KR100735613B1 - 이온주입설비의 디스크 어셈블리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비의 디스크 어셈블리에 대하여 개시한다. 그의 어셈블리는, 일방향으로 회전되는 디스크; 상기 디스크의 가장자리에서 상기 웨이퍼를 안착시키는 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대; 상기 디스크의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼의 외주면을 지지하여 상기 디스크의 회전으로부터 상기 웨이퍼가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 적어도 하나이상의 펜스; 상기 펜스에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼를 상기 펜스에 밀착시키도록 형성된 핑거; 상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되는 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 밀착되는 것을 감지하는 적어도 하나이상의 센서; 및 상기 센서에서 감지된 웨이퍼의 밀착 유무 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼가 상기 펜스에 밀착되었는지를 판단하고, 상기 웨이퍼와 상기 펜스가 밀착되지 않았다고 판단될 경우, 상기 디스크를 회전시켜 이온주입공정이 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 포함하여 이루어진다.
로봇암(robot arm), 디스크(disk), 웨이퍼 안착대(site), 패드(pad)

Description

이온주입설비의 디스크 어셈블리{Disk assembly at the implanter}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 디스크 어셈블리를 포함하는 이온주입설비를 부분적으로 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 디스크를 개략적으로 나타낸 측면도.
도 3 및 도 4는 도 2의 웨이퍼 안착대를 나타낸 사시도 및 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법을 나타내는 플로우 챠트.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 디스크 어셈블리를 포함하는 이온주입설비를 부분적으로 나타낸 평면도.
도 7은 도 6의 디스크를 개략적으로 나타낸 측면도.
도 8 및 도 9는 도 7의 웨이퍼 안착대를 나타낸 사시도 및 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법을 나타내는 플로우 챠트.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 웨이퍼 20 : 로봇암
30 : 디스크 40 : 웨이퍼 안착대
50 : 왑 센서 60 : 리프트 몸체
본 발명은 이온주입설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 배치 타입을 갖는 이온주입설비의 내부에서 다수개의 웨이퍼를 탑재하여 회전시키는 이온주입설비의 디스크 어셈블리에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다.
이러한 방법 중에 CMOS 기술과 같이, 실리콘 기판에 도전성 불순물을 주입하는 이온주입기술이 대두되고 있다. 이온 주입기술은 열확산기술과 함께 반도체기판 중에 불순물 도입을 위한 기본 공정기술이다.
원리적으로는 옛날부터 가능하다고 되고 있던 기술로서, 1960년대에는 이미 트랜지스터등이 이 방법에 의해서 시작되었다. 최근, LSI의 고집적화, 고밀도화에 대응해서 더 정밀한 불순물제어가 요구되고 있다. 더욱이, 양산기술면에서는 재현성의 향상, 처리능력의 향상이 요구되고 있다.
그 중에서 이온주입기술은 더욱 그 중요성이 증가하여 열확산기술에 대체해서 실용화되게 되었다. 또 이 기술에서는 열확산기술로는 불가능 내지는 아주 어려운 저농도 불순물 도입이나 절연막을 통한 도핑 등도 가능하게 되었다.
이와 같은 이온주입기술에 사용되는 일반적인 이온주입설비가 미국특허번호 4,922,106 또는 미국특허번호 6,635,880에 기재되어 있다. 일반적인 이온주입장치는 웨이퍼의 표면에 이온주입될 도전성 불순물 이온을 추출하는 터미널 모듈과, 상기 터미널 모듈에서 추출된 상기 도전성 불순물 이온을 소정의 에너지로 가속시키는 가속기와, 상기 가속기에서 가속된 상기 도전성 불순물 이온을 상기 웨이퍼의 표면에 이온 주입시키는 엔드 스테이션 모듈을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 엔드 스테이션 모듈은 상기 가속기에서 가속된 상기 도전성 불순물 이온을 상기 웨이퍼의 표면에 스캐닝한다. 이때, 상기 웨이퍼가 대기중에 노출될 경우 상기 도전성 불순물 이온이 대기중의 공기 또는 파티클에 충돌되어 상기 웨이퍼의 표면으로부터 희망한 깊이까지 이온주입될 수 없다. 따라서, 상기 엔드 스테이션 모듈은 상기 도전성 불순물 이온이 상기 웨이퍼의 표면으로 이온주입될 수 있도록 하기 위해 외부로부터 독립된 공간을 제공한다. 예컨대, 상기 엔드 스테이션 모듈은 상기 가속기에서 가속된 상기 도전성 불순물 이온을 상기 웨이퍼에 이온주입하기 위해 고진공 상태의 밀폐된 공간을 제공하는 공정 챔버와, 상기 공정 챔버에 상기 웨이퍼를 이동시키기 위한 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버를 통해 상기 공정 챔버 내부에 이동되는 다수개의 상기 웨이퍼가 탑재된 카세트가 로딩되는 로드락 챔버를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 엔드 스테이션은 상기 가속기에서 형성된 상기 이온빔을 웨이퍼의 표면에 소정각도로 스캐닝시키는 스캐너와, 상기 스캐너에서 스캐닝되는 이온빔을 다수개의 웨이퍼에 입사시키기 위해 상기 다수개의 웨이퍼를 소정의 고속으로 회전시키는 디스크를 구비하여 이루어진 디스크 어셈블리와 상기 디스크 어셈블리에 상기 다수개의 웨이퍼를 착탈시키는 리프트 어셈블리를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 스캐너는 상기 이온빔을 상기 디스크에 탑재되는 다수개의 웨이퍼에 수직하도록 입사하고, 상기 디스크의 지름 방향으로 상기 이온빔을 조사하도록 형성되어 있다. 또한, 상기 디스크는 상기 다수개의 웨이퍼를 일방향으로 회전시키면서 상기 이온빔이 상기 디스크의 지름 방향에 수직하는 방향으로 입사되도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 스캐너는 Y축 방향으로 상기 이온빔을 이동시킨다면, 상기 디스크는 X축 방향으로 상기 웨이퍼를 이동시킴으로서 상기 웨이퍼의 전면에 도전성 불순물의 이온주입이 이루어지도록 할 수 있다. 이때, 상기 디스크 어셈블리는 상기 디스크에 상기 웨이퍼를 안착시켜 고속으로 회전시킬 수 있도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 디스크 어셈블리는 상기 트랜스퍼 챔버에 형성된 로봇암으로부터 이송되는 다수개의 웨이퍼를 일방향으로 회전되는 디스크와, 상기 디스크의 가장자리에서 상기 웨이퍼를 안착시키는 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대(site)와, 상기 디스크의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼의 외주면을 지지하여 상기 디스크의 회전으로부터 상기 웨이퍼가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 펜스(fence)와, 상기 펜스에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼를 상기 펜스에 밀착시키도록 형성된 핑거(finger)를 포함 하여 이루어진다. 여기서, 상기 디스크는 고속의 회전에 의해 상기 웨이퍼가 이탈되지 않도록 형성되고, 상기 웨이퍼를 상기 스캐너에서 입사되는 이온빔에 수직하도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 디스크는 중심을 기준으로 회전하며, 가장자리에 상기 다수개의 웨이퍼가 안착되는 다수개의 웨이퍼 안착대가 위치되는 바울 모양으로 형성되어 있다. 또한, 상기 디스크는 약 1200rpm 내지 2000rpm정도로 고속으로 회전한다.
따라서, 상기 펜스는 상기 디스크의 원주(원둘레)에 인접하도록 형성되고, 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼의 외주면 일측을 지지하여 상기 디스크의 회전에 의해 상기 웨이퍼가 상기 디스크의 외곽으로 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 핑거는 상기 디스크의 원주에 인접하여 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 상기 펜스에 타측에서 상기 웨이퍼를 밀착시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼 안착대의 표면은 상기 웨이퍼가 쉽게 미끄러지지 못하도록 소정의 마찰계수를 갖는 실리콘 고무재질의 패드가 형성되어 있다.
또한, 상기 리프트 어셈블리는 상기 웨이퍼의 일측을 기울려 상기 웨이퍼의 타측 외주면이 상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되도록 하기 위해 상기 웨이퍼 안착대에 형성된 핀홀을 관통하여 상기 핑거에 인접하는 웨이퍼의 일측을 일부 상승시키는 적어도 하나이상의 슬라이딩 핀이 형성되어 있다.
