KR970023931A - 회로기판과 그 제조방법, 그 회로기판을 사용한 범프식 콘택트 헤드와 반도체부품 실장모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면에 높이의 흑들림이 작은 범프의 패턴이 형성되어 있고, 거기에 반도체부품을 고밀도실장하는 것이 가능한 회로기판에 관한 것으로, 레지스터층과 절연기판으로 이루어진 절연기재가운데 전기도금법으로 형성된 도체회로가 매설되고, 그 표면에는 범프가 표출하고, 이들 사이에는 어느 것으로나 전기도금법으로 형성되는 기둥모양도체로 전기적으로 접속되어 있고 또 범프는 다른 도전재료를 전기도금법으로 2층이상 적층된 다층구조체인 회로기판을 제공하는 것으로, 이 회로기판은 범프의 형성 개소에 탄성부재를 배치하면 콘택트 헤드로써 응용할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 회로기판 M1을 도시한 사시도.
Claims (26)
- 하기에서 이루어진 회로기판 ; 절연기판이 적어도 한면에는 적어도 범프가 형성된다 ; 상기 절연기재가 적어도 한면 혹은 / 및 내부에는 적어도 1층 도체회로가 배선된다 ; 상기 범프와 도체회로의 사이 혹은 / 및 각 도체회로 간에는 그것들을 전기적으로 접속한 도통구조가 형성된다 ; 그리고, 적어도 상기 범프는, 적어도 2종류의 도전재료를 순차 전착하여 이루어진 다층구조체이다.
- 제1항에 있어서, 상기 도통구조는 기둥모양도체이다.
- 제1항에 있어서, 상기 다층구조체는 2층구조체이며, 상기 2층구조체의 외층부는 금, 니켈, 니켈합금군에서 선정된 어느 것이나 1종, 또는 내층부는 동(銅)이다.
- 제1항에 있어서, 상기 절연기재가 적어도 한면에는 범프와 랜드부회로가 표출하여 형성된다.
- 제1항에 있어서, 상기 절연기재가 적어도 한면에는 범프와 랜드부회로와 도체회로가 표출하여 형성된다.
- 제1항에 있어서, 상기 범프가 형성된 상기 절연기재의 표면에는 그랜드선회로 혹은 /및 히트 싱크가 형성된다.
- 제6항에 있어서, 상기 절연기재의 내부에는, 상기 히트 싱크에서 다른 방향면에 걸쳐 상기 다른 방향면에 표출하는 전열로가 형성된다.
- 상기 공정에서 이루어진 회로기판의 제조방법 ; 도전기판과 상기 도전기판이 적어도 한면에 형성된 도체박층과, 상기 도체박층의 표면에 형성된 전착층과 상기 전착층의 개정개소에 매설하여 형성되어서, 적어도 2종류의 도전재료를 순차 전착하여 이루어진 다층구조체의 범프와, 상기 전착층을 피복하여 형성된 레지스터부(A)와, 상기 레지스터부(A)에 매설하여 형성되어, 상기 범프에 접속하는 제1기둥모양도체, 혹은 도체회로 또는 랜드부회로와, 상기 레지스터부(A)에 매설하여 형성되고, 상기 도체회로 또는 상기 랜드부회로가 접속하고, 그 단면은 상기 레지스터부(A)의 표면에 표준하는 제2기둥모양도체로 이루어진 부재(A)를 제조하는 공정A; 상기 부재A의 레지스터부 (A)의 표면에 1층도체회로가 형성되어 있는 부재B(1), 혹은 복수층의 도체회로와 그 도체회로간을 접속하는 기둥모양 도체가 다른 레지스터부(B)에 매설하여 형성되고, 또는 마지막 도체회로는 상기 레지스터부(B)의 표면에 형성되어 있는 부재B(2)를 제조하는 공정B; 상기 부재B(1) 또는 부재B(2)의 상기 도체회로측의 표면을 절연기재의 표면에 열 압착하여, 상기 도체회로가 상기 절연기재에 매설되어 이루어진 일체화물 (C)를 제조하는 공정C; 및 상기 일체화물 (C)에서 상기 도전기판을 박리한 다음, 상기 도체박층 및 전착층을 순차 에칭제거하여 범프를 표출시키는 공정 D.
