DE3330068A1 - Hybrid-integrierte schaltung und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents

Hybrid-integrierte schaltung und verfahren zur herstellung derselben

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DE3330068A1
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circuit
copper
foil
layer
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Shinichiro Asai
Kazuo Katoh
Tatsuo Machida Tokyo Nakano
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Denka Co Ltd
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Description

1A-4256
DKK-42C
DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA Tokyo, Japan
Hybrid-integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung derselben
Die vorliegende Erfindung betrifft eine hybrid-integrierte Schaltung, welche sowohl die Verbindung eines Halbleiterelements mit einem Schaltungsteil über einen Aluminiumdraht oder Golddraht gestattet als auch die Verbindung eines externen Anschlusses, eines Halbleiterelements oder eines anderen Schaltungselements mit einem anderen Schaltungsteil durch Löten in der Schaltung. Die Schaltungsanordnung wird hergestellt durch selektives Ätzen eines ersten und eines zweiten leitfähigen Metalls, wie Aluminium und Kupfer, welche auf ein gemeinsames Substrat laminiert sind, dergestalt,
3330Q68 'Ψ·
--2—
daß die Oberflächen der Metalle selektiv freigelegt werden.
Herkömmliche, hybrid-integrierte Schaltungen werden hergestellt durch Ausbildung eines Schaltungsmusters auf einem Substrat aus Glas oder Keramikmaterial durch Aufdampfen oder durch Druckverfahren oder dergl. oder durch Ausbildung einer Schaltung im Wege der Ätzung eines mit Kupfer laminierten Substrats. Letzteres wird hergestellt durch Taminierung einer isolierenden Schicht und einer Kupferfolie auf eine Basisplatte aus Aluminium oder Eisen. An die Ausbildung des Schaltungsmusters schließt sich die Verbindung der Schaltungselemente durcx. L?ten an. Im allgemeinen wird die Schaltung mit den Körpern von Halbleitern, externen Verbindungsanschlüssen, Chipelementen,z.B. Chipkondensatoren, Chipwiderständen oder dergl., verbunden, und außerdem wird die Schaltung über Gold- oder Aluminiumdrähte mit den Halbleiteranschlüssen verbunden.
In bezug auf die Verbindung des Substrats mit dem Goldoder Aluminiumdraht gibt es verschiedene Behandlungsvorschläge, z.B. die Plattierung mit einem Edelmetall, wie Gold oder Silber; die Nickelplattierung (JA-AS 3461/1977); Aluminium-Aufdampfung (JA-OS 28662/1976) und Metallpelletverbindung (JA-AS 37110/1970). Wenn eine Plattierungsbehandlung durchgeführt wird, so wird eine Anlage für diese Plattierungsbehandlung benötigt, und es ist ferner erforderlich, die Güte der Oberfläche und die Dicke der Plattierungsschicht sorgfältig zu steuern. Wenn andererseits ein Metallpellet verwendet wird, so ist die Anzahl der Verbindungsvorgänge größer als die Anzahl der Verbindungen der Halbleiter-
körper mit dem Ergebnis, daß das Gesamtverbindungsverfahren kompliziert ist.
Im Falle der Durchführung eines Drahtverbindungsverfahrens unter Ultraschall-Schwingungsbehandlung mit einem Aluminiumdraht kommt es ebenfalls zu nachteiligen Erscheinungen. Wenn dabei beispielsweise eine Schaltung mit freiliegendem Kupfer auf einer Isolierschicht aus hochpolymerem Harz verwendet wird, so kommt es zu einem sog. Austritt der Ultraschallwellen, da die isolierende Schicht einen niedrigen Young-Modul aufweist. Dies verhindert eine zufriedenstellende Verbindung. Andererseits hat auch die Plattierung mit Edelmetall oder die Plattierung mit Nickel Nachteile, da eine äußerst hohe Güte der für die Verbindung zu verwendenden Oberflächenbereiche erforderlich ist und da ferner die Bedingungen, welche bei der Verbindung unter Anwendung von Ultraschallschwingungen eingehalten werden müssen, sich in engen Grenzen halten.
Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die vorgenannten Nachteile der herkömmlichen Verfahren zu überwinden und ein Verfahren zur Herstellung einer hybrid-integrierten Schaltung zu schaffen, welches die Verbindung von Halbleiterelementen mit einem Schaltungsteil über einen Aluminiumdraht oder einen Golddraht gestattet und außerdem die Verbindung der Elemente selbst mit einem anderen Schaltungsteil durch Löten.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Herstellung einer hybrid-integrierten Schaltung gelöst, bei dem man ©ine isolierende Schicht, welche gegebenenfalls selbst mit einem Metallsubstrat lami-
niert sein kann, mit einer Alimiinium-Kupfer-Verbundfolie laminiert. Sodann erfolgt eine Ätzbehandlung der Aluminium-Kupfer-Verbundfolie mit Ätzmitteln, die einen Aluminiumschaltungsteil bilden sowie einen Kupferschaltungsteil. Sodann wird ein Halbleiterelement mit dem Aluminiumschaltungsteil über einen Aluminiumdraht oder Golddraht verbunden, während andererseits ein Schaltungselement mit dem Kupferschaltungsteil durch Löten verbunden wird.
Ferner wird erfindungsgemäß eine hybrid-integrierte Schaltung geschaffen, welche nach obigem Verfahren hergestellt wurde.
Im folgenden wir! die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 bis 3 Schnittansichten zur Veranschaulichung der Stufen der Herstellung der Schaltung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren;
Fig. 4 einen Schnitt zur Veranschaulichung der Ausbildung einer Schaltung auf einem Schaltungssubstrat gemäß den Fig. 1 bis 3;
Fig. 5 bis 7 Schnittansichten zur Veranschaulichung einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, nämlich der Stufe zur Bildung einer Schaltung;
Fig. 8 eine Schnittansicht zur Veranschaulichung der Aufbringung yon Schaltungselementen auf der Schaltung gemäß den Fig. 5 bis 7; und
Fig. 9 ein Diagramm der Beziehung der Ausgangsleistung zum Zeitpunkt der Drahtverlötung unter Ultraschallbehandlung einerseits und der Zugfestigkeit andererseits .
• r *
Im folgenden soll eine erste Ausführungsform der Erfindung anhand der Fig. 1 bis 4 erläutert werden. Ein Schaltungssubstrat wird hergestellt, indem man eine leitfähige Metallschicht 9, bestehend aus zwei laminierten Metallfolien, Metallfilmen oder -schichten, wie einer Aluminiumschicht 2 als untere Schicht und einer Kupferschicht 3 als obere Schicht, auf eine isolierende Schicht 1 aufbringt,welche als Trägerkörper vorliegen kann. Das so erhaltene ochaltungssubstrat wird einer Ätzbehandlung unterzogen. Dabei wird ein Ätzmittel verwendet, welches sich dazu eignet, nur die obere Metallschicht aufzulösen. Es wird ein weiteres Ätzmittel verwendet, welches nur die untere Metallschicht auflöst. Dabei wird jeweils die Metallschicht mit einem vorbestimmten ochaltungsmustar freigelegt. Auf diese Weise erhält man ein Schaltungssubstrat für eine hybrid-integrierte Schaltung. Sodann werden Halbleiterelemente mit einer Aluminiumschaltung verbunden, welche auf einem Aluminiumleitungspfad ausgebildet ist, und zwar mit Hilfe eines Aluminium- oder eines Golddrahts durch Anwendung von Ultraschall. Ferner werden Schaltungselemente mit der Kupferschaltung verbunden, welche im Kupferleitungspfad ausgebildet ist, und zwar ebenfalls durch Löten. Bei einer alternativen Ausführungsform kann die leitfähige Metallschicht 9 zusammengesetzt sein aus einer oberen Aluminiumschicht und einer unteren Kupferfolie als untere Schicht.
Die Fig. 5 bis 8 zeigen eine weitere Ausführungsform der Erfindung. Hier besteht eine leitfähige Metallschicht 9 aus einer Aluminiumfolie 2 als obere Schicht und einer Kupferfolie 3 als untere Schicht. Beide sind über eine Isolierschicht 1 mit einem Metallkörper 8 verbunden. Die leitfähige Metallschicht 9 kann aus einer
'6 '
Kupferfolie 3 als obere Schicht und einer Aluminiumfolie 2 als untere Schicht bestehen.