그러나, 종래 기술에 따른 이온주입설비의 디스크 어셈블리는, 상기 웨이퍼 안착대에 로딩되는 웨이퍼가 상기 핑거의 이동에 의해 완전히 미끄러지지 않고 상기 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 밀착되지 못할 경우, 상기 디스크의 회전 시 상 기 펜스에 밀착되지 못한 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에서 이탈되어 공정 사고가 유발될 수 있다. 예컨대, 상기 디스크의 일측에 형성된 웨이퍼 안착대에서 이탈된 상기 웨이퍼에 의해 상기 디스크 전체 무게중심이 틀어져 디스크 진동이 유발되고, 상기 디스크 진동에 의해 상기 디스크 상에 탑재된 다수개의 웨이퍼가 다수개의 웨이퍼 안착대에서 모두 이탈되는 스티킹 에러(sticking error)가 유발될 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 문제점이 있었다.
뿐만 아니라, 상기 웨이퍼가 상기 펜스에 밀착되지 않고 디스크가 회전될 경우, 상기 디스크의 회전에 의해 상기 웨이퍼가 상기 펜스의 방향으로 원심력을 받아 상기 펜스에 충돌됨으로서 상기 웨이퍼가 손상(broken)되기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 웨이퍼가 웨이퍼 안착대의 펜스에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대의 바깥으로 이탈되어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 웨이퍼 안착대에서 펜스에 밀착되지 않은 웨이퍼가 디스크의 회전에 의해 펜스에 부딪혀 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따른 이온주입설비의 디스크 에셈블리는, 일방향으로 회전되는 디스크; 상기 디스크의 가장자리에서 웨이퍼를 안착시키는 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대; 상기 디스크의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼의 외주면을 지지하여 상기 디스크의 회전으로부터 상기 웨이퍼가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 적어도 하나이상의 펜스; 상기 펜스에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼를 상기 펜스에 밀착시키도록 형성된 핑거; 상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되는 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 것을 감지하도록 상기 웨이퍼 안착대 중심에 형성되거나, 상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되는 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 밀착되는 것을 직접적으로 감지하도록 상기 펜스의 측벽에 형성된 적어도 하나 이상의 센서; 및 상기 센서에서 감지된 웨이퍼의 밀착 유무 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼가 상기 펜스에 밀착되었는지를 판단하고, 상기 웨이퍼와 상기 펜스가 밀착되지 않았다고 판단될 경우, 상기 디스크를 회전시켜 이온주입공정이 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.
삭제
본 발명의 다른 양태는, 웨이퍼 안착대에 웨이퍼를 안착시키는 단계; 상기 웨이퍼 안착대에 안착된 웨이퍼를 펜스로 밀착시키는 단계; 상기 펜스에 밀착되는 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에서 소정의 간격을 갖고 수평으로 안착되거나, 상기 펜스에 밀착된 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 직접적으로 접촉되는지를 감지하는 단계; 및 상기 웨이퍼와 상기 펜스가 밀착되지 않았을 경우, 상기 웨이퍼의 이온주입공정이 수행되지 못하도록 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 디스크 어셈블리를 포함하는 이온주입설비를 부분적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 디스크를 개략적으로 나타낸 측면도이고, 도 3 및 도 4는 도 2의 웨이퍼 안착대를 나타낸 사시도 및 단면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리는 회전 및 이완 동작되는 로봇암(20)에 의해 이송되는 적어도 하나 이상의 웨이퍼(10)를 일방향으로 회전시키도록 형성된 회전되는 디스크(30)와, 상기 디스크(30)의 가장자리에서 상기 웨이퍼(10)를 안착시키도록 형성된 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대(40)와, 상기 디스크(30)의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼(10)의 일측 외주면을 지지하여 상기 디스크(30)의 회전으로부터 상기 웨이퍼(10)가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대(40)의 일측에 형성된 펜스(42)와, 상기 펜 스(42)에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시키도록 형성된 핑거(44)와, 상기 핑거(44)의 양측에서 상기 웨이퍼(10)의 타측 외주면이 슬라이딩되어 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되도록 형성된 슬라이딩 펜스(46)와, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40) 상에서 상기 펜스(42)에 밀착되는 상기 웨이퍼(10)의 밀착 유무를 감지하는 왑 센서(50)를 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 왑 센서(50)에서 감지된 웨이퍼(10) 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되었는지를 판단하고, 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 밀착되지 않았다고 판단될 경우, 상기 디스크(30)를 회전시켜 이온주입공정이 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락(inter-lock) 제어신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 디스크(30)는 상기 로봇암(20)에 의해 이송되는 웨이퍼(10)를 수평으로 상기 웨이퍼 안착대(40)에 탑재시키고, 상기 이온주입설비의 스캐너에서 수평으로 입사되는 이온빔이 상기 웨이퍼(10)에 이온 주입되도록 하기 위해 수직으로 이동되는 프레임(frame, 32)에 지지된다. 도시되지는 않았지만, 상기 디스크(30)는 상기 프레임(32) 내부를 관통하여 외부에서 모터와 같은 회전체의 회전 동력을 상기 디스크(30)의 중심축에 전달하는 스핀들과 기어를 포함하여 이루어진 회전 동력 전달부가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 디스크(30)는 약 1200rpm 내지 2000rpm정도로 고속으로 회전된다. 이때, 상기 다수개의 웨이퍼(10)는 상기 디스크(30)의 고속 회전에 의해 상기 디스크(30)의 원주 방향(예를 들어, X축 방향)으로 상기 이온빔이 스캐닝되고, 상기 스캐너가 상기 디스크(30)의 지름 방향으로 이동하면서 상기 디스크(30)의 지름 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 상기 이온빔이 스캐닝됨으로서 도전성 불순물로 이루어진 상기 이온빔이 상기 다수개의 웨이퍼(10) 전면에 입사될 수 있다. 상기 디스크(30)의 가장자리에 약 8개 내지 약 13개 정도의 웨이퍼(10)가 탑재될 수 있다. 예컨대, 상기 디스크(30)에 8개의 웨이퍼(10)가 탑재될 경우, 상기 디스크(30)의 중심을 기준으로 45°씩 나누어 상기 디스크(30)의 가장자리에 상기 웨이퍼(10)가 위치될 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 웨이퍼 안착대(40)는 상기 디스크(30)의 가장자리에서 상기 디스크(30)와 일체형으로 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 면이 소정 크기 이하의 마찰계수를 갖는 실리콘 고무재질로 형성된 패드(48)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 패드(48)를 포함하는 상기 웨이퍼 안착대(40)는 이온주입공정시 상기 웨이퍼(10)로 이온주입되는 도전성불순물의 전하(charge)를 흡수하여 접지시켜야 함으로 도전성을 갖는다. 이때, 상기 패드(48)는 상기 웨이퍼(10)와 동일 또는 유사한 면적을 갖도록 형성되어 있으며, 외부에서 인가되는 소정 크기의 전원전압이 도통될 수 있다. 상기 웨이퍼 안착대(40)에는 상기 로봇암(20)에 의해 이송된 상기 웨이퍼(10)를 상기 패드(48) 상에 수평으로 안착시키거나 부양시키는 복수개의 리프트 핀(62)이 삽입되는 복수개의 리프트 핀홀(62a)과, 상기 핑거(44) 또는 슬라이딩 펜스(46)를 이용하여 상기 패드(48) 상에 안착된 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)의 방향으로 기울려 밀착시키기 위해 상기 웨이퍼(10)의 일측을 편향되게 부양시키는 적어도 하나이상의 슬라이딩 핀(64)이 삽입되는 슬 라이딩 핀홀(64a)과, 상기 왑 센서(50)가 삽입되는 센서홀(50a) 등이 형성되어 있다. 이때, 상기 리프트 핀(62), 슬라이딩 핀(64), 및 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 하부에 형성된 리프트 몸체(60)에 형성되어 있다. 상기 리프트 몸체(60)는 상기 디스크(30) 상에 형성된 상기 웨이퍼 안착대(40)의 개수만큼 형성될 수도 있으나, 상기 로봇암(20)의 위치이동과 웨이퍼(10)의 순차적 이송 또는 반송의 제약이 따르기 때문에 상기 로봇암(20)에 인접하는 상기 디스크(30)의 하부에 단일 개체가 형성되어 있다. 이때, 상기 리프트 몸체(60)는 상기 리프트 핀(62), 슬라이딩 핀(64), 및 왑 센서(50)와, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 연결되는 풀 로드(pull rod)를 지지하는 핑거 액츄에이터(66)를 각각 독립적으로 리프팅시키도록 형성된 리프트 어셈블리(68)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 리프터 핀(62)은 이온주입공정을 수행하기 위해 상기 로봇암(20)에 의해 이송되는 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착시키거나, 상기 이온주입공정이 완료된 웨이퍼(10)를 반송시키기 위해 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 웨이퍼(10)를 부양시킨다. 또한, 상기 슬라이딩 핀(64)은 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착된 상기 웨이퍼(10)의 일측을 기울어지도록 상기 핑거(44)에 인접하는 웨이퍼(10)의 일측을 부양시킨다. 상기 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 중심에 형성된 센서홀(50a)을 관통하여 상기 웨이퍼(10)에 접촉되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48) 상에 안착되는 웨이퍼(10)의 존재 유무를 감지할 뿐만 아니라, 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되었는지를 감지토록 할 수 있다. 상기 왑 센서(50)에 대한 자세한 사항은 상 기 펜스(42)와 슬라이딩 펜스(46)의 설명 이후에 설명될 것이다.
