DE112012002699B4 - Zündkerze und Verfahren zum Herstellen einer Elektrode einer Zündkerze - Google Patents

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Abstract

Zündkerze (10) mit:einer Metallhülle (16), die eine Axialbohrung aufweist;einem Isolator (14), der eine Axialbohrung aufweist und der wenigstens teilweise innerhalb der Axialbohrung der Metallhülle angeordnet ist;einer Mittelelektrode (12), die wenigstens teilweise innerhalb der Axialbohrung des Isolators angeordnet ist; undeiner Masseelektrode (18), die an einem freien Ende der Metallhülle angebracht ist;wobei die Mittelelektrode, die Masseelektrode oder beide ein Elektrodenmaterial aufweisen, das Ruthenium (Ru), wenigstens ein anderes Edelmetall außer Ruthenium (Ru) und wenigstens ein Metalloxid aufweist, wobei Ruthenium (Ru) der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist,wobei das Elektrodenmaterial ein mehrphasiges Material ist, das eine Matrixphase und eine dispergierte Phase beinhaltet, wobei die Matrixphase Ruthenium (Ru) und das wenigstens eine Edelmetall aufweist und wobei die dispergierte Phase das wenigstens eine Metalloxid aufweist, undwobei die dispergierte Phase Metalloxid-Fasern aufweist, die innerhalb der Matrixphase dispergiert sind und eine mittlere Länge in einem Bereich von etwa 50 µm bis 500 µm und einem mittleren Durchmesser besitzen, der kleiner ist als etwa 10 µm.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft Zündkerzen für Verbrennungsmotoren und insbesondere Elektrodenmaterialien hierfür, sowie ein Herstellungsverfahren für ein Elektrodenmaterial.
  • HINTERGRUND
  • Zündkerzen können dazu verwendet werden, um eine Verbrennung in Verbrennungsmotoren einzuleiten. Zündkerzen zünden typischerweise ein Gas, wie ein Luft-/Brennstoffgemisch, und zwar in einem Motorzylinder oder in einer Verbrennungskammer, indem ein Funken quer über eine Funkenstrecke erzeugt wird, die zwischen zwei oder mehr Elektroden gebildet ist. Das Zünden des Gases mittels des Funkens ruft eine Verbrennungsreaktion in dem Motorzylinder hervor, die für den Leistungshub des Motors verantwortlich ist. Die hohen Temperaturen, die hohen elektrischen Spannungen, die schnelle Wiederholung von Verbrennungsreaktionen und das Vorhandensein von korrosiven Materialien in den Verbrennungsgasen können eine raue Umgebung erzeugen, innerhalb der die Zündkerze funktionieren muss. Die raue Umgebung kann zu einer Erosion und Korrosion der Elektroden beitragen, die die Leistung („performance“) der Zündkerze über der Zeit negativ beeinträchtigen, was potentiell zu Fehlzündungen oder anderen unerwünschten Zuständen führen kann.
  • Zur Verringerung von Erosion und Korrosion der Elektroden der Zündkerze sind verschiedene Arten von Edelmetallen und deren Legierungen verwendet worden, einschließlich solcher aus Platin und Iridium. Diese Materialien können jedoch teuer sein. Demzufolge versuchen die Hersteller von Zündkerzen von Zeit zu Zeit, die Menge der in einer Elektrode verwendeten Edelmetalle zu minimieren, indem derartige Materialien lediglich an einer Zündspitze oder einem Funkenabschnitt der Elektroden verwendet werden, also dort, wo ein Funken über eine Funkenstrecke springt.
  • Das Dokument US 2011 / 0 127 900 A1 offenbart ein Elektrodenmaterial für eine Zündkerze, welches Elektrodenmaterial Ruthenium als feuerfestes Material aufweist, wobei das Ruthenium der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist.
  • Das Dokument DE 10 2004 063 077 A1 offenbart einen Elektrodenwerkstoff mit mindestens zwei der Elemente Platin, Palladium, Iridium, Rhenium, Rhodium oder Ruthenium und mit zusätzlich mindestens einem Oxid der Elemente Zirconium, Hafnium, Yttrium oder Magnesium.
  • Ferner ist es aus dem Dokument DE 10 2005 038 772 A1 bekannt, einen Draht aus einer Oxiddispersions-gehärteten Legierung auf Basis von Platin oder Palladium oder eine Mischung hiervon bereitzustellen, wobei der Drahtquerschnitt eine Randzone aufweist, in der mindestens ein relativ leicht flüchtiger Oxidbildner um mindestens 25 % ausgedünnt ist.
  • Schließlich offenbart das Dokument DE 103 48 778 B3 eine Elektrode für eine Zündkerze, wobei ein Grundwerkstoff und ein Zusatzwerkstoff in Pulverform miteinander vermischt, zusammengepresst und anschließend gesintert werden.
  • Es ist vor diesem Hintergrund eine Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Zündkerze sowie ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines Elektrode für eine Zündkerze anzugeben.
  • Die obige Aufgabe wird gelöst durch eine Zündkerze mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch ein Verfahren zum Herstellen einer Elektrode einer Zündkerze mit den Merkmalen des Anspruchs 14.
  • Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen beansprucht.
  • Die erfindungsgemäße Zündkerze weist auf: eine Metallhülle, einen Isolator, eine Mittelelektrode und eine Masseelektrode. Die Mittelelektrode, die Masseelektrode oder beiden weisen ein Elektrodenmaterial auf, das Ruthenium (Ru), wenigstens ein anderes Edelmetall als Ruthenium (Ru) und wenigstens ein Metalloxid aufweist, wobei Ruthenium (Ru) der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist, wobei das Elektrodenmaterial ein mehrphasiges Material ist, das eine Matrixphase und eine dispergierte Phase beinhaltet, wobei die Matrixphase Ruthenium (Ru) und das wenigstens eine Edelmetall aufweist und wobei die dispergierte Phase das wenigstens eine Metalloxid aufweist und wobei die dispergierte Phase Metalloxid-Fasern aufweist, die innerhalb der Matrixphasen dispergiert sind und eine mittlere Länge in einem Bereich von etwa 50 µm bis 500 µm und einen mittleren Durchmesser besitzen, der kleiner ist als etwa 10 µm.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren weist die Schritte auf: (a) Bereitstellen von Ruthenium (Ru) und wenigstens einem Edelmetall in Pulverform, und Bereitstellen eines Metalloxids entweder in Partikelform oder in Faserform; (b) Hinzugeben des Rutheniums (Ru), des wenigstens einen Edelmetalls und des Metalloxids zueinander, so dass eine Pulvermischung gebildet wird; (c) Sintern der Pulvermischung, um ein Elektrodenmaterial zu bilden, wobei Ruthenium (Ru) der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist; und (d) Formen bzw. Bilden des Elektrodenmaterials in eine Elektrode einer Zündkerze.
  • Figurenliste
  • Bevorzugte beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente angeben, und wobei:
    • 1 eine Querschnittsansicht einer beispielhaften Zündkerze ist, die das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial verwenden kann;
    • 2 eine vergrößerte Ansicht des Zündendes der beispielhaften Zündkerze der 1 ist, wobei eine Mittelelektrode eine Zündspitze in der Form eines mehrteiligen Niets aufweist und wobei eine Masseelektrode eine Zündspitze in der Form eines flachen Plättchens („pad“) aufweist;
    • 3 eine vergrößerte Ansicht eines Zündendes einer weiteren beispielhaften Zündkerze ist, die das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial verwenden kann, wobei die Mittelelektrode eine Zündspitze in der Form eines einstückigen Niets aufweist und die Masseelektrode eine Zündspitze in der Form einer zylindrischen Spitze aufweist;
    • 4 eine vergrößerte Ansicht eines Zündendes einer weiteren beispielhaften Zündkerze ist, die das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial verwenden kann, wobei die Mittelelektrode eine Zündspitze in der Form einer zylindrischen Spitze aufweist, die in einer Ausnehmung angeordnet ist, und wobei die Masseelektrode keine Zündspitze aufweist;
    • 5 eine vergrößerte Ansicht eines Zündendes einer weiteren beispielhaften Zündkerze ist, die das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial verwenden kann, wobei die Mittelelektrode eine Zündspitze in der Form einer zylindrischen Spitze aufweist und wobei die Masseelektrode eine Zündspitze in der Form einer zylindrischen Spitze aufweist, die sich von einem axialen Ende der Masseelektrode erstreckt;
    • 6 eine schematische Darstellung eines sogenannten Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomens („balling and bridging phenomenon“) an den Elektroden einer beispielhaften Zündkerze ist, die das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial nicht verwendet;
    • 7 eine vergrößerte schematische Darstellung des Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomens der 6 ist;
    • 8 eine schematische Querschnittsdarstellung des Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomens der 6 ist;
    • 9 ein Bild einer Mikrostruktur einer beispielhaften Elektrodenmaterial-Zusammensetzung aus Ru-5Rh-1Re-1Y2O3 (Gew.-%) ist, und zwar aufgenommen nach einem Sinterschritt jedoch vor einer Extrusion; und
    • 10 ein Flussdiagramm ist, das eine beispielhafte Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden einer Elektrode einer Zündkerze darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Das vorliegend beschriebene Elektrodenmaterial kann in Zündkerzen und anderen Zündvorrichtungen verwendet werden, einschließlich industrieller Kerzen bzw. Stecker, Zündvorrichtungen für die Luft- und Raumfahrt, Glühzündkerzen, und anderer Vorrichtungen, die dazu verwendet werden, um ein Luft-/Brennstoffgemisch in einem Motor zu zünden. Dies beinhaltet, ist jedoch definitiv nicht hierauf beschränkt, beispielhafte Zündkerzen, die in der Zeichnung dargestellt und nachstehend beschrieben sind. Ferner ist anzumerken, dass das Elektrodenmaterial in einer Zündspitze verwendet werden kann, die an einer Mittel- und/oder an einer Masseelektrode angebracht ist, oder dass es in der tatsächlichen Mittelelektrode und/oder in der tatsächlichen Masseelektrode selbst verwendet werden kann, um einige Möglichkeiten zu nennen. Weitere Ausführungsformen und Anwendungen des Elektrodenmaterials sind ebenfalls möglich. Sämtliche vorliegend angegebenen Prozentsätze beziehen sich auf Gewichtsprozent (Gew.-%), es sei denn, es ist anders angegeben.
