CN106030761A - 用于化学气相沉积系统的具有复合半径的晶片保持凹穴的晶片载体 - Google Patents

用于化学气相沉积系统的具有复合半径的晶片保持凹穴的晶片载体 Download PDF

Info

Publication number
CN106030761A
CN106030761A CN201580006019.XA CN201580006019A CN106030761A CN 106030761 A CN106030761 A CN 106030761A CN 201580006019 A CN201580006019 A CN 201580006019A CN 106030761 A CN106030761 A CN 106030761A
Authority
CN
China
Prior art keywords
arc
wafer
depression
periphery
chip carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580006019.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106030761B (zh
Inventor
桑迪普·克里希南
卢卡斯·厄本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Veeco Instruments Inc
Original Assignee
Veeco Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Veeco Instruments Inc filed Critical Veeco Instruments Inc
Publication of CN106030761A publication Critical patent/CN106030761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106030761B publication Critical patent/CN106030761B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种应用于化学气相沉积(CVD)系统中的晶片载体，该晶片载体包括多个晶片保持凹穴，每个晶片保持凹穴具有围绕底面并且限定晶片保持凹穴周边的周壁表面。每个晶片保持凹穴具有周边，该周边具有至少通过围绕第一弧心设置的具有第一曲率半径的第一弧和围绕第二弧心设置的具有第二曲率半径的第二弧限定的形状。第二弧与第一弧在它的曲率半径、弧心或两方面不同。