Die isolierende Schicht 1 der Erfindung kann aus einem organischen Polymeren, wie einem Epoxyharz, einem Phenolharz, einem Silikonharz, einem Polyimidharz oder dergl., bestehen. Ferner kann sie auch aus einem anorganischen Material bestehen oder aus einem zusammengesetzten Material, bestehend aus einem anorganischen Material und einem organischen Polymeren, wie Glas-Epoxy. Es ist besonders erwünscht, ein Verbundmaterial zu verwenden, welches aus einem organischen Polymeren und einem anorganischen Pulver mit ausgezeichneter wärmeleitfähigkeit, wie Berylliumoxid, Bornitrid, Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Siliciumdioxid oder dergl., besteht und welches in einer Menge einverleibt wird, die größer ist als die Menge des organischen Polymeren. Dies geschieht deshalb, weil die Wärmeleitfähigkeit des anorganischen Pulvers hoch ist und das Phänomen des Austritts einer Ultraschallwelle unterbindet.
Das Schaltungssubstrat zeigt ferner eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, da es nämlich aus einer Kombination einer metallischen Basisplatte und einer isolierenden Schicht besteht. Ein solches Substrat ist optimal für die Zwecke einer hybrid-integrierten Hochleistungsschaltung.
Die Aluminiumfolie und die Kupferfolie haben jeweils eine Dicke von 0,1 bis 100 /um. Die laminierte Aluminium-Kupfer-Verbundfolie kann erhalten werden durch Aufeinanderlegen von zwei Folien oder durch Ausbil-
dung einer Kupferschicht auf der Aluminiumfolie durch Plattierung oder durch Ausbildung von Zink- und Kupfarechichten auf der Aluminiumfolie durch Plattierung in dieser Reihenfolge.
Im folgenden soll die Herstellung der hybrid-integrierten Schaltung erläutert werden. Ein Resistmaterial wird durch Siebdruck auf die laminierte Aluminium-Kupfer-Verbundfolie aufgebracht und getrocknet. Die erste metallische Schicht 3 des oberen Teils der Verbundfolie 9 wird sodann einer Ätzbehandlung unterzogen, indem man ein selektives Ätzmittel einwirken läßt. Man erhält dabei ein vorbestimmtes Schaltungsmuster (Fig. 2). Sodann wird der Resist entfernt. Falls erforderlich, kann der Resist auch für die Durchführung der nächsten Stufe verbleiben.
Sodann wird erneut ein Resist durch Siebdruck auf das Schaltungssubstrat aufgebracht und getrocknet. Nun erfolgt wiederum eine Ätzbehandlung mit einem Ätzmittel, welches nur auf die zweite Metallschicht 2 des unteren Teils der Verbundfolie 9 einwirkt. Hierdurch erhält man wiederum ein vorbestimmtes Schaltungsmuster der zweiten Metallschicht. Auf diese Weise erhält man eine Schaltung auf dem Substrat gemäß den Fig. 3 und 7.
Auf dem Schaltungssubstrat dient eine Kupferschaltung 31 dazu, einzelne Schaltungselemente durch Löten zu verbinden,und der Aluminiumschaltungsteil 21 dient zur Verbindung eines Aluminiumdrahts oder eines Golddrahts 6.
Die Fig. 4 und 8 zeigen Schaltungssubstrate mit einer Halbleitereinrichtung 5 und einem externen Anschluß 7.
Die Halbleitereinrichtung 5 und der externe Anschluß 7 werden mit dem Kupferschaltungsteil 31 über eine Lotschicht 4 verbunden. Andererseits wird die Halbleitereinrichtung 5 elektrisch mit dem Aluminiumschaltungsteil 21 über den Aluminiumdraht oder den Golddraht 6 verbunden. Der externe Anschluß 7 kann mit dem Kupferschaltungsteil 3' mittels eines leitfähigen Bindemittels anstelle der Lotschicht 4 verbunden werden. Ferner kann der externe Anschluß auch mit dem Kupferschaltungsteil 31 über einen Kühlkörper verbunden werden, z.B. eine Kupferplatte, und zwar durch Löten.
Bei den vorerwähnten Ausführungsformen werden die ersten und zweiten Metallschichten nacheinander geätzt. Dabei verwendet stan ein Ätzmittel, welches nur zum Ätzen der ersten Metallschicht geeignet ist, und sodann ein weiteres Ätzmittel, welches nur zum Ätzen der zweiten Metallschicht geeignet ist. Hierdurch erhält man die jeweiligen, vorbestimmten Schaltungsmuster. Es ist auch möglich, die vorbestimmten Schaltungsmuster durch Ätzen sowohl der ersten Metallschicht als auch der zweiten Metallschicht mit einem gemeinsamen Ätzmittel, wie Eisen(III)-chlorid, zu ätzen und dann nur die erste Metallschicht mit einem weiteren Ätzmittel zu ätzen, welches selektiv nur die erste Metallschicht zu ätzen vermag.
