KR20090003252A - 금속이 코팅된 와이어를 사용한 반도체 소자와 전기 부품의제조 - Google Patents

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KR20090003252A
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bonding
die
aluminum
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이상도
권용석
빈 카이
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페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
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    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Abstract

본 발명의 소자는 순수 구리 리드 프레임에 접착되고, 금속성 물질로 코팅된 금속 와이어에 의해 리드로 전기적으로 연결된 반도체 소자를 포함한다. 상기 소자는 리드 프레임이 다른 금속성 물질로 코팅된 소자와 유사하게 작용할 것이지만, 리드 프레임 도금 대신에 와이어가 도금되기 때문에 더 낮은 비용이 든다. 상기 와이어는 금이나 알루미늄일 수도 있다. 와이어가 금일 때, 코팅은 은 또는 다른 적정한 금속성 물질일 것이다. 와이어가 알루미늄일 때는 코팅은 니켈, 팔라듐, 또는 다른 적정한 물질일 것이다.
반도체 소자, 야금 시스템, 키르켄달 보이딩, 다이 접착 패드

Description

금속이 코팅된 와이어를 사용한 반도체 소자와 전기 부품의 제조{SEMICONDUCTOR DEVICES AND ELECTRICAL PARTS MANUFACTURING USING METAL COATED WIRES}
이 출원은 2006년 3월 27일에 출원된 미국 특허 출원 제60/786,259호의 우선권의 이익을 청구하며, 그 내용은 여기에 참조로서 병합된다.
본 발명은 패키지형 반도체 소자에 관한 것이고, 더욱 상세하게는, 와이어 본딩(wire bonding)용 금속 물질로 코팅된 금속 와이어를 가지는 반도체 소자에 관한 것이며, 전자 부품들(electronic parts)의 연결용으로 코팅(coated)된 와이어를 사용하는 것에 관한 것이다.
일반적으로 패키지형 반도체 소자는 니켈이나 은과 같은 다른 금속들과 도금된 구리 리드 프레임(lead frame)에 접착된 반도체 다이(die)를 포함한다. 이어서다이는 일반적으로, 알루미늄, 금, 또는 구리로 구성된 와이어를 본딩함으로써 리드에 연결되고, 다이 위의 와이어 본드 사이트(site)에 연결되며, 제2 단부에서 상응하는 리드에 결합된다. 예를 들어, 제1 단부의 알루미늄 와이어는 다이의 소스(source) 접촉부에 결합되고 제2 단부는 소스 리드(lead)에 결합된다. 그 후에 소자는 패키지 물질을 통해 노출된 리드를 남겨두고 패키지 반도체 소자를 적소의 전자 디바이스에 연결하기 위해 패키지된다.
구리는 상대적으로 저가의 물질이므로, 리드 프레임은 일반적으로 구리의 기초 수준에서 만들어지고, 이어서 니켈이나 팔라듐 또는 이들 양자와 같은 다른 물질로 도금된다. 니켈과 팔라듐은 알루미늄과 안정적인 금속 결합을 가지는 것으로 알려져 있다. 은은 또한 금과 안정적인 금속 결합을 가지므로 구리 리드 프레임을 도금하는데 사용된다. 그러나 예를 들어 알루미늄과 구리는 안정적인 연결을 가지지 않는 것으로 알려져 있다. 알루미늄과 구리는 몇 개의 깨지기 쉽고 구리-알루미늄 금속간화합물 상의 파손을 증가시키는 일정 온도에서 전단 강도를 낮추는 금속 간 화합물 상을 생성하고, 그 때문에 와이어나 본드에서 파손을 일으킨다.
예를 들어, 알루미늄과 니켈은 키르켄달 보이딩(Kirkendall voiding)이나 전지부식(galvanic corroision)의 여지가 없기 때문에 안정적인 야금 시스템이다. 더욱이, 니켈과 구리는 황산과 불화수소산에 내성이 있다. 그리하여, 이 기술 분야에서는 가격 경쟁력이 있는 제품을 생산하는 것이 소망스럽다. 더욱이, 안정적인 야금 시스템에서 소자를 제조하는 동안 더욱 효율적으로 가격을 감소시키기 위해 금속을 사용한 제품을 생산하는 것을 소망하였다.
