DE112007000800T5 - Herstellung von Halbleitervorrichtungen und elektrischen Bauteilen unter Verwendung von metallbeschichteten Drähten - Google Patents

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Sangdo Suzhou Lee
Yongsuk Suzhou Kwon
Bin Suzhou Cai
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Fairchild Semiconductor Corp
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    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract

Halbleitervorrichtung, welche Folgendes aufweist:
a. einen Halbleiterchip mit einer ersten Oberfläche, die eine Steuer- und erste Anschlussregion aufweist, und einer zweiten Oberfläche, die eine zweite Anschlussregion aufweist;
b. einen Leiterrahmen, der eine Chipbefestigungsfläche, Steuerleiter und Anschlussleiter aufweist; und
c. einen Draht, der einen Kern aus einem ersten Metall und Beschichtung aus einem zweiten Metall aufweist.

Description

  • VERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der vorläufigen US-Patentanmeldung Ser. Nr. 60/786,259, eingereicht am 27. März 2006, die hiermit durch Verweis aufgenommen ist.
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft eine gepackte Halbleitervorrichtung und insbesondere eine Halbleitervorrichtung, die einen mit einem metallischen Material beschichteten, zum Drahtbonden verwendeten Metalldraht aufweist, sowie die Verwendung beschichteter Drähte für die Verbindung von Elektronikbauteilen.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Generell umfasst eine gepackte Halbleitervorrichtung einen Halbleiterchip, der an einem mit anderen Metallen, beispielsweise Nickel oder Silber, plattierten Kupfer-Leiterrahmen befestigt ist. Der Chip wird dann durch Bonden von generell aus Aluminium, Gold oder Kupfer hergestellten Drähten an eine Drahtbondstelle auf dem Chip mit Leitern verbunden und an seinem zweiten Ende mit einem entsprechenden Leiter verbunden. Beispielsweise wird ein Aluminiumdraht an seinem ersten Ende an einen Source-Kontakt auf dem Chip gebondet [verbunden], und sein zweites Ende wird an einen Source-Leiter gebondet. Danach wird die Vorrichtung gepackt, wobei die Leiter durch das Packungs-Material frei bleiben, um die gepackte Halbleitervorrichtung mit einer elektronischen Vorrichtung zu verbinden, in der sie angeordnet wird.
  • Da Kupfer ein relativ billiges Material ist, werden Leiterrahmen auf der Basisebene generell aus Kupfer hergestellt und dann mit anderen Materialien plattiert, beispielsweise mit Nickel oder Palladium oder auch mit beidem. Nickel und Palladium weisen bekanntermaßen eine zuverlässige intermetallische Verbindung mit Aluminium auf. Auch Silber wird zum Plattieren von Kupfer-Leiterrahmen verwendet, da auch dieses Metall eine zuverlässige intermetallische Verbindung mit Gold aufweist. Aluminium und Kupfer weisen jedoch bekanntermaßen keine zuverlässige Verbindung auf. Aluminium und Kupfer erzeugen mehrere intermetallische Phasen, die spröde sind und die Scherfestigkeit bei bestimmten Temperaturen senken, welche das Wachstum von spröden intermetallischen Kupfer-Aluminium-Phasen verstärken und dadurch in dem Draht oder der Bondverbindung zu Bruch führen.
  • Beispielsweise sind Aluminium und Nickel ein zuverlässiges metallurgisches System, da dieses nicht für die Entstehung von Kirkendall-Hohlräumen oder für galvanische Korrosion anfällig ist. Weiterhin sind Nickel und Kupfer beständig gegenüber Schwefel- und Fluorwasserstoffsäure. Somit ist auf diesem technischen Gebiet die Herstellung eines kostenwettbewerbsfähigen Produktes erwünscht. Weiterhin ist die Herstellung eines Produktes unter effzienterer Verwendung von Metallen erwünscht, um Kosten zu senken, dabei aber gleichzeitig eine Vorrichtung mit zuverlässigen metallurgischen Systemen herzustellen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung wie z. B. eine Diode, einen MOSFET, Thyristor, IGBT und eine integrierte Schaltung. Die Halbleitervorrichtung weist eine oder mehrere Bondflächen zur Aufnahme eines Bonddrahtes auf. Die Halbleitervorrichtung ist in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Transistor mit einer Steuerregion, einer ersten Anschlussregion und einer zweiten Anschlussregion, wobei die zweite Anschlussregion an einem Leiterrahmen befestigt ist und beschichteter Draht den Halbleiterchip von dessen erster Anschlussregion mit einem ersten Anschlussleiter des Leiterrahmens verbindet. Die Drähte, die den Chip mit dem Leiter verbinden, können entweder aus Gold oder aus Aluminium bestehen und mit einem Metall oder einer Legierung beschichtet sein, z. B. Silber bezüglich des Golddrahtes und Nickel oder Palladium hinsichtlich des Aluminiumdrahtes. Der Draht ist beschichtet, um die Notwendigkeit einer Plattierung des Leiterrahmens zu umgehen, wodurch die Herstellungskosten eines gepackten Halbleiters verringert werden.