Bei dem erfindungsgemäßen Schaltungssubstrat kann entweder der Aluminiumschaltungsteil oder der Kupferschaltungsteil freiliegen, sofern dieser Schaltungsteil nicht für das Auflöten von Schaltungselementen oder für die Verbindung mit Draht, nämlich dem Aluminiumdraht oder dem Golddraht 6, benötigt wird.
Es kommen verschiedene Ätzmittel in Frage, welche selektiv in bezug auf Kupfer wirken, d.h. welche Kupfer zu ätzen vermögen, nicht jedoch Aluminium. Man kann beispielsweise ein Ätzmittel vom Schwefelsäure-Wasserstoffperoxid-Typ verwenden (z.B. Perma Etch, hergestellt von Ebara Densan K.K.); eine wäßrige Lösung von Persulfat, wie Ammoniumpersulfat, Natriumpersulfat oder dergl.. Diese Ätzmittel sind besonders vorteilhaft, da es nicht nötig ist, einen Schutzfilm zu verwenden, mit dem die rückwärtige Fläche des Metallkörpers 8 im Falle der Fig. 8 geschützt werden muß, wenn man eine Aluminiumplatte als Metallkörper verwendet.
Als Ätzmittel, welches in bezug auf Aluminium selektiv wirkt, d. h· welches Aluminium zu ätzen vermag, nicht jedoch Kupfer, kann man beispielsweise ein Mittel verwenden, welches erhalten wird durch Auflösung eines Nitrats, wie Natriumnitrat, oder eines Nitrits, wie Natriumnitrit, in der wäßrigen Lösung einer starken, anorganischen Base, wie Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid usw.; ein solches Ätzmittel wird vorzugsweise verwendet, da es nur minimal zur Entwicklung von Wasserstoff führt und vorzügliche Ätzeigenschaften hat. Falls erwünscht, kann man ein Entschlackungsmittel zusetzen sowie ein Chelatisierungsmittel für Aluminium.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Beispielen und Vergleichsbeispielen näher erläutert.
Beispiel 1
Es wird der Aufbau gemäß Fig. 1 gewählt. Als Trägerplatte 1 wird eine isolierende Platte aus Glas-Epoxy-Material mit einer Dicke von 1,6 mm verwendet. Eine
Aluminium-Kupfer-Verbundfolie 9, bestehend aus einer Aluminiumfolie 2 mit einer Dicke von 15/um und einer Kupferfolie 3 mit einer Dicke von 35/um, wird auf diese isolierende Trägerplatte 1 aus Glas-Epoxy-Material laminiert, wobei die Kupferfolie nach außen weist. Sodann wird auf die Außenseite der Kupferfolie ein Ätzresist (alkalisch entfernbarer Lack DA-200B, hergestellt von Sanwa Kagaku Company) aufgebracht, und zwar durch Siebdruck, und 10 min bei 8O0C getrocknet. Sodann wird die Kupferfolienoberfläche einer Sprüh-Ätzbehandlung unterzogen, wobei man Perma Etch (Warenzeichen der Ebara Densan K.K.) als selektives Ätzmittel für Kupfer während 2 min bei 54GC einwirken läßt. Dann wird mit einer 2%igen wäßrigen Lösung von Natriumhydroxid gewascLeiip um den Ätzresist zu entfernen. Auf diese Weise erhält man den Kupferschaltungsteil 3'.
Sodann wird ein Ätzresist, welcher gegen starke Basen beständig ist, aufgebracht (MR-500, hergestellt von Asahi Kaken Company), und zwar durch Siebdruck auf das Substrat mit dem Kupferschaltungsteil 3'. Danach erfolgt eine lOminütige Trocknung bei 1000C. Sodann sprüht man auf dieses Substrat eine wäßrige Lösung einer starken Base, bestehend aus 100 g/l Natriumhydroxid und 2 g/l Kaliumhydroxid. Man läßt diese Ätzlösung 3 min bei 500C einwirken. Auf diese Weise erhält man ein Schaltungssubstrat 10 mit dem Kupferschaltungsteil 31 und dem Aluminiumschaltungsteil 2f gemäß Fig.3.