- 제8항에 있어서, 공정A가 하기 공정에서 이루어진다 ; 전기도금법으로, 도전기판이 적어도 한면을 피복하여 도체박층을 형성하는 공정A1; 상기 도체박층을 피복하여 레지스터층(a1)을 형성한 다음 노광·현상 처리를 가하여, 상기 레지스터층(a1)을 범프형성예정개소에만 잔류시키고 상기 도체박층이 다른 표면을 노출시키는 공정 A2; 상기 도체박층의 노출표면에 전기도금법으로, 상기 범프형성예정개소에 잔류하는 레지스터층(a1)과 한면에 도전재료를 전착하여 전착층을 형성하는 공정 A3; 상기 범프형성예정개소에 잔류하는 상기 레지스터층(a1)을 제거하고 상기 전착층에 상기 도체박층의 표면이 노출된 범프용 홈을 형성하는 공정 A4; 상기 전착층의 표면을 피복하여 레지스터층(A2)을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여 상기 레지스터층(a2)에 상기 범프용 홈에 연통하는 제1구멍과, 형성할 만한 랜드부 회로의 회로 패턴에 상당하는 평면 패턴을 형성하는 공정 A5; 전기도금을 가하여, 상기 범프용 홈과 상기 제1구멍과 상기 평면 패턴에 제1도전재료를 층상에 전착하고 이어서 형성된 층상체상에 상기 제1도전재료와는 다른 적어도 1종의 도전재료를 또 순차 전착하여, 상기 범프용홈과 상기 제1구멍과 상기 평면 패턴을, 2종 이상의 도전재료가 적층하여 이루어진 다층구조체로 충전하여 범프와 제1기둥모양도체와 랜드부 회로를 일괄하여 형성하는 공정A6; 상기 레지스터층기둥(a2)을 제거하고 상기 전착층의 표면을 노출시키는 공정A7; 상기 전착층의 노출표면을 피복하여 상기 제1기둥모양도체의 단면이 표출하는 두께로 레지스터층(a3)을 형성하는 공정 A8; 상기 레지스터층(a3)과 상기 제2기둥모양도체의 단면을 피복하여 무전해도금법으로 도금박막을 형성하는 공정 A9; 상기 도금박막을 피복하여 레지스터층(a4)을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하고, 상기 레지스터층(a4)에 형성할 만한 도체회로의 회로패턴에 상당하는 평면패턴 및 상기 랜드부회로에 연통하는 구멍의 평면패턴을 형성하여, 그 평면패턴에서 상기 도금박막의 표면을 노출시키는 공정 A10; 전기도금을 가하여, 상기 평면 패턴에 도전재료를 전착하여 도체 회로 및 상기 랜드부회로에 접속하는 주상상태들 일괄하여 형성하는 공정 A11; 상기 레지스터층(a4)을 제거하고, 노출된 상기 도금박막을 에칭제거하여 상기 레지스터층(a3)을 노출시키는 공정 A12; 상기 도체회로, 랜드부회로에 접속하는 상기 기둥모양도체 및 상기 레지스터층(a3)을 레지스터층(a4)으로 피복하여 상기 레지스터층(a3)과 상기 레지스터층(a5)에서 이루어진 레지스터부(A)를 형성한 다음 노광·현상 처리를 가하여, 상기 도체회로 및 랜드부회로에 접속하는 상기 기둥모양 도체에 연통하는 제2구멍을 형성하는 공정 A13; 및 전기도금을 가하여, 상기 제2구멍안에 도전재료를 충전하여 제2기둥모양도체를 형성하는 공정 A14.
- 제8항에 있어서, 공정 B(1)가 하기 공정에서 이루어진다 : 상기 부재A에 대한 상기 레지스터층(a5)의 전면을 피복하여, 무전해 도금법으로 도금박막을 형성하는 공정 B1; 전기도금을 가하여, 상기 도금박막의 노출표면에 도전재료를 전착하여 도체회로를 형성하는 공정B3; 및 상기 레지스터층(b1)을 제거하고, 노출된 상기 도금박막을 에칭제거하여 상기 레지스터층(a5)을 노출시키는 공정B4.