Description

用于化学气相沉积系统的具有复合半径的晶片保持凹穴的晶片 载体
技术领域
本发明总体上涉及半导体制造技术，并且更具体地涉及化学气相沉积(CVD)工艺以及在处理期间具有用于降低半导体晶片表面的温度非均匀性的结构的相关装置。
背景技术
制造发光二极管(LED)和其它高性能器件，如激光二极管、光探测器和场效应晶体管时，常常采用化学气相沉积(CVD)工艺将如氮化镓的材料应用到蓝宝石或硅基板上生成薄膜堆叠结构。CVD工具包括处理腔室，其是一种允许注入的气体沉积在基板上(尤其以晶片的形式)生成薄膜层的密封环境。这样的制造设备的当前产品线的示例是纽约普兰维尤的Veeco Instruments Inc公司制造的MOCVD系统的系列。
控制多个工艺参数，如温度、压力和气流速度，以实现所需的晶体生长。采用多样化的材料和工艺参数会生成不同的层。例如，由化合物半导体制备的器件，如III-V半导体，典型地应用金属有机化学气相沉积(MOCVD)通过生成化合物半导体的连续层来形成。在该工艺中，晶片暴露于混合气体中，典型地包括作为III族金属源的金属有机化合物，并且还包括在晶片保持在高温时流过晶片的表面的V族元素源。通常，金属有机化合物和V族源与明显不会参与反应的例如氮气的载体气体结合。III-V半导体的一个示例是氮化镓，其能够由有机镓化合物和氨在具有合适的晶体点阵间隔的基板上反应而形成，作为示例如蓝宝石晶片。晶片在氮化镓和相关的化合物沉积期间通常保持在大约1000-1100℃的温度。
在MOCVD工艺中，在晶体的生长通过基板表面上的化学反应发生的情况下，必须特别谨慎地控制工艺参数以保证化学反应在需要的条件下进行。即使工艺条件中微小的变化都可能不利地影响器件质量和产品产量。例如，如果沉积镓和氮化铟层，则晶片表面温度的变化将引起沉积层的组成和带隙的变化。因为铟具有相对高的蒸汽压，所以在晶片的表面温度较高的那些区域中，沉积层将具有较低比例的铟和较大的带隙。如果沉积层是活性的LED结构的发光层，则由晶片形成的LED的发射波长还将会变化到无法接受的程度。
在MOCVD处理腔室中，将半导体晶片——薄膜层将要在其上生长——设置在称为晶片载体的快速旋转的传送器上，在用于半导体材料沉积的反应腔室内将其表面均匀地暴露于大气中。旋转速度大约1,000RPM。晶片载体典型地由导热材料例如石墨加工而成，并且常常涂有如金刚砂的材料的保护层。每个晶片载体在放置有单个晶片的上表面具有一组圆形凹进或凹穴。典型地，晶片间隔支承在每个凹穴的下表面，以允许气流环绕晶片的边缘。相关技术的一些示例公开于以下专利文献中：美国专利申请公开号2012/0040097、美国专利第8,092,599号、美国专利第8,021,487号、美国专利申请公开号2007/0186853、美国专利第6,902,623号、美国专利第6,506,252号和美国专利第6,492,625号，其公开内容通过引用合并于此。
晶片载体支承在反应腔室内的主轴上，使得晶片载体的具有晶片暴露表面的上表面面向向上朝向气体分配装置。当主轴旋转时，气体被向下引导到晶片载体的上表面上且绕上表面朝向晶片载体的外周流动。反应过的气体从反应腔室穿过设置在晶片载体下部的端口排出。通过加热元件——具体地设置在晶片载体的下表面下方的电阻加热元件——将晶片载体保持在需要的高温。这些加热元件保持在晶片表面需要的温度之上的一温度，而气体分配装置典型地保持在远低于需要的反应温度之下的一温度，从而预防气体的过早反应。因此，热从加热元件传递到晶片载体的下表面，并且向上流动通过晶片载体至单个晶片。
经过晶片的气流根据每个晶片的径向位置而变化，由于在旋转期间更快的速度，位于最外侧的晶片承受更高的流速。甚至每个单独的晶片会具有温度非均匀性，即根据相对于载体上的其它晶片的几何位置的冷点和热点。其中一个影响形成温度非均匀性的变量是晶片载体中凹穴的形状。通常，凹穴形状是圆形并且具有单一的曲率半径。随着晶片载体旋转，晶片在它们的最外侧(即距离旋转轴线最远的边缘)承受大量的向心力，使得晶片贴着于晶片载体中各自凹穴的内壁。在该情况下，在这些晶片外边缘周围不会有气流，并且向晶片的这些最外侧部分的热传导增加，引起更大的温度非均匀性并且进一步加重上述问题。已经对通过增加晶片边缘和凹穴内壁之间的间隙来最小化温度非均匀性而作出努力，包括设计边缘的一
部分是扁平的晶片(即“扁平”晶片)。这样的晶片扁平部分形成气流流动的间隙并且降低与凹穴内壁接触的点，由此减轻温度非均匀性。
大量的努力致力于在加工期间减小温度变化的系统设计结构，然而该问题继续呈现出诸多挑战。考虑到在化学气相沉积期间晶片承受的极端状况，包括暴露于大量的向心力，存在对于进一步降低温度非均匀性的改善技术的需求。
发明内容
本发明的一方面旨在一种晶片载体，该晶片载体用在通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中。晶片载体包括绕中心轴线对称形成的基体，并且基体包括总体平的上表面，该上表面设置为与中心轴线垂直。多个晶片保持凹穴在基体中从上表面凹进，每个晶片保持凹穴包括总体平行于上表面的底面以及周壁表面，该周壁表面围绕底面并且限定晶片保持凹穴的周边。每个晶片保持凹穴具有沿对应晶片载体径向轴线设置的凹穴中心，晶片载体径向轴线垂直于中心轴线。每个晶片保持凹穴具有周边，该周边具有由至少通过围绕第一弧心设置的具有第一曲率半径的第一弧以及围绕第二弧心设置的具有第二曲率半径的第二弧限定的形状。第二弧与第一弧在以下中的至少一方面不同：第一曲率半径与第二曲率半径不同或第一弧心与第二弧心不同。
有利地，使用由具有不同曲率半径的复合弧成形的晶片保持凹穴可以在热分布中在承受CVD工艺的晶片表面上提供改善的均匀性。从下述具体实施方式中可以明白多种其它有利之处。
附图说明
结合附图参照下述的本发明的各个实施例的详细说明，将更全面地理解本发明，其中：
图1示出根据本发明的一个实施例的化学气相沉积装置。
图2是根据本发明的一个实施例说明了用于CVD系统的晶片载体的透视示意图。
图3是根据本发明的一个实施例的沿所示的线截取的剖视示意图，其详细示出了用于CVD系统的晶片凹穴。
图4是根据本发明的一个实施例的设置在传统凹穴中的晶片的示意图。
图5是根据本发明的一个实施例的晶片的示意图，晶片设置在由两个相交的复合半径的弧形成的凹穴中。
图6是根据本发明的一个实施例的晶片的示意图，晶片设置在两个不相交的复合半径的弧形成的凹穴中。
图7A-7D是根据本发明的实施例的晶片的示意图，该晶片设置在由复合半径的两个弧形成的凹穴中。
图8A-8D是根据本发明的实施例的晶片的示意图，该晶片设置在由复合半径的两个弧形成的凹穴中。
尽管本发明可预期各种修改和可选择的形式，但其中的细节已经通过示例的方式在附图中示出，并且下述将对其进行详细说明。然而应当理解到的是，意图并不是将本发明限于所述的具体实施例。相反地，本发明覆盖属于权利要求所限定的思想和保护范围内的所有的修改、等同变换和可选择的方式。
具体实施方式
图1示出根据本发明的一个实施例的化学气相沉积装置。反应腔室5限定一工艺环境空间。气体分配装置10设置在腔室的一端。具有气体分配装置10的端在此处称为腔室5的“上”端。典型地但不是必须地，腔室的该端在正常重力参照系中设置在腔室的上部。因此，此处应用的向下的方向涉及远离气体分配装置10的方向；而向上的方向涉及腔室内的朝向气体分配装置10的方向，无论这些方向是否与重力的向上和向下的方向对齐。类似地，此处参照反应腔室5和气体分配装置10的参照系对元件的“上”和“下”表面进行说明。
气体分配装置10连接到用于供应在晶片加工工艺中使用的工艺气体的源15、20和25，诸如例如金属有机化合物和V族金属源的载体气体和反应气体。气体分配装置10设置为接收各种气体并且总体上在向下的方向上引导工艺气体流。气体分配装置10同样需要连接到设置为使液体循环通过气体分配装置10的冷却系统30，从而在操作期间将气体分配装置的温度保持在希望的温度。提供类似的冷却剂部件(未示出)来冷却反应腔室5的壁。反应腔室5同样具有设置为通过在或靠近腔室的下部的端部(未示出)排出来自腔室内部的废气的排气系统35，从而允许来自气体分配装置10的气体在向下的方向上持续流动。
主轴40设置在腔室内，使得主轴40的中心轴线45在向上和向下的方向上延伸。主轴40通过传统的整合了轴承和密封件(未示出)的旋转通过装置50安装在腔室上，使得主轴40能够绕中心轴线45旋转，从而将密封件保持在主轴40和反应腔室5的壁之间。主轴在其上端——即主轴最靠近气体分配装置10的端部——具有固定件55。如下面进一步的说明，固定件55是适于可拆离地接合晶片载体的晶片载体保持机构的一示例。在所述的具体的实施例中，固定件55是朝向主轴的上端逐渐变细且终止在平坦的上表面的总体上截头圆锥体元件。截头圆锥体元件是具有锥形物的平截头体的形状的元件。主轴40连接到设置为绕中心轴线45使主轴40旋转的如电动机驱动器的旋转驱动机构60。
加热元件65安装在腔室内并且围绕固定件55下方的主轴40。反应腔室5还具有导向前腔室75的进入开口70，以及用于关闭和打开进入开口的门80。门80在图1中仅示意性地示出，并且示出为在以实线示出的闭合位置和在80’以虚线示出的打开位置之间是可移动的，在闭合位置，门将反应腔室5的内部与前腔室75隔开。门80具有合适的控制和启动机构，该机构用于在打开位置和闭合位置之间移动门80。实际上，门可以包括如在例如美国第7,276,104号专利中公开的在向上和向下方向上可移动的遮板(shutter)，其公开的内容通过引用合并于此。图1所示的装置可以进一步包括载荷机构(未示出)，其能够在操作条件下将晶片载体从前腔室75移动到腔室并且使得晶片载体接合主轴40，并且还能够将晶片载体从主轴40移开并且移入前腔室75。
该装置还包括多个晶片载体。在图1所示的操作条件下，第一晶片载体85设置反应腔室5的内部处于一操作位置，而第二晶片载体90设置在前腔室75内。每个晶片载体包括大体上是圆盘形式的具有中心轴线(参见图2)的基体95。基体95绕中心轴线对称地形成。在操作位置，晶片载体基体的中心轴线与主轴40的中心轴线45重合。基体95可以形成为单件或多件的复合。例如，如公开号为20090155028的美国专利申请中公开的——其公开的内容通过引用合并于此，晶片载体基体可以包括限定基体绕中心轴线的较小区域的中心(hub)和限定盘状基体的其余部分的较大部分。理想地，基体95由不会污染加工且能够在加工中经受得住遭遇的温度的材料制成。例如，盘的较大部分可以大部分地或整个地由如石墨、金刚砂或其它耐热材料制成。基体95总体具有总体平行于彼此延伸的并且总体上垂直于盘的中心轴线的平坦的上表面100和下表面110。基体95还具有一个或多个适于保持多个晶片的晶片保持部件。
在操作中，如由蓝宝石、金刚砂或其它结晶基板形成的盘状晶片的晶片115置于每个晶片载体的每个凹穴120内。典型地，晶片115的厚度与其主要表面尺寸相比要小。例如，直径约2英寸(50mm)的圆形晶片可以厚约430μm或更小。如图1所示，晶片115放置为上表面向上，使得上表面暴露在晶片载体的上部。应注意到的是，在各个实施例中，晶片载体85承载不同数量的晶片。例如，在一个示例的实施例中，晶片载体85适于保持六个晶片。在另一如图2所示的示例的实施例中，晶片载体保持12个晶片。
在典型的MOCVD工艺中，将在其上载有晶片的晶片载体85从前腔室75载入反应腔室5内，并且放置在如图1所示的操作位置。在该情况下，晶片的上表面面向上朝向气体分布装置10。启动加热元件65，并且运行旋转驱动机构60，以使主轴40和晶片载体85绕轴线45旋转。典型地，主轴40以约50-1500转/分钟的旋转速度旋转。启动工艺气体供应单元15、20和25，以提供气体通过气体分配装置10。气体向下朝向晶片载体85传递，经过晶片载体85的上表面100和晶片115，并且绕晶片载体的外周向下传递到出口和排气系统50。由此，晶片载体的上表面和晶片115的上表面暴露到包括由各种工艺气体供应单元提供的各种气体的混合的工艺气体中。更典型地，上表面的工艺气体主要包含由载体气体供应单元20提供的载体气体。在典型的化学气相沉积工艺中，载体气体可以是氮气，因此晶片载体的上表面的工艺气体主要由具有少量的反应气体成分的氮气组成。