  • Unter Bezugnahme auf die 1 und 2, beinhaltet eine dort gezeigte beispielhafte Zündkerze 10 eine Mittelelektrode 12, einen Isolator 14, eine Metallhülle 16 und eine Masseelektrode 18. Die Mittelelektrode bzw das Basiselektrodenelement 12 ist innerhalb einer Axialbohrung des Isolators 14 angeordnet und beinhaltet eine Zündspitze 20, die gegenüber einem freien Ende 22 des Isolators 14 vorsteht. Die Zündspitze 20 ist ein mehrteiliger Niet („multi-piece rivet“), der eine erste Komponente 32 aufweist, die aus einem erosions- und/oder korrosionsresistenten Material hergestellt ist, wie das nachstehend beschriebene Elektrodenmaterial, und eine zweite Komponente 34 aufweist, die aus einem Zwischenmaterial bzw. Vermittlungsmaterial („intermediary material“) hergestellt ist, wie eine Nickellegierung mit hohem Chromanteil („high-chromium Nickel alloy“). Bei dieser besonderen Ausführungsform weist die erste Komponente 32 eine zylindrische Form auf, und die zweite Komponente 34 weist eine gestufte Form auf, die einen im Durchmesser vergrößerten Kopfabschnitt und einem im Durchmesser reduzierten Schaftabschnitt aufweist. Die erste und die zweite Komponente können aneinander angebracht werden mittels einer Laserschweißverbindung, einer Widerstandsschweißverbindung, oder einer anderen geeigneten geschweißten oder nicht geschweißten Verbindung. Der Isolator 14 ist innerhalb einer Axialbohrung der Metallhülle 16 angeordnet und ist aus einem Material, wie einem Keramikmaterial hergestellt, das hinreichend ist, um die Mittelelektrode 12 gegenüber der Metallhülle 16 elektrisch zu isolieren. Das freie Ende 22 des Isolators 14 kann gegenüber einem freien Ende 24 der Metallhülle 16 vorstehen, wie gezeigt, oder kann innerhalb der Metallhülle 16 zurückgezogen sein. Die Masseelektrode oder das Basiselektrodenelement 18 kann gemäß der herkömmlichen L-förmigen Konfiguration konstruiert sein, die in der Zeichnung dargestellt ist, oder gemäß einer anderen Anordnung, und ist an dem freien Ende 24 der Metallhülle 16 angebracht. Gemäß dieser besonderen Ausführungsform, beinhaltet die Masseelektrode 18 eine Seitenfläche 26, die der Zündspitze 20 der Mittelelektrode gegenüberliegt und an der eine Zündspitze 30 angebracht ist. Die Zündspitze 30 ist in der Form eines flachen Plättchens ausgebildet und definiert mit der Zündspitze 20 der Mittelelektrode eine Funkenstrecke („spark gap“) G, so dass diese Zündspitzen jeweils Funkenbildungsflächen für die Emission und die Rezeption von Elektronen bereitstellen, die die Funkenstrecke queren.
  • Bei dieser bestimmten Ausführungsform kann bzw. können die erste Komponente 32 der Zündspitze 20 der Mittelelektrode und/oder der Zündspitze 30 der Masseelektrode aus dem vorliegend beschriebenen Elektrodenmaterial hergestellt sein; dies sind jedoch nicht die einzigen Anwendungen für das Elektrodenmaterial. Wie es beispielhaft in 3 gezeigt ist, kann bzw. können die beispielhafte Zündspitze 40 der Mittelelektrode und/oder die beispielhafte Zündspitze 42 der Masseelektrode ebenfalls aus dem Elektrodenmaterial hergestellt sein. In diesem Fall ist die Zündspitze 40 der Mittelelektrode ein einstückiger Niet, und die Zündspitze 42 der Masseelektrode ist eine zylindrische Spitze, die sich von einer Seitenfläche 26 der Masseelektrode weg erstreckt, und zwar um eine beträchtliche Distanz. Das Elektrodenmaterial kann auch zur Bildung der Zündspitze 50 der beispielhaften Mittelelektrode und/oder der Masseelektrode 18 verwendet werden, die in 4 gezeigt sind. Bei diesem Beispiel ist die Zündspitze 50 der Mittelelektrode eine zylindrische Komponente, die in einer Ausnehmung oder Sackloch 52 angeordnet ist, die bzw. das in dem axialen Ende der Mittelelektrode 12 ausgebildet ist. Die Funkenstrecke G ist zwischen einer Funkenbildungsfläche der Zündspitze 50 der Mittelelektrode und einer Seitenfläche 26 der Masseelektrode 18 gebildet, wobei die Seitenfläche 26 auch als Funkenbildungsfläche wirkt. 5 zeigt eine weitere mögliche Anwendung für das Elektrodenmaterial, wobei eine zylindrische Zündspitze 60 an einem axialen Ende der Mittelelektrode 12 angebracht ist, und wobei eine zylindrische Zündspitze 62 an einem axialen Ende der Masseelektrode 18 angebracht ist. Die Zündspitze 62 der Masseelektrode bildet mit einer Seitenfläche der Zündspitze 60 der Mittelelektrode eine Funkenstrecke G, und stellt folglich eine etwas andere Zündend-Konfiguration dar als die anderen beispielhaften Zündkerzen, die in der Zeichnung dargestellt sind.
  • Es ist nochmals anzumerken, dass die oben beschriebenen, nicht einschränkenden Zündkerzen-Ausführungsformen lediglich Beispiele von einigen potentiellen Verwendungen für das Elektrodenmaterial darstellen, da dieses in jeder Zündspitze, Elektrode, Funkenfläche oder einer anderen Zündend-Komponente verwendbar oder einsetzbar ist, die bei der Verbrennung eines Luft-/Brennstoffgemisches in einem Motor verwendet wird. Beispielsweise können die folgenden Komponenten aus dem Elektrodenmaterial hergestellt bzw. gebildet sein: Mittelelektrode und/oder Masseelektrode; Zündspitze der Mittelelektrode und/oder Zündspitze der Masseelektrode, wobei die Zündspitzen in der Form von Nieten, Zylindern, Stangen, Säulen, Drähten, Kugeln, Hügeln, Kegeln, flachen Plättchen, Scheiben, Ringen, Hülsen, etc. vorliegen können; Zündspitzen von Mittelelektrode und/oder Masseelektrode, die direkt an einer Elektrode angebracht sind, oder indirekt an einer Elektrode über eine oder mehrere dazwischen liegende, dazwischen wirkende oder Spannungs-lösende Schichten an einer Elektrode angebracht sind; Zündspitzen von Mittelelektrode und/oder Masseelektrode, die innerhalb einer Ausnehmung einer Elektrode angeordnet sind, in eine Oberfläche einer Elektrode eingebettet sind, oder an einer Außenseite einer Elektrode angeordnet sind, wie eine Hülse oder eine andere ringförmige Komponente; oder Zündkerzen mit mehrfachen Masseelektroden, mehrfachen Funkenstrecken oder Funkenstrecken vom halb-kriechenden Typ („semi-creeping type“). Dieses sind lediglich einige Beispiele von möglichen Anwendungen des Elektrodenmaterials, wobei weitere Anwendungen existieren. Vorliegend kann der Begriff „Elektrode“ - unabhängig davon, ob er sich bezieht auf eine Mittelelektrode, eine Masseelektrode, eine Zündkerzen-Elektrode, etc. - ein Basiselektrodenelement selber beinhalten, eine Zündspitze selber beinhalten, oder eine Kombination aus einem Basiselektrodenelement und einer oder mehrerer Zündspitzen beinhalten, die daran angebracht sind, um einige Möglichkeiten zu nennen.
