JPS5942970B2 - 半導体熱処理用反応管 - Google Patents
半導体熱処理用反応管Info
- Publication number
- JPS5942970B2 JPS5942970B2 JP54036259A JP3625979A JPS5942970B2 JP S5942970 B2 JPS5942970 B2 JP S5942970B2 JP 54036259 A JP54036259 A JP 54036259A JP 3625979 A JP3625979 A JP 3625979A JP S5942970 B2 JPS5942970 B2 JP S5942970B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- heat treatment
- semiconductor heat
- tube
- temperature
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、反応管の端部に石英、ＳｉＣ、Ｓｉ金属な
どで形成される筒状封止体をとりつけた半導体熱処理用
反応管の改良に関するものである。
どで形成される筒状封止体をとりつけた半導体熱処理用
反応管の改良に関するものである。
従来、半導体熱処理用反応管の処理ガスロ側端部に、該
処理ガスの封止用キャップを設けたものは、該封止キャ
ップの内面が高温の処理ガスに接しているため、その外
表面から熱エネルギーが放出され、エネルギー損が大き
く、又該処理管と高温部との間の温度差から処理ガスの
対流が発生してキャップ側で冷された処理ガスが反応管
の奥の高温部との間に対流を起し反応管内部に局部的低
温部を発生させ、処理管の長手方向の温度の均等な範囲
の長さ即ち均熱長を減少させる問題があつた。この発明
の目的は上述の点を解決するものであつて、半導体熱処
理用反応管の内部に生ずる処理ガスの内部対流をなくし
て半導体の処理可能な均熱長を増大することである。
処理ガスの封止用キャップを設けたものは、該封止キャ
ップの内面が高温の処理ガスに接しているため、その外
表面から熱エネルギーが放出され、エネルギー損が大き
く、又該処理管と高温部との間の温度差から処理ガスの
対流が発生してキャップ側で冷された処理ガスが反応管
の奥の高温部との間に対流を起し反応管内部に局部的低
温部を発生させ、処理管の長手方向の温度の均等な範囲
の長さ即ち均熱長を減少させる問題があつた。この発明
の目的は上述の点を解決するものであつて、半導体熱処
理用反応管の内部に生ずる処理ガスの内部対流をなくし
て半導体の処理可能な均熱長を増大することである。
他の目的は、反応管露出部からの熱放散を減少させて消
費電力を減少することである。
費電力を減少することである。
更に他の目的は、反応管端部のすり合わせ部の温度を低
下させて、密封効果の大きいパッキン等を使用できるよ
うにすると共に反応管に処理ボートの出し入れの際ゴミ
がすり合わせ部につかないようにすることである。
下させて、密封効果の大きいパッキン等を使用できるよ
うにすると共に反応管に処理ボートの出し入れの際ゴミ
がすり合わせ部につかないようにすることである。
この発明を添付図面の実施例によつて説明すると、その
構成は、反応管２の処理ガスロ４側端部に、すり合わせ
部２ａおよび該すり合わせ部２ａに隣接する断面波形の
部分２ｂを設け、すり合わせ部１ａ筒状部Ｉｂ）底部Ｉ
ｃより成る封止筒１を上記反応管２に空隙ｇを持たせて
嵌入した半導体熱処理用反応管である。
構成は、反応管２の処理ガスロ４側端部に、すり合わせ
部２ａおよび該すり合わせ部２ａに隣接する断面波形の
部分２ｂを設け、すり合わせ部１ａ筒状部Ｉｂ）底部Ｉ
ｃより成る封止筒１を上記反応管２に空隙ｇを持たせて
嵌入した半導体熱処理用反応管である。
３はヒーター、６は断熱体である。
Ｉｈはキャップヘッド、２ｂは反応管２のすり合わせ部
２ａの近傍に設けた断面波形の筒状部でｌ ある。
２ａの近傍に設けた断面波形の筒状部でｌ ある。
本発明は上述の通りであり、ヒーター３によつて反応管
２の内部は所定の高温に保持され、図示しないが、ボー
ト上の例えばシリコンウェーハは、反応管内の均熱部に
おいて、上記所定の高温とな）つている。
２の内部は所定の高温に保持され、図示しないが、ボー
ト上の例えばシリコンウェーハは、反応管内の均熱部に
おいて、上記所定の高温とな）つている。
処理ガスは、処理ガスロ４を通過して矢印Ａｌの如く排
出される場合と、いわゆる気相成長（ＣＶＤ）処理の場
合は矢印Ａ２の如く上記処理ガスロから処理ガスを送入
する方がよい場合がある。
出される場合と、いわゆる気相成長（ＣＶＤ）処理の場
合は矢印Ａ２の如く上記処理ガスロから処理ガスを送入
する方がよい場合がある。
処理管２は第１図の場合、オスのテーパー、封止筒１の
端部はメスのテーパーで、そのテーパーは通常１／５〜
１／１０ですり合わせ加工によつて高温の処理管の気密
を保つ。ヒーター３の外側にせり出している反応管２の
部分と封止筒１の間の小空隙ｇ内の処理ガスは流動しに
くく流体粧抗の大きい断熱層が形成される。
端部はメスのテーパーで、そのテーパーは通常１／５〜
１／１０ですり合わせ加工によつて高温の処理管の気密
を保つ。ヒーター３の外側にせり出している反応管２の
部分と封止筒１の間の小空隙ｇ内の処理ガスは流動しに
くく流体粧抗の大きい断熱層が形成される。
前記すり合わせ部は内外面より冷却され、温度が室温に
近く低い。第１〜第３図の発明の実施例の特性は、第４
図の曲線Ａに示したようにその均熱長Ａｗは併載した従
来のキャップ使用のときの曲線Ｂの均熱長Ｂｗより広く
なつている。
近く低い。第１〜第３図の発明の実施例の特性は、第４
図の曲線Ａに示したようにその均熱長Ａｗは併載した従
来のキャップ使用のときの曲線Ｂの均熱長Ｂｗより広く
なつている。
更に述べれば、キャップおよび対流防止板５枚用いた場
合に、９５０プＣ±１℃において得た最高の均熱長６０
０ｍ７！ｌを上まわる均熱長を本発明によつて得ている
。
合に、９５０プＣ±１℃において得た最高の均熱長６０
