JPS5933894A - 混成集積用回路基板の製造法 - Google Patents
混成集積用回路基板の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、共通の基板上に異種の第−及び第二の導電金
属例えばアルミニウムおよげ銅の両方の金属表面が露出
した回路を選択エツチングによシ形成させ、アルミニウ
ム線もしくは金線による半導体と回路との結線と半田付
による外部リード端子、半導体その他の回路素子との固
着の両方を可能ならしめた混成集積用回路基板の製法に
関する。
属例えばアルミニウムおよげ銅の両方の金属表面が露出
した回路を選択エツチングによシ形成させ、アルミニウ
ム線もしくは金線による半導体と回路との結線と半田付
による外部リード端子、半導体その他の回路素子との固
着の両方を可能ならしめた混成集積用回路基板の製法に
関する。
従来、混成集積用回路基板は、セラミックやガラス基板
上に印刷もしくは蒸着により回路を形成した基板、ある
いはアルミニウムや鉄基板上に絶縁層と銅箔を積層し悟
り合せた鋼張基板をエツチングして回路を形成した基板
が用いられており、これら基板上には、半田付による回
路部品の接合例えば半導体のダイボンディング、外部リ
ード線の接合、チップコンデンサー、チップ抵抗等のチ
ップ部品の取付、および金線又はアルミニウム線による
半導体と回路との接続がなされていた。
上に印刷もしくは蒸着により回路を形成した基板、ある
いはアルミニウムや鉄基板上に絶縁層と銅箔を積層し悟
り合せた鋼張基板をエツチングして回路を形成した基板
が用いられており、これら基板上には、半田付による回
路部品の接合例えば半導体のダイボンディング、外部リ
ード線の接合、チップコンデンサー、チップ抵抗等のチ
ップ部品の取付、および金線又はアルミニウム線による
半導体と回路との接続がなされていた。
このような基板においては金線おまびアルミニウム線の
接続部については、金や銀などの貴金属メッキによる処
理、ニッケルメッキ(%公昭52−3461号)、アル
ミニウム蒸着メッキ(特開昭51−28662号)及び
金属ペレットの接着(特公昭45−37110号)等各
種の提案がある。しかしながらメッキによる場合は、メ
ッキ設備を必要とする他にメッキ表面のF#度および層
厚みを管理することが必要になる。また金属ベレットの
接着の場合は、接着個数が半導体のダイボンディング数
より多く、これらの作業は、きわめて煩雑な作業である
。
接続部については、金や銀などの貴金属メッキによる処
理、ニッケルメッキ(%公昭52−3461号)、アル
ミニウム蒸着メッキ(特開昭51−28662号)及び
金属ペレットの接着(特公昭45−37110号)等各
種の提案がある。しかしながらメッキによる場合は、メ
ッキ設備を必要とする他にメッキ表面のF#度および層
厚みを管理することが必要になる。また金属ベレットの
接着の場合は、接着個数が半導体のダイボンディング数
より多く、これらの作業は、きわめて煩雑な作業である
。
またアルミニウム線の超音波振動ワイヤーボンディング
においては高分子樹脂絶縁層を有する銅回路では絶縁層
が低ヤング率であるため、超音波振動によりワイヤーボ
ンディングを行うといわゆる超音波かにける現象があり
、十分なボンディングが不可能である。一方、貴金属メ
ッキやニッケルメッキ法では、ボンディング部分の表面
精度が厳密に要求されると共に、その超音波振動ボンデ
ィング条件も狭い範囲で操作しなければならな力λつた
。
においては高分子樹脂絶縁層を有する銅回路では絶縁層
が低ヤング率であるため、超音波振動によりワイヤーボ
ンディングを行うといわゆる超音波かにける現象があり
、十分なボンディングが不可能である。一方、貴金属メ
ッキやニッケルメッキ法では、ボンディング部分の表面
精度が厳密に要求されると共に、その超音波振動ボンデ
ィング条件も狭い範囲で操作しなければならな力λつた
。
本発明は、カ・かる欠点を解決したものであり、絶縁物
層上にアルミニウムー銅クラツド箔を[Fした積層物の
アルミニウムー銅クラツド箔のアルミニウムおよび銅を
それぞれ選択エツチングするエツチング剤でエツチング
することにより、アルミニウム又は銅の両方の金属表面
が露出した回路を自由に形成はせ、アルミニウム回路に
は半導体をアルミニウム線もしくは金線等で接続し、銅
回路には回路部品を半田付で固着させることができる混
成集積用回路基板を製造する方法を提供するものである
。
