JPH0846116A

JPH0846116A - リードフレーム及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0846116A
Application number: JP17728394A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Tamura; 嘉男田村; Hiroyuki Noguchi; 博之野口; Naotake Wada; 尚武和田; Hisatoshi Ito; 久敏伊藤; Mitsuru Haruyama; 満春山
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp; Mitsubishi Electric Metex Co Ltd
Current assignee: Melco Metecs Corp; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-07-28
Filing date: 1994-07-28
Publication date: 1996-02-16

Abstract

(57)【要約】【目的】モールド樹脂との密着性に優れたリードフレ
ーム及びその製造方法を提供する。【構成】リードフレーム１の少なくともモールド樹脂
で封止される部分の表面の一部に、粗面化処理を施した
粗面化処理面９を備える。この粗面化処理９は、塩酸と
塩化第二鉄の混合溶液等を用いた化学エッチングにより
行われるか、あるいは硝酸塩ベースの電解液を用いて電
圧１０Ｖ以上５０Ｖ以下、陽極電流密度４０Ａ／ｄｍ2
以上２００Ａ／ｄｍ2以下の処理条件で電解エッチング
により行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置のパッケー
ジに用いられるリードフレーム、特に樹脂封止パッケー
ジの信頼性を向上させうるリードフレーム及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路等の半導体装置のパッケージの
多くは樹脂封止パッケージであり、このようなパッケー
ジには金属製のリードフレームが用いられているが、特
に銅又は銅合金からなるリードフレームが多用されてい
る。

【０００３】図７は従来の銅系リードフレームを示す平
面図である。この図において、符号１は銅又は銅合金か
らなるリードフレーム（以下銅系リードフレームと称す
る）で、このリードフレーム１は、図示しない半導体チ
ップを搭載するための略矩形のダイパッド２を有し、こ
のダイパッド２の周囲には、複数のインナーリード３が
配置されている。各インナーリード３の内端は、ダイパ
ッド２上に搭載される半導体チップの電極と電気的な接
続を取るため、ダイパッド２の周縁部近傍に配置され
る。ダイパッド２の四隅には、４本の吊りリード４の内
端が接続されており、これら吊りリード４はそこから外
側に延びて、外端においてタイバー６に一体的に接続さ
れており、このようにしてダイパッド２は吊りリード４
を介してタイバー６に支持される。また、タイバー６の
内周側には、インナーリード３の外端が一体的に接続さ
れると共に、その外周側には、各インナーリード３に対
応して設けられたアウターリード５が一体的に接続さ
れ、これらアウターリード５を介して外部との電気的、
物理的接続が取られる。

【０００４】また、ダイパッド２の全面、インナーリー
ド３の先端部（内端部）及び吊りリード４の先端部（内
端部）には、銀メッキが施されて銀メッキ部１１が形成
されている。銀メッキ部１１の下には、通常下地金属と
して銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）あるいはそれ
らの合金等からなる下地メッキ層が銅又は銅合金のよう
な銅系金属材料からなる母材上に形成されている。

【０００５】このような従来の銅系リードフレームの製
造方法は、先ず銅又は銅合金のような銅系金属材料の板
材を、順次抜き型を用いてプレス打ち抜きするか、若し
くは銅系金属材料の板材表面に転写露光法等によりレジ
ストをパターニングして、レジストで覆われていない部
分をエッチングで除去することによりリードフレーム１
の形状が形成される。その後、ダイパッド２の全面及び
インナーリード３の先端部及び吊りリード４の先端部に
銀メッキを施して銀メッキ部１１を形成する。このメッ
キ工程は、銀メッキ部１１となる部分を除いて、リード
フレーム１全体を遮蔽体により厳密に遮蔽してから銅あ
るいはニッケル等により下地メッキを行った後に銀メッ
キを施すか、若しくはリードフレーム１全面に銅あるい
はニッケル等により下地メッキを施した後、銀メッキ部
１１となる部分以外の部分を遮蔽体で厳密に遮蔽してか
ら全体に銀メッキを施し、その後、遮蔽体を外して不要
部分（銀メッキ部１１以外の部分）の下地メッキ層を剥
離させる等の方法、すなわち下地メッキ層の露出部分を
残さない方法が一般的であるが、必要に応じて下地メッ
キ層８の露出部分を残す場合もある。