０ｍ７！ｌを上まわる均熱長を本発明によつて得ている
。
上記キャップおよび対流防止板を用いて、その均熱長中
途に現われる局部的低温部の発生を防ぐことは本発明に
おいては、封止筒によつて対流を起す空間をなくして防
ぐことに対応している。
途に現われる局部的低温部の発生を防ぐことは本発明に
おいては、封止筒によつて対流を起す空間をなくして防
ぐことに対応している。
即ち空隙ｇの内部および封止筒１内部の外気が流動しに
くいし、キャップヘッド１ｈはその長さがキャップ５の
寸法に比べて短かく、低温になり、熱損失少く、実験で
は消費電力３０％減であつた。又封止筒１はその形から
その保持およびアライニングが容易で、反応管への嵌入
が容易である。尚、すり合せ部に隣接する反応管端部に
設けた断面波形の部分２ｂによつて処理ボートの出し入
れの際、ゴミがそこにおちこみ、すり合わせ部につかな
い。又、封止筒１の底１ｃは封止筒１の底の方に存在し
、封止筒内部の外気は例えば気体の塊となつていて流動
しにくいと言える。
くいし、キャップヘッド１ｈはその長さがキャップ５の
寸法に比べて短かく、低温になり、熱損失少く、実験で
は消費電力３０％減であつた。又封止筒１はその形から
その保持およびアライニングが容易で、反応管への嵌入
が容易である。尚、すり合せ部に隣接する反応管端部に
設けた断面波形の部分２ｂによつて処理ボートの出し入
れの際、ゴミがそこにおちこみ、すり合わせ部につかな
い。又、封止筒１の底１ｃは封止筒１の底の方に存在し
、封止筒内部の外気は例えば気体の塊となつていて流動
しにくいと言える。
本発明はすり合わせ部１ａ、筒状部１ｂ１底部１ｃより
成る封止筒１を反応管２の端部に嵌入したから、両者の
間の空隙ｇは小さくこの空隙内のガスは流動しにくいし
、封止筒１の内部の外気も流動しにくいから、封止筒か
ら熱エネルギーが運び去られることが少なく、反応管の
露出部から熱の放散を減少して消費電力を減少できる。
成る封止筒１を反応管２の端部に嵌入したから、両者の
間の空隙ｇは小さくこの空隙内のガスは流動しにくいし
、封止筒１の内部の外気も流動しにくいから、封止筒か
ら熱エネルギーが運び去られることが少なく、反応管の
露出部から熱の放散を減少して消費電力を減少できる。
封止筒によつて、対流を起す空間をなくして対流を防ぐ
と共に封止筒１の底部１ｃの反応管側内面は断面的に均
熱に近く反応管内方との間の温度差少なく、反応管２の
内方には内部対流が全く発生しないから局部的低温部が
発生せず、均熱長を増大させることができる。又反応管
端部のすり合わせ部が内外面より冷却され温度が低く、
いわゆるオスメスの温度差が少ないので、すり合せ部の
噛みつきを防止できるだけでなく、テフロン、耐熱ゴム
などのパッキンで気密性を補充することができる。
と共に封止筒１の底部１ｃの反応管側内面は断面的に均
熱に近く反応管内方との間の温度差少なく、反応管２の
内方には内部対流が全く発生しないから局部的低温部が
発生せず、均熱長を増大させることができる。又反応管
端部のすり合わせ部が内外面より冷却され温度が低く、
いわゆるオスメスの温度差が少ないので、すり合せ部の
噛みつきを防止できるだけでなく、テフロン、耐熱ゴム
などのパッキンで気密性を補充することができる。
更に、すり合わせ部に隣接する断面波形の部分を設けた
ので、処理ボートの出し入れの際ゴミがそこにおちこみ
、すり合わせ部につかない。
ので、処理ボートの出し入れの際ゴミがそこにおちこみ
、すり合わせ部につかない。
第１図は本発明の実施例の一部分の断面図、第２図〜第
３図は本発明の他の実施例の一部分の断面図、第４図は
本発明の実施例の特性図（従来例併載）である。 １・・・・・・封止筒、１ａ，２ａ・・・・・・すり合
わせ部、１ｂ・・・・・・筒状部、１ｃ・・・・・・底
部、２・・・・・・反応管、ｇ・・・・・・空隙部、４
・・・・・・処理ガスロ。
３図は本発明の他の実施例の一部分の断面図、第４図は
本発明の実施例の特性図（従来例併載）である。 １・・・・・・封止筒、１ａ，２ａ・・・・・・すり合
わせ部、１ｂ・・・・・・筒状部、１ｃ・・・・・・底
部、２・・・・・・反応管、ｇ・・・・・・空隙部、４
・・・・・・処理ガスロ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応管２の処理ガス口４側端部に、すり合わせ部２
ａおよび該すり合わせ部２ａに隣接する断面波形の部分
２ｂを設け、すり合わせ部１ａ、筒状部１ｂ、低部１ｃ
より成る封止筒１を、上記反応筒２に空隙ｇを持たせて
嵌入したことを特徴とする半導体熱処理用反応管。 ２ 前記すり合わせ部１ａ、２ａがテーパー面であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲１記載の半導体熱処理用
反応管。 ３ 前記すり合わせ部１ａ、２ａが、フラットフランジ
形面であることを特徴とする特許請求の範囲１記載の半
導体熱処理用反応管。 ４ 前記すり合わせ部１ａ、２ａがほぼ球面であること
を特徴とする特許請求の範囲１記載の半導体熱処理用反
応管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54036259A JPS5942970B2 (ja) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | 半導体熱処理用反応管 |
| US06/132,734 US4309961A (en) | 1979-03-29 | 1980-03-24 | Apparatus for thermal treatment of semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54036259A JPS5942970B2 (ja) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | 半導体熱処理用反応管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55128825A JPS55128825A (en) | 1980-10-06 |
