DE112006001048T5 - Schaltungsteil, Herstellungsverfahren für Schaltungsteile, Halbleiterbauelement, und Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil - Google Patents

Schaltungsteil, Herstellungsverfahren für Schaltungsteile, Halbleiterbauelement, und Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil Download PDF

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Abstract

Schaltungsteil, das ein Rahmensubstrat aufweist, das durch Bildung eines Musters einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte ausgebildet ist, wobei ein Chip-Kontaktflächenabschnitt für einen Halbleiterchip vorgesehen ist, der darauf angebracht werden soll, und ein Leitungsabschnitt für eine elektrische Verbindung zum Halbleiterchip vorgesehen ist, wobei vorgesehen sind:
raue Oberflächen, die als aufgeraute Oberflächen auf oberen und seitlichen Wandseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, wobei
der Chip-Kontaktflächenabschnitt und der Leitungsabschnitt so ausgebildet sind, dass sie in einem Abdichtungsharz vergraben sind, bei welchem die Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.

Description

  • TECHNISCHES Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft unter anderem eine Laminatanordnung für Schaltungsteileoberflächen, und ein Oberflächenbehandlungsverfahren für einen Anschlussrahmen als Schaltungsteil, sowie ein Halbleiterbauelement, welches das Schaltungsteil verwendet, und insbesondere eine Vorgehensweise zur Erhöhung der Haftfestigkeit zwischen einem Anschlussrahmen und einem Abdichtungsharz abhängig von der Art eines Halbleitergehäuses.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Das Halbleiterbauelement kann ein Halbleitergehäuse mit einer Anordnung sein, die einen Halbleiterchip aufweist, beispielsweise einen IC-Chip oder einen LSI-Chip, angebracht auf einem Anschlussrahmen, und abgedichtet durch ein Isolierharz. Bei derartigen Halbleiterbauelementen haben sich infolge von Fortschritten in Bezug auf hohe Integration und Miniaturisierung deren Gehäuseanordnungen entwickelt zu derartigen Arten, die eine externe Leitung aufweisen, die aus einer Seitenwand eins Harzgehäuses vorsteht, wie bei einem SOJ (J-Leitungsgehäuse mit kleinen Außenabmessungen) und einem QFP (quadratisches, flaches Gehäuse), bis zu solchen Arten, bei denen eine äußere Leitung zum Freiliegen an der Rückseite eines Harzgehäuses vergraben ist, ohne nach außen vorzustehen, und die dünn sind, und eine kleine Implementierungsfläche benötigen, beispielsweise bei QFN (quadratisches, flaches, keine Leitungen aufweisendes Gehäuse) und SON (Gehäuse ohne Leitungen mit kleinen Außenabmessungen).
  • Als Anschlussrahmen sind jene bekannt (beispielsweise japanische Patentanmeldungs-Offenlegungsveröffentlichung Nr. 11-40720 (Seite 4, 1); Patentdokument 1), die einen solchen Aufbau aufweisen, dass bei einem Rahmensubstrat, das durch ein Isolierharz abgedichtet ist, dessen Oberflächen zum Aufrauen behandelt sind, und eine Schicht aus Nickel (Ni) und eine Schicht aus Palladium (Pd) in dieser Reihenfolge, auf die Oberflächen durch ein Plattierungsverfahren auflaminiert sind. Als Verfahren für den Aufrauvorgang werden Substratoberflächen von Anschlussrahmen chemisch durch eine Ätzlösung eines Systems mit einer organischen Säure poliert.
  • Als andere bekannte Anschlussrahmen gibt es jene (beispielsweise japanische Patentanmeldungs-Offenlegungsveröffentlichung Nr. 2004-349497 (Seite 7, 3); Patentdokument 2), bei welchen Rahmensubstratoberflächen mit einer plattierten Nickel-Außenhaut abgedeckt sind, die an der Vorderseite aufgeraut ist. Die Ausbildung einer derartigen aufgerauten Ni-Außenhaut wird durch Einstellung einer Bedingung des Plattierungsverfahrens ermöglicht.
  • Daher wird die Kombination der Ausbildung einer plattierten Ni-Außenhaut über der Oberfläche eines Anschlussrahmens und der Bereitstellung von Pd oder Au, die dort aufplattiert sind, in weitem Maße eingesetzt, um Herstellungsprozesse zu vereinfachen, und bei Umwelt orientierten Prozessen, bei denen kein Pb eingesetzt werden soll.
  • Weiterhin gibt es als Schaltungsteile, die in engen Kontakt mit einem Isolierharz versetzt werden sollen, unter anderem über Anschlussrahmen hinaus, beispielsweise Leiterplatten oder Sammelschienen von Verbindern, die in einem Stromanschlusskasten zur Verteilung einer Fahrzeugstromversorgung an beim Fahrzeug vorgesehenen Zusatzgeräten einsetzbar sind.
  • BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die Ätzlösung eines Systems mit einer organischen Säure bei dem voranstehend geschilderten Patentdokument 1 ist zwar wirksam bei einer Kupferoberfläche, die durch ein Plattierungsverfahren hergestellt wird, jedoch wenig wirksam zum Aufrauen von Oberflächen einer gewalzten Kupferplatte, die ein Substrat eines Anschlussrahmens bildet, was zu einem Problem führt. Bei der Behandlung mit einer Ätzlösung eines Systems mit einer organischen Säure weist tatsächlich die Oberfläche eines gewalzten Kupfersubstrats eine erhöhte Oberflächenrauigkeit auf, mit einem Oberflächenprofil, das nicht nadelförmig ist. Bei Anschlussrahmen, die zum Aufrauen mit einer Ätzlösung eines Systems mit einer organischen Säure behandelt wurden, war es daher schwierig, einen wesentlichen Effekt in Bezug auf das Anhaften an einem Isolierharz zu erwarten, welches ein Gehäuse bildet. Weiterhin benötigt das Aufrauen der Oberfläche mit einer Ätzlösung eines Systems mit einer organischen Säure eine Ätzung mit einer Tiefe von 3 μm gegenüber der Kupferoberfläche, um eine Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,15 μm zu erzielen, und muss eine tiefere Ätzung für eine stärkere Oberflächenrauigkeit durchgeführt werden. Ein derartiges Behandlungsverfahren benötigt daher viel Zeit für die Ätzung, und konnte nicht dazu angepasst werden, in der Praxis einen Anschlussrahmen herzustellen.
  • Das voranstehend geschilderte Patentdokument 2 beschreibt ein Plattierungsverfahren, durch welches eine an der Oberfläche aufgeraute Ni-Außenhaut ausgebildet wird, jedoch muss bei einem derartigen Verfahren die Ni-Außenhaut dick sein, um die Oberflächenrauigkeit zu erhöhen, die gleich 1 μm oder größer sein sollte, um einen stabilen Effekt hervorzurufen. Jüngere Trends verfolgen jedoch eine dünne, metallische Außenhaut, und es ist eine Dicke der Ni-Außenhaut von etwa 5 μm wünschenswert.
