CN102762582B - 包含二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属配合物及其在oled中的用途 - Google Patents

包含二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属配合物及其在oled中的用途 Download PDF

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Abstract

本发明涉及包含选自铱和铂的中心原子和二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属-卡宾配合物，包含这种配合物的有机发光二极管，包含至少一种这种金属-卡宾配合物的发光层，包含这种OLED的选自照明元件、固定视频显示装置和移动视频显示装置的器件，以及这种金属-卡宾配合物在OLED中例如作为发射体、基体材料、电荷传输材料和/或电荷或激子阻断剂的用途。

Description

包含二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属配合物及其在OLED中的用途
本发明涉及包含选自铱和铂的中心原子和二氮杂苯并咪唑卡宾配体的金属-卡宾配合物，包含这种配合物的OLED(有机发光二极管)，包含至少一种这种金属-卡宾配合物的发光层，包含这种OLED的器件，所述器件选自照明元件、固定视频显示装置和移动视频显示装置，这种金属-卡宾配合物在OLED中，例如作为发射体、基体材料、电荷传输材料和/或电荷或激子阻断剂的用途。
有机发光二极管(OLED)利用材料受电流激发时发光的性能。OLED作为阴极射线管和液晶显示器的替代品生产平面视频显示装置特别有意义。由于非常密实的设计和固有的低功耗，包含OLED的器件尤其适于移动应用，例如用于无线电话、膝上型电脑等中的应用。另外，白色OLED赋予与目前已知照明技术相比的大优点，尤其是特别高的效率。
现有技术提出大量受电流激发时发光的材料。
WO2005/019373公开了作为有机发光二极管(OLED)的发射体的具有卡宾配体的过渡金属配合物。这些过渡金属配合物的配体优选借助金属-卡宾键和借助金属原子与芳族基团之间的键连接。公开了大量借助卡宾键连接在金属原子上的杂环，但没有公开具有二氮杂苯并咪唑卡宾配体的配合物。
WO2006/056418A2公开了过渡金属-卡宾配合物在有机发光二极管中的用途。在相应的过渡金属配合物中，金属原子借助至少一个金属-卡宾键和借助金属原子与芳族基团之间的键键合在配体上。金属-卡宾键优选借助咪唑环，根据所引用的文件，芳族环也可稠合于所述咪唑环上。然而，没有公开具有二氮杂苯并咪唑卡宾配体的配合物。
WO2007/088093A1和WO2007/185981A1公开了包含借助金属-卡宾键连接的配体的过渡金属配合物。优选的所述卡宾配体为咪唑配体。这些还可具有稠合芳族六元环，其中1-4个存在于芳族六元环中的碳原子可被氮取代。所引用的文件没有公开氮在芳族六元环中的位置。
WO2007/115970A1同样公开了过渡金属-卡宾配合物，优选咪唑单元作为卡宾配体。芳族六元环同样可稠合于该咪唑单元上，其中1-4个碳原子可被氮原子取代。该文件也不包含关于氮原子位置的任何公开内容。
即使显示出在电磁谱的可见区，更特别地在蓝光区中电致发光的化合物是已知的，提供具有长二极管寿命的化合物是理想的。在本发明上下文中，电致发光应当理解意指电致荧光和电致磷光。
因此，本发明的目的是提供适于在电磁谱的可见区，更特别地在蓝光区中电致发光的替代铱和铂配合物，其能生产全色显示器和白色OLED。本发明的另一目的是提供相应的配合物，其可作为与主体化合物(基体材料)的混合物用作OLED中的发射层。本发明的另一目的是提供在二极管中具有高量子产率和高稳定性的相应配合物。该配合物应可用作OLED中的发射体、基体材料、电荷传输材料，尤其是空穴传输材料，或电荷阻断剂。
根据本发明，这些目的通过通式(I)的金属-卡宾配合物实现：
其中M、n、Y、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、K、L、m和o各自定义如下：
M为Ir或Pt，
n为选自1、2和3的整数，
Y为NR1、O、S或C(R10)2，
A2、A3、A4、A5各自独立地为N或C，其中两个A=氮原子，且至少一个碳原子存在于环中的两个氮原子之间，
R1为任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
R2、R3、R4、R5各自如果A2、A3、A4和/或A5为N，则为自由电子对，或如果A2、A3、A4和/或A5为C，则各自独立地为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，或
R3和R4与A3和A4一起形成任选被至少一个其它杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代的不饱和环，
R6、R7、R8、R9各自独立地为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，或
R6和R7、R7和R8或R8和R9与它们键合的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的不饱和或芳族的任选取代环，和/或
如果A5为C，则R5和R6一起形成任选包含杂原子、芳族单元、杂芳族单元和/或官能团且具有总计1-30个碳原子和/或杂原子的饱和或不饱和的线性或支化桥，其上任选稠合包含碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的5-8元环，
R10独立地为任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
K为不带电单齿或二齿配体，
L为单-或双阴离子配体，优选单阴离子配体，其可以为单齿或二齿的，
m为0、1或2，其中当m为2时，K配体可以相同或不同，
o为0、1或2，其中当o为2时，L配体可以相同或不同。
根据本发明，当m和o各自为0时，存在通式(I)的均配金属-卡宾配合物。根据本发明，当m和o为1或2时，存在通式(I)的杂配金属-卡宾配合物。
除非另外指出，在本发明上下文中，术语芳基、单元或基团，杂芳基、单元或基团，烷基、单元或基团和环烷基、单元或基团各自定义如下：
芳基、单元或基团应当理解意指具有具有6-30个碳原子，优选6-18个碳原子的基础骨架，且由芳环或多个稠合芳环形成的基团。合适的基础骨架例如为苯基、萘基、蒽基或菲基。该基础骨架可以为未被取代的，这意指所有可取代的碳原子带有氢原子，或可以在基础骨架的一个、多于一个或所有可取代位置上被取代。
合适的取代基例如为烷基，优选具有1-8个碳原子的烷基，更优选甲基、乙基、异丙基、叔丁基、新戊基，芳基，优选C6芳基，其又可以为被取代或未被取代的，杂芳基，优选包含至少一个氮原子的杂芳基，更优选吡啶基，链烯基，优选带有一个双键的链烯基，更优选具有一个双键和1-8个碳原子的链烯基，或具有给体或受体作用的基团。具有给体作用的基团应当理解意指具有+I和/或+M效果的基团，具有受体作用的基团应当理解意指具有-I和/或-M效果的基团。合适的具有给体或受体作用的基团为卤素，优选F、Cl、Br，更优选F，烷基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、烷氧基、芳氧基、羰基、酯基、胺基、酰胺基、CH2F基团、CHF2基团、CF3基团、CN基团、含硫基团或SCN基团。芳基最优选带有选自甲基、乙基、异丙基、正丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、新戊基、CF3、芳氧基、胺、含硫基团和烷氧基的取代基，或芳基为未被取代的。芳基或芳基基团优选为任选被至少一个上述取代基取代的C6芳基。C6芳基更优选具有0、1、2或3个上述取代基。
杂芳基或杂芳基单元或基团应理解为意指具有5-30个碳原子和/或杂原子的基团，其不同于上述芳基之处在于在芳基的基础骨架上至少一个碳原子被杂原子取代。优选的杂原子为N、O和S。最优选，芳基的基础骨架的一个或两个碳原子被杂原子取代。基础骨架尤其优选选自贫电子体系如吡啶基、嘧啶基、吡唑基和三唑基，和5元杂芳族化合物如吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、吡唑、三唑、唑和噻唑。基础骨架可在基础骨架的一个、大于一个或所有可取代位置上被取代。合适的取代基与关于芳基所描述的相同。
烷基或烷基基团应当理解为意指具有1-20个碳原子，优选1-10个碳原子，更优选1-8个碳原子的基团。该烷基可为支化或非支化的且可任选被一个或多个杂原子，优选N、O或S间隔。另外，该烷基可被一个或多个关于芳基所述的取代基取代。同样烷基可带有一个或多个芳基。所有上列芳基为合适的。特别优选选自甲基、乙基、异丙基、正丙基、异丁基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异戊基、正戊基、仲戊基、新戊基、正己基、异己基和仲己基的烷基。非常特别优选甲基、异丙基、叔丁基和新戊基。
环烷基或环烷基基团应当理解为意指具有3-20个碳原子，优选3-10个碳原子，更优选3-8个碳原子的环状基团。该环烷基可任选被一个或多个杂原子，优选N、O或S间隔。另外，该环烷基可为未被取代或被取代，即可被一个或多个关于芳基所述的取代基取代。环烷基同样可带有一个或多个芳基。所有上列芳基是合适的。
根据本发明，关于芳基、杂芳基、烷基和环烷基作出的陈述独立地适用于本申请中所提到的基团，尤其是基团R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14，其中如果A2、A3、A4和/或A5为N，则R2、R3、R4和R5为自由电子对，这意指这些环氮原子上不存在选自上述基团的取代基。如果A2、A3、A4和/或A5为C，则R2、R3、R4和R5各自独立地为氢和/或所述取代基。
通式(I)中的K为不带电单齿或二齿配体，且通式(I)中的L为单-或双阴离子配体，优选单阴离子配体，其可以为单齿或二齿的。
二齿配体应当理解意指在两个位置上与过渡金属原子M配位的配体。单齿配体应当理解意指在配体的一个位置上与过渡金属原子M配位的配体。
可以为单齿或二齿的合适单-或双阴离子配体L，优选单阴离子配体，为通常作为单齿或二齿单-或双阴离子配体使用的配体。
合适的单阴离子单齿配体例如为卤素，尤其是Cl-和Br-，拟卤化物，尤其是CN-、环戊二烯基(Cp-)，氰化物，借助键连接在过渡金属M上的烷基如CH3，借助键连接在过渡金属M上的烷芳基如苄基。
合适的单阴离子二齿配体例如为乙酰丙酮化物及其衍生物、吡啶甲酸盐、席夫碱、氨基酸、芳基吡啶如苯基吡啶，和WO02/15645所述其它二齿单阴离子配体、WO2006056418和EP1658343所述卡宾配体、芳基唑类如2-芳基咪唑，优选2-芳基咪唑和卡宾配体。
合适的二阴离子二齿配体例如为二醇盐、二碳酸盐、二羧酸盐、二酰胺、二酰亚胺、二硫醇盐、双环戊二烯基、双膦酸盐、双磺酸盐和3-苯基吡唑。