  • Weiterhin umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer ersten Anschlussregion auf ihrer ersten Oberfläche, die Bereitstellung eines Leiterrahmens mit einer Chipbefestigungsfläche und Leitern sowie das Bonden eines mit Metall oder Legierung beschichteten Metalldrahtes an den Chip und einen entsprechenden Leiter. In einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst der Schritt des Bondens entweder Ultraschall- oder Thermosonic-Bondverfahren. In wiederum einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist der Draht entweder ein Gold- oder ein Aluminiumdraht, der mit einem geeigneten Metalldraht beschichtet ist, beispielsweise Silber für einen Golddraht und Nickel oder Palladium für einen Aluminiumdraht.
  • Ein Vorteil der Erfindung ist die Fähigkeit, das Plattieren von blanken Kupfer-Leiterrahmen zu umgehen und dadurch die Herstellungskosten deutlich zu verringern. Stattdessen wird der Draht mit einem geeigneten Metall beschichtet.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, dass durch Beschichten des Drahtes mit Metall, das vorher zum Plattieren der Kupfer-Leiterrahmen verwendet wurde, im Wesentlichen keine Zuverlässigkeit in dem System verloren geht. Anders ausgedrückt: Die intermetallischen Phasen bleiben dieselben, weil dieselben, zum Plattieren der Leiterrahmen verwendeten Metalle zum Beschichten des Aluminiumdrahtes verwendet werden. Somit liegen dieselben metallurgischen Systeme vor, die im Stand der Technik als zuverlässige Systeme bekannt sind und weniger anfällig sind für die Probleme oder potentiellen Ausfälle anderer metallurgischer Systeme, beispielsweise Aluminium und Kupfer.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Schnittansicht eines beschichteten Drahtes gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist eine Ansicht von oben auf eine Halbleitervorrichtung, die unter Verwendung des in 1 gezeigten beschichteten Drahtes teilweise mit einem Leiterrahmen drahtverbunden ist; und
  • 3 ist eine Schnittansicht von 2 mit einem zusätzlichen Packungs-Leiter und beschichtetem Draht.
  • Einander entsprechende Bezugszeichen bezeichnen in den verschiedenen Ansichten durchgängig einander entsprechende Teile. Die vorliegend dargelegten Beispiele veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung, sind jedoch nicht so zu verstehen, dass sie den Umfang der Erfindung in irgendeiner Weise einschränken.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • 1 zeigt einen beschichteten Aluminiumdraht 103. Ein Aluminiumdraht 101 ist mit einem metallischen Material 102 beschichtet und wird zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen einem Halbleiterchip und Leitern während des Packens der Vorrichtung verwendet und wird genereller zum Verbinden elektrischer Bauteile verwendet. Der Draht 101 kann reines Aluminium sein, kann aber auch eine Aluminiumlegierung mit Silizium oder Magnesium als Verstärkungsmechanismus sein. Die Beschichtung 102 kann ein mit Kupfer verträgliches Metall wie beispielsweise Nickel oder Palladium sein.
  • Die Beschichtung 102 wird entweder durch stromloses oder elektrisches Plattieren auf den Aluminiumdraht 101 plattiert. Für beide Prozesse wird der Aluminiumdraht zunächst zum Plattieren vorbereitet, indem die Oberfläche des Drahtes gereinigt wird, um die Haftung der Metallbeschichtung an der Oberfläche des Aluminiumdrahtes 101 zu verbessern. Dies lässt sich mit im Stand der Technik bekannten Verfahren erreichen, beispielsweise durch Verwendung von Reinigungsmitteln oder Lösungsmitteln zur Entfernung von Fett, Umgebungsverunreinigungen, Oxiden und anderen unerwünschten Materialien, welche die Fähigkeit der Metallbeschichtung 102 beeinträchtigen können, an dem Draht 101 anzuhaften.