加热元件65主要通过辐射热传递将热传递到晶片载体85的下表面110。应用到晶片载体85的下表面的热向上穿过晶片载体的基体95流动到晶片载体的上表面100。向上穿过基体的热还向上穿过气体至每个晶片的上表面，并且向上穿过晶片至晶片115的上表面。热从晶片载体85的上表面100和晶片的上表面辐射到加工腔室的更冷的元件，例如，辐射至加工腔室的壁和辐射至气体分配装置10。热还从晶片载体85的上表面100和晶片的上表面传递到经过这些表面的工艺气体。
在所述的实施例中，系统包括多个设计用于确定每个晶片115的表面的加热的均匀性的部件。在该实施例中，温度分析系统(temperatureprofiling system)125接收温度信息，该温度信息包括来自温度监测器130的温度和温度监测位置信息。此外，温度分析系统125接收在一个实施例中能够来自旋转驱动机构60的晶片载体位置信息。根据该信息，温度分析系统125在晶片载体85上构建晶片120的温度分布。该温度分布代表每个晶片120的表面上的热分布。
图2和图3详细示出晶片载体200，也称作基座。每个晶片保持位点是总体上圆形凹进的形式，或从上表面215向下延伸到基体210的凹穴205的形式。图3是凹穴205(在图2中通过水平线以及两个成角度的箭头限定边界)的剖视图。总体上圆形形状制造为与晶片240的形状相对应。每个晶片载体200包括基体210，基体210大体是具有中心轴线220的圆盘形式。基体210绕中心轴线220对称地形成。在操作状态，晶片载体200的中心轴线220与主轴的轴线(图3)重合。基体210可以作为单件形成或以多件复合而成。每个凹穴205具有设置在上表面215的周围部分下方的底面225。每个凹穴205也具有围绕底面225并且限定凹穴205的外周的周壁表面230。周壁表面230从基体210的上表面215朝向底面225向下延伸。在多个实施例中，尤其如图3中所示，周壁表面230可以具有底切，其中壁在至少一部分外周上方向里朝向凹穴的中心倾斜。因此，周壁表面230形成相对于底面225的锐角。在一个示例性实施例中，周壁表面230和底面225之间形成的角是80度。
在相关的实施例(未示出)中，周壁表面230的部分具有不同的倾斜度。例如，在一个这样的实施例中，周壁表面230距离晶片载体的中心轴线220最远的那些部分具有更大的锐角。在另一相关实施例中，如图3所示，底面225包括支撑部件(standoff feature)，例如沿每个凹穴205的周边定位在特定位置的突出部235。突出部235使晶片240升高离开底面225，由此容许一些气流围绕晶片240的边缘并且在晶片240的下面下方。在其它实施例中，晶片240可以通过安装在凹穴205内的位于周壁表面230正下方的环使凹穴底面225升高；环可以占用突出部235的位置(即代替环)，以使晶片240的外周安置在环上。
图4是安装在凹穴405中的晶片400的部分平面示意图，同时晶片载体以所示的旋转方向转动。当晶片载体转动时，在其对应晶片凹穴405中的每个晶片400响应于通过凹穴405周壁表面的最外侧部分施加给晶片的离心力而沿晶片的相应的晶片载体轴线410向外发挥被动离心力(reactivecentrifugal force)。被动离心力由标记有f的箭头表示，该箭头沿晶片载体径向轴线410从中心轴线415指向外部。作为结果，在内部上产生增加尺寸的间隙420，并且晶片400的外部贴着于凹穴405的内壁。这种情形在外部总体承受增加的局部温度——即热点——的情况下形成温度非均匀性。
总体上，晶片凹穴的形状是圆形，以使晶片凹穴相对于凹穴的中心轴线具有单一的半径，如上文图4中所说明的。然而，为了努力在晶片和晶片凹穴的周壁之间保持更均匀的间隙以容许在CVD工艺期间更均匀的气体分布，最终降低温度非均匀性，晶片凹穴可以包含不同的形状。在各种实施例中，晶片凹穴可以包含两个或更多个具有不同半径的弧，以使凹穴的形状可以是类圆形或椭圆形。
如图5所示，根据一种类型的实施例，晶片500安装在凹穴中，凹穴由两个复合半径的相交弧形成。第一弧515的半径510比第二弧525的半径520更小。第一弧515和第二弧525以实线示出，两者一起组成凹穴的周边。为了说明的目的，这些弧延伸以形成封闭的圆，未构成晶片凹穴周边任何部分的那些部分以虚线示出。第一弧515与第二弧525在相交点530处相交。在所示的实施例中，晶片载体的每个晶片凹穴形状由复合半径的两个相交弧形成。在相关的实施例中，具有不同半径的三个或更多弧可以形成凹穴周边的形状。
根据这些实施例，这样的晶片凹穴可以降低晶片和晶片凹穴内部之间的接触点，晶片贴着于晶片凹穴内部(在晶片载体转动期间承受离心力或被动离心力，如箭头f所示)，如上文所述。此外，使用图5中所示形状的晶片凹穴可以增加晶片凹穴内壁和晶片周边之间的间隙535，以及使间隙535与具有单一曲率的晶片凹穴相比更均匀。有利地，这确保更好的气流并且降低在CVD加工期间影响晶片的温度非均匀性。
在一个实施例中，晶片凹穴形状被设置为在加工期间当晶片位于凹穴中时，间隙535在凹穴外周的大部分上方尺寸总体均匀。在这样的背景下，间隙总体均匀的尺寸限定为具有+/-10％的公差的间隙尺寸。在相关实施例中，间隙535在晶片保持凹穴外周的至少66％上是总体均匀的。在又一相关实施例中，间隙535是在晶片保持凹穴外周的至少75％上是总体均匀的。在进一步的实施例中，半径限定为使间隙535是在晶片保持凹穴外周的至少55％上是均匀的。
在其它实施例中，晶片凹穴可以由复合半径限定形状，以使对应于那些半径的弧没有自然相交(即没有交点)。根据一个实施例，如图6所示，晶片600位于凹穴中，凹穴形状由两个不相交的复合半径的弧限定。第一弧615的半径610比第二弧625的半径620更小；然而，如果在延伸的情况下形成封闭的圆(以虚线示出)，则第一弧615将位于第二弧625中并且不相交。在一些实施例中，晶片凹穴由两个或更多个不相交的复合半径的弧限定。在相关实施例中，由两个不相交的复合半径的弧限定形状的晶片凹穴包括连接部分640，其对称地位于晶片凹穴中心轴线415的每一侧上并且靠近晶片凹穴的远端，晶片贴着在该远端(施加离心力，以箭头示出)，如上文所述。连接部分640使晶片凹穴的周壁完整以连接第一弧615和第二弧625。
如图6所示，第一弧615和第二弧625形成具有复合半径的晶片凹穴，其中对应于每个半径的弧不相交(以实线示出)。这样的晶片凹穴——包括如图6中所示形状的晶片凹穴——能够减少晶片和晶片凹穴的内部之间的接触点，晶片贴着于该部分(施加离心力f)，如上文所述。此外，使用如图6中所示形状的晶片凹穴可以增加晶片凹穴内部和晶片周边之间的间隙635，同样使间隙635更均匀，最终确保更好的气流并且降低形成温度非均匀性的可能性。
在一个实施例中，晶片凹穴形状限定为在加工期间当晶片位于凹穴中时，使间隙635在凹穴外周大部分上尺寸总体均匀。在这样的背景下，间隙总体均匀的尺寸限定为具有+/-10％的公差的间隙尺寸。在相关实施例中，间隙635在晶片保持凹穴外周的至少66％上是总体均匀的。在又一相关实施例中，间隙635是在晶片保持凹穴外周的至少75％上是总体均匀的。在进一步的实施例中，半径限定为使间隙635是在晶片保持凹穴外周的至少55％上是均匀的。
上述实施例旨在说明而并非限制。可以想到落入权利要求中的其它变形。例如，在相关实施例中，对于给定的晶片载体，不同晶片保持凹穴可以具有限定凹穴的不同结构的复合半径。例如，在一个实施例中，在位于距离晶片载体的中心更近或更远的晶片保持凹穴之间，第一弧对于第二弧的半径长度可以不同。例如，对于更靠近晶片载体中心的这些凹穴而言，第一弧615的长度可以是第二弧625长度的更小比例。在某些其它实施例中，也可以想到的是，对于更靠近中心的凹穴而言相反的结构(即第一弧615是更大的比例)。可以针对图5所述实施例的弧515和525作出类似的设置。
在另一类型的变形中，第一弧和第二弧的曲率半径可以从一个晶片保持凹穴变化到位于相同晶片载体上的另一个。
仍在另一类型的变形中，第一弧和第二弧515和525或615和625中的每一个分别相对于晶片载体径向轴线410对称设置。在另一实施例中，弧可以不对称地设置以使晶片定位为在某种程度上偏离中心，这进一步有助于减轻在某些结构中的加热非均匀性。例如，如图7A-D所示，第一弧和第二弧中的每一个的中心可以设置为使它们两者位于相同晶片载体径向轴线410上。为了说明的目的，弧延伸以形成封闭圆，在这种情况下以虚线示出的那些部分并未组成晶片凹穴周边的任何部分。在一些情况下，第一弧715和第二弧725也可以相对于相同的晶片载体径向轴线410是对称的，第一弧715的半径710比第二弧725的半径720更小(图7A；同样参见图4-6)。在其它情形下，第一弧715可以相对于晶片载体径向轴线410是对称的，并且第二弧725相对于晶片载体径向轴线410是不对称的，第一弧715的半径710比第二弧725的半径720更小(图7B)。在其它情形中，第一弧715可以相对于晶片载体径向轴线410是不对称的并且第二弧725可以相对于晶片载体径向轴线410是对称的，第一弧715的半径710比第二弧725的半径720更小(图7C)。仍在其它情形中，第一弧715和第二弧725两者相对于晶片载体径向轴线410可以都不对称，第一弧715的半径710比第二弧725的半径720更小(图7D)。
此外，如图8A-D所示，第一弧和第二弧中的每一个的中心可以设置为使它们不位于相同的晶片载体径向轴线上。为了说明的目的，弧延伸形成封闭的圆，在这种情况下以虚线示出的那些部分并未组成晶片凹穴周边的任何部分。在一些情形中，第一弧815和第二弧825可以相对于分开的晶片载体径向轴是对称的，例如第一弧815(具有半径810)可以具有并非位于晶片载体径向轴线410上的中心，而第二弧825(具有半径820)可以具有位于晶片载体径向轴线410上的中心(图8A)。在其它情形中，第一弧815(具有半径810)可以是相对于晶片载体径向轴线410对称的并且具有位于晶片载体径向轴线410上的中心，而第二弧825(具有半径820)可以是相对于晶片载体径向轴线410不对称的并且具有并非位于晶片载体径向轴线410上的中心(图8B)。在其它情形中，第一弧815(具有半径810)可以是相对于晶片载体径向轴线410不对称的但具有位于晶片载体径向轴线410上的中心，而第二弧825(具有半径820)可以是相对于单独的晶片载体轴线(即并非是晶片载体径向轴线410)对称的并且具有并非位于晶片载体径向轴线410上的中心(图8C)。仍在其它情形中，第一弧815(具有半径810)和第二弧825(具有半径820)两者相对于分开的晶片载体轴(如晶片载体径向轴线410和单独的晶片载体径向轴线)都是不对称的并且两者都具有位于单独径向轴(如晶片载体径向轴线410和单独的晶片载体径向轴线)上的中心(图8D)。这些以及其它变形有助于进一步减轻发生在晶片800上的温度非均匀性。
此外，尽管本发明的方面能够参照具体的实施例进行说明，本领域的技术人员应理解到在不脱离本发明的权利要求保护的范围内可以对本发明的形式和大量内容做出变化。本领域的普通技术人员将理解到，本发明可以包含比上述的任何单独实施例示出的特征更少的特征。这里所述的实施例并非详尽地呈现了各种方案，本发明的各种特征可以组合。相应地，实施例并非部件互斥的组合，而是，本发明可以包含选自不同单独实施例的不同单独部件的组合，如图本领域普通技术人员所理解的。
上述引用的文献的任何合并限于使得不存在与本发明公开的内容相反的主题合并。上述引用的文献的任何合并进一步限于使得包括到文献中的权利要求没有通过引用合并到本发明的权利要求中。上述任何文献的权利要求合并为公开内容的部分，除非有特别说明。上述引用的文献的任何合并进一步限于使得文献中提供的任何定义不通过引用合并于本发明中，除非有特别说明。
为了解释本发明的权利要求的目的，明确表明没有援引美国35U.S.C.第6段第110部分的规定，除非在权利要求中陈述具体的术语“用于…的手段”或“用于…的步骤”(“means for”或“step for”)。