層上にアルミニウムー銅クラツド箔を[Fした積層物の
アルミニウムー銅クラツド箔のアルミニウムおよび銅を
それぞれ選択エツチングするエツチング剤でエツチング
することにより、アルミニウム又は銅の両方の金属表面
が露出した回路を自由に形成はせ、アルミニウム回路に
は半導体をアルミニウム線もしくは金線等で接続し、銅
回路には回路部品を半田付で固着させることができる混
成集積用回路基板を製造する方法を提供するものである
。
本発明は、基板の一部である絶縁物層(1)の上にアル
ミニウム(2)と銅(3)の如き異種の導電金属層(9
)を重層して形成し、上面金属のみを溶解するエツチン
グ剤と下面金属のみを溶解するエツチング剤とによって
上記各金属J11を所望のパターンで露出形成させた混
成集積用回路基板を製造するものであり、アルミニウム
導電路に対してはアルミニウム線又は金線に↓つで半導
体を接続し、銅回路には半田付により回路部品を接続す
るようにしたものである。
ミニウム(2)と銅(3)の如き異種の導電金属層(9
)を重層して形成し、上面金属のみを溶解するエツチン
グ剤と下面金属のみを溶解するエツチング剤とによって
上記各金属J11を所望のパターンで露出形成させた混
成集積用回路基板を製造するものであり、アルミニウム
導電路に対してはアルミニウム線又は金線に↓つで半導
体を接続し、銅回路には半田付により回路部品を接続す
るようにしたものである。
本発明における絶縁物層は、それ自体が支持板となるも
のでもよいし、第6図の如く金属製支持板上に形成され
た薄層であってもよい。
のでもよいし、第6図の如く金属製支持板上に形成され
た薄層であってもよい。
本発明における絶縁物層としては、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機系
高分子、無機物およびガラスエポキシ等の有機系高分子
と無機物との複合材料が用いられる。この他特にベリリ
ア、ボロンナイトライド、アルミナ、マグネシア、シリ
カ等の熱伝導性の無機粉体を有機系高分子に高充填した
複合材は熱伝導性が高く、超音波が逃げる現象も少なく
本発明の絶縁物層材として好適である。特にこの複合材
から成る絶縁物層を金属基板上に形成した基板は熱伝導
性が良くハイパワー用の混成集積用回路基板として最適
である。
ノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機系
高分子、無機物およびガラスエポキシ等の有機系高分子
と無機物との複合材料が用いられる。この他特にベリリ
ア、ボロンナイトライド、アルミナ、マグネシア、シリ
カ等の熱伝導性の無機粉体を有機系高分子に高充填した
複合材は熱伝導性が高く、超音波が逃げる現象も少なく
本発明の絶縁物層材として好適である。特にこの複合材
から成る絶縁物層を金属基板上に形成した基板は熱伝導
性が良くハイパワー用の混成集積用回路基板として最適
である。
また、重合異種金属層は、アルミニウム層及び銅層の夫
々厚さが0.1μ〜1ooμのアルミニウムー鋼クラッ
ド箔又はアルミニウム箔上に銅をメッキして形成したも
の、或はアルミニウム箔に亜鉛、銅を順次メッキしたも
のでもよい。
々厚さが0.1μ〜1ooμのアルミニウムー鋼クラッ
ド箔又はアルミニウム箔上に銅をメッキして形成したも
の、或はアルミニウム箔に亜鉛、銅を順次メッキしたも
のでもよい。
次に本発明の混成集積用回路基板の回路形成工程につい
て説明する。まず、積層物のアルミニウムー銅クラツド
箔(9)の上にレジストをスクリーン印刷し、乾燥した
後、該クラツド箔の上面の第一金属のみをエツチングす
る選択エツチング剤で所望のパターン状にエツチングし
、回路形成を行なう。その後レジストを除去する。なお
、このレジストは、必要に応じて次の段階まで除去せず
におくこともできる。
て説明する。まず、積層物のアルミニウムー銅クラツド
箔(9)の上にレジストをスクリーン印刷し、乾燥した
後、該クラツド箔の上面の第一金属のみをエツチングす
る選択エツチング剤で所望のパターン状にエツチングし
、回路形成を行なう。その後レジストを除去する。なお
、このレジストは、必要に応じて次の段階まで除去せず
におくこともできる。
再びレジストをスクリーン印刷し、乾燥した後下面の第
二金属のみを選択的にエツチングするエツチング剤で所
望のパターン状にエツチングし、最終的な回路形成を行
なう。(第3図及び第7図)この基板においては銅回路
(由′は半田付による回路部品の接合に用いられ、アル