Beispiel 2
Es wird eine Aluminium-Kupfer-Verbundfolie gemäß Fig.1 hergestellt. Die Oberfläche der Verbundfolie wird mit einem Epoxyharz beschichtet, welche? mit einem anorga-
-^Ionischen Pulver gefüllt ist (Ramdite, hergestellt von Denki Kagaku Kogyo K.K.). Die Beschichtung hat eine Dicke von 100 /um. Sodann bringt man auf diese Beschichtungsschicht eine Aluminiumplatte 8 mit einer Dicke von 2 mm auf. Das Ganze wird nun bei Zimmertemperatur unter Druck gehärtet oder konsolidiert, wobei man ein Trägersubstrat mit einer Isolierschicht 1 erhält.
Auf die rückwärtige Seite des Trägersubstrats bringt man einen Schutzfilm aus Vinylchloridharz auf. Sodann wird auf die Aluminiumschicht ein Ätzresist durch Siebdruck aufgebracht, und nun erfolgt die Ätzbehandlung der Aluminiumschicht gemäß Beispiel 1. Dabei erhält man die Aluminiumschaltung gemäß Fig. 6.
Ί.ίη selektives Ätzmittel für Kupfer wird bereitet, indem man eine kleine Menge TEC H (hergestellt von Tokai Denka K.K.) als Ätzbeschleunigungsmittel einer wäßrigen ι.··αιπΐ£ΐ Von Amiiioninmpersiii fat" (150 g/l) zusetzt. Die Kupferschicht wird nun einer Äl£i»ehan«l!.ung wain-omi 2 min bei 400C unterzogen. Man erhält auf diese Weise eine Schaltung 10 mit einem Aluminiumschaltungsteil 2' und einem Kupferschaltungsteil 3f gemäß Fig. 7.
Vergleichsbeispiele
Es werden die folgenden drei Testproben hergestellt: Ein Schaltungssubstrat 10 nach dem Verfahren des Beispiels 2 und
zwei Schaltungssubsträte, bei denen die Laminierung mit einer Kupferfolie mit einer Dicke von 35/um anstelle der Aluminium-Kupfer-Verbundfolie des Beispiels 2 vorliegt, wobei in einem Falle eine Beschichtung mit einer Goldplattierungsschicht mit einer Dicke von 1 /um
JJJUUDO
vorliegt und im anderen Falle eine Plattierung mit einer Nickelschicht mit einer Dicke von 5/um. Ein Aluminiumdraht mit einem Durchmesser von 30 /um wird mit jeder Testprobe verbunden, und zwar durch Ultraschallverbindung, und die Drahtverbindungscharakteristik wird jeweils untersucht. Die Ergebnisse sind in Fig. 9 zusammengestellt. Das Drahtverbindungsverfahren erfolgt mit dem Gerät Wire Bonder USW-5Z6OS, hergestellt von Chiöonpa Kogyo Company. In Fig. 9 ist auf der Ordinate die Zugfestigkeit des Aluminiumdrahts aufgetragen und auf der Abszisse die Ultraschallausgangsleistung. Man erkennt aus der Figur, daß das Schaltungssubstrat mit einer Verbindungsfläche (Verbindungsauge) aus einer Aluminiumfolie mit einer Dicke von 15/um zu s„.iisr höheren Zugfestigkeit führt als die anderen Verbindungsflächen und daß auch die Fluktuationen in bezug auf die Zugfestigkeitswerte gering sind. Die Tatsache, daß die Zugfestigkeit im Falle der Plattierungsbehandlung in großem Maße fluktuiert, bedeutet, daß der Zustand der Oberfläche der durch Plattierung aufgebrachten Metallechicht in hohem Maße die Drahtbindungseigenschaften beeinflußt. Somit hat eine Bindungsfläche, welche durch Plattierung aufgebracht wurde, einen vermeidbaren Nachteil.