合适的不带电单齿或二齿配体K优选选自膦，单-和双膦；磷酸盐，单-和双膦酸盐，及其衍生物，砷酸盐，单-和双砷酸盐，及其衍生物；亚磷酸盐，单-和双亚磷酸盐；CO；吡啶，单-和双吡啶；腈、二腈、烯丙基、二亚胺、与M1形成π配合物的非共轭二烯和共轭二烯。特别优选的带电单齿或二齿配体K选自膦，单-和双膦，优选三烷基-、三芳基-或烷基芳基膦，更优选PAr3，其中Ar为取代或未取代芳基且PAr3中的三个芳基可以相同或不同，更优选PPh3、PEt3、PnBu3、PEt2Ph、PMe2Ph、PnBu2Ph；膦酸盐及其衍生物、砷酸盐及其衍生物、亚硫酸盐、CO；吡啶，单-和双吡啶，其中吡啶可被烷基或芳基取代；腈和与M1形成π配合物的二烯，优选η4-二苯基-1,3-丁二烯、η4-1,3-戊二烯、η4-1-苯基-1,3-戊二烯、η4-1,4-二苄基-1,3-丁二烯、η4-2,4-己二烯、η4-3-甲基-1,3-戊二烯、η4-1,4-二甲苯基-1,3-丁二烯、η4-1,4-双(三甲基甲硅烷基)-1,3-丁二烯和η2-或η4-环辛二烯(各自1,3和各自1,5)，更优选1,4-二苯基-1,3-丁二烯、1-苯基-1,3-戊二烯、2,4-己二烯、丁二烯、η2-环辛烯、η4-1,3-环辛二烯和η4-1,5-环辛二烯。非常特别优选的不带电单齿配体选自PPh3、P(OPh)3、AsPh3、CO、吡啶、腈及其衍生物。合适的不带电单-或二齿配体优选为1,4-二苯基-1,3-丁二烯、1-苯基-1,3-戊二烯、2,4-己二烯、η4-环辛二烯和η2-环辛二烯(各自1,3和各自1,5)。
在上述情况下，单阴离子配体L的数为0、1、2。当o>1时，L配体可以相同或不同，优选相同的。
不带电配体K的数m取决于借助卡宾配体和配体L已获得Ir(III)的配位数6还是Pt(II)的4。在使用Ir(III)的情况下，当n为3且使用三种单阴离子二齿卡宾配体时，在上述情况下m为0。在使用Pt(II)的情况下，当n为2且使用两种单阴离子二齿卡宾配体时，在这种情况下m同样为0。
在进一步优选的实施方案中，本发明涉及本发明金属-卡宾配合物，其中通式(I)中的L为通式(II)卡宾配体：
其中A6、A7各自独立地为C或N，
R11为任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
R12、R13各自独立地当A为N时，为自由电子对，或当A为C时，为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，
R14、R15、R16、R17各自独立地为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，或
R12和R13、R14和R15、R15和R16或R16和R17与A或它们键合的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的不饱和或芳族的任选取代环，和/或
如果A6为C，则R13和R14一起形成任选包含杂原子、芳族单元、杂芳族单元和/或官能团且具有总计1-30个碳原子和/或杂原子的饱和或不饱和的线性或支化桥，其上任选稠合包含碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的5-8元环。
在另一优选实施方案中，本发明涉及本发明金属-卡宾配合物，其中通式(I)中的L为通式(III)的杂环非卡宾配体：
其中通式IV配体中的符号各自定义如下：
D各自独立地为CR18或N，优选CR18，
W为C、N，优选C，
E各自独立地为CR19、N、NR20，优选CR19或N，
G为CR21、N、NR22、S、O，优选NR21，
R18、R19、R21各自独立地为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，
或每种情况下两个R18、R19和R21基团与它们键合的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的饱和、不饱和或芳族的任选取代环，
R20、R22各自独立地为任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子的环杂烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，具有给体或受体作用的基团，优选o,o’-二烷基化芳基，
其中实曲线为一个D基团与G基团之间的任选桥，其中桥可定义如下：
亚烷基、亚芳基、杂亚芳基、亚炔基、亚烯基、NR23、O、S、SiR24R25和(CR26R27)d，其中一个或多个不相邻(CR26R27)基团可被NR23、O、S、SiR24R25取代，其中：
d为2-10，
R24、R25、R26、R27各自为H、烷基、芳基、杂芳基、烯基、炔基。
对于其中每种情况下两个R18、R19和R21基团与它们键合的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的饱和、不饱和或芳族的任选取代环的实施方案，例如两个基团R18、两个基团R19或一个基团R19和一个基团R21形成相应环。
根据本发明非常特别优选的配体L描述如下：
进一步优选的配体L如下：
在优选实施方案中，通式(I)中的M、n、Y、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、K、L、n和o各自定义如下。
根据本发明，M为Ir或Pt，优选Ir。Ir以+3氧化态存在于本发明配合物中。Pt以+2氧化态存在于本发明配合物中。
n通常为1、2或3。如果M为Ir，则n优选为3。如果M为Pt，则n优选为1。
根据本发明，Y为NR1、O、S或C(R25)2，优选NR1。
根据本发明，A2、A3、A4和A5各自独立地为C或N，其中两个A=氮原子且至少一个碳原子存在于环中的两个氮原子之间。一般而言，一个或两个碳原子存在于两个氮原子之间。
根据本发明优选以下实施方案：
1.A2和A5各自为N，且A3和A4各自为C，即本发明金属-卡宾配合物在该优选实施方案中包含至少一个借助金属-卡宾键连接且具有通式(Ia)的吡嗪并咪唑单元：
2.A2和A4各自为N，且A3和A5各自为C，即本发明金属-卡宾配合物在该优选实施方案中包含至少一个借助金属-卡宾键连接且具有通式(Ib)的嘧啶并咪唑单元：
3.A3和A5各自为N，且A2和A4各自为C，即本发明金属-卡宾配合物在该优选实施方案中包含至少一个借助金属-卡宾键连接且具有通式(Ic)的嘧啶并咪唑单元：
在通式(Ia)、(Ib)和(Ic)中，应用与通式(I)中相同的定义。
在Y为NR1的优选情况下，优选实施方案中的R1为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基。
R1更优选为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、取代或未被取代的苯基、具有总计5或6个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基。
R1最优选选自苯基、甲苯基、基、噻吩基、呋喃基、吡啶基、甲基、异丙基和新戊基。
本发明因此尤其涉及本发明金属-卡宾配合物，其中如果R1选自苯基、甲苯基、基、噻吩基、呋喃基、吡啶基、甲基、异丙基和新戊基，则Y为NR1。
在优选实施方案中，R2、R3、R4、R5各自独立地为氢、具有1-20个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基或甲硅烷基。
在优选实施方案中，R2、R3、R4、R5各自如果A2、A3、A4和/或A5为N，则为自由电子对，或如果A2、A3、A4和/或A5为C，则各自独立地为氢，具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基或甲硅烷基，或
R3和R4与A3和A4一起形成任选被至少一个其它杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代、不饱和环。
根据本发明，不饱和环为单-、二-或多不饱和，优选单不饱和环。根据本发明，该定义不涵盖芳族环。更特别地，R3和R4与A3和A4一起不形成环。
R2更优选如果A2为N，则为自由电子对，或如果A2为C，则为氢。
R3更优选如果A3为N，则为自由电子对，或如果A3为C，则为氢或具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，或具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代、饱和、不饱和或芳族环，更优选支化烷基或o,o’-二烷基化苯环。
R4更优选如果A4为N，则为自由电子对，或如果A4为C，则为氢或具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，或具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代、饱和、不饱和或芳族环，更优选支化烷基或o,o’-二烷基化苯环。
R3和R4最优选与A3和A4一起，如果A3和A4各自为C，则形成具有总计5-18个碳原子的任选取代、不饱和环，但根据本发明排除A2和A5各自为N，则R3和R4与A3和A4一起形成苯环的情况。
R5更优选如果A5为N则为自由电子对，如果A5为C，则为氢。
在进一步优选的实施方案中，R6、R7、R8、R9各自独立地为氢或具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，或o,o’-二烷基化苯基，更优选氢。
在进一步优选的实施方案中，R6和R7或R7和R8或R8和R9与苯环，即与该基团连接的碳原子一起形成任选被至少一个杂原子间隔且具有总计5、6或7个碳原子和/或杂原子的任选取代环。两个具体基团更优选与苯环一起形成以下杂环：二苯并呋喃、二苯并噻吩、芴、吖啶满、呫吨、噻吨、吩嗪或吩嗪。
作为选择或者另外，R5和R6可一起形成任选包含杂原子、芳族单元、杂芳族单元和/或官能团且具有总计1-30个碳原子和/或杂原子的饱和或不饱和的线性或支化桥，其上任选稠合包含碳原子和/或杂原子的取代或未取代、5-8元，优选6元环。
根据本发明，如果R25存在的话，优选独立地为具有1-20个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未取代杂芳基，更优选线性烷基或取代或未取代苯基。
在特别优选的实施方案中，本发明涉及本发明金属-卡宾配合物，其中M、n、Y、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、L、m和o各自定义如下：
M为Ir，
n为1、2或3，
Y为NR1，
A2、A3、A4、A5各自独立地为N或C，其中两个A=氮原子，且至少一个碳原子存在于环中的两个氮原子之间，
R1为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
R2、R3、R4、R5各自如果A2、A3、A4和/或A5为N，则为自由电子对，或如果A2、A3、A4和/或A5为C，则各自独立地为氢、具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基、具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，或
R3和R4与A3和A4一起形成任选被至少一个其它杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代的不饱和环，
R6、R7、R8、R9各自独立地为氢，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子的取代或未被取代的芳基，任选被至少一个杂原子间隔、任选带有至少一个官能团且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
L为单阴离子二齿配体，
m为0，
o为0、1或2。
本发明更优选涉及本发明金属-卡宾配合物，其中M、n、Y、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、L、m和o各自定义如下：
M为Ir，
n为1、2或3，
Y为NR1，
A2、A3、A4、A5中A2和A5各自为N且A3和A4各自为C，或
A2和A4各自为N且A3和A5各自为C，或
A3和A5各自为N且A2和A4各自为C，
R1为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、取代或未被取代的苯基、具有总计6-18个碳原子和/或杂原子的取代或未被取代的杂芳基，