| JPS5942970B2 true JPS5942970B2 (ja) | 1984-10-18 |
Family
ID=12464764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54036259A Expired JPS5942970B2 (ja) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | 半導体熱処理用反応管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4309961A (ja) |
| JP (1) | JPS5942970B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217925A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Tel Sagami Ltd | 熱処理炉 |
| JPH03241735A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体拡散炉用炉芯管 |
| US6902623B2 (en) * | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
| WO2014210178A1 (en) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | Veeco Instruments Inc. | Bellows-free retractable vacuum deposition sources |
| TWI654666B (zh) | 2014-01-27 | 2019-03-21 | Veeco Instruments, Inc. | 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL6700080A (ja) * | 1966-01-03 | 1967-07-04 | ||
| DE1521481B1 (de) * | 1965-10-22 | 1969-12-04 | Siemens Ag | Anordnung zur Waermebehandlung von scheibenfoermigen Halbleiterkoerpern |
| FR1597833A (ja) * | 1968-01-15 | 1970-06-29 | ||
| US3517643A (en) * | 1968-11-25 | 1970-06-30 | Sylvania Electric Prod | Vapor deposition apparatus including diffuser means |
| US3554162A (en) * | 1969-01-22 | 1971-01-12 | Motorola Inc | Diffusion tube |
| DE2009359C3 (de) * | 1970-02-27 | 1974-05-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Anordnung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in ein Halbleitermaterial |
| NL7003431A (ja) * | 1970-03-11 | 1971-09-14 | ||
| US3666546A (en) * | 1970-05-01 | 1972-05-30 | Cogar Corp | Ion-free insulating layers |
| US3701682A (en) * | 1970-07-02 | 1972-10-31 | Texas Instruments Inc | Thin film deposition system |
| US3805735A (en) * | 1970-07-27 | 1974-04-23 | Siemens Ag | Device for indiffusing dopants into semiconductor wafers |
| US4129090A (en) * | 1973-02-28 | 1978-12-12 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for diffusion into semiconductor wafers |
| JPS5242075A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-01 | Nippon Denso Co Ltd | Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment |
| US4235841A (en) * | 1979-02-21 | 1980-11-25 | Autoclave Engineers, Inc. | Double chambered high pressure furnace |
-
1979
- 1979-03-29 JP JP54036259A patent/JPS5942970B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-03-24 US US06/132,734 patent/US4309961A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55128825A (en) | 1980-10-06 |
| US4309961A (en) | 1982-01-12 |
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