  • Das vorliegend beschriebene Elektrodenmaterial ist eine Zusammensetzung einer Legierung, die auf Ruthenium (Ru) basiert, und aus einem Metalloxid. Ruthenium-basierte Legierungen weisen ein Maß an Oxidations-, Korrosions- und Erosions-Widerstandsverhalten auf, das in gewissen Anwendungen wünschenswert ist, einschließlich einer Anwendung in Verbrennungsmotoren. Nicht alle Ru-basierten Legierungen sind jedoch so wirksam, wie es gewünscht ist. Es ist beispielsweise unter Bezugnahme auf die 6 bis 8 herausgefunden worden, dass einige Ru-basierte Legierungen ein sogenanntes Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomen („balling and bridging phenomenon“) erfahren, bei dem eine lokale Oxidation und eine Rück-Abscheidung („re-deposition“) von Material an einer Oberfläche hiervon Ru-Kugeln B („Ru balls“) erzeugt. Dies kann während Betriebsvorgängen mit hoher Temperatur in einem Verbrennungsmotor stattfinden, und die Ru-Kugeln B können sich mit der Zeit sammeln und eine Brücke über die Funkenstrecke G bilden. Wenn sie gebildet werden, tragen die Ru-Kugeln B zu einer Erosion (d.h. einem Massenverlust und Abnutzung) und einer Korrosion der Elektroden der Zündkerze bei und beeinträchtigen in negativer Weise das Funkenverhalten („spark performance“) der Zündkerze. Es ist herausgefunden worden, dass die nachstehend beschriebenen Elektrodenmaterialien dieses Zusammenballung- bzw. Kugelbildungs- und Überbrückungs-Phänomen beschränken oder insgesamt verhindern. Ohne dass erwünscht ist, dass eine Beschränkung auf eine bestimmte Theorie der Betriebsweise erfolgt, wird derzeit angenommen, dass, neben anderen Faktoren, eine relativ erhöhte Oberflächenspannung oder erhöhte Oberflächenenergie, die sich mit den nachstehend beschriebenen Elektrodenmaterialien zeigt, zu einer Beschränkung oder Verhinderung des Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomens und zu einer Beschränkung oder Verhinderung von Erosion beiträgt.
  • Der Begriff „Ruthenium-basiertes Material“ oder der Begriff „Ruthenium-basierte Legierung“, wie vorliegend verwendet, beinhaltet jedes Material, bei dem Ruthenium der größte einzelne Bestandteil auf einer Basis von Gew.-% ist. Dies kann Materialien beinhalten, die mehr als 50% Ruthenium aufweisen, als auch solche, die weniger als 50% Ruthenium aufweisen, solange Ruthenium der größte einzelne Bestandteil ist. Fachleute erkennen, dass Ruthenium eine ziemlich hohe Schmelztemperatur (2334°C) im Vergleich zu einigen Edelmetallen aufweist, was das Erosions-Widerstandsverhalten des Elektrodenmaterials verbessern kann. Ruthenium kann jedoch gegenüber einer Oxidation empfänglicher sein als einige Edelmetalle, was das Korrosions-Widerstandsverhalten des Elektrodenmaterials verringern kann. Demzufolge kann das Elektrodenmaterial Ruthenium zzgl. von einem oder mehreren zusätzlichen Bestandteilen wie Edelmetallen, hochschmelzenden Metallen, aktiven Elementen, Metalloxiden oder einer Kombination hiervon beinhalten, von denen jeder ausgewählt ist, um dem Elektrodenmaterial gewisse Eigenschaften oder Attributen zu erteilen.
  • Das Edelmetall stellt das Elektrodenmaterial mit einer Vielzahl von wünschenswerten Attributen bereit, einschließlich eines hohen Widerstandsverhaltens gegenüber Oxidation, Korrosion oder beiden. Das Edelmetall, das dem vorliegenden Elektrodenmaterial hinzugegeben wird, kann irgendeines der Metalle der Platingruppe oder irgendein anderes geeignetes Edelmetall aufweisen, das sich in den Gruppen 8, 9, 10 oder 11 des beigefügten Periodensystems finden lässt. Das Periodensystem (nachstehend das „beigefügte Periodensystem“) wird von der International Union of Pure and Applied Chemistry (IUPAC) publiziert und ist in Verbindung mit der vorliegenden Anmeldung zu verwenden. Einige nicht einschränkende Beispiele von Edelmetallen, die zum Gebrauch in dem Elektrodenmaterial geeignet sind, neben Ruthenium (Ru), beinhalten Rhodium (Rh), Platin (Pt), Palladium (Pd) und Iridium (Ir).
  • In einigen Fällen kann das Edelmetall bzw. können die Edelmetalle das Abnutzungs-Widerstandsverhalten des Elektrodenmaterials verbessern, indem stabile schützende Oxide gebildet werden, wie Rhodiumoxid (RhO2). Die stabile schützende Oberflächenschicht kann die Wirkung haben, eine weitere Oxidation des Elektrodenmaterials zu verhindern oder zu verzögern, und kann folglich einen Massenverlust bei hohen Temperaturen verhindern. Die schützende Oberflächenschicht ist typischerweise dicht, stabil und weist einen hohen partiellen Dampfdruck und folglich eine geringe Verdampfungsrate auf. Derartige Attribute können zu den Korrosions- und/oder Erosions-Widerstandscharakteristika des Elektrodenmaterials beitragen, die schützende Oberflächenschicht ist jedoch sicherlich nicht notwendig. In einer Ausführungsform hat die stabile schützende Oberflächenschicht eine Dicke von etwa 1 bis 12 Mikrometer (µm), beinhaltet Rhodiumoxid (RhO2) und wird bei einer Temperatur von wenigstens 500°C gebildet.
  • Auch das hochschmelzende Metall stellt das Elektrodenmaterial mit einer beliebigen Anzahl von gewünschten Attributen bereit, einschließlich einer hohen Schmelztemperatur und einem entsprechend hohen Widerstandsverhalten gegenüber Funkenerosion, als auch einschließlich einer verbesserten Duktilität während der Herstellung. Das hochschmelzende Metall, das dem vorliegenden Elektrodenmaterial hinzugegeben wird, kann ein beliebiges hochschmelzendes Metall oder ein beliebiges anderes geeignetes Übergangsmetall („transition metal“) aufweisen, das sich in den Gruppen 5, 6 und 7 des beigefügten Periodensystems finden lässt. In einigen Beispielen weist das ausgewählte hochschmelzende Metall eine Schmelztemperatur auf, die größer ist als etwa 1700°C. Einige nicht einschränkende Beispiele von hochschmelzenden Metallen, die zur Verwendung in dem Elektrodenmaterial geeignet sind, beinhalten Wolfram (W), Rhenium (Re), Tantal (Ta), Molybdän (Mo) und Niob (Nb). Das hinzugefügte hochschmelzende Metall, das Edelmetall oder eine Kombination von beiden können mit dem Ruthenium in dem Elektrodenmaterial so kooperieren, dass das Elektrodenmaterial ein hohes Abnutzungs-Widerstandsverhalten aufweist, einschließlich eines signifikanten Widerstandsverhaltens gegenüber Funkenerosion, chemischer Korrosion, Oxidation oder einer Kombination hiervon, um Beispiele zu nennen. Die relativ hohen Schmelzpunkte der hochschmelzenden Metalle und des Rutheniums können das Elektrodenmaterial mit einem hohen Widerstandsverhalten gegenüber Funkenerosion oder Abnutzung bereitstellen, wohingegen die Edelmetalle das Elektrodenmaterial mit einem hohen Widerstandsverhalten gegenüber chemischer Korrosion, Oxidation oder beiden bereitstellen können.
  • Wenn Rhenium als das hochschmelzende Metall in dem Elektrodenmaterial verwendet wird, ist das Elektrodenmaterial duktiler als einige vergleichbare Ruthenium-basierte Materialien und andere Edelmetall-basierte Materialien, behält jedoch weiterhin ein akzeptables Niveau an Erosions- und Korrosions-Widerstandsverhalten bei. Die Duktilität des Elektrodenmaterials mit Rhenium macht dieses leichter bearbeitbar, so dass es sich leichter in ein brauchbares Teil wandeln bzw. umformen lässt. Hinsichtlich des oben diskutierten Designs mit mehrschichtigem Niet (MLR-Design „multi-layer rivet“), das in den 1 und 2 gezeigt ist, lässt sich eine Zündspitzen-Komponente 32, die aus diesen duktileren Elektrodenmaterialien hergestellt ist, leichter von einem Draht während der Herstellung abscheren, und dies kann in manchen Fällen erfolgen ohne die Verwendung einer Diamantsäge oder einer ähnlichen Vorrichtung. In einigen Ausführungsformen ist die Verbesserung hinsichtlich der Duktilität des Elektrodenmaterials wenigstens teilweise der Zugabe von Rhenium und den bestimmten involvierten Herstellungstechniken zuzuschreiben, wie das nachstehend beschriebene pulvermetallurgische Sintern und der Extrusionsprozess nach dem Sintern; andere Faktoren können zu der Verbesserung der Duktilität beitragen.
  • Eine Tabelle, die einige beispielhafte Edelmetalle und hochschmelzende Metalle auflistet, als auch ihre jeweiligen Schmelztemperaturen, ist nachstehend angegeben
    (TABELLE I). TABELLE I. Schmelztemperaturen von beispielhaften Metallen
    Edelmetalle Schmelztemperatur (°C)
    Rhodium (Rh) 1964
    Platin (Pt) 1768
    Palladium (Pd) 1555
    Iridium (Ir) 2446
    Hochschmelzende Metalle Schmelztemperatur (°C)
    Wolfram (W) 3422
    Molybdän (Mo) 2623
    Niob (Nb) 2468
    Tantal (Ta) 2996
    Rhenium (Re) 3186
  • Einige aktive Elemente, einschließlich von Seltenerdelementen, können dem Ruthenium-basierten Elektrodenmaterial hinzugegeben werden. Das Dotieren („doping“) von aktiven Elementen in das Elektrodenmaterial kann die Duktilität des Materials bei Raumtemperatur verbessern, was die Herstellungskosten dieser Legierungen verringern kann. Die hinzugegebenen aktiven Elemente können mit Verunreinigungen in dem Elektrodenmaterial reagieren oder kombinieren und können dispergierte feine Partikel in Körnern („grains“) bilden, was zu klareren Korngrenzen führt. Diese Art von Korngrenzen-Interaktion kann die Duktilität von Ruthenium-basierten Legierungen verbessern. Einige geeignete Beispiele von aktiven Elementen, die dem Elektrodenmaterial hinzugegeben werden können, beinhalten Aluminium (AI), Titan (Ti), Zirconium (Zr), Scandium (Sc) als auch Seltenerdelemente wie Yttrium (Y) und Hafnium (Hf), Lanthanoide (wie La) und Actinoide (wie Actinium, Ac). Die gesamte Menge an aktiven Elementen in dem Ruthenium-basierten Material kann in dem Bereich von 10ppm bis zu 0,5 Gew.-% liegen, und sie können mit jeder geeigneten Kombination von anderen Bestandteilen wie Edelmetallen, hochschmelzenden Metallen, Metalloxiden, etc. hinzugegeben werden.
