JPH04186869A - 金属板ベース回路基板 - Google Patents
金属板ベース回路基板Info
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- JPH04186869A JPH04186869A JP2317091A JP31709190A JPH04186869A JP H04186869 A JPH04186869 A JP H04186869A JP 2317091 A JP2317091 A JP 2317091A JP 31709190 A JP31709190 A JP 31709190A JP H04186869 A JPH04186869 A JP H04186869A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電気機器、通信機器及び自動車等に用いられ
る放熱性に優れた半導体用ヒートスプレッダ−を設けた
金属板ベース回路基板に関するものである。
る放熱性に優れた半導体用ヒートスプレッダ−を設けた
金属板ベース回路基板に関するものである。
（従来の技術）
従来からベースを金属板とした回路基板は、導体回路上
に半田を介してパワートランジスタ等の半導体チップを
搭載しているものが数多く使用されている。一般に半導
体チップは、作動中自己発熱を起こし、この熱によって
半導体自体が誤作動するため、放熱を目的として半導体
チップと回路基板との間には、銅又はモリブデン金属等
の単一金属板が使用されている。
に半田を介してパワートランジスタ等の半導体チップを
搭載しているものが数多く使用されている。一般に半導
体チップは、作動中自己発熱を起こし、この熱によって
半導体自体が誤作動するため、放熱を目的として半導体
チップと回路基板との間には、銅又はモリブデン金属等
の単一金属板が使用されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この金属板ベース回路基板は気相冷熱サ
イクル試験（例えば−５０°Ｃと１５０°Ｃとの５００
サイクル）を行うと、半田部分に亀裂が発生して回路基
板の信軌性を著しく低下させる原因の一つとなっている
。そしてこの半田部分の亀裂発生の原因としては、搭載
されている半導体チップ（例えばシリコン半導体）の熱
膨張率と回路基板のベースとなる金属板の熱膨張率との
差による歪みを半田が吸収できないためと考えられてい
る。
イクル試験（例えば−５０°Ｃと１５０°Ｃとの５００
サイクル）を行うと、半田部分に亀裂が発生して回路基
板の信軌性を著しく低下させる原因の一つとなっている
。そしてこの半田部分の亀裂発生の原因としては、搭載
されている半導体チップ（例えばシリコン半導体）の熱
膨張率と回路基板のベースとなる金属板の熱膨張率との
差による歪みを半田が吸収できないためと考えられてい
る。
本発明はかかる問題を解決するものであり、放熱板（ヒ
ートスプレッダ−）として熱膨張率の異なる金ｘＦｉを
複数個組み合わせて半田を介して接着する基材とほぼ熱
膨張率の近い金属板を用いることにより、該金属板が熱
膨張からくる歪みを吸収して半田への歪みを解消するこ
とにより、亀裂の発生を防止できることを見い出し、本
発明を完成するに至った。
ートスプレッダ−）として熱膨張率の異なる金ｘＦｉを
複数個組み合わせて半田を介して接着する基材とほぼ熱
膨張率の近い金属板を用いることにより、該金属板が熱
膨張からくる歪みを吸収して半田への歪みを解消するこ
とにより、亀裂の発生を防止できることを見い出し、本
発明を完成するに至った。
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、熱膨張率の異なる少なくとも２種類
の金属板からなる半導体用ヒートスプレッダ−を搭載し
てなることを特徴とする金属板ベース回路基板である。
の金属板からなる半導体用ヒートスプレッダ−を搭載し
てなることを特徴とする金属板ベース回路基板である。
以下本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は、本発明の熱膨張率が異なる２種類の金属板を
搭載した金属板ベース回路基板の断面図である。
搭載した金属板ベース回路基板の断面図である。
第１図の基板となる金属板１には、絶縁層２を介して導
体回路となる銅回路３及びアルミニウム箔又はニッケル
メッキ層からなるポンディングパッド４が接着されてい
る。そして銅回路３の一部には、半導体チップ８が搭載
され、しかも半導体チップ８と銅回路３との間には、半
導体チップ８側には高温耐熱半田７を介して低熱膨張率
用ヒートスプレッダ−６が、また銅回路３側りこは共晶
半田１１を介して高熱膨張率用ヒートスプレ・ノダー５
からなる熱膨張率の異なる２種類の金属板から構成され
たヒートスプレッダ−１０が介在している。
体回路となる銅回路３及びアルミニウム箔又はニッケル
メッキ層からなるポンディングパッド４が接着されてい
る。そして銅回路３の一部には、半導体チップ８が搭載
され、しかも半導体チップ８と銅回路３との間には、半
導体チップ８側には高温耐熱半田７を介して低熱膨張率
用ヒートスプレッダ−６が、また銅回路３側りこは共晶