【０００６】このようにして製造されたリードフレーム
１は、ダイパッド２の上に接着剤や半田を用いて半導体
チップ（図示せず）を接着し、半導体チップの各電極と
インナーリード３の銀メッキ部１１とをボンディングワ
イヤ（図示せず）で接続して、タイバー６で囲まれた内
側をモールド樹脂により封止する。更に、モールド樹脂
で封止されていないリードフレーム１の露出部分に半田
メッキを施し、タイバーを切断して対応するインナーリ
ード３とアウターリード５とが一体的に接続されるよう
にするとともに、封止樹脂の外側に出ているアウターリ
ード５を適当な長さで切断し、最後にアウターリード５
に曲げ加工を施してパッケージされた半導体装置を完成
させる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
銅系リードフレームでは、銅系金属材料の素地表面を、
あるいは銅、ニッケル等よりなる下地メッキ層の露出部
表面を、モールド樹脂で直接封止すると、上記何れの金
属の場合にも、モールド樹脂との界面に強い結合が生じ
ずリードフレーム１とモールド樹脂との密着性が悪い。
このため、例えば、半導体装置をプリント配線基板に半
田付けするとき等に、半導体装置パッケージに熱による
膨張、収縮が加わる状況では、リードフレーム１と半導
体チップとの熱膨張係数の差による影響で、リードフレ
ーム１とモールド樹脂との接着界面にせん断力が働き、
上記界面の密着性が失われる。一方、半導体装置のパッ
ケージを長期間保存する間に、あるいは吸湿が加速され
る状況下においては、より短時間の間にモールド樹脂の
吸湿が起こるので、密着性が失われた上記界面に水分が
凝結し、再び熱が加わると、凝結した水分が気化して膨
張してパッケージにクラックが発生するという問題点が
あった。また、半導体装置パッケージにおけるリードフ
レームとモールド樹脂の接着界面には、前記熱膨張収縮
により比較的穏やかなせん断力が働く以外に、パッケー
ジ製造工程におけるタイバー６の切断時やアウターリー
ド５の曲げ加工時に衝撃的なせん断力が働く。これが上
記接着界面に剥離を齎すか、あるいは剥離を齎さないま
でも、界面の密着力を低下させる要因になるという問題
点があった。

【０００８】そこで本発明は、上述した従来の問題点を
解決するためになされたもので、モールド樹脂との密着
性に優れ、耐熱衝撃性が良好であり、且つモールド樹脂
の吸湿が起こっても、パッケージにクラックが発生し難
く、短時間に大きなせん断力がリードフレームとモール
ド樹脂の界面に働くような場合においても、充分せん断
力に抗することができるリードフレーム及びその製造方
法を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るリ
ードフレームは、リードフレームの少なくともモールド
樹脂で封止される部分の表面の一部に、粗面化処理を施
した粗面化処理面を設けた。請求項２の発明に係るリー
ドフレームでは、前記粗面化処理面の粗さは、ＪＩＳＢ
Ｏ６０１で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５
μｍ以上である。請求項３の発明に係るリードフレーム
の製造方法は、銅系金属のリードフレームに化学エッチ
ングにより粗面化処理を施して、粗面化処理面を形成す
る。請求項４の発明に係るリードフレームの製造方法
は、銅系金属のリードフレームに電解エッチングにより
粗面化処理を施して、粗面化処理面を形成する。請求項
５の発明に係るリードフレームの製造方法では、前記粗
面化処理面の粗さは、ＪＩＳＢＯ６０１で定義される中
心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ以上である。請求項
６の発明に係るリードフレームの製造方法は、前記化学
エッチングにおいて、塩酸と塩化第二鉄の混合溶液をエ
ッチング液として使用する。請求項７の発明に係るリー
ドフレームの製造方法は、前記電解エッチングにおい
て、電圧１０Ｖ以上５０Ｖ以下、陽極電流密度４０Ａ／
ｄｍ²以上２００Ａ／ｄｍ²以下の処理条件で電解エッチ
ングを行う。

