wird das Glied B(1), in dem der Leiterschaltkreis 2b ausgebildet ist, in einem vorbestimmten ebenen Muster auf der Oberfläche der Schutzschicht a5 hergestellt, wie in der 29 gezeigt ist. In diesem Glied B(1) werden Leitungsstrukturen zwischen den Höckern 3, den ersten säulenförmigen Leitern 51 , dem abgeschiedenen Film 9, dem Leiterschaltkreis 2a, den zweiten säulenförmigen Leitern 52 , dem abgeschiedenen Film 10 und dem Leiterschaltkreis 2b und zwischen den Lötauge-Schaltkreisen 4, dem abgeschiedenen Film 9, den zweiten säulenförmigen Leitern 52 , dem abgeschiedenen Film 10 und dem Leiterschaltkreis 2b einzeln ausgebildet.
  • Wenn das Glied B(1) anschließend dem Schritt C unterworfen wird, dann besitzt die resultierende Leiterplatte M1 zwei darin eingebettete Leiterschaltkreise. Mehrere Leiterschaltkreise können eingebettet werden, indem das Glied B(1) dem Schritt B(2) unterworfen wird, der unten beschrieben wird.
  • Schritt B5:
  • Zuerst werden der Leiterschaltkreis 2b und die Schutzschicht a5 des Glieds B(1) vollständig beschichtet, um eine Schutzschicht b2 zu bilden, wie in der 30 gezeigt ist. Obwohl die Schutzschicht b2 unter Verwendung von entweder einem Trockenfilm oder einem flüssigen Photolack gebildet werden kann, wird der flüssige Photolack bevorzugt.
  • Somit werden die Schutzschichten a3 und a5 des Glieds B(1) und die Schutzschicht b2 vereint, um eine Isolierschicht zu bilden, und der Leiterschaltkreis 2a, die Lötauge-Schaltkreise 4 und der Leiterschaltkreis 2b werden in die Isolierschicht eingebettet. In diesem Fall wird die Dicke der Schutzschicht b2 in der Region, die dem eingebetteten Schaltkreis 2b entspricht, derart eingestellt, dass sie mit der Höhe der in der nächsten Stufe zu bildenden säulenförmigen Leiter (werden später erwähnt) im Wesentlichen gleich ist.
  • Dann wird die Schutzschicht b2 optisch ausgesetzt und entwickelt, um mit den Löchern 5B1 ausgebildet zu werden, die mit dem Leiterschaltkreis 2b verbinden, wie in der 31 gezeigt ist. Somit wird die Oberfläche des Schaltkreises 2b durch die Löcher 5B1 ausgesetzt.
  • Schritt B5:
  • Anschließend wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, und ein leitfähiges Material wird auf der Oberfläche des Leiterschaltkreises 2b elektrolytisch abgeschieden, der durch die Löcher 5B1 ausgesetzt ist, woraufhin die Löcher 5B1 mit dem leitfähigen Material aufgefüllt werden. Als eine Folge werden die säulenförmigen Leiter 53 ausgebildet, die mit dem Leiterschaltkreis 2b integral sind, wobei ihre jeweiligen Oberflächen aus der Schutzschicht b2 ausgesetzt sind, wie in der 32 gezeigt ist.
  • Schritt B7:
  • Die gesamte Oberfläche der Schutzschicht b2 wird beschichtet, und ein abgeschiedener Film 11 wird durch stromlose Abscheidung gebildet (33).
  • Schritt B8:
  • Anschließend wird eine Oberfläche 11a des abgeschiedenen Films 11 beschichtet, um eine Schutzschicht b3 zu bilden, die optisch ausgesetzt und entwickelt wird, woraufhin ein ebenes Muster 2C ausgebildet wird, das dem Schaltkreis-Muster eines Leiterschaltkreises entspricht, der unter dem Leiterschaltkreis 2b ausgebildet werden soll. Als eine Folge wird die Oberfläche 11a des abgeschiedenen Films 11 durch das Muster 2B ausgesetzt, wie in der 34 gezeigt ist. Bei der Bildung der Schutzschicht b3 kann entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack verwendet werden.
  • Schritt B9:
  • Anschließend wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, und ein leitfähiges Material wird auf der ausgesetzten Oberfläche 11a des abgeschiedenen Films 11 bis zu einer Dicke elektrolytisch abgeschieden, die der verbleibenden Schutzschicht b3 entspricht.
  • Als eine Folge wird ein Leiterschaltkreis 2c in einem vorbestimmten ebenen Muster auf der Oberfläche 11a des abgeschiedenen Films 11 ausgebildet, wie in der 35 gezeigt ist.
  • Schritt B10:
  • Anschließend wird die Schutzschicht b3 entfernt. Als eine Folge wird die Oberfläche 11a des abgeschiedenen Films 11 in der Region ausgesetzt, die der entfernten Schicht b3 entspricht, wie in der 36 gezeigt ist.
  • Anschließend wird der ausgesetzte abgeschiedene Film 11 durch zum Beispiel Weichätzung entfernt. Daraufhin wird das Glied B(2) hergestellt, in dem der Leiterschaltkreis 2c in einem vorbestimmten ebenen Muster auf der Oberfläche der Schutzschicht b2 ausgebildet ist, wie in der 37 gezeigt ist.
  • In diesem Glied B(2) sind die zwei Leiterschaltkreise 2a und 2b in die Schutzschichten a5 beziehungsweise b2 eingebettet, während der Leiterschaltkreis 2c auf der Oberfläche der Schutzschicht b2 ausgebildet ist.
  • In diesem Fall werden der neue Leiterschaltkreis 2b und die neuen säulenförmigen Leiter 53 , die zusätzlich an das Glied A angebracht sind, in einem Schutz-Abschnitt B eingebettet, der aus der Schutzschicht b2 zusammengesetzt ist. Die Leitungsstrukturen werden zwischen den Höckern 3, den ersten säulenförmigen Leitern 51 , dem abgeschiedenen Film 9, dem Leiterschaltkreis 2a, den zweiten säulenförmigen Leitern 52 , dem abgeschiedenen Film 10, dem Leiterschaltkreis 2b, den säulenförmigen Leitern 53 , dem abgeschiedenen Film 11 und dem Leiterschaltkreis 2c und zwischen den Lötauge-Schaltkreisen 4, dem abgeschiedenen Film 9, den zweiten säulenförmigen Leitern 52 , dem abgeschiedenen Film 10, dem Leiterschaltkreis 2b, den säulenförmigen Leitern 53 , dem abgeschiedenen Film 11 und dem Leiterschaltkreis 2c einzeln gebildet.
  • Zusätzliche Leiterschaltkreise können an dem Leiterschaltkreis 2c angebracht werden, indem die mit Bezug auf die 30 bis 37 beschriebenen Prozesse in einer gewünschten Anzahl von Wiederholungen wiederholt werden.
  • Somit wird am Ende des Schrittes B ein Zwischen-Glied, in dem ein zuvor beschriebener Leiterschaltkreis auf der Oberfläche einer abschließend gebildeten Schutzschicht ausgebildet wurde, in den beiden Schritten B(1) und B(2) hergestellt.
  • Dieses Zwischen-Glied wird anschließend dem Schritt C unterworfen. Dieser Schritt wird in Verbindung mit dem Fall des Glieds B(1) beschrieben, der zum Beispiel in der 29 gezeigt ist.
  • Ein Isolierträger 12 wird vorbereitet und dessen eine Oberfläche 12a und die Oberfläche des Glieds B(1), auf der der Leiterschaltkreis 2b ausgebildet wurde, werden durch das Wärmedruckverfahren zusammengeklebt, wie in der 38 gezeigt ist. Daraufhin wird der Leiterschaltkreis 2b in dem Isolierträger 12 eingebettet, und die integrierte Struktur C wird hergestellt, die das Glied B(1) und den Träger 12 integral inkorporiert, wie in der 39 gezeigt ist.
  • Vorzugsweise sollte der in dieser Anordnung verwendete Isolierträger 12 aus einem Material gebildet sein, wie z. B. eine Verbundfolie, die bei Normaltemperatur mittelhart ist und sich beim Erwärmen erweicht. Der Grund dafür ist, dass, weil das Muster des Leiterschaltkreises 2b aus der Oberfläche der Schutzschicht a5 herausragend ausgebildet ist, es unter der oberen Oberfläche 12a des Kunststoff-Isolierträgers 12 begraben werden kann, wenn der Träger 12 daran kontaktgeklebt wird, und der Träger 12 danach wärmegehärtet und befestigt wird.
  • Sogar in dem Fall, in dem der Isolierträger 12 aus einem starren Material gebildet ist, kann jedoch das gesamte Muster des Leiterschaltkreises 2b bedeckt werden, indem eine Schicht aus zum Beispiel einem unausgehärteten Epoxidharz auf der Oberfläche des Glieds B(1) ausgebildet wird, auf dem das Muster des Leiterschaltkreises 2b ausgebildet ist, und das Glied B(1) und der starre Isolierträger 12 können durch Kleben des Trägers 12 an die Harzschicht durch das Wärmedruckverfahren vereint werden.
  • Unmittelbar nach dem Kleben durch das Wärmedruckverfahren ist in diesem Fall die Schicht des Epoxidharzes unausgehärtet und weich, so dass das Muster des Leiterschaltkreises 2b darin begraben werden kann. Zu der gleichen Zeit wird die Harzschicht mit der oberen Oberfläche 12a des Isolierträgers 12 zusammengefügt. Nachdem die Schicht wärmegehärtet ist, wird das Muster des Leiterschaltkreises 2b mit dem Träger 12 auf eine solche Art und Weise integriert, dass es in der wärmegehärteten Schicht begraben wird.
  • Der in diesem Schritt C verwendete Isolierträger kann ein beliebiger elektrischer Isolierträger sein, wie z. B. ein Glas-Epoxidharz-Träger, eine elastische bedruckte Platte, ein Harzträger oder eine Folie, die aus einem Epoxidharz, Polyimid, Polyester, Urethanharz oder Phenolharz gebildet ist, eine keramische Folie, usw. In Anbetracht der Erfordernis, dass das Muster des Leiterschaltkreises 2b nach dem Kleben durch das Wärmedruckverfahren begraben werden soll, wie zuvor erwähnt wurde, sollte der Isolierträger vorzugsweise aus einer Verbundfolie eines Weichglas-Epoxidharzes gebildet werden. Ferner kann der Isolierträger mit einer geeigneten Dicke gebildet werden, indem zum Beispiel eine Vielzahl von Verbundfolien in Schichten gestapelt wird.
  • Die auf diese Art und Weise hergestellte integrierte Struktur C wird dann dem Schritt D unterworfen.
  • In dem Schritt D wird zuerst der leitfähige Träger 6 abgetrennt. Die Oberfläche des resultierenden Glieds wird durch die dünne Leiterschicht 7 abgedeckt, wie in der 40 gezeigt ist.
  • Anschließend werden die dünne Leiterschicht 7 und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 darunter durch Ätzung aufeinander folgend entfernt. Daraufhin wird die Leiterplatte M1 erhalten, in der sowohl die Leiterschaltkreise 2a als auch 2b in der Isolier-Basis 1 eingebettet sind, die aus den Schutzschichten a3 und a5 und dem Isolierträger 12 zusammengesetzt ist, wobei die Höcker 3 nur aus der Oberfläche der Schutzschicht a3 herausragen, und die Lötauge-Schaltkreise 4 ausgesetzt sind, wie in der 41 gezeigt ist.
  • Nachdem die dünne Leiterschicht 7 und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 durch Ätzung entfernt wurden, geraten die jeweiligen Oberflächen der Höcker 3 und der Lötauge-Schaltkreise 4 mit dem Ätzmittel in Kontakt. Weil die jeweiligen äußeren Schicht-Abschnitte 3a und 4a von jedem Höcker 3 und von jedem Lötauge-Schaltkreis 4 aus dem ersten elektrisch leitfähigen Material ausgebildet wurden, das gegen Korrosion durch das Ätzmittel beständig ist, wie zuvor erwähnt wurde, können jedoch die Höcker und die Lötauge-Schaltkreise durch das Ätzmittel während dem Ätzprozess nicht korrodiert werden.
  • Weil sämtliche der Höcker 3 Mehrschicht-Strukturen sind, die einzeln die Aussparungen für Höcker mit der gleichen Tiefe in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausfüllen, die die vorbestimmte Dicke besitzt, ist ihre Höhe der Tiefe der Aussparungen für Höcker gleich und ist einer sehr engen Schwankung unterworfen.