  • Die Hinzugabe des Metalloxids in dem Elektrodenmaterial kann eine beliebige Anzahl von gewünschten Attributen bereitstellen, einschließlich einer Beschränkung oder Verhinderung des Zusammenballungs- und Überbrückungs-Phänomens, das oben unter Bezugnahme auf die 6 bis 8 beschrieben wurde. Auf diese Art oder auf andere Art und Weise kann das Metalloxid eine Erosion wie einen Massenverlust und eine Abnutzung des Elektrodenmaterials beschränken, wenn das Elektrodenmaterial in einer Zündkerzen-Anwendung verwendet wird. Das Metalloxid kann die Gesamtschmelztemperatur des Elektrodenmaterials erhöhen, was auch dessen Fähigkeit steigern kann, einer Erosion zu widerstehen. In einigen Beispielen ist das Metalloxid in dem Elektrodenmaterial in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5,0 Gew.-%, jeweils einschließlich, vorhanden, oder etwa 1,0 Gew.-%. Die Partikelgröße der Metalloxide kann in einer anfänglichen Phase der Herstellung, wie nachstehend beschrieben, in einem Bereich von etwa 1 nm bis etwa 20 µm liegen. Einige nicht einschränkende Beispiele von Metalloxiden, die zur Verwendung in dem Elektrodenmaterial geeignet sind, beinhalten Al2O3, ZrO2, MgO, SnO2, CaO, Cr2O3, CeO2, HfO, Y2O3, SiC und La2O3; unter diesen können Y2O3, ZrO2, CaO und MgO eine geeignete negative freie Gibbs-Energie zeigen.
  • Das Metalloxid kann in das Elektrodenmaterial in der Form von dispergierten bzw. verteilten Partikeln bzw. Fasern eingeführt werden, derart, dass ein mehrphasiges Material erzeugt wird, das sowohl eine Matrixphase als auch eine dispergierte Phase aufweist. Dies kann eine Wirkung auf die Oberflächenspannung des Materials haben, bei der es sich generell um eine Eigenschaft einer Oberfläche einer Flüssigkeit handelt, die es zulässt, dass es einer externen Kraft widersteht, und die durch die Kohäsion von Molekülen hervorgerufen wird. Ferner verringern sich durch das Einführen von kostengünstigen Metalloxidelementen in das Elektrodenmaterial, sei es in Partikel- oder in Faserform, die Gesamtkosten des Materials, da diese Elemente typischerweise weniger kosten als Edelmetalle und/oder andere Materialbestandteile.
  • Gemäß einer Ausführungsform, bei der das Metalloxid in der Form von dispergierten Partikeln vorliegt, weist das Elektrodenmaterial eine Ruthenium-basierte Matrix (z.B. eine Matrix, die Ruthenium und eines oder mehrere Edelmetalle, hochschmelzende Metalle und/oder aktive Elemente beinhaltet, wie oben beschrieben) und Metalloxidpartikel auf, die innerhalb der Matrix dispergiert bzw. verteilt sind. Die Ruthenium-basierte Matrix kann eine Mikrostruktur in der Form einer Ruthenium-basierten Legierung in Form einer festen Lösung („solid solution“) mit Körnern aufweisen, die von einem Niveau mit Nano-Größe bis zu einem Niveau mit Mikro-Größe (z.B. von 1 µm bis etwa 10 µm) reichen, wohingegen die einzelnen Metalloxidpartikel eine mittlere Partikelgröße von etwa 1 nm bis etwa 20 µm haben können. Das relative Volumen der Metalloxidpartikel in der Ruthenium-basierten Matrix kann etwa 0,1 Vol.-% bis etwa 2 Vol.-% des Gesamtmaterials sein.
  • Gemäß einer unterschiedlichen Ausführungsform, bei der das Metalloxid in der Form von dispergierten Fasern oder Fäden bzw. Fadenkristallen („whiskers“) vorliegt, beinhaltet das Elektrodenmaterial eine Ruthenium-basierte Matrix (z.B. gleiche Matrix wie bei der Partikel-Ausführungsform) und Metalloxid-Fasern oder -Fadenkristalle, die innerhalb der Matrix dispergiert sind. Die Fasern oder Fadenkristalle können beginnen in einer dünnen und länglichen Form und können eine mittlere oder gemittelte Länge zwischen etwa 50 µm und 500 µm und einen mittleren Durchmesser aufweisen, der kleiner ist als etwa 10 µm. Wenn die Fasern oder Fadenkristalle dem Elektrodenmaterial hinzugegeben werden - jedoch vor den nachstehend beschriebenen pulvermetallurgischen Herstellungsprozessen -, können sie zufällig bzw. regellos innerhalb der Ruthenium-basierten Matrix orientiert sein. Nach einem oder mehreren Ziehvorgängen („drawing“), Extrudiervorgängen oder anderen Arten von Metallbearbeitungsschritten werden die Metalloxidfasern jedoch typischerweise in der Längsrichtung des gezogenen Stabes oder Drahtes orientiert oder ausgerichtet, und können länglicher werden, so dass ihre mittlere Länge zwischen etwa 1 mm bis 10 mm liegt (z.B. 3 mm bis etwa 6 mm). Einer der potentiell vorteilhaften Aspekte der Verwendung von Metalloxid- oder Keramikfasern, wie solche, die aus Al2O3 hergestellt sind, ist ihr relativ hoher Schmelzpunkt, der 2000°C oder mehr überschreiten kann. Einige Metalloxid-Zusammensetzungen, die in gewissen Zündkerzen-Anwendungen besonders brauchbar sein können, weisen Al2O3, ZrO2 und SiC auf.
  • Einige nicht-einschränkende Beispiele von potentiellen Elektrodenmaterialien sind nachstehend angegeben. Sämtliche Zusammensetzungen sind in Gew.-% angegeben, wobei Ruthenium den Rest („balance“) des Materials bildet und wobei die angegebenen Bereiche die Grenzen beinhalten; d.h., die Bereiche sind „einschließlich“. In jeder der nachstehend aufgelisteten beispielhaften Materialzusammensetzungen könnten das Ruthenium, die Edelmetalle, die hochschmelzenden Metalle und/oder die aktiven Elemente Teil der Matrixphase sein, wohingegen die Metalloxide Teil der dispergierten Phase sein können, die innerhalb der Matrixphase diffundiert ist (ein mehrphasiges Material). Alternativ hierzu ist es für sämtliche Bestandteile möglich, dass diese Teil eines generell homogenen oder einheitlichen Materials sind (ein Einphasenmaterial), obgleich dies nicht die bevorzugte Ausführungsform ist.
  • Beispiele von Ruthenium-basierten Legierungen, die Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-%, ein Edelmetall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-% und ein Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% aufweisen, beinhalten: Ru-Rh-Metalloxid, Ru-Pt-Metalloxid, Ru-Ir-Metalloxid und Ru-Pd-Metalloxid. Genauere Beispiele derartiger Zusammensetzungen beinhalten: Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)MgO; Ru-(0,.1-20)Ir-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-5)CaO und Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-5) MgO.
  • Beispiele von Ruthenium-basierten Legierungen, die Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-%, ein erstes und ein zweites Edelmetall mit einem kombinierten Gewicht in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-% und ein Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% aufweisen, beinhalten: Ru-Rh-Pt-Metalloxid, Ru-Rh-Pd-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-Metalloxid, Ru-Pt-Rh-Metalloxid, Ru-Pt-Pd-Metalloxid, Ru-Pt-Ir-Metalloxid, Ru-Pd-Rh-Metalloxid, Ru-Pd-Pt-Metalloxid, Ru-Pd-Ir-Metalloxid, Ru-Ir-Rh-Metalloxid, Ru-Ir-Pt-Metalloxid und Ru-Ir-Pd-Metalloxid. Genauere Beispiele derartiger Zusammensetzungen beinhalten: Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1 -5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pd-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pd-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pd-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pd-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Ir-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Ir-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Ir-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Pd-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Pd-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Pd-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Pd-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Ir-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Ir-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-20)Ir-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-20)ir-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-20)Ir-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-20)Ir-(0,1-5)CaO und Ru-(0,1-20)Pd-(0,1-20)Ir-(0,1-5)MgO. In anderen Ausführungsformen weist das Elektrodenmaterial drei oder mehr Edelmetalle auf.