R2、R3、R4、R5各自如果A2、A3、A4和/或A5为N，则为自由电子对，或如果A2、A3、A4和/或A5为C，则各自独立地为氢，具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、取代，尤其是o,o’-二烷基化，或未被取代的苯基，或R3和R4与A3和A4一起形成具有总计5-7个碳原子的任选取代的单不饱和环，
R6、R7、R8、R9各自独立地为氢、具有1-20个碳原子的线性或支化烷基、具有6-30个碳原子的o,o’-二烷基化芳基，
L为单阴离子二齿配体，
m为0，
o为0、1或2。
相应地应用其它上述优选和特别优选的实施方案。
非常特别优选的本发明通式(I)金属-卡宾配合物显示如下：
本发明均配金属-卡宾配合物可以以面式或经式异构体的形式存在，优选面式异构体。
在杂配金属-卡宾配合物的情况下，可存在四种不同的异构体，优选假面式异构体。
另外，本发明还涉及通过使包含M的合适化合物与合适的配体或配体前体接触而制备本发明金属-卡宾配合物的方法。
在本发明方法的优选实施方案中，使包含合适金属M，即铱或铂，优选铱的合适化合物与合适的卡宾配体，优选为去质子化形式作为游离卡宾，或为保护卡宾的形式如作为银-卡宾配合物接触。合适的前体化合物包含应存在于通式(I)配合物中的合适取代基R1-R9和R25。
本发明因此更特别地涉及本发明方法，其中所用配体前体为相应的Ag-卡宾配合物。
在本发明方法的进一步优选实施方案中，所用配体前体为与合适含M化合物反应的有机化合物。卡宾可通过在升高的温度下和/或在降低的压力下和/或使用粘合消除的醇分子的分子筛除去挥发性物质，例如低级醇如甲醇、乙醇而从卡宾配体的前体中释放。该方法尤其在使用通式(XII)化合物的情况下进行。相应方法是本领域技术人员已知的。
本发明还涉及本发明方法，其中所用配体前体为通式(IV)化合物：
其中Y、A2、A3、A4、A5、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9各自如上文对式(I)化合物所定义，且R28定义如下：
R28独立地为SiR29R30R31、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，R29、R30、R31各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基。
芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基的定义为上述的。
在特别优选的实施方案中，R28为烷基，尤其是C1-C20烷基，优选C1-C10烷基，更优选C1-C8-烷基，例如甲基、乙基、丙基如正丙基、异丙基、丁基如正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基或辛基。
通式(IV)化合物中的R28最优选为甲基或乙基。
通式(IV)化合物一般可通过本领域已知的方法得到。在其中Y为NR1的根据本发明特别优选的情况下，相应通式(IV)化合物可通过通式(V)化合物：
与通式(VI)化合物反应而得到：
HC(OR28)3(VI)，
其中A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R28各自如以上关于通式(I)或(IV)已定义的。
该通式(IV)化合物的制备可在溶剂的存在或不存在下进行。合适的溶剂描述于下面。在优选实施方案中，通式(IV)化合物实际上制备，或通式(IV)化合物以过量加入使得它充当溶剂。
通式(V)和(VI)化合物为市售的，和/或可通过本领域技术人员已知的方法得到；例如通式(V)化合物可通过合适氯化物与合适的胺反应而得到。
通式(IV)化合物一般在10-150℃，优选40-120℃，更优选60-110℃的温度下制备。
反应时间一般为2-48小时，优选6-24小时，更优选8-16小时。
在反应结束以后，可将所需产物通过本领域技术人员已知的常规方法如过滤、再结晶、柱色谱等分离和提纯。
包含合适金属M，优选铱的合适化合物，尤其是配合物是本领域技术人员已知的。特别合适的包含铂或铱的化合物例如包含配体如卤化物，优选氯化物、1,5-环辛二烯(COD)、环辛烯(COE)、膦、氰化物、醇盐、拟卤化物和/或烷基。
特别优选的包含合适金属，尤其是铱的配合物选自[Ir(COD)Cl]2、[Ir(COE)2Cl]2IrCl3×H2O、Ir(acac)3、Ir(COD)2BF4、Ir(COD)2BARF(BARF=四[3,5-双(三氟甲基)苯基]硼酸盐))、Pt(COD)Cl2、Pt(acac)2、[Pt(C6H10)Cl2]2、K2PtCl6及其混合物。
可将卡宾配体优选在反应以前例如通过本领域技术人员已知的碱性化合物如碱性金属酸盐、碱性金属乙酸盐、乙酰丙酮酸盐或醇盐或碱如KOtBu、NaOtBu、LiOtBu、NaH、甲硅烷基酰胺、Ag2O和膦腈碱去质子化。特别优选用Ag2O去质子化以得到相应的Ag-卡宾，使其与包含M的化合物反应以得到本发明配合物。
使用通式(IV)化合物制备通式(I)配合物的本发明方法的优点是通式(IV)化合物是稳定的中间体，其可容易地处理并可在标准试验条件下分离。另外，通式(IV)化合物可溶于常规有机溶剂中，使得在均相溶液中制备本发明通式(I)配合物是可能的，使得可更容易地后处理所需产物，即通式(I)配合物，例如以分离和/或提纯。
接触优选在溶剂中进行。合适的溶剂本身是本领域技术人员已知的且优选选自芳族或脂族溶剂，例如苯、甲苯、二甲苯或均三甲基苯、环状或无环醚如二烷或THF、醇、酯、酰胺、酮、腈、卤代化合物及其混合物。特别优选的溶剂为甲苯、二甲苯、均三甲基苯或二烷。
所用金属-非卡宾配合物与所用卡宾配体前体的摩尔比一般为1:10-10:1，优选1:1-1:6，更优选1:2-1:5。
接触一般在20-200℃，优选50-150℃，更优选60-130℃的温度下进行。
反应时间取决于所需的卡宾配合物且一般为0.02-50小时，优选0.1-24小时，更优选1-12小时。
可任选将反应以后所得的通式(I)配合物通过本领域技术人员已知的方法如洗涤、结晶或色谱法提纯，并任选在同样本领域技术人员已知的条件下如以酸调控热或光化学地异构化。
上述金属-卡宾配合物及其混合物显著适用作有机发光二极管(OLED)中的发射体分子。配体的变化使得可提供在电磁谱的红光、绿光以及尤其是蓝光区中显示出电致发光的相应配合物。本发明通式(I)金属-卡宾配合物因此显著适用作发射体物质，因为它们具有在电磁谱的可见区中，例如400-800nm，优选400-600nm具有发射(电致发光)。本发明配合物使得可提供在电磁谱的红光、绿光以及蓝光区中具有电致发光的化合物。因此，借助本发明配合物作为发射体物质可提供工业上可用的OLED。
另外，本发明通式(I)金属-卡宾配合物适用作基体材料、电荷传输材料，尤其是空穴传输材料，和/或电荷阻断剂。
本发明通式(I)金属-卡宾配合物优选适用作发射体和/或空穴传输材料，更优选适用作发射体。
本发明通式(I)金属-卡宾配合物的特殊性能是当用于OLED中时特别好的效率和长寿命。
因此，本申请进一步提供包含至少一种本发明通式(I)金属-卡宾配合物的OLED。本发明通式(I)金属-卡宾配合物优选在OLED中用作发射体、基体材料、电荷传输材料，尤其是空穴传输材料，和/或空穴阻断剂，更优选用作发射体和/或空穴传输材料，特别优选用作发射体。
本申请还提供通式(I)金属-卡宾配合物在OLED中作为发光层，优选作为发射体、基体材料、电荷传输材料，尤其是空穴传输材料，和/或电荷阻断剂，更优选作为发射体和/或空穴传输材料，特别优选作为发射体的用途。
有机发光二极管原则上由多层组成，例如：
-阳极(1)
-空穴传输层(2)
-发光层(3)
-电子传输层(4)
-阴极(5)
然而，OLED也可不包含所有所述层；例如由层(1)(阳极)、(3)(发光层)和(5)(阴极)形成的OLED也是合适的，在这种情况下层(2)(空穴传输层)和(4)(电子传输层)的功能由相邻层承担。包含层(1)、(2)、(3)和(5)，或层(1)、(3)、(4)和(5)的OLED也是合适的。
通式(I)金属-卡宾配合物优选用作发光层(3)中的发射体分子和/或基体材料。本发明通式(I)金属-卡宾配合物也可—除用作发光层(3)中的发射体分子和/或基体材料外或代替用于发光层中—用作空穴传输层(2)或电子传输层(4)中的电荷传输材料和/或用作电荷阻断剂，其中优选用作空穴传输层(2)中的电荷传输材料(空穴传输材料)。
本申请因此进一步提供包含至少一种本发明通式(I)金属-卡宾配合物，优选作为发射体分子的发光层。优选的通式(I)金属-卡宾配合物在上文中已描述。
根据本发明使用的通式(I)金属-卡宾配合物可以以本体，即无其它添加而存在于发光层中。然而，也可除根据本发明使用的通式(I)金属-卡宾配合物外，其它化合物存在于发光层中。例如，可存在荧光染料以改变用作发射体分子的金属-卡宾配合物的发射颜色。另外，可使用稀释剂材料(基体材料)。该稀释剂材料可以为聚合物，例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而，稀释剂材料也可为小分子，例如4,4’-N,N’-二咔唑联苯(CDP)或叔芳族胺。当使用稀释剂材料时，用于发光层中的本发明通式(I)金属-卡宾配合物一般为小于40重量%，优选3-30重量%。本发明通式(I)金属-卡宾配合物优选用于基体中。发光层因此优选包含至少一种本发明通式(I)金属-卡宾配合物和至少一种基体材料。
合适的基体材料—除上述稀释材料外—原则上为下文描述为空穴和电子传输材料的材料以及碳配合物，例如式(I)卡宾配合物或WO2005/019373中提及的卡宾配合物。特别合适的有咔唑衍生物，例如4,4'-双(咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯(CDBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)，和以下申请所述的基体材料：WO2008/034758、WO2009/003919。
另外，二苯并呋喃适用作基体材料，例如US2007/0224446A1公开的二苯并呋喃，例如其中至少一个基团R1-R8为杂环基团的那些二苯并呋喃，例如化合物A-15，和WO2009/069442A1、WO2010/090077A1和JP2006/321750A公开的二苯并呋喃。
可以为小分子或小分子的(共)聚合物的其它合适基体材料描述于以下出版物中：