ミニウム回路(2)′はアルミニウム線もしくは金、f
il(6)による結線に用いられる。第4図および第8
図には回路基板に半導体(5)および外部リード端子(
7)を実装した図を示した。半導体(5)および外部リ
ード端子(7)は半田(4)により銅回路(3)′と接
合され、半導体(5)はアルミニウム線もしくは金m
(6)によシアルミニウム回路(2)′に接続されてい
る。なお半導体(7)は半田(4)の代シに導電性接着
剤を用いて銅回路(3)′に接合し或は銅板等のヒート
シンクを介して半田付で銅回路(3)′に接合してもよ
い。
二金属のみを選択的にエツチングするエツチング剤で所
望のパターン状にエツチングし、最終的な回路形成を行
なう。(第3図及び第7図)この基板においては銅回路
(由′は半田付による回路部品の接合に用いられ、アル
ミニウム回路(2)′はアルミニウム線もしくは金、f
il(6)による結線に用いられる。第4図および第8
図には回路基板に半導体(5)および外部リード端子(
7)を実装した図を示した。半導体(5)および外部リ
ード端子(7)は半田(4)により銅回路(3)′と接
合され、半導体(5)はアルミニウム線もしくは金m
(6)によシアルミニウム回路(2)′に接続されてい
る。なお半導体(7)は半田(4)の代シに導電性接着
剤を用いて銅回路(3)′に接合し或は銅板等のヒート
シンクを介して半田付で銅回路(3)′に接合してもよ
い。
なお本発明回路基板においては半田付の必要なm分とア
ルミニウム線もしくは金線(6)のワイヤーボンディン
グに必要な部分以外の回路部分はアルミニウム面が露出
していても、銅面が露出していても良い。
ルミニウム線もしくは金線(6)のワイヤーボンディン
グに必要な部分以外の回路部分はアルミニウム面が露出
していても、銅面が露出していても良い。
本発明において銅をエツチングし、アルミニウムをエツ
チングしない銅の選択エツチング剤としては、硫酸−過
酸化水素系エツチング剤(例えば荏原電産銖のパーマエ
ッチ)もしくは過硫酸アンモニウムや過硫酸ソーダ等の
過硫酸塩の水溶液が用いられる。これらのエツチング剤
は第5IAの金属支持板にアルミニウムを用いた場合に
は裏面保護用フィルムを用いる必要がなく好都合である
。
チングしない銅の選択エツチング剤としては、硫酸−過
酸化水素系エツチング剤(例えば荏原電産銖のパーマエ
ッチ)もしくは過硫酸アンモニウムや過硫酸ソーダ等の
過硫酸塩の水溶液が用いられる。これらのエツチング剤
は第5IAの金属支持板にアルミニウムを用いた場合に
は裏面保護用フィルムを用いる必要がなく好都合である
。
また、アルミニウムをエツチングし、銅をエツチングし
ないアルミニウムの選択エツチング剤と硝酸塩を溶解し
たものが水素発生が少なくエツチングが良好である。こ
の他にクリンカー防止剤、アルミのキレート化剤等を添
加しても良い。
ないアルミニウムの選択エツチング剤と硝酸塩を溶解し
たものが水素発生が少なくエツチングが良好である。こ
の他にクリンカー防止剤、アルミのキレート化剤等を添
加しても良い。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
第11菌において(1)は厚さ1.6藺のガラスエポキ
シ絶縁性支持板であってこの上にアルミニウム層(2)
の厚さが15μ、銅層(3)の厚さが35μのアルミニ
ウムー銅クラツド箔(9)を銅面を上にして張合せた。
シ絶縁性支持板であってこの上にアルミニウム層(2)
の厚さが15μ、銅層(3)の厚さが35μのアルミニ
ウムー銅クラツド箔(9)を銅面を上にして張合せた。
この銅面にスクリーン印刷によりエラチンブレジス】・
(サンフ化学社製アルカリ除去型インキDA−200B
)を形成し、80°C510分間乾燥した。その後、銅
の選択エツチング剤であるパーマエッチ(荏原電産社製
)で54°0.2分間スプレーエツチングし、苛性ソー
ダ2%水溶液でエツチングレジストを除去し銅回路(3
)′を形成した・ 次に強アルカリに耐性のあるエツチングレジスト(アサ
ヒ化研社製MR−5’00)をこの基板にスクリーン印
刷に↓り印刷し、1000C110分間乾燥した後苛性
ソーダ100 g/l!、硝酸ソーダ2g々から成る強
アルカリ性水溶液を50°03分間スプレーした。
(サンフ化学社製アルカリ除去型インキDA−200B
)を形成し、80°C510分間乾燥した。その後、銅
の選択エツチング剤であるパーマエッチ(荏原電産社製