  • Beispiele von Ruthenium-basierten Legierungen, die Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-%, ein Edelmetall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-%, ein hochschmelzendes Metall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% und ein Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% aufweisen, beinhalten: Ru-Edelmetall(e)-W-Metalloxid, Ru-Edelmetall(e)-Re-Metalloxid, Ru-Edelmetall(e)-Ta-Metalloxid, Ru-Edelmetall(e)-Mo-Metalloxid und Ru-Edelmetall(e)-Nb-Metalloxid. Genauere Beispiele derartiger Zusammensetzungen beinhalten: Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)W-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)W-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)W-(0,1-5)CaO; Ru-(0, 1-20)Rh-(0,1-5)W-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Re-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Re-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Re-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Re-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Ta-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Ta-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Ta-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Ta-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Mo-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Mo-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Mo-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Mo-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Nb-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Nb-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Nb-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-5)Nb-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0, 1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0.1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)Mg0; Ru-(0, 1-20)Pt-(0,1 -5)Ta-(0,1 -5)Y2O3; Ru-(0, 1-20)Pt-(0,1-5)Ta-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0, 1-20)Pt-(0,1-5)Ta-(0,1-5)CaO; Ru-(0, 1-20)Pt-(0,1-5)Ta-(0,1 - 5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Mo-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Mo-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Mo-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Mo-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Nb-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Nb-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Nb-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Nb-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)La2O3; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)A12O3; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)SnO2; Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)Cr2O3; Ru-(0,1-20)Ir-(0, 1-5)Re-(0,1-5)CeO2 und Ru-(0,1-20)Ir-(0,1-5)Re-(0,1-5)HfO.
  • Beispiele von Ruthenium-basierten Legierungen, die Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-% und, ein erstes und ein zweites Edelmetall mit einem kombinierten Gewicht in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-%, ein hochschmelzendes Metall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% und ein Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% aufweisen, beinhalten: Ru-Rh-Pt-Re-Metalloxid, Ru-Rh-Pt-W-Metalloxid, Ru-Rh-Pt-Ta-Metalloxid, Ru-Rh-Pt-Mo-Metalloxid, Ru-Rh-Pt-Nb-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-W-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-Re-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-Ta-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-Mo-Metalloxid, Ru-Rh-Ir-Nb-Metaloxid, Ru-Rh-Pd-W-Metalloxid, Ru-Rh-Pd-Re-Metalloxid, Ru-Rh-Pd-Ta-Metalloxid, Ru-Rh-Pd-Mo-Metalloxid und Ru-Rh-Pd-Nb-Metalloxid. Genauere Beispiele derartiger Zusammensetzungen beinhalten: Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1 -20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0, 1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)La2O3; Ru-(0,1 -20)Rh-(0,1 -20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)A12O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1-5)SnO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)Re-(0,1 -5)Cr2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0, 1-20)Pt-(0,1 -5)Re-(0, 1-5)CeO2 und Ru-(0, 1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1 -5)Re-(0,1 - 5)HfO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)Y2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1 -5)CaO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)La2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)A12O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)SnO2; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)Cr2O3; Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)CeO2 und Ru-(0,1-20)Rh-(0,1-20)Pt-(0,1-5)W-(0,1-5)HfO.
  • Weitere Ruthenium-basierten Legierungen sind sicherlich möglich, einschließlich, von solchen, die Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-%, ein erstes, ein zweites und ein drittes Edelmetall mit einem kombinierten Gewicht in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-%, ein hochschmelzendes Metall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-%, und einem Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5 Gew.-% beinhalten. Einige nicht-einschränkende Beispiele derartiger Materialien beinhalten: Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re+(0,1-1)Y2O3; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)ZrO2; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)CaO; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)MgO; Ru-(0,1-20) (Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)La2O3; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)A12O3; Ru-(0,1-20) (Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)SnO2; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5) Cr2O3; Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5)Re-(0,1-5)CeO2; und Ru-(0,1-20)(Pt+Rh+Ir)-(0,1-5) Re-(0,1-5)HfO.
  • In Abhängigkeit von der bestimmten Ausführungsform und den bestimmten Eigenschaften, die gewünscht sind, kann die Menge an Ruthenium (Ru) in dem Ruthenium-basierten Material sein: größer gleich 80 Gew.-%, 85 Gew.-%, 90 Gew.-% oder 95 Gew.-%; kleiner gleich 99,9 Gew.-%, 95 Gew.-%, 90 Gew.-% oder 85 Gew.-% oder 80 Gew.-%; oder zwischen 80-99,9 Gew.-%, 85-99,9 Gew.-%, 90-99,9 Gew.-% oder 95-99,9 Gew.-%. In gleicher Weise kann die Menge von jeden beliebigen einzelnen Edelmetall in dem Ruthenium-basierten Material sein: größer gleich 0,1 Gew.-%, 1 Gew.-%, 2 Gew.-%, 10 Gew.-% oder 20 Gew.-%; kleiner gleich 20 Gew.-%, 15 Gew.-%, 10 Gew.-% oder 5 Gew.-%; oder zwischen 0,1-20 Gew.-%, 0,1-15 Gew.-%, 0,1-10 Gew.-%, 0,1-5 Gew.-% oder 0,1-2 Gew.-%. Die Gesamtmenge an Edelmetallen in dem Ruthenium-basierten Material kann sein: größer gleich 0,1 Gew.-%, 1 Gew.-%, 5 Gew.-%, 10 Gew.-% oder 20 Gew.-%; kleiner gleich 20 Gew.-%, 15 Gew.-%, 10 Gew.-%, 5 Gew.-% oder 1 Gew.-%; oder zwischen 1-20 Gew.-%, 1-15 Gew.-%, 1-10 Gew.-% oder 1-5 Gew.-%. Die Menge an hochschmelzendem Metall - d.h. ein hochschmelzendes Metall außer Ruthenium (Ru) - in dem Ruthenium-basierten Material kann sein: größer gleich 0,1 Gew.-%, 1 Gew.-%, 2 Gew.-%; kleiner gleich 5 Gew.-%, 2 Gew.-% oder 1 Gew.-%; oder zwischen 0,1-5 Gew.-%, 0,1-2 Gew.-% oder 0,1-1 Gew.-%.
  • Es ist anzumerken, dass die vorstehenden Beispiele von Elektrodenmaterial lediglich einige mögliche Zusammensetzungen darstellen. Andere Ruthenium-basierte binäre, ternäre, quaternäre und andere Legierungen können gleichfalls existieren. Einige Beispiele von Elektrodenmaterial-Zusammensetzungen, die für gewisse Zündkerzen-Anwendungen besonders brauchbar sind, beinhalten: Ru-Rh-Metalloxid, wobei das Rh zwischen 0,1-20 Gew.-% liegt; Ru-Rh-Ir-Metalloxid, wobei das Rh zwischen 0,1-20 Gew.-% liegt und wobei das Ir zwischen 0,1-10 Gew.-% liegt; Ru-Rh-Re-Metalloxid, wobei das Rh zwischen 0,1-20 Gew.-% liegt und wobei das Re zwischen 0,1-5 Gew.-% liegt; Ru-Pd-Re-Metalloxid, wobei das Pd zwischen 0,1-20 Gew.-% liegt und das Re zwischen 0,1-5 Gew.-% liegt; und Ru-Rh-Ir-Re-Metalloxid, wobei das Rh zwischen 0,1-20 Gew.-% liegt, das Ir zwischen 0,1-10 Gew.-% liegt und das Re zwischen 0,1-5 Gew.-% liegt. In manchen der vorstehenden beispielhaften Systeme wird das Rhenium (Re) hinzugegeben, um die Gesamtduktilität des Elektrodenmaterials zu verbessern, so dass dieses leichter hergestellt werden kann.
  • Nunmehr wir Bezug genommen auf 10, wobei das hier beschriebene Elektrodenmaterial hergestellt werden kann unter Verwendung einer Vielzahl von Herstellungsprozessen, wie pulvermetallurgischen Verfahren. Beispielsweise kann ein Prozess 200 verwendet werden, der die Schritte aufweist: Bereitstellen von jedem der Bestandteile in Pulverform, wobei diese jeweils eine gewisse Pulver-, Partikel- oder Fasergröße besitzen, Schritt 210; Mischen der Bestandteile zusammen, um eine Pulvermischung zu bilden, Schritt 220; Sintern der Pulvermischung, um das Elektrodenmaterial zu bilden, Schritt 230; und Extrudieren, Ziehen oder auf andere Art und Weise Formen des Elektrodenmaterials in eine gewünschte Form, Schritt 240. Das beispielhafte Elektrodenmaterial, auf das in der nachstehenden Beschreibung Bezug genommen wird, ist ein mehrphasiges Material, das eine Matrixphase mit Ruthenium, einem oder mehreren Edelmetallen und einem oder mehreren hochschmelzenden Metallen sowie eine dispergierte Phase mit Metalloxid-Partikeln aufweist. Es ist jedoch anzumerken, dass dieses Verfahren auch dazu verwendet werden kann, um andere geeignete Elektrodenmaterialien zu erzeugen (z.B. solche mit einer dispergierten Phase, die aus dünnen Fasern oder Fadenkristallen bzw. Fäden („whiskers“) hergestellt ist, im Gegensatz zu Partikeln).
  • Im Schritt 210 werden das Ruthenium, eines oder mehrere Edelmetalle, eines oder mehrere hochschmelzende Metalle und das Metalloxid in Pulverform bereitgestellt, wobei jeder dieser Bestandteile eine bestimmte Pulver- oder Partikelgröße aufweist, die von einer Anzahl von Faktoren abhängig sein kann. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform liegt die Partikelgröße von Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh) Platin (Pt) und Rhenium (Re) in Pulverform im Bereich von etwa 0,1 µm bis etwa 200 µm, jeweils einschließlich, und die Partikelgröße des Metalloxides liegt, wenn dieses in einer Pulverform vorliegt, in einem Bereich von etwa 1 nm und etwa 20 µm, jeweils einschließlich. Ferner kann der Gewichtsprozentanteil des Metalloxides, wenn dieses in einer Pulverform vorliegt, in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5,0 Gew.-% liegen, jeweils einschließlich, und zwar bezogen auf die Gesamtpulvermischung, und der Volumenanteil des Metalloxides kann, wenn dieses in Pulverform vorliegt, in einem Bereich von etwa 0,1 Vol.-% bis etwa 2 Vol.-% liegen, jeweils einschließlich.