- 제8항에 있어서, 공정B(2)가 하기 공정에서 이루어진다 : 상기 부재B(1)에 대해서, 레지스터층(a5)과 상기 도체회로를 피복하여 레지스터층(b2)을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 상기 레지스터층(b2)에 상기 도체회로에 연통하는 구멍을 형성하는 공정B5; 전기도금을 가하여, 상기 구멍 안에 도전재료를 전 착하여 기둥모양도체를 형성하는 공정B6; 상기 레지스터층(b2)의 전면을 피복하여, 무전해도금법으로 도금박막을 형성하는 공정B7; 상기 도금박막을 피복하여 레지스터층(b3)을 형성한 다음 노광 현상 처리를 가하여, 상기 레지스터층(b3)에 형성할 만한 도체회로의 회로패턴에 상당하는 평면패턴을 형성하고, 그 평면패턴에서 상기 도금박막의 표면을 노출시키는 공정 B8; 전기도금을 가하여, 상기 평면패턴에 도전재료를 전착하여 도체회로를 형성하는 공정 B9; 및 상기 레지스터층(b3)을 제거하고, 노출된 상기 도금박막을 에칭제거하여 상기 레지스터층(b2)을 노출시키는 공정B10; 을 적어도 1회 행한다.
- 제8항에 있어서, 공정 A가 하기 공정에서 이루어진다 : 도전기판이 적어도 한면을 피복하고, 전기도금법으로 도체박층을 형성하는 공정A1; 상기 도체박층을 피복하여 레지스터층(a1)을 형성한 다음 노광·현상 처리를 가하여, 상기 레지스터층(a1)을, 범프형성예정개소에만 잔류시켜서 상기 도체박층이 다른 표면을 노출시키는 공정 A2; 상기 도체박층의 노출표면에 전기도금법으로 상기 범프형성예정개소에 잔류하는 상기 레지스터층(a1) 동일면에 도전재료를 전착하여 전착층을 형성하는 공정 A3; 상기 범프형성예정개소에 잔류하는 레지스터층(a1)을 제거하여, 상기 전착층에 상기 도체박층의 표면이 표출된 범프용 홈을 형성하는 공정A4; 상기 전착층의 표면을 피복하여 레지스터층(a2)을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하고, 상기 레지스터층(a2)에, 상기 범프용 홈에 연통하는 평면패턴이며, 형성할 만한 도체회로의 회로패턴에 상당하는 평면패턴 및 필요에 따라서 랜드부회로의 회로패턴에 상당하는 평면패턴을 형성하는 공정 A15; 전기도금을 가하여, 상기 범프용 홈과 상기 평면 패턴에 제1도전재료를 전착하고, 이어서 형성된 층상체상에 상기 제1도전재료와는 다른 적어도 1종의 도전재료를 순차 전착하고, 상기 범프용 홈과 상기 도체회로와 필요에 따라서 상기 랜드부 회로를 2종이상의 도전재료가 적층하여 이루어진 다층구조체로 충전하고, 범프와 도체회로와 필요에 따라서는 랜드부 회로를 일괄하여 형성하는 공정 A16; 상기 도체회로 및 필요에 따라서는 랜드부회로를 피복하여 레지스터층(a3)을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 상기 레지스터층(a3)에 상기 도체회로 및 필요에 따라서는 랜드부 회로에 연통하는 제1구멍을 형성하는 공정 A17; 및 전기도금을 가하고, 상기 제1구멍 안에 도전재료를 전착하여 기둥모양도체를 형성하는 공정 A18.
- 하기에서 이루어진 범프식 콘택트 헤드 ; 절연기판의 소정개소에는, 적어도 상면이 상하이동가능한 가동부위가 형성된다 ; 상기 가동부위의 상면은 상기 절연기판의 상면과 동일면상태에 있다 ; 상기 절연기판의 상면 혹은 / 및 내부에는 상기 가동부위에까지 연재(延在)하는 복수개의 신호도체가 배선되어서, 적어도 그 선단은 상기 가동부위에 위치한다 ; ; 그리고, 상기 신호도체의 상기 선단의 상면에는, 적어도 2종류의 도전재료를 순차 전착하여 이루어진 다층구조체의 범프가 돌설된다.
- 제13항에 있어서, 상기 가동부위는 하기에서 이루어진다 : 상기 절연기판의 두께방향에 형성된 관통구멍 ; 상기 관통구멍에 배설된 탄성 부재 ; 그리고, 상기 탄성 부재의 상면은 상기 관통구멍의 상부개구에서 표출된다.