)で54°0.2分間スプレーエツチングし、苛性ソー
ダ2%水溶液でエツチングレジストを除去し銅回路(3
)′を形成した・ 次に強アルカリに耐性のあるエツチングレジスト(アサ
ヒ化研社製MR−5’00)をこの基板にスクリーン印
刷に↓り印刷し、1000C110分間乾燥した後苛性
ソーダ100 g/l!、硝酸ソーダ2g々から成る強
アルカリ性水溶液を50°03分間スプレーした。
これにより第3図で示したタイプの銅回路とアルミニウ
ム回路(2)′を有する回路基板(10)が得られた。
ム回路(2)′を有する回路基板(10)が得られた。
実施例2
実施例1と同じアルミニウムー銅クラツド箔(9)の銅
面上にラムダイト(電気化学工業■装面品名)無機充填
エポキシ樹脂を100μの厚さに塗布し、21NI板厚
のアルミニウム支持板(8)を張合せ、室温で加圧上硬
化はせ絶縁層(1)を有する支持基板を得た。
面上にラムダイト(電気化学工業■装面品名)無機充填
エポキシ樹脂を100μの厚さに塗布し、21NI板厚
のアルミニウム支持板(8)を張合せ、室温で加圧上硬
化はせ絶縁層(1)を有する支持基板を得た。
次に、この支持基板の裏面に塩ビ製保護フィルムをラミ
ネートシ、実施例1のアルミニウムエツチングと同様の
条件でエツチングし、第6図のアルミニウム回路を形成
した。
ネートシ、実施例1のアルミニウムエツチングと同様の
条件でエツチングし、第6図のアルミニウム回路を形成
した。
次に過硫酸アンモニウムの150g/z水溶液にエツチ
ング促進剤であるチックH(東海電化製)を少量添加し
た銅の選択エツチング剤で40°012分間このアルミ
ニウム基板をエツチングし、第7図に示すようなアルミ
ニウム回路(2)′と銅回路(3)′を有する回路基板
GO)を得た。
ング促進剤であるチックH(東海電化製)を少量添加し
た銅の選択エツチング剤で40°012分間このアルミ
ニウム基板をエツチングし、第7図に示すようなアルミ
ニウム回路(2)′と銅回路(3)′を有する回路基板
GO)を得た。
比較例
実施例2で得た回路基板αQと実施例2のアルミニウム
ー銅クラツド箔の代りに35μの銅箔を張合せた基板に
金メッキ1μしたものおよびニッケルメッキ5μしたも
のについて30μのアルミニウム線の超音波ワイヤーボ
ンディング性を調べた結果を第9図に示す。(ワイヤー
ボンディングは超音波工業ワイヤボンダUSW−5z6
0Sによる)縦軸はアルミニウム線の引張強度を横軸は
超音波出力を示すが本発明によるアルミニウム箔15μ
のポンディングパッドを形成させた実施例ではメッキし
たものよりも引張強度が高く、かつばらつきも少ないこ
とがわかる。この↓うにメッキした場合に引張強度のば
らつきが大きいことは、メッキ面の状態カワイヤーボン
ディング性に著しい影響を与えるということであり、メ
ッキによってポンディングパッドを形成する場合には避
けられない欠点である。
ー銅クラツド箔の代りに35μの銅箔を張合せた基板に
金メッキ1μしたものおよびニッケルメッキ5μしたも
のについて30μのアルミニウム線の超音波ワイヤーボ
ンディング性を調べた結果を第9図に示す。(ワイヤー
ボンディングは超音波工業ワイヤボンダUSW−5z6
0Sによる)縦軸はアルミニウム線の引張強度を横軸は
超音波出力を示すが本発明によるアルミニウム箔15μ
のポンディングパッドを形成させた実施例ではメッキし
たものよりも引張強度が高く、かつばらつきも少ないこ
とがわかる。この↓うにメッキした場合に引張強度のば
らつきが大きいことは、メッキ面の状態カワイヤーボン
ディング性に著しい影響を与えるということであり、メ
ッキによってポンディングパッドを形成する場合には避
けられない欠点である。
更に上記比較例で用いた金メッキしたアルミニ−ラム基
板と実施例2のアルミニウム基板の金線25μによるワ
イヤーボンディング性をテストした。
板と実施例2のアルミニウム基板の金線25μによるワ
イヤーボンディング性をテストした。
ワイヤーボン、ダーは海上電機NTCマニアルボンダー
WA1472を用い熱圧着/超音波併用にて2’ 50
00で行なったところU1張強度はどちら毛約5gであ
リ、ワイヤー9Jれであった。このことから本発明によ
るアルミニウム箔15μのポンディングパッドを形成さ
せた場合でも金線によるワイヤーボンディング性は充分
あることがわかる。
WA1472を用い熱圧着/超音波併用にて2’ 50
00で行なったところU1張強度はどちら毛約5gであ
リ、ワイヤー9Jれであった。このことから本発明によ