본 발명의 실시예는 다이오드, MOSFET, 사이리스터(thyristor), IGBT, 그리고 집적회로와 같은 반도체 소자를 포함한다. 반도체 소자는 한 개 이상의 본드 와이어를 수용하기 위한 본드 패드(pad)를 가진다. 본 발명의 일 실시예인 반도체 소자는 제어 영역, 첫 번째 터미널(terminal) 영역 그리고 두 번째 터미널 영역을 가진 트랜지스터(transistor)이고, 그것은 리드 프레임에 접착된 두 번째 터미널 영역과 첫 번째 터미널 영역으로부터 첫 번째 터미널 리드 프레임의 리드까지 반도체 다이를 연결하는 코팅된 와이어를 가진다. 다이를 리드에 연결하는 와이어는 금이나 알루미늄이 될 수 있고, 금속이나 금 와이어에 관하여는 은으로, 알루미늄 와이어에 관하여는 니켈이나 팔라듐과 같은 합금으로 코팅되었다. 와이어는 리드 프레임의 도금을 위한 필요를 제거하기 위해 코팅되었고, 그 때문에 패키지 반도체를 제조하는 가격을 줄인다.
더욱이. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법은 첫 번째 표면의 첫 번째 터미널을 가지는 반도체 소자를 제공하는 단계, 다이 접착 패드와 리드를 가지는 리드 프레임을 제공하는 단계, 그리고 다이와 상응하는 리드에 금속이나 합금으로 코팅된 금속 와이어를 본딩하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 측면에서는, 본딩하는 단계는 울트라소닉(ultrasonic) 또는 서머소닉(thermosonic) 본딩 방법을 포함한다. 여전히 본 발명의 또 다른 측면에서는, 금 와이어용 은, 그리고 알루미늄 와이어용 니켈이나 팔라듐과 같은 적절한 금속 와이어로 코팅된 와이어는 금이나 알루미늄 와이어이다.
본 발명의 이점은 순수한 구리 리드 프레임을 도금하는 것을 감소시키는 능력이고, 그로 인해 상당히 제조 가격을 감소시킨다. 대신에, 와이어는 적절한 금속으로 코팅된다.
본 발명의 다른 이점은 사전에 구리 리드 프레임을 도금하기 위해 사용된 금속으로 와이어를 코팅함으로써, 실질상 시스템에서 안정성의 손실이 없다는 것이다. 바꾸어 말하면, 리드 프레임을 도금하기 위해 사용된 같은 금속이 알루미늄 와이어를 코팅하기 위해 사용되기 때문에 금속간화합물(intermetallic) 상은 여전히 같다. 그리하여 기술분야에서 안정적인 시스템이라고 알려진 바와 같은 야금 시스템은 적소에 있고, 알루미늄과 구리와 같은 문제들 또는 다른 야금 시스템의 잠재적인 실패를 감소시킨다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 코팅된 와이어의 단면도;
도 2는 도 1에 나타난 코팅된 와이어를 사용하여 부분적으로 리드 프레임에 와이어된 반도체 소자의 조감도;
도 3은 부가적인 패키지 리드와 코팅된 와이어를 나타낸 도 2의 단면도이다.
상응하는 도면부호들은 여러 도면들을 통하여 상응하는 부분들을 나타낸다. 여기 나타낸 예들은 본 발명의 실시예를 나타내지만 어떤 방식으로든 본 발명의 기술영역을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
도 1은 코팅된 알루미늄 와이어(103)를 나타낸다. 알루미늄 와이어(101)은 금속성 물질(102)로 코팅되고, 소자의 패키징 동안 반도체 다이와 리드 사이에서 전기적 연결을 생성하기 위해 사용되며, 보다 일반적으로 전자 부품의 연결을 위해 사용된다. 상기 와이어(101)는 순수한 알루미늄일 수도 있으나, 메카니즘(mechanism)을 강화하기 위해 실리콘이나 마그네슘과 합금된 것일 수도 있다. 코팅(102)는 니켈이나 팔라듐과 같은 금속과 융합할 수 있는 구리일 수도 있다.