  • Das Folgende ist eine Beschreibung eines Herstellungsverfahrens für die Leiterplatte M2.
  • Dieses Herstellungsverfahren ist das gleiche wie das Verfahren für die Leiterplatte M1, mit der Ausnahme des Schritts A, das heißt, die anderen Schritte B, C und D werden auf die gleiche Art und Weise ausgeführt, wie zuvor beschrieben wurde.
  • Dementsprechend wird nun der Schritt A für die Herstellung der Leiterplatte M2 mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Zuerst werden die Schritte A1 bis A4 auf die gleiche Art und Weise wie bei der Herstellung der Leiterplatte M1 ausgeführt. Nachdem die Schutzschicht a1 auf den erwarteten Höcker-Bildungsstellen in der Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 übrig gelassen wurde, wie in der 42 gezeigt ist, wird eine elektrolytisch abgeschiedene Schicht auf der anderen Oberfläche durch eine Elektroplattierung ausgebildet, und die Schutzschicht a1 wird anschließend entfernt. Daraufhin werden die Aussparungen für Höcker 3A in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausgebildet, und die Oberfläche 7a der Leiterschicht 7 wird durch die Aussparungen 3A ausgesetzt, wie in der 43 gezeigt ist.
  • In diesem Schritt kann bei der Ausbildung der Schutzschicht a1 entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack verwendet werden.
  • Anschließend wird das Glied A hergestellt, indem die folgenden Schritte A15 bis A18 aufeinander folgend ausgeführt werden.
  • Schritt A15:
  • Die Schutzschicht a2 wird durch Beschichtung der Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 gebildet und optisch ausgesetzt und entwickelt. Daraufhin wird das ebene Muster 2A ausgebildet, das dem Schaltkreis-Muster des zu bildenden Leiterschaltkreises entspricht, um mit den Aussparungen für Höcker 3A zu verbinden, und zu der gleichen Zeit werden die ebenen Muster 4A ausgebildet, die den Schaltkreis-Mustern der zu bildenden Lötauge-Schaltkreise entsprechen, wie in der 44 gezeigt ist.
  • Gewöhnlich wird bei der Bildung der Schutzschicht a2 in diesem Schritt ein Trockenfilm verwendet.
  • Schritt A16:
  • Anschließend wird die gesamte resultierende Struktur in ein galvanisches Bad auf die gleiche Art und Weise wie in dem Schritt A6 für die Herstellung der Leiterplatte M1 getaucht und wenigstens zweimal elektroplattiert, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, woraufhin eine Mehrschicht-Struktur aus verschiedenen leitfähigen Materialien erhalten wird.
  • Wenn diese Elektroplattierung beendet ist, dann werden die ebenen Muster 4A für die Lötauge-Schaltkreise mit den Zweischicht-Strukturen einzeln aufgefüllt, wobei jeder die dünne Schicht 4a eines korrosionsbeständigen leitfähigen Materials und die dünne Schicht 4b eines weiteren leitfähigen Materials einschließt, woraufhin die Lötauge-Schaltkreise 4 ausgebildet werden, wie in der 45 gezeigt ist.
  • In den Aussparungen für Höcker 3A und dem ebenen Muster 2A für den Leiterschaltkreis wird ein korrosionsbeständiges erstes leitfähiges Material in einer Schicht auf der Oberfläche 8a der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 elektrolytisch abgeschieden, wobei die Seitenwände 8b der Aussparungen für Höcker und die Oberfläche 7a der dünnen Leiterschicht 7 dadurch die dünnen Schichten (äußere Schicht-Abschnitte) 3a in einem ersten Zyklus der Elektroplattierung bilden. In dem nächsten Zyklus der Elektroplattierung wird ein weiteres leitfähiges Material auf den dünnen Schichten 3a elektrolytisch abgeschieden, um die dünnen Schichten (innere Schicht-Abschnitte) 3b zu bilden, woraufhin die Höcker 3 und der Leiterschaltkreis 2a als eine aus diesen dünnen Schichten zusammengesetzte Zweischicht-Struktur en bloc ausgebildet werden.
  • Schritt A17:
  • Anschließend wird die Schutzschicht a3 durch Beschichtung des Leiterschaltkreises 2a und der Lötauge-Schaltkreise 4 gebildet, wie in der 46 gezeigt ist, und optisch ausgesetzt und entwickelt. Daraufhin werden die ersten Löcher 5A1 , die mit dem Leiterschaltkreis 2a (oder den Lötauge-Schaltkreisen 4) verbinden, in der Schutzschicht a3 ausgebildet. Dementsprechend wird die Oberfläche des Leiterschaltkreises 2a (oder der Lötauge-Schaltkreise 4) durch die ersten Löcher 5A1 ausgesetzt. Die Dicke der Schutzschicht b3 in diesem Zustand wird derart eingestellt, dass sie mit der Höhe der zu bildenden säulenförmigen Leiter im Wesentlichen gleich ist, und bei der Bildung der Schicht a3 kann entweder ein Trockenfilm oder ein flüssiger Photolack verwendet werden.
  • Schritt A18:
  • Schließlich wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, ein leitfähiges Material wird auf der Oberfläche des Leiterschaltkreises 2a (oder der Lötauge-Schaltkreise 4) elektrolytisch abgeschieden, die durch die ersten Löcher 5A1 ausgesetzt sind, und die Löcher 5A1 werden aufgefüllt, um die säulenförmigen Leiter zu bilden.
  • Als eine Folge wird das Glied A hergestellt, in dem die jeweiligen ersten säulenförmigen Leiter 51 in einem vorbestimmten Muster auf der Oberfläche der Schutzschicht a3 ausgesetzt sind, wie in der 47 gezeigt ist. In diesem Glied A wird eine Leitungsstruktur zwischen den Höckern 3, den Leiterschaltkreisen 2a und den ersten säulenförmigen Leitern 51 ausgebildet.
  • Daraufhin wird die Leiterplatte M2 (3) hergestellt, indem die zuvor genannten Schritte B, C und D aufeinander folgend ausgeführt werden. In der Leiterplatte M2 sind der Leiterschaltkreis 2a und die Lötauge-Schaltkreise 4 in einem vorbestimmten ebenen Muster in der Oberfläche der Isolier-Basis ausgesetzt, und die Höcker 3 ragen aus der Kopfoberfläche des Leiterschaltkreises 2a heraus.
  • Bei der Herstellung der in der 6 gezeigten Leiterplatte M4, in dem die Lötauge-Schaltkreise in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis nicht ausgesetzt sind, werden die ebenen Muster 4A, die den Schaltkreis-Mustern der Lötauge-Schaltkreise entsprechen, in dem Schritt A5 (14) für die Herstellung der Leiterplatte M1 nicht ausgebildet. An Stelle davon werden die ebenen Muster 4A in irgendeinem der nachfolgenden Schritte ausgebildet, z. B. dem Schritt B, ein leitfähiges Material wird auf den Mustern elektrolytisch abgeschieden, um die Lötauge-Schaltkreise auszubilden, und die Lötauge-Schaltkreise werden derart in die Schutzschicht eingebettet, dass sie mit dem ausgesetzten Höcker Muster verbunden werden.
  • Obwohl die Herstellung der Leiterplatten oben für eine einseitige Packung beschrieben worden ist, können ferner Leiterplatten für eine doppelseitige Packung auf die folgende Art und Weise hergestellt werden. Das Folgende ist eine Beschreibung eines Falles, in dem zum Beispiel die Glieder B(1) und B(2) verwendet werden, die während der Herstellung der Leiterplatte M1 erhalten wurden.
  • Zuerst werden, wie in der 48 gezeigt ist, die jeweiligen Oberflächen der Glieder B(1) und B(2) auf der Leiterschaltkreis-Seite einzeln an ihre entsprechenden Oberflächen des Isolierträgers 12 durch das Wärmedruckverfahren geklebt, wodurch die Glieder B(1) und B(2) und der Träger 12 vereint werden. Dann werden die leitfähigen Träger auf den entgegengesetzten Seiten der integrierten Struktur getrennt, und die dünnen Leiterschichten und die elektrolytisch abgeschiedenen Schichten werden aufeinander folgend durch Ätzung entfernt. Danach werden durchgehende Löcher (nicht gezeigt) in der die resultierenden Struktur ausgebildet, woraufhin eine Leiterplatte M5 für eine doppelseitige Packung erhalten wird, wie in der 49 gezeigt ist.
  • Ferner kann eine gewünschte Leiterplatte für eine doppelseitige Packung erhalten werden, indem der leitfähige Träger 6 von dem in der 39 gezeigten Glied getrennt und die dünne Leiterschicht 7 und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 durch Ätzung aufeinander folgend entfernt werden, nachdem ein weiterer Leiterschaltkreis auf dem Isolierträger 12 durch das herkömmliche Subtraktions- oder Additionsverfahren aufgebaut wurde.
  • Außerdem kann eine Leiterplatte für eine doppelseitige Packung erhalten werden, indem der vorbestimmte Leiterschaltkreis und die säulenförmigen Leiter auf der Oberfläche von zum Beispiel dem Glied B(1), das den Leiterschaltkreis 2b darauf mithilfe eines permanenten Photolacks trägt, aufeinander folgend gestapelt werden, ohne den in der 48 gezeigten Isolierträger 12 zu verwenden, und schließlich der vorbestimmte Leiterschaltkreis und die Lötauge-Schaltkreise ausgebildet werden.
  • Alternativ kann eine Leiterplatte für eine doppelseitige Packung auf die folgende Art und Weise hergestellt werden. Zuerst wird ein Film 13 mit einer Klebeschicht 13a auf einer Seite davon auf die Seite von zum Beispiel dem Glied B(2) geklebt, das den Leiterschaltkreis 2c darauf trägt, wie in der 50 gezeigt ist. Anschließend werden der Film 13 und die Klebeschicht 13a zum Beispiel einer Laser- oder maschinellen Verarbeitung unterworfen, um Loch-Muster für säulenförmige Leiter in dem Film auszubilden. Die Loch-Muster werden elektroplattiert, um die säulenförmigen Leiter auszubilden, und die gesamte resultierende Struktur wird einer stromlosen Abscheidung unterworfen. Nachdem ein vorbestimmtes Schaltkreis-Muster auf der Oberfläche der Struktur durch ein herkömmliches Verfahren ausgebildet wurde, zum Beispiel das Subtraktions- oder Additionsverfahren, wird ein leitfähiges Material durch Elektroplattierung elektrolytisch abgeschieden, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, der Träger 6 wird getrennt, und die dünne Leiterschicht 7 und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht 8 werden der Reihe nach entfernt. Daraufhin kann eine Leiterplatte M6 für eine doppelseitige Packung erhalten werden, bei der die Lötauge-Schaltkreise in dessen unterer Oberfläche 1b ausgebildet sind, wie in der 51 gezeigt ist.
  • Bei der Ausbildung des Leiterschaltkreises 2c des in der 37 gezeigten Glieds B(2) können außerdem säulenförmige Leiter an der Stelle des Schaltkreises 2c ausgebildet werden. In diesem Fall wird eine weiche wärmehärtende Harzfolie auf die säulenförmigen Leiter heiß aufgepresst, so dass die Leiter die Harzfolie durchdringen und auf den entgegengesetzten Seite herausragen. Wenn die säulenförmigen Leiter nicht zum Herausragen gemacht sind, dann wird die Oberfläche der Harzfolie durch Bearbeitung poliert, um die jeweiligen Oberflächen der säulenförmigen Leiter auszusetzen. Anschließend wird die gesamte resultierende Struktur einer stromlosen Abscheidung unterworfen, und ein vorbestimmtes Schaltkreis-Muster wird dann durch das zuvor genannte herkömmliche Verfahren ausgebildet. Die Leiterplatte M6 für eine doppelseitige Packung kann auf diese Art und Weise hergestellt werden.
  • Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung kann außerdem eine Leiterplatte M7 erhalten werden, in der ein Kühlkörper 14 in einer Position ausgebildet ist, die den Höckern 3 entspricht, mit denen die Halbleiterkomponente verbunden werden soll, und ein Muster eines Schutzleiter-Schaltkreises 15 wird in der Oberfläche 1a der Isolier-Basis 1 ausgesetzt, wie in der 52 gezeigt ist.