상기 펜스(42)는 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 디스크(30)의 가장자리 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 지지하여 상기 디스크(30)의 회전에서 기인되는 원심력에 의해 상기 웨이퍼(10)가 상기 디스크(30)의 바깥쪽으로 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 펜스(42)는 상기 디스크(30) 가장자리에 인접하는 상기 웨이퍼 안착대(40)와 일체형으로 구성되어 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 감싸도록 형성되어 있으며, 복수개로 나누어져 형성될 수도 있다.
상기 핑거(44)는 상기 펜스(42)와 대향하는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에 형성되어 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 밀착시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 핑거(44)는 상기 웨이퍼(10)의 외주면 일측을 상기 펜스(42)에 밀착시키는 훅(hook) 또는 클램프(clamp) 모양을 갖도록 형성되어 있다. 상기 핑거(44)는 상기 리프트 어셈블리(68)에 형성된 핑거 액츄에이터(66)가 수직으로 이동되면 상기 핑거 액츄에이터(66)에 지지되어 회전되면서 수평방향으로 회전 동력을 상기 핑거(44)에 전달하는 풀 로드(pull rod, 45)에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에서 수평방향으로 이동됨으로서 도 4에서와 같이, 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시킬 수 있다. 여기서, 미설명 부호 '46a'는 상기 풀 로드(45)의 회전동력을 상기 핑거(44)에 전달하여 상기 핑거(44)가 수평방향으로 이동되도록 하는 풀 로드 연결부(45a)이다. 이때, 상기 핑거(44)는 상기 디스크(30)의 회전 시 소정 크기의 압착력으로 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시킨다.
또한, 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 로봇암(20)에 의해 이송되어 상기 웨 이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 정확한 위치에 안착되도록 형성되어 있다. 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 디스크(30) 가장자리에 인접하여 상기 웨이퍼 안착대(40) 일측의 주변에 형성된 펜스(42)에 대향되고, 상기 핑거(44)의 양쪽에서 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측의 주변 일부를 둘러싸도록 도 3에서와 같이, 형성되어 있다. 이때, 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 웨이퍼 안착대(40)보다 높게 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼 안착대(40)에 인접하는 안쪽이 바깥보다 낮은 소정 기울기 이상의 경사면을 갖고 상기 웨이퍼 안착대(40)에 로딩되는 웨이퍼(10)가 슬라이딩되어 상기 펜스(42)에 밀착되도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 형성된 상기 경사면은 상기 슬라이딩 펜스(46)에 걸쳐져 슬라이딩되는 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에서 슬라이딩되는 마찰계수와 서로 연관된 관계를 가질 수 있고, 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 로봇암(20)에 의해 상기 디스크(30)의 중심방향으로 약 2mm정도 과도하게 위치되어 상기 복수개의 리프트 핀(62)에 의해 하강되는 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)의 방향으로 슬라이딩시킬 수 있다.
따라서, 상기 웨이퍼 안착대(40)의 중심을 기준으로 마주보는 양쪽에 상기 펜스(42)와 상기 슬라이딩 펜스(46)가 상기 웨이퍼(10)의 지름과 동일 또는 유사한 크기의 간격을 갖도록 형성되어 있다. 즉, 상기 펜스(42)와 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 웨이퍼(10)의 원주에 해당되는 내경을 갖는 둥근 모양의 상기 웨이퍼 안착대(40)의 둘레를 따라 형성되어 상기 웨이퍼(10)의 크기를 정의함으로서 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 정확하게 둘러싸도록 형성되어 있다. 이때, 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 안쪽으로 소정 기울기의 경사면을 갖도록 형성되어 있기 때문에 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부에서 어느 정도의 유격을 갖고 상기 웨이퍼(10)가 로딩되더라도 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 상기 웨이퍼(10)가 접근하면서 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되도록 형성되어 있다. 또한, 상기 펜스(42)와 슬라이딩 펜스(46)는 상기 디스크(30)의 지름 방향에 걸쳐지도록 형성되어 있다.
상기 왑 센서(50)는 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었는지를 감지하는 밀착 유무 확인 센서로서, 상기 펜스(42)와 상기 슬라딩 펜스(42)에 의해 정의되는 크기를 갖는 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 접촉되는 것을 감지한다. 예컨대, 상기 왑 센서(50)는 비 접촉식 센서 또는 접촉식 센서로 이루어질 수 있다. 먼저, 비 접촉식 센서로서, 상기 웨이퍼(10)와 상기 패드(48)간에 정전용량을 계측하는 정전용량 센서로 이루어질 수 있다. 또한, 접촉식 센서로서, 상기 웨이퍼(10)의 하중에 의해 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)와 접촉되는 수평위치에 위치되는지를 감지하는 스위치 센서로 이루어 질 수도 있다. 여기서, 상기 정전용량 센서는 다음의 두가지 방법으로 상기 웨이퍼(10)와 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)가 서로 접촉되었는지를 감지할 수 있다. 먼저, 상기 정전용량 센서는 탐침이 상기 센서 홀을 관통하여 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)와 동일 또는 유사한 높이까지 삽입되고, 상기 웨이퍼(10)와 상기 탐침간의 거리에 따라 정전용량을 계측하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)와 접촉되었는지를 감지할 수 있다. 예컨대, 상기 정전용량의 센서의 탐침과, 상기 웨이퍼(10)간에 거리가 멀 경우, 상기 정전용량이 작게 계측될 수 있다. 반면, 상기 탐침과 상기 웨이퍼(10)간의 거리가 가까울 경우, 상기 정전용량이 크게 나온다. 따라서, 상기 제어부는 이들 정전용량의 수치차이를 판별하여 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)와 상기 웨이퍼(10)가 접촉되었는지를 판단하고, 상기 펜스(42)와 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었는지를 판별할 수 있다.
그리고, 상기 정전용량 센서는 상기 패드(48)에 소정 크기의 정전하를 인가하고, 탐침을 상기 웨이퍼(10)와 접지시켜 상기 패드(48)와 상기 웨이퍼(10)간에 유도되는 정전용량을 계측함으로서 상기 제어부로 하여금 상기 웨이퍼(10)와 상기 패드(48)가 접촉되었는지를 판별토록 할 수 있다. 예컨대, 상기 정전용량 센서가 계측할 수 없겠지만, 상기 웨이퍼(10)와 상기 패드(48)가 원거리에 이격되어 위치될 경우 정전용량이 작게 나온다. 또한, 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 기울어져 상기 웨이퍼(10)와 상기 패드(48)가 근거리에서 서로 이격되어 위치될 경우, 정전용량이 크게 나올 수 있다. 이때, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)와 접촉되지 않았고, 상기 펜스(42)에 밀착되지 않은 것으로 판단하여 이온주입 공정이 수행되지 못하도록 인터락 제어신호를 출력한다. 반면, 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 기울어지지 않고 수평으로 안착되고, 상기 웨이퍼(10)와 상기 패드(48)가 서로 접촉되어 있을 경우, 상기 정전용량 센서는 상기 웨이퍼(10)와 패드(48)가 서로 통전되어 정전용량이 존재하지 않는다. 따라서, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)에 접촉되어 상기 펜스(42)에 밀착된 것으로 판단하여 이후 이온주입 공정이 수행되도록 정상적인 제어신 호를 출력한다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리는 펜스(42)에서 웨이퍼(10)의 크기에 대응되는 간격을 갖도록 형성된 슬라이딩 펜스(46)와, 상기 슬라이딩 펜스(46)와 상기 펜스(42) 사이의 웨이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)와 상기 웨이퍼 안착대(40)의 접촉을 감지하는 왑 센서(50)와, 상기 왑 센서(50)에서 출력되는 감지신호를 이용하여 상기 웨이퍼(10)와 상기 웨이퍼 안착대(40)의 접촉 여부를 판별하여 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 바깥으로 이탈되어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)에 접촉되지 않아 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되지 않았을 경우, 상기 웨이퍼(10)의 이온주입공정을 더 이상 수행하지 못하도록 상기 디스크(30)의 회전을 정지시키는 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 종래에 웨이퍼 안착대(40)에서 펜스(42)에 밀착되지 않은 웨이퍼(10)가 디스크(30)의 회전에 의해 펜스(42)에 부딪혀 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법을 나타내는 플로우 챠트이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼(10) 로딩방법은, 로드락 챔버 내부에 위치된 웨이퍼 카세트(12)로부터 취출된 웨이퍼(10)가 로봇암(20)에 의해 웨이퍼 안착대(40)의 상부로 이송되면(S10), 웨이퍼 안착대(40)에 형성된 복수개의 리프트 핀홀(62a)을 관통하여 복수개의 리프트 핀(62)이 상승한다. 여기서, 상기 로봇암(20)은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부에서 상기 슬라이딩 펜스(46)의 방향으로 상기 웨이퍼(10)를 다소 편중되도록 위치시킨다. 예컨대, 상기 로봇암(20)은 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 웨이퍼(10)가 상기 슬라이딩 펜스(46)의 방향으로 약 2mm정도 편중되어 위치되도록 상기 웨이퍼(10)를 이송시킨다. 이후, 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 수직으로 상승하여 상기 웨이퍼(10)를 지지토록 할 수 있다. 이때, 상기 복수개의 리프트 핀(62)은 상기 웨이퍼 안착대(40) 상부에 위치되는 상기 웨이퍼(10)를 수평으로 지지하여 로딩할 수 있다(S20). 또한, 상기 복수개의 리프트 핀(62)에 의해 상기 웨이퍼(10)가 지지되면, 상기 로봇암(20)은 또 다른 웨이퍼(10)를 반송시키기 위해 상기 웨이퍼 카세트(12)의 방향으로 이송된다. 예컨대, 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 3개로 구성되면, 상기 로봇암(20)은 상기 3개의 리프트 핀(62)의 무게 중심이 상기 웨이퍼(10)의 중심과 일치되도록 상기 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부에 위치시킨다. 이때, 상기 로봇암(20)에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부로 위치되는 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)와 상기 슬라이딩 펜스(46)보다는 높게 로딩된다.