WO2007108459(H-1至H-37)，优选H-20至H-22和H-32至H-37，最优选H-20、H-32、H-36、H-37，WO2008035571A1(Host1至Host6)，JP2010135467(化合物1至46和Host-1至Host-39和Host-43)，WO2009008100，化合物No.1-No.67，优选No.3、No.4、No.7至No.12、No.55、No.59、No.63至No.67，更优选No.4、No.8至No.12、No.55、No.59、No.64、No.65和No.67，WO2009008099，化合物No.1至No.110，WO2008140114，化合物1-1至1-50，WO2008090912，化合物OC-7至OC-36和Mo-42至Mo-51的聚合物，JP2008084913，H-1至H-70，WO2007077810，化合物1-44、优选1、2、4-6、8、19-22、26、28-30、32、36、39-44，WO201001830，单体1-1至1-9，优选1-3、1-7和1-9的聚合物，WO2008029729，化合物1-1至1-36(的聚合物)，WO20100443342，HS-1至HS-101和BH-1至BH-17，优选BH-1至BH-17，JP2009182298，基于单体1-75的(共)聚合物，JP2009170764，JP2009135183，基于单体1-14的(共)聚合物，WO2009063757，优选基于单体1-1至1-26的(共)聚合物，WO2008146838，化合物a-1至a-43和1-1至1-46，JP2008207520，基于单体1-1至1-26的(共)聚合物，JP2008066569，基于单体1-1至1-16的(共)聚合物，WO2008029652，基于单体1-1至1-52的(共)聚合物，WO2007114244，基于单体1-1至1-18的(共)聚合物，JP2010040830，化合物HA-1至HA-20、HB-1至HB-16，HC-1至HC-23和基于单体HD-1至HD-12的(共)聚合物，JP2009021336，WO2010090077，化合物1-55，WO2010079678，化合物H1-H42，WO2010067746，WO2010044342，化合物HS-1至HS-101和Poly-1至Poly-4，JP2010114180，化合物PH-1至PH-36，US2009284138，化合物1-111和H1-H71，WO2008072596，化合物1-45，JP2010021336，化合物H-1至H-38，优选H-1，WO2010004877，化合物H-1至H-60，JP2009267255，化合物1-1至1-105，WO2009104488，化合物1-1至1-38，WO2009086028，US2009153034，US2009134784，WO2009084413，化合物2-1至2-56，JP2009114369，化合物2-1至2-40，JP2009114370，化合物1-67，WO2009060742，化合物2-1至2-56，WO2009060757，化合物1-1至1-76，WO2009060780，化合物1-1至1-70，WO2009060779，化合物1-1至1-42，WO2008156105，化合物1至54，JP2009059767，化合物1-20，JP2008074939，化合物1-256，JP2008021687，化合物1-50，WO2007119816，化合物1-37，WO2010087222，化合物H-1至H-31，WO2010095564，化合物HOST-1至HOST-61，WO2007108362，WO2009003898，WO2009003919，WO2010040777，US2007224446和WO06128800。
在特别优选的实施方案中，一种或多种下文所述通式(X)化合物用作基体材料。通式(X)化合物的优选实施方案同样描述于下文中。
OLED的上述层中各层又可由两层或更多层形成。例如空穴传输层可由空穴由电极注入其中的一层和将空穴从空穴注入层输送至发光层中的层形成。电子传输层同样可由多层，例如通过电极将电子注入其中的层和接受来自电子注入层的电子并将它们输送至发光层中的层组成。所述这些层各自根据因素如能级、热阻和电荷载体迁移率，以及所述层与有机层或金属电极的能量差选择。本领域技术人员能选择OLED的构造使得它最佳地匹配根据本发明用作发射体物质的本发明杂配配合物。
为得到特别有效的OLED，空穴传输层的HOMO(最高占据分子轨道)应对准阳极的功函，且电子传输层的LUMO(最低未占分子轨道)应对准阴极的功函。
本申请进一步提供包含至少一层本发明发光层的OLED。OLED中的其它层可由通常用于这种层中且本领域技术人员已知的任何材料组成。
适于上述层的材料(阳极、阴极、空穴和电子注入材料、空穴和电子传输材料及空穴和电子阻断剂材料、基体材料、荧光和磷光发射体)是本领域技术人员已知的，例如描述于H.Meng，N.Herron，OrganicSmallMoleculeMaterialsforOrganicLight-EmittingDevicesinOrganicLight-EmittingMaterialsandDevices，编者：Z.Li，H.Meng，Taylor&Francis，2007，第3章，第295-411页中。
阳极为提供正电荷载体的电极。它可例如由包含金属、不同金属的混合物、金属合金、金属氧化物或不同金属氧化物的混合物的材料组成。作为选择，阳极可为导电聚合物。合适的金属包括元素周期表第11、4、5和6族的金属，以及第8-10族的过渡金属。当阳极将为透明的时，通常使用元素周期表第12、13和14族的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。阳极(1)同样可包含有机材料，例如聚苯胺，例如如Nature，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)中所述。至少阳极或阴极应为至少部分透明的以便能发射所形成的光。
适于本发明OLED层(2)的空穴传输材料例如公开于Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology，第4版，第18卷，第837-860页，1996中。空穴传输分子或聚合物可用作空穴传输材料。通常使用的空穴传输分子选自4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N’-双(4-甲基苯基)-N,N’-双(4-乙基苯基)-[1,1’-(3,3’-二甲基)联苯]-4,4’-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-亚苯基二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对(二乙基氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)-(1,1’-联苯)-4,4’-二胺(TTB)、富勒烯化合物如2,2’,7,7’-四(N,N-二-甲苯基)氨基-9,9-螺二芴(螺-TTB)、N,N`-双(萘-1-基)-N,N`-双(苯基)-9,9-螺二芴(螺-NPB)和9,9-双(4-(N,N-双-联苯-4-基-氨基)苯基-9H-芴、联苯胺化合物如N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)联苯胺和卟啉化合物如酞菁铜。通常使用的空穴传输聚合物选自聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、和聚苯胺。同样可通过将空穴传输分子掺杂在聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸盐中而得到空穴传输聚合物。合适的空穴传输分子为上面已提到的分子。
另外，在一个实施方案中，可使用卡宾配合物作为空穴导体材料，在这种情况下，至少一种空穴导体材料的带隙一般大于所用发射体材料的带隙。在本发明上下文中，带隙应当理解意指三重态能量。合适的卡宾配体例如为本发明通式(I)的卡宾配合物，如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981和WO2008/000727所述卡宾配合物。合适卡宾配合物的一个实例为具有下式的Ir(DPBIC)3：
空穴传输层也可电子掺杂以改善所用材料的传输性能，首先以使层厚度更浓厚(避免小孔/短路)，其次以使器件的操作电压最小化。电子掺杂是本领域技术人员已知的且例如公开于W.Gao，A.Kahn，J.Appl.Phys.，第94卷，No.1，2003年7月1日(p掺杂有机层)；A.G.Werner，F.Li，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo，Appl.Phys.Lett.，第82卷，No.25，2003年6月23日和Pfeiffer等人，OrganicElectronics2003，4，89-103和K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo，Chem.Soc.Rev.2007，107，1233中。例如可使用空穴传输层中的混合物，特别是导致空穴传输层的电p掺杂的混合物。p掺杂通过加入氧化材料实现。这些混合物可例如为以下混合物：上述空穴传输材料与至少一种金属氧化物如MoO2、MoO3、WOx、ReO3和/或V2O5，优选MoO3和/或ReO3，更优选ReO3的混合物，或包含上述空穴传输材料和一种或多种选自如下的化合物的混合物：7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-双(2-羟基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、双(四-正丁基铵)四氰基二苯酚醌-二甲烷、2,5-二甲基-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、二氰基亚甲基-1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亚基)丙二睛(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(来自Kahn等人，J.Am.Chem.Soc.2009，131(35)，12530–12531)、如EP1988587和EP2180029中所提及的化合物与如EP09153776.1所提及的醌化合物。
适于本发明OLED层(4)的电子传输材料包括螯合有喔星化合物的金属如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，基于菲咯啉的化合物如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA=BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,4,7,9-四苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)或EP1786050、EP1970371或EP1097981中公开的菲咯啉衍生物，和唑化合物如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)。另外，二苯并呋喃适用作电子传输材料，例如US2007/0224446A1公开的二苯并呋喃，例如其中至少一个基团R1-R8为杂环基团的那些二苯并呋喃，例如化合物A-15，和WO2009/069442A1、WO2010/090077A1和JP2006/321750A公开的二苯并呋喃。层(4)可用于使电子传输容易和用作缓冲层或用作阻挡层以防止激子在OLED的层界面上猝灭。层(4)优选改进电子的迁移率并降低激子猝灭。
同样可在电子传输层中使用至少两种材料的混合物，在这种情况下，至少一种材料为电子传导型。优选在这种混合电子传输层中，使用至少一种菲咯啉化合物，优选BCP，或至少一种根据下式(XIII)的吡啶化合物，优选下式(XIIIaa)化合物。更优选在混合电子传输层中，除至少一种菲咯啉化合物外，还使用碱土金属或碱金属羟基喹啉配合物如Liq。合适的碱土金属或碱金属羟基喹啉配合物为下文所述的(式XII)。
电子传输层也可电子掺杂以改善所用材料的传输性能，首先以使层厚度更浓厚(避免小孔/短路)，其次以使器件的操作电压最小化。电子掺杂是本领域技术人员已知的且例如公开于W.Gao，A.Kahn，J.Appl.Phys.，第94卷，No.1，2003年7月1日(p掺杂有机层)；A.G.Werner，F.Li，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo，Appl.Phys.Lett.，第82卷，No.25，2003年6月23日和Pfeiffer等人，OrganicElectronics2003，4，89-103和K.Walzer，B.Maennig，M.Pfeiffer，K.Leo，Chem.Soc.Rev.2007，107，1233中。例如可使用导致电子传输层的电n掺杂的混合物。n掺杂通过加入还原材料实现。这些混合物可例如为上述电子传输材料与碱/碱土金属或碱/碱土金属盐如Li、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3，与碱金属配合物如8-羟基喹啉锂(Liq)，和与Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、邻苯二甲酸二钾、来自EP1786050的W(hpp)4，或与如EP1837926B1所述化合物的混合物。