るアルミニウム箔15μのポンディングパッドを形成さ
せた場合でも金線によるワイヤーボンディング性は充分
あることがわかる。
以上説明した通り本発明によれば、絶縁物層上にアルミ
ニウムー鋼クラッド箔を積層した積層物の選択エツチン
グを2度行なうことにより、銅およびアルミニウムの両
方の金属表面を必要な部分のみ自由に露出させた回路を
形成はせることができ、アルミニウム線もしくは金線に
よる回路との結線と半田付による回路部品の固着を同時
に行なうことのできる今までにない新しい混成集積用回
路基板が得られるのである。
ニウムー鋼クラッド箔を積層した積層物の選択エツチン
グを2度行なうことにより、銅およびアルミニウムの両
方の金属表面を必要な部分のみ自由に露出させた回路を
形成はせることができ、アルミニウム線もしくは金線に
よる回路との結線と半田付による回路部品の固着を同時
に行なうことのできる今までにない新しい混成集積用回
路基板が得られるのである。
を説明する回路基板の模型的拡大断面図、第4図及び第
8図は回路素子が実装された回路基板の拡大断面図、第
9図は超音波振動によるワイヤーボンディング時の出力
と引張強度との関係図である。
8図は回路素子が実装された回路基板の拡大断面図、第
9図は超音波振動によるワイヤーボンディング時の出力
と引張強度との関係図である。
(1)・・・絶縁層、(2)・・・アルミニウム箔、(
2)’・・・アルミ(5)・・・半導体、(6)・・・
アルミニウム線もしくは金線、(7)・・外部リード端
子、(8)・・・金属支持基板、(9)・・・アルミニ
ウムー銅クラツド箔。
2)’・・・アルミ(5)・・・半導体、(6)・・・
アルミニウム線もしくは金線、(7)・・外部リード端
子、(8)・・・金属支持基板、(9)・・・アルミニ
ウムー銅クラツド箔。
出 願 人 電気化学工業株式会社と)オよ東W
ノ 手続補正書 昭和 51 10125XI 特許庁長官若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和57年特 許 間第142726す2 発AA(
0名m 混成集積用回路基板の製造法3、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号氏 名(
名称) (829)電気化学工業株式会社5、 補正命
令の日付 自 発 6、 補正により増加する発明の数 す シフ、補
正の対象 明細書中、%1PFq−求の範囲及び発明の詳細な説明
◎ ・25、jゾl ;j、:/ 、”l−/・・・
。
ノ 手続補正書 昭和 51 10125XI 特許庁長官若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和57年特 許 間第142726す2 発AA(
0名m 混成集積用回路基板の製造法3、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区有楽町1丁目4番1号氏 名(
名称) (829)電気化学工業株式会社5、 補正命
令の日付 自 発 6、 補正により増加する発明の数 す シフ、補
正の対象 明細書中、%1PFq−求の範囲及び発明の詳細な説明
◎ ・25、jゾl ;j、:/ 、”l−/・・・
。
補 正 書
特願昭57−142726
(1) 明細簀中、2、特許請求の範囲を、下記の通
り補正する@ 2、特許請求の範囲 (1)絶縁層上に、異種の第−及び第二の導電金属層を
重ね合して形成し、前記第一金属のみを溶解する選択エ
ツチング剤により前記第一金属層に所望のパターンの回
路を構成し、更に前記第二金属のみを溶解する選択エツ
チング剤で第二金属層に所望パターンの回路を構成する
ことを%徴とする混成集積用回路基板の製造法。
り補正する@ 2、特許請求の範囲 (1)絶縁層上に、異種の第−及び第二の導電金属層を
重ね合して形成し、前記第一金属のみを溶解する選択エ
ツチング剤により前記第一金属層に所望のパターンの回
路を構成し、更に前記第二金属のみを溶解する選択エツ
チング剤で第二金属層に所望パターンの回路を構成する
ことを%徴とする混成集積用回路基板の製造法。
全8重ね合せ層がアルミニウム箔と銅箔る特許請求の範
囲第1項記載の混成集積基板の製造法。
囲第1項記載の混成集積基板の製造法。
誓第5頁、第11行中「重合異極金属層」とあるを「息
ね合せ異梶金属層」と補正する。
ね合せ異梶金属層」と補正する。
(3) 明細書第8頁、第10行中「パーマエッチ」