다음, 상기 로봇암(20)에서 상기 복수개의 리프트 핀(62)으로 상기 웨이퍼(10)가 로딩되면 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 하강된다(S30). 여기서, 상기 복 수개의 리프트 핀(62)은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 상기 웨이퍼(10)를 안착시킨다. 예컨대, 상기 복수개의 리프트 핀(62)은 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)에 충격없이 안정적으로 안착되도록 소정의 속도를 갖고 하강된다. 따라서, 로봇암(20)과 상기 리프트 핀(62)의 일련 동작에 의해 상기 다수개의 웨이퍼(10)가 상기 카세트에서 상기 디스크(30)의 다수개의 웨이퍼 안착대(40)로 로딩될 수 있다. 그리고, 상기 디스크(30)의 다수개의 웨이퍼 안착대(40)에 로딩된 다수개의 웨이퍼(10)의 이온주입공정이 완료되면, 상기 로봇암(20) 및 리프트 핀(62)은 역순으로 상기 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 카세트(12)에 재 탑재시킨다.
그 다음, 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 하강되면서, 상기 웨이퍼(10)가 상기 슬라이딩 펜스(46)의 경사면에서 슬라이딩되어 펜스(42)에 밀착된다(S40). 여기서, 복수개의 리프트 핀(62)에 의해 하강되는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 일측이 먼저, 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)보다 높은 상기 슬라이딩 펜스(46)에 걸쳐지고, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 걸쳐진 부분에 대응되는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 타측은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 닿게된다. 상기 웨이퍼(10)는 상기 슬라이딩 펜스(46)에 형성된 경사면을 따라 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 밀려들어갈 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(10)는 자체의 중력에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 밀려들어간다. 즉, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 형성된 경사면의 기울기와, 상기 웨이퍼(10)의 모서리와 접촉되는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상기 패드(48)가 갖는 마찰계수에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 밀려들어가는 정도가 결정될 수 있다. 예컨대, 상기 경사면의 기울기가 급하다면 상기 웨이퍼 (10)는 상기 슬라이딩 펜스(46)에서 슬라이딩이 용이하여 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 쉽게 밀려들어갈 수 있다. 반면, 상기 경사면의 기울기가 완만하다면, 상기 웨이퍼(10)는 상기 슬라이딩 펜스(46)에 걸쳐져 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 밀려들어가지 않을 수도 있다.
또한, 상기 슬라이딩 펜스(46)에서 슬라이딩되는 웨이퍼(10)의 일측에 대향되는 상기 웨이퍼(10)의 타측은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에서 수평방향으로 슬라이딩된다. 상기 웨이퍼(10)는 상기 슬라이딩 펜스(46)의 경사면을 따라 슬라이딩되는 수평거리만큼에 해당되는 거리를 상기 패드(48)상에서 슬라이딩되어야 한다. 이때, 상기 패드(48)상에서 접촉되는 웨이퍼(10)의 모서리의 면적이 점 접촉이라 가정할 경우, 상기 웨이퍼(10)의 모서리가 닿는 상기 패드(48)의 표면상태에서 나타나는 마찰계수에 의해 상기 웨이퍼(10)가 패드(48) 상에서 슬라이딩되는 정도가 결정된다. 예컨대, 상기 패드(48)의 표면상태가 평탄하여 상기 마찰계수가 작을 경우, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 밀려들어 상기 펜스(42)에 쉽게 밀착될 수 있다. 반면, 상기 패드(48)의 표면상태가 거칠어 상기 마찰계수가 높을 경우, 상기 웨이퍼(10)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 쉽게 밀려들지 못하여 상기 펜스(42)에 밀착되지 않을 수도 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법은 웨이퍼 안착대(40)의 일측에 형성된 펜스(42)에 대향되는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에서 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 내부로 쉽게 슬라이딩되는 급한 경사면을 갖는 슬라이딩 펜스(46)와, 상 기 슬라이딩 펜스(46)에서 슬라이딩되는 웨이퍼(10)의 일측 모서리와 대향되어 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 슬라이딩되는 상기 웨이퍼(10)의 타측 모서리가 슬라이딩되도록 마찰계수가 낮은 패드(48)를 이용하여 상기 웨이퍼 안착대(40)에 상기 웨이퍼(10)를 안착시키고, 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)를 밀착시킬 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 펜스(42)와 상기 슬라이딩 펜스(46)사이에서 상기 웨이퍼 안착대(40)의 중심을 지나는 직선거리는 상기 웨이퍼(10)의 지름과 동일 또는 유사하다.
그리고, 핑거(44)가 상기 펜스(42)의 방향으로 상기 웨이퍼(10)를 재차 밀착시킨다(S50). 여기서, 상기 핑거(44)는 상기 펜스(42)에 소정 크기의 압착력으로 상기 웨이퍼(10)를 밀착시켜 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 핑거(44)는 상기 웨이퍼(10)와 웨이퍼 안착대(40)를 소정의 결합력으로 결합시켜 상기 디스크(30)의 회전 시 상기 웨이퍼(10)가 이탈되지 않도록 할 수 있다.
그 후, 왑 센서(50)가 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 평탄하게 안착되었는지를 감지함으로서, 상기 웨이퍼(10)와 펜스(42)가 밀착되었는지를 감지할 수 있다(S60). 여기서, 상기 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼(10)와 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)사이 간격을 감지하여 상기 제어부에 출력한다. 예컨대, 상기 웨이퍼(10)가 상기 슬라이딩 펜스(46)에 걸쳐 있을 경우, 상기 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)와 상기 웨이퍼(10) 간의 이격된 거리가 크다는 것을 감지할 수 있고, 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)에 정상적으로 안착되어 있을 경우, 상기 왑 센서(50)는 상기 웨이퍼 안착 대(40)의 패드(48)와 상기 웨이퍼(10)간의 이격된 거리가 아주 작거나 존재하지 않는다는 것을 감지할 수 있다.
따라서, 상기 제어부는 상기 왑 센서(50)에서 출력된 거리 감지신호를 이용하여 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)와 상기 웨이퍼(10)간의 거리를 판단하고, 상기 웨이퍼 안착대(40)의 일측에 형성된 펜스(42)와 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었는지를 판단할 수 있다(S70).
다음, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착된 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼(10)의 로딩이 정상적으로 완료된 것으로 판단하고, 후속에서 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)에 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정을 수행토록 하거나, 이후 이온주입공정이 정상적으로 수행될 수 있도록 제어신호를 출력한다(S80). 여기서, 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정은 상기 디스크(30)가 일방향으로 회전되어 상기 웨이퍼(10)가 로딩되지 않은 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)가 상기 로봇암(20)에 인접하도록 위치됨으로서 이루어질 수 있다. 이때, 상기 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정은 이송, 안착, 밀착, 및 밀착 유무 확인이 순차적으로 이루어진다.