Claims (18)

1.一种用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片载体，所述晶片载体包含：
基体，所述基体绕中心轴线对称地形成并且包括垂直于所述中心轴线的总体平面的上表面；
多个晶片保持凹穴，所述凹穴从所述上表面凹进所述基体中，每个所述晶片保持凹穴包括：
总体平行于所述上表面的底面；以及
周壁，所述周壁围绕所述底面并且限定所述晶片保持凹穴的周边；
其中每个所述晶片保持凹穴具有沿垂直于所述中心轴线的对应晶片载体径向轴线设置的凹穴中心；并且
每个所述晶片保持凹穴具有周边，所述周边具有至少通过围绕第一弧心设置的具有第一曲率半径的第一弧和围绕第二弧心设置的具有第二曲率半径的第二弧所限定的形状，其中所述第二弧与所述第一弧在下列至少一个方面不同：
所述第一曲率半径与所述第二曲率半径不同；或
所述第一弧心与所述第二弧心不同。
2.根据权利要求1所述的晶片载体，其中在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧和所述第二弧相交。
3.根据权利要求1所述的晶片载体，其中在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧和所述第二弧不相交。
4.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧具有比所述第二弧更小的曲率半径。
5.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧具有比所述第二弧更大的曲率半径。
6.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的所述周边。
7.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第二弧围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的周边。
8.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧和所述第二弧各自围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的所述周边。
9.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线不对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的所述周边。
10.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第二弧围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线不对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的所述周边。
11.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴具有相对于所述中心轴线的近端和远端，并且在每个所述晶片保持凹穴的所述周边中，所述第一弧位于所述远端并且所述第二弧位于所述近端；
其中所述第一弧和所述第二弧各自围绕对应于所述晶片保持凹穴的所述晶片载体径向轴线不对称地设置，所述晶片保持凹穴具有由所述第一弧和所述第二弧限定的所述周边。
12.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴的所述周边的形状进一步通过至少一个连接部限定，所述至少一个连接部与所述第一弧和所述第二弧两者都相交。
13.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴的所述周边的形状进一步通过两个连接部限定，每个所述连接部与所述第一弧和所述第二弧两者都相交。
14.根据权利要求1所述的晶片载体，进一步包含：
第一晶片保持凹穴和第二晶片保持凹穴；并且
其中普通晶片保持凹穴的所述第一弧的长度对于所述第二弧的长度之间的比率与所述第一晶片保持凹穴和所述第二晶片保持凹穴之间的不同。
15.根据权利要求1所述的晶片载体，进一步包含：
第一晶片保持凹穴和第二晶片保持凹穴；并且
其中普通晶片保持凹穴的所述第一弧的曲率半径对于所述第二弧的曲率半径之间的比率与所述第一晶片保持凹穴和所述第二晶片保持凹穴之间的不同。
16.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴的所述周边被构造为在CVD加工期间，当晶片被放置在所述晶片保持凹穴中时，所述晶片的外边缘和所述晶片保持凹穴的所述周边之间的间隙是围绕所述晶片外周的至少50％尺寸上总体均匀的。
17.根据权利要求1所述的晶片载体，其中每个所述晶片保持凹穴的所述周边被构造为在CVD加工期间，当晶片被放置在所述晶片保持凹穴中时，所述晶片的外边缘和所述晶片保持凹穴的所述周边之间的间隙是围绕所述晶片外周的至少75％尺寸上总体均匀的。
18.一种用于构造晶片载体的方法，所述晶片载体应用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中，所述方法包含：
对称地围绕中心轴线将基体成型为包括垂直于所述中心轴线的总体平面的上表面；
形成从所述上表面在所述基体中凹进的多个晶片保持凹穴，每个所述晶片保持凹穴包括：
总体平行于所述上表面的底面；以及
围绕所述底面并且限定所述晶片保持凹穴周边的周壁表面；
其中在形成多个所述晶片保持凹穴中，每个所述晶片保持凹穴被成型为具有沿垂直于所述中心轴线的对应晶片载体径向轴线设置的凹穴中心；并且
每个所述晶片保持凹穴具有周边，所述周边具有至少通过围绕第一弧心设置的具有第一曲率半径的第一弧和围绕第二弧心设置的具有第二曲率半径的第二弧限定的形状，其中所述第二弧与所述第一弧在下列至少一个方面不同：
所述第一曲率半径与所述第二曲率半径不同；或
所述第一弧心与所述第二弧心不同。
CN201580006019.XA 2014-01-27 2015-01-26 用于化学气相沉积系统的晶片载体及其制造方法 Active CN106030761B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461931966P 2014-01-27 2014-01-27
US61/931,966 2014-01-27
PCT/US2015/012884 WO2015112969A1 (en) 2014-01-27 2015-01-26 Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106030761A true CN106030761A (zh) 2016-10-12
CN106030761B CN106030761B (zh) 2019-09-13