  • In den Schritten, die zum Beispiel in den 14 bis 16 gezeigt sind, kann der Kühlkörper 14 gleichzeitig mit den Lötauge-Schaltkreisen ausgebildet werden. Weil die Leiterschaltkreise und die säulenförmigen Leiter in den nachfolgenden Schritten ausgebildet werden, ist es notwendig, dass nur feste Säulen 16 eines leitfähigen Materials durch Elektroplattierung ausgebildet werden, wodurch ein Wärmeübertragungsweg 16 begrün det wird, so dass der Weg 16 auf der anderen Oberfläche 1b der Isolier-Basis 1 ausgesetzt wird. In diesem Fall werden die Höcker 3, der Kühlkörper 14 und die Lötauge-Schaltkreise in wenigstens zwei Zyklen der Elektroplattierung gleichzeitig ausgebildet, so dass der Kühlkörper 14 ebenfalls eine Mehrschicht-Struktur aus elektrisch leitfähigen Materialien ist.
  • In einer bevorzugten Anordnung, die in der 52 gezeigt ist, wird der feste Wärmeübertragungsweg 16 derart gebildet, dass er sich halbwegs erstreckt, ein Leiterfilm-Abschnitt 16c von etwa 100 μm Dicke wird danach ausgebildet, und ein Loch 16a, das zu dem Film-Abschnitt 16c führt, wird durch die andere Oberfläche 1b der Isolier-Basis 1 zum Beispiel durch maschinelle Bearbeitung gebohrt. Dann wird eine Abscheidung 16b durch Elektroplattierung des leitfähigen Materials bis zu einer Dicke von z. B. etwa 10 bis 30 μm auf der Wandoberfläche des Loches 16a ausgebildet. Hierdurch wird der Strahlungsbereich der gesamten Struktur erhöht, so dass ein hervorragender Wärmeabfuhr-Effekt erzielt werden kann.
  • In dem Fall von dieser Leiterplatte M7 kann die von der Halbleiterkomponente erzeugte Wärme, zum Beispiel wenn die Komponente mittels Plättchen-Bonden an die Höcker 3 geklebt wird, von der Oberfläche 1b der Platte M7 über den Kühlkörper 14, dem festen Wärmeübertragungsweg 16, dem Leiterfilm-Abschnitt 16c und der Abscheidung 16b abgeführt werden.
  • Der Schutzleiter-Schaltkreis 15 kann als ein vorbestimmtes Muster zu der gleichen Zeit mit den Lötauge-Schaltkreisen 4 in den Schritten gebildet werden, die in den 14 bis 16 gezeigt sind. In diesem Fall ist der Leitungsschaltkreis 15 ebenfalls eine Mehrschicht-Struktur aus elektrisch leitfähigen Materialien. Weil die Leiterschaltkreise und die säulenförmigen Leiter in den nachfolgenden Schritten ausgebildet werden, ist es notwendig, dass nur die Signal-Leiter 15a und die Signal-Schutzleiter 15b in einem vorbestimmten Muster zu der gleichen Zeit ausgebildet werden.
  • Somit wird eine Maßnahme ergriffen, um dem EMS durch die Bereitstellung des Schutzleiter-Schaltkreises 15 auf der Oberfläche der Leiterplatte M7 entgegenzuwirken. In dem Fall, in dem die Leiterplatte eine Multi-Chip-Höckerplatine ist, wie die in der 5 gezeigte, ragen die Höcker nur aus dessen Oberfläche auf der Seite der Komponenten-Packung heraus, so dass ein Signal-Leiter-Schaltkreis auf dem verbleibenden Oberflächen-Abschnitt nicht gebildet werden muss. Dementsprechend kann der Schutzleiter-Schaltkreis 15 über den gesamten verbleibenden Oberflächen-Abschnitt gebildet werden, wodurch eine Maßnahme bereitgestellt wird, um den elektromagnetischen Wellen in Verbindung mit den Signal-Leitern 15a und den Signal-Schutzleitern 15b entgegenzuwirken, die in der Isolier-Basis 1 eingebettet sind.
  • Gegenwärtig werden Multi-Chip-Höckerplatinen gegen elektromagnetische Wellen geschützt, indem gepackte Leiterplatten an Rahmen oder Gehäuse befestigt werden. Im Gegensatz dazu kann die Maßnahme gemäß der vorliegenden Erfindung die Anzahl von Zusammensetzungs-Prozessen verringern.
  • In den Leiterplatten der Erfindung, die auf diese Art und Weise angeordnet sind, werden die Höcker, die aus der Platten-Oberfläche herausragen, jeweils als eine Mehrschicht-Struktur ausgebildet, die in einer vorbestimmten Position in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht mit einer einheitlichen Dicke gebildet wird und eine mit der Dicke der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht gleiche Höhe besitzt. Deshalb unterliegt die Höhe der Höcker einer sehr engen Schwankung und die Zuverlässigkeit der Packung für die Verbindung zwischen den Höckern und der Halbleiterkomponente ist sehr hoch.
  • Außerdem können die Leiterplatten gemäß der vorliegenden Erfindung durch Kombination der Lichtaussetzung und der Entwicklungsprozesse, die bei der Herstellung der herkömmlichen Leiterplatten angewendet werden, und der stromlosen Abscheidung oder der Elektroplattierung hergestellt werden, ohne einen Bearbeitungs-Arbeitsablauf zu benötigen. Dementsprechend können die Leiterschaltkreise und die Leitungsstrukturen zwischen ihnen feiner gemacht werden, so dass die Halbleiterkomponente. über eine Packung hoher Dichte verfügen kann. Weil die Leiterschaltkreise mithilfe der säulenförmigen Leiter verbunden werden, ist insbesondere ihre Stromkapazität größer als die der herkömmlichen durchgehenden Loch-Struktur, so dass die Verteilungsdichte der Höcker gesteigert werden kann, und deshalb eine Packung der Halbleiterkomponente mit hoher Dichte verwirklicht werden kann. Weil die gepackte Komponente unmittelbar mit den Höckern in Kontakt sein kann, kann außerdem die Komponenten-Packung arbeitsparend sein. Weil die inneren Kontaktlöcher überhaupt nicht leer übriggelassen werden müssen, können außerdem ihre Durchmesser viel kleiner (z. B. 30 bis 50 μm) als in dem herkömmlichen Fall gemacht werden.
  • In jedem der zuvor genannten Fälle wird eine Elektroplattierung ausgeführt, wobei der leitfähige Träger 6 als die negative Elektrode verwendet wird, so dass sämtliche der kleinen Löcher zusammen mit dem leitfähigen Material aufgefüllt werden können, und eine viel höhere Produktivität als in dem Fall der Plattierung des durchgehenden Lochs kann gesichert werden.
  • Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß der vorliegenden Erfindung, der die zuvor genannten Leiterplatten verwendet, und das Herstellungsverfahren dafür werden nun im Detail unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Die 53 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel C1 des Kopfes gemäß der Erfindung zeigt, und die 54 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y1-Y1 der 53 genommen wurde.
  • In dem Fall von diesem Kopf C1, wird eine Apertur 18 ausgebildet, die einen vorbestimmten Abschnitt (mittlerer Abschnitt, wie dargestellt ist) eines scheibenförmigen Isolierträgers 17 von einer oberen Oberfläche 17a davon zu einer unteren Oberfläche 17b durchdringt. Eine obere Öffnung 18A, die eine geeignete Form besitzt (quadratisch, wie dargestellt ist), wird an dem Oberteil des Lochs 18 ausgebildet. Die Apertur 18 wird mit einem elastischen Glied 19 aufgefüllt, von dem eine obere Oberfläche 19a mit der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 bündig ist.
  • Wenn eine vorbestimmte Aufwärtskraft auf das elastische Glied 19 aufgebracht wird, dann wird deshalb das Glied 19 derart verformt, dass sich dessen obere Oberfläche 19a nach oben aufweitet. Wenn die Aufwärtskraft entfernt wird, dann wird die obere Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 in dessen ursprüngliche Position wiederhergestellt, in dem es mit der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 bündig ist.
  • Somit fungieren wenigstens die obere Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 als eine bewegliche Region E, die sich nach oben und nach unten bewegen kann.
  • Die Signal-Leiter 20, die eine gegebene Breite und Länge besitzen, und die Schutzleiter 20' sind an vorbestimmten Rasterabständen auf der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 angeordnet. Die Schutzleiter 20' dienen dazu, um die Erzeugung von Rauschen zu verringern, wenn eine hohe Frequenz an die Signal-Leiter 20 angelegt wird. Die Leiter 20 erstrecken sich um eine gegebene Länge aus der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 zu der oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19. Ein Höcker 21 mit einer gegebenen Höhe ragt aus einer oberen Kopf-Oberfläche 20b eines sich erstreckenden Abschnitts 20a von jedem Signal-Leiter 20 heraus.
  • In diesem Kopf C1, wie in der 54 gezeigt ist, ist jeder Signal-Leiter 20 derart angeordnet, dass der gesamte Körper davon mit Ausnahme von dessen oberer Oberfläche 20c in dem Isolierträger 17 und dem elastischen Glied 19 begraben wird, und nur die obere Oberfläche 20c wird ausgesetzt, um mit den jeweiligen oberen Oberflächen 17a und 19a des Trägers 17 und des Glieds 19 bündig zu sein. Ein End-Abschnitt 20d an dem anderen Ende von jedem Signal-Leiter 20 wird als ein Anschluss des Leiters 20 mit einem Anschluss eines Signal-Prozessors verbunden (nicht gezeigt).
  • Die jeweiligen sich erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20 sind parallel zu einander erstreckend um etwa 2 bis 3 mm auf der oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 angeordnet. Auf der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 sind die Signal-Leiter 20 im Wesentlichen radial angeordnet, damit sie sich nicht parallel zu einander erstrecken. Mit dieser Leitungs-Anordnung können Muster (Leitungen), die die Schutzleiter 20' bilden sollen, zwischen den Signal-Leitern 20 auf der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 bereitgestellt werden. Als eine Folge können die sich parallel erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter in der beweglichen Region E auf die Länge von etwa 2 bis 3 mm verkürzt werden. Wenn Eingangs- und Ausgangs-Signale für die Prüfung Hochfrequenz-Signale sind, dann sind deshalb Fehler in den resultierenden Prüfungs-Signalen viel kleiner als in dem Fall des herkömmlichen Kopfes, der die L-förmigen Nadeln verwendet, so dass der Kopf über bessere Hochfrequenz-Eigenschaften verfügen kann.
  • Wenn die obere Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19. dazu veranlasst wird, sich nach oben aufzuweiten, dann bewegen sich die jeweiligen erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20 auf der oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 und die Höcker 21 auf den jeweiligen oberen Kopf-Oberflächen 20b der Leiter 20 nach oben. Die Höcker 21 dienen als Verbindungsanschlüsse, die mit vorbestimmten Prüfungsstellen in Kontakt kommen, und können Erfassungs-Signale von den Stellen abrufen. Wenn die Aufwärtskraft auf das elastische Glied 19 entfernt wird, dann wird die obere Oberfläche des Glieds 19 in dessen ursprüngliche Position wiederhergestellt, woraufhin sich die Höcker nach unten bewegen und die Prüfungsstellen verlassen.
  • In dem Fall des Kopfes C1 verfügen die Höcker 21, die auf der oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 angeordnet sind, über einen hohen Freiheitsgrad, so dass sie sich unabhängig nach oben und nach unten bewegen können, ohne einander zu beeinträchtigen.
  • Wenn sich ein Höcker 21(2) nach oben und nach unten bewegt, wie zum Beispiel durch den Pfeil in der 55 angezeigt wird, dann wird der Einfluss von dessen Auf- und Abwärtsbewegung auf die Umgebung durch das elastische Glied 19 absorbiert und das Fortschreiten der Bewegung zu benachbarten Höckern 21(1) und 21(3) wird beträchtlich verhindert. Obwohl sich der Höcker 21(2) nach oben und nach unten bewegt, können sich deshalb die Höcker 21(1) und 21(3) ihn nicht einfach begleitend bewegen.
  • Das impliziert, dass sich die einzelnen Höcker frei, unabhängig nach oben und nach unten bewegen, Schwankungen der Prüfungsstellen hinsichtlich der Höhe absorbieren, falls welche vorhanden sind, und sich außerdem bewegen können, ohne irgendeinen negativen Einfluss auf die Funktionen ihrer benachbarten Höcker auszuüben, so dass die Leistungsfähigkeit des Kopfes verbessert wird.