반면, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 않은 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼(10)의 로딩이 비정상적으로 완료된 것으로 판단하고, 후속에서 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)에 또다른 웨이퍼(10) 로딩 공정이 수행되지 못하도록 하거나, 이후 이온주입공정이 정상적으로 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력한다(S90). 도시되지는 않았 지만, 상기 제어부는 작업자가 상기 웨이퍼(10)의 로딩공정에 불량이 발생됨을 확인토록 하기 위해 상기 인터락 제어신호가 출력되면 표시장치(indicator)에 상기 웨이퍼(10)의 로딩공정 불량을 경고 또는 표시토록 하는 제어신호를 출력할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법은 웨이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)를 펜스(42)에 밀착시키고, 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었는지를 판단토록 하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 바깥으로 이탈되어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)에 접촉되지 않아 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되지 않았을 경우, 상기 제어부가 상기 웨이퍼(10)의 이온주입공정을 더 이상 수행하지 못하도록 상기 디스크(30)의 회전을 정지시키는 인터락 제어신호를 출력함으로서 종래에 웨이퍼 안착대(40)에서 펜스(42)에 밀착되지 않은 웨이퍼(10)가 디스크(30)의 회전에 의해 펜스(42)에 부딪혀 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 디스크(30) 어셈블리를 포함하는 이온주입설비를 부분적으로 나타낸 평면도이고, 도 7은 도 6의 디스크(30)를 개략적으로 나타낸 측면도이고, 도 8 및 도 9는 도 7의 웨이퍼 안착대(40)를 나타낸 사시도 및 단면도이다. 여기서, 본 발명의 제 2 실시예에서 설명된 요부의 명칭이 본 발명 의 제 1 실시예에서 설명된 요부의 명칭과 동일 또는 유사할 경우 상기 요부의 부호를 동일하게 나타낸다.
도 6 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리는 회전 및 이완 동작되는 로봇암(20)에 의해 이송되는 적어도 하나 이상의 웨이퍼(10)를 일방향으로 회전시키도록 형성된 회전되는 디스크(30)와, 상기 디스크(30)의 가장자리에서 상기 웨이퍼(10)를 안착시키도록 형성된 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대(40)와, 상기 디스크(30)의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼(10)의 외주면을 지지하여 상기 디스크(30)의 회전으로부터 상기 웨이퍼(10)가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대(40)의 일측에 형성된 펜스(42)와, 상기 펜스(42)에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시키도록 형성된 핑거(44)와, 상기 핑거(44)에 의해 상기 펜스(42)에 밀착되는지를 감지하기 위해 상기 펜스(42)에 형성된 적어도 하나이상의 밀착 유무 확인 센서(52)를 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)에서 감지된 웨이퍼(10) 밀착 유무 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되었는지를 판단하고, 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 밀착되지 않았다고 판단될 경우, 상기 디스크(30)를 회전시켜 이온주입공정이 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 디스크(30)는 상기 로봇암(20)에 의해 이송되는 웨이퍼(10)를 수평으로 상기 웨이퍼 안착대(40)에 탑재시키고, 상기 이온주입설비의 스캐너에서 수평으로 입사되는 이온빔이 상기 웨이퍼(10)에 이온 주입되도록 하기 위해 수직으로 이동되는 프레임(32)에 지지된다. 도시되지는 않았지만, 상기 디스크(30)는 상기 프레임(32) 내부를 관통하여 외부에서 모터와 같은 회전체의 회전 동력을 상기 디스크(30)의 중심축에 전달하는 스핀들과 기어를 포함하여 이루어진 회전 동력 전달부가 형성되어 있다. 예컨대, 상기 디스크(30)는 약 1200rpm 내지 2000rpm정도로 고속으로 회전된다. 이때, 상기 다수개의 웨이퍼(10)는 상기 디스크(30)의 고속 회전에 의해 상기 디스크(30)의 원주 방향(예를 들어, X축 방향)으로 상기 이온빔이 스캐닝되고, 상기 스캐너가 상기 디스크(30)의 지름 방향으로 이동하면서 상기 디스크(30)의 지름 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 상기 이온빔이 스캐닝됨으로서 도전성 불순물로 이루어진 상기 이온빔이 상기 다수개의 웨이퍼(10) 전면에 입사될 수 있다. 상기 디스크(30)의 가장자리에 약 8개 내지 약 13개 정도의 웨이퍼(10)가 탑재될 수 있다. 예컨대, 상기 디스크(30)에 8개의 웨이퍼(10)가 탑재될 경우, 상기 디스크(30)의 중심을 기준으로 45°씩 나누어 상기 디스크(30)의 가장자리에 상기 웨이퍼(10)가 위치될 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 웨이퍼 안착대(40)는 상기 디스크(30)의 가장자리에서 상기 디스크(30)와 일체형으로 형성되어 있으며, 상기 웨이퍼(10)를 지지하는 면이 소정 크기 이하의 마찰계수를 갖는 실리콘 고무재질로 형성된 패드(48)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 패드(48)를 포함하는 상기 웨이퍼 안착대(40)는 이온주입공정시 상기 웨이퍼(10)로 이온주입되는 도전성불순물의 전하(charge)를 흡수하여 접지시켜야 함으로 도전성을 갖는다. 이때, 상기 패드(48)는 상기 웨이퍼(10)와 동일 또는 유사한 면적을 갖도록 형성되어 있으며, 외부에서 인가되는 소정 크기의 전원전압이 도통될 수 있다. 상기 웨이퍼 안착대(40)에는 상기 로봇암(20)에 의해 이송된 상기 웨이퍼(10)를 상기 패드(48) 상에 수평으로 안착시키거나 부양시키는 복수개의 리프트 핀(62)이 삽입되는 복수개의 리프트 핀홀(62a)과, 상기 핑거(44)를 이용하여 상기 패드(48) 상에 안착된 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)의 방향으로 기울려 밀착시키기 위해 상기 웨이퍼(10)의 일측을 편향되게 부양시키는 적어도 하나이상의 슬라이딩 핀(64)이 삽입되는 슬라이딩 핀홀(64a) 등이 형성되어 있다. 이때, 상기 리프트 핀(62), 슬라이딩 핀(64)은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 하부에 형성된 리프트 몸체(60)에 형성되어 있다. 상기 리프트 몸체(60)는 상기 디스크(30) 상에 형성된 상기 웨이퍼 안착대(40)의 개수만큼 형성될 수도 있으나, 상기 로봇암(20)의 위치이동과 웨이퍼(10)의 순차적 이송 또는 반송의 제약이 따르기 때문에 상기 로봇암(20)에 인접하는 상기 디스크(30)의 하부에 단일 개체가 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 리프트 몸체(60)는 상기 리프트 핀(62), 슬라이딩 핀(64)과, 상기 슬라이딩 펜스(46)에 연결되는 풀 로드(pull rod)를 지지하는 핑거 액츄에이터(66)를 각각 독립적으로 리프팅시키도록 형성된 리프트 어셈블리(68)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 복수개의 리프터 핀(62)은 이온주입공정을 수행하기 위해 상기 로봇암(20)에 의해 이송되는 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착시키거나, 상기 이온주입공정이 완료된 웨이퍼(10)를 반송시키기 위해 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 웨이퍼(10)를 부양시킨다. 또한, 상기 슬라이딩 핀(64)은 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착된 상기 웨이 퍼(10)의 일측을 기울어지도록 상기 핑거(44)에 인접하는 웨이퍼(10)의 일측을 부양시킨다.
상기 펜스(42)는 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 디스크(30)의 가장자리 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 지지하여 상기 디스크(30)의 회전에서 기인되는 원심력에 의해 상기 웨이퍼(10)가 상기 디스크(30)의 바깥쪽으로 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 상기 펜스(42)는 상기 디스크(30) 가장자리에 인접하는 상기 웨이퍼 안착대(40)와 일체형으로 구성되어 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 감싸도록 형성되어 있으며, 복수개로 나누어져 형성될 수도 있다. 상기 펜스(42)는 상기 핑거(44)와 상기 웨이퍼 안착대(40)의 중심을 잇는 직선의 연장선에 중심을 두고 양측으로 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 감싸도록 형성되어 있다. 이때, 상기 펜스(42)에는 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었는지를 감지하는 적어도 하나이상의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 형성될 수 있다. 상기 밀착 유무 확인 센서(52)에 대한 설명은 상기 핑거(44)에 대한 설명 이후 계속되어질 것이다.