코팅(102)은 비전기적 또는 전기적 도금으로 알루미늄 와이어(101)에 도금된다. 두 공정에서, 알루미늄 와이어는 알루미늄 와이어(101) 표면으로의 금속 코팅의 접착을 향상시키기 위한 와이어 표면을 세척함으로써 첫 번째로 도금을 위해 준비된다. 이것은 기름, 환경 오염물질, 산화물, 그리고 와이어(101)로의 접착을 위한 금속 코팅(102)의 능력에 영향을 줄 수 있는 다른 바람직 하지 못한 물질을 제거하기 위한 세정이나 용매사용과 같은 당해 기술분야에서 잘 알려진 방법으로 성취될 수 있다.
비 전기적 도금에 관하여는, 금속 코팅(102)은 금속 양이온 제거 공정용 화학적 촉매를 사용하는 물 기반 용액으로서, 와이어 위에 메탈을 침전시켜 와이어에 적용될 수 있다. 일반적으로 용액은 금속을 가지는 소금, 환원제, 그리고 용액에서 금속을 착화시키기 위한 착화제를 포함한다. 전기적 도금에 관하여, 코팅 물질(102)은 용액에 포함되는 금속이온을 통한 전류를 통과시켜 알루미늄 와이어(101)에 적용될 수 있다. 알루미늄 와이어(101)는 용액에서 음극이고, 따라서 금속 이온들을 와이어(101)로 끌어당긴다. 금속 이온들은 와이어(101)의 코팅(102)을 생성하며 와이어(101) 위에 침전된다. 일단 금속 코팅(102)이 알루미늄 와이어(101)에 침전되면, 코팅된 와이어(103)는 씻어지고 말려진다.
알루미늄 와이어는 니켈이나 팔라듐과 융화성 있는 적절한 구리로 코팅될 수도 있다. 이런 금속들, 알루미늄, 니켈과 결합 된 구리, 알루미늄-니켈 와이어나 알루미늄, 팔라듐과 결합 된 구리, 알루미늄-팔라듐 와이어는 안정적인 야금 시스템을 생성한다. 예를 들어, 니켈과 알루미늄 사이의 금속간화합물 상은 키르켄달 보이딩이나 전지 부식을 줄여준다. 이들 물질이 안정적인 반면에, 와이어(101) 위의 금속(102)의 침착(deposition)은 표면 산화를 일으키는 인을 함유한 물질과 같은 바람직하지 못한 물질의 부가가 시스템의 안정성을 떨어뜨릴 수 있기 때문에 중요한 공정이다.
도 2를 참조하면, 반도체 소자(200)는 리드 프레임(202)에 결합된 다이이고, 소스 영역(204)과 다이(200)의 한 표면 위의 게이트(gate) 영역(211)과 다이(200)의 반대 표면 위의 드레인(drain) 영역(미도시)을 가진다. 또한, 반도체 다이(200)의 소스 영역(204)은 알루미늄 코팅(205)을 가진다. 더욱이, 리드 프레임(202)은 다이 접착 패드(206), 소스 패키지 리드(207), 그리고 게이트 패키지 리드(208)를 가지는 순수한 구리이다. 또한, 다이 접착 패드(206)를 리드 프레임(202)의 레일(rail) 사이로 확장하는 크로스 타이(cross tie)에 연결한 타이 바(tie bar)(209)를 사용하여 다이 접착 패드(206)는 리드 프레임에 연결된다. 다이(200)는 솔더 페이스트(solder paste)로 다이 접착 패드(206)에 접착될 수 있다.