- 제13항에 있어서 상기 가동부위는 하기에서 이루어진다 : 상기 절연기판의 상면측이 박육부가 되도록 상기 절연기판의 두께 방향에 단차구조를 이루어 형성된 관통구멍의 상기 박육부이다 ; 그리고, 상기 관통구멍의 상부개구의 평면시 형상은 사각형이며, 그 사각형의 네 모퉁이에는 상기 절연기판의 주연부방향으로 연장하는 스릿트가 적어도 상기 단차구조에 대한 상기 박육부의 기부에까지 각설되어, 상기 박육부의 평면시형상은 설편형상을 이루고 있다.
- 제13항에 있어서, 상기 가동부위는 하기에서 이루어진다 : 상기 절연기판의 상면측이 박육부가되도록 상기 절연기판의 두께방향으로 단차구조를 이루어 형성되고, 상부개구의 평면시 형상은 사각형이며, 그 사각형의 네 모퉁이에는 상기 절연기판의 주연부 방향으로 연장하는 스릿트가 적어도 상기 단차구조에 대한 상기 박육부의 기부에 까지 각설되어, 상기 박육부의 평면시형상은 설편형상을 이루고 있는 관통구멍; 상기 관통구멍에 배설된 탄성부재; 그리고, 상기 탄성부재의 상면은 상기 관통구멍의 상부개구에서 표출되어, 상기 탄성부재의 상면에까지 상기 신호도체가 배선된다.
- 제13항에 있어서, 상기 신호도체는 그 상면만이 상기 절연기판과 상기 가동부위의 각 상면에 표출된다.
- 제13항에 있어서, 상기 가동부위의 하부에는, 상기 가동부위의 상면을 상방으로 팽출시키는 활성화수단이 배선된다.
- 제13항에 있어서, 상기 활성화수단이 밀폐구멍기실이다.
- 제13항에 있어서, 상기 절연기판에는 스루 홀이 형성되어, 상기 신호도체의 다른 단은 상기 스루 홀을 통하여 상기 절연기판의 다른쪽면에까지 도출되어, 그 선단에는 범프가 형성된다.
- 제13항에 있어서, 상기 절연기판은 전체가 탄성부재로 이루어진다.
- 하기 공정에서 이루어진 범프식 콘택트 헤드의 제조방법 : 도전박판의 표면을 피복하여 제1레지스터층을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 형성할 만한 범프의 위치에 상당하는 개소에 상기 도전박판의 표면을 노출시키는 공정 ; 상기 도전박판의 노출표면에 에칭처리를 가하여 상기 도전박판의 노출표면에 범프용 홈을 형성한 다음, 상기 제1레지스터층을 제거하는 공정, 표출된 도전박판의 표면을 피복하여 제2레지스터층을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 형성할 만한 신호도체의 패턴에 상당하는 평면 패턴으로 상기 도전박판의 표면을 노출시키는 공정 ; 전기도금을 가하여, 상기 범프용 홈과 상기 평면패턴에 제1도전재료를 층상에 전착하고, 이어서 형성된 층상체 상에 상기 제1도전재료와는 다른 적어도 1종의 도전재료를 순차 전착하고, 상기 범프용 홈과 상기 평면 패턴을 2종이상의 도전재료가 적층하여 이루어진 다층구조제로 충전하여 범프와 신호도체를 일괄하여 형성하는 공정 ; 상기 제2레지스터층을 제거한 다음, 그 표출면을 소정 형상의 개구를 갖는 관통구멍이 형성되어 있는 절연기판의 상기 개구측의 표면에 열압착하는 공정 ; 및 상기 관통구멍과 상기 도전박판에 의해 형성된 공동부에 탄성부재를 충전한 다음, 상기 도전박판을 에칭제거하여 상기 범프와 상기 신호도체의 상면을 표출시키는 공정.