상기 핑거(44)는 상기 펜스(42)와 대향하는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측에 형성되어 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)의 외주면을 밀착시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 핑거(44)는 상기 웨이퍼(10)의 외주면 일측을 상기 펜스(42)에 밀착시키는 훅(hook) 또는 클램프 모양을 갖도록 형성되어 있다. 상기 핑거(44)는 상기 리프트 어셈블리(68)에 형성된 핑거 액츄에이터(66)가 수직으로 이동되면 상기 핑거 액츄에이터(66)에 지지되어 회전되면서 수평방향으로 회전 동력을 상기 핑거(44)에 전달하는 풀 로드(pull rod, 45)에 의해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 타측 에서 수평방향으로 이동됨으로서 도 4에서와 같이, 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시킬 수 있다. 여기서, 미설명 부호 '46a'는 상기 풀 로드(45)의 회전동력을 상기 핑거(44)에 전달하여 상기 핑거(44)가 수평방향으로 이동되도록 하는 풀 로드 연결부(45a)이다. 예컨대, 상기 핑거(44)는 상기 로봇암(20)과 복수개의 리프트 핀(62)에 의해 상기 펜스(42)로부터 약 2mm정도 이격되도록 상기 웨이퍼 안착대(40)에 안착되는 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)로 밀착시킬 수 있다. 이때, 상기 핑거(44)는 상기 핑거 액츄에이터(66)가 분리되더라도 상기 풀 로드의 유격에 의해 상기 웨이퍼(10)를 소정의 압착력으로 상기 펜스(42)에 밀착시킨다. 또한, 상기 핑거(44)는 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)를 밀착시킬 뿐만 아니라, 상기 디스크(30)의 회전 시 상기 펜스(42)에 일측 가장자리가 지지되어 회전되는 웨이퍼(10) 가장자리의 타측을 상기 웨이퍼 안착대(40)에 소정의 흡착력으로 부착시킬 수 있다.
여기서, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)는 상기 핑거(44)에 의해 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되었는지를 감지할 수 있다. 예컨대, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 접촉되지를 감지하는 접촉식 센서를 포함하여 이루어진다. 상기 접촉식 센서는 상기 핑거(44)에 의해 상기 펜스(42)에 밀착되는 웨이퍼(10)가 마이크로 스위치나 리미트 스위치와 같이 레버를 건드릴 때 접점이 접촉되어 상기 펜스(42)와 상기 웨이퍼(10)가 접촉되었는지를 감지하는 스위치 센서로 이루어진다. 이때, 하나의 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 측벽(side)에 형성될 경우, 상기 핑거(44)와 상기 웨이퍼 안착대(40)를 지나는 직선의 연장선에 교차되는 상기 펜스(42)의 중심 부근에 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 형성될 수 있다. 또한, 두 개의 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 측벽에 형성될 경우, 상기 웨이퍼 안착대(40)의 중심을 잇는 직선의 연장선을 중심으로 상기 펜스(42)의 양측 측벽에 각각 하나의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 펜스(42)에 형성된 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52) 중 어느 하나에 선택적으로 상기 웨이퍼(10)가 접촉된 것으로 감지될 경우, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 정확하게 밀착되지 못한 것으로 판단하고, 상기 핑거(44)가 상기 웨이퍼(10)를 다시 펜스(42)로 밀착시키도록 하는 제어신호를 출력하거나, 상기 웨이퍼(10) 로딩공정의 불량으로부터 후속 이온주입공정이 더 이상 수행되지 못하도록 인터락 제어신호를 출력할 수 있다. 또한, 상기 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52)에 모두 상기 웨이퍼(10)가 접촉된 것으로 감지될 경우, 상기 제어부는 상기 핑거(44)에 의해 상기 펜스(42)에 밀착된 것으로 판단하여 상기 웨이퍼(10) 로딩공정이 완료되고 이후 이온주입공정이 수행되도록 정상적인 제어신호를 출력한다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리는 웨이퍼 안착대(40)의 일측에 형성된 펜스(42)에 웨이퍼(10)가 핑거(44)에 의해 밀착되는지를 감지하는 밀착 유무 확인 센서(52)와, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)에서 출력되는 웨이퍼(10) 밀착 감지신호를 이용하여 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)의 밀착 여부를 판별하여 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 바깥으로 이탈되 어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)에 접촉되지 않아 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되지 않았을 경우, 상기 웨이퍼(10)의 이온주입공정을 더 이상 수행하지 못하도록 상기 디스크(30)의 회전을 정지시키는 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 종래에 웨이퍼 안착대(40)에서 펜스(42)에 밀착되지 않은 웨이퍼(10)가 디스크(30)의 회전에 의해 펜스(42)에 부딪혀 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법을 설명하면 다음과 같다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법을 나타내는 플로우 챠트이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼(10) 로딩방법은, 로드락 챔버 내부에 위치된 웨이퍼 카세트(12)로부터 취출된 웨이퍼(10)가 로봇암(20)에 의해 웨이퍼 안착대(40)의 상부로 이송되면(S100), 웨이퍼 안착대(40)에 형성된 복수개의 리프트 핀홀(62a)을 관통하여 복수개의 리프트 핀(62)이 상승한다. 여기서, 상기 로봇암(20)은 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부에서 상기 슬라이딩 펜스(46)의 방향으로 상기 웨이퍼(10)를 다소 편중되도록 위치시킨다. 예컨대, 상기 로봇암(20)은 상기 웨이퍼 안착대(40)에서 상기 웨이퍼(10)가 상기 슬라이딩 펜스(46)의 방향으로 약 2mm정도 편중되어 위치되도록 상기 웨이퍼(10)를 이송시킨다. 이후, 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 수직으로 상승하여 상기 웨이퍼(10)를 지지토록 할 수 있다. 이때, 상기 복수개의 리프트 핀(62)은 상기 웨이퍼 안착대(40) 상부에 위치되는 상기 웨이퍼(10)를 수평으로 지지하여 로딩시킬 수 있다(S200). 또한, 상기 복수개의 리프트 핀(62)에 의해 상기 웨이퍼(10)가 지지되면, 상기 로봇암(20)은 또 다른 웨이퍼(10)를 반송시키기 위해 상기 웨이퍼 카세트(12)의 방향으로 이송된다. 예컨대, 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 3개로 구성되면, 상기 로봇암(20)은 상기 3개의 리프트 핀(62)의 무게 중심이 상기 웨이퍼(10)의 중심과 일치되도록 상기 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상부에 위치시킨다.
다음, 상기 로봇암(20)에서 상기 복수개의 리프트 핀(62)으로 상기 웨이퍼(10)가 로딩되면 상기 복수개의 리프트 핀(62)이 하강되어 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상기 패드(48)에 상기 웨이퍼(10)가 안착된다(300). 예컨대, 상기 복수개의 리프트 핀(62)은 상기 웨이퍼(10)가 상기 패드(48)에 충격없이 안정적으로 안착되도록 소정의 속도를 갖고 하강된다. 따라서, 로봇암(20)과 상기 리프트 핀(62)의 일련 동작에 의해 상기 다수개의 웨이퍼(10)가 상기 카세트에서 상기 디스크(30)의 다수개의 웨이퍼 안착대(40)로 로딩될 수 있다. 그리고, 상기 디스크(30)의 다수개의 웨이퍼 안착대(40)에 로딩된 다수개의 웨이퍼(10)의 이온주입공정이 완료되면, 상기 로봇암(20) 및 리프트 핀(62)은 역순으로 상기 웨이퍼(10)를 상기 웨이퍼 카세트(12)에 재 탑재시킨다. 예컨대, 상기 웨이퍼 안착대(40)의 상기 패드(48) 상에 안착된 상기 웨이퍼(10)는 상기 핑거(44)의 방향으로 약 2mm정도 편중되어 안착된다. 따라서, 상기 웨이퍼(10)가 상기 핑거(44)에 의해 밀착되어야 하나 상기 패드 (48)의 마찰계수가 클 수 있기 때문에 상기 슬라이딩 핀(64)이 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48) 상에서 편중되는 방향으로 상기 웨이퍼(10)의 일측을 부양시킨다. 이때, 상기 펜스(42)에 인접하는 상기 웨이퍼(10)의 일측 모서리는 상기 패드(48) 상에서 지지되고, 상기 핑거(44)에 인접하는 상기 웨이퍼(10)의 타측 후면은 상기 슬라이딩 핀(64)에 의해 지지되어 상기 웨이퍼(10)가 소정의 기울기를 갖도록 위치될 수 있다.