코팅된 알루미늄 와이어(103)는 반도체 다이(200)의 소스 영역(204) 중 하나와 구리 소스 패키지 리드(207)에 결합된다. 코팅된 와이어(103)는 울트라소닉이나 서머소닉 본딩 방법을 사용하여 결합된다. 이러한 본딩 방법을 사용한 최종 결합(209, 210)은 웨지(wedge) 형태를 생성한다. 그리하여 웨지 결합이라 부른다. 울트라 소닉 와이어 본딩은 웨지 결합을 생성하기 위해 초음파 에너지를 사용하는 낮은 온도의 공정이다. 서머소닉 와이어 본딩은 높은 온도와, 와이어와 결합된 물질 사이에서 결합을 생성하기 위한 초음파 에너지를 필요로 한다.
반도체 다이(200)와 코팅된 와이어(103) 사이의 결합은 안정적이다. 왜냐하면 다이(200)는 알루미늄 접촉부와 니켈이나 팔라듐과 같은 구리와 융화성 있는 적절한 금속으로 코팅된 알루미늄 코어(core)를 가지는 와이어(103)를 가지기 때문이다. 일 단부에서, 코팅된 와이어(103)의 알루미늄 코어는 다이(200)의 알루미늄 접촉부(204)와 안정적인 결합을 생성한다. 결합 와이어의 다른 단부에서, 구리-알루미늄-니켈 야금 시스템은 코팅된 와이어(103)와 패키지 리드(207) 사이에서 안정적인 결합을 생성한다. 와이어(103)는 다른 웨지 결합(210)을 생성하며 순수한 구리 패키지 소스 리드(207)에 결합된다. 알루미늄과 구리는 니켈이나 팔라듐만큼 안정적이지 않고 그러므로 구리 리드 프레임은 일반적으로 와이어와 리드 프레임 사이에서 안정적인 결합을 확보하기 위해서 니켈로 도금된다. 그러나, 코팅된 와이어(103)는 순수한 구리 리드 프레임과 또한 안정적인 결합을 제공한다.
니켈은 종종 순수한 구리 리드 프레임에 도금되고, 알루미늄 와이어는 반도체 다이를 리드에 전기적으로 연결하는데 사용된다. 알루미늄과 니켈이 안정적인 시스템인 반면에, 니켈로 순수 구리 리드 프레임을 도금하는 것은 상당히 비용이 많이 든다. 본 발명은 알루미늄 와이어(103)에 니켈 코팅을 사용하여 안정적이고 경제적인 하나 이상의 실시예를 제공한다. 왜냐하면 와이어와 리드 프레임 사이에서 감싸기 위한 표면 지역이 적기 때문이다. 그리하여, 상당히 적은 비용에서 동일한 결과가 생산된다.
도 3은 다른 코팅된 와이어(203)에 의해 다이 접착 패드(206)에 연결된 첨부된 패키지 리드(220)와 도 2에 나타난 소자의 단면도이다. 반도체 다이(200)는 예 를 들어, 솔더(212)에 의해 다이 접착 패드(205)에 결합된 드레인 영역(214)과 같이 순수한 구리 리드 프레임(202)에 결합된 다이이다. 와이어(103)를 코팅한 알루미늄은 도 3에 나타난 바와 같이 반도체 다이(200)와 순수 구리 패키지 소스 리드(206)에 결합된 웨지이다.
반도체 소자의 제조 방법은 다이 접착 패드와, 병렬 레일들로부터 다이 패드와 반도체 다이까지 확장하는 복수의 리드에 순수한 구리 리드 프레임을 제공하는 단계를 포함한다. 반도체 다이는 솔더 페이스트를 사용하여 리드 프레임의 다이 접착 패드에 그것의 드레인 영역에 의해 접착된다. 그 후에, 코팅된 와이어는 일반적으로 반도체 다이의 다이 패드에 먼저 결합되고, 리드 프레임의 적당한 리드에 결합된다. 그러면 와이어가 절단된다. 이 공정은 포워드 본딩(forward bonding)이라 불린다. 그러나 와이어는 리드 프레임의 리드에 먼저 결합되고 다이에 결합된 후 절단된다. 와이어가 다이와 리드에 결합된 후에, 소자는 패키지 되고 수축된다.