  • Im nächsten Schritt 220 werden die Pulver aus Ruthenium, den Edelmetallen, den hochschmelzenden Metallen und dem Metalloxid miteinander vermischt, so dass eine Pulvermischung gebildet wird. Dieser Mischschritt kann mit oder ohne die Hinzugabe von Wärme erfolgen. In einer Ausführungsform kann Metalloxid in Pulverform mit einem vor-legierten Basislegierungspulver vermischt oder gemischt werden. Einige nicht-einschränkende Beispiele eines derartigen vor-legierten Basislegierungspulvers beinhalten (sämtliche Mengen auf Gew.-%-Basis, es sei denn, es ist anders angegeben) Pulver, die hergestellt sind aus: Ru-(0,1-1)Re; Ru-2Rh-(0,1-1)Re; Ru-5Rh-(0,1-1)Re; Ru-10Rh-(0,1-1)Re; Ru-20Rh-(0,1-1)Re; und Ru-10Pt-10Rh-(0,1-1)Re, um einige Möglichkeiten zu nennen.
  • Der Sinterschritt 230 kann gemäß einer Anzahl unterschiedlicher metallurgischer Ausführungsformen durchgeführt werden. Beispielsweise kann die sich ergebende Pulvermischung in einem Vakuum oder in einer gewissen Art von geschützter Umgebung gesintert werden, und zwar bei einer Sintertemperatur von etwa 0,5-0,8Tschmelz der Basislegierung wie Ruthenium oder der vor-legierten Basislegierung. Anders gesagt kann die Sintertemperatur auf etwa 50-80% der Schmelztemperatur der Basislegierung eingestellt werden, was in den beispielhaften Fällen etwa 1350°C-1600°C ist. Es ist in dem Sinterschritt 230 auch möglich, Druck anzuwenden, um eine gewisse Art von Porositätssteuerung des Elektrodenmaterials einzuführen. Wie es sich für Fachleute erkennen lässt, kann die Größe des aufgebrachten Druckes von der genauen Zusammensetzung der resultierenden Pulvermischung und den gewünschten Eigenschaften des Elektrodenmaterials abhängen.
  • Als Nächstes kann das Elektrodenmaterial im Schritt 240 extrudiert, gezogen oder auf eine andere Art und Weise in eine gewünschte Form geformt werden. Wenn ein länglicher Draht gewünscht ist, kann das Elektrodenmaterial kalt extrudiert werden, um einen feinen Draht von etwa 0,3 mm bis etwa 1,5 mm, jeweils einschließlich, zu bilden, der wiederum in individuelle Elektrodenspitzen oder dergleichen geschnitten oder quer profiliert werden kann. Natürlich könnten im Schritt 240 andere Metallformtechniken verwendet werden, um das Elektrodenmaterial in Teile mit unterschiedlichen Formen zu bilden. Beispielsweise könnte das Elektrodenmaterial gesenkgeschmiedet („swaged“), geschmiedet („forged“), gegossen („cast“) oder auf eine andere Art und Weise in Barren, Stäbe, Niete, Spitzen, etc. geformt werden.
  • Die oben beschriebenen Prozesse können dazu verwendet werden, um das Elektrodenmaterial in verschiedene Formen (wie Stäbe, Drähte, Lagen, etc.) zu formen, die für weitere Prozesse zum Herstellen einer Zündkerzen-Elektrode und/oder -Zündspitze geeignet sind. Andere bekannte Techniken wie das Schmelzen und Vermischen der gewünschten Mengen von jedem Bestandteil können zusätzlich oder anstelle der oben beschriebenen Schritte verwendet werden. Das Elektrodenmaterial kann ferner unter Verwendung herkömmlicher Schneid- bzw. Spanabhebungs- und Schleiftechniken verarbeitet werden, die mit anderen bekannten Erosions-resistenten Elektrodenmaterialien manchmal schwierig zu verwenden sind.
  • In einem besonderen beispielhaften Herstellungsprozess beginnt die Herstellung eines Ruthenium-basierten Elektrodenmaterials der Zusammensetzung Ru-5Rh-1Re-1Y2O3 mit dem Mischen von Pulvern von 93 Gew.-% Ru, 5 Gew.-% Rh, 1 Gew.-% Re und 1 Gew.-% Y2O3. Der darauffolgende Sinterschritt kann gefördert werden durch Verwenden von Partikeln kleiner Größe, beispielsweise auf dem Niveau einer Mikrogröße. Auch bei diesem Beispiel hat ein Metalloxid-Pulver eine Partikelgröße in einem Bereich von etwa 1 nm bis etwa 1 µm, jeweils einschließlich. Die resultierende Pulvermischung kann dann bei etwa 1450°C für etwa 4-10 Stunden und unter einem Druck von etwa 20 MPa gesintert werden.
  • In 9 ist eine Mikrostruktur einer beispielhaften Elektrodenmaterial-Zusammensetzung von Ru-5Rh-1 Re-1Y2O3 gezeigt, und zwar nach dem Sintern jedoch vor einer Extrusion. In diesem Beispiel hat das Elektrodenmaterial eine Mikrostruktur mit einer Rutheniumphase in Festlösung und im Wesentlichen homogen dispergierten Metalloxid-Partikeln. Das Elektrodenmaterial hat eine mittlere Dichte von etwa 12,17 g/cm3 und hat eine Härte von etwa 489 HK. Das Elektrodenmaterial hat bei diesem Beispiel eine Korngröße, die kleiner ist als etwa 10 µm. Die in dieser Beschreibung genannten Korngrößen können unter Verwendung eines geeigneten Messverfahrens bestimmt werden, wie das Planimetrische Verfahren, das in ASTM E112 dargestellt ist.
  • Es versteht sich, dass das Vorstehende eine Beschreibung von einer oder mehreren bevorzugten beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung ist. Die Erfindung ist nicht auf die hier offenbarten bestimmten Ausführungsformen bzw. die hier offenbarte bestimmte Ausführungsform beschränkt, sondern ausschließlich durch die nachstehenden Ansprüche definiert. Ferner beziehen sich die in der vorstehenden Beschreibung enthaltenen Aussagen auf bestimmten Ausführungsformen und sollen nicht als Beschränkungen des Schutzbereiches der Erfindung oder hinsichtlich der Definition von in den Ansprüchen verwendeten Begriffen verstanden werden.
  • In der vorliegenden Spezifikation und in den Ansprüchen sind die Begriffe „zum Beispiel,“ „z.B.“, „beispielsweise“, „wie“ und „wie bspw.“, sowie die Verben „aufweisen“, „haben“, „enthalten“ und deren andere Verbformen, wenn in Verbindung mit einer Auflistung von einem oder mehreren Bestandteilen oder anderen Einzelteilen verwendet, jeweils als nicht endend bzw. offen zu verstehen, was bedeutet, dass die Auflistung nicht so zu verstehen ist, dass andere, zusätzliche Bestandteile oder Einzelteile auszuschließen wären. Andere Begriffe sind unter Verwendung ihrer breitesten vernünftigen Bedeutung zu verstehen, es sei denn, sie werden in einem Kontext verwendet, der eine unterschiedliche Interpretation erfordert.
    Figure DE112012002699B4_0001

Claims (14)

  1. Zündkerze (10) mit: einer Metallhülle (16), die eine Axialbohrung aufweist; einem Isolator (14), der eine Axialbohrung aufweist und der wenigstens teilweise innerhalb der Axialbohrung der Metallhülle angeordnet ist; einer Mittelelektrode (12), die wenigstens teilweise innerhalb der Axialbohrung des Isolators angeordnet ist; und einer Masseelektrode (18), die an einem freien Ende der Metallhülle angebracht ist; wobei die Mittelelektrode, die Masseelektrode oder beide ein Elektrodenmaterial aufweisen, das Ruthenium (Ru), wenigstens ein anderes Edelmetall außer Ruthenium (Ru) und wenigstens ein Metalloxid aufweist, wobei Ruthenium (Ru) der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist, wobei das Elektrodenmaterial ein mehrphasiges Material ist, das eine Matrixphase und eine dispergierte Phase beinhaltet, wobei die Matrixphase Ruthenium (Ru) und das wenigstens eine Edelmetall aufweist und wobei die dispergierte Phase das wenigstens eine Metalloxid aufweist, und wobei die dispergierte Phase Metalloxid-Fasern aufweist, die innerhalb der Matrixphase dispergiert sind und eine mittlere Länge in einem Bereich von etwa 50 µm bis 500 µm und einem mittleren Durchmesser besitzen, der kleiner ist als etwa 10 µm.
  2. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei das Elektrodenmaterial Ruthenium (Ru) in einem Bereich von etwa 80 Gew.-% bis etwa 99,9 Gew.-% aufweist.
  3. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei das Elektrodenmaterial wenigstens ein Element aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Rhodium (Rh), Platin (Pt), Iridium oder Palladium (Pd) besteht.
  4. Zündkerze (10) nach Anspruch 3, wobei das Elektrodenmaterial Edelmetall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-% aufweist.
  5. Zündkerze (10) nach Anspruch 4, wobei das Elektrodenmaterial ein erstes Edelmetall und ein zweites Edelmetall mit einem kombinierten Gewicht in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 20,0 Gew.-% aufweist.
  6. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei das Elektrodenmaterial wenigstens ein Metalloxid aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al2O3, ZrO2, MgO, SnO2, CaO, Cr2O3, CeO2, HfO, Y2O3, SiC, oder La2O3 besteht.
  7. Zündkerze (10) nach Anspruch 6, wobei das Elektrodenmaterial das Metalloxid Al2O3 oder Y2O3 aufweist.
  8. Zündkerze (10) nach Anspruch 6, wobei das Elektrodenmaterial das Metalloxid in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5,0 Gew.-% aufweist.
  9. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei das Elektrodenmaterial ferner wenigstens ein hochschmelzendes Metall aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Wolfram (W), Rhenium (Re), Tantal (Ta), Molybden (Mo) oder Niob (Nb) besteht.
  10. Zündkerze (10) nach Anspruch 9, wobei das Elektrodenmaterial das hochschmelzende Metall in einem Bereich von etwa 0,1 Gew.-% bis etwa 5,0 Gew.-% aufweist.
  11. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei das Elektrodenmaterial ferner wenigstens ein aktives Element aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminium (AI), Titan (Ti), Zirconium (Zr), Scandium (Sc), Yttrium (Y), Hafnium (Hf), Lanthan (La) oder Actinium (Ac) besteht.
  12. Zündkerze (10) nach Anspruch 11, wobei das Elektrodenmaterial das aktive Element in einem Bereich von etwa 10 ppm bis 0,5 Gew.-% aufweist.
  13. Zündkerze (10) nach Anspruch 1, wobei die dispergierte Phase Metalloxid-Partikel aufweist, die innerhalb der Matrixphase dispergiert sind und eine mittlere Partikelgröße in einem Bereich von etwa 1 nm bis etwa 20 µm aufweisen.
  14. Verfahren zum Herstellen einer Elektrode (12, 18, 30, 32) für eine Zündkerze nach einem der Ansprüche 1 bis 13, mit den Schritten: (a) Bereitstellen von Ruthenium (Ru) und wenigstens einem Edelmetall in Pulverform, und Bereitstellen eines Metalloxids in Form von Metalloxid-Fasern, die eine mittlere Länge in einem Bereich von etwa 50 µm bis 500 µm und einen mittleren Durchmesser besitzen, der kleiner ist als etwa 10 µm: (b) Zusammengeben des Rutheniums (Ru), des wenigstens einen Edelmetalls und des Metalloxids, so dass eine Pulvermischung gebildet wird; (c) Sintern der Pulvermischung, um ein Elektrodenmaterial zu bilden, wobei Ruthenium (Ru) der größte einzelne Bestandteil des Elektrodenmaterials auf einer Basis von Gew.-% ist; und (d) Formen des Elektrodenmaterials in eine Zündkerzen-Elektrode.
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Families Citing this family (271)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
DE112012000600B4 (de) * 2011-01-27 2018-12-13 Federal-Mogul Ignition Company Zündkerzenelektrode für eine Zündkerze, Zündkerze und Verfahren zum Herstellen einer Zündkerzenelektrode
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP6020957B2 (ja) * 2012-02-02 2016-11-02 住友電気工業株式会社 内燃機関用材料の評価試験方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9130358B2 (en) 2013-03-13 2015-09-08 Federal-Mogul Ignition Company Method of manufacturing spark plug electrode material
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
DE102015115746B4 (de) 2015-09-17 2017-04-27 Federal-Mogul Ignition Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Zündelektrode für Zündkerzen und damit hergestellte Zündkerze
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
DE102015121862B4 (de) 2015-12-15 2017-12-28 Federal-Mogul Ignition Gmbh Zündkerze
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
DE102018101512B4 (de) 2018-01-24 2020-03-19 Federal-Mogul Ignition Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Elektrodenanordnung, Elektrodenanordnung und Zündkerze
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) * 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN113322395B (zh) * 2021-05-31 2022-04-05 昆明富尔诺林科技发展有限公司 一种Pt-Ru-Ir合金火花塞电极材料及其制备方法和应用的火花塞
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348778B3 (de) 2003-10-21 2005-07-07 Robert Bosch Gmbh Elektrode für eine Zündkerze und Verfahren zum Herstellen einer Elektrode
DE102004063077A1 (de) 2004-12-28 2006-07-13 Robert Bosch Gmbh Elektrodenwerkstoff, Zündeinrichtung diesen enthaltend und Verfahren zu deren Herstellung
DE102005038772A1 (de) 2005-08-15 2007-02-22 W.C. Heraeus Gmbh Draht aus oxiddispersionsgehärtetem Pt-lr- und anderen Legierungen mit verbesserter Oberfläche für Zündkerzenelektroden
US20110127900A1 (en) 2009-12-01 2011-06-02 Federal-Mogul Ignition Company Electrode material for a spark plug

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2328580A (en) 1941-12-19 1943-09-07 Parker Pen Co Ruthenium alloy pen point
DE838067C (de) 1942-02-07 1952-03-27 Baker Platinum Limited, London Gesinterte Platinlegierung
GB556253A (en) 1942-05-15 1943-09-27 Mond Nickel Co Ltd Improvements relating to sparking plug electrodes
GB575998A (en) 1943-10-28 1946-03-14 Arthur Beresford Middleton Improvements relating to precious metals and alloys thereof
US2391456A (en) 1944-01-29 1945-12-25 Mallory & Co Inc P R Spark plug electrode
US2391457A (en) 1944-02-01 1945-12-25 Mallory & Co Inc P R Spark plug electrode construction
US2470034A (en) 1945-11-27 1949-05-10 Mallory & Co Inc P R Electric contact formed of a ruthenium composition
US2545438A (en) 1949-01-12 1951-03-20 Baker & Co Inc Spark plug electrode
GB717496A (en) 1950-04-21 1954-10-27 Johann Simon Streicher Improvements in or relating to stabilised platinum group metals and alloys thereof
GB755835A (en) 1953-03-27 1956-08-29 Baker And Company Inc Process for producing grain stabilized metals and alloys
GB830628A (en) 1957-05-07 1960-03-16 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in the grain-stabilising of metals and alloys
US3159460A (en) 1957-07-10 1964-12-01 Engelhard Ind Inc Composite material
US3278280A (en) 1964-03-16 1966-10-11 Int Nickel Co Workable ruthenium alloy and process for producing the same
GB1032005A (en) 1964-05-13 1966-06-08 Int Nickel Ltd Ruthenium alloys
US3466158A (en) 1966-01-10 1969-09-09 Int Nickel Co Compound precious metal article having layer containing iridium or ruthenium
GB1162750A (en) 1967-07-10 1969-08-27 Int Nickel Ltd Drawing Ruthenium or Ruthenium-Rich Alloys to Wire
IT974759B (it) 1972-12-29 1974-07-10 Aquila Spa Procedimento per la separazione di etilbenzene da xileni
US3977841A (en) 1974-08-02 1976-08-31 General Motors Corporation Ruthenium powder metal alloy and method for making same
US3957451A (en) 1974-08-02 1976-05-18 General Motors Corporation Ruthenium powder metal alloy
US4351095A (en) 1977-12-12 1982-09-28 United Kingdom Atomic Energy Authority Method of making spark plugs
US4324588A (en) 1979-08-17 1982-04-13 Engelhard Corporation Arc erosion resistant composite materials and processes for their manufacture
JPS5657282A (en) 1979-10-13 1981-05-19 Ngk Spark Plug Co Ignition plug
US4771209B1 (en) 1979-10-22 1996-05-14 Champion Spark Plug Co Spark igniter having precious metal ground electrode inserts
US4659960A (en) 1984-05-09 1987-04-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrode structure for a spark plug
DE3446128A1 (de) 1984-12-18 1986-06-19 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Zuendkerze fuer brennkraftmaschinen
JPS62226592A (ja) 1986-03-28 1987-10-05 日本特殊陶業株式会社 点火プラグ
US4910428A (en) 1986-04-01 1990-03-20 Strumbos William P Electrical-erosion resistant electrode
DE3619854A1 (de) 1986-06-12 1987-12-17 Bosch Gmbh Robert Zuendkerze mit gleitfunkenstrecke
US4881913A (en) 1988-06-16 1989-11-21 General Motors Corporation Extended life spark plug/igniter
JPH03101086A (ja) 1989-09-14 1991-04-25 Ngk Spark Plug Co Ltd 内燃機関用スパークプラグ
US5866973A (en) 1991-04-30 1999-02-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug having a platinum tip on an outer electrode
JP3327941B2 (ja) 1991-10-11 2002-09-24 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JPH05335066A (ja) 1992-06-01 1993-12-17 Nippondenso Co Ltd 内燃機関用スパークプラグ
JP3315462B2 (ja) 1993-04-26 2002-08-19 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JP3265067B2 (ja) 1993-07-23 2002-03-11 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JPH0737674A (ja) 1993-07-26 1995-02-07 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ
JPH0750192A (ja) 1993-08-04 1995-02-21 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスエンジン用スパークプラグ
US5456624A (en) 1994-03-17 1995-10-10 Alliedsignal Inc. Spark plug with fine wire rivet firing tips and method for its manufacture
DE19502129C2 (de) 1995-01-25 2003-03-20 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitenden Cermets
US5550425A (en) 1995-01-27 1996-08-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Negative electron affinity spark plug
US6262522B1 (en) 1995-06-15 2001-07-17 Denso Corporation Spark plug for internal combustion engine
JP2877035B2 (ja) 1995-06-15 1999-03-31 株式会社デンソー 内燃機関用スパークプラグ
US5675209A (en) 1995-06-19 1997-10-07 Hoskins Manufacturing Company Electrode material for a spark plug