とあるを「硫酸−パーマエッチ系」と補正する。
とあるを「硫酸−パーマエッチ系」と補正する。
以 上
・f−井売ネ市−、t、F−書
1.41件の表示
+1?(和57年 特許間第 142726 号2、
発明の名称 源晟擢袷鵠ム、)赫M屏 3、補正をする者 小ヂ1−との関係 特許出願人任 所
東京都千代田区有楽町1丁目4番1号名 称 電気
化学下業株式会社 代表者 篠 原 晃 4、代理人 5、補正命令の11伺け (自効6、補rEに
より増加する発明の数 ナシ7、補止の対象 明細書中の、発明の名称、特許請求の範囲、発明の詳細
な説明、図面の簡単な説明の各欄、及び図面(第3図、
第7図)。
発明の名称 源晟擢袷鵠ム、)赫M屏 3、補正をする者 小ヂ1−との関係 特許出願人任 所
東京都千代田区有楽町1丁目4番1号名 称 電気
化学下業株式会社 代表者 篠 原 晃 4、代理人 5、補正命令の11伺け (自効6、補rEに
より増加する発明の数 ナシ7、補止の対象 明細書中の、発明の名称、特許請求の範囲、発明の詳細
な説明、図面の簡単な説明の各欄、及び図面(第3図、
第7図)。
8、補正の内容
別紙記載の通り。
ネ甫 1−1巳 −)
1、明細書の発明の名称を、「混成集積回路の製造法」
と補止する。
と補止する。
2、明細書の特許請求の範囲を次の通り補止する。
部活と 半[Htで2.″することを特徴とする混成集
積回路の製造法。」 3、明細書の第1頁第16〜17行目に「第−及び第二
の導電金属例えば」どあるのを、「導電金属として」と
補IFする。
積回路の製造法。」 3、明細書の第1頁第16〜17行目に「第−及び第二
の導電金属例えば」どあるのを、「導電金属として」と
補IFする。
4、明細書の第2頁第2行目及び同頁第3行目及び第4
頁第4行目及び同頁第11行目に[混成集積用回路基板
」とあるのを、夫々「混成集積回路」と補正する。
頁第4行目及び同頁第11行目に[混成集積用回路基板
」とあるのを、夫々「混成集積回路」と補正する。
5、明細書の第4頁第18〜18行目に[絶縁物層は、
・・・金属製支持板」とあるのを、「絶縁物層(1)は
、第1図乃至第4図に示すようにそれ自体が支持板とな
るものでもよいし、第5図乃至第8図に示すように金属
基板(8)」と補正する。
・・・金属製支持板」とあるのを、「絶縁物層(1)は
、第1図乃至第4図に示すようにそれ自体が支持板とな
るものでもよいし、第5図乃至第8図に示すように金属
基板(8)」と補正する。
6、明細書の第4頁最下行1]に「ポリイミド」とある
のを、「ポリアミド」と補正する。
のを、「ポリアミド」と補正する。
?、明細書の第5頁第16行[1から第6頁第14行目
にかけて[次に本発明の・・・図を示した。」とあるの
を、次の通り補正する。
にかけて[次に本発明の・・・図を示した。」とあるの
を、次の通り補正する。
[次に本発明の混成集積回路の回路形成工程について第
1図乃至第4図(又は第5図乃至第8図)で説明する。
1図乃至第4図(又は第5図乃至第8図)で説明する。
まず、積層物のアルミニウムー銅クラツド箔(8)の]
二にレジストをスクリーン印刷し、乾燥した後、該クラ
ツド箔の1−面金属層即ち銅箔(3)(又はアルミニウ
ム箔(2))のみを選択エツチングするエツチング剤で
所望のパターン状にエツチングし、銅回路(3′)(又
はアルミニウム回路(2′))の形成を行なう(第2図
(又は第6図)参照)。その後レジストを除去する。な
お、このレジストは、必要に応じて次の段階まで除去せ
ずにおくこともできる。
二にレジストをスクリーン印刷し、乾燥した後、該クラ
ツド箔の1−面金属層即ち銅箔(3)(又はアルミニウ
ム箔(2))のみを選択エツチングするエツチング剤で
所望のパターン状にエツチングし、銅回路(3′)(又
はアルミニウム回路(2′))の形成を行なう(第2図
(又は第6図)参照)。その後レジストを除去する。な
お、このレジストは、必要に応じて次の段階まで除去せ
ずにおくこともできる。
再びレジストをスクリーン印刷し、乾燥した後、下面の
金属層即ちアルミニウム箔(2)(又は銅箔(3))の
みを選択的にエツチングするエツチング剤で所望のパタ
ーン状にエツチングし、最終的なアルミニウム回路(2
′)(又は銅回路(3′)の形成を行なう(第3図(又
は第7図)参照)。
金属層即ちアルミニウム箔(2)(又は銅箔(3))の
みを選択的にエツチングするエツチング剤で所望のパタ
ーン状にエツチングし、最終的なアルミニウム回路(2