일반적으로 세 가지 형식의 와이어는 울트라소닉과 서머소닉 본딩 방법으로 사용된다. 이런 와이어 본딩 형식에 사용되는 보통의 와이어는 구리, 알루미늄, 그리고 금이다. 이들 와이어는 순수할 수도 있으나, 대부분은 와이어에 강도를 강화기키기 위해서 다른 물질과의 합금 형태이다. 일반적으로 구리와 알루미늄 와이어는 울트라소닉이나 서머소닉 본딩 방법에 사용될 수 있다. 금 와이어는 일반적으로 서머소닉 본딩 방법에 사용된다.
울트라소닉 본딩은 와이어와 그것이 결합된 기판 사이에서 웨지 형태의 결합을 생성한다. 울트라소닉 본딩은 결합을 생성함에 있어서 초음파 에너지의 사용을 필요로 하는 낮은 온도, 낮은 압력의 본딩 방법이다. 명확하게, 표면이나 소자에 결합되는 와이어는 웨지 형태의 본딩 툴이라 불리는 와이어 본딩 툴(tool)로 일반적으로 수평으로부터 30 내지 60°로 비스듬히 공급된다. 와이어는 첫 번째 본딩 지역에 고정되고, 압력과 초음파 에너지로 그 지역에 결합된다. 본딩 툴은 들어올려지고 두 번째 본딩 지역으로 이동되며, 첫 번째 지역에서 두 번째 지역까지 루프(loop) 형태의 와이어를 생성한다. 두 번째 결합이 형성된 후에 와이어는 절단된다.
서머소닉 본딩은 초음파 에너지를 필요로 하는 높은 온도, 낮은 압력의 본딩 공정이다. 다시 와이어가 비스듬히 웨지 모양의 본딩 툴로 공급된다. 와이어는 반도체 다이나 소스 리드중 하나의 첫 번째 본딩 지역에 고정된다. 와이어는 결합을 창출하기 위한 초음파 에너지와 함께 압력과 열로 본딩 지역에 고정된다. 공급된 열은 일반적으로 100 내지 150℃이지만, 금 와이어의 경우에 250℃ 만큼 높은 온도일 수도 있다. 열은 와이어와 그것이 결합된 물질의 소성변형을 일으키고, 금속 결합을 생성한다.
적은 비용으로 반도체 다이를 리드에 전기적으로 연결하기 위한 코팅된 와이어의 사용은 또한 다른 소자에도 적용될 수 있다. 코팅된 와이어는 도 3에 나타난 바와 같이 전자 부품을 연결하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 두 개의 순수 구리 부품들은, 팔라듐이나 니켈로 코팅된 알루미늄 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있는 데, 이들 조합은 안정적인 금속 결합이기 때문이다.
상술된 것은 코팅된 알루미늄 와이어에 관한 것이지만, 다른 실시예가 은으 로 코팅된 금 와이어를 포함할 수 있다. 금, 은, 그리고 구리는 높은 온도하에서 수행할 수 있는 다른 안정적인 시스템을 생성한다. 그리하여, 본 발명의 다른 실시예는 은이나 다른 적정한 금속 물질로 코팅된 금 와이어를 사용하여 반도체 다이를 순수 구리 리드 프레임에 연결하는 코팅된 와이어의 사용을 포함할 수 있다.
앞선 실시예는 MOSFET 트랜지스터와 연관하여 설명되었다. 그러나 당해 기술분야의 당업자들은 다른 트랜지스터와 소자가 대체할 수 있다는 것을 이해한다. 예를 들어, 바이폴라 트랜지스터는 MOSFET에 대해 소스 영역과 접촉부에 상응하는 에미터(emitter) 영역과 접촉부, 게이트 영역과 접촉부에 상응하는 베이스(base) 영역과 접촉부, 그리고 드레인 영역과 드레인 접촉부에 상응하는 콜렉터(collector) 영역과 접촉부로 대체될 수 있다. 다른 반도체 소자는 집적 회로, 아이오드, 사이리스터, 또는 IGBTs를 포함하고 그들에 국한되지 않는다.