  • In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass bei Anschlussrahmen, die bei Halbleiterbauelementen einer derartigen Art eingesetzt werden, die dünn ist und eine kleine Implementierungsfläche aufweist, etwa QFN oder SON, eine untere Oberfläche einer äußeren Leitung an der Unterseite eines Harzgehäuses freiliegt, was zu einer kleineren, sich ergebenden Kontaktfläche zwischen der äußeren Leitung und einem Isolierharz führt. Daher ist es erforderlich, eine erhöhte Haftfestigkeit zwischen dem Anschlussrahmen und dem Isolierharz zur Verfügung zu stellen. In den letzten Jahren wurde ein erhöhtes Bedürfnis nach Halbleiterbauelementen festgestellt, die für den Einsatz bei Fahrzeugen geeignet sind, wobei bei derartigen Einsätzen Schwingungen und Temperaturschwankungen auftreten, was dazu führt, dass eine höhere Haftfestigkeit zwischen einem Anschlussrahmen und einem Isolierharz als bislang erforderlich ist.
  • Weiterhin sollten Anschlussrahmen angepasst an die Art des Gehäuses sein, wobei unter anderem jene Bereiche innerer Leitungen berücksichtigt werden müssen, bei denen Drahtbonden vorgenommen wird, und jene Bereiche äußerer Leitungen, die an eine Leiterplatte zur Implementierung (Leiterplatte mit einer gedruckten Schaltung) angelötet werden sollen.
  • Daher besteht ein Hauptvorteil der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines Anschlussrahmens, der eine Erhöhung der Haftfestigkeit an einem Dichtungsharz ermöglicht, und in der Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens für diesen, sowie eines Halbleiterbauelements.
  • Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Anschlussrahmens, der bei Gehäusetypen wie etwa QFN oder SON einsetzbar ist, und eines zugehörigen Herstellungsverfahrens, sowie eines Halbleiterbauelements.
  • Ein noch weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil, welche eine Erhöhung der Haftfestigkeit an einem Dichtungsharz ermöglicht.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Schaltungsteil ein Rahmensubstrat auf, das durch Ausbildung eines Musters einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt versehen ist, der eine Oberfläche für einen darauf anzubringenden Halbleiterchip aufweist, und einen Leitungsabschnitt für die elektrische Verbindung mit dem Halbleiterchip, wobei raue Oberflächen an oberen und seitlichen Wandoberflächen des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, und der Chip- Kontaktflächenabschnitt und der Leiterabschnitt als glatte Oberflächen ausgebildete untere Oberflächen aufweisen, und so ausgebildet sind, dass sie in einem Dichtungsharz vergraben werden, wobei eine Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Schaltungsteil ein Rahmensubstrat auf, das durch Bildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte ausgebildet ist, mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt für einen darauf anzubringenden Halbleiterchip, und einen Leitungsabschnitt für eine elektrische Verbindung mit dem Halbleiterchip, wobei glatte Oberflächen als ein Abschnitt an einer Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts und ein Abschnitt an der Oberseite des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, der mit einem Bondierungsdraht verbunden werden soll, Außenhäute aus Metall auf die glatten Oberflächen auflaminiert sind, und raue Oberflächen auf Bereichen mit Ausnahme der Unterseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts und Bereichen vorgesehen sind, in welchen die metallischen Außenhäute vorgesehen sind.
  • Weiterhin können jene Abschnitte des Schaltungsteils, die in Kontakt mit einer Harzdichtungsform versetzt werden sollen, als glatte Oberflächen ausgebildet sein.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass bei der vorliegenden Erfindung die voranstehend erwähnten, rauen Oberflächen vorzugsweise eine Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,3 μm oder mehr aufweisen können, und eine laminierte Außenhaut aus Metall vorzugsweise eine Ni-Außenhaut mit einer Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,5 bis 2 μm sein kann, eine Pd-Außenhaut mit einer Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm, und eine Au-Außenhaut mit einer Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,003 bis 0,01 μm, beim Zusammenlaminieren in dieser Reihenfolge. Die voranstehend erwähnten, rauen Oberflächen können vorzugsweise dadurch ausgebildet werden, dass eine Behandlung mit einer Mikroätzlösung erfolgt, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Bestandteile aufweist. Hierbei ist mit der Mikroätzlösung ein Oberflächenbehandlungsmittel gemeint, das zum geringfügigen Auflösen einer Metalloberfläche angepasst ist, um eine raue Oberfläche auszubilden, welche kleine Welligkeiten aufweist.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für Schaltungsteile die Schritte, ein Rahmensubstrat mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt und einem Leitungsabschnitt auszubilden, durch Bildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte, Aufrauen oberer Oberflächen und seitlicher Wandoberflächen des Rahmensubstrats, unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Bestandteile aufweist, mit einem Maskierungsmaterial, welches untere Oberflächen des Rahmensubstrats abdeckt, wobei nach dem Entfernen des Maskierungsmaterials metallische Außenhäute vorhanden sind, die auf vorderseitige Oberflächen des Rahmensubstrats auflaminiert sind.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Herstellungsverfahren für Schaltungsteile die Schritte, ein Rahmensubstrat mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt und einem Leitungsabschnitt auszubilden, durch Bildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte, Laminieren metallischer Außenhäute auf eine obere Oberfläche des Chip-Kontaktflächenabschnitts, und auf einen Endabschnitt des Leitungsabschnitts, der mit einem Bondierungsdraht verbunden werden soll, Bearbeitung des Rahmensubstrats durch Aufrauen der Oberfläche unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile enthält, mit einem Maskierungsmaterial, das untere Oberflächen des Rahmensubstrats abdeckt, und Entfernen des Maskierungsmaterials.
  • Die metallischen Außenhäute, die auf die obere Oberfläche des Chip-Kontaktflächenabschnitts und auf den Abschnitt des Leitungsabschnitts auflaminiert werden, der mit dem Bondierungsdraht verbunden werden soll, können vorzugsweise jeweils als eine Ag-Außenhaut innerhalb eines Bereiches von 2 bis 15 μm ausgebildet sein, oder als metallische Außenhaut, die eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut aufweist, die in dieser Reihenfolge auf das Rahmensubstrat auflaminiert sind.
  • Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Halbleiterbauelement ein Schaltungsteil auf, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, und einen Chip-Kontaktflächenabschnitt und einen Leitungsabschnitt aufweist, raue Oberflächen, die auf oberen und seitlichen Wandseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, glatte Oberflächen als untere Oberflächen des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts, und metallische Außenhäute, die auf den Oberflächen vorgesehen sind, einen Halbleiterchip, der an einer Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts angebracht ist, einen Bondierungsdraht, welcher den Halbleiterchip und den Leitungsabschnitt verbindet, und ein elektrisch isolierendes Abdichtungsharz, das so ausgebildet ist, dass in ihm das Schaltungsteil, der Halbleiterchip, und der Bondierungsdraht abgedichtet ist, wobei die Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  • Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Halbleiterbauelement ein Schaltungsteil auf, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, wobei ein Chip-Kontaktflächenabschnitt und ein Leitungsabschnitt vorgesehen sind, glatte Oberflächen als obere Oberfläche des Chip-Kontaktflächenabschnitts und ein Abschnitt einer Vorderseitenoberfläche des Leitungsabschnitts, zum Verbinden mit einem Bondierungsdraht, metallische Außenhäute, die auf die glatten Oberflächen auflaminiert sind, und raue Oberflächen, die auf Bereichen mit Ausnahme von Rückseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts und von Bereichen vorgesehen sind, bei welchen die metallischen Außenhäute vorgesehen sind, einen Halbleiterchip, der an der Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts angebracht ist, wobei der Bondierungsdraht den Halbleiterchip und den Leitungsabschnitt verbindet, und ein elektrisch isolierendes Abdichtungsharz, das so ausgebildet ist, dass in ihm das Schaltungsteil, der Halbleiterchip, und der Bondierungsdraht abgedichtet sind, wobei eine untere Seite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  • Gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil, zur Verbindung mit einem Isolierharz, eine raue Oberfläche auf, die an einer Vorderseite eines leitfähigen Substrats vorgesehen ist, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, mit einer Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,3 μm oder mehr, und eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut, die in dieser Reihenfolge auf die raue Oberfläche auflaminiert sind, wobei die Ni Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,5 bis 2 μm aufweist, und die Pd-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm aufweist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Aufsicht auf einen Anschlussrahmen gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Schnittansicht, welche einen Prozess eines Herstellungsverfahrens für den Leiterrahmen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 3 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens des Anschlussrahmens gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 4 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens für den Anschlussrahmen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 5 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens für den Anschlussrahmen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens für den Anschlussrahmen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 7 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess eines Herstellungsverfahrens für ein Halbleiterbauelement gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 8 ist eine Schnittansicht, die einen Prozess des Herstellungsverfahrens für das Halbleiterbauelement gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 9 ist eine Schnittansicht des Halbleiterbauelements gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 10 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines aufgerauten Abschnitts eines Anschlussrahmens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 ist eine Perspektivansicht, die eine Ansicht eines Haftfestigkeitstests zeigt.
  • 12(a) bis (d) sind Schnittansichten, die eine Abfolge von Herstellungsprozessen für einen Anschlussrahmen gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern.
  • 13(a) bis (d) sind Schnittansichten, die eine Abfolge von Herstellungsprozessen für ein Halbleiterbauelement gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern.
  • 14 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines aufgerauten Abschnitts eines Anschlussrahmens gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 15(a) bis (e) sind Schnittansichten, die eine Abfolge von Herstellungsprozessen für einen Anschlussrahmen gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern.
  • 16(a) bis (e) sind Schnittansichten, die eine Abfolge von Herstellungsprozessen für ein Halbleiterbauelement gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutern.
  • BESTE ART UND WEISE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden im einzelnen Schaltungsteile, Herstellungsverfahren für Schaltungsteile, Halbleiterbauelemente, und Oberflächenlaminatanordnungen für Schaltungsteile gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erläutert. Es wird darauf hingewiesen, dass die Zeichnungen schematisch sind, und in Bezug auf jeweilige Materialschichten, deren Dicken, deren Verhältnis, usw. von den tatsächlichen Verhältnissen verschieden sind. Bestimmte Angaben in Bezug auf die Dicke und die Abmessungen sollten daher unter Berücksichtigung der folgenden Beschreibung betrachtet werden. Weiterhin können selbstverständlich die Zeichnungen auch derartige Teile enthalten, die sich voneinander in Bezug auf die Beziehung der Abmessungen oder das Verhältnis unterscheiden.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Die 1 bis 9 zeigen eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1 ist eine Aufsicht auf einen Anschlussrahmen, und die 2 bis 9 erläutern Prozesse bei einem Herstellungsverfahren für den Anschlussrahmen, sowie für ein Halbleiterbauelement, in Bezug auf einen Schnitt A-A von 1.
  • (Ausbildung des Anschlussrahmens)
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird ein Anschlussrahmen 1 in Form eines Rahmensubstrats 2 als eine gewalzte Kupferplatte oder eine gewalzte Kupferlegierungsplatte in Form eines länglichen Bands hergestellt, das etwa durch Ätzen oder Stanzen mit einem Werkzeug mit einem Muster versehen wird, so dass mehrere aufeinanderfolgende Einheitsmuster vorhanden sind. Es wird darauf hingewiesen, dass 1 ein einzelnes Einheitsmuster in dem Anschlussrahmen 1 zeigt.
  • Wie aus 1 hervorgeht, weist das Einheitsmuster des Anschlussrahmens 1 einen Chip-Kontaktflächenabschnitt 3 auf, der in einem zentralen Bereich mit Rechteckform für darauf anzubringenden Halbleiterchip ausgebildet ist, eine Gruppe von Leitungsabschnitten 8, die so ausgebildet sind, dass sie den Chip-Kontaktflächenabschnitt 3 umgeben, eine Gruppe von Verbindungsgliedern 6, welche den Chip-Kontaktflächenabschnitt 3 mit dem Rahmensubstrat 2 verbinden, und eine Gruppe von Verbindungsgliedern 7, welche seitlich Leitungsabschnitte 8 miteinander verbinden. Diese Leitungsabschnitte 8 weisen derartige Abmessungen auf, dass sie nicht aus einer seitlichen Wand eines Abdichtungsharzes 15 vorstehen, wie dies noch erläutert wird. Es wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Ausführungsform, bei welcher Verbindungsglieder 7 vorgesehen sind, welche seitlich Leitungsabschnitte 8 verbinden, so abgeändert werden kann, dass Verbindungsglieder 7 weggelassen werden, zur Ausbildung eines derartigen Musters, welches Leitungsabschnitte 8 aufweist, die von einem äußeren Rahmenteil des Rahmens 2 zum Umfang des Chip-Kontaktflächenabschnitts 3 verlaufen.
  • Bei dem Anschlussrahmen 1 gemäß der vorliegenden Erfindung werden obere Oberflächen (Oberflächen an jener Seite, auf welche ein Halbleiterchip angebracht werden soll) sowie seitliche Wandoberflächen so behandelt, dass sie aufgeraut werden, unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile aufweist, zur Bereitstellung rauer Oberflächen 3A und 3B sowie 8A und 8B, wie in den 4 und 5 gezeigt. Bei diesen rauen Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B ist die Oberflächenrauigkeit (Ra) auf den Bereich von innerhalb 0,3 μm oder mehr eingestellt, und verlaufen deren Oberflächenprofile wellenförmig, mit nadelförmigen Vorsprüngen. Das Rahmensubstrat 2 weist untere Oberflächen (Oberflächen an der Seite entgegengesetzt zur Seite der Anbringung des Halbleiterchips) auf, die als glatte Oberflächen ausgebildet sind.