  • Hinsichtlich des stromlosen Plattierens kann die Metallbeschichtung 102 auf den Draht aufgebracht werden, indem durch eine Lösung auf Wasserbasis unter Verwendung eines chemischen Katalysators für einen Metallkationenreduktionsprozess Metall auf dem Draht abgelagert wird. Generell umfasst die Lösung ein das Metall enthaltendes Salz, ein Reduktionsmittel und ein Komplexbildungsmittel, um das Metall in der Lösung zu halten. Zum elektrischen Plattieren kann das Beschichtungsmaterial 102 auf den Aluminiumdraht 101 aufgebracht werden, indem ein elektrischer Strom durch Metallionen enthaltende Lösung geleitet wird. Der Aluminiumdraht 101 ist eine Kathode in dem Bad, wodurch Metallionen zu dem Draht 101 gezogen werden. Die Metallionen werden auf dem Draht 101 abgelagert, wobei eine Beschichtung 102 auf dem Draht 101 entsteht. Sobald die Metallbeschichtung 102 auf dem Aluminiumdraht 101 abgelagert ist, wird der beschichtete Draht 103 gespült und getrocknet.
  • Der Aluminiumdraht 101 kann mit einem geeigneten, mit Kupfer verträglichen Metall wie beispielsweise entweder Nickel oder Palladium beschichtet sein. Diese Materialien, Kupfer mit Aluminium, Nickel Al-Ni-Draht oder Kupfer mit Aluminium, Palladium, Al-Pd-Draht, bilden zuverlässige metallurgische Systeme. Zum Beispiel ist die intermetallische Phase zwischen dem Nickel und dem Aluminium weniger anfällig für die Entstehung von Kirkendall-Hohlräumen oder galvanische Korrosion. Diese Materialien sind zwar zuverlässig, die Ablagerung der Metalle 102 auf dem Draht 101 ist jedoch ein wichtiger Prozess, da die Zusetzung von unerwünschten Materialien, beispielsweise Phosphor, die Oberflächenoxidation verursacht, die Zuverlässigkeit des Systems verringern kann.
  • Bezüglich 2 ist eine Halbleitervorrichtung 200 an einen Leiterrahmen 202 chipgebondet und weist auf einer Oberfläche des Chips 200 Source-Regionen 204 und eine Gate-Region 211 sowie auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Chips 200 eine Drain-Region (in 2 nicht dargestellt) auf. Außerdem weisen die Source-Regionen 204 des Halbleiterchips 200 Aluminiumbeschichtungen 205 auf. Weiterhin ist der Leiterrahmen 202 blankes Kupfer mit einer Chipbefestigungsfläche 206, einem Source-Packungs-Leiter 207 und einem Gate-Packungs-Leiter 208. Außerdem ist die Chipbefestigungsfläche 206 unter Verwendung eines Stegs 209, der die Chipbefestigungsfläche 206 mit Querverbindungen verbindet, welche sich zwischen den Schienen des Leiterrahmens 202 erstrecken, mit dem Leiterrahmen verbunden. Der Chip 200 kann mit Lotpaste an der Chipbefestigungsfläche 206 befestigt sein.
  • Der beschichtete Aluminiumdraht 103 ist sowohl an eine der Source-Regionen 204 des Halbleiterchips 200 als auch an den Source-Packungs-Leiter 207 aus Kupfer gebondet. Der beschichtete Draht 103 ist unter Verwendung entweder eines Ultraschall- oder eines Thermosonic-Bondverfahrens verbondet. Die unter Verwendung eines dieser Bondverfahren entstehenden Bondverbindungen 209, 210 bilden eine Keilform, die somit als Keil-Bondverbindung bezeichnet wird. Ultraschalldrahtbonden ist ein Niedertemperaturprozess, der Ultraschallenergie zur Erzeugung einer Keil-Bondverbindung verwendet. Thermosonic-Drahtbonden erfordert hohe Temperaturen und Ultraschallenergie, um eine Bondverbindung zwischen dem Draht und dem Material zu erzeugen, an das er gebondet wird.