半田１１を介して高熱膨張率用ヒートスプレ・ノダー５
からなる熱膨張率の異なる２種類の金属板から構成され
たヒートスプレッダ−１０が介在している。
本発明のヒートスプレッダ−１０は、熱膨張率の異なる
少なくとも２種類の金属板から構成されており、低熱膨
張率用に使用される金属板とじては、モリブデン、イン
バー及び４２７０イ等を、また高熱膨張率用に使用され
る金属板としては、銅、アルミニウム及びニッケル等を
使用することができ、さらに組み合わせ如何によっては
、ステンレス鋼、鉄等も使用することができる。
少なくとも２種類の金属板から構成されており、低熱膨
張率用に使用される金属板とじては、モリブデン、イン
バー及び４２７０イ等を、また高熱膨張率用に使用され
る金属板としては、銅、アルミニウム及びニッケル等を
使用することができ、さらに組み合わせ如何によっては
、ステンレス鋼、鉄等も使用することができる。
また熱膨張率の異なる金属板の張り合わせ方法は、圧延
クラッド、金属板へのメツキ、耐熱接着剤での接着のい
ずれの方法で行っても何ら差し支えない。
クラッド、金属板へのメツキ、耐熱接着剤での接着のい
ずれの方法で行っても何ら差し支えない。
本発明に用いられるヒートスプレッダ−１０の肉厚は、
回路基板に搭載する半導体チップの容量により異なるが
、ヒートスプレッダ−１０全体では、０．１〜３ｍｍ、
好ましくは０．５〜３ｍｍである。また熱膨張率の異な
る金属板の肉厚の割合は、低膨張率用金属板がヒートス
プレッダ−１０全体の肉厚の３〜９７％、好ましくは２
０〜８０％である。低膨張率用金属板が、３％未満であ
ると、高膨張率用金属板が伸び縮みする際に、それに応
して低膨張率用金属板も伸び縮みし、半導体チップ側の
半田に亀裂が入る。また低膨張率用金属板が９７％を超
えると、低膨張率用金属板が伸び縮みしないため高膨張
率用金属板も伸び縮みしないので、ベース金属板との間
の半田に亀裂が発生する。
回路基板に搭載する半導体チップの容量により異なるが
、ヒートスプレッダ−１０全体では、０．１〜３ｍｍ、
好ましくは０．５〜３ｍｍである。また熱膨張率の異な
る金属板の肉厚の割合は、低膨張率用金属板がヒートス
プレッダ−１０全体の肉厚の３〜９７％、好ましくは２
０〜８０％である。低膨張率用金属板が、３％未満であ
ると、高膨張率用金属板が伸び縮みする際に、それに応
して低膨張率用金属板も伸び縮みし、半導体チップ側の
半田に亀裂が入る。また低膨張率用金属板が９７％を超
えると、低膨張率用金属板が伸び縮みしないため高膨張
率用金属板も伸び縮みしないので、ベース金属板との間
の半田に亀裂が発生する。
本発明に用いられるヒートスプレッダ−１０の熱膨張率
の異なる金属板は、該金属板のそれぞれが持つ熱膨張率
に近い基材側に位置することにより、半導体チップ８の
発熱で起きる半田への歪みをヒートスプレッダ−１０の
熱膨張率の異なるそれぞれの金属板が吸収して半田への
亀裂発生を防止するものである。
の異なる金属板は、該金属板のそれぞれが持つ熱膨張率
に近い基材側に位置することにより、半導体チップ８の
発熱で起きる半田への歪みをヒートスプレッダ−１０の
熱膨張率の異なるそれぞれの金属板が吸収して半田への
亀裂発生を防止するものである。
本発明に用いるベース金属板１には、アルミニウム、銅
、鉄、珪素鋼、ステンレス鋼等が用いられる。また絶縁
層２には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、アクリル樹脂等の各種樹脂又は該樹脂と無機フィ
ラーとの混合物及び該樹脂を含浸したガラス布等を用い
られる。
、鉄、珪素鋼、ステンレス鋼等が用いられる。また絶縁
層２には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール
樹脂、アクリル樹脂等の各種樹脂又は該樹脂と無機フィ
ラーとの混合物及び該樹脂を含浸したガラス布等を用い
られる。
（実施例）
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
ベース基板となる金属板１は５０Ｘ５０Ｘ１．５ ｍｍ
のアルミニウム板、絶縁層２は１００μｍのエポキシ樹
脂含浸ガラス布、銅回路３は肉厚３５μｍの銅箔よりな
る金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎにｆｊ
ｉｌ（１ｍｍ厚）／モリブデン（１ｍｍ厚）の圧延クラ
ッドにより作製した２０Ｘ２Ｏｍｍ板全面にニッケルメ
ッキを施してヒートスプレッダ−１０とし、高温耐熱半
田７でシリコン半導体である半導体チップ８をヒートス
プレッダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレッダ−６と
なるモリブデン金属板側に半田付けした。つぎにヒート
スプレッダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレッダ−５
となる銅金属板側を共晶半田１１で銅回路３に半田付け
して金属板ベース回路基板を作製した。
のアルミニウム板、絶縁層２は１００μｍのエポキシ樹
脂含浸ガラス布、銅回路３は肉厚３５μｍの銅箔よりな