因此，本发明还涉及本发明OLED，其包含电子传输层，所述电子传输层包含至少两种不同材料，其中至少一种材料应为电子传导型。
在优选实施方案中，电子传输层包含至少一种通式(VII)化合物：
其中R32和R33各自独立地为F、C1-C8烷基或任选被一个或多个C1-C8烷基取代的C6-C14芳基，或
两个R32和/或R33取代基一起形成任选被一个或多个C1-C8烷基取代的稠合苯环，
a和b各自独立地为0或1、2或3，
M1为碱金属原子或碱土金属原子，
当M1为碱金属原子时p为1，当M1为碱土金属原子时，p为2。
非常特别优选的式(VII)化合物为其可作为单一物种，或以其它形式存在，例如LigQg，其中g为整数，例如Li6Q6。Q为8-羟基喹啉酸盐配体或8-羟基喹啉酸盐衍生物。
在进一步优选的实施方案中，电子传输层包含至少一种式(VIII)化合物：
其中R34、R35、R36、R37、R34’、R35’、R36’和R37’各自独立地为H、C1-C18烷基、被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷基、C6-C24芳基、被G取代的C6-C24芳基、C2-C20杂芳基或被G取代的C2-C20杂芳基，
Q为亚芳基或杂亚芳基，其各自任选被G取代，
D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR40-、-SiR45R46-、-POR47-、
-CR38=CR39-、或-C≡C-，
E为-OR44、-SR44、-NR40R41、-COR43、-COOR42、-CONR40R41、-CN或F，
G为E、C1-C18烷基、被D间隔的C1-C18烷基、C1-C18全氟烷基、C1-C18烷氧基或被E取代和/或被D间隔的C1-C18烷氧基，
其中R38和R39各自独立地为H，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基，或被-O-间隔的C1-C18烷基，
R40和R41各自独立地为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基，或被-O-间隔的C1-C18烷基，或
R40和R41一起形成6元环，
R42和R43各自独立地为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基，或被-O-间隔的C1-C18烷基，
R44为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基，或被-O-间隔的C1-C18烷基，
R45和R46各自独立地为C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，
R47为C1-C18烷基、C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。
优选的式(VIII)化合物为式(VIIIa)化合物：
其中Q为
R48为H或C1-C18烷基，
R48’为H、C1-C18烷基或
特别优选式(VIIIaa)化合物：
在另一非常特别优选的实施方案中，电子传输层包含式化合物和式化合物。
在优选实施方案中，电子传输层包含99-1重量%，优选75-25重量%，更优选约50重量%的量的式(VII)化合物，其中式(VII)化合物的量和式(VIII)化合物的量合计为100重量%。
式(VIII)化合物的制备描述于J.Kido等人，Chem.Commun.(2008)5821–5823，J.Kido等人，Chem.Mater.20(2008)5951-5953和JP2008-127326中，或化合物可类似于以上文件所公开的方法制备。
式(VII)化合物的制备例如描述于ChristophSchmitz等人，Chem.Mater.12(2000)3012-3019和WO00/32717中，或化合物可类似于以上文件所公开的方法制备。
在优选实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物。
在进一步优选的实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和至少一种碱金属羟基喹啉配合物。
在进一步优选的实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和8-羟基喹啉锂。
一些上述作为空穴传输材料和电子传输材料的材料可执行多个功能。例如如果它们具有低HOMO，则一些电子传输材料同时为空穴阻挡材料。
阴极(5)为用于引入电子或负电荷载体的电极。阴极可为具有比阳极更低功函的任何金属或非金属。适于阴极的材料选自元素周期表第1族的碱金属如Li、Cs，第2族的碱土金属，第12族金属，包括稀土金属及镧系元素和锕系元素。另外，可使用金属如铝、铟、钙、钡、钐和镁及其组合。另外，含锂的有机金属化合物如8-羟基喹啉锂(Liq)、CsF、NaF、KF、Cs2CO3或LiF可作为电子注入层应用在有机层与阴极之间以降低操作电压。
本发明OLED还可包含本领域技术人员已知的其它层。例如使正电荷传输容易和/或使层的带隙相互匹配的层可应用在层(2)与发光层(3)之间。作为选择，该其它层可用作保护层。其它层可以以类似方式存在于发光层(3)与层(4)之间，以使负电荷传输容易和/或使层之间的带隙相互匹配。作为选择，该层可用作保护层。
在优选实施方案中，除层(1)-(5)外，本发明OLED还包含以下所提及的至少一层其它层：
-阳极(1)与空穴传输层(2)之间的空穴注入层；
-空穴传输层(2)与发光层(3)之间的电子阻挡层；
-发光层(3)与电子传输层(4)之间的空穴阻挡层；
-电子传输层(4)与阴极(5)之间的电子注入层。
然而，如上文所述，OLED也可不具有所有所述层(1)-(5)；例如包含层(1)(阳极)、(3)(发光层)和(5)(阴极)的OLED同样合适，在这种情况下，层(2)(空穴传输层)和(4)(电子传输层)的功能由相邻层承担。具有层(1)、(2)、(3)和(5)，或层(1)、(3)、(4)和(5)的OLED同样合适。
本领域技术人员已知如何选择合适的材料(例如基于电化学研究)。适于各层的材料是本领域技术人员已知的，例如公开于WO00/70655中。
另外，可将层(1)、(2)、(3)、(4)和(5)中一些或所有层表面处理，以提高电荷载体传输效率。用于所述各层的材料的选择优选由得到具有高效率的OLED决定。
本发明OLED可通过本领域技术人员已知的方法生产。一般而言，OLED通过在合适的衬底上依次气相沉积各层而生产。合适的衬底例如为玻璃、无机材料如ITO或IZO或聚合物膜。对于气相沉积，可使用常规技术，例如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和其它技术。
在可选方法中，有机层可由在合适溶剂中的溶液或分散体涂覆，在这种情况下使用本领域技术人员已知的涂覆技术。合适的涂覆技术例如为旋涂、浇注法、朗缪尔-布劳杰特(“LB”)方法、喷墨印刷法、浸涂、凸版印刷、丝网印刷、刮刀印刷、狭缝涂布、滚筒印刷、逆转辊印刷、平板印刷、苯胺印刷、卷筒印刷、喷涂、通过刷涂覆或压印等。在所述方法中，除前述气相沉积外，优选旋涂、喷墨印刷法和浇铸法，因为它们执行起来特别简单且便宜。
在OLED的层通过旋涂法、浇注法或喷墨印刷法得到的情况下，涂层可使用通过将组合物以0.0001-90重量%的浓度溶于合适有机溶剂如苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、丙酮、乙腈、茴香醚、二氯甲烷、二甲亚砜、水及其混合物中而制备的溶液得到。
一般而言，不同的层具有以下厚度：阳极(2)500-优选1000-空穴传输层(3)50-优选200-发光层(4)10-优选100-电子传输层(5)50-优选200-阴极(6)200-优选300-另外，也可通过混合将几层组合。例如可将空穴传输材料与用于发光层的材料混合，然后一起应用。本发明OLED中空穴和电子的重组区的位置和因此OLED的发射光谱可受各层的相对厚度和浓度比影响。这意味着应优选选择电子传输层的厚度使得电子/空穴重组区在发光层内。OLED中各层的层厚度之比取决于所用的材料。所用任何其它层的层厚度是本领域技术人员已知的。
在优选实施方案中，本发明涉及包含至少一种本发明通式(I)金属-卡宾配合物和至少一种通式(X)化合物的OLED：
其中T为NR57、S、O或PR57，优选S或O，更优选O，
R57为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
Q’为-NR58R59、-P(O)R60R61、-PR62R63、-S(O)2R64、-S(O)R65、-SR66或-OR67，优选-NR58R59，更优选
其中R68、R69各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，优选甲基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，
y、z各自独立地为0、1、2、3或4，优选0或1，
R55、R56各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、SiR70R71R72、Q’基团或具有给体或受体作用的基团，
a’’为0、1、2、3或4，
b’为0、1、2或3，
R58、R59与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，
R70、R71、R72、R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
或
两个通式(X)单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥、借助键或借助O相互桥联。
优选式(X)化合物，其中：
T为S或O，优选O，
Q’为
其中R68、R69各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，优选甲基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，
y、z各自独立地为0、1、2、3或4，优选0或1。
特别优选的式(X)化合物具有下式(Xa)：
其中符号和指数Q’、T、R55、R56、a’’和b’各自如上所定义。
非常特别优选的式(X)化合物具有式(Xaa)：
其中符号和指数R68、R69、y、z、T、R55、R56、a’’和b’各自如上所定义。
在非常特别优选的实施方案中，在式(Xaa)中：
T为O或S，优选O，
a’’为1，
b’为0，
y、z各自独立地为0或1，
R68、R69各自独立地为甲基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，
R55为取代苯基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在进一步优选的实施方案中，式(X)化合物具有式(XI)或(XI*)：
其中T为NR57、S、O或PR57，
R57为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
Q为-NR58R59、-P(O)R60R61、-PR62R63、-S(O)2R64、-S(O)R65、-SR66或-OR67，