Family

ID=53678487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580006019.XA Active CN106030761B (zh) 2014-01-27 2015-01-26 用于化学气相沉积系统的晶片载体及其制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10145013B2 (zh)
EP (1) EP3100298B1 (zh)
JP (1) JP6559706B2 (zh)
KR (1) KR20160111521A (zh)
CN (1) CN106030761B (zh)
SG (1) SG11201606084RA (zh)
TW (1) TWI654666B (zh)
WO (1) WO2015112969A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987539A (zh) * 2018-05-31 2018-12-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座
US11248295B2 (en) 2014-01-27 2022-02-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9478697B2 (en) * 2014-11-11 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Reusable substrate carrier
KR20180031799A (ko) * 2015-08-18 2018-03-28 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학 기상 증착 시스템 및 공정에서 열적 균일성을 향상시키기 위한 공정별 웨이퍼 캐리어 보정
TWI619198B (zh) * 2016-03-14 2018-03-21 Wafer carrier
TWI612176B (zh) * 2016-11-01 2018-01-21 漢民科技股份有限公司 應用於沉積系統的氣體分配裝置
WO2019043865A1 (ja) * 2017-08-31 2019-03-07 株式会社Sumco サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
TWI643973B (zh) * 2017-11-16 2018-12-11 錼創顯示科技股份有限公司 晶圓載盤以及金屬有機化學氣相沈積設備
CN109440063B (zh) * 2018-09-12 2021-01-12 华灿光电(苏州）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法
CN113122825A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置
WO2022047785A1 (zh) * 2020-09-07 2022-03-10 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶片承载盘