  • Weiterhin sind, wie in 6 gezeigt, metallische Außenhäute 10 auf Oberflächen des Rahmensubstrats 2 aufplattiert, einschließlich der Chip-Kontaktflächenabschnitte 3, der Leitungsabschnitte 8, usw. Es wird darauf hingewiesen, dass bei der vorliegenden Ausführungsform, wie in 10 gezeigt, jede metallische Außenhaut 10 aus einer Ni-Außenhaut 17 und einer Pd-Außenhaut 18 besteht, die in dieser Reihenfolge auf Oberflächen des Rahmensubstrats 2 auflaminiert sind. Weiterhin ist die Dicke auf innerhalb eines Bereiches von 0,5 bis 2 μm für die Ni-Außenhaut 17 eingestellt, und auf innerhalb eines Bereiches von 0,0055 bis 0,2 μm für die Pd-Außenhaut 18. Weiterhin wird darauf hingewiesen, dass die Pd-Außenhaut 18 eine metallische Schicht ist, die gute Eigenschaften für Verbindungen mit einem Bondierungsdraht und Lötpaste aufweist, was es ermöglicht, eine Drahtbondierung zum Anschluss eines Bondierungsdrahts 13 wie in 7 gezeigt durchzuführen, und ein Anlöten an eine nicht dargestellte Leiterplatte zum Implementieren (eine Leiterplatte mit einer gedruckten Schaltung).
  • Bei einer derartigen Ausbildung des Anschlussrahmens 1 wird für raue Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B die Oberflächenrauigkeit (Ra) auf einen Bereich von 0,3 μm oder mehr eingestellt, und werden Bereiche für die Dicke sowohl der Ni-Außenhaut 17 als auch der Pd-Außenhaut 18, welche jede metallische Außenhaut 10 bilden, eingestellt, wodurch eine sichere Ausbildung nadelförmiger Vorsprünge auf Oberflächen sichergestellt wird, die mit metallischen Außenhäuten 10 beschichtet sind, ohne die Oberflächenprofile der rauen Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B zu unterbrechen. Wenn der Anschlussrahmen 1 mit einem Harz abgedichtet wird, können daher kleine Vorsprünge, die bei der metallischen Außenhaut 10 vorhanden sind, Verankerungseffekte zeigen, zum Eingraben in das Dichtungsharz.
  • (Herstellungsverfahren für einen Anschlussrahmen)
  • Als nächstes erfolgt unter Bezugnahme auf die 2 bis 6 eine Beschreibung eines Herstellungsverfahrens für einen Anschlussrahmen gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Bei dieser Ausführungsform wird zuerst ein Rahmensubstrat 2 zur Verfügung gestellt, welches mit Oberflächenkontaktabschnitten 3 versehen ist, mit Leitungsabschnitten 8, usw., wie in 2 gezeigt. Als Rahmensubstrat 2 (eine gewalzte Kupferlegierungsplatte) kann als das einzusetzende Material beispielsweise eine Ni-Kupferlegierung mit niedrigem Zinngehalt MF202 von Mitsubishi Metex eingesetzt werden.
  • Weiterhin weist, wie in 3 gezeigt, das Rahmensubstrat 2 einen Schutzfilm 9 auf, der als Maskierungsmaterial auf dessen Unterseite (eine Hauptseite) auflaminiert ist. Dann erfolgt bei jenen Abschnitten des Rahmensubstrats 2, die nicht durch den Schutzfilm 9 abgedeckt sind, eine Mikroätzung über annähernd 90 Sekunden, durch Eintauchen in eine Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile enthält, zur Ausbildung derartiger rauer Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B, wie sie in 4 gezeigt sind. Diese rauen Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B weisen Oberflächenprofile auf, die eine Welligkeit entsprechend abgelagerter Nadeln oder Ausfällungsnadeln aufweisen. Eine derartige Aufraubehandlung führte zu einer Stärke der Ätzung von 2 μm, einer Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,33 μm, und einem S-Verhältnis von 2,08 auf den rauen Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B. Es wird darauf hingewiesen, dass die Stärke der Ätzung als mittlere Eindringtiefe der Ätzung zu verstehen ist. Das S-Verhältnis gibt einen Wert einer Oberfläche einer welligen Oberfläche an, geteilt durch eine Fläche einer Ebene im Messbereich.
  • Dann wird, wie in 5 gezeigt, der Schutzfilm (das Maskierungsmaterial) abgetrennt, und werden derartige metallische Außenhäute 10 wie in 6 gezeigt ausgebildet. Es wird darauf hingewiesen, dass die metallischen Außenhäute 10, die jeweils aus einer Ni-Außenhaut 17 und einer Pd-Außenhaut 18 bestehen, in dieser Reihenfolge auf die Oberflächen des Rahmensubstrats 2 auflaminiert sind, wie geschildert. Weiterhin wird darauf hingewiesen, dass das Verfahren zur Ausbildung der metallischen Außenhaut 10 ein wohlbekanntes Verfahren sein kann, beispielsweise stromloses Plattieren. Hierbei wird das Wachstum der metallischen Außenhaut so gesteuert, dass die Ni-Außenhaut 17 eine Dicke innerhalb des Bereiches von 0,5 bis 2 μm aufweist, und die Pd-Außenhaut 18 eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm aufweist. Auf diese Weise ist die Herstellung eines Anschlussrahmens beendet.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann das Herstellungsverfahren für einen Anschlussrahmen eine kürzere Ätzzeit aufweisen, und eine erhöhte Produktivität. Weiterhin ermöglichen dünne, metallische Außenhäute 10 einen verringerten Verbrauch einer teuren Plattierungslösung.
  • Als nächstes erfolgt eine Beschreibung eines Herstellungsverfahrens für ein Halbleiterbauelement, sowie der Ausbildung des Halbleiterbauelements, unter Bezugnahme auf die 7 bis 9.
  • Wie in 7 gezeigt, wird ein Halbleiterchip 11 über ein Pastenmittel 12 auf einer oberen Oberfläche eines Chip-Kontaktflächenabschnitts eines Leiterrahmens 1 angebracht, der durch das voranstehend geschilderte Herstellungsverfahren hergestellt wurde. Dann werden durch Drahtbondieren Leitungsabschnitte 8 durch Sondieren von Drähten 13 an ihren distalen Enden mit entsprechenden Elektroden des Halbleiterchips 11 verbunden. Weiterhin weist, wie in 8 gezeigt, der Anschlussrahmen 1 einen Schutzfilm 14 zum Verhindern eines Ausleckens von Harz auf, der an dessen Unterseite anlaminiert ist, und ist die gesamte Anordnung mit einem Abdichtungsharz 15 ausgeformt, das beispielsweise ein Epoxyharz ist. Dann wird die Kombination aus dem Dichtungsharz 15 und dem Anschlussrahmen 1 auf eine gewünschte Form geschnitten, wodurch ein derartiges Halbleiterbauelement (Halbleitergehäuse) 16 fertig gestellt wird, wie es in 9 gezeigt ist.
  • Bei dem Halbleiterbauelement 16 gemäß dieser Ausführungsform liegen untere Oberflächen des Chip-Kontaktflächenabschnitts 3 und der Leitungsabschnitte 8 nach unterhalb des Abdichtungsharzes 15 frei. Freiliegende Leitungsabschnitte 8 werden jeweils durch Anlöten an ein Ende einer nicht dargestellten Leiterplatte zur Implementierung (eine Leiterplatte mit einer gedruckten Schaltung) verbunden.
  • Bei einer derartigen Ausbildung des Halbleiterbauelements 16, bei welchem Vorderseitenoberflächen des Chip-Kontaktflächenabschnitts 3 und der Leiterabschnitte 8 aufgeraut sind, mit Ausnahme unterer Oberflächen, ist deren Haftfestigkeit an dem Abdichtungsharz 15 hoch, wodurch ermöglicht wird, eine Standfestigkeit gegenüber Schwingungen und Temperaturschwankungen zu erzielen.