【００１０】

【作用】請求項１の発明におけるリードフレームでは、
リードフレームの少なくともモールド樹脂で封止される
部分の表面の一部に粗面化処理面が形成され、この粗面
化処理面によりモールド樹脂とリードフレームとの密着
性が向上される。請求項２の発明におけるリードフレー
ムでは、前記粗面化処理面の粗さを、ＪＩＳＢＯ６０１
で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ以上
にしたので、モールド樹脂とリードフレームとの密着性
が一層向上する。請求項３の発明におけるリードフレー
ムの製造方法は、銅系金属のリードフレームに化学エッ
チングにより粗面化処理を施したので、モールド樹脂と
リードフレームとの密着性が向上する。請求項４の発明
におけるリードフレームの製造方法は、銅系金属のリー
ドフレームに電解エッチングにより粗面化処理を施した
ので、モールド樹脂とリードフレームとの密着性が向上
する。請求項５の発明におけるリードフレームの製造方
法では、前記粗面化処理面の粗さを、ＪＩＳＢＯ６０１
で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ以上
にしたので、モールド樹脂とリードフレームとの密着性
が一層向上する。請求項６の発明におけるリードフレー
ムの製造方法は、前記化学エッチングにおいて、塩酸と
塩化第二鉄の混合溶液をエッチング液として使用するの
で、粗面化処理の際のエッチング効率が高く、比較的短
時間で所望の表面粗さが得られる。請求項７の発明にお
けるリードフレームの製造方法は、前記電解エッチング
において、電圧１０Ｖ以上５０Ｖ以下、陽極電流密度４
０Ａ／ｄｍ²以上２００Ａ／ｄｍ²以下の処理条件で電解
エッチングを行ので、効率のよいエッチングが可能とな
り、比較的短時間で所望の表面粗さが得られる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例につき添付図面を参照
して説明する。図１はこの発明のリードフレームの一実
施例を示すリードフレームの平面図、図２は図１のＡ−
Ａ線断面図、図３はリードフレームとモールド樹脂の界
面を模式的に示す断面図で、（ａ）及び（ｂ）は化学エ
ッチング法及び電解エッチング法を用いた場合の界面の
中心線平均粗さをそれぞれ表している。これらの図にお
いて、従来例を表す図７と同一部分又は相当部分は同一
の符号で表されており、また図３の（ａ）及び（ｂ）に
おいて、図２と同一部分又は相当部分は同一の符号で表
されている。

【００１２】図２において、符号７は銅系金属（銅又は
銅合金）からなるリードフレーム１の母材であり、半導
体チップを搭載する側の母材７の表面には、ニッケルよ
りなる下地メッキ層８を介して銀メッキ部１１が形成さ
れている。図１乃至図３において、符号９はダイパッド
部２の銀メッキ部１１以外の部分の表面粗さを調整した
部分であり、この部分のＪＩＳＢ０６０１で定義されて
いる中心線平均粗さは、０．５μｍ以上となっている。
符号１０はモールド樹脂である。

【００１３】上記リードフレーム１のダイパッド２の上
に、図示しない半導体チップを接着剤あるいは半田等を
用いて接着し、半導体チップの各電極とインナーリード
３の銀メッキ部１１とをボンディングワイヤで接続して
から、タイバー６で囲まれた内側をモールド樹脂１０で
封止する。更に、モールド樹脂１０で封止されていない
リードフレーム１の露出部分に半田メッキを施し、それ
からタイバー６を切断して対応するインナーリード３と
アウターリード５とを一体的に接続させ、最後に、アウ
ターリード５に曲げ加工を施して半導体装置のパッケー
ジを完成する。

【００１４】上述のように構成された半導体装置のパッ
ケージ１は、ダイパッド部２の銀メッキ部１１以外の表
面の粗さを調整しているため、モールド樹脂１０の密着
性が強化される。このため、長期保存中に、モールド樹
脂１０の吸湿が加速される状況下で使用しても、あるい
は熱衝撃等を受けても、パッケージにクラックが発生し
にくく、リードフレーム１とモールド樹脂１０との界面
に衝撃的なせん断力が働いても、上記界面での剥離やモ
ールド樹脂１０との密着性の劣化が生じにくい。