′)(又は銅回路(3′)の形成を行なう(第3図(又
は第7図)参照)。
この銅回路(3′)は半田(=t(4)による回路部品
(5) (7)の接合に用いられ、アルミニウム回路(
2′)はアルミニウム線もしくは金線(6)による半導
体(5)との結線に用いられる。第4図(又は第8図)
には半導体(5)および外部リード端子(7)を銅回路
(3′)に実装した図を示した。」8、明細書の第7頁
第11〜12行目に[第5図の金属支持板」とあるのを
、「第5図乃至第8図に於て金属基板(8)」と補正す
る。
(5) (7)の接合に用いられ、アルミニウム回路(
2′)はアルミニウム線もしくは金線(6)による半導
体(5)との結線に用いられる。第4図(又は第8図)
には半導体(5)および外部リード端子(7)を銅回路
(3′)に実装した図を示した。」8、明細書の第7頁
第11〜12行目に[第5図の金属支持板」とあるのを
、「第5図乃至第8図に於て金属基板(8)」と補正す
る。
9、明細ノ)の第8頁第4行[Iに「絶縁性支持板」と
あるのを、「絶縁物層」と補正する。
あるのを、「絶縁物層」と補正する。
10 明細書の第8頁第13行目から第8頁第16行
目にかけて「を除去し・・・回路基板(10)を得た。
目にかけて「を除去し・・・回路基板(10)を得た。
」とあるのを、次の通り補正する。
[を除去し銅回路(3′)を形成した。
次にアルミニウム面に強アルカリに耐性のあるエツチン
グl/シスト(アサヒ化研社製MR−500)をスクリ
ーン印刷により印刷し、+00°C110分間乾燥した
後、アルミニウムの選択エツチング剤である苛性ソーダ
100g/ u、硝酸ソーダ2g/文から成る強アルカ
リ性水溶液を50°C13分間スプレーした。これによ
り第3図でパしたタイプの銅回路(3′)とアルミニウ
ム回路(2′)を有する回路基盤(10)が得られた。
グl/シスト(アサヒ化研社製MR−500)をスクリ
ーン印刷により印刷し、+00°C110分間乾燥した
後、アルミニウムの選択エツチング剤である苛性ソーダ
100g/ u、硝酸ソーダ2g/文から成る強アルカ
リ性水溶液を50°C13分間スプレーした。これによ
り第3図でパしたタイプの銅回路(3′)とアルミニウ
ム回路(2′)を有する回路基盤(10)が得られた。
実施例2
実施例1と−に下を逆にしたアルミニウムー銅クラツド
箔(8)の銅箔(3)下面にラムダイl−(電気化学工
業■装面品名)無機充填エポキシ樹脂よりなる絶縁物層
(1)を100A の厚さに塗布し、これの下面に2
[11m板厚のアルミニラムノ1(板(8)を張合せ、
室温で加圧上硬化させ2桔層体を得た。次に、このノ、
(板(8)の裏面に塩ビ製保護フィルムをラミネートし
、実施例1のアルミニウムエンチングと同様の条件でア
ルミニウム面をエツチングし、第6図のアルミニウム回
路(2′)を形成した。
箔(8)の銅箔(3)下面にラムダイl−(電気化学工
業■装面品名)無機充填エポキシ樹脂よりなる絶縁物層
(1)を100A の厚さに塗布し、これの下面に2
[11m板厚のアルミニラムノ1(板(8)を張合せ、
室温で加圧上硬化させ2桔層体を得た。次に、このノ、
(板(8)の裏面に塩ビ製保護フィルムをラミネートし
、実施例1のアルミニウムエンチングと同様の条件でア
ルミニウム面をエツチングし、第6図のアルミニウム回
路(2′)を形成した。
次に過硫酸アンモニウムの150g/ n水溶液にエツ
チング促進剤であるチックH(東海電化製)を少措添加
した銅の選択エツチング剤で40°C12分間銅面を、
エツチングし、第7図に示すようなアルミニウム回路(
2′)と銅回路(3′)を有する回路基板(10)を得
た。」 11、明細書の第11頁第12〜13行目に「混成集積
用回路基板」とあるのを、「混成集積回路」と補正する
。
チング促進剤であるチックH(東海電化製)を少措添加
した銅の選択エツチング剤で40°C12分間銅面を、
エツチングし、第7図に示すようなアルミニウム回路(
2′)と銅回路(3′)を有する回路基板(10)を得
た。」 11、明細書の第11頁第12〜13行目に「混成集積
用回路基板」とあるのを、「混成集積回路」と補正する
。
12、明細書の第11頁最下行目から第12頁第4行目
にかけて記載された符号の説明を次の通り補正する。
にかけて記載された符号の説明を次の通り補正する。
[(1)・・・絶縁物層、(2)・・・アルミニウム箔
、(2′)・・・アルミニウム回路、(3)・・・銅箔
、(3′)・・・銅回路、(4)・・・半田、(5)・