  • Bei dem tatsächlichen Betrieb befindet sich der Kopf C1 in einer vorbestimmten Position auf einem Leitungsschaltkreis als ein Prüfungsobjekt. Während das elastische Glied 19 mithilfe von Hebe-Mitteln, die später erwähnt werden, elastisch nach oben gedrückt wird, um sich aufzuweiten, werden die Höcker 21 mit den Prüfungsstellen einzeln in Kontakt gebracht. Nachdem die Prüfung beendet ist, wird das elastische Glied 19 in dessen ursprünglichen Zustand zurückgebracht, woraufhin die Höcker 21 aus den Prüfungsstellen freigegeben werden.
  • Das Hebe-Mittel kann sich zuvor unter dem elastischen Glied 19 befinden, so dass die Aufwärtskraft auf das Glied 19 wirkt. In diesem Fall wird der Kopf hergestellt, wobei die Höcker 21 bei einer gegebenen Höhe oberhalb der oberen Öffnung 18A der Apertur 18 angehoben sind, so dass er unmittelbar in eine Mess-Vorrichtung bei der tatsächlichen Verwendung eingesetzt werden kann.
  • Eine verschlossene Luftkammer 22, die unter dem elastischen Glied 19 ausgebildet ist, wie in der 56 gezeigt ist, kann als das Hebe-Mittel verwendet werden. Spezifischer wird ein verschlossener Raum mit einem gegebenen Volumen in dem unteren Teil des Isolierträgers 17 sichergestellt. In diesem Fall kann komprimierte Luft unmittelbar in den Raum oder in einen Ballon gezwängt werden, der in den Raum eingesetzt ist.
  • Während die verschlossene Luftkammer 22 unter Druck gesetzt wird, wird das elastische Glied 19 verformt, um sich durch dessen eigene Elastizität nach oben aufzuweiten, so dass sich die erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20 und die Höcker 21 nach oben bewegen. Normalerweise sind die Höcker 21 derart ausgestaltet, dass sie in der Lage sind, sich um etwa 200 bis 300 μm nach oben zu bewegen. Wenn die Luftkammer 22 entspannt wird, dann wird das elastische Glied 19 mithilfe dessen eigener Elastizität in dessen ursprünglichen Zustand zurückgebracht, woraufhin die Höcker 21 aus den Prüfungsstellen freigegeben werden.
  • Die 57 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein weiteres Hebe-Mittel zeigt. In diesem Fall befindet sich der Kopf C1, der in der 53 gezeigt ist, oberhalb einer Apertur 23a einer Hauptplatine 23, wobei die Apertur 23a einen gegebenen Durchmesser besitzt. Das andere Ende von jedem Signal-Leiter 20 ist mit einem Anschluss eines Schaltkreises auf der Hauptplatine 23 verbunden.
  • Befestigt unterhalb der Apertur 23a befindet sich eine Hebe-Schablone 24, die eine große Anzahl von Hebe-Stiften 24a besitzt, die zusammen mit der unteren Oberfläche des elastischen Glieds 19 in Kontakt stehen. Die Stifte 24a bewirken, dass sich das Glied 19 nach oben um etwa 200 bis 300 μm aufweitet. Vorzugsweise sind die Hebe-Stifte 24a derart angeordnet, dass sie die Höcker gemeinsam nach oben schieben können, die an vorbestimmten Rasterabständen auf der oberen Oberfläche des elastischen Glieds 19 angeordnet sind.
  • Wenn das Hebe-Mittel betätigt wird, dann bewegt sich die obere Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 nach oben und nach unten, woraufhin die jeweiligen sich erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20, die unter der Oberfläche 19a begraben sind, sich senkrecht um die Grenze zwischen dem elastischen Glied 19 und dem Isolierträger 17 herum biegen, das heißt, um Punkte auf einem Randabschnitt 18a des Isolierträgers herum, die die vier Seiten der oberen Öffnung 18A der Apertur 18 bilden. Daraufhin werden die sich erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20, die in dem elastischen Glied 19 eingebettet sind, einer Kraft ausgesetzt, sodass sie von dem Glied 19 getrennt werden.
  • In dem Fall des Kopfes C1 ist jedoch der gesamte Körper von jedem Signal-Leiter 20 mit Ausnahme der oberen Oberfläche 20c in dem Isolierträger und in das elastische Glied eingebettet. Wenn jeder Leiter 20 zum Biegen gebracht wird, dann können deshalb die drei anderen Oberflächen von dessen sich erstreckendem Abschnitt 20a, die durch das elastische Glied 19 gesichert werden, erfolgreich von einer Trennung von dem Glied 19 zurückgehalten werden.
  • Bei der tatsächlichen Verwendung der Köpfe, die gemäß der vorliegenden Erfindung konstruiert wurden, einschließlich des Kopfes C1, ist es deshalb empfehlenswert, die Signal-Leiter 20 in den Isolierträger und in das elastische Glied einzubetten.
  • Ferner kann dieses Einbetten der Signal-Leiter 20 den folgenden Effekt hervorrufen.
  • Normalerweise befindet sich die Umgebungstemperatur für den Kopf C1 bei der tatsächlichen Verwendung in dem Bereich von 70 bis 80 °C. Bei dem Prozess der tatsächlichen Verwendung steigen deshalb die jeweiligen Temperaturen der Signal-Leiter 20 und der Kontaktpunkte zwischen den Höckern 21 und der Prüfungsstellen. Mit dem Voranschreiten dieser Temperaturerhöhung dehnen sich der Isolierträger, das elastische Glied, die Signal-Leiter und die Höcker thermisch auf spezifische Längen aus, die von ihren jeweiligen thermischen Expansionskoeffizienten abhängen. In manchen Fällen können deshalb zum Beispiel die Signal-Leiter von dem Isolierträger oder dem elastischen Glied getrennt werden.
  • In dem Fall des Kopfes C1 können jedoch ein Glas-Epoxidharzträger und ein Kautschukmaterial als der Isolierträger 17 beziehungsweise als das elastische Glied 19 verwendet werden. Weil der thermische Expansionskoeffizient des Glas-Epoxidharzträgers kleiner als der des Kautschukmaterials ist, wird in diesem Fall das Kautschukmaterial von einer thermischen Ausdehnung von dessen umgebenden Träger zurückgehalten. Somit wird ferner die thermische Ausdehnung der Signal-Leiter (die aus einem Metall mit dem größten thermischen Expansionskoeffizienten ausgebildet sind) in dem elastischen Glied in der Richtung des Rasterabstands zurückgehalten, so dass eine Veränderung der Genauigkeit des Rasterabstands durch Wärme verhindert werden kann.
  • Die 58 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein weiteres Beispiel C2 des Kopfes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In diesem Kopf C2 ist ein durchgehendes Loch 25 durch das andere Ende von jedem der Signal-Leiter 20 gebohrt, das in einen Isolierträger 17 und in ein elastisches Glied 19 eingebettet ist, um den Träger 17 in der Richtung von dessen Dicke zu durchdringen. Eine elektrische Leitfähigkeit wird der inneren Wand von jedem durchgehenden Loch 25 mithilfe eines herkömmlichen Verfahrens verlieren. Jeder Signal-Leiter 20 wird zu. einer unteren Oberfläche 17b des Isolierträgers 17 über dessen entsprechendes durchgehendes Loch 25 herausgeführt, und ein weiterer Höcker 21' wird ausgebildet, der aus dessen entsprechendem Anschluss-Lötauge herausragt. Eine große Anzahl von Höckern 21' kann durch das Blanklöten gleichzeitig ausgebildet werden, wenn Lötzinn als das Material der Höcker 21' ausgewählt wird.
  • Wie in der 59 gezeigt ist, wird der Kopf C2 unmittelbar auf der Hauptplatine 23 angebracht, die mit einer Apertur 23a ausgebildet ist, die einen gegebenen Durchmesser oder einen spezifizierten Anschluss (nicht gezeigt) einer Teilplatine besitzt. Ferner können vorbestimmte Ein- und Ausgangs-Signale den Signal-Leitern 20 und den Höckern 21' zugeführt werden, wobei der Kopf C2 an die Hauptplatine 23 mithilfe der Befestigungs-Vorrichtungen 26, wie z. B. Schrauben, befestigt ist.
  • Weil der Kopf C2 auf diese Art und Weise verwendet werden kann, kann er in dem Fall, dass eine Veränderung des Prüfungsmaschinentyps das Ersetzen des Kopfes erforderlich macht, von der Hauptplatine 23 entfernt und durch einen anderen ersetzt werden.
  • Die 60 ist eine Schnitt-Ansicht, die noch ein weiteres Beispiel C3 des Kopfes zeigt.
  • In dem Fall des Kopfes C3 ist eine Apertur 18, die entlang der Dicke eines Isolierträgers 17 ausgebildet ist, auf die gleiche Art und Weise mit einem Profil versehen, wie die des zuvor genannten Kopfes C1, mit Ausnahme einer stufenförmigen Struktur, so dass dessen obere Öffnung 18A dem Durchmesser nach kleiner als dessen untere Öffnung 18B ist.
  • Weil die Apertur 18 die oben beschriebene stufenförmigen Struktur besitzt, bildet die Oberseite des Isolierträgers 17 einen dünnwandigen Abschnitt 17c, der dünner als der verbleibende Abschnitt des Trägers 17 ist und gegen eine senkrechte elastische Verformung anfälliger als der andere Abschnitt ist.
  • Wenn die Apertur 18 mit einem elastischen Glied 19 aufgefüllt wird, dann bilden der dünnwandige Abschnitt 17c und das Glied 19 eine bewegliche Region E.
  • Wenn das elastische Glied 19 dazu veranlasst wird, sich nach oben aufzuweiten, dann können die sich erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20 und die Höcker 21 eine Hebekraft von sowohl einer oberen Oberfläche 19a des Glieds 19 als auch dem dünnwandigen Abschnitt 17c nach oben erhalten, der sich oberhalb eines stufenförmigen Abschnitts 18b befindet, so dass sich die Höcker 21 glatter nach oben und nach unten bewegen können als diejenigen des Kopfes C1.
  • Vorzugsweise wird der Kopf C3 mit einer verschlossenen Luftkammer, wie z. B. die in der 56 gezeigte, in dem unteren Teil von dessen elastischem Glied ausgebildet und auf die in den 61 bis 63 gezeigte Art und Weise konstruiert.
  • Die 61 ist eine perspektivische Ansicht des Kopfes C3, die 62 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht, die eine eingekreiste Region Y2 zeigt, und die 63 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y3-Y3 der 61 genommen wurde.
  • In dem Fall des Kopfes C3 besitzt die obere Öffnung 18A der Apertur 18 eine quadratisch ebene Form, und Schlitze 27, die eine gegebene Breite und Länge besitzen, sind einzeln in die vier Ecken der quadratischen Öffnung 18A geschnitten, wie in den 61 und 62 gezeigt ist. Jeder Schlitz 27 erstreckt sich in Richtung auf den peripheren Rand des Isolierträgers 17 und erreicht den Basis-Teil des dünnwandigen Abschnitts 17c.
  • Wie in der 63 gezeigt ist, besitzt die Apertur 18 des Kopfes C3 das stufenförmige Profil, wobei eines in der 60 gezeigt ist, und die obere Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19, das die Apertur 18 füllt, ist in dessen oberer Öffnung 18A ausgesetzt, um mit der oberen Oberfläche des Isolierträgers 17 bündig zu sein. Ein Hebe-Mittel, wie z. B. eine verschlossene Luftkammer 22, wird in dem unteren Teil der Apertur 18 bereitgestellt.
  • An einem Randabschnitt 18a der oberen Öffnung 18A befindet sich deshalb derjenige Teil des Isolierträgers 17, der eine in den 62 und 63 gezeigte Länge 11 besitzt, als der dünnwandige Abschnitt 17c auf dem stufenförmigen Abschnitt 18b, und dieser Teil ist als ein Zungen-Abschnitt des Trägers 17 ausgebildet. Die Signal-Leiter 20 auf dem Isolierträger 17 erstrecken sich entlang der oberen Oberfläche des Zungen-Abschnitts (dünnwandiger Abschnitt) 17c zu der oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 und die Höcker 21 ragen einzeln aus ihren jeweiligen Kopfenden heraus.