【００１５】次に、上記リードフレームの製造方法につ
いて説明する。以下の各実施例中、％は重量％を表す。

【００１６】実施例１．上記リードフレーム１を得るた
めの製造方法の一実施例として、ニッケル（Ｎｉ）；１
５％、リン（Ｐ）；０．１％、シリコン（Ｓｉ）；０．
１８％、亜鉛（Ｚｎ）；１．５％、残部が銅（Ｃｕ）か
らなる時効硬化処理により製造した銅合金の板材を用い
て、通常のエッチング法により図１に示すようなリード
フレーム１の形状を形成した。そして、ダイパッド２の
表面及びインナーリード３の表、裏面を合成ゴム系フォ
トレジストで被覆し、下記の条件で化学エッチング法に
よって表面粗さを調整し、中心線平均粗さで０．５μｍ
以上の粗面化処理面９を形成した。

【００１７】そして、粗さ調整した粗面化処理面９のうち、ダイパッ
ド２の裏面のみをシリコーンゴムからなる保護体で被覆
し、表面にニッケル（Ｎｉ）及び銀（Ａｇ）を順次電気
メッキしてニッケル下地メッキ層と銀メッキ層とを形成
した。

【００１８】実施例２．リードフレーム１の母材７とし
て、スズ（Ｓｎ）；２．０％、ニッケル（Ｎｉ）；０．
２％，残部が銅（Ｃｕ）からなる銅合金の板材を用いた
ことと、下記の条件により電解エッチングを行ったこと
以外は、上記実施例１と同じ方法でリードフレーム１の
形状並びに中心線平均粗さで０．５μｍ以上の粗面化処
理面９を形成した。

【００１９】処理条件２エッチング液；燐酸１００ｍｌ／ｌ硫酸１０ｍｌ／ｌ重クロム酸カリウム１５ｍｌ／ｌ電圧；２０Ｖ陽極電流密度；９４Ａ／ｄｍ² 温度；４０°Ｃそして、上記実施例１と同様に、ニッケル（Ｎｉ）下地
メッキと銀（Ａｕ）メッキとを電気メッキにより施し
た。このようにして製造した実施例１及び２のリードフ
レーム１に対して、ダイパッド２上にシリコン（Ｓｉ）
の半導体チップをダイボンディングし、チップの電極と
インナーリード３の銀（Ａｕ）メッキ部１１とを金線等
のボンディングワイヤで結線して、エポキシ樹脂とシリ
カフィラーとからなるモールド樹脂１０を加圧、注入し
て封止した。次に、タイバー６の一部等のリードフレー
ム１の不要部分を切断除去し、最後にアウターリード５
の曲げ加工を行ってパッケージを完成した。

【００２０】上記のようにして形成したパッケージに対
して、タイバー６及びインナーリード３を含む断面が現
れるように研磨を行った。すなわち、先ず、エミリー紙
（紙やすり）を用いて、目の荒いものから細かいものへ
と順次変化させて（＃８０、＃２４０、＃６００、＃８
００、＃１０００）研磨を行った後、粒径０．３μｍの
アルミナ研磨材を用いてバフ研磨し、次いで粒径２．０
μｍのアルミナ研磨材を用いて仕上げバフ研磨を行っ
た。このようにして生成されたパッケージ断面を金属顕
微鏡で観察した処、リードフレーム１とモールド樹脂１
０との界面の剥離は見られなかった。

【００２１】また、このようにして形成された実施例
１、２のリードフレーム１の表面構造を走査型顕微鏡で
観察して調べた。図４の（ａ）は実施例１による銅の化
学エッチングにおけるリードフレーム１の走査型顕微鏡
写真（倍率：１６００倍）であり、数μｍから十数μｍ
の粒子により空隙が形成されている構造であることが確
かめられる。また、図５はこの表面粗さチャート及び測
定値を表しており、この図から中心線平均粗さが３．２
７μｍであることが確かめられる。図４の（ｂ）は実施
例２による銅の電解エッチングにおけるリードフレーム
１の走査型顕微鏡写真（倍率：４００倍）であり、この
図から、数μｍから数十μｍの直径の穴を有する構造で
あることが確かめられる。また、図６はこの表面粗さチ
ャート及び測定値を表しており、この図から中心線平均
粗さが０．６８μｍであることが確かめられる。