Sin weiterer Test der Drahtbindeeigenschaften wurde durchgeführt unter Verwendung des SchaltungsSubstrats aus einer Aluminiumschicht mit einer Goldplattierungssc'licht gemäß Vergleichsbeispiel. Zum Vergleich wurde ein Schaltungssubstrat mit einer Aluminiumschicht gemäß Beispiel 2 herangezogen. Es wurde jeweils ein Golddraht mit einem Durchmesser von 25/um durch Ultraschallbehandlung verbunden. Es wurde ein NTC Manual Bonder WA1472 (hergestellt von Kaijo Denki Company) verwendet. Das
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Drahtverbindungsverfahren wurde unter Anwendung von Druck und Ultraschall bei 25O0C durchgeführt. Die Zugfestigkeitswerte betrugen bei beiden Testproben etwa 5 g. Die Zugfestigkeitsversuche wurden jeweils bis zur Ablösung des Drahts durchgeführt. Man erkennt daraus, daß die Drahtbindecharakteristika ausreichen, selbst wenn man einen Golddraht mit einem Drahtverbindungsverfahren mit dem Verbindungsauge aus der Aluminiumfolie mit einer Dicke von 15 /um verbindet (erfindungsgemäß) .
Es kann somit erfindungsgemäß eine neuartige hybridintegrierte Schaltung geschaffen werden, indem man die gewünschten Bereiche der Oberflächen sowohl von Kupfer als auch von Aluminium freilegt, und zwar unter Durchführung einer doppelten, selektiven Ätzbehandlung einer Aluminium-Kupfer-Verbundfolie, welche auf eine isolierende Schicht laminiert wurde. Sodann erfolgt die Verbindung eines Aluminiumdrahtes oder eines Golddrahtes mit der Schaltung und auch die Verbindung des Schaltungselements mit der Schaltung.

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    Verfahren zur Herstellung einer hybrid-integrierten Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Aluminium-Kupfer-Verbundfolie auf eine isolierende Schicht laminiert, welche gegebenenfalls selbst mit einem Metallsubstrat laminiert ist, sodann die Aluminium-Kupfer-Verbundfolie mit Ätzmitteln zur Ausbildung eines Aluminiumschaltungsteils und eines Kupferschaltungsteils ätzt und sodann ein Halbleiterelement mit dem Aluminiumschaltungsteil über einen Aluminiumdraht oder einen Golddraht verbindet, während ein Schaltungselement auf den Kupferschaltungsteil aufgelötet wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß die Aluminium-Kupfer-Verbundfolie erhalten wird durch Aufeinanderlegen einer Aluminiumfolie und einer Kupferfolie.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß die obere Schicht der Aluminium-Kupfer-Verbundfolie zuerst einer Ätzbehandlung mit einem Ätzmittel unterzogen wird, welches in bezug auf die obere Schicht selektiv wirkt, unter Ausbildung einer vorbestimmten Schaltung, worauf man die untere Schicht der Folie einer Ätzbehandlung unterzieht mit einem Ätzmittel, welches in bezug auf die untere Schicht selektiv wirkt, unter Ausbildung einer vorbestimmten Schaltung.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich net, daß die obere Schicht aus Kupfer und die untere Schicht aus Aluminium besteht.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die obere Schicht aus Aluminium und die untere Schicht aus Kupfer besteht.
  6. 6. Hybrid-integrierte Schaltung mit einer Aluminium-Kupfer-Verbundfolie auf einer Isolierungsschicht, welche gegebenenfalls selbst mit einem Metallsubstrat laminiert ist, wobei die obere Metallfolie der Aluminium-Kupfer-Verbundfolie einer Ätzbehandlung unterzogen wurde mit einem Ätzmittel, welches nur die obere Metall folie aufzulösen vermag, und zwar unter Ausbildung eines vorbestimmten Schaltungsmusters, und wobei man die untere Metallfolie einer Ätzbehandlung unterzieht mit einem Ätzmittel, welches sich nur zur Auflösung der unteren Metallfolie eignet, unter Ausbildung eines vorbestimmten Schaltungsmusters, wobei man eine Schaltung mit einem Aluminiumschaltungsmuster und einem Kupferschaltungsmuster erhält und wobei ein Halbleiterelement mit dam Aluminiumschaltungsmuster über einen Aluminiumdraht oder einen Golddraht verbunden ist, während ein Schaltungselement durch Löten mit dem Kupferschaltungsteil verbunden ist,
  7. 7. Hybrid-integrierte Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferfolie der AIuminium-Kupfer-Verbundfolie mit der isolierenden Schicht verbunden ist.
  8. 8. Hybrid-integrierte Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumfolie der Aluminium-Kupfer-Verbundfolie mit der isolierenden Schicht verbunden ist.
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