- 하기 공정에서 이루어진 범프식 콘택트 헤드의 제조방법 : 도전기판이 적어도 한면을 피복하여, 전기도금법으로 도체박층을 형성하는 공정 ; 상기 도체박층을 피복하여 제1레지스터층을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 상기 제1레지스터층을 범프형성예정개소에만 잔류시켜서 상기 도체박층이 다른 표면을 노출시키는 공정 ; 상기 도체박층의 노출표면에, 전기도금법으로, 상기 범프형성예정개소에 잔류시키는 상기 제1레지스터층과 동일면에 도전재료를 전착하여 전착층을 형성하는 공정 ; 상기 범프형성예정개소에 잔류하는 상기 제1레지스터층을 제거하고, 상기 전착층에 상기 도체박층의 표면이 노출된 범프용 홈을 형성하는 공정 ; 상기 전착층의 표면을 피복하여 제2레지스터층을 형성한 다음 노광·현상처리를 가하여, 상기 제2레지스터층에 형성할만한 신호도체의 패턴에 상당하는 평면패턴에서 상기 전착층의 표면을 노출시키는공정, 전기도금을 가하여, 상기 범프용 홈과 상기 평면 패턴에 제1도전재료를 층상에 전착하고, 이어서 형성된 층상체상에 상기 제1도전재료와는 다른 적어도 1종의 도전재료를 순차 전착하고, 상기 범프용 홈과 상기 평면 패턴을 2종이상 도전재료가 적층하여 이루어진 다층구조체로 충전하여 범프와 신호도체를 일괄하여 형성하는 공정 ; 상기 제2레지스터층을 제거한 다음, 그 표출면은, 소정 형상의 개구를 갖는 관통구멍이 형성되어 있는 절연기판의 상기 개구측의 표면에 열압착하는 공정 ; 상기 관통구멍과 상기 전착층에 의해 형성된 공동부에 탄성부재를 충전한 다음, 상기 도전기판을 박리하고, 이어서 상기 도체박층 및 전착층을 순차 에칭 제거하여 범프 및 신호도체를 표출시키는 공정.
- 하기에서 이루어진 반도체부품실장모듈 ; 절연기재가 적어도 한면에 범프가 형성되어 있는 회로기판 ; 및 상기회로기판에 접착제를 사용하여 실장된 반도체부품 ; 그리고, 상기 반도체부품의 랜드부는 상기 범프와 기계적으로 접촉한다.
- 제24항에 있어서, 상기 접착제는 경화시에 촌법수축하는 접착제이다.
- 제24항에 있어서, 상기 범프가 적어도 2종류의 도전재료를 층상에 전착하여 이루어진 다층구조체이다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26570195 | 1995-10-13 | ||
JP7-26571 | 1995-10-13 | ||
JP4774496 | 1996-03-05 | ||
JP8-47744 | 1996-03-05 | ||
JP7-265701 | 1996-04-10 | ||
JP8-88265 | 1996-04-10 | ||
JP8826596 | 1996-04-10 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040003148A Division KR100474241B1 (ko) | 1995-10-13 | 2004-01-15 | 회로기판과 그 제조방법, 그 회로기판을 사용한 범프식콘택트 헤드와 반도체 부품 실장모듈 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023931A true KR970023931A (ko) | 1997-05-30 |
KR100458754B1 KR100458754B1 (ko) | 2005-09-30 |
Family
ID=27293073
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960045308A KR100458754B1 (ko) | 1995-10-13 | 1996-10-11 | 회로기판과그제조방법,그회로기판을사용한범프식콘택트헤드와반도체부품실장모듈 |
KR1020040003148A KR100474241B1 (ko) | 1995-10-13 | 2004-01-15 | 회로기판과 그 제조방법, 그 회로기판을 사용한 범프식콘택트 헤드와 반도체 부품 실장모듈 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040003148A KR100474241B1 (ko) | 1995-10-13 | 2004-01-15 | 회로기판과 그 제조방법, 그 회로기판을 사용한 범프식콘택트 헤드와 반도체 부품 실장모듈 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5886877A (ko) |
EP (1) | EP0768712B1 (ko) |
KR (2) | KR100458754B1 (ko) |
DE (1) | DE69635603T2 (ko) |
TW (1) | TW310370B (ko) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5886877A (en) * | 1995-10-13 | 1999-03-23 | Meiko Electronics Co., Ltd. | Circuit board, manufacturing method therefor, and bump-type contact head and semiconductor component packaging module using the circuit board |
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- 2000-08-07 US US09/633,438 patent/US6350957B1/en not_active Expired - Fee Related
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2004
- 2004-01-15 KR KR1020040003148A patent/KR100474241B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69635603T2 (de) | 2006-09-14 |
EP0768712A2 (en) | 1997-04-16 |
KR100458754B1 (ko) | 2005-09-30 |
DE69635603D1 (de) | 2006-01-26 |
US5886877A (en) | 1999-03-23 |
EP0768712A3 (en) | 1999-01-07 |
US6239983B1 (en) | 2001-05-29 |
US6350957B1 (en) | 2002-02-26 |
KR100474241B1 (ko) | 2005-03-14 |
EP0768712B1 (en) | 2005-12-21 |
TW310370B (ko) | 1997-07-11 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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