【００２２】次に上記実施例１、２の外に、実施例１の
化学エッチングの処理条件のみを変更した実施例（３、
４、５）、及び実施例２の電解エッチングの処理条件の
みを変更した実施例６、７を作成し、さらに比較用とし
て、未処理のもののモールド樹脂に対する密着性を調べ
るために、市販のエポキシ樹脂（スリーボンド２０６０
シリーズで高耐湿タイプ）を、実施例１、２と同様の素
材からなり粗面化処理を施していないリードフレームの
表面に塗布した後、硬化させて作成した比較例１及び比
較例２、３を作成し、これらについて引っ張り試験を行
って樹脂接着界面のせん断力を調べた。但し、形状によ
るせん断力の変化を排除するために、試料の寸法を長さ
７０ｍｍ、幅１５ｍｍの短冊片に揃えて試験を行った。
この引っ張り試験の結果を表１に示す。表１に示すよう
に、この発明の実施例は、比較例に比べて極めて大きな
せん断力に対抗する密着力を有することが確認できた。

【００２３】

【表１】

【００２４】ところで、上記各実施例において説明した
エッチング処理面を形成するための条件は、必ずしもそ
れぞれ上記表１記載のように行う必要はなく、銅系金属
のエッチング反応性、製造コスト等の観点から本発明の
範囲内で適宜変更してもよい。すなわち、電解エッチン
グの場合には、ＪＩＳＢＯ６０１で定義される中心線平
均粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以上の粗面を得るために
は、電圧を１０Ｖ以上５０Ｖ以下の範囲で、また陽極電
流密度を４０Ａ／ｄｍ²以上２００Ａ／ｄｍ²以下の範囲
でエッチングを行うことが好ましい。また、母材として
は、一般に半導体装置用リードフレーム材料として用い
られる銅又は銅合金であれば、上記方法を適用すること
により、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ以上の粗
面化処理面を形成することが可能である。

【００２５】

【発明の効果】以上のように、請求項１のリードフレー
ムによれば、リードフレームの少なくともモールド樹脂
で封止される部分の表面の一部に、粗面化処理を施した
粗面化処理面を備えるので、粗面化処理面の凹凸部にモ
ールド樹脂が充填、保持されてリードフレームとモール
ド樹脂との間の接着力が強固になり、熱衝撃や吸湿が起
こってもモールド樹脂がリードフレームから剥離するこ
とはなく、モールド樹脂パッケージにクラックが発生す
るのを効果的に防止できる上、リードフレームとモール
ド樹脂の界面に衝撃的なせん断力が働いても、充分な対
抗力を発揮してリードフレームとモールド樹脂との密着
性を確保することができる効果がある。請求項２のリー
ドフレームによれば、前記粗面化処理面の粗さを、ＪＩ
ＳＢＯ６０１で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で
０．５μｍ以上にしたので、粗面化処理面とモールド樹
脂との接着力が一層強化されてモールド樹脂とリードフ
レームとの密着性が一層向上する。

【００２６】請求項３のリードフレームの製造方法によ
れば、銅系金属のリードフレームに化学エッチングによ
り粗面化処理を施したので、粗面化処理面の凹凸部にモ
ールド樹脂が充填、保持されてリードフレームとモール
ド樹脂との間の接着力が強固になり、熱衝撃や吸湿が起
こってもモールド樹脂がリードフレームから剥離するこ
とはなく、モールド樹脂パッケージにクラックが発生す
るのを効果的に防止できる上、リードフレームとモール
ド樹脂の界面に衝撃的なせん断力が働いても、充分な対
抗力を発揮してリードフレームとモールド樹脂との密着
性を確保することができる。

【００２７】請求項４のリードフレームの製造方法によ
れば、銅系金属のリードフレームに電解エッチングによ
り粗面化処理を施したので、粗面化処理面の凹凸部にモ
ールド樹脂が充填、保持されてリードフレームとモール
ド樹脂との間の接着力が強固になり、熱衝撃や吸湿が起
こってもモールド樹脂がリードフレームから剥離するこ
とはなく、モールド樹脂パッケージにクラックが発生す
るのを効果的に防止できる上、リードフレームとモール
ド樹脂の界面に衝撃的なせん断力が働いても、充分な対
抗力を発揮してリードフレームとモールド樹脂との密着
性を確保することができる。