다음, 핑거(44)가 상기 펜스(42)의 방향으로 상기 웨이퍼(10)를 밀착시킨다.(S400) 여기서, 상기 핑거(44)는 상기 펜스(42)에 소정 크기의 압착력으로 상기 웨이퍼(10)를 밀착시켜 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 핑거(44)는 상기 웨이퍼(10)와 웨이퍼 안착대(40)를 소정의 결합력으로 결합시켜 상기 디스크(30)의 회전 시 상기 웨이퍼(10)가 이탈되지 않도록 할 수 있다. 예컨대, 상기 핑거(44)는 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48) 상에서 상기 펜스(42)와 약 2mm정도 이격되어 위치되는 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 밀착시킨다. 이후, 상기 슬라이딩 펜스(46)는 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 밀착되면 상기 웨이퍼(10)가 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48) 상에서 수평하게 놓이게 되고, 상기 웨이퍼(10)의 전체 면이 상기 웨이퍼 안착대(40)의 패드(48)와 접촉될 수 있도록 하강된다.
그 후, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)는 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되어 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 서로 접촉되었는지를 감지한다(S500). 여기서, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)는 상기 펜스(42)의 측벽에서 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜서가 서로 접촉되었는지를 감지하여 상기 제어부에 웨이퍼 (10) 감지신호를 출력한다. 예컨대, 하나의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 중심 측벽에 형성되어 있을 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)의 중심에 밀착되는지를 감지할 수 있다. 또한, 복수개의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 중심 양측에 나누어져 형성되어 있을 경우, 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)의 중심 양쪽에 형성된 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52) 모두에 밀착되었는지를 감지할 수 있다. 이때, 상기 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52) 어느 하나에만 상기 웨이퍼(10)가 밀착되었음이 감지될 수도 있다.
따라서, 상기 제어부는 상기 밀착 유무 확인 센서(52)에서 출력된 밀착 감지신호를 이용하여 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 정상적으로 밀착되었음을 판단할 수 있다(S600). 예컨대, 하나의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 측벽에 형성되어 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)의 밀착 감지신호를 출력할 경우, 상기 제어부는 상기 밀착 유무 확인 센서(52)에서 출력되는 상기 밀착 감지신호를 이용하여 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 밀착되거나 밀착되지 않았는지를 판별할 수 있다. 또한, 복수개의 상기 밀착 유무 확인 센서(52)가 상기 펜스(42)의 양측 측벽에 형성되어 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)의 밀착 감지신호를 출력할 경우, 상기 제어부는 상기 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52) 모두에서 출력되는 밀착 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 정상적으로 밀착되었음을 판단할 수 있다. 이때, 상기 복수개의 밀착 유무 확인 센서(52) 어느 하나에서라도 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 접촉되지 않았다는 밀착 감지신호가 출력될 경우, 상기 제어부는 상기 핑거(44)에 의해 상기 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 정상적으로 밀착되지 못하였음을 판단할 수 있다.
다음, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착된 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼(10)의 로딩이 정상적으로 완료된 것으로 판단하고, 후속에서 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)에 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정을 수행토록 하거나, 이후 이온주입공정이 정상적으로 수행될 수 있도록 제어신호를 출력한다(S700). 여기서, 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정은 상기 디스크(30)가 일방향으로 회전되어 상기 웨이퍼(10)가 로딩되지 않은 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)가 상기 로봇암(20)에 인접하도록 위치됨으로서 이루어질 수 있다. 이때, 상기 또 다른 웨이퍼(10)의 이송공정은 이송, 안착, 밀착, 및 밀착 유무 확인이 순차적으로 이루어진다.
반면, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 않은 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼(10)의 로딩이 비정상적으로 완료된 것으로 판단하고, 후속에서 상기 디스크(30)의 복수개의 웨이퍼 안착대(40)에 또다른 웨이퍼(10) 로딩 공정이 수행되지 못하도록 하거나, 이후 이온주입공정이 정상적으로 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력한다(S800). 도시되지는 않았지만, 상기 제어부는 상기 핑거(44)가 상기 웨이퍼(10)를 상기 펜스(42)에 다시 밀착시킬 수 있도록 제어신호를 출력하고, 상기 밀착 유무 확인 센서(52)는 상기 핑거(44)에 의해 상기 펜스(42)에 재 밀착된 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)의 밀착 여부를 감지하여 상기 제어부에 출력하여 상기 제어부로 하여금 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)의 밀착 여부를 판단토록 할 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼(10) 와 상기 펜스(42)가 정상적으로 밀착되었을 경우, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(10)의 로딩공정이 정상적으로 완료되었음을 판단하고, 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩 공정을 수행토록 하거나, 후속의 이온주입공정이 수행될 수 있도록 제어신호를 출력한다. 반면, 상기 웨이퍼(10)와 상기 펜스(42)가 정상적으로 밀착되지 못하였을 경우, 상기 제어부는 또 다른 웨이퍼(10)의 로딩공정이 더 이상 수행되지 못하고, 후속의 이온주입공정이 수행되지 못하도록 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력한다.
또한, 상기 제어부는 작업자가 상기 웨이퍼(10)의 로딩공정에 불량이 발생됨을 확인토록 하기 위해 상기 인터락 제어신호가 출력되면 표시장치(indicator)에 상기 웨이퍼(10)의 로딩공정 불량을 경고 또는 표시토록 하는 제어신호를 출력할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리를 이용한 웨이퍼(10) 로딩방법은 핑거(44)에 의해 펜스(42)에 밀착되는 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되었는지를 판단토록 하여 상기 웨이퍼(10)가 상기 펜스(42)에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대(40)의 바깥으로 이탈되어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼(10)가 펜스(42)에 상기 웨이퍼(10)가 밀착되지 않았을 경우, 상기 제어부가 상기 웨이퍼(10)의 이온주입공정을 더 이상 수행하지 못하도록 상기 디스크(30)의 회전을 정지시키는 인터락 제어신호를 출력함으로서 종래에 웨이퍼 안착대(40)에서 펜스(42)에 밀착되지 않은 웨이퍼(10)가 디스크(30)의 회전에 의해 펜스(42)에 부딪혀 웨이퍼(10)가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 본 발명의 제 1 실시예에서 설명된 슬라이딩 펜스(46)가 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온주입설비의 디스크(30) 어셈블리에 채용되어 웨이퍼 안착대(40)의 상부에서 안착되는 웨이퍼(10)가 리프트 핀(62)이 하강될 때 펜스(42)에 밀착되도록 하여도 무방하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 펜스에서 웨이퍼의 크기에 대응되는 간격을 갖도록 형성된 슬라이딩 펜스와, 상기 슬라이딩 펜스와 상기 펜스 사이의 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼와 상기 웨이퍼 안착대의 접촉을 감지하는 왑 센서와, 상기 왑 센서에서 출력되는 감지신호를 이용하여 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 안착대의 접촉 여부를 판별하여 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 상기 웨이퍼가 상기 펜스에 밀착되지 못해 상기 웨이퍼 안착대의 바깥으로 이탈되어 유발되는 스티킹 에러를 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에 접촉되지 않아 펜스에 상기 웨이퍼가 밀착되지 않았을 경우, 상기 웨이퍼의 이온주입공정을 더 이상 수행하지 못하도록 상기 디스크의 회전을 정지시키는 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 구비하여 종래에 웨이퍼 안착대에서 펜스에 밀착되지 않은 웨이퍼가 디스크의 회전에 의해 펜스에 부딪혀 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (19)

  1. 일방향으로 회전되는 디스크;
    상기 디스크의 가장자리에서 웨이퍼를 안착시키는 적어도 하나이상의 웨이퍼 안착대;
    상기 디스크의 지름 방향에 수직하는 웨이퍼의 외주면을 지지하여 상기 디스크의 회전으로부터 상기 웨이퍼가 분리되지 않도록 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 적어도 하나이상의 펜스;
    상기 펜스에 대향하는 상기 웨이퍼 안착대의 타측에서 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 웨이퍼를 상기 펜스에 밀착시키도록 형성된 핑거;
    상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되는 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에 안착되는 것을 감지하도록 상기 웨이퍼 안착대 중심에 형성되거나, 상기 핑거에 의해 상기 펜스에 밀착되는 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 밀착되는 것을 직접적으로 감지하도록 상기 펜스의 측벽에 형성된 적어도 하나 이상의 센서; 및
    상기 센서에서 감지된 웨이퍼의 밀착 유무 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼가 상기 펜스에 밀착되었는지를 판단하고, 상기 웨이퍼와 상기 펜스가 밀착되지 않았다고 판단될 경우, 상기 디스크를 회전시켜 이온주입공정이 수행되지 못하도록 상기 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 안착대는 상기 디스크의 가장자리에서 상기 웨이퍼를 지지하는 면이 소정 크기 이하의 마찰계수를 갖는 실리콘 고무재질로 형성된 패드를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 안착대는 상부로 이송되는 상기 웨이퍼를 상기 패드 상에 수평으로 안착시키거나 부양시키는 복수개의 리프트 핀이 삽입되도록 형성된 복수개의 리프트 핀홀과, 상기 웨이퍼의 일측을 편향되게 부양시키는 적어도 하나이상의 슬라이딩 핀이 삽입되도록 형성된 슬라이딩 핀홀과, 상기 센서가 삽입되도록 형성된 센서홀을 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 핑거의 인접하는 양측에서 상기 웨이퍼의 타측 외주면이 슬라이딩되어 상기 웨이퍼의 일측이 상기 펜스에 밀착되도록 형성된 슬라이딩 펜스를 더 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 슬라이딩 펜스는 상기 펜스에 대향되고, 상기 핑거의 양쪽에서 상기 웨이퍼 안착대의 타측의 주변 일부를 둘러싸도록 형성함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 슬라이딩 펜스는 상기 웨이퍼 안착대에 인접하는 안쪽이 바깥보다 낮은 소정 기울기 이상의 경사면을 갖고 상기 웨이퍼 안착대에 로딩되는 웨이퍼가 슬라이딩되도록 형성함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 펜스와 상기 슬라이딩 펜스는 상기 웨이퍼의 원주에 해당되는 내경을 갖는 둥근 모양의 상기 웨이퍼 안착대의 둘레를 따라 형성함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 안착대의 패드간에 정전용량을 계측하는 정전용량 센서, 또는 상기 웨이퍼의 하중에 의해 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대의 패드와 접촉되는 수평위치에 위치되는지를 감지하는 스위치 센서를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 핑거와 상기 웨이퍼 안착대를 지나는 직선의 연장선에 교차되는 상기 펜스의 중심 부근에서 하나로 형성되거나, 상기 펜스의 중심 양측에 복수개가 형성됨을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서는 마이크로 스위치 또는 리미트 스위치로 이루어지는 스위치 센서를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리.