る金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎにｆｊ
ｉｌ（１ｍｍ厚）／モリブデン（１ｍｍ厚）の圧延クラ
ッドにより作製した２０Ｘ２Ｏｍｍ板全面にニッケルメ
ッキを施してヒートスプレッダ−１０とし、高温耐熱半
田７でシリコン半導体である半導体チップ８をヒートス
プレッダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレッダ−６と
なるモリブデン金属板側に半田付けした。つぎにヒート
スプレッダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレッダ−５
となる銅金属板側を共晶半田１１で銅回路３に半田付け
して金属板ベース回路基板を作製した。
この金属板ベース回路基板ｎ−２０を気相中において、
−４０’Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で１０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
−４０’Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で１０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
実施例２
ベース基板となる金属板１は５０ｘ５０Ｘ１．５ ｍｍ
の銅板、絶縁層２は１００ μｍの＄、機フィラー充填
エボキン樹脂、銅回路３及びボンディングパノド４は銅
１０μｍ／アルミニウム４０μｍ厚のクラット箔よりな
る金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎに４２
７０イ （０，９ｍｍ）の両面に無電解メツキによりニ
ッケルメッキを行い、さらに片面に電解メツキによりニ
ッケルメッキ（’０．１ｍｍ）を施して作製した２０Ｘ
２Ｏｍｍ板をヒートスプレッダ−１０とし、高温耐熱半
田７でシリコン半導体である半導体チップ８をヒートス
プレッダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレッダ−６と
なるニッケルメッキ側Ｃ：半田付けした。つぎにヒート
スプレッダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレッダ＝５
となる電解ニッケルメッキを行っていない側（４２７０
イ側）を共晶半田１ｚで銅回路３に半田付けして金属板
ベース回路基板を作製した。
の銅板、絶縁層２は１００ μｍの＄、機フィラー充填
エボキン樹脂、銅回路３及びボンディングパノド４は銅
１０μｍ／アルミニウム４０μｍ厚のクラット箔よりな
る金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎに４２
７０イ （０，９ｍｍ）の両面に無電解メツキによりニ
ッケルメッキを行い、さらに片面に電解メツキによりニ
ッケルメッキ（’０．１ｍｍ）を施して作製した２０Ｘ
２Ｏｍｍ板をヒートスプレッダ−１０とし、高温耐熱半
田７でシリコン半導体である半導体チップ８をヒートス
プレッダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレッダ−６と
なるニッケルメッキ側Ｃ：半田付けした。つぎにヒート
スプレッダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレッダ＝５
となる電解ニッケルメッキを行っていない側（４２７０
イ側）を共晶半田１ｚで銅回路３に半田付けして金属板
ベース回路基板を作製した。
この金属板ベース回路基板ｎ−２０を気相中において、
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で１０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で１０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
実施例３
ベース基板となる金属板１は５０Ｘ５０Ｘ１．５ ｍｍ
のステンレス鋼板、絶縁層２は１００ μｍのエポキソ
樹脂含浸ガラス布、銅回路３は厚み３５μｍの銅箔より
なる金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎにス
テンレスｉｌｔ４（１ｍｍ厚）／インバー（１ｍｍ厚）
の圧延クラッドにより作製した２０×２０ｍｍ板全面に
ニッケルメッキを施してヒートスプレッダ−１０とし、
高温耐熱半田７でシリコン半導体である半導体チップ８
をヒートスプレ、ダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレ
ッダ−６となるインバー金属板側に半田付けした。つぎ
にヒートスプレツダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレ
ッダ−５となるステンレス日金属板側を共晶半田１１で
銅回路３に半田付けして金属板ベース回路基板を作製し
た。