【００２８】請求項５のリードフレームの製造方法によ
れば、前記粗面化処理面の粗さを、ＪＩＳＢＯ６０１で
定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍ以上に
したので、モールド樹脂とリードフレームとの密着性が
一層向上する。請求項６のリードフレームの製造方法に
よれば、前記化学エッチングにおいて、塩酸と塩化第二
鉄の混合溶液をエッチング液として使用するので、粗面
化処理の際のエッチング効率が高く、比較的短時間で所
望の表面粗さが得られる。請求項７のリードフレームの
製造方法によれば、前記電解エッチングにおいて、電圧
１０Ｖ以上５０Ｖ以下、陽極電流密度４０Ａ／ｄｍ²以
上２００Ａ／ｄｍ²以下の処理条件で電解エッチングを
行ので、効率のよいエッチングが可能となり、比較的短
時間で所望の表面粗さが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるリードフレームの平面図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】（ａ）は化学エッチング法を用いた場合のリ
ードフレームとモールド樹脂の界面を模式的に示す断面
図、（ｂ）は電解エッチングを用いた場合のリードフレ
ームとモールド樹脂の界面を模式的に示す断面図であ
る。

【図４】（ａ）は本発明のリードフレームの製造方法
の第１実施例（実施例１）による銅の化学エッチングに
より形成された粗面化処理面の走査型顕微鏡写真、
（ｂ）は本発明のリードフレームの製造方法の第２実施
例（実施例２）による銅の電解エッチングにより形成さ
れた粗面化処理面の走査型顕微鏡写真である。

【図５】本発明のリードフレームの製造方法の第１実
施例（実施例１）により得られた粗面化処理面の表面粗
さチャート及び粗さ測定結果を示すグラフである。

【図６】本発明のリードフレームの製造方法の第２実
施例（実施例２）により得られた粗面化処理面の表面粗
さチャート及び粗さ測定結果を示すグラフである。

【図７】従来のリードフレームの平面図である。

【符号の説明】

１リードフレーム、９粗面化処理面。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ 23/28 Ａ 6921−4ＥＨ０５Ｋ 3/38 7511−4Ｅ (72)発明者和田尚武相模原市宮下一丁目１番57号三菱電機メテックス株式会社相模工場内 (72)発明者伊藤久敏相模原市宮下一丁目１番57号三菱電機メテックス株式会社相模工場内 (72)発明者春山満相模原市宮下一丁目１番57号三菱電機メテックス株式会社相模工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置の樹脂封止型パッケージに用
いられる銅系金属のリードフレームにおいて、該リード
フレームの少なくともモールド樹脂で封止される部分の
表面の一部に、粗面化処理を施した粗面化処理面を備え
ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】前記粗面化処理面の粗さは、ＪＩＳＢＯ
６０１で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のリードフ
レーム。
【請求項３】半導体装置の樹脂封止型パッケージに用
いられる銅系金属のリードフレームの製造方法におい
て、該リードフレームの少なくともモールド樹脂で封止
される部分の表面の一部に、化学エッチングにより粗面
化処理を施して、粗面化処理面を形成することを特徴と
するリードフレームの製造方法。
【請求項４】半導体装置の樹脂封止型パッケージに用
いられる銅系金属のリードフレームの製造方法におい
て、該リードフレームの少なくともモールド樹脂で封止
される部分の表面の一部に、電解エッチングにより粗面
化処理を施して、粗面化処理面を形成することを特徴と
するリードフレームの製造方法。
【請求項５】前記粗面化処理面の粗さは、ＪＩＳＢＯ
６０１で定義される中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．５μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項３又は請求項４記
載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】前記化学エッチングにおいて、塩酸と塩
化第二鉄の混合溶液をエッチング液として使用すること
を特徴とする請求項３記載のリードフレームの製造方
法。
【請求項７】前記電解エッチングにおいて、電圧１０
Ｖ以上５０Ｖ以下、陽極電流密度４０Ａ／ｄｍ²以上２
００Ａ／ｄｍ²以下の処理条件で電解エッチングを行う
ことを特徴とする請求項４記載のリードフレームの製造
方法。