  • Die Bondverbindungen zwischen dem Halbleiterchip 200 und dem beschichteten Draht 103 sind zuverlässig, weil der Chip 200 Aluminiumkontakte aufweist und der Draht 103 einen Aluminiumkern aufweist, der mit einem geeigneten, mit Kupfer verträglichen Metall wie beispielsweise Nickel oder Palladium beschichtet ist. An einem Ende erzeugt der Aluminiumkern des beschichteten Drahtes 103 eine zuverlässige Bondverbindung mit den Aluminiumkontakten 204 auf dem Chip 200. An dem anderen Ende des Bonddrahtes erzeugt das metallurgische Kupfer-Aluminium-Nickel-System eine zuverlässige Bondverbindung zwischen dem beschichteten Draht 103 und dem Packungs-Leiter 207. Der Draht 103 ist an den blanken Packungs-Source-Leiter 207 aus Kupfer gebondet, so dass eine weitere Keil-Bondverbindung 210 entsteht. Aluminium und Kupfer sind nicht so zuverlässig wie Nickel oder Palladium und Kupfer, und daher sind Kupfer-Leiterrahmen generell mit Nickel plattiert, um eine zuverlässige Bondverbindung zwischen dem Draht und dem Leiterrahmen zu gewährleisten. Der beschichtete Draht 103 stellt jedoch auch mit einem blanken Kupfer-Leiterrahmen eine zuverlässige Bondverbindung bereit.
  • Nickel wird häufig auf blanke Kupfer-Leiterrahmen plattiert, und dann werden Aluminiumdrähte zum elektrischen Verbinden eines Halbleiterchips mit den Leitern verwendet. Aluminium und Nickel sind zwar zuverlässige Systeme, jedoch kann das Plattieren von blanken Kupfer-Leiterrahmen mit Nickel relativ kostspielig sein. Die Erfindung stelle eine oder mehrere Ausführungsformen bereit, die durch Verwendung einer Nickelbeschichtung auf einem Aluminiumdraht 103 ebenso zuverlässig und weniger kostspielig sind, weil weniger Oberfläche abzudecken ist, wie zwischen einem Draht und einem Leiterrahmen. Somit wird dasselbe Ergebnis erzielt, jedoch zu beträchtlich geringeren Kosten.
  • 3 ist eine Schnittansicht der in 2 gezeigten Vorrichtung mit einem zusätzlichen Packungs-Leiter 220, der durch einen weiteren beschichteten Draht 203 mit der Chipbefestigungsfläche 206 verbunden ist. Der Halbleiterchip 200 ist in der Weise an den blanken Kupfer-Leiterrahmen 202 chipgebondet, dass die Drain-Region 214 beispielsweise mit Lot 212 an der Chipbefestigungsfläche 205 befestigt ist. Der aluminiumbeschichtete Draht 103 ist, wie in 3 gezeigt, sowohl an den Halbleiterchip 200 als auch den blanken Packungs-Source-Leiter 206 aus Kupfer keilgebondet.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung umfasst die Bereitstellung eines blanken Kupfer-Leiterrahmens mit einer Chipbefestigungsfläche und mehreren Leitern, die sich von parallelen Schienen zu der Chipfläche und einem Halbleiterchip erstrecken. Der Halbleiterchip wird unter Verwendung von Lotpaste durch seine Drain-Region an der Chipbefestigungsfläche in dem Leiterrahmen befestigt. Danach wird der beschichtete Draht generell zuerst an Chipflächen auf dem Halbleiterchip und dann an den entsprechenden Leiter des Leiterrahmens gebondet. Sodann wird der Draht geschnitten; dieser Prozess wird als "Forward"-[Vorwärts-]-Bonden bezeichnet. Der Draht kann jedoch auch zuerst an den Leiter eines Leiterrahmens und dann an den Chip gebondet und geschnitten werden. Nachdem der Draht an den Chip und Leiter gebondet ist, wird die Vorrichtung gepackt und singuliert.
  • Generell werden in Ultraschall- und Thermosonic-Bondverfahren drei Arten von Drähten verwendet. Die üblichen bei dieser Art des Drahtbondens verwendeten Drähte sind Kupfer, Aluminium und Gold. Diese Drähte können rein sein, sind jedoch meist mit anderen Materialien legiert, um dem Draht Festigkeit zu verleihen. Generell können sowohl in Ultraschall- als auch in Thermosonic-Bondverfahren Kupfer- und Aluminiumdrähte verwendet werden. Golddrähte werden generell in Thermosonic-Bondverfahren verwendet.