R70、R71、R72各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基、杂环烷基，其中基团R70、R71、R72中至少一个包含至少两个碳原子或OR73，
R55、R56各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、Q基团或具有给体或受体作用的基团，
a’、b’对式(XI)化合物而言，各自独立地为0、1、2、3，对式(XI*)化合物而言，a’为0、1、2，b’为0、1、2、3、4，
R58、R59与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，
R73各自独立地为SiR74R75R76、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，其任选被OR77基团取代，
R77各自独立地为SiR74R75R76、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R74、R75、R76各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，或
两个通式(XI)和/或(XI*)单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥或借助O相互桥联，其中通式(XI)和/或(XI*)中的所述桥每种情况下取代R71连接在硅原子上。
通式(X)化合物可与所要求保护的配合物组合用作基体(稀释剂材料)、空穴/激子阻断剂、电子/激子阻断剂、电子传输材料或空穴传输材料，所述配合物则优选用作发射体。包含至少一种式(X)化合物和式(I)化合物的本发明OLED显示出特别好的效率和寿命。取决于式(X)化合物使用的功能，它以纯形式或以不同混合比存在。在特别优选的实施方案中，一种或多种式(X)化合物用作发光层中的基体材料。
对于通式(X)化合物，尤其是关于基团R55-R77：
术语芳基或基团，杂芳基或基团，烷基或基团和环烷基或基团、杂环烷基或基团、链烯基或基团、炔基或基团和具有给体和/或受体作用的基团各自定义如下：
芳基(或基团)应当理解意指具有具有6-30个碳原子，优选6-18个碳原子的基础骨架，且由芳环或多个稠合芳环形成的基团。合适的基础骨架例如为苯基、萘基、蒽基或菲基、茚基或芴基。该基础骨架可以为不饱和的，(这意指所有可取代的碳原子带有氢原子)，或可以在基础骨架的一个、多于一个或所有可取代位置上被取代。
合适的取代基例如为氘、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、咔唑基、甲硅烷基SiR78R79R80，合适的甲硅烷基SiR78R79R80描述于下文中，烷基，优选具有1-8个碳原子的烷基，更优选甲基、乙基或异丙基，芳基，优选C6芳基，其又可被取代或未被取代，杂芳基，优选包含至少一个氮原子的杂芳基，更优选吡啶基和咔唑基，链烯基，优选带有一个双键的链烯基，更优选具有一个双键和1-8个碳原子的链烯基，炔基，优选具有一个三键的炔基，更优选具有一个三键和1-8个碳原子的炔基，或具有给体或受体作用的基团。合适的具有给体或受体作用的基团描述于下文中。被取代的芳基最优选带有选自甲基、乙基、异丙基、烷氧基、杂芳基、卤素、拟卤素和氨基的取代基，优选芳基氨基。芳基或芳基基团优选为C6-C18芳基，更优选C6芳基，其任选被至少一个或多于一个上述取代基取代。C6-C18芳基，优选C6芳基更优选具有0、1、2、3或4个，最优选具有0、1或2个上述取代基。
杂芳基或杂芳基基团应当理解意指不同于上述芳基之处在于在芳基的基础骨架中至少一个碳原子被杂原子取代的基团且杂芳基的基础骨架优选具有5-18个环原子。优选的杂原子为N、O和S。特别优选合适的杂芳基为含氮杂芳基。最优选基础骨架的一个或两个碳原子被杂原子，优选氮取代。尤其优选基础骨架选自体系如吡啶、嘧啶和5元杂芳族化合物如吡咯、呋喃、吡唑、咪唑、噻吩、唑、噻唑、三唑。另外，杂芳基可以为稠环体系，例如苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并吡咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲咯啉基、咔唑基、氮杂咔唑基或二氮杂咔唑基。基础骨架可在基础骨架的一个、多于一个或所有可取代位置上被取代。合适的取代基与关于芳基所描述的相同。
烷基或烷基基团应当理解为意指具有1-20个碳原子，优选1-10个碳原子，更优选1-8个碳原子，最优选1-4个碳原子的基团。该烷基可为支化或非支化的且可任选被一个或多个杂原子，优选Si、N、O或S，更优选N、O或S间隔。另外，该烷基可被一个或多个关于芳基所述的取代基取代。另外，根据本发明存在的烷基可具有至少一个卤原子，例如F、Cl、Br或I，尤其是F。在另一实施方案中，根据本发明存在的烷基可以为完全氟化的。同样烷基可带有一个或多个(杂)芳基。在本申请上下文中，例如苄基为因此被取代的烷基。在本文中，所有上列(杂)芳基是合适的。烷基更优选选自甲基、乙基、异丙基、正丙基、正丁基、异丁基和叔丁基，非常特别优选甲基和乙基。
环烷基或环烷基基团应当理解为意指具有3-20个碳原子，优选3-10个碳原子，更优选3-8个碳原子的基团。该基础骨架可为未被取代(即所有可取代的碳原子带有氢原子)或可在基础骨架的一个、多于一个或所有可取代位置上被取代。合适的取代基为以上关于芳基所描述的基团。同样环烷基可带有一个或多个(杂)芳基。合适环烷基的实例为环丙基、环戊基和环己基。
杂环烷基或杂环烷基基团应当理解意指不同于上述环烷基之处在于在环烷基的基础骨架中至少一个碳原子被杂原子取代的基团。优选的杂原子为N、O和S。最优选环烷基基础骨架的一个或两个碳原子被杂原子取代。合适杂环烷基的实例为衍生自吡咯烷、哌啶、哌嗪、四氢呋喃、二烷的基团。
链烯基或链烯基基团应当理解意指对应于上述具有至少两个碳原子的烷基的基团，不同之处在于烷基的至少一个C-C单键被C-C双键取代。链烯基优选具有一个或两个双键。
炔基或炔基基团应当理解意指对应于上述具有至少两个碳原子的烷基的基团，不同之处在于烷基的至少一个C-C单键被C-C三键取代。炔基优选具有一个或两个三键。
SiR78R79R80基团应当理解意指甲硅烷基，其中：
R78、R79和R80各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基或OR73。
SiR74R75R76基团应当理解意指甲硅烷基，其中：
R74、R75和R76各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基或OR73。
在本申请上下文中，具有给体或受体作用的基团或取代基应当理解意指以下基团：
具有给体作用的基团应当理解意指具有+I和/或+M效果的基团，具有受体作用的基团应当理解意指具有-I和/或-M效果的基团。优选的合适基团选自C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR81R82R83、OR73、卤素基团、卤代C1-C20烷基、羰基(-CO(R81))、羰硫基(-C=O(SR81))、羰氧基(-C=O(OR81))、氧基羰基(-OC=O(R81))、硫代羰基(-SC=O(R81))、氨基(-NR81R82)、拟卤素基团、酰氨基(-C=O(NR81))、-NR81C=O(R83)、膦酸酯(-P(O)(OR81)2、磷酸酯(-OP(O)(OR81)2)、膦(-PR81R82)、氧化膦(-P(O)R81 2)、硫酸酯(-OS(O)2OR81)、亚砜(-S(O)R81)、磺酸酯(-S(O)2OR81)、磺基(-S(O)2R81、磺酰胺(-S(O)2NR81R82)、NO2、硼酸酯(-OB(OR81)2)、亚氨基(-C=NR81R82))、硼烷基、锡烷基、肼基、腙基、肟基、亚硝基、二偶氮基团、乙烯基、砜亚胺、铝烷、锗烷、环硼氧烷和硼吖嗪。
上述具有给体或受体作用的基团中提及的基团R81、R82和R83各自独立地为：
取代或未被取代的C1-C20烷基或取代或未被取代的C6-C30-芳基，或OR76，合适和优选的烷基和芳基为以上所述的。基团R81、R82和R83更优选为C1-C6-烷基，例如甲基、乙基或异丙基，或苯基。在优选实施方案中，在SiR81R82R83的情况下，R81、R82和R83优选各自独立地为取代或未被取代的C1-C20烷基或取代或未被取代的芳基，优选苯基。
优选的具有给体或受体作用的取代基选自：
C1-C20烷氧基，优选C1-C6烷氧基，更优选乙氧基或甲氧基；C6-C30芳氧基，优选C6-C10芳氧基，更优选苯氧基；SiR81R82R83，其中R81、R82和R83优选各自独立地为取代或未被取代的烷基或取代或未被取代的芳基，优选苯基；更优选至少一个基团R81、R82和R83为取代或未被取代的苯基，合适的取代基为上述的；卤素基团，优选F、Cl，更优选F，卤代C1-C20烷基，优选卤代C1-C6烷基，最优选氟化C1-C6烷基，例如CF3、CH2F、CHF2或C2F5；氨基，优选二甲基氨基、二乙基氨基或二芳基氨基，更优选二芳基氨基；拟卤素基团，优选CN、-C(O)OC1-C4烷基，优选–C(O)OMe，P(O)R2，优选P(O)Ph2。
非常特别优选的具有给体或受体作用的取代基选自甲氧基、苯氧基，卤代C1-C4烷基，优选CF3、CH2F、CHF2、C2F5，卤素，优选F、CN，SiR81R82R83，合适的基团R81、R82和R83为已描述的，二芳基氨基(NR84R85，其中R84、R85各自为C6-C30芳基)，-C(O)OC1-C4烷基，优选–C(O)OMe，P(O)Ph2。
卤素基团优选应当理解意指F、Cl和Br，更优选F和Cl，最优选F。
拟卤素基团优选应当理解意指CN、SCN和OCN，更优选CN。
上述具有给体或受体作用的基团不排除本申请所提及但不包括在上列具有给体或受体作用的基团中的其它基团和取代基具有给体或受体作用的可能性。
如上所述芳基或基团、杂芳基或基团、烷基或基团、环烷基或基团、杂环烷基或基团、链烯基或基团和具有给体和/或受体作用的基团可以为被取代或未被取代的。在本申请上下文中，未被取代的基团应当理解意指其中基团的可取代原子带有氢原子的基团。在本申请上下文中，取代基团应当理解意指其中一个或多个可取代原子带有至少在一个位置上代替氢原子的取代基的基团。合适的取代基为以上关于芳基或基团所述的取代基。
当具有相同编号的基团在本申请化合物中出现多于一次时，这些基团可各自独立地具有所述定义。
式(X)化合物中的基团T为NR57、S、O或PR57，优选NR57、S或O，更优选O或S，最优选O。
基团R57为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，优选芳基、杂芳基或烷基，更优选芳基，其中上述基团可以为未被取代或被取代的。合适的取代基为上述的。R65更优选为可被上述取代基取代或未被取代的苯基。R57最优选为未被取代的苯基。
式(X)中的基团Q’为-NR58R59、-P(O)R60R61、-PR62R63、-S(O)2R64、-S(O)R65、-SR66或-OR67，优选NR58R59、-P(O)R60R61或-OR67，更优选-NR58R59。
基团R58-R67和R74-R76各自定义如下：
R58、R59与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，
R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R74、R75、R76各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，优选芳基或杂芳基，其中该基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的基团取代，更优选未被取代或取代的苯基，合适的取代基为上述的，例如甲苯基或下式基团：