US5898257A (en) 1995-08-25 1999-04-27 Sequerra; Richard Isaac Combustion initiators employing reduced work function stainless steel electrodes
JPH09298083A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 内燃機関用スパークプラグ
US5793793A (en) 1996-06-28 1998-08-11 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug
JPH1022052A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ
US5890272A (en) 1996-11-12 1999-04-06 Usf Filtration And Separations Group, Inc Process of making fine metallic fibers
JP3672718B2 (ja) 1997-03-18 2005-07-20 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JP3269032B2 (ja) 1997-09-01 2002-03-25 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ及びそれを用いた内燃機関用点火システム
JPH1197151A (ja) 1997-09-17 1999-04-09 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ
SE511203C2 (sv) 1997-10-14 1999-08-23 Valmet Corp Långnypspress samt långnypspressko till densamma
JP3856551B2 (ja) 1997-11-19 2006-12-13 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JP4283347B2 (ja) 1997-11-20 2009-06-24 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
JP3796342B2 (ja) 1998-01-19 2006-07-12 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ及びその製造方法
US6407487B1 (en) 1998-02-27 2002-06-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug, alumina insulator for spark plug, and method of manufacturing the same
US6071163A (en) 1998-07-13 2000-06-06 Alliedsignal Inc. Wear-resistant spark plug electrode tip containing platinum alloys, spark plug containing the wear-resistant tip, and method of making same
US6045424A (en) 1998-07-13 2000-04-04 Alliedsignal Inc. Spark plug tip having platinum based alloys
JP3389121B2 (ja) 1998-11-27 2003-03-24 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ製造方法及び装置
JP3361479B2 (ja) 1999-04-30 2003-01-07 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグの製造方法
JP2000331770A (ja) 1999-05-19 2000-11-30 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ及び放電チップの製造方法
US6326719B1 (en) 1999-06-16 2001-12-04 Alliedsignal Inc. Spark plug shell having a bimetallic ground electrode spark plug incorporating the shell, and method of making same
BR0006701A (pt) 1999-07-29 2001-04-17 Bosch Gmbh Robert Vela de ignição para um motor de combustão interna
JP3931003B2 (ja) 1999-08-26 2007-06-13 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグの製造方法
DE10005559A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-23 Bosch Gmbh Robert Metallegierung mit Ruthenium und Zündkerze mit dieser Legierung
JP4419327B2 (ja) 2000-04-03 2010-02-24 株式会社デンソー 内燃機関用スパークプラグ及びその製造方法
DE10027651C2 (de) 2000-06-03 2002-11-28 Bosch Gmbh Robert Elektrode, Verfahren zu deren Herstellung und Zündkerze mit einer derartigen Elektrode
DE60102748T2 (de) 2000-06-30 2004-08-19 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya Zündkerze und ihr Herstellungsverfahren
US6412465B1 (en) 2000-07-27 2002-07-02 Federal-Mogul World Wide, Inc. Ignition device having a firing tip formed from a yttrium-stabilized platinum-tungsten alloy
US6611083B2 (en) 2000-12-15 2003-08-26 Savage Enterprises, Inc. Torch jet spark plug electrode
US6579738B2 (en) 2000-12-15 2003-06-17 Micron Technology, Inc. Method of alignment for buried structures formed by surface transformation of empty spaces in solid state materials
KR100379527B1 (ko) 2000-12-21 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 제조방법
JP2002343533A (ja) 2001-03-15 2002-11-29 Denso Corp 内燃機関用スパークプラグ
EP1298768B1 (de) 2001-03-28 2011-12-21 NGK Spark Plug Co., Ltd. Zündkerze
JP4651226B2 (ja) 2001-05-28 2011-03-16 石福金属興業株式会社 高融点難加工材の伸線加工方法
JP3647029B2 (ja) 2001-08-22 2005-05-11 田中貴金属工業株式会社 イリジウム又はイリジウム合金線材の引抜き加工方法
JP2003142226A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ
US6759795B2 (en) 2002-02-27 2004-07-06 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug
JP2004031300A (ja) 2002-05-10 2004-01-29 Ngk Spark Plug Co Ltd スパークプラグ
DE60302012T2 (de) 2002-06-21 2006-07-13 NGK Spark Plug Co., Ltd., Nagoya Zündkerze und ihr Herstellungsverfahren
JP3902756B2 (ja) 2002-10-31 2007-04-11 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
DE10252736B4 (de) 2002-11-13 2004-09-23 Robert Bosch Gmbh Zündkerze
JP4198478B2 (ja) 2003-01-30 2008-12-17 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ及びその製造方法
FI115009B (fi) 2003-03-18 2005-02-15 Waertsilae Finland Oy Menetelmä polttomoottorin sytytystulpan valmistamiseksi
WO2004105204A1 (ja) 2003-03-25 2004-12-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. スパークプラグ
US7131191B2 (en) 2003-04-15 2006-11-07 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method for manufacturing noble metal electric discharge chips for spark plugs
WO2004107517A1 (ja) 2003-05-28 2004-12-09 Ngk Spark Plug Co., Ltd. スパークプラグ
JP4220308B2 (ja) 2003-05-29 2009-02-04 株式会社デンソー スパークプラグ
FR2860654B1 (fr) 2003-09-11 2011-04-22 Ngk Spark Plug Co Bougie d'allumage pour temperatures elevees
US20050168121A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Federal-Mogul Ignition (U.K.) Limited Spark plug configuration having a metal noble tip
JP2005228562A (ja) 2004-02-12 2005-08-25 Denso Corp スパークプラグ
JP2008509531A (ja) 2004-08-03 2008-03-27 フェデラル−モーグル コーポレイション リフローされた点火先端部を有する点火装置およびその製造方法
US7288879B2 (en) 2004-09-01 2007-10-30 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug having ground electrode including precious metal alloy portion containing first, second and third components
EP1677400B1 (de) 2004-12-28 2019-01-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd Zündkerze
US7150252B2 (en) 2005-03-23 2006-12-19 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Spark plug and internal combustion engine equipped with the spark plug
DE102005032591B4 (de) 2005-07-11 2012-05-24 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Dotiertes Iridium mit verbesserten Hochtemperatureigenschaften
US20070057613A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Ut-Battelle, Llc Erosion resistant materials for spark plug components
US20070190364A1 (en) 2006-02-14 2007-08-16 Heraeus, Inc. Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets
DE102006015167B3 (de) 2006-03-30 2007-07-19 W.C. Heraeus Gmbh Verbund aus intermetallischen Phasen und Metall
US7569979B2 (en) 2006-04-07 2009-08-04 Federal-Mogul World Wide, Inc. Spark plug having spark portion provided with a base material and a protective material
US20070236124A1 (en) 2006-04-07 2007-10-11 Federal-Mogul World Wide, Inc. Spark plug
JP2008053018A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 内燃機関用スパークプラグ
JP2008053017A (ja) 2006-08-24 2008-03-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 内燃機関用スパークプラグ
JP2008077838A (ja) 2006-09-18 2008-04-03 Denso Corp 内燃機関用のスパークプラグ及びその製造方法
WO2008093922A1 (en) 2007-01-31 2008-08-07 Yura Tech Co., Ltd. Ignition plug
JP2008210446A (ja) 2007-02-26 2008-09-11 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
JP4716296B2 (ja) 2007-03-29 2011-07-06 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグの製造方法およびスパークプラグ
US20080308057A1 (en) 2007-06-18 2008-12-18 Lykowski James D Electrode for an Ignition Device
US8365694B2 (en) 2007-08-01 2013-02-05 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Easily removable spark plug
JP5113161B2 (ja) 2007-11-15 2013-01-09 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
KR101562411B1 (ko) 2007-12-20 2015-10-21 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 스파크 플러그 및 그 제조방법
KR101562410B1 (ko) 2007-12-20 2015-10-21 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 스파크 플러그 및 그 제조방법
CN102017340B (zh) 2008-04-24 2013-06-12 日本特殊陶业株式会社 火花塞
US7969078B2 (en) 2008-05-19 2011-06-28 Federal Mogul Ignition Company Spark ignition device for an internal combustion engine and sparking tip therefor
US8044561B2 (en) 2008-08-28 2011-10-25 Federal-Mogul Ignition Company Ceramic electrode, ignition device therewith and methods of construction thereof
KR20120098789A (ko) * 2009-11-24 2012-09-05 페더럴-모굴 이그니션 컴퍼니 백금계 전극 재료로 이루어진 스파크 플러그
DE102010027463B4 (de) 2010-07-17 2016-12-22 Federal-Mogul Ignition Gmbh Zündkerze und Verfahren zu ihrer Herstellung
US8436520B2 (en) 2010-07-29 2013-05-07 Federal-Mogul Ignition Company Electrode material for use with a spark plug

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10348778B3 (de) 2003-10-21 2005-07-07 Robert Bosch Gmbh Elektrode für eine Zündkerze und Verfahren zum Herstellen einer Elektrode
DE102004063077A1 (de) 2004-12-28 2006-07-13 Robert Bosch Gmbh Elektrodenwerkstoff, Zündeinrichtung diesen enthaltend und Verfahren zu deren Herstellung
DE102005038772A1 (de) 2005-08-15 2007-02-22 W.C. Heraeus Gmbh Draht aus oxiddispersionsgehärtetem Pt-lr- und anderen Legierungen mit verbesserter Oberfläche für Zündkerzenelektroden
US20110127900A1 (en) 2009-12-01 2011-06-02 Federal-Mogul Ignition Company Electrode material for a spark plug

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012002699T5 (de) 2014-03-27
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