  • Ultraschallbonden erzeugt eine keilförmige Bondverbindung zwischen dem Draht und dem Substrat, an das er gebondet wird. Ultraschallbonden ist ein Niedertemperatur- und Niederdruck-Bondverfahren, das bei der Erzeugung der Bondverbindung die Verwendung von Ultraschallenergie erfordert. Insbesondere wird der an eine Oberfläche oder Vorrichtung zu bondende Draht in einem Winkel, generell 30–60° aus der Horizontalen, in das Drahtbondwerkzeug zugeführt, das als keilförmiges Bondwerkzeug bezeichnet wird. Der Draht wird gegen die erste Bondstelle gesteckt, und mit Druck und Ultraschallenergie wird der Draht an die Stelle gebondet. Das Bondwerkzeug wird angehoben und zu der zweiten Bondstelle bewegt, wobei in dem Draht von der ersten Stelle zu der zweiten Stelle eine Schleifenform erzeugt wird. Nach dem Ausbilden der zweiten Bondverbindung wird der Draht geschnitten.
  • Thermosonic-Bonden ist ein Hochtemperatur- und Niederdruck-Bondprozess, für den Ultraschallenergie erforderlich ist. Wieder wird der Draht in einem Winkel in das keilförmige Bondwerkzeug zugeführt. Der Draht wird an die erste Bondstelle, entweder den Halbleiterchip oder den Source-Leiter, gehalten. Der Draht wird mit Druck und Wärme zusammen mit Ultraschallenergie an die Bondstelle gesteckt, um eine Bondverbindung zu erzeugen. Die angewandte Wärme liegt generell im Bereich von 100 bis 150°C, kann jedoch im Fall von Golddrähten auch 250°C betragen. Die Wärme bewirkt eine plastische Verformung des Drahtes und des Materials, an das er gebondet wird, so dass eine intermetallische Verbindung erzeugt wird.
  • Die Verwendung beschichteter Drähte zum elektrischen Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Leiter zu niedrigeren Kosten kann auch auf andere Vorrichtungen angewandt werden. Ein beschichteter Draht kann ebenfalls dazu verwendet werden, elektrische Bauteile zu verbinden, wie in 3 gezeigt. Beispielsweise können zwei blanke Kupferteile elektrisch durch einen Aluminiumdraht verbunden sein, der entweder mit Palladium oder mit Nickel beschichtet ist, da diese Kombinationen zuverlässige intermetallische Verbindungen sind.
  • Das Vorangehende ist zwar hinsichtlich eines beschichteten Aluminiumdrahtes beschrieben worden, andere Ausführungsformen können jedoch einen mit Silber beschichteten Golddraht umfassen. Gold, Silber und Kupfer erzeugen ein weiteres zuverlässiges System, das unter hohen Temperaturen leistungsfähig ist. Somit kann eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Verwendung eines beschichteten Drahtes umfassen, der einen Halbleiterchip mit einem blanken Kupfer-Leiterrahmen verbindet, wobei ein mit Silber oder anderen geeigneten metallischen Materialien beschichteter Golddraht verwendet wird.
  • Die vorangehenden Ausführungsformen sind in Verbindung mit einem vertikalen MOSFET-Transistor beschrieben worden. Für den Fachmann versteht sich jedoch, dass ersatzweise andere Transistoren und Vorrichtungen verwendet werden können. Beispielsweise könnte der MOSFET durch einen Bipolartransistor ersetzt werden, wobei Emitterregionen und -kontakte den Source-Regionen und Source-Kontakten entsprechen, eine Basisregion und ein Basiskontakt der Gate-Region und Gate-Kontakten entsprechen und eine Kollektorregion und ein Kollektorkontakt der Drain-Region und dem Drain-Kontakt entsprechen. Weitere Halbleitervorrichtungen umfassen und sind nicht beschränkt auf integrierte Schaltungen, Dioden, Thyristoren oder IGBTs.
  • Die Erfindung ist zwar bezüglich besonderer Ausführungsformen beschrieben worden, für den Fachmann versteht sich jedoch, dass verschiedene Änderungen vorgenommen und Elemente derselben durch Äquivalente ersetzt werden können, ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen. Daneben können viele Modifikationen vorgenommen werden, um eine besondere Situation oder ein besonderes Material an die Lehren der Erfindung anzupassen, ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • Es ist daher beabsichtigt, dass die Erfindung nicht auf die besonderen Ausführungsformen zu beschränken ist, die als bester zur Ausführung dieser Erfindung erwogener Modus offenbart sind, sondern dass die Erfindung alle Ausführungsformen umfasst, die innerhalb des Umfangs und Gedankens der beigefügten Ansprüche fallen.