のステンレス鋼板、絶縁層２は１００ μｍのエポキソ
樹脂含浸ガラス布、銅回路３は厚み３５μｍの銅箔より
なる金属基板を用いて所望の回路を形成した。つぎにス
テンレスｉｌｔ４（１ｍｍ厚）／インバー（１ｍｍ厚）
の圧延クラッドにより作製した２０×２０ｍｍ板全面に
ニッケルメッキを施してヒートスプレッダ−１０とし、
高温耐熱半田７でシリコン半導体である半導体チップ８
をヒートスプレ、ダ−１０の低熱膨張率用ヒートスプレ
ッダ−６となるインバー金属板側に半田付けした。つぎ
にヒートスプレツダ−１０の高熱膨張率用ヒートスプレ
ッダ−５となるステンレス日金属板側を共晶半田１１で
銅回路３に半田付けして金属板ベース回路基板を作製し
た。
この金属板ベース回路基板ｎ−２０を気相中において、
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で〕０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で〕０００サイクル
の耐冷熱試験を行った。金属板ベース回路基板はいずれ
も半田部分に亀裂の発生が認められなかった。
比較例１
実施例１と同様の金属基板を用いて所望の回路を形成し
た。つぎに銅金属板（１ｍｍ厚）により作製した２０Ｘ
２０ｍｍ板全面にニッケルメッキ１μｍを施してヒート
スラブレノグー１０とし、≧亥ヒートスプレッダー１０
の片面に高温耐熱半田７でシリコン半導体である半導体
チップ８を半田付けした。つぎにヒートスプレッダ−１
０の他方の面に共晶半田１１用いて回路基板に半田付け
して金属板ベース基板を作製した。
た。つぎに銅金属板（１ｍｍ厚）により作製した２０Ｘ
２０ｍｍ板全面にニッケルメッキ１μｍを施してヒート
スラブレノグー１０とし、≧亥ヒートスプレッダー１０
の片面に高温耐熱半田７でシリコン半導体である半導体
チップ８を半田付けした。つぎにヒートスプレッダ−１
０の他方の面に共晶半田１１用いて回路基板に半田付け
して金属板ベース基板を作製した。
この金属板ベース回路基板ｎ−２０を気相中において、
−４０°Ｃと】２５°Ｃとの雰囲気で耐冷熱試験を行っ
たところ、３００〜１０００サイクル間で１０個の金属
板ベース回路基板の半田部分に亀裂の発生が認められた
。
−４０°Ｃと】２５°Ｃとの雰囲気で耐冷熱試験を行っ
たところ、３００〜１０００サイクル間で１０個の金属
板ベース回路基板の半田部分に亀裂の発生が認められた
。
比較例２
ベースとなる金属板を５０Ｘ５０Ｘ１．５ ｍｍの銅板
とした以外は、実施例１と同様の金属基板を用いて所望
の回路を形成した。つぎに銅金属板（１ｍｍ厚）により
作製した２０Ｘ２０ｍｍ板全面にニッケルメッキ１μｍ
を施してヒートスプレッダ−１０とし、該ヒートスプレ
ッダ−１０の片面に高温耐熱半田７でシリコン半導体で
ある半導体チ・ノブ８を半田付けした。つぎにヒートス
プレッダ−１０の他方の面に共晶半田１１を用いて回路
基板に半田付けして金属板ベース基板を作製した。
とした以外は、実施例１と同様の金属基板を用いて所望
の回路を形成した。つぎに銅金属板（１ｍｍ厚）により
作製した２０Ｘ２０ｍｍ板全面にニッケルメッキ１μｍ
を施してヒートスプレッダ−１０とし、該ヒートスプレ
ッダ−１０の片面に高温耐熱半田７でシリコン半導体で
ある半導体チ・ノブ８を半田付けした。つぎにヒートス
プレッダ−１０の他方の面に共晶半田１１を用いて回路
基板に半田付けして金属板ベース基板を作製した。
この金属板ベース回路基板ｎ＝２０を気相中において、
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で耐冷熱試験を行っ
たところ、３００〜１０００サイクル間で１２個の金属
板ベース回路基板の半田部分に亀裂の発生が認められた
。
−４０°Ｃと１２５°Ｃとの雰囲気で耐冷熱試験を行っ
たところ、３００〜１０００サイクル間で１２個の金属
板ベース回路基板の半田部分に亀裂の発生が認められた
。
（発明の効果）
以上のとおり本発明は、半導体チップとベースとなる金
属板の間に熱膨張率の異なる金属板を設けてヒートスプ
レッダ−とし、半導体の作動中に発生する発熱を吸収し
て半田にかかる歪みを解消して半田の亀裂を防止しする
ことにより、回路基板としての信転性を高める効果を有
するものである。
属板の間に熱膨張率の異なる金属板を設けてヒートスプ
レッダ−とし、半導体の作動中に発生する発熱を吸収し
て半田にかかる歪みを解消して半田の亀裂を防止しする
ことにより、回路基板としての信転性を高める効果を有
するものである。
第１図は、本発明の基本的構成の断面図を表すものであ
る。 １ 金属板 ２ 絶縁層 ３ 銅回路 ４ ポンディングパッド ５ 高熱膨張用ヒートスプレッダ− ６低熱膨張用ヒートスプレッダ− ７高温耐熱半１）８ 半導体チップ ９ ボンディングワイヤー １０ ヒートスプレッダ−１１共晶半田特許出願人 電
気化学工業株式会社 第１図 １ 金属板 ・ ７高温耐熱半
ＩＪｊ２ 絶縁層 ８半導体
チ叡３ 銅回路 ９ ボ
ンディングワイヤー４ ボノディノグバノド
１ｏヒートスフレツタ−５高熱膨張力１ヒートス
フレノダ−ｎ 共品半Ｈ１６低熱膨張川ヒートスフレノ
ダ−