  • Als nächstes erfolgt eine Beschreibung eines Vergleichs zwischen dem Fall einer Aufrauungsbehandlung bei einer gewalzten Kupferlegierungsplatte gemäß der vorliegenden Erfindung, und einem Fall der Behandlung in einem System mit einer organischen Säure.
  • In der nachstehenden Tabelle 1 sind Kombinationen der Stärke der Ätzung, der Oberflächenrauigkeit (Ra), des S-Verhältnisses, und der Ätzzeit bei einem Beispiel für die Oberflächenbehandlung unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile gemäß der vorliegenden Erfindung aufweist, angegeben, sowie Vergleichsbeispiele, bei denen ein System mit einer organischen Säure (bei welchem CZ8100® eingesetzt wird) wie in der Vergangenheit eingesetzt wird. Die Vergleichsbeispiele sind für Stärken der Ätzung von 1 μm, 2 μm, und 3 μm angegeben. (Tabelle 1)
    Behandlungs- Lösung Wasserstoffperoxid + Schwefelsäure Vergleichsbeispiele mit einem System einer organischen Säure (C28100)
    Stärke der Ätzung 2 μm 1 μm 2 μm 3 μm
    Rauigkeit (Ra) 0,33 μm 0,085 μm 0,105 μm 0,152 μm
    S-Verhältnis 2,08 1,11 1,13 1,20
    Ätzzeit annähernd 1,5 min annähernd 3 min annähernd 6 min annähernd 9 min
  • Aus den Vergleichsbeispielen in der voranstehenden Tabelle 1 geht hervor, dass der Einsatz eines Systems mit einer organischen Säure eine Ätzung mit einer Tiefe von 3 μm benötigt, um eine Rauigkeit von 0,15 μm zu erzielen. Daraus geht hervor, dass es zur Erzielung einer höheren Rauigkeit erforderlich ist, eine tiefere Ätzung durchzuführen, wobei Zeit für die Ätzung benötigt wird, was dazu führt, dass dies nicht den Anforderungen an die Erzeugung eines Anschlussrahmens in der Praxis entspricht. Im Gegensatz hierzu wird bei einer Oberflächenbehandlung gemäß der vorliegenden Ausführungsform ermöglicht, eine Oberflächenrauigkeit zu erzielen, die das Doppelte oder mehr im Vergleich zum Vergleichsbeispiel beträgt, durch eine Ätzungstiefe von 2 μm. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Oberflächenbehandlung unter Verwendung einer Mikroätzlösung durchgeführt, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile aufweist, wodurch ermöglicht wird, eine Oberflächenausbildung mit kleinen, nadelförmigen Welligkeiten zu erzeugen. Von dieser Ausbildung wird angenommen, dass sie einen stärkeren Verankerungseffekt erzielt, als aus einer numerischen Angabe der Parameter erwartet werden könnte.
  • Zur Messung der Haftfestigkeit an einem Abdichtungsharz bei der vorliegenden Ausführungsform wurde eine derartige Becherabscherungsfestigkeit gemessen, wie dies in 11 dargestellt ist. Auf einer gewalzten Kupferlegierungsplatte aus einer Kupferlegierung (MF202) wurde eine metallische Außenhaut wie voranstehend geschildert ausgebildet, und wurde ein Versetzungsverhinderungsprozess durchgeführt, wodurch ein Haftungsfestigkeitstestteil 20 hergestellt wurde. Dieses Haftungsfestigkeitstestteil 20 wurde einmal auf 220 °C über 60 Sekunden auf einer heißen Platte erwärmt, und dann zusätzlich auf 220 °C über 60 Sekunden auf der heißen Platte, und dann auf 240 °C 80 Sekunden lang auf der heißen Platte. Zum Ausformen wurde eine Erwärmung unter einem Druck von 125 kg/cm2 bei 175 °C über 120 Sekunden durchgeführt. Dann wurde eine zusätzliche Erwärmung 5 Stunden lang bei 175 °C durchgeführt, wodurch ein Epoxyharz 21 ausgehärtet wurde.
  • Auf dieses ausgeformte Epoxyharz 21 und das Haftfestigkeitstestteil 20 wurde eine Belastung in Richtung eines in 11 dargestellten Pfeils ausgeübt, und die Belastung beim Trennen wurde durch die Fläche der Verbindungsoberfläche geteilt, um eine Belastung (kN/cm2) pro Flächeneinheit zu bestimmen.
  • Daher ergaben sich die folgenden Werte als Werte für die Scherfestigkeit, die bestätigten, dass ein Aufrauungsvorgang gemäß der vorliegenden Erfindung einen Verstärkungseffekt in Bezug auf die Haftfestigkeit des Abdichtungsharzes hat.
    • (1) 0,04 kN/cm2 für keine Aufrauung
    • (2) 0,42 kN/cm2 für Aufrauung oder einen Antikorrosionsprozess
    • (3) 0,54 kN/cm2 für einen Antikorrosionsprozess mit einem Mitglied der Silangruppe
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 12 und 13. Es wird darauf hingewiesen, dass bei dieser Ausführungsform gleiche Teile wie bei der ersten Ausführungsform mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, um eine redundante Beschreibung zu vermeiden.
  • Bei der zweiten Ausführungsform werden bei einem Anschlussrahmen als Schaltungsteil jene Oberflächenabschnitte, die in Kontakt mit einer Harzabdichtungsform ausgebildet werden sollen, glatt ausgebildet, und werden die verbleibenden Oberflächenabschnitte aufgeraut, um eine Verhinderung eines Austretens von Harz und das Auftreten von Harzgraten zu ermöglichen, wenn das Abdichtungsharz ausgeformt wird. 12(a) zeigt einen Schnitt eines Rahmensubstrats 2, das mit einem Muster wie in 2 versehen ist. Für die teilweise Aufrauung wird, wie in 12(b) gezeigt, anstelle des Verfahrens des Laminierens eines Schutzfilms auf eine Unterseite eines Rahmensubstrats 2, wie unter Bezugnahme auf 3 beschrieben, ein Verfahren des Einquetschens eines Rahmensubstrats 2 durch ein Paar aus einem oberen und einem unteren Ätzwerkzeug 29 und 30 eingesetzt, wobei Gummifüllkörperelemente 27 und 28 dazwischen angeordnet werden, und eine Mikroätzlösung 32 von einer Düse 31 aus eingespritzt wird, die sich durch das Ätzwerkzeug 29 erstreckt, über einen vorbestimmten Zeitraum, auf das Rahmensubstrat 2, damit dieses zum Aufrauen der Oberfläche eine Mikroätzung erfährt.
  • Hierbei dienen das Gummifüllkörperelement 27, das die Unterseite des Rahmensubstrats 2 abdeckt, und das Gummifüllkörperelement 28, welches jene Oberflächenabschnitte der Innenseite des Rahmensubstrats 2 abdeckt, die in Kontakt mit der Harzabdichtungsform versetzt werden können, als Maskierungsmaterialien zum Schutz gegen eine Mikroätzung dieser Oberflächenabschnitte des Rahmensubstrats 2 so, dass diese glatt bleiben.