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030114016A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Tischler Michael A. Wafer carrier for semiconductor process tool
JP2004080001A (ja) * 2002-06-12 2004-03-11 Asm America Inc 半導体ウェハの位置ずれ測定及び補正方法
JP2005045213A (ja) * 1993-01-21 2005-02-17 Moore Epitaxial Inc 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
US20070227441A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Kazuhiro Narahara Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof
US20100055318A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
US20130084390A1 (en) * 2005-03-17 2013-04-04 Kunihiko Suzuki Film-forming apparatus and film-forming method
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
US20130276704A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-24 Sandeep Krishnan Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Family Cites Families (223)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3656454A (en) 1970-11-23 1972-04-18 Air Reduction Vacuum coating apparatus
NL7103019A (zh) 1971-03-06 1972-09-08
US3783822A (en) 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
NL7209297A (zh) 1972-07-01 1974-01-03
JPS5724199B2 (zh) 1974-03-12 1982-05-22
JPS51144183A (en) 1975-06-06 1976-12-10 Hitachi Ltd Semiconductor element containing surface protection film
JPS5942970B2 (ja) 1979-03-29 1984-10-18 テルサ−ムコ株式会社 半導体熱処理用反応管
DE3020264A1 (de) 1980-05-28 1981-12-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Dichter, gekuehlter verschluss fuer prozessrohre, insbesondere in der halbleiterfertigung
US4369031A (en) 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JPS58128724A (ja) 1982-01-27 1983-08-01 Hitachi Ltd ウエハ反転装置
US5242501A (en) 1982-09-10 1993-09-07 Lam Research Corporation Susceptor in chemical vapor deposition reactors
US4565157A (en) 1983-03-29 1986-01-21 Genus, Inc. Method and apparatus for deposition of tungsten silicides
JPS59220917A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp 半導体製造装置
US4539933A (en) 1983-08-31 1985-09-10 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
JPS60178616A (ja) 1984-02-27 1985-09-12 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ
DE3421538A1 (de) 1984-06-08 1985-12-12 ATOMIKA Technische Physik GmbH, 8000 München Vakuumaufdampfeinrichtung
US4560420A (en) 1984-06-13 1985-12-24 At&T Technologies, Inc. Method for reducing temperature variations across a semiconductor wafer during heating
CA1251100A (en) 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
US4658513A (en) 1985-09-03 1987-04-21 Dynapert-Htc Corporation Continuous vapor phase processing machine
JPH0680633B2 (ja) 1985-09-04 1994-10-12 富士通株式会社 気相成長装置
US4736705A (en) 1986-07-14 1988-04-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Apparatus for metal organic chemical vapor deposition
US4859832A (en) 1986-09-08 1989-08-22 Nikon Corporation Light radiation apparatus
JPS63186422A (ja) 1987-01-28 1988-08-02 Tadahiro Omi ウエハサセプタ装置
JPS63226025A (ja) * 1987-03-13 1988-09-20 Sumitomo Metal Ind Ltd 基板の表面処理方法
US5040484A (en) 1987-05-04 1991-08-20 Varian Associates, Inc. Apparatus for retaining wafers
US4919542A (en) 1988-04-27 1990-04-24 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity correction apparatus and method
US5061084A (en) 1988-04-27 1991-10-29 Ag Processing Technologies, Inc. Pyrometer apparatus and method
US4986215A (en) 1988-09-01 1991-01-22 Kyushu Electronic Metal Co., Ltd. Susceptor for vapor-phase growth system
US4956538A (en) 1988-09-09 1990-09-11 Texas Instruments, Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors
JPH0834187B2 (ja) 1989-01-13 1996-03-29 東芝セラミックス株式会社 サセプタ
JP2767282B2 (ja) 1989-05-30 1998-06-18 日本真空技術株式会社 基板保持装置
US5046909A (en) 1989-06-29 1991-09-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling semiconductor wafers
US5119540A (en) 1990-07-24 1992-06-09 Cree Research, Inc. Apparatus for eliminating residual nitrogen contamination in epitaxial layers of silicon carbide and resulting product
JPH0687463B2 (ja) 1989-08-24 1994-11-02 株式会社東芝 半導体気相成長装置
JPH03136232A (ja) 1989-08-31 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
EP0448346B1 (en) 1990-03-19 1997-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor-phase deposition apparatus
US5271084A (en) 1990-05-23 1993-12-14 Interuniversitair Micro Elektronica Centrum Vzw Method and device for measuring temperature radiation using a pyrometer wherein compensation lamps are used
JPH04110466A (ja) 1990-08-31 1992-04-10 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハホルダー
JPH04157162A (ja) 1990-10-22 1992-05-29 Shinko Electric Co Ltd 表面処理装置
JPH04171944A (ja) 1990-11-06 1992-06-19 Fujitsu Ltd 気相エピタキシャル成長装置
US5114242A (en) 1990-12-07 1992-05-19 Ag Processing Technologies, Inc. Bichannel radiation detection method
US5173336A (en) 1991-01-22 1992-12-22 Santa Barbara Research Center Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide
JP3106172B2 (ja) 1991-02-26 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の封止構造
US5324386A (en) 1991-03-19 1994-06-28 Fujitsu Limited Method of growing group II-IV mixed compound semiconductor and an apparatus used therefor
US5155652A (en) 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
JP2677913B2 (ja) 1991-05-13 1997-11-17 三菱電機株式会社 半導体製造装置のシール機構および半導体装置の製造方法
US5156461A (en) 1991-05-17 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation
US5154730A (en) 1991-05-17 1992-10-13 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module
US5436172A (en) 1991-05-20 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system
JPH0751755B2 (ja) 1991-06-21 1995-06-05 川崎製鉄株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US5291514A (en) 1991-07-15 1994-03-01 International Business Machines Corporation Heater autotone control apparatus and method
US5536918A (en) 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
US5294778A (en) 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
US5446824A (en) 1991-10-11 1995-08-29 Texas Instruments Lamp-heated chuck for uniform wafer processing
JPH05230673A (ja) 1992-02-24 1993-09-07 Ulvac Seimaku Kk ドライエッチング装置
US5226383A (en) 1992-03-12 1993-07-13 Bell Communications Research, Inc. Gas foil rotating substrate holder
US5473392A (en) 1992-05-01 1995-12-05 Summit Technology, Inc. Method and system for topographic measurement
US5370739A (en) 1992-06-15 1994-12-06 Materials Research Corporation Rotating susceptor semiconductor wafer processing cluster tool module useful for tungsten CVD
JP2766433B2 (ja) 1992-07-23 1998-06-18 株式会社東芝 半導体気相成長装置
JPH0770730A (ja) 1993-09-06 1995-03-14 Hitachi Metals Ltd 耐孔食性ステンレス鋼
US5820686A (en) 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
NL9300389A (nl) 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
US5305417A (en) 1993-03-26 1994-04-19 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for determining wafer temperature using pyrometry
US5624590A (en) 1993-04-02 1997-04-29 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies and an apparatus for practicing this technique
US5305416A (en) 1993-04-02 1994-04-19 At&T Bell Laboratories Semiconductor processing technique, including pyrometric measurement of radiantly heated bodies
JPH06295915A (ja) 1993-04-09 1994-10-21 F T L:Kk 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3190165B2 (ja) 1993-04-13 2001-07-23 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
JPH06310438A (ja) 1993-04-22 1994-11-04 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置
JPH0711446A (ja) 1993-05-27 1995-01-13 Applied Materials Inc 気相成長用サセプタ装置
DE69432383D1 (de) 1993-05-27 2003-05-08 Applied Materials Inc Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase
US5372652A (en) 1993-06-14 1994-12-13 International Business Machines Corporation Aerosol cleaning method
US5384008A (en) 1993-06-18 1995-01-24 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for full wafer deposition
US5497727A (en) 1993-09-07 1996-03-12 Lsi Logic Corporation Cooling element for a semiconductor fabrication chamber
US5650082A (en) 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
US5393232A (en) 1993-11-15 1995-02-28 Haines; William C. Visual aid system
US5444815A (en) 1993-12-16 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Multi-zone lamp interference correction system
JP2642858B2 (ja) 1993-12-20 1997-08-20 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及び加熱装置
US5645646A (en) 1994-02-25 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Susceptor for deposition apparatus
GB9410567D0 (en) 1994-05-26 1994-07-13 Philips Electronics Uk Ltd Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture
EP0689233B1 (en) 1994-06-24 2008-10-15 Sumitomo Electric Industries, Limited Wafer and method of producing same
JPH0878347A (ja) * 1994-09-06 1996-03-22 Komatsu Electron Metals Co Ltd エピタキシャル成長装置のサセプタ
US5855677A (en) 1994-09-30 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls
US5514439A (en) 1994-10-14 1996-05-07 Sibley; Thomas Wafer support fixtures for rapid thermal processing
US7018943B2 (en) 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
KR100370728B1 (ko) 1994-10-27 2003-04-07 실리콘 밸리 그룹, 인크. 기판을균일하게코팅하는방법및장치
US5551983A (en) 1994-11-01 1996-09-03 Celestech, Inc. Method and apparatus for depositing a substance with temperature control
US5928427A (en) 1994-12-16 1999-07-27 Hwang; Chul-Ju Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
US5755511A (en) 1994-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
US5660472A (en) 1994-12-19 1997-08-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
JP2912842B2 (ja) 1995-01-17 1999-06-28 株式会社エイコー・エンジニアリング 薄膜形成装置
US5982986A (en) 1995-02-03 1999-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for rotationally aligning and degassing semiconductor substrate within single vacuum chamber
JP3553204B2 (ja) 1995-04-28 2004-08-11 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
JPH0936049A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置
JPH0945624A (ja) 1995-07-27 1997-02-14 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置
US6086680A (en) 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
JPH09134880A (ja) 1995-11-09 1997-05-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置
US5584936A (en) 1995-12-14 1996-12-17 Cvd, Incorporated Susceptor for semiconductor wafer processing
US5881208A (en) 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
US5854468A (en) 1996-01-25 1998-12-29 Brooks Automation, Inc. Substrate heating apparatus with cantilevered lifting arm
WO1997031389A1 (fr) 1996-02-23 1997-08-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement thermique
FR2746115B1 (fr) 1996-03-15 1998-05-22 Support de substrats pour installation d'evaporation
JP3563224B2 (ja) 1996-03-25 2004-09-08 住友電気工業株式会社 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置
US5761023A (en) 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US5843234A (en) 1996-05-10 1998-12-01 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for aiming a barrel reactor nozzle
KR100200705B1 (ko) 1996-06-08 1999-06-15 윤종용 반도체 디바이스 제조장치, 제조장치의 공정 조건 조절방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