る。 １ 金属板 ２ 絶縁層 ３ 銅回路 ４ ポンディングパッド ５ 高熱膨張用ヒートスプレッダ− ６低熱膨張用ヒートスプレッダ− ７高温耐熱半１）８ 半導体チップ ９ ボンディングワイヤー １０ ヒートスプレッダ−１１共晶半田特許出願人 電
気化学工業株式会社 第１図 １ 金属板 ・ ７高温耐熱半
ＩＪｊ２ 絶縁層 ８半導体
チ叡３ 銅回路 ９ ボ
ンディングワイヤー４ ボノディノグバノド
１ｏヒートスフレツタ−５高熱膨張力１ヒートス
フレノダ−ｎ 共品半Ｈ１６低熱膨張川ヒートスフレノ
ダ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱膨張率の異なる少なくとも２種類の金属板からな
る半導体用ヒートスプレツダーを搭載してなることを特
徴とする金属板ベース回路基板。 ２ ヒートスプレッダーが、導体回路上に搭載されてな
る請求項１記載の金属板ベース回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317091A JPH04186869A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 金属板ベース回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317091A JPH04186869A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 金属板ベース回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186869A true JPH04186869A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18084336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317091A Pending JPH04186869A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 金属板ベース回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186869A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012039116A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置 |
| JP2012138629A (ja) * | 2012-04-05 | 2012-07-19 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁基板および半導体装置 |
| US8674499B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-03-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiation component and semiconductor package including same |
| WO2017121111A1 (zh) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种自调节高低温保护装置 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2317091A patent/JPH04186869A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8674499B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-03-18 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Heat radiation component and semiconductor package including same |
| WO2012039116A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路装置 |
| US9271397B2 (en) | 2010-09-24 | 2016-02-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit device |
| JP2012138629A (ja) * | 2012-04-05 | 2012-07-19 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁基板および半導体装置 |
| WO2017121111A1 (zh) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种自调节高低温保护装置 |
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