・・半導体、(6)アルミニウム線もしくは金線、(7
)・・・外部リード端子、(8)・・・金属基板、(9
)・・・アルミニウムー銅クラツド箔。」 13、図面の第3図及び第7図中−に−1・1本−図=
p乗1f、Y45へ9」1ソ1;稀正A°う。
、(2′)・・・アルミニウム回路、(3)・・・銅箔
、(3′)・・・銅回路、(4)・・・半田、(5)・
・・半導体、(6)アルミニウム線もしくは金線、(7
)・・・外部リード端子、(8)・・・金属基板、(9
)・・・アルミニウムー銅クラツド箔。」 13、図面の第3図及び第7図中−に−1・1本−図=
p乗1f、Y45へ9」1ソ1;稀正A°う。
以」ニ
Claims (2)
- (1)絶縁層上に、異種の第−及び第二の導電金属層を
重合して形成し、前記第一金属のみを溶解する選択エツ
チング剤により前記第一金属層に所望のパターンの回路
を構成し、更に前記第二金属のみを溶解する選択エツチ
ング剤で第二金属層に所望パターンの回路を構成するこ
とを特徴とする混成集積用回路基板の製造法。 - (2) 導電金属重合層がアルミニウム箔と銅箔力λ
らなる特許請求の範囲第1項記載の混成集積用回路基板
の製造法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57142726A JPS5933894A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 混成集積用回路基板の製造法 |
GB08317006A GB2125618B (en) | 1982-08-19 | 1983-06-22 | Hybrid integrated circuit and preparation thereof |
US06/506,589 US4521476A (en) | 1982-08-19 | 1983-06-22 | Hybrid integrated circuit and preparation thereof |
NL8302539A NL188720C (nl) | 1982-08-19 | 1983-07-15 | Werkwijze voor het vervaardigen van een hybride geintegreerde schakeling. |
IT2216483A IT1163829B (it) | 1982-08-19 | 1983-07-21 | Procedimento per la fabbricazione di un circuito integrato ibrido e circuito ottenuto |
DE19833330068 DE3330068A1 (de) | 1982-08-19 | 1983-08-19 | Hybrid-integrierte schaltung und verfahren zur herstellung derselben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57142726A JPS5933894A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 混成集積用回路基板の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5933894A true JPS5933894A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15322152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57142726A Pending JPS5933894A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 混成集積用回路基板の製造法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4521476A (ja) |
JP (1) | JPS5933894A (ja) |
DE (1) | DE3330068A1 (ja) |
GB (1) | GB2125618B (ja) |
IT (1) | IT1163829B (ja) |
NL (1) | NL188720C (ja) |
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