JPS6239090A - アルミニウムワイヤ−ボンデイング用プリント配線板の製造方法 - Google Patents

アルミニウムワイヤ−ボンデイング用プリント配線板の製造方法

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JPS6239090A
JPS6239090A JP60178826A JP17882685A JPS6239090A JP S6239090 A JPS6239090 A JP S6239090A JP 60178826 A JP60178826 A JP 60178826A JP 17882685 A JP17882685 A JP 17882685A JP S6239090 A JPS6239090 A JP S6239090A
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JP
Japan
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aluminum
circuit layer
copper
wire bonding
bonding
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JP60178826A
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福島 宗彦
敏行 山口
徹 樋口
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、電子部品のボンディングなどをアルミニウム
ワイヤーボンディングでおこなう場合に用いるプリント
配線板の製造方法に関するものである。
[背景技術] 電子部品のボンディングなどをアルミニウムワイヤーで
おこなうにあたって、プリント配線板に設けられた導体
回路が鋼によって形成されている場合、アルミニウムワ
イヤーと銅とはボンディング強度が弱く接合M顆性にお
いて問題となる。そこで特公昭52−3461号公報に
よって提供されているように銅の導体回路の表面にNi
メッキを施してアルミニウムワイヤーとのボンディング
強度を高める試みがなされているが、アルミニウム同士
をボンディングすることに比べてその強度は到底及ばな
い。このためアルミニウムを導体回路に設けてボンディ
ング強度を高めて接合信頼性を向上させることが種々検
討されており、例えば特開昭51−28662号公報に
おいてはアルミニウムを導体回路の表面に蒸着すること
が提供されている。しかしアルミニウムの蒸着ではアル
ミニウムの層を厚く形成することができず、満足のいく
結果を得ることができないというのが現状である。
[発明の目的J 本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであり、アル
ミニウムワイヤーボンディングを接合信頼性高くおこな
うことができるアルミニウムワイヤーボンディング用プ
リント配線板の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
[発明の開示1 しかして本発明に係るアルミニウムワイヤーボンディン
グ用プリント配線板の製造方法は、基板1の表面にアル
ミニウム箔2を積層した積層板3を作成し、アルミニウ
ム箔2の表面に回路パターンで銅メッキを施して銅回路
層4を設け、銅回路層4によって被覆される部分及びア
ルミニウムワイヤーボンディングを施すべき部分を除い
てアルミニウム箔2をエツチング除去することによって
、エツチング除去されないで銅回路層4の内側に残るア
ルミニウム箔2のアルミニウム回路層5と銅回路層4と
で2層構成となった導体回路6を形成すると共にアルミ
ニウム回路層5と一体で且つ銅回路層4で被覆されず露
出した状態のアルミニウムボンディング接続¥17を形
成することを特徴とするものであり、導体回路6のアル
ミニウムワイヤーボンディングをおこなう部分をアルミ
ニウム箔2によって形成することができるようにして上
記目的を達成するようにしたものでありて、以下本発明
を実施例により詳述する。
積層板3は、〃ラス布や紙などを基材としこの基材に7
エ/−ル樹脂やエポキシ樹脂など熱硬化性樹脂のフェス
を含浸乾燥することで調製されるプリプレグを複数枚重
ね、さらのプリプレグの外側にアルミニウムM2を垂ね
′にれを加熱加圧成形することによって、プリプレグの
硬化積層体である基板1の表面にアルミニウム箔2が接
着積層された第1図(a)のようなものとして作成され
る。
アルミニウム箔としては通常厚みが20〜200μのも
のが用いられる。
次に導体回路6を形成すべき部分以外の部分においてア
ルミニウム箔2の表面に第1図(b)のように銅メツキ
レシスト10を施す。銅メツキレノスト10は導体回路
6を形成すべき部分以外の部分に印刷によって選択的に
施すようにしても、またこの銅メツキレシスト10を感
光性樹脂で形成してアルミニウムM2の表面全面に塗布
し、導体回路6を形成すべき部分以外の部分を感光させ
て導体回路6のパターンでエツチング除去し、銅メツキ
レノスト10が導体回路6を形成すべき部分以外の部分
に残留されるようにして銅メッキレノス)10を施すよ
うにしてもよい。またこのとき、導体回路6のアルミニ
ウムワイヤーボンディングを施すべき部分においても銅
メツキレシスト10を施す。