  • 12(c) zeigt das Rahmensubstrat 2 in dem Zustand nach dem Ätzen, wenn es aus den Atzwerkzeugen entnommen wird, wobei jene Abschnitte 24 der unteren Oberflächen 23 und der oberen Oberflächen, die von dem Gummifüllkörperelement 27 abgedeckt wurden (also jene Oberflächenabschnitte, die in Kontakt mit der Harzabdichtungsform versetzt werden sollen) als glatte Oberflächen verbleiben, und die übrigen Oberflächen als raue Oberflächen 3A, 3B und 8A, 8B ausgebildet werden.
  • Als nächstes werden, wie in 12(d) gezeigt, metallische Außenhäute auf Oberflächen des Rahmensubstrats 2 angeordnet, einschließlich eines Chip-Kontaktflächenabschnitts 3 und Leiterabschnitten 8, wie bei der ersten Ausführungsform.
  • 13 zeigt eine Abfolge von Prozessen unter Verwendung eines derartigen Anschlussrahmens 1A zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Für den Anschlussrahmen 1A wird, wie in 13(a) gezeigt, ein Halbleiterchip 11 an einer Oberseite eines Chip-Kontaktflächenabschnitts angebracht, mit einem Pastenmittel 12 dazwischen, wobei dann durch Drahtbunden Leitungsabschnitte 8 durch Bondierungsdrähte 13 mit entsprechenden Elektroden des Halbleiterchips 11 verbunden werden.
  • Dann erfolgt, wie in 13(b) gezeigt, unter Verwendung einer Harzabdichtungsform 25, eine Ausformung mit einem Abdichtungsharz 15. 13(c) zeigt einen Zustand nach dem Harzausformen, bei welchem der Anschlussrahmen aus der Harzabdichtungsform 25 entnommen wird. In diesem Zustand werden unbenötigte Teile von Leitungsabschnitten auf eine gewünschte Form geschnitten, wodurch der Halbleiter (Halbleitergehäuse) fertig gestellt wird, wie in 13(d) gezeigt. Es wird darauf hingewiesen, dass diese Ausführungsform ein erläuterndes Beispiel für das einzelne Ausformen darstellt, wobei keine Schneidvorrichtungs-Schneidprozesse zum Schneiden wie beim Ausformen in Stückform erforderlich sind.
  • Bei der Ausformung des Harzes durch das Abdichtungsharz in 13(b) könnten dann, wenn jene Oberflächenabschnitte des Anschlussrahmens 1A, die in Kontakt mit der Harzabdichtungsform 25 stehen, rau wären, die Harzabdichtungsform 25 und der Anschlussrahmen 1A Spalte zwischen sich aufweisen, in welche Abdichtungsharz eingedrungen sein könnte, wodurch Grate ausgebildet werden, oder kann Abdichtungsharz nach außerhalb der Form im Extremfall ausgetreten sein. Bei der vorliegenden Ausführungsform, bei welcher auch aufgeraute Oberflächenabschnitte gleiche Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform zur Verfügung stellen, sind jene Oberflächenabschnitte des Anschlussrahmens 1A, die in Kontakt mit der Harzabdichtungsform 25 versetzt werden sollen, als glatte Oberflächen ausgebildet, und steht die Harzabdichtungsform 25 in engem Kontakt mit dem Anschlussrahmen 1A, was dazu führt, dass Harzgrate oder ein Austreten von Harz verhindert werden.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung eines Schaltungsteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, unter Bezugnahme auf die 15 und 16. Es wird darauf hingewiesen, dass bei dieser Ausführungsform gleiche Teile wie bei der ersten Ausführungsform mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, um eine Redundanz zu verhindern.
  • Diese Ausführungsform stellt vorher ein Rahmensubstrat 2 zur Verfügung, das in 15(a) gezeigt ist, das aus einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, und ein vorbestimmtes Muster eines Anschlussrahmens auf sich aufweist, einschließlich eines Chip-Kontaktflächenabschnitts 3, Leitungsabschnitten 8, usw., durch Ätzen oder Stanzen mit einem Werkzeug.
  • Dann werden, wie in 15(b) gezeigt, Edelmetallaußenhäute 10B auf einem Halbleiterchip-Montageabschnitt einer oberen Oberfläche einer Chip-Kontaktfläche und auf Bondierungsdraht-Verbindungsabschnitten oberer Leitungsabschnitte des Rahmensubstrats 2 angeordnet, und wird, wie in 15(c) gezeigt, ein Schutzfilm (Maskierungsmaterialfilm) 9 an die Unterseite des Rahmensubstrats 2 anlaminiert.
  • Als nächstes wird eine Mikroätzlösung über Oberflächen des Rahmensubstrats 2 eingespritzt, oder wird das Rahmensubstrat 2 in eine Mikroätzlösung eingetaucht, über einen vorbestimmten Zeitraum (annähernd 90 Sekunden), für eine Mikroätzung, um jede der aufgerauten Oberflächen 3A, 3B sowie 8A, 8B auszubilden, wie in 15(d) gezeigt. In diesem Fall erfolgt bei jenen Abschnitten von Oberflächen des Rahmensubstrats 2, bei welchen Edelmetall-Außenhäute 10B aufplattiert sind, und jenen Abschnitten, an welche der Schutzfilm 9 auflaminiert ist, keine Mikroätzung, so dass Oberflächen des Rahmensubstrats 2 übrig bleiben, die glatt sind. 15(e) ist ein Schnitt durch den Anschlussrahmen 1, nach Entfernen eines Schutzfilms 9, wenn dieser fertig gestellt ist, wobei Edelmetall-Außenhäute 10B glatte Oberflächen wie bisher aufweisen, wobei untere Oberflächen 23 und andere Oberflächen mit Ausnahme von diesen als raue Oberflächen 3A, 3B bzw. 8A, 8B ausgebildet sind.
  • Nunmehr wird darauf hingewiesen, dass die Edelmetall-Außenhäute 10B jeweils als eine Ag-Außenhaut ausgebildet sind, oder als eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut, die in dieser Reihenfolge auf eine Oberfläche des Rahmensubstrats 2 auflaminiert sind.
  • 16 zeigt eine Abfolge von Prozessen eines QFN (eines quadratischen, ebenen, nicht mit Leitungen versehenen Gehäuses), unter Verwendung eines Anschlussrahmens, der durch die Prozesse in 15 hergestellt wird, gemäß der vorliegenden Erfindung. 16(a) zeigt einen Schnitt des Anschlussrahmens, auf welchem mehrere Einheitsmuster vorgesehen sind, gemäß 15(e).
  • Dann wird, wie in 16(b) gezeigt, ein Film zum Verhindern eines Harzgrates an der Unterseite des Anschlussrahmens befestigt, falls erforderlich, und wird ein Halbleiterchip 11 an der Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts angebracht, mit einem Pastenmittel 12 dazwischen, und werden danach durch Drahtbondieren Leitungsabschnitte 8 durch Bondierungsdrähte 13 mit entsprechenden Elektroden des Halbleiterchips 11 verbunden.