其中基团T和R70、R71和R72基团各自独立地如关于式(XI)或(XI*)化合物所定义。
R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66和R67最优选各自独立地苯基、甲苯基或下式基团：
其中T为NPh、S或O。
优选的合适-NR58R59基团的实例选自吡咯基、2,5-二氢-1-吡咯基、吡咯烷基、吲哚基、吲哚啉基、异吲哚啉基、咔唑基、氮杂咔唑基、二氮杂咔唑基、咪唑基、咪唑啉基、苯并咪唑基、吡唑基、吲唑基、1,2,3-三唑基、苯并三唑基、1,2,4-三唑基、四唑基、1,3-唑基、1,3-噻唑基、哌啶基、吗啉基、9,10-二氢吖啶基和1,4-嗪基，其中上述基团可以未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代；-NR58R59基团优选选自咔唑基、吡咯基、吲哚基、咪唑基、苯并咪唑基、氮杂咔唑基和二氮杂咔唑基，其中上述基团可以未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代；-NR58R59基团更优选为咔唑基，其可以未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代。
特别优选的-NR58R59基团为：
其中R68、R69各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，优选甲基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，
y、z各自独立地为0、1、2、3或4，优选0或1，
例如：
其中X为NPh、S或O，
其中X为NPh、S或O，
特别优选的-P(O)R60R61基团为：
特别优选的PR62R63基团为：
特别优选的基团-S(O)2R64和-S(O)R65为：
特别优选的基团–SR66和-OR67为：
其中T每种情况下为NPh、S或O。
式(X)化合物中的R55、R56各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、其它基团A或具有给体或受体作用的基团，优选各自独立地为烷基、芳基、杂芳基或具有给体或受体作用的基团。例如R55或R56各自独立地为：
其中X为NPh、S或O。
在式(X)化合物中，可存在a’’个基团R55和/或b’个基团R56，其中a’’和b’为：
a”为0、1、2、3或4，优选独立地为0、1或2，
b’为0、1、2或3，优选独立地为0、1或2。
最优选至少a”或b’为0，非常尤其优选a”和b’各自为0或a”为1且b’为0。
通式(XI)化合物中的R73一般独立地为SiR74R75R76、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，其任选被OR77基团取代。
通式(XI)化合物中的R77一般独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基。
任选存在的OR77取代基一般可以在本领域技术人员看起来合适的所有位置存在于所述基团中。
在另一实施方案中，两个通式(XI)和/或(XI*)的单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥或借助O相互桥联，其中在通式(XI)和/或(XI*)中，该桥每种情况下取代连接在硅原子而不是R71上。
该桥优选选自-CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C6H12-、-C8H16-、-C9H18-、-CH(C8H17)CH2-、-C2H4(CF2)8C2H4-、-C≡C-、-1,4-(CH2)2-苯基-(CH2)2-、1,3-(CH2)2-苯基-(CH2)2-、-1,4-苯基-、-1,3-苯基-、-O-、-O-Si(CH3)2-O-、-O-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-O-、-O-。
在本申请的优选实施方案中，通式(X)化合物具有通式(XIa)、(XIb)、(XIc)、(XId)或(XIe)，即它们为通式(XI)或(XI*)化合物的优选实施方案：
其中Q’、T、R70、R71、R72、R55、R56基和基团，和a’和b’各自如上所定义。
在根据本发明优选的另一实施方案中，通式(XI)或(XI*)化合物中的R70、R71或R72为通式(XIi)和/或(XIi*)的芳族单元：
其中R55、R56、Q’、T、a’和b’各自如上所定义。
因此，在一个实施方案中，本发明涉及本发明OLED，其中通式(XI)或(XI*)化合物中的R70、R71或R72为通式(XIi)和/或(XIi*)芳族单元：
其中R55、R56、Q’、T、a’和b’各自如上所定义。
在优选实施方案中，本发明涉及一种OLED，其中通式(XI)或(XI*)化合物选自如下：
在这特别优选的通式(XI)或(XI*)化合物中：
T为S或O，且
R’为H或CH3，
R70、R71、R72各自为苯基、咔唑基、二苯并呋喃或二苯并噻吩。
其它合适的通式(XI)或(XI*)化合物为：
在这些特别优选的通式(XI)或(XI*)化合物中，T也为O或S，优选O。
其它本发明通式(XI)或(XI*)化合物相应于下式(XII)：
在通式(XII)中，R70、R71、R72各自定义如下：
在该表中，
特别优选的化合物相当于通式(XIII)，其中两个通式(XI)和/或(XI*)单元经由任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥或经由O相互桥联，其中通式(XI)和/或(XI*)中的所述桥每种情况下取代R71连接在硅原子上：
在式(XIII)中，U、R70、R71、R72、R87、R88和R89各自定义如下：
编号 R70 R71 R72 R87 R88 R89 U
303 甲基 R86 R86 甲基 R5 R86 -CH2-
304 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -CH2-
305 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -CH2-
306 甲基 R86 R86 甲基 R5 R86 -C2H4-
307 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C2H4-
308 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C2H4-
309 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C3H6-
310 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C3H6-
311 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C3H6-
312 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C4H8-
313 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C4H8-
314 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C4H8-
315 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C6H12-
316 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C6H12-
317 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C6H12-
318 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C8H16-
319 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C8H16-
320 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C8H16-
321 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C9H18-
322 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C9H18-
323 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C9H18-
324 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -CH(C8H17)CH2-
325 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C2H4(CF2)8C2H4-
326 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C2H4(CF2)8C2H4-
327 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C2H4(CF2)8C2H4-
328 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -C≡C-
329 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -C≡C-
330 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -C≡C-
331 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,4-(CH2)2-苯基(CH2)2-
332 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1,4-(CH2)2-苯基(CH2)2-
333 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1,4-(CH2)2-苯基(CH2)2-
334 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,3-(CH2)2-苯基(CH2)2-
335 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1,3-(CH2)2-苯基(CH2)2-
336 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1，3-(CH2)2-苯基(CH2)2-
337 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,4-(CH2)3-苯基(CH2)3-
338 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1,4-(CH2)3-苯基(CH2)3-
339 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1,4-(CH2)3-苯基(CH2)3-
340 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,3-(CH2)3-苯基(CH2)3-