  • Zusammenfassung
  • Die Vorrichtung dieser Erfindung umfasst einen Halbleiterchip, der an einem blanken Kupfer-Leiterrahmen befestigt ist und durch einen mit einem metallischen Material beschichteten Metalldraht elektrisch mit einem Leiter verbunden ist. Die Vorrichtung würde ähnlich wie Vorrichtungen funktionieren, bei denen die Leiterrahmen mit anderen metallischen Materialien beschichtet wurden, jedoch zu niedrigeren Kosten, da anstelle einer Plattierung des Leiterrahmens der Draht plattiert ist. Der Draht kann entweder aus Gold oder aus Aluminium sein. Wenn der Draht aus Gold ist, kann die Beschichtung aus Silber oder anderen geeigneten metallischen Materialien bestehen. Wenn der Draht aus Aluminium ist, kann die Beschichtung aus Nickel, Palladium oder anderen geeigneten Metallen bestehen.

Claims (20)

  1. Halbleitervorrichtung, welche Folgendes aufweist: a. einen Halbleiterchip mit einer ersten Oberfläche, die eine Steuer- und erste Anschlussregion aufweist, und einer zweiten Oberfläche, die eine zweite Anschlussregion aufweist; b. einen Leiterrahmen, der eine Chipbefestigungsfläche, Steuerleiter und Anschlussleiter aufweist; und c. einen Draht, der einen Kern aus einem ersten Metall und Beschichtung aus einem zweiten Metall aufweist.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das erste Metall Aluminium, Aluminiumlegierung, Gold oder Goldlegierung umfasst.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Metall Nickel, Palladium oder Silber umfasst.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Halbleiterchip aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Diode, einem MOSFET, Thyristor, integrierter Schaltung und IGBT besteht.
  5. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Halbleitervorrichtung weiterhin ein Packungs-Material aufweist.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, welches die folgenden Schritte aufweist: a. Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten und zweiten Oberfläche, aufweisend eine Steuerregion und eine erste Anschlussregion auf der ersten Oberfläche des Chips und eine zweite Anschlussregion auf der zweiten Oberfläche des Chips, einen Leiterrahmen mit einer Chipbefestigungsfläche und Steuer- und Anschlussleitern und einen Draht, der einen Kern aus einem ersten Metall und eine Beschichtung aus einem zweiten Metall aufweist; b. Befestigen des Chips an der Chipbefestigungsfläche des Leiterrahmens; c. Befestigen des Drahtes an dem Halbleiterchip und an einem Leiter des Leiterrahmens und d. Packen von Chip, Chipbefestigungsfläche, Leitern und Draht.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei das erste Metall des Drahtes Aluminium oder Aluminiumlegierung umfasst.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei das zweite Metall aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Nickel oder Palladium besteht.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Verfahren der Befestigung Thermosonic-Bonden umfasst.
  10. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei der Schritt des Bondens Ultraschall-Bonden ist.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei das erste Metall Gold oder Goldlegierung umfasst.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei das zweite Metall Silber umfasst.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei der Schritt des Bondens Thermosonic-Bonden ist.
  14. Verfahren zum Verbinden von elektronischen Bauteilen, umfassend die folgenden Schritte: a. Bereitstellen eines ersten und zweiten elektronischen Bauteils und eines Drahtes, der einen Kern aus einem ersten Metall und eine Beschichtung aus einem zweiten Metall aufweist; b. Befestigen des Drahtes an dem ersten elektronischen Bauteil und c. Befestigen des Drahtes an dem zweiten elektronischen Bauteil.
  15. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das erste Metall Aluminium oder Aluminiumlegierung umfasst, das zweite Metall aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Nickel und Palladium besteht, und das Verfahren der Befestigung Thermosonic-Bonden umfasst.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das erste Metall Aluminium oder Aluminiumlegierung umfasst, das zweite Metall aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Nickel und Palladium besteht, und das Verfahren der Befestigung Ultraschall-Bonden umfasst.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das erste Metall Gold oder Goldlegierung umfasst, das zweite Metall Silber umfasst und das Verfahren zur Befestigung Thermosonic-Bonden umfasst.
  18. Halbleiterchip-Bonddraht, der einen Kern aus einem ersten Metall und eine Beschichtung aus einem zweiten Metall umfasst.
  19. Draht gemäß Anspruch 18, wobei das erste Metall Aluminium, Aluminiumlegierung, Gold oder Goldlegierung ist.
  20. Draht gemäß Anspruch 18, wobei das zweite Metall Nickel, Palladium oder Silber ist.
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