  • Als nächstes erfolgt, wie in 16(c) gezeigt, unter Verwendung einer Harzabdichtungsform (Stückausbildungsform) 25 eine stückweise Ausformung (mittels Abdichtung durch ein Harz) durch ein Abdichtungsharz 15.
  • Dann werden, für eine verbesserte Lotverbindungsfähigkeit bei der Implementierung, wie in 16(d) gezeigt, Lotaußenhäute 22 auf dem Chip-Kontaktflächenabschnitt und dem Leitungsabschnitt angeordnet, die teilweise außerhalb des Abdichtungsharzes freiliegen, und dann wird der stückförmig ausgebildete Anschlussrahmen entlang Ausschneidewegen 26 geschnitten, wodurch ein einzelnes Halbleiterbauelement fertig gestellt wird, wie in 16(e) gezeigt ist.
  • Die dritte Ausführungsform weist gleiche Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform auf. Es wird darauf hingewiesen, dass bei der vorliegenden Ausführungsform metallische Außenhäute einfach auf einer Halbleiterchip-Montageoberfläche als auch auf Drahtbondierungsoberflächen durch Plattierung aufgebracht werden, und eine Unterseite jedes Leitungsabschnitts, der verlötet werden soll, eine darauf angebrachte Löt-Außenhaut aufweist, wodurch ermöglicht wird, dass Einsparungen in Bezug auf eine kostenaufwendige Edelmetall-Plattierungslösung ermöglicht werden, niedrige Herstellungskosten ermöglicht werden, und eine verbesserte Drahtverbindung und eine bessere Anbringbarkeit für einen Halbleiterchip 11 ermöglicht werden.
  • [Oberflächenlaminatanordnung für Schaltungsteile]
  • Als nächstes erfolgt eine Beschreibung einer Oberflächenlaminatanordnung für Schaltungsteile gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 10. An einer Oberflächenseite eines Rahmensubstrats 2 als leitfähigem Material, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, befindet sich eine raue Oberfläche 8A, die eine Rauigkeit von 0,3 μm oder mehr aufweist, wobei eine Ni-Außenhaut 17 und eine Pd-Außenhaut 18 in dieser Reihenfolge zusammenlaminiert sind. Vorzugsweise liegt die Dicke der Ni-Außenhaut im Bereich von 0,5 bis 2 μm, und liegt jene der Pd-Außenhaut im Bereich von 0,005 bis 0,2 μm. Eine derartige Oberflächenlaminatanordnung sorgt für eine erhöhte Haftungskraft zwischen dem leitfähigen Material und dem Isolierharz. Weiterhin kann, wie in 14 gezeigt, eine Au-Außenhaut 19 vorgesehen sein, die zum Laminieren auf der Pd-Außenhaut 18 vorgesehen ist, mit einer Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,003 bis 0,01 μm. Eine derartige Au-Außenhaut ist wirksam dafür, die Ausbildung eines Oxidfilms auf der Pd-Außenhaut zu verhindern.
  • [Andere Ausführungsformen]
  • Die Zeichnungen und die Beschreibung als Teil der Offenbarung der voranstehenden Ausführungsformen sollten nicht als einschränkend für die vorliegende Erfindung verstanden werden. Fachleuten auf diesem Gebiet werden Abänderungen unterschiedlicher Ausführungsformen, unterschiedlicher Beispiele für Ausführungsformen, und Vorgehensweisen zur Ausführung aus dieser Offenbarung deutlich werden.
  • Beispielsweise können die erste, zweite und dritte Ausführungsform, bei welchen die metallische Außenhaut 10 als Laminat aus einer Einzelschicht einer Ag-Schicht ausgebildet ist, oder als Doppelschicht aus einer Ni-Außenhaut 17 und einer Pd-Außenhaut 18, so abgeändert werden, dass eine metallische Außenhaut 10A als Laminat mit einer zusätzlichen Au-Außenhaut 19 vorgesehen ist, die auf die Pd-Außenhaut 18 aufplattiert ist, wie bei der Oberflächenlaminatanordnung für Schaltungsteile, die in 14 gezeigt ist. Es wird darauf hingewiesen, dass die Au-Außenhaut 19 eine Dicke im Bereich von 0,003 bis 0,01 μm aufweisen sollte.
  • Die voranstehenden ersten, zweiten und dritten Ausführungsformen, welche Gehäusearten betreffen, die dünn sind, und eine kleine Implementierungsfläche aufweisen, beispielsweise QFN und SON, können ebenfalls bei derartigen Arten von Anschlussrahmen wie SOP und FLGA eingesetzt werden, wodurch ermöglicht wird, dass eine verbesserte Haftfestigkeit an einem Abdichtungsharz ermöglicht wird.
  • Weiterhin können die voranstehenden ersten, zweiten und dritten Ausführungsformen, bei denen ein Anschlussrahmen zur Beschreibung eines Schaltungsteils eingesetzt wird, bei derartigen Schaltungsteilen wie Leiterplatten oder Sammelschienen von Verbindern eingesetzt werden, die in einem Stromanschlusskasten zur Verteilung einer Fahrzeugstromversorgung bei in einem Fahrzeug vorgesehenen Zusatzgeräten vorgesehen sind.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ein Schaltungsteil weist ein Rahmensubstrat auf, das durch Ausbildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte ausgebildet wird, mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt für einen Halbleiterchip, der darauf angebracht werden soll, und einem Leitungsabschnitt zur elektrischen Verbindung mit dem Halbleiterchip, mit rauen Oberflächen, die als aufgeraute Oberflächen auf oberen und seitlichen Wandseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts ausgebildet sind, wobei glatte Oberflächen an den Unterseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, und der Chip-Kontaktflächenabschnitt und der Leitungsabschnitt in einem Dichtungsharz vergraben sind, wobei die Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.

Claims (20)

  1. Schaltungsteil, das ein Rahmensubstrat aufweist, das durch Bildung eines Musters einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte ausgebildet ist, wobei ein Chip-Kontaktflächenabschnitt für einen Halbleiterchip vorgesehen ist, der darauf angebracht werden soll, und ein Leitungsabschnitt für eine elektrische Verbindung zum Halbleiterchip vorgesehen ist, wobei vorgesehen sind: raue Oberflächen, die als aufgeraute Oberflächen auf oberen und seitlichen Wandseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, wobei der Chip-Kontaktflächenabschnitt und der Leitungsabschnitt so ausgebildet sind, dass sie in einem Abdichtungsharz vergraben sind, bei welchem die Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  2. Schaltungsteil nach Anspruch 1, welches metallische Außenhäute aufweist, die auf Oberflächenseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, zur Verbesserung der Verbindbarkeit mit einem Bondierungsdraht und einer Lötpaste.