본 발명은 특정 실시예를 참조하여 설명되었으나, 당해 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술영역으로부터 벗어남이 없이 다양한 변경이 이루어질 수 있으며 균등물이 그 구성요소를 대체하기 위하여 사용될 수 있는 점을 이해할 것이다. 또한, 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 특정 상황이나 소재를 채택하기 위하여 본 발명의 교시에 대해 많은 수정들이 이루어질 수 있다.
그러므로, 본 발명은 발명을 실행하도록 고안된 최적의 방법으로서 개시된 특정 실시예들로 제한되지 않도록 의도되나, 본 발명은 첨부의 특허청구범위의 기범위와 기술사상 내에 있는 모든 실시예들을 포함할 것이다.

Claims (20)

  1. 반도체 소자로서;
    a. 제어부를 가지는 첫 번째 표면, 첫 번째 터미널 영역, 그리고 두 번째 터미널 영역을 가지는 두 번째 표면을 포함하는 반도체 다이;
    b. 다이 접착 패드, 제어 리드, 그리고 터미널 리드를 포함하는 리드 프레임; 그리고
    c. 첫 번째 금속의 코어와 두 번째 금속의 코팅을 가지는 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 알루미늄, 알루미늄 합금, 금, 또는 금 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 두 번째 금속은 니켈, 팔라듐, 또는 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 다이는 다이오드, MOSFET, 사이리스터, 집적 회로, 그리고 IGBT로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 패키징 물질을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 반도체 소자의 제조방법으로서;
    a. 제어 영역과 다이의 첫 번째 표면의 첫 번째 터미널 영역과 다이의 두 번째 표면의 두 번째 터미널 영역을 가지는 첫 번째와 두 번째 표면을 가지는 반도체 다이, 다이 접착 패드와 제어부와 터미널 리드를 가지는 리드 프레임, 그리고 첫 번째 금속의 코어와 두 번째 금속의 코팅을 가지는 와이어를 제공하는 단계;
    b. 리드 프레임의 다이 접착 패드에 다이를 접착하는 단계;
    c. 와이어를 반도체 다이와 리드 프레임의 리드에 접착하는 단계; 그리고
    d. 상기 다이, 상기 다이 접착 패드, 상기 리드, 그리고 상기 와이어를 패키징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 첫 번째 와이어의 금속은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 것 을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 두 번째 금속은 니켈 또는 팔라듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 접착방법은 서머소닉 본딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 본딩 단계는 울트라소닉 본딩인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 금 또는 금 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 두 번째 금속은 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 본딩 단계는 서머소닉 본딩인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  14. 전자 부품들의 연결방법으로서;
    a. 첫 번째와 두 번째 전자 부품들, 그리고 첫 번째 금속의 코어를 가지는 와이어, 그리고 두 번째 금속의 코팅을 제공하는 단계;
    b. 와이어를 상기 첫 번째 전자 부품에 접착하는 단계; 그리고
    c. 와이어를 상기 두 번째 전자 부품에 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품들의 연결방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 두 번째 금속은 니켈과 팔라듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 접착방법은 서머소닉 본딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품들의 연결방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 두 번째 금 속은 니켈과 팔라듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 접착방법은 울트라소닉 본딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품들의 연결방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 금 또는 금 합금을 포함하고, 두 번째 금속은 은을 포함하며, 그리고 접착방법은 서머소닉 본딩을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품들의 연결방법.
  18. 반도체 다이 본딩 와이어로서,
    첫 번째 금속의 코어와 두 번째 금속의 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이 본딩 와이어.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 첫 번째 금속은 알루미늄, 알루미늄 합금, 금 또는 금 합금인 것을 특징으로 하는 반도체 다이 본딩 와이어.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 두 번째 금속은 니켈, 팔라듐, 또는 은인 것을 특징으로 하는 반도체 다이 본딩 와이어.
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