US6001183A (en) 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US5788799A (en) 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US5837058A (en) 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
US5980706A (en) 1996-07-15 1999-11-09 Semitool, Inc. Electrode semiconductor workpiece holder
JP3596710B2 (ja) * 1996-09-10 2004-12-02 信越半導体株式会社 気相成長装置用サセプタ
JP3923576B2 (ja) 1996-12-13 2007-06-06 東洋炭素株式会社 気相成長用サセプター
JP3887052B2 (ja) 1996-12-13 2007-02-28 東洋炭素株式会社 気相成長用サセプター
US5895596A (en) 1997-01-27 1999-04-20 Semitool Thermal Model based temperature controller for semiconductor thermal processors
WO1998039858A2 (en) 1997-03-04 1998-09-11 Qualcomm Incorporated A multi-user communication system architecture with distributed transmitters
US6432203B1 (en) 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US5888303A (en) 1997-04-07 1999-03-30 R.E. Dixon Inc. Gas inlet apparatus and method for chemical vapor deposition reactors
US5874711A (en) 1997-04-17 1999-02-23 Ag Associates Apparatus and method for determining the temperature of a radiating surface
CN1144198C (zh) 1997-05-08 2004-03-31 松下电器产业株式会社 光记录媒体制造装置和制造方法
JPH1167675A (ja) 1997-08-21 1999-03-09 Toshiba Ceramics Co Ltd 高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法
EP0948806A2 (en) 1997-10-03 1999-10-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder
DE69813014T2 (de) 1997-11-03 2004-02-12 Asm America Inc., Phoenix Verbesserte kleinmassige waferhaleeinrichtung
JP3728078B2 (ja) 1997-11-28 2005-12-21 京セラ株式会社 プラズマ発生用部材
US5909355A (en) 1997-12-02 1999-06-01 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck and method of fabricating same
WO1999059196A1 (en) 1998-05-11 1999-11-18 Semitool, Inc. Temperature control system for a thermal reactor
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6086362A (en) 1998-05-20 2000-07-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Multi-function chamber for a substrate processing system
US6146646A (en) 1998-05-28 2000-11-14 Yusuf; Fatimat Kokori fruit-based cosmetic system
US6192827B1 (en) 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
US6225601B1 (en) 1998-07-13 2001-05-01 Applied Komatsu Technology, Inc. Heating a substrate support in a substrate handling chamber
US6669988B2 (en) 2001-08-20 2003-12-30 Goodrich Corporation Hardware assembly for CVI/CVD processes
US6280581B1 (en) 1998-12-29 2001-08-28 David Cheng Method and apparatus for electroplating films on semiconductor wafers
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
US6480286B1 (en) 1999-03-31 2002-11-12 Matsushita Electric Inudstrial Co., Ltd. Method and apparatus for measuring thickness variation of a thin sheet material, and probe reflector used in the apparatus
US6812157B1 (en) 1999-06-24 2004-11-02 Prasad Narhar Gadgil Apparatus for atomic layer chemical vapor deposition
KR100565138B1 (ko) 1999-07-26 2006-03-30 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 웨이퍼 상에 에피택셜 층을 성장시키는 장치
JP4061904B2 (ja) 1999-09-03 2008-03-19 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハ保持具
US6511539B1 (en) 1999-09-08 2003-01-28 Asm America, Inc. Apparatus and method for growth of a thin film
US6287385B1 (en) 1999-10-29 2001-09-11 The Boc Group, Inc. Spring clip for sensitive substrates
US6259072B1 (en) 1999-11-09 2001-07-10 Axcelis Technologies, Inc. Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector
JP2002057207A (ja) 2000-01-20 2002-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置
US20020069970A1 (en) 2000-03-07 2002-06-13 Applied Materials, Inc. Temperature controlled semiconductor processing chamber liner
US20020170673A1 (en) 2000-04-29 2002-11-21 Tanguay Michael J. System and method of processing composite substrates within a high throughput reactor
US6444027B1 (en) 2000-05-08 2002-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Modified susceptor for use in chemical vapor deposition process
US6669824B2 (en) 2000-07-10 2003-12-30 Unaxis Usa, Inc. Dual-scan thin film processing system
US6495010B2 (en) 2000-07-10 2002-12-17 Unaxis Usa, Inc. Differentially-pumped material processing system
US6492625B1 (en) 2000-09-27 2002-12-10 Emcore Corporation Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates
JP4537566B2 (ja) 2000-12-07 2010-09-01 大陽日酸株式会社 基板回転機構を備えた成膜装置
US6800173B2 (en) 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
US6634882B2 (en) 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US6506252B2 (en) 2001-02-07 2003-01-14 Emcore Corporation Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
US6860945B2 (en) 2001-03-22 2005-03-01 Tokyo Electron Limited Substrate coating unit and substrate coating method
JP3898906B2 (ja) 2001-05-22 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板の塗布装置
US6442950B1 (en) 2001-05-23 2002-09-03 Macronix International Co., Ltd. Cooling system of chamber with removable liner
US6902623B2 (en) 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
JP2003031474A (ja) 2001-07-16 2003-01-31 Oki Electric Ind Co Ltd 露光装置および露光方法
KR100488753B1 (ko) 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
US7106490B2 (en) 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
US7122844B2 (en) 2002-05-13 2006-10-17 Cree, Inc. Susceptor for MOCVD reactor
JP4005879B2 (ja) 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP2004128271A (ja) 2002-10-03 2004-04-22 Toyo Tanso Kk サセプタ
US6818094B2 (en) 2003-01-29 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Reciprocating gas valve for pulsing a gas
US8366830B2 (en) 2003-03-04 2013-02-05 Cree, Inc. Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor
US7019826B2 (en) 2003-03-20 2006-03-28 Agilent Technologies, Inc. Optical inspection system, apparatus and method for reconstructing three-dimensional images for printed circuit board and electronics manufacturing inspection
JP5404984B2 (ja) 2003-04-24 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
WO2004109779A1 (ja) 2003-06-06 2004-12-16 Tokyo Electron Limited 基板の処理膜の表面荒れを改善する方法及び基板の処理装置
US20040263862A1 (en) 2003-06-24 2004-12-30 Amparan Alfonso Benjamin Detecting peripheral points of reflected radiation beam spots for topographically mapping a surface
JP4008401B2 (ja) 2003-09-22 2007-11-14 日本碍子株式会社 基板載置台の製造方法
US8158532B2 (en) 2003-10-20 2012-04-17 Novellus Systems, Inc. Topography reduction and control by selective accelerator removal
KR100574569B1 (ko) 2004-04-30 2006-05-03 주성엔지니어링(주) 박막 증착방법 및 분리된 퍼지가스 분사구를 구비하는박막 증착장치
JP2006013020A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Toyo Tanso Kk サセプタ
JP4410076B2 (ja) 2004-10-07 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
US7544251B2 (en) 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7770535B2 (en) 2005-06-10 2010-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Chemical solution application apparatus and chemical solution application method
KR100735613B1 (ko) 2006-01-11 2007-07-04 삼성전자주식회사 이온주입설비의 디스크 어셈블리
US8603248B2 (en) 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
JP4868522B2 (ja) * 2006-03-30 2012-02-01 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置
US20070284342A1 (en) 2006-06-09 2007-12-13 Morten Jorgensen Plasma treatment method and apparatus
US7789961B2 (en) 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
DE102007026348A1 (de) 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor
US8092599B2 (en) 2007-07-10 2012-01-10 Veeco Instruments Inc. Movable injectors in rotating disc gas reactors
US8039052B2 (en) 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
US7572686B2 (en) 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US8211231B2 (en) 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8021487B2 (en) 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US20110114022A1 (en) 2007-12-12 2011-05-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
TW200952115A (en) 2008-06-13 2009-12-16 Huga Optotech Inc Wafer carrier and epitaxy machine using the same
JP2010027881A (ja) * 2008-07-22 2010-02-04 Sumco Corp エピタキシャルウェーハの製造方法。
JP5280964B2 (ja) 2008-09-04 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5453768B2 (ja) 2008-11-05 2014-03-26 豊田合成株式会社 化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具
JP5141541B2 (ja) 2008-12-24 2013-02-13 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
EP2403396B1 (en) 2009-03-04 2019-08-14 Elie Meimoun Wavefront analysis inspection apparatus and method
US20100231881A1 (en) 2009-03-13 2010-09-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8311788B2 (en) 2009-07-01 2012-11-13 Schlumberger Technology Corporation Method to quantify discrete pore shapes, volumes, and surface areas using confocal profilometry
JP5233888B2 (ja) 2009-07-21 2013-07-10 信越半導体株式会社 両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア及びウェーハの両面研磨方法
US20110049779A1 (en) 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity
JP2011165697A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Bridgestone Corp 気相成長装置
EP2539920A1 (en) 2010-02-24 2013-01-02 Veeco Instruments Inc. Processing methods and apparatus with temperature distribution control
WO2011125471A1 (ja) 2010-03-31 2011-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI390074B (zh) 2010-04-29 2013-03-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 有機金屬化學氣相沉積機台
JP5523935B2 (ja) 2010-06-09 2014-06-18 株式会社神戸製鋼所 気化方法及びこれに用いられる気化装置並びに同装置を備えた気化システム
JP5707766B2 (ja) 2010-07-28 2015-04-30 住友電気工業株式会社 サセプタおよび半導体製造装置
US20120073502A1 (en) 2010-09-27 2012-03-29 Veeco Instruments Inc. Heater with liquid heating element
US8562746B2 (en) 2010-12-15 2013-10-22 Veeco Instruments Inc. Sectional wafer carrier
KR20120071695A (ko) 2010-12-23 2012-07-03 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터, 화학 기상 증착 장치 및 화학 기상 증착 장치를 이용한 기판의 가열 방법
US20120171377A1 (en) 2010-12-30 2012-07-05 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with selective control of emissivity
KR101685150B1 (ko) 2011-01-14 2016-12-09 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템
TWI525744B (zh) 2011-05-31 2016-03-11 維克儀器公司 加熱之晶圓載體輪廓勘測
TW201316445A (zh) 2011-09-01 2013-04-16 Veeco Instr Inc 具有熱特性的晶圓承載物
KR20130037688A (ko) 2011-09-01 2013-04-16 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 열 특징부를 갖는 웨이퍼 캐리어
DE102011083421A1 (de) 2011-09-26 2013-03-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Vermessen homogen reflektierender Oberflächen
JP5630414B2 (ja) 2011-10-04 2014-11-26 信越半導体株式会社 ウェーハの加工方法
US9816184B2 (en) 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
SG11201406746RA (en) 2012-04-19 2015-03-30 Intevac Inc Dual-mask arrangement for solar cell fabrication
KR101992360B1 (ko) 2012-05-18 2019-06-24 엘지이노텍 주식회사 Ｃｖｄ 반응기용 서셉터
US20140102372A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 Epistar Corporation Wafer carrier
JP6018909B2 (ja) * 2012-12-27 2016-11-02 昭和電工株式会社 ウェハホルダーおよびエピタキシャルウェハの製造装置
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
WO2014196323A1 (ja) * 2013-06-06 2014-12-11 イビデン株式会社 ウエハキャリアおよびこれを用いたエピタキシャル成長装置
CN106030761B (zh) 2014-01-27 2019-09-13 威科仪器有限公司 用于化学气相沉积系统的晶片载体及其制造方法
US9627239B2 (en) 2015-05-29 2017-04-18 Veeco Instruments Inc. Wafer surface 3-D topography mapping based on in-situ tilt measurements in chemical vapor deposition systems