  • In dem Fall des Kopfes C3 ist der Zungen-Abschnitt 17c des Isolierträgers 17, der sich auf dem stufenförmigen Abschnitt 18b befindet, dünnwandig, so dass er sich elastisch nach oben und nach unten bewegen kann, und der Randabschnitt 18a der oberen Öffnung 18A kann eine bogenförmige Bewegung (angezeigt durch den Pfeil p in der 63) um einen Punkt oder Linie P herum (Basis-Teil des dünnwandigen Abschnitts) bei einem Abstand machen, der der Länge 11 von dem Randabschnitt 18a gleich ist. Somit wirkt der Zungen-Abschnitt 17c wie eine Blattfeder als ein Ganzes. Wenn die verschlossene Luftkammer 22 unter Druck gesetzt wird, damit das elastische Glied 19 dazu veranlasst wird, sich nach oben aufzuweiten, dann weitet sich ferner die obere Oberfläche 19a des Glieds 19 nach oben auf, so dass die jeweiligen sich erstreckenden Abschnitte 20a der Signal-Leiter 20 nach oben gedrückt werden. Zu der gleichen Zeit wird der Zungen-Abschnitt (dünnwandiger Abschnitt mit der Länge 11, der in den 62 und 63 gezeigt ist) 17c nach oben gedrückt, und die sich erstreckenden Abschnitte 20a der Leiter 20 werden ebenfalls entsprechend nach oben gedrückt.
  • Somit wird die Auf- und Abwärtsbewegung der Höcker 21 nicht nur durch die Aufweitung und Wiederherstellung der oberen Oberfläche 19a dessen elastischen Glieds 19, sondern auch durch die Aufwärtsbiegung des Zungen-Abschnitts (dünnwandiger Abschnitt) 17c des Isolierträgers 17 reguliert. Dementsprechend ist der Justierungseffekt für die Auf- und Abwärtsbewegung der Höcker 21 größer als in dem Fall ohne den Zungen-Abschnitt 17c. Sogar wenn die Höcker 21 zum Beispiel einer Schwankung hinsichtlich der Höhe unterworfen sind, können sämtliche von ihnen zuverlässig mit den Prüfungsstellen in Kontakt gebracht werden, indem die Länge 11 und die Dicke des Zungen-Abschnitts 17c geeignet ausgewählt werden und der Biegungswinkel des Abschnitts 17c eingestellt wird.
  • Weil der Zungen-Abschnitt 17c als ein Ganzes dünnwandig ist, ist er außerdem sehr empfänglich für eine Biegung, so dass er eine unabhängige Auf- und Abwärtsbewegung in jedem beliebigen Punkt Q in der seitlichen Richtung des Randabschnitts 18a, wie in der 62 gezeigt ist, sowie die zuvor genannte bogenförmige Bewegung p machen kann.
  • Dementsprechend, wenn die Prüfungsstellen zum Beispiel wesentlichen Eindrücken unterworfen sind, dann können die vier Zungen-Abschnitte 17c unabhängig eine elastische Verformung sowohl in der seitlichen Richtung als auch in der senkrechten Richtung in Abhängigkeit von dem Zustand der Eindrücke eingehen, so dass sämtliche der Höcker 21 zuverlässig mit den Prüfungsstellen in Kontakt gebracht werden können. Wenn die Prüfungsstellen verhältnismäßig kleinen Eindrücken unterworfen sind, dann können die Höcker 21 zufriedenstellend mit den Prüfungsstellen in Kontakt gebracht werden, indem ausschließlich das elastische Glied 19 nach oben und nach unten bewegt wird.
  • In dem Fall des Kopfes C3 können außerdem nur die Prüfungsstellen nach oben und nach unten bewegt werden, wobei die verschlossene Luftkammer 22 unter Druck gesetzt ist, so dass sich das elastische Glied 19 und die Zungen-Abschnitte 17c nach oben aufweiten, um mit den Prüfungsstellen im Voraus in einem Kontakt gehalten zu werden.
  • In dem Fall des auf diese Art und Weise konstruierten Kopfes C3 kann außerdem der Kontaktwiderstand zwischen den Höckern 21 und den Prüfungsstellen stabilisiert werden, wenn die Höcker 21 tatsächlich in Kontakt mit den Prüfungsstellen verwendet werden.
  • Man nehme zum Beispiel an, dass das elastische Glied 19 dazu veranlasst wird, sich nach oben aufzuweiten, so dass dessen obere Oberfläche 19a um eine Höhe h nach oben bewegt wird, wie durch die gestrichelte Linie in der 64 angezeigt ist.
  • Daraufhin macht jeder Zungen-Abschnitt 17c mit der Länge 11 die bogenförmige Bewegung in die Richtung p um den Punkt P herum, wodurch er sich nach oben biegt, so dass sich die Höcker 21 ebenfalls um die Höhe h nach oben bewegen. Nachdem das vollendet ist, machen die Höcker 21 ebenfalls die bogenförmige Bewegung in die Errichtung p, so dass die waagerechte Position von jedem Höcker 21 um eine Entfernung d von dessen ursprünglicher Position abweicht, wie durch die gestrichelte Linie angezeigt ist.
  • Mit anderen Worten bewegt sich jeder Höcker 21 waagerecht um die Entfernung d, während er sich um die Höhe h nach oben bewegt.
  • Wenn die Höcker 21 einzeln mit den Prüfungsstellen in Kontakt sind, dann kratzen sie deshalb die Prüfungsstellen unter Druck, während sie sich um die Entfernung d bewegen.
  • Dementsprechend kann ein elektrischer Kontakt zwischen den Prüfungsstellen und den Höckern 21 sichergestellt werden. Wenn widerstanderhöhende Elemente in den Prüfungsstellen vorhanden sind, wie z. B. Staub, Oxid-Filme, usw., dann ermöglicht deshalb der Kratz-Effekt die Höcker 21 dazu, diese Elemente zu entfernen und mit den Prüfungsstellen in Kontakt zu kommen. Somit wird der Kontaktwiderstand stabilisiert.
  • Die 65 ist eine Schnitt-Ansicht, die ein weiteres Beispiel C4 des Kopfes zeigt.
  • Die vorangegangenen Köpfe C1 bis C3 sind auf einer Annahme vorausgesetzt, dass der Isolierträger 17 und das elastische Glied 19 aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet sind. In dem Fall des in der 65 gezeigten Kopfes C4 sind jedoch ein Isolierträger und ein elastisches Glied aus dem gleichen Material ausgebildet.
  • Spezifischer bildet eine elastisches Glied 19 eine gesamte Struktur, in der die Signal-Leiter 20 angeordnet sind. Die Leiter 20 werden unter einer oberen Oberfläche 19a des elastischen Glieds 19 begraben, und ein Höcker 21 ragt aus einer oberen Kopfoberfläche 20b von jedem Leiter 20 heraus.
  • Dieser Kopf C4 ist, im Gegensatz zu den vorangegangenen Köpfen C1 bis C3, ohne jegliche Apertur ausgebildet. Die jeweiligen Kopfenden der Signal-Leiter 20 sind in einem ebenen Muster angeordnet, wie z. B. das in der 53 gezeigte. Die Leitungsfläche für die Signal-Leiter 20, oder wenigstens ihre jeweiligen Kopfenden, bildet eine bewegliche Region E, in der sich die Höcker 21 nach oben und nach unten bewegen können.
  • Wenn in dem Fall des Kopfes C4 das elastische Glied 19 aus einer dünnen Folien ausgebildet ist, dann ist die gesamte Struktur elastisch genug, um frei gebogen werden zu können. Dementsprechend kann eine untere Oberfläche 19b des elastischen Glieds 19 auf ein Basis-Glied mit einer vorbestimmten Form aufgeklebt werden, so dass Kontaktköpfe in verschiedenen Formen mit verbesserter Designfreiheit hergestellt werden können.
  • Wie in der 66 gezeigt ist, kann zum Beispiel ein Kontaktkopf erhalten werden, indem die Höcker 21' einzeln auf den jeweiligen anderen Enden der Signal-Leiter 20 ausgebildet werden und die untere Oberfläche 19b der elastischen Folie des Kopfes C4 auf ein starres Glied 28 mit zum Beispiel einer trapezoiden Oberfläche aufgeklebt wird.
  • Ferner kann ein Kontaktkopf C5 mit der in der 67 gezeigten Konstruktion durch die Verwendung des in der 65 gezeigten Kopfes C4 hergestellt werden.
  • Zuerst wird der in der 65 gezeigte Kopf C4 hergestellt, indem eine dünne Folie für das elastische Glied 19 verwendet wird, und eine Apertur wird an einer Stelle ausgebildet, um die bewegliche Region E zu bestimmen, in der die Höcker 21 nach oben und nach unten bewegt werden.
  • Andererseits wird ein starrer Isolierträger 29 vorbereitet, in dem eine stufenförmige Apertur 29a an einer Stelle ausgebildet ist, die der zuvor genannten Öffnung des elastischen Glieds 19 entspricht und eine Gesamtgröße besitzt, die kleiner als die der Folie des elastischen Glieds 19 ist. Die untere Oberfläche 19b der Folie des elastischen Glieds 19 wird auf eine Oberfläche 29b des Isolierträgers 29 aufgeklebt, so dass die zwei Glieder vereint werden, der resultierende hohle Abschnitt 29a wird mit einem weiteren elastischen Glied 19A aufgefüllt und eine verschlossene Luftkammer 22 wird unter dem Glied 19A bereitgestellt, woraufhin der Kopf C5 vollendet ist.
  • Somit ragt in dem Fall des Kopfes C5 das elastische Glied 19 mit einer hohen Elastizität, in dem die Signal-Leiter 20 eingebettet sind, aus der Folie des Isolierträgers 29 heraus, und die mit dem zweiten elastischen Glied 19A gefüllte Stelle bildet die bewegliche Region E, in der sich die Höcker 21 nach oben und nach unten bewegen können.
  • Der Kopf C5 kann tatsächlich auf die in der 68 gezeigte Art und Weise verwendet werden.
  • Ein weiterer Höcker 21' wird auf dem anderen Ende von jedem Signal-Leiter 20 ausgebildet und ein Basis-Glied 28 wird mechanisch an den peripheren Rand einer hinteren Oberfläche 29c des Isolierträgers 29 mithilfe von zum Beispiel Schrauben befestigt. Anschließend wird der herausragende Abschnitt der Folie des elastischen Glieds 19 gebogen, die hintere Oberfläche 19b des Glieds 19 wird aufgesetzt und an ein weiteres Basis-Glied 28a durch mechanische Mittel, wie zum Beispiel Schrauben, befestigt und die Höcker 21 werden mit einer Hauptplatine (ist nicht gezeigt) verbunden.
  • Ein Bandeneffekt kann erzielt werden, wenn einer der beiden Basis-Glieder 28 und 28a aus einem weichen Material ausgebildet wird.
  • Mit dem auf diese Art und Weise verwendeten Kopf C5 muss das elastische Glied 19 nicht mit irgendwelchen durchgehenden Löchern zum Verbinden der Höcker 21 und 21' ausgebildet werden. In dem Fall einer aufgrund einer Veränderung des Prüfungsmaschinentyps erforderlichen Kopfersetzung können außerdem die Basis-Glieder 28 und 28a einfach auseinandergebaut werden, um die Ersetzung zu erleichtern.
  • Die 69 ist eine perspektivische Ansicht, die einen weiteren Kopf C6 gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, und die 70 ist eine Schnitt-Ansicht, die entlang der Linie Y4-Y4 der 69 genommen wurde.
  • Der Kopf C6 wird auf die gleiche Art und Weise wie der in den 60 bis 63 gezeigte Kopf C3 konstruiert, mit der Ausnahme, dass dessen Apertur 18 nicht mit irgendeinem elastischen Glied aufgefüllt wird.
  • Spezifischer wird die stufenförmige Apertur 18 entlang der Dicke eines Isolierträgers 17 ausgebildet. Eine obere Öffnung 18A der Apertur 18 besitzt eine quadratisch ebene Form, und Schlitze 27 sind einzeln in die vier Ecken der quadratischen Öffnung 18A geschnitten. Wie in dem Fall des Kopfes C3, bildet somit die Oberseite des Isolierträgers 17 einen dünnwandigen Abschnitt (Zungen-Abschnitt) 17c.
  • Die Signal-Leiter 20 sind sich nahe dem peripheren Rand des dünnwandigen Abschnitts 17c erstreckend angeordnet und ein Höcker 21 ragt aus einer oberen Kopfoberfläche 20b von jedem Leiter 20 heraus.
  • In dem Kopf C6 bildet somit der elastische dünnwandige Abschnitt 17c selbst eine bewegliche Region E, in der sich die Höcker 21 nach oben und nach unten bewegen können.
  • Der dünnwandige Abschnitt 17c und deshalb die Höcker 21 können nach oben und nach unten bewegt werden, indem die Dicke und die Erstreckungslänge (Länge der Schlitze 27) des Abschnitts 17c passend eingestellt werden und indem zum Beispiel ein Ballon aufgeblasen und abgelassen wird, der in die Apertur (hohl) 18 eingesetzt ist.
  • In dem oben beschriebenen Kopf C1 bis C6 besitzen wenigstens die Höcker 21 in der beweglichen Region E, ähnlich den Höckern 3 der zuvor genannten Leiterplatten M1 bis M6, eine Mehrschicht-Struktur, von dem ein äußerer Schicht-Abschnitt aus einem korrosionsbeständigen ersten leitfähigen Material gebildet ist.
  • Das Folgende ist eine Beschreibung von Herstellungsverfahren für höckerähnliche Kontaktköpfe gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Ein erstes Herstellungsverfahren wird nun mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Eine leitfähigen Folie 30A aus zum Beispiel Phosphorbronze mit einer Dicke von etwa 100 bis 150 μm wird vorbereitet und ein herkömmlicher Trockenfilm auf die Folie aufgeklebt oder ein flüssiger Photolack darauf aufgebracht, woraufhin eine erste Schutzschicht 31A mit einer gegebenen Dicke ausgebildet wird, die eine Oberfläche 30a der Folie vollständig bedeckt, wie in der 71 gezeigt ist.
  • Anschließend wird die Schutzschicht 31A optisch ausgesetzt und entwickelt, so dass die Aperturen 31a mit vorbestimmten Formen in denjenigen Abschnitten der Schutzschicht 31A ausgebildet werden, die einzeln den Stellen für die Bildung der Höcker entsprechen, und die Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A wird durch die Aperturen 31a ausgesetzt, wie in der 72 gezeigt ist. Anschließend wird die Schutzschicht 31A entfernt, nachdem ausschließlich diejenigen Abschnitte der Oberfläche 30a auf eine gegebene Tiefe geätzt wurden, die durch die Aperturen 31a ausgesetzt sind.
  • Daraufhin werden die Aussparungen für Höcker 21a mit einer gegebenen Tiefe in denjenigen Abschnitten der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A ausgebildet, in denen Höckern gebildet werden sollen, wie in der 73 gezeigt ist.
  • Dann wird eine Schutzschicht 31B mit einer gegebenen Dicke ausgebildet, indem der herkömmliche Trockenfilm auf die gesamte Oberfläche 30a aufgeklebt wird oder indem der flüssige Photolack darauf aufgebracht wird, und wird dann optisch ausgesetzt und entwickelt. Danach werden diejenigen Abschnitte der Schutzschicht 31B entfernt, die den jeweiligen Mustern der zu bildenden Signal-Leiter entsprechen, so dass Kerben-Muster (ebene Muster) 31b ausgebildet werden, die ausreichend tief sind, um die Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A zu erreichen, um die Folien-Oberfläche 30a auszusetzen, wie in der 74 gezeigt ist. Somit werden die Aussparungen für Höcker 21a einzeln an den jeweiligen Kopfenden der resultierenden Kerben-Muster 31b ausgesetzt. Die Dicke der Schutzschicht 31B wird derart eingestellt, dass sie im Wesentlichen mit der von jedem zu bildenden Signal-Leiter gleich ist.
  • Jedes Kerben-Muster 31b wird breiter als jede darunter liegende Höcker-Aussparung 21a gemacht. Somit besitzt ein hohler Abschnitt, der von jeder Höcker-Aussparung 21a und dessen entsprechendem Kerben-Muster 31b bestimmt wird, eine stufenförmige Struktur, und die Basis der stufenförmigen Struktur oder ein Teil der leitfähigen Folie 30A wird in dem Kerben-Muster 31b ausgesetzt.
  • Anschließend wird die gesamte resultierende Struktur in ein spezifiziertes galvanisches Bad eingetaucht und elektroplattiert, wobei die leitfähigen Folie 30A als eine negative Elektrode verwendet wird.
  • Diese Elektroplattierung wird wenigstens zweimal in verschiedenen galvanischen Bädern ausgeführt. In einem ersten Zyklus der Elektroplattierung wird ein korrosionsbeständiges erstes leitfähiges Material elektrolytisch abgeschieden, wie z. B. Gold, Nickel, oder eine Nickel-Kobalt-Legierung, das von keinem in einem Ätzungsprozess verwendeten Ätzmittel korrodiert werden kann, der später erwähnt wird. In diesem ersten Zyklus der Elektroplattierung wird das erste leitfähige Material in einer Schicht auf der ausgesetzten Oberfläche der leitfähigen Folie 30A und in den hohlen Abschnitten elektroplattiert, die durch die Aussparungen für Höcker 21a und durch die Kerben-Muster 31b bestimmt werden.
  • Ein weiterer Zyklus der Elektroplattierung wird im Anschluss an den ersten Zyklus der Elektroplattierung ausgeführt, woraufhin ein weiteres leitfähiges Material auf der dünnen Schicht des ersten leitfähigen Materials elektrolytisch abgeschiedenen wird, um mit der Schutzschicht 31B bündig zu sein. Dieses elektrolytisch abgeschiedene leitfähige Material kann ein beliebiges Material sein, das über eine hohe elektrische Leitfähigkeit verfügt. Kupfer und Aluminium sind bevorzugte Beispiele für dieses Material.
  • In diesem Prozess der Elektroplattierung wird das erste leitfähige Material zuerst in einer Schicht in den Aussparungen für Höcker 21a und in den hohlen Abschnitten abgeschiedenen, die durch die Aussparungen 21a und durch die Kerben-Muster 31b bestimmt werden, und das zweite leitfähige Material wird dann auf der dünnen Schicht des ersten Materials abgeschieden. Als eine Folge werden die hohlen Abschnitte mit diesen leitfähigen Materialien aufgefüllt.
  • Am Ende des Elektroplattierungs-Prozesses werden deshalb die Höcker 21 auf eine solche Art und Weise ausgebildet, dass jede Höcker-Aussparung mit einer Zweischicht-Struktur aufgefüllt wird, die aus einer dünnen Schicht 21b zusammengesetzt ist, die die ausgesetzte Oberfläche der leitfähigen Folie 30A und eine darauf ausgebildete dünne Schicht 21c bedeckt, wie in der 75 gezeigt ist. Ferner wird jedes Kerben-Muster mit einer Zweischicht-Struktur ausgebildet, die aus einer dünnen Schicht, die auf der ausgesetzten Oberfläche der leitfähigen Folie 30A elektrolytisch abgeschieden wurde, und einem weiteren darauf abgeschiedenen leitfähigen Material zusammengesetzt ist.
  • Dann wird die Schutzschicht 31B entfernt.
  • Daraufhin werden die Signal-Leiter 20 mit einem vorbestimmten Muster und die Höcker 21 auf der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A auf eine solche Art und Weise ausgebildet, dass die Leiter 20 über die Oberfläche 30a herausragen und dass die Höcker 21 in der Folie 30A begraben werden, um mit den jeweiligen Kopfenden der Leiter integral zu sein, wie in der 76 gezeigt ist.
  • Anschließend werden eine obere Oberfläche 17a eines Isolierträgers 17 und die Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A, die die Muster für die Signal-Leiter 20 darauf aufweist, durch Kleben durch das Wärmedruckverfahren vereint, wie in der 77 gezeigt ist. Der Isolierträger 17 wird mit einer Apertur 18 ausgebildet, die ihn von der oberen Oberfläche 17a davon zu dessen unterer Oberfläche 17b durchdringt. Die Apertur 18 besitzt beim Betrachten von oben ein stufenförmiges Profil und eine quadratisch ebene Form und ist in dessen vier Ecken eingeschlitzt. Somit ist der Kopfenden-Abschnitt des Musters von jedem Signal-Leiter 20, auf dem der Höcker 21 ausgebildet ist, entsprechend einer oberen Öffnung 18A der Apertur 18 angebracht, der verbleibende Abschnitt des Musters ist in dem Isolierträger 17 begraben und die Apertur 18 selbst ist als ein hohler Abschnitt übrig gelassen.
  • Vorzugsweise sollte der in dieser Anordnung verwendete Isolierträger 17 aus einem Material gebildet sein, wie z. B. eine Verbundfolie, die bei Normaltemperatur mittelhart ist und sich beim Erwärmen erweicht. Der Grund dafür ist, dass, weil das Muster von jedem Signal-Leiter 20 aus der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A herausragend ausgebildet ist, es in der oberen Oberfläche 17a des Kunststoff-Isolierträgers 17 begraben werden kann, wenn der Träger 17 daran kontaktgeklebt wird, und der Träger 17 danach wärmegehärtet und befestigt wird.
  • Sogar in dem Fall, in dem der Isolierträger 17 aus einem starren Material gebildet ist, kann jedoch eine Schicht 17A aus zum Beispiel einem ungehärteten Epoxidharz auf der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A ausgebildet werden, so dass die Muster der Signal-Leiter 20 in der Oberfläche 30a begraben werden, wie zum Beispiel in der 78 gezeigt ist, und der starre Isolierträger 17, der die Apertur 18 mit der oberen Öffnung 18A in einer vorbestimmten Form besitzt, kann für die Vereinigung an die Schicht 17A durch das Wärmedruckverfahren geklebt werden.
  • Unmittelbar nach dem Kleben durch das Wärmedruckverfahren ist in diesem Fall die Schicht 17A ungehärtet und weich, so dass die Muster der Signal-Leiter 20 darin begraben werden können. Zu der gleichen Zeit wird die Schicht 17A mit der oberen Oberfläche 17a des Isolierträgers 17 verbunden. Nachdem die Schicht 17A wärmegehärtet wurde, werden die Muster der Signal-Leiter 20 mit dem Träger 17 auf eine solche Art und Weise integriert, dass sie in der wärmegehärteten Schicht 17A begraben werden.
  • Der in diesem Prozess verwendete Isolierträger kann ein beliebiger elektrisch isolierender Träger sein, wie z. B. ein Glas-Epoxidharz-Träger, eine elastische bedruckte Platte, ein Harzträger oder eine Folie, die aus einem Epoxidharz, Polyimid, Polyester, Urethanharz oder einem Phenolharz gebildet ist, eine keramische Folie, usw. In Anbetracht der Erfordernis, dass die Muster der Signal-Leiter 20 auf der leitfähigen Folie 30A nach dem Kleben durch das Wärmedruckverfahren begraben werden sollen, wie zuvor erwähnt wurde, sollte der Isolierträger vorzugsweise aus einer Verbundfolie eines Weichglas-Epoxidharzes gebildet werden.
  • Ferner kann der Isolierträger mit einer geeigneten Dicke ausgebildet werden, indem zum Beispiel eine Vielzahl von Verbundfolien in Schichten gestapelt wird.
  • Nachdem die Vereinigung der leitfähigen Folie 30A und des Isolierträgers 17 beendet ist, wird ein hohler Abschnitt 18C durch die leitfähige Folie 30A bestimmt und die Apertur 18 des Isolierträgers 17 wird mit einem elastischen Glied 19 aufgefüllt.
  • Wie z. B. in der 79 gezeigt ist, kann das elastische Glied 19 an der unteren Oberfläche 17b des Isolierträgers 17 bereitgestellt werden, so dass es zum Beispiel mithilfe einer Aufpressrolle 32, die sich in die Richtung des Pfeils q bewegt, in den hohlen Abschnitt 18C gefüllt und ausgehärtet werden kann. Alternativ kann, wie in der 80 gezeigt ist, der Boden des hohlen Abschnitts 18C verschlossen werden. In diesem Fall wird eine Vakuum-Vorrichtung 33a mit dem hohlen Abschnitt 18C verbunden, wodurch der verschlossene Raum in dem hohlen Abschnitt evakuiert wird und ein Behälter 33b zum Aufbewahren des elastischen Glieds 19 wird mit dem verschlossenen Raum verbunden. In dieser Anordnung kann das aufbewahrte elastische Glied 19 ausgehärtet werden, nachdem es bei einem Druckunterschied in den verschlossenen Raum eingespritzt wurde.
  • Durch die Ausführung dieses Prozesses wird der hohle Abschnitt 18C mit dem elastischen Glied 19 auf eine solche Art und Weise aufgefüllt, dass sich die obere Oberfläche 19a des Glieds 19 mit der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A und der unteren Oberfläche des dünnwandigen Abschnitts (Zungen-Abschnitt) 17c des Isolierträgers 17 an dem stufenförmigen Abschnitt 18b in Kontakt befindet und dass die jeweiligen Kopfenden der Signal-Leiter 20 und die Höcker 21 in dem Glied 19 in der oberen Öffnung 18A der Apertur 18 begraben werden, wie in der 81 gezeigt ist.
  • Bei der Ausbildung einer verschlossene Luftkammer 22 unter dem elastischen Glied 19, wie in der 63 gezeigt ist, ist es nur notwendig, dass ein weiterer Isolierträger 17B mit einer Apertur 22A, die ausreichend groß ist, um das elastische Glied 19 in dem hohlen Abschnitt 18C unterzubringen, an die untere Oberfläche des Isolierträgers 17 angebracht oder durch das Wärmedruckverfahren geklebt wird, wie in der 82 gezeigt ist.
  • Vorzugsweise sollte das in diesem Fall verwendete elastische Glied aus einem Material gebildet sein, das eine geeignete Elastizität bewahren kann, nachdem es in den hohlen Abschnitt gefüllt und ausgehärtet wurde, wie z. B. Fluorkautschuk, Silikonkautschuk, Acrylkautschuk, Ethylenpropylenkautschuk, Ethylenvinylacetatkautschuk, Chloroprenkautschuk, Nitrilkautschuk, Styrolbutadienkautschuk, Naturkautschuk usw. Ferner können für diesen Zweck Flüssigkautschuke verwendet werden, wie z. B. flüssiges Polybutadien (Polyöl), flüssiges Silikon, usw., oder thermoplastische Elastomere, wie z. B. Polystyrol, Polybutadien, usw.
  • Gemäß dem oberen beschriebenen Verfahren zum Einbetten der Signal-Leiter in das elastische Glied werden die leitfähige Folie 30A und der Isolierträger 17 durch das Wärmedruckverfahren zusammengeklebt und der resultierende hohle Abschnitt 18C wird mit dem elastischen Glied aufgefüllt. Alternativ kann jedoch ein vorbestimmter Abschnitt einer leitfähigen Folie 30A, wie der in der 76 gezeigte, der die jeweiligen Kopfenden-Abschnitte der Signal-Leiter 20 einschließt, aus einem elastischen Glied gegossen, weiterhin ausgehärtet und aus der Gussform freigegeben werden. Danach wird in diesem Fall der Isolierträger 17 an die resultierende Struktur durch das Wärmedruckverfahren für die Vereinigung geklebt, wie in der 77 gezeigt ist.
  • Schließlich wird das elastische Glied 19 in dem hohlen Abschnitt 18C ausgehärtet und die gesamte resultierende Struktur wird in ein spezifiziertes Ätzmittel eingetaucht, woraufhin die leitfähige Folie 30A durch Ätzung entfernt wird.
  • Somit wird, wie in der 83 gezeigt ist, ein Kopf erhalten, so dass jeder Signal-Leiter 20 übertragen wird, um unter den jeweiligen oberen Oberflächen 17a und 19a des Isolierträgers 17 und des elastischen Glieds 19 begraben zu werden, wobei ausschließlich dessen obere Oberfläche ausgesetzt ist, und dass die Höcker 21 einzeln aus den jeweiligen Kopfenden der Leiter 20 nach oben herausragen. Der beabsichtigte Kopf kann durch Beschichtung der ausgesetzten oberen Oberfläche des Musters von jedem Signal-Leiter mit z. B. Gold durch Elektroplattierung oder stromlose Abscheidung erhalten werden.
  • Ein äußerer Schicht-Abschnitt 21b von jedem Höcker 21 wird aus einem leitfähigen Material ausgebildet, das von einem verwendeten Ätzmittel nicht korrodiert werden kann, so dass er als eine Barriere-Schicht gegen das Ätzmittel dienen kann. Somit besteht keine Möglichkeit dafür, dass die Höcker 21 in dem Ätzungsprozess angeätzt werden.
  • Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren wird die in der 71 gezeigte leitfähige Folie 30A mit den Mustern für die Aussparungen für Höcker und den Signal-Leitern ausgebildet.
  • Jedoch können die höckerförmigen Kontaktköpfe gemäß der vorliegenden Erfindung ferner durch das zuvor beschriebene Herstellungsverfahren für die Leiterplatte M2 hergestellt werden.
  • Spezifischer werden, wie in den 42 bis 45 gezeigt ist, die Aussparungen für Höcker 3A in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 in dem Schritt A für die Leiterplatte M2 ausgebildet, das ebene Muster (Kerben-Muster) 2A für die Signal-Leiter wird in der Schutzschicht a2 unter der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht 8 ausgebildet, und die resultierende Struktur wird wenigstens zweimal elektroplattiert. Daraufhin werden die Höcker 3 einer Mehrschicht-Struktur einzeln in den Aussparungen für Höcker ausgebildet, und zu der gleichen Zeit wird das Kerben-Muster ausgebildet, wobei der Leiterschaltkreis 2a aus einer Mehrschicht-Struktur besteht.
  • Nach dem das resultierende Glied mit dem Isolierträger integriert wurde, wie in der 77 gezeigt ist, wird der hohle Abschnitt, der durch die Apertur des Isolierträgers bestimmt wird, mit dem elastischen Glied aufgefüllt. Anschließend ist es nur notwendig, dass der leitfähige Träger entfernt wird und dass die dünne leitfähige Schicht und die elektrolytisch abgeschiedene Schicht darunter durch Ätzung erfolgreich entfernt werden.
  • Ferner kann der in der 65 gezeigte Kopf C4 durch die Verwendung einer elastischen Folie für den Isolierträger 17 in dem Prozess zur Vereinigung hergestellt werden, das in der 77 gezeigt ist.
  • Bei der Herstellung des in der 69 gezeigten Kopfes C6 ist es außerdem nur erforderlich, dass sich die auf der Oberfläche 30a der leitfähigen Folie 30A ausgebildeten Signal-Leiter 20 auf der oberen Oberfläche des dünnwandigen Abschnitts (Zungen-Abschnitt) 17c des Isolierträgers 17 befinden, während der in der 77 gezeigte Vereinigungsprozess durchgeführt wird, und dass die Apertur 18 des Trägers 17 mit dem elastischen Glied nicht aufgefüllt ist.
  • In den höckerförmigen Kontaktköpfen gemäß der Erfindung, wie aus der obigen Beschreibung zu sehen ist, sind die Signal-Leiter sich zu der beweglichen Region erstreckend angeordnet, die mit dem Isolierträger bündig ist, und die Höcker sind einzeln auf den jeweiligen Kopfenden der Leiter ausgebildet. Dementsprechend können die Höcker mit den Prüfungsstellen in Kontakt gebracht werden oder von ihnen gelöst werden, indem die obere Oberfläche der beweglichen Region nach oben gedrückt oder freigegeben wird.
  • In jedem der Köpfe gemäß der Erfindung ist ausschließlich die obere Oberfläche von jedem Signal-Leiter ausgesetzt und die anderen Abschnitte sind in dem Isolierträger und dem elastischen Glied (bewegliche Region) begraben. Somit weisen diese Köpfe einen starken Widerstand gegen Trennungskräfte auf die Signal-Leiter auf, die erzeugt werden, während sich die Höcker während der Prüfung nach oben und nach unten bewegen, arbeiten mit einer hohen Zuverlässigkeit und verfügen über ein langes Arbeitsleben.
  • In dem Fall des Kopfes C3 sind diejenigen Abschnitte des Isolierträgers, die sich nahe der oberen Öffnung der Apertur befinden, in der Form von dünnwandigen unabhängigen Zungen, die durch Schlitze unterteilt sind, und diese Zungen-Abschnitte können unabhängig als Blattfedern mit einem hohen Freiheitsgrad wirken. Somit wird die Justierfunktion für die Auf- und Abwärtsbewegung der Höcker verbessert.
  • Ferner enthalten die Köpfe gemäß der vorliegenden Erfindung die Mittel zum Aufwärtsdrücken des elastischen Glieds und besitzen eine einfache Konstruktion als ein Ganzes und erfordern niemals irgendwelche komplizierten Mechanismen, die in den herkömmlichen Köpfen verwendet werden.
  • In dem Fall der Köpfe gemäß der Erfindung ermöglicht außerdem das elastische Glied, dass sich die Höcker auf dessen oberer Oberfläche unabhängig voneinander nach oben und nach unten bewegen.
  • Außerdem können die Köpfe gemäß der Erfindung derart gestaltet werden, dass die Signal-Leiter auf die entgegengesetzte Oberflächenseite durch die durchgehenden Löcher einzeln herausgeführt werden und ihre entsprechenden Höcker darauf tragen. Bei der tatsächlichen Verwendung werden in diesem Fall die Höcker entfernbar auf einer Hauptplatine befestigt und ein Kopf kann in dem Fall einer Veränderung des Prüfungsmaschinentyps einfach durch einen anderen ersetzt werden.
  • In dem Kopf C4 ist der Isolierträger aus einem elastischen Glied ausgebildet, so dass er elastisch genug ist, um an Basis-Glieder mit verschiedenen Formen angebracht zu werden. Dementsprechend ist dieser Kopf für die Verbesserung der Designfreiheit nützlich.
  • Ferner können beliebige dieser Köpfe durch die Kombination des Aussetzung/Entwicklung-Prozesses und des Verfahrens der Elektroplattierung hergestellt werden, die bei der Herstellung der herkömmlichen Leiterplatten angewendet werden. Sogar in dem Fall, in dem eine größere Anzahl von Signal-Leitern und Höckern bei fein Feinrasterabständen angeordnet ist, können sie deshalb mit einer hohen Genauigkeit des Rasterabstands gemäß den Design-Kriterien gemeinsam ausgebildet werden, ohne das Erfordernis irgendeiner erneuten Justierung, die bei den herkömmlichen Köpfen essenziell ist. Außerdem können die Köpfe gemäß der Erfindung durch die Verwendung von Ausrüstung hergestellt werden, die bei der Herstellung von gedruckten Platten herkömmlich verwendet worden ist. Somit können die gesamten Herstellungskosten im Vergleich zu der Herstellung der herkömmlichen Köpfe beträchtlich gesenkt werden.
  • In jedem Kopf, der gemäß den Erfindung hergestellt wurde, wie in der 84 gezeigt ist, kann außerdem die Oberfläche 19 des elastischen Glieds 19 durch die obere Öffnung 18A der Apertur des Isolierträgers 17 ausgesetzt werden, die eine quadratisch ebene Form besitzt, um mit dem Träger 17 bündig zu sein. In diesem Fall sind eine Vielzahl von Signal-Leitern 20 und Schutzleiter 20' parallel zu einander angeordnet und die Höcker 21 sind auf den jeweiligen Kopfenden der Leiter 20 einzeln ausgebildet. Der auf diese Art und Weise konstruierte Kopf kann für die Prüfung von Schaltkreiskomponenten, wie z. B. Flüssigkristallanzeige, PDP, TAB, usw., gleich verwendet werden.
  • Das Folgende ist eine Beschreibung eines Halbleiterkomponenten-Packungsmoduls gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Die 85 ist eine Schnitt-Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die Halbleiterkomponente S auf der Leiterplatte M1 gemäß der Erfindung auf die in der 1 gezeigte Art und Weise befestigt ist.
  • In diesem Modul ist die Halbleiterkomponente S an die Oberfläche der Leiterplatte M1 mit einem Kleber 34 durch Plättchen-Bonden geklebt, und eine Befestigungsstelle ist harzgegossen, wie in der 85 durch die gestrichelte Linie angezeigt ist.
  • Die Höcker 3, die in dem vorbestimmten Muster aus der Oberfläche 1a der Leiterplatte M1 herausragen, und die Lötaugen S1, die in der unteren Oberfläche der Halbleiterkomponente S ausgebildet sind, befinden sich ausschließlich in einem mechanischen Kontakt miteinander.
  • Diese Anordnung kann durch die Verwendung eines Klebemittels erhalten werden, das sich zusammen zieht, wenn es ausgehärtet wird, wie der Kleber 34 zum Plättchen-Bonden der Halbleiterkomponente S.
  • Somit wird die Komponente S, wenn die Halbleiterkomponente S an die Oberfläche der Isolier-Basis 1 mit dem Kleber 34 mit den zuvor genannten Eigenschaften auf eine solche Art und Weise geklebt wird, dass dessen Lötaugen S1 und die Höcker 3 abgestimmt sind, durch eine Volumenkontraktion des Klebers 34 nach unten gezogen, die während der Aushärtung des Klebers 34 fortschreitet. Als Folge werden die Lötaugen S1 der Komponente S und die Höcker 3 durch die zusammenziehende Kraft des Klebers 34 unmittelbar in einen mechanischen Kontakt miteinander gebracht, woraufhin eine Leitungsstruktur ausgebildet wird.