  13. 웨이퍼 안착대에 웨이퍼를 안착시키는 단계;
    상기 웨이퍼 안착대에 안착된 웨이퍼를 펜스로 밀착시키는 단계;
    상기 펜스에 밀착되는 웨이퍼가 상기 웨이퍼 안착대에서 소정의 간격을 갖고 수평으로 안착되거나, 상기 펜스에 밀착된 웨이퍼의 외주면이 상기 펜스에 직접적으로 접촉되는지를 감지하는 단계; 및
    상기 웨이퍼와 상기 펜스가 밀착되지 않았을 경우, 상기 웨이퍼의 이온주입공정이 수행되지 못하도록 이온주입설비에 인터락 제어신호를 출력하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 안착대에 안착시키는 단계는
    상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 상기 펜스에 대향하여 상기 웨이퍼 안착대의 타측에 형성된 슬라이딩 펜스에 상기 웨이퍼의 일측을 슬라이딩시켜 상기 펜스로 밀착시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 상기 펜스에 밀착시키는 단계는 상기 웨이퍼 안착대의 일측에 형성된 상기 펜스에 대항하여 상기 웨이퍼 안착대의 타측에 형성된 핑거가 상기 펜스의 방향으로 상기 웨이퍼를 재차 밀착하는 것을 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법.
  16. 삭제
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 인터락 제어신호가 출력되면 표시장치에 상기 웨이퍼의 로딩공정 불량을 경고 또는 표시토록 하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법.
  18. 삭제
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 펜스와 상기 웨이퍼가 밀착되지 않은 것으로 판단될 경우, 상기 웨이퍼를 상기 펜스에 다시 밀착시키고, 상기 펜스에 재 밀착된 상기 웨이퍼와 상기 펜스의 밀착 여부를 감지하고 판단하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 이온주입설비의 디스크 어셈블리를 이용한 웨이퍼 로딩방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842027B1 (ko) 2007-07-24 2008-06-27 세메스 주식회사 얼라인 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 정렬 방법
KR101796647B1 (ko) * 2016-05-03 2017-11-10 (주)에스티아이 기판처리장치 및 기판처리방법

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
EP2320454A1 (en) * 2009-11-05 2011-05-11 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Substrate holder and clipping device
FR2953643B1 (fr) * 2009-12-08 2012-07-27 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
US8508289B2 (en) * 2009-12-08 2013-08-13 Soitec Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer
FR2953641B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2953636B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de commande d'une cellule memoire dram sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
FR2957193B1 (fr) * 2010-03-03 2012-04-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2955195B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-09 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi
FR2955200B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree
FR2955204B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical
FR2955203B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-23 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree
FR2957186B1 (fr) * 2010-03-08 2012-09-28 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire de type sram
FR2957449B1 (fr) * 2010-03-11 2022-07-15 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Micro-amplificateur de lecture pour memoire
FR2958441B1 (fr) 2010-04-02 2012-07-13 Soitec Silicon On Insulator Circuit pseudo-inverseur sur seoi
EP2378549A1 (en) 2010-04-06 2011-10-19 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Method for manufacturing a semiconductor substrate
EP2381470B1 (en) 2010-04-22 2012-08-22 Soitec Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure
US8535445B2 (en) 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
US9371584B2 (en) * 2011-03-09 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber and method for centering a substrate therein
US9390968B2 (en) * 2011-09-29 2016-07-12 Intel Corporation Low temperature thin wafer backside vacuum process with backgrinding tape
EP3100298B1 (en) 2014-01-27 2020-07-15 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems
CN109285756B (zh) * 2018-10-12 2024-04-30 江苏晋誉达半导体股份有限公司 一种离子注入机的硅片放置驱动装置
JP7256712B2 (ja) * 2019-07-29 2023-04-12 株式会社アルバック イオン注入方法及びイオン注入装置
FR3135564B1 (fr) * 2022-05-11 2024-08-23 Soitec Silicon On Insulator Roue d’implantation pour former un plan de fragilisation dans une pluralité de plaquettes donneuses

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08315762A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Sony Corp イオン注入装置およびイオン注入方法
KR20000009555U (ko) * 1998-11-06 2000-06-05 김영환 반도체 이온 주입장비의 웨이퍼 자동 정렬장치
KR20010002639A (ko) * 1999-06-16 2001-01-15 윤종용 반도체 장치 제조용 이온 주입 장비의 디스크 사이트 어셈블리및 이를 이용한 웨이퍼의 리프팅 보정방법
KR20010057709A (ko) * 1999-12-23 2001-07-05 윤종용 이온 주입 공정용 웨이퍼의 로딩 상태 감지 장치
JP2003317655A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Nec Yamagata Ltd イオン注入装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
US4922106A (en) * 1986-04-09 1990-05-01 Varian Associates, Inc. Ion beam scanning method and apparatus
US5350427A (en) * 1993-06-14 1994-09-27 Varian Associates, Inc. Wafer retaining platen having peripheral clamp and wafer lifting means
US5977496A (en) * 1999-03-12 1999-11-02 Kelsy-Hayes Company Switch sensor with internal shear pin design
US6635880B1 (en) * 1999-10-05 2003-10-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
KR100344221B1 (ko) * 2000-09-22 2002-07-20 삼성전자 주식회사 웨이퍼 클램프 텐션 측정 장치
US20070039827A1 (en) * 2003-12-09 2007-02-22 Acm Reasearch, Inc. Measuring alignment between a wafer chuck and polishing/plating receptacle
US6987272B2 (en) * 2004-03-05 2006-01-17 Axcelis Technologies, Inc. Work piece transfer system for an ion beam implanter
US20060240651A1 (en) * 2005-04-26 2006-10-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for adjusting ion implant parameters for improved process control
US7499679B2 (en) * 2005-09-30 2009-03-03 James Yang Wireless network access point and sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08315762A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Sony Corp イオン注入装置およびイオン注入方法
KR20000009555U (ko) * 1998-11-06 2000-06-05 김영환 반도체 이온 주입장비의 웨이퍼 자동 정렬장치
KR20010002639A (ko) * 1999-06-16 2001-01-15 윤종용 반도체 장치 제조용 이온 주입 장비의 디스크 사이트 어셈블리및 이를 이용한 웨이퍼의 리프팅 보정방법
KR20010057709A (ko) * 1999-12-23 2001-07-05 윤종용 이온 주입 공정용 웨이퍼의 로딩 상태 감지 장치
JP2003317655A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Nec Yamagata Ltd イオン注入装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842027B1 (ko) 2007-07-24 2008-06-27 세메스 주식회사 얼라인 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 정렬 방법
KR101796647B1 (ko) * 2016-05-03 2017-11-10 (주)에스티아이 기판처리장치 및 기판처리방법

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Publication number Publication date
US20070158583A1 (en) 2007-07-12

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