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005045213A (ja) * 1993-01-21 2005-02-17 Moore Epitaxial Inc 半導体基板を処理するための高速熱処理反応炉
US20030114016A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Tischler Michael A. Wafer carrier for semiconductor process tool
JP2004080001A (ja) * 2002-06-12 2004-03-11 Asm America Inc 半導体ウェハの位置ずれ測定及び補正方法
US20130084390A1 (en) * 2005-03-17 2013-04-04 Kunihiko Suzuki Film-forming apparatus and film-forming method
US20070227441A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Kazuhiro Narahara Method of manufacturing epitaxial silicon wafer and apparatus thereof
US20100055318A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
US20130276704A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-24 Sandeep Krishnan Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11248295B2 (en) 2014-01-27 2022-02-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
CN108987539A (zh) * 2018-05-31 2018-12-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座

Also Published As

Publication number Publication date
US20150211148A1 (en) 2015-07-30
JP2017510088A (ja) 2017-04-06
JP6559706B2 (ja) 2019-08-14
WO2015112969A1 (en) 2015-07-30
US20190169745A1 (en) 2019-06-06
TWI654666B (zh) 2019-03-21
US10145013B2 (en) 2018-12-04
EP3100298A4 (en) 2017-09-13
KR20160111521A (ko) 2016-09-26
CN106030761B (zh) 2019-09-13
EP3100298B1 (en) 2020-07-15
TW201539546A (zh) 2015-10-16
EP3100298A1 (en) 2016-12-07
US11248295B2 (en) 2022-02-15
SG11201606084RA (en) 2016-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106030761A (zh) 用于化学气相沉积系统的具有复合半径的晶片保持凹穴的晶片载体
TWI619843B (zh) 在化學氣相沉積系統內具有供改善加熱一致性之設計的晶圓舟盒
US20190157125A1 (en) Wafer carrier having thermal cover for chemical vapor deposition systems
CN102859679B (zh) 具有倾斜边缘的晶片载体
US10240235B2 (en) Method and apparatus for depositing a material layer originating from process gas on a substrate wafer
KR20160003441U (ko) 31 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어
KR20160003442U (ko) 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어
TW201300569A (zh) 薄膜沉積系統
TWM531055U (zh) 具有３５個容置區的排列組態之晶圓載具
CN110359031A (zh) 用于化学气相沉积的具有热盖的晶圆载体
US20130125819A1 (en) Chemical gas deposition reactor
TWI490367B (zh) 金屬有機化合物化學氣相沉積方法及其裝置
CN205488070U (zh) 具有多个凹穴配置的晶片载体
TWM567957U (zh) 晶圓載體
CN208980795U (zh) 晶片载体
CN205355020U (zh) 晶片载体
CN205335232U (zh) 晶片载体
KR20190001371U (ko) 33-포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어
TW202430715A (zh) 多盤化學氣相沉積系統
TWM571587U (zh) 晶圓載體

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Pern villa, New York, USA

Applicant after: Veeco Instr Inc.

Address before: Pern villa, New York, USA

Applicant before: VEECO INSTRUMENTS, INC.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant