JPS601827A - Cvd装置 - Google Patents

Cvd装置

Info

Publication number
JPS601827A
JPS601827A JP11032583A JP11032583A JPS601827A JP S601827 A JPS601827 A JP S601827A JP 11032583 A JP11032583 A JP 11032583A JP 11032583 A JP11032583 A JP 11032583A JP S601827 A JPS601827 A JP S601827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat transfer
heater
transfer plate
plate
unreacted gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11032583A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuji Matsuwaka
松若 敦二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP11032583A priority Critical patent/JPS601827A/ja
Publication of JPS601827A publication Critical patent/JPS601827A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はCVD装置に係り、特に排気系の構造に関する
ものである。
従来の炉芯管タイプのCVD装置は第1図に示すように
炉芯管lのまわシにヒーター2があり炉芯管1の端面が
O−リング3でシールされ排気管4とつながっている。
排気管4にはメイン・バルブ5、ブースター・ポンプ6
、油回転ポンプ7がある構造になっている。したがって
、ヒーター2で加熱された炉芯管1内に反応ガスを流し
メインバルブ5を開閉して、油回転ポンプ7ブースター
ポンプ6で真空引きする時、未反応ガスが炉芯管lより
排気の方へ多量に流れる。排気管4、メイン・バルブ5
などは通常常温であるため、未反応ガスの反応が高温時
のときとちがい留着性の悪い生成物がこれに付着する。
真空度の変化にともない、生成物が遊離してウェハー上
にパウダーとして付着したり、生成物によりメインバル
ブ5が完全にしまりきらない、ブースター・ポンプ6、
油回転ポンプ7の寿命低下するなどの問題を引き起こし
ていた。
本発明はこれらの欠点を除去するため炉芯管とメイン・
バルブとの間に加熱型トラップを設は未反応ガスの反応
が炉芯管内と同じ状態でおこなわれるようにし密着性の
よい生成物として、トラップ出来るようにしたものであ
る。
以下図面について説明する。第2図は本発明の実施例で
あって、9は加熱型トラップ、IOはヒーター、11は
伝熱板、12は伝熱板11と接触している放熱板である
。第3図(al 、 (blは各々放熱板12の形状例
であって第3図(alのものは伝熱板11より出された
足により中央に放熱板を設けたもの、第3図(blは伝
熱板11の内面に接触するフィルターを放熱板として設
けたものである。
このような構造になっているので、ヒーター10で加熱
された伝熱板11の熱は放熱板12に伝わシ、未反応ガ
スが9の加熱型トラップに入ると。
放熱板12にぶつかりここで炉芯管l内と同じ反応をす
げやく起し、密着性の良い生成物として、未反応ガスを
トラップすることが出来るものであるO 以上説明したように本発明の加熱型トラップを使用する
ことにより、ウェハーに付着するパーティクルが少なく
なり、メイン・バルブ、ブースター・ポンプ油回転ポン
プの寿命を伸ばすことが出来、装置の稼動率、ウェハー
の歩留を著しく向上させるものである。
なお、本実施例は炉芯管タイプのCVD装置の場合であ
るが常圧式、減圧式等のCVD装置においても同様の効
果が得られることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の炉芯管タイプのCVD装置の一部を示す
断面図、第2図は本発明の実施例のCVD装置の一部を
示す断面図、第3図(al 、 (blは各々本発明の
放熱板の形状を示す図である。 尚、図において、l・・・・・・炉芯管、2.10・・
・・・・ヒーター、3・・・・・・0−リング、4・・
・・・・排気管、5・・・・・・メイン・バルブ、6・
・・・・・ブースター・ポンプ、7・・・・・・油回転
ポンプ、8・・・・・・未反応ガスの密接性の悪い生成
物、9・・・・・・加熱型トラップ、11・・・・・・
伝熱板、12・・・・・・放熱板、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ヒーターの回りに伝熱板と該伝熱板に接触する放熱板と
    をもうけた加熱型トラップを有することを特徴とするC
    VD装置。
JP11032583A 1983-06-20 1983-06-20 Cvd装置 Pending JPS601827A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11032583A JPS601827A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 Cvd装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11032583A JPS601827A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 Cvd装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS601827A true JPS601827A (ja) 1985-01-08

Family

ID=14532861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11032583A Pending JPS601827A (ja) 1983-06-20 1983-06-20 Cvd装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS601827A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6453412A (en) * 1987-08-24 1989-03-01 Toshiba Corp Unreacted gas treatment device
JPH01292812A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 気相成長装置
US5819683A (en) * 1995-05-02 1998-10-13 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
US5928428A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US7455720B2 (en) 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
US8679287B2 (en) * 2005-05-23 2014-03-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6453412A (en) * 1987-08-24 1989-03-01 Toshiba Corp Unreacted gas treatment device
JPH01292812A (ja) * 1988-05-20 1989-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 気相成長装置
US5819683A (en) * 1995-05-02 1998-10-13 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
US5928428A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US7455720B2 (en) 2005-02-16 2008-11-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems
US8679287B2 (en) * 2005-05-23 2014-03-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4539933A (en) Chemical vapor deposition apparatus
JPH0254430B2 (ja)
CN101961628B (zh) 一种中小型绝热反应器
US6748969B2 (en) Poppet valve with heater
JPS601827A (ja) Cvd装置
US20020100417A1 (en) Heating-type trap device and film-deposition apparatus
US20030015142A1 (en) Apparatus for fabricating a semiconductor device
US4620490A (en) Door seal
JP2000252273A (ja) 半導体製造装置
JPS6230329A (ja) ドライエツチング装置
GB2105829A (en) Door seal
JPH0465146B2 (ja)
JPS61289623A (ja) 気相反応装置
EP0666972A1 (en) Gas heater for processing gases
JP2686465B2 (ja) 熱処理装置
JPH01183113A (ja) 気相成長装置
JP2641593B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH0126105Y2 (ja)
JPH11211383A (ja) 熱交換構造
JPS61224410A (ja) 減圧cvd薄膜形成装置
JP3717768B2 (ja) 半導体製造装置のガスクリーニング方法
CN103993294B (zh) 一种高温cvd工艺的压差改良方法
JPS6225256B2 (ja)
JP3959174B2 (ja) 半導体製造装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法、水冷トラップ装置
JPH04162712A (ja) 減圧cvd装置