こののち、積層板3を銅メッキ液に浸漬してアルミニウ
ムM2に通電することによって、銅メッキレノス)10
で被覆されCいない部分においてアルミニウム箔2の表
面に銅メッキを施し、導体回路6のパターン形状に第1
図(c)のように銅回路層4を設ける。銅回路層4の厚
みは通常5〜100μが適当である。そして第1図(d
)のように銅メツキレノスト10を除去する。
次に第1図(e)のように導体回路6のアルミニウムワ
イヤーボンディングを施すべき部分においてアルミニウ
ムM2の表面にエツチングレジスト11を印刷などで塗
布し、アルカリなど銅は溶解させないがアルミニウムは
溶解させるエツチング液で処理してアルミニウム箔2を
エツチングする。
このとき銅回路層4によって被覆される部分とエツチン
グレノスト11で被覆される部分とにおいてはアルミニ
ウム箔2にエツチング液が作用せず、第1図(f)のよ
うにアルミニウム箔2は銅回路層4の内側部分にアルミ
ニウム回路層5として残ると共にエツチングレノスト1
1の内側にアルミニウムボンディング接続部7として残
る。
そしてエツチングレノスト11を除去して第1図(g)
のようにアルミニウムワイヤーボンディング用プリント
配線板Aが形成されるものであり、このプリント配線板
Aにおいてはアルミニウム回路層5と銅回路M4とで導
体回路6が2層構成で形成されることになると共にアル
ミニウム回路層5と一体となった、すなわち導体回路6
と一体になったアルミニウムボンディング接続部7が銅
回路層4で被覆されず露出された状態で形成されること
になる。
このように形成したアルミニウムワイヤー・ボンディン
グ用プリント配線板Aにおいて、電子部品12をアルミ
ニウムワイヤー8でボンディングするにあたっては、第
2図に示すようにアルミニウムワイヤー8を超音波ボン
ディングなどでアルミニウム箔2のアルミニウムポンチ
゛イングmM81s7に接続するようにするものである
[発明の効果1 上述のように本発明にあっては、基板の表面にアルミニ
ウム箔を積層した積層板を作成し、アルミニウム箔の表
面に回路パターンで銅メッキを施して銅回路層を設け、
銅回路層によって被覆される部分及びアルミニウムワイ
ヤーボンディングを施すべき部分を除いてアルミニウム
箔をエツチング除去することによって、エツチング除去
されないで銅回路層の内側に残るアルミニウム箔のアル
ミニウム回路層と銅回路層とで2層構成となった導体回
路を形成すると共にアルミニウム回路層と一体で且つ銅
回路層で被覆されず露出した状態のアルミニウムボンデ
ィング接続部を形成するよう1こしたので、アルミニウ
ムワイヤーボンディングはアルミニウム箔によって厚み
を確保した状態で形成されるアルミニウムボンディング
接続部におこなうことができ、アルミニウムワイヤーと
アルミニウム箔とのアルミニウム同士で接合信頼性高く
強固にボンディングをおこなうことができるものであり
、しかも導体回路はアルミニウム回路層と銅回路層とで
2層に形成されて電気伝導性に優れた銅回路層によって
回路抵抗を小さくすることができると共に表面の銅回路
層によって半田付けをおこなうことが可能になるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(、)乃至(8)は本発明の一実施例における各
工程部分の断面図、第2図はアルミニウムワイヤーボン
ディングをおこなった状態の断面図である。 1は基板、2はアルミ−ラム箔、3は積層板、4は銅回
路層、5はアルミニウム回路層、6は導体回路、7はア
ルミニウムボンディング接続部、8はアルミニウムワイ
ヤーである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板の表面にアルミニウム箔を積層した積層板を
    作成し、アルミニウム箔の表面に回路パターンで銅メッ
    キを施して銅回路層を設け、銅回路層によって被覆され
    る部分及びアルミニウムワイヤーボンディングを施すべ
    き部分を除いてアルミニウム箔をエッチング除去するこ
    とによって、エッチング除去されないで銅回路層の内側
    に残るアルミニウム箔のアルミニウム回路層と銅回路層
    とで2層構成となった導体回路を形成すると共にアルミ
    ニウム回路層と一体で且つ銅回路層で被覆されず露出し
    た状態のアルミニウムボンディング接続部を形成するこ
    とを特徴とするアルミニウムワイヤーボンディング用プ
    リント配線板の製造方法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49105167A (ja) * 1973-02-12 1974-10-04
JPS5933894A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 電気化学工業株式会社 混成集積用回路基板の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49105167A (ja) * 1973-02-12 1974-10-04
JPS5933894A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 電気化学工業株式会社 混成集積用回路基板の製造法

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