  3. Schaltungsteil, welches ein Rahmensubstrat aufweist, das durch Musterbildung bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte ausgebildet ist, mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt für einen Halbleiterchip, der darauf angebracht werden soll, und einem Leitungsabschnitt zur elektrischen Verbindung mit dem Halbleiterchip, wobei vorgesehen sind: glatte Oberflächen, die auf einem Abschnitt einer Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts und auf einem Abschnitt einer Oberseite des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, der mit einem Bondierungsdraht verbunden werden soll; metallische Außenhäute auf den glatten Oberflächen; und raue Oberflächen, die auf Bereichen mit Ausnahme der Unterseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts sowie von Bereichen vorgesehen sind, bei welchen metallische Außenhäute vorgesehen sind.
  4. Schaltungsteil nach Anspruch 3, bei welchem eine metallische Außenhaut als eine Ag-Außenhaut ausgebildet ist.
  5. Schaltungsteil nach Anspruch 3, bei welchem eine metallische Außenhaut eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut umfasst, die in dieser Reihenfolge auf die gewalzte Kupferplatte aufplattiert sind.
  6. Schaltungsteil nach Anspruch 3, bei welchem eine metallische Außenhaut eine Ni-Außenhaut, eine Pd-Außenhaut, und eine Au-Außenhaut aufweist, die in dieser Reihenfolge auf die gewalzte Kupferplatte auflaminiert sind.
  7. Schaltungsteil nach Anspruch 3, bei welchem eine raue Oberfläche eine Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,3 μm oder mehr aufweist.
  8. Schaltungsteil nach Anspruch 4, bei welchem die Ag-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 2 bis 15 μm aufweist.
  9. Schaltungsteil nach Anspruch 5, bei welchem die Ni-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,5 bis 2 μm aufweist, und die Pd-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm aufweist.
  10. Schaltungsteil nach Anspruch 6, bei welchem die Ni-Außenhaut eine Dicke innerhalb des Bereiches von 0,5 bis 2 μm aufweist, die Pd-Außenhaut eine Dicke innerhalb des Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm aufweist, und die Au-Außenhaut eine Dicke innerhalb des Bereiches von 0,003 bis 0,01 μm aufweist.
  11. Schaltungsteil nach Anspruch 1, bei welchem eine raue Oberfläche durch eine Mikroätzungslösung behandelt wird, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile enthält.
  12. Herstellungsverfahren für Schaltungsteile, welches umfasst: Ausbildung eines Rahmensubstrats mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt und einem Leitungsabschnitt, durch Ausbildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte; Aufrauen oberer Oberflächen und seitlicher Wandoberflächen des Rahmensubstrats, unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile enthält, mit einem Maskierungsmaterial, welches untere Oberflächen des Rahmensubstrats abdeckt; und Vorsehen, nach einer Entfernung des Maskierungsmaterials, metallischer Außenhäute, die auf Vorderseitenoberflächen des Rahmensubstrats laminiert sind.
  13. Herstellungsverfahren für Schaltungsteile, bei welchem vorgesehen sind: Ausbildung eines Rahmensubstrats mit einem Chip-Kontaktflächenabschnitt und einem Leitungsabschnitt, durch Bildung eines Musters bei einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte; Laminieren metallischer Außenhäute auf eine obere Oberfläche des Chip-Kontaktflächenabschnitts, und einen Abschnitt des Leitungsabschnitts, der mit einem Bondierungsdraht verbunden werden soll; Erzeugung einer Oberflächenrauigkeit des Rahmensubstrats, unter Verwendung einer Mikroätzlösung, welche Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure als Hauptbestandteile enthält, mit einem Maskierungsmaterial, welches untere Oberflächen des Rahmensubstrats abdeckt, auf welche die metallischen Außenhäute auflaminiert sind; und Entfernen des Maskierungsmaterials.
  14. Herstellungsverfahren für Schaltungsteile nach Anspruch 12, bei welchem der Schritt des Laminierens der metallischen Außenhäute das Laminieren einer Ag-Außenhaut auf eine vordere Oberfläche des Rahmensubstrats umfasst.
  15. Herstellungsverfahren für Schaltungsteile nach Anspruch 12, bei welchem der Schritt des Laminierens der metallischen Außenhäute umfasst, eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut zu laminieren, in dieser Reihenfolge auf einer vorderseitigen Oberfläche des Rahmensubstrats.
  16. Herstellungsverfahren für Schaltungsteile nach Anspruch 15, welches umfasst, eine Au-Außenhaut auf die Pd-Außenhaut aufzulaminieren.
  17. Halbleiterbauelement, bei welchem vorgesehen sind: ein Schaltungsteil, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, wobei vorgesehen sind: ein Chip-Kontaktflächenabschnitt und ein Leitungsabschnitt; raue Oberflächen, die auf Oberseiten und Seitenwandseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind; glatte Oberflächen, die an den Unterseiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts vorgesehen sind; und metallische Außenhäute auf den Oberflächen; ein Halbleiterchip, der auf einer Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts angebracht ist; ein Verbindungsdraht, welcher den Halbleiterchip und den Leitungsabschnitt verbindet; und ein elektrisch isolierendes Harz, das so ausgebildet ist, dass in ihm das Schaltungsteil, der Halbleiterchip, und der Bondierungsdraht abgedichtet sind, wobei eine Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  18. Halbleiterbauelement, bei welchem vorgesehen sind: ein Schaltungsteil, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierungsplatte besteht, wobei vorgesehen sind: ein Chip-Kontaktflächenabschnitt und ein Leitungsabschnitt; glatte Oberflächen, die an einer Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts und an einem Abschnitt der Vorderseite des Leitungsabschnitts vorgesehen sind, der mit einem Bondierungsdraht verbunden werden soll; metallische Außenhäute, auf der glatten Oberfläche; raue Oberflächen, die auf Bereichen mit Ausnahme der rückwärtigen Seiten des Chip-Kontaktflächenabschnitts und des Leitungsabschnitts und von Bereichen vorgesehen sind, bei welchen die metallischen Außenhäute vorgesehen sind; ein Halbleiterchip, der an der Oberseite des Chip-Kontaktflächenabschnitts vorgesehen ist; ein Bondierungsdraht, der den Halbleiterchip und den Leitungsabschnitt verbindet; und ein elektrisch isolierendes Abdichtungsharz, das so ausgebildet ist, dass es das Schaltungsteil, den Halbleiterchip, und den Bondierungsdraht abgedichtet einschließt, wobei eine Unterseite des Leitungsabschnitts freiliegt.
  19. Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil, das mit einem Isolierharz verbunden werden soll, wobei vorgesehen sind: eine raue Oberfläche, die auf einer Vorderseite eines leitfähigen Substrats vorgesehen ist, das aus einer gewalzten Kupferplatte oder einer gewalzten Kupferlegierung besteht, mit einer Oberflächenrauigkeit (Ra) von 0,3 μm oder mehr; und eine Ni-Außenhaut und eine Pd-Außenhaut, die in dieser Reihenfolge auf die raue Oberfläche auflaminiert sind, wobei die Ni-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,5 bis 2 μm aufweist, und die Pd-Außenhaut eine Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,005 bis 0,2 μm aufweist.
  20. Oberflächenlaminatanordnung für ein Schaltungsteil nach Anspruch 19, wobei weiterhin eine Au-Außenhaut vorgesehen ist, die auf die Pd-Außenhaut auflaminiert ist, mit einer Dicke innerhalb eines Bereiches von 0,003 bis 0,01 μm.
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