  • In diesem Fall sind die Höcker 3 der Leiterplatte M1 einer sehr schmalen Schwankung hinsichtlich der Höhe unterworfen, so dass sämtliche von ihnen mit ihren entsprechenden Lötaugen S1 der Halbleiterkomponente S zuverlässig in einen mechanischen Kontakt kommen können. Tatsächlich verfügen deshalb sämtliche einer großen Anzahl von Höckern und die Lötaugen der Halbleiterkomponente ohne Ausnahme über einen zuverlässigen Kontakt. Somit ist die Zuverlässigkeit der Verbindung für die Packung sehr hoch.
  • Der Kleber 34 kann für diesen Zweck aus einem beliebigen Material gebildet werden, das sich bei dessen Aushärtung zusammenzieht. Er kann zum Beispiel ein Kleber sein, der für das Plättchen-Bonden herkömmlich verwendet wird.
  • Wenn sich das Modul in tatsächlichem Betrieb befindet, dann sind die Kontaktpunkte zwischen den Lötaugen S1 und den Höckern 3 einer Hitzebelastung unterworfen, die dem Unterschied bei der thermischen Ausdehnung zwischen der Halbleiterkomponente S und der Leiterplatte M1 zugeschrieben werden kann. Sogar in diesem Fall wirkt jedoch nur eine Reibungskraft zwischen den Lötaugen S1 und den Höckern 3, und es besteht keine wirkende Kraft zu ihrer Trennung, so dass die Leitungsstruktur zwischen ihnen nicht gelöst werden kann.
  • Dieses Modul kann ausschließlich durch das Plättchen-Bonden der Halbleiterkomponente an die Leiterplatte mit dem Kleber zusammengesetzt werden. Im Gegensatz zu dem Fall des herkömmlichen Plättchen-Bondens werden die Lötaugen der Halbleiterkomponente und die Verbindungsanschlüsse (z. B. Höcker) der Leiterplatte durch die Verwendung von z. B. geschmolzenem Lötzinn nicht indirekt miteinander in Kontakt gebracht. Somit kann das Modul sehr einfach hergestellt werden.
  • Obwohl die Leiterplatte M1 oben als ein Beispiel des Packungsträgers beschrieben worden ist, ist das Modul gemäß der vorliegenden Erfindung hierauf nicht beschränkt und kann durch die Verwendung von beliebigen Leiterplatten, einschließlich der zuvor genannten, zusammengesetzt werden, in denen Höcker Muster aus der Plattenoberfläche herausragen.
  • An Stellen, an denen in irgendeinem Anspruch erwähnte technische Merkmale von Bezugsziffern gefolgt werden, sind diese Bezugsziffern für den alleinigen Zweck der Steigerung der Verständlichkeit der Ansprüche aufgenommen worden, und dementsprechend besitzen derartige Bezugsziffern keine beschränkende Wirkung auf den Schutzumfang von jedem Element, das beispielhaft durch derartige Bezugsziffern identifiziert wird.

Claims (11)

  1. Ein höckerförmiger Kontaktkopf, der folgendes umfasst: einen Isolierträger (17); eine bewegliche Region (19E), die in einer vorbestimmten Position in dem Isolierträger (17) ausgebildet ist, so dass sich wenigstens die obere Oberfläche (19a) der beweglichen Region (19E) nach oben und nach unten bewegen kann; eine Vielzahl von Signal-Leitern (20), die auf der oberen Oberfläche (17a) des Isolierträgers (17) und/oder in ihm angeordnet sind und sich zu der beweglichen Region (19E) erstrecken, wobei sich wenigstens das Kopfende (20a) von jedem Signal-Leiter (20) in der beweglichen Region (19E) befindet; Höcker (21), die einzeln aus den oberen Oberflächen (20b) der jeweiligen Kopfenden der Signal-Leiter (20) herausragen, wobei die obere Oberfläche (19a) der beweglichen Region (19E) mit der oberen Oberfläche (17a) des Isolierträgers (17) bündig ist und jeder von den Höckern (21) und die Vielzahl von Signal-Leitern (20) eine Mehrschicht-Struktur ist, die eine äußerste Schicht eines korrosionsbeständigen leitfähigen Materials und wenigstens eine innere Schicht eines Materials mit hoher elektrischer Leitfähigkeit umfasst.
  2. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin die bewegliche Region eine Apertur, die durch die Dicke des Isolierträgers ausgebildet ist, und ein elastisches Glied einschließt, das in der Apertur angebracht ist, wobei die obere Oberfläche des elastischen Glieds durch die obere Öffnung der Apertur ausgesetzt ist.
  3. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin die bewegliche Region einen dünnwandigen Abschnitt einer Apertur mit einer stufenförmigen Struktur einschließt, die durch die Dicke des Isolierträgers ausgebildet ist, so dass die Oberseite des Isolierträgers dünnwandig ist, die obere Öffnung der Apertur eine quadratische ebene Form besitzt, so dass Schlitze, die sich in Richtung auf den peripheren Randabschnitt des Isolierträgers erstrecken, einzeln in die vier Ecken der quadratischen Öffnung geschnitten sind, um wenigstens den Basis-Teil des dünnwandigen Abschnitts der stufenförmigen Struktur zu erreichen, wobei der dünnwandige Abschnitt eine ebene Form entsprechend einer Zunge besitzt.
  4. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin die bewegliche Region folgendes einschließt: eine Apertur mit einer stufenförmigen Struktur, die durch die Dicke des Isolierträgers ausgebildet ist, so dass die Oberseite des Isolierträgers einen dünnwandigen Abschnitt bildet, wobei die obere Öffnung eine quadratische ebene Form besitzt, so dass Schlitze, die sich in Richtung auf den peripheren Randabschnitt des Isolierträgers erstrecken, einzeln in die vier Ecken der quadratischen Öffnung geschnitten sind, um wenigstens den Basis-Teil des dünnwandigen Abschnitts der stufenförmigen Struktur zu erreichen, wobei der dünnwandige Abschnitt eine ebene Form entsprechend einer Zunge besitzt; und ein elastisches Glied, das in der Apertur angebracht ist, wobei die obere Oberfläche des elastischen Glieds durch die obere Öffnung der Apertur ausgesetzt ist, so dass die Signal-Leiter sich nach oben zu der oberen Oberfläche des elastischen Glieds erstreckend angeordnet sind.
  5. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin nur die obere Oberfläche von jedem Signal-Leiter in den jeweiligen oberen Oberflächen der Isolier-Basis und der beweglichen Region ausgesetzt ist.
  6. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin die bewegliche Region an dem unteren Teil davon mit Hebe-Mitteln zum Aufweiten der oberen Oberfläche der beweglichen Region nach oben versehen ist.
  7. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin das Hebe-Mittel eine verschlossene Luftkammer ist.
  8. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin die Isolier-Basis mit durchgehenden Löchern ausgebildet ist, wobei das andere Ende von jedem Signal-Leiter zu der anderen Oberfläche der Isolier-Basis durch jedes entsprechende durchgehende Loch herausgeführt wird und das Kopfende davon mit einem Höcker ausgebildet ist.
  9. Der höckerförmige Kontaktkopf gemäß Anspruch 1, worin der Isolierträger vollständig aus einem elastischen Glied ausgebildet ist.
  10. Ein Verfahren zum Herstellen eines höckerförmigen Kontaktkopfes, das folgendes umfasst: einen Schritt zur Bildung einer ersten Schutzschicht durch Beschichtung der Oberfläche einer elektrisch leitfähigen Folie und anschließend das optische Aussetzen und die Entwicklung der ersten Schutzschicht, so dass die Oberfläche der leitfähigen Folie an Stellen entsprechend den Positionen der zu bildenden Höcker ausgesetzt ist; einen Schritt zur Bildung von Aussparungen für Höcker in der ausgesetzten Oberfläche der leitfähigen Folie durch Ätzung und anschließend Entfernung der ersten Schutzschicht; einen Schritt zur Bildung einer zweiten Schutzschicht durch Beschichtung der ausgesetzten Oberfläche der leitfähigen Folie und anschließend das optische Aussetzen und die Entwicklung der zweiten Schutzschicht, wodurch die Oberfläche der leitfähigen Folie in ebenen Mustern entsprechend den jeweiligen Mustern der zu bildenden Signal-Leiter ausgesetzt wird; einen Schritt zur elektrolytischen Abscheidung eines ersten leitfähigen Materials in einer Schicht in den Aussparungen für Höcker und auf den ebenen Mustern durch Elektroplattierung, anschließend zusätzliche elektrolytische Abscheidung wenigstens eines von dem ersten leitfähigen Material verschiedenen leitfähigen Materials auf der resultierenden dünnen Schicht und Auffüllung der Aussparungen für Höcker und der ebenen Muster mit einer Mehrschicht-Struktur, die aus zwei oder mehreren verschiedenen in Schichten gestapelten leitfähigen Materialien gebildet ist, wodurch die Höcker und die Signal-Leiter gemeinsam ausgebildet werden; einen Schritt zur Entfernung der zweiten Schutzschicht und anschließend Bindung der resultierenden ausgesetzten Oberfläche an die Oberfläche der Öffnungsseite eines Isolierträgers, der mit einer Apertur mit einer Öffnung in einer vorbestimmten Form ausgebildet ist; und einen Schritt zur Auffüllung eines hohlen Abschnitts, der durch die Apertur und die leitfähige Folie bestimmt wird, mit einem elastischen Glied und anschließend Entfernung der leitfähigen Folie durch Ätzung, wodurch die jeweiligen oberen Oberflächen der Höcker und der Signal-Leiter ausgesetzt werden.
  11. Ein Verfahren zum Herstellen eines höckerförmigen Kontaktkopfes, das folgendes umfasst: einen Schritt zur Bildung einer dünnen Leiterschicht durch Beschichtung wenigstens einer Oberfläche eines leitfähigen Trägers durch Elektroplattierung; einen Schritt zur Bildung einer ersten Schutzschicht durch Beschichtung der dünnen Leiterschicht und anschließend das optische Aussetzen und die Entwicklung der ersten Schutzschicht, so dass die andere Oberfläche der dünnen Leiterschicht ausgesetzt wird, wobei die erste Schutzschicht nur auf erwarteten Höcker-Bildungsstellen übrig gelassen wird; einen Schritt zur Bildung einer elektrolytisch abgeschiedenen Schicht durch elektrolytische Abscheidung eines elektrisch leitfähigen Materials auf der ausgesetzten Oberfläche der dünnen Leiterschicht durch Elektroplattierung, so dass das leitfähige Material mit der ersten Schutzschicht bündig ist; einen Schritt zur Bildung von Aussparungen für Höcker, durch die die Oberfläche der dünnen Leiterschicht ausgesetzt ist, in der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht, und zwar durch die Entfernung der ersten Schutzschicht, die auf den erwarteten Höcker-Bildungsstellen übrig gelassen wurde; einen Schritt zur Bildung einer zweiten Schutzschicht durch Beschichtung der Oberfläche der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht und anschließend das optische Aussetzen und die Entwicklung der zweiten Schutzschicht, wodurch die Oberfläche der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht in ebenen Mustern entsprechend den jeweiligen Mustern der zu bildenden Signal-Leiter ausgesetzt wird; einen Schritt zur elektrolytischen Abscheidung eines ersten leitfähigen Materials in einer Schicht in den Aussparungen für Höcker und auf den ebenen Mustern durch Elektroplattierung, anschließend zusätzliche elektrolytische Abscheidung wenigstens eines von dem ersten leitfähigen Material verschiedenen leitfähigen Materials auf der resultierenden dünnen Schicht und Auffüllung der Aussparungen für Höcker und der ebenen Muster mit einer Mehrschicht-Struktur, die aus zwei oder mehreren verschiedenen in Schichten gestapelten leitfähigen Materialien gebildet ist, wodurch die Höcker und die Signal-Leiter gemeinsam ausgebildet werden; einen Schritt zur Entfernung der zweiten Schutzschicht und anschließend Bindung der resultierenden ausgesetzten Oberfläche an die Oberfläche der Öffnungsseite eines Isolierträgers, der mit einer Apertur mit einer Öffnung in einer vorbestimmten Form ausgebildet ist; und einen Schritt zur Auffüllung eines hohlen Abschnitts, der durch die Apertur und die elektrolytische Abscheidung bestimmt wird, mit einem elastischen Glied, anschließend die Trennung des leitfähigen Trägers, sukzessive Entfernung der dünnen Leiterschicht und der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht durch Ätzung, wodurch die Höcker und die Signal-Leiter ausgesetzt werden.
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