341 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1,3-(CH2)3-苯基(CH2)3--
342 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1,3-(CH2)3-苯基(CH2)3-
343 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,4-苯基-
344 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1,4-苯基-
345 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1,4-苯基-
346 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -1,3-苯基-
347 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -1，3-苯基-
348 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -1,3-苯基-
28 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -O-
349 甲基 R86 R86 甲基 R86 R86 -O-
350 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -O-Si(CH3)2-O-
351 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -O-Si(CH3)(Ph)-O-
352 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -O-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-O-
353 甲基 甲基 R86 甲基 甲基 R86 -O-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-O-Si(CH3)2-O-
354 甲基 -OSiMe3 R86 甲基 -OSiMe3 R86 -O-
355 甲基 苯基 R86 甲基 苯基 R86 -O-
356 异丙基 异丙基 R86 异丙基 异丙基 R86 -O-
357 环戊基 环戊基 R86 环戊基 环戊基 R86 -O-
358 苯基 苯基 R86 苯基 苯基 R86 -O-
359 苯基 R86 R86 苯基 R86 R86 -O-
360 R86 R86 R86 R86 R86 R86 -O-
在该表中，
其它合适的式(XI)和/或(XI*)化合物描述于下文中。其中R独立地为Me、苯基或R86，其中至少一个基团R为R86：
在非常特别优选的实施方案中，本发明涉及除至少一种通式(I)金属-卡宾配合物外，还包含至少一种通式(X)化合物的OLED，在这种情况下，式(X)化合物最优选为至少一种下文所述化合物：
在上述化合物中，T为O或S，优选O。当多于一个T存在于分子中时，所有T基团具有相同的定义。
根据本发明，除式(X)化合物外，也可使用包含基于通式(X)的重复单元的交联或聚合材料，所述重复单元为与至少一种通式(I)金属-卡宾配合物一起交联或聚合的形式。如同通式(X)化合物，后者优选用作基体材料。
交联或聚合材料具有在有机溶剂中显著的溶解性、优异的成膜性能和相对高玻璃化转变温度。另外，当本发明交联或聚合材料用于有机发光二极管(OLED)中时，可观察到高电荷载体迁移率、高颜色发射稳定性和相应组件的长操作时间。
交联或聚合材料特别适用作涂层或用于薄膜中，因为它们是热和机械稳定且相对无缺陷的。
包含基于通式(X)的重复单元的交联或聚合材料可通过包括步骤(a)和(a)的方法制备：
(a)制备通式(X)的可交联或可聚合化合物，其中a”个基团R55中至少一个
或b’个基团R56中至少一个为经由间隔基连接的可交联或可聚合基团，和
(b)将由步骤(a)得到的通式(X)化合物交联或聚合。
交联或聚合材料可以为均聚物，这意指仅通式(X)单元以交联或聚合形式存在。它们还可以为共聚物，这意指除通式(X)单元外，其它单体如具有空穴传导和/或电子传导性能的单体以交联或聚合形式存在。
在本发明OLED的另一优选实施方案中，它包含发射层，所述发射层包含至少一种本发明通式(I)的金属-卡宾配合物、至少一种式(X)的基体材料和任选至少一种其它空穴传输基体材料。
本发明OLED可用于电致发光有用的所有器件中。合适的器件优选选自固定和移动视频显示装置和照明工具。本发明因此还涉及包含本发明OLED的器件，其选自固定和移动视频显示装置和照明工具。
固定视频显示装置例如为计算机、电视机的视频显示装置，印刷机、厨房家电和广告牌中的视频显示装置、照明装置和信息板。移动视频显示装置例如为无线电话、膝上型电脑、数码相机、mp3播放器、智能手机、车辆中的视频显示装置，及公共汽车和火车上的目的地显示器。
另外，本发明通式(I)的金属-卡宾配合物可用于具有反向结构的OLED中。在这些反向OLED中，本发明配合物又优选用于发光层中。反向OLED的结构和通常用于其中的材料是本领域技术人员已知的。
本发明进一步提供包含至少一种本发明通式(I)金属-卡宾配合物的白色OLED。在优选实施方案中，通式(I)金属-卡宾配合物作为发射体材料用于白色OLED中。通式(I)金属-卡宾配合物的优选实施方案为前文所述的。除至少一种通式(I)金属-卡宾配合物外，白色OLED可包含：
(i)至少一种式(X)化合物。式(X)化合物优选用作基体材料。优选的式(X)化合物为前文所述的；和/或
(ii)至少一种式(XII)和/或(IX)化合物。式(XII)和/或(IX)化合物优选用作电子传输材料。优选的式(XII)和/或(IX)化合物为前文所述的。
为得到白光，OLED必须产生渲染光谱的整个可见范围的光。然而，有机发射体通常仅发射可见光谱的有限部分—即被渲染。白光可通过不同发射体的组合产生。通常，将红光、绿光和蓝光发射体组合。然而，现有技术还公开了用于形成白色OLED的其它方法，例如三重收获路线。适于白色OLED的结构或形成白色OLED的方法是本领域技术人员已知的。
在白色OLED的一个实施方案中，几种染料一种在另一种上地层化于OLED的发光层中并因此结合(分层器件)。这可通过将所有染料混合或通过不同颜色层直接串联而实现。表述“分层OLED”和合适的实施方案是本领域技术人员已知的。
一般而言，不同的层则具有以下厚度：阳极(2)：500-优选1000-空穴传输层(3)：50-优选200-包含不同发射体的混合物的发光层(4)：10-优选100-或连续的几层发光层，包含不同发射体的各单独层(4a，b，c，...)：各自10-优选各自50-电子传输层(5)：50-优选200-阴极(6)：200-优选300-
在白色OLED的另一实施方案中，几个不同颜色的OLED一个在另一个上地堆叠(堆栈式器件)。对于两个OLED的堆叠，使用所谓的电荷产生层(CG层)。该CG层可例如由一层电n掺杂和一层电p掺杂传输层形成。表述“堆栈式OLED”和合适的实施方案是本领域技术人员已知的。
一般而言，不同的层则具有以下厚度：阳极(2)：500-优选1000-第一空穴传输层(3)：50-优选200-第一发光层(4)：10-优选50-第一电子传输层(5)：50-优选200-电n掺杂层：50-优选100-电p掺杂层：50-优选100-第二空穴传输层(3)：50-优选200-第二发光层(4)：10-优选50-第二电子传输层(5)：50-优选200-电n掺杂层：50-优选100-电p掺杂层：50-优选100-第三空穴传输层(3)：至优选200-第三发光层(4)：10-优选50-第三电子传输层(5)：50-优选200-阴极(6)：200-优选300-
在该“堆栈式器件概念”的另一实施方案中，也可仅堆叠两个OLED或堆叠多于三个OLED。
在白色OLED的另一实施方案中，也可将光源白光产生所提到的两个概念组合。例如，可将单色OLED(例如蓝色)与多色分层OLED(例如红-绿)堆叠。两个概念的其它组合是可能的且为本领域技术人员已知的。
本发明式(I)金属-卡宾配合物可用于白色OLED中的任何上述层中。在优选实施方案中，它用于OLED的一层或更多或所有发光层中，在这种情况下本发明金属-卡宾配合物的结构随配合物的用途变化。用于光OLED的其它层的合适和优选组分或适用作发光层中的基体材料和优选基体材料的材料同样是上文所述的。
本发明还涉及一种包含本发明通式(I)金属-卡宾配合物的有机电子组件，优选有机发光二极管(OLED)、有机光电池(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)或发光电化电池(LEEC)。
以下实施例，更特别是实施例中详述的方法、材料、条件、工艺参数、设备等意欲支持本发明，但不限制本发明的范围。
所有实验在保护气体气氛下进行。
除非另外指出，以下实施例中所提到的百分数和比为重量%和重量比。
实施例1：
2,3-双(N-苯基氨基)吡嗪
将2,3-二氯吡嗪(10.0g，67毫摩尔)在苯胺(35.3ml，376毫摩尔)中的混合物在105℃下搅拌过夜。在冷却至80℃以后，加入水(100ml)。将混合物用50%氢氧化钠溶液调整至pH11并用二氯甲烷和乙酸乙酯萃取。将合并的有机相浓缩至干燥并将粗产物通过柱色谱(硅胶，正己烷/乙酸乙酯4:1)提纯。收率：16.2g(92%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=6.27(brs,2H)，7.00(mc,2H)，7.26-7.30(m,8H)，7.72(s,2H)。
1,3-二苯基吡嗪并咪唑 碘化物
将2,3-双(N-苯基氨基)吡嗪(15.5g，59毫摩尔)在原甲酸三乙酯(100ml)中的混合物与碘化铵(17.1g，118毫摩尔)混合并在80℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将固体抽吸滤出，用石油醚洗涤并在真空干燥箱中在70℃下干燥。收率：19.5g(82%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz)：δ=7.77(mc,2H)，7.84(mc,4H)，8.03-8.08(m,4H)，9.08(s,2H)，11.20(s,1H)。
配合物fac-Em1：
将1,3-二苯基吡嗪并咪唑碘化物(1.6g，4.0毫摩尔)在二烷(95ml)中的悬浮液与分子筛(14g)和氧化银(I)(742mg，3.2毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后加入氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(269mg，0.4毫摩尔)的邻二甲苯(130ml)溶液。将混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至80℃以后，将残余物抽吸滤出并用邻二甲苯洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物在75℃下溶于甲苯(40ml)中。将溶液浓缩并在室温下静止过夜。将沉淀物滤出，用环己烷洗涤并在真空干燥箱中在65℃下干燥。收率：0.8g(95%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz,100℃)：δ=6.51-6.59(m,9H)，6.70(mc,3H)，6.81(mc,3H)，6.90(brm,6H)，7.09(mc,3H)，8.16(d,3H)，8.42(d,3H)，8.66(dd,3H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=474nm，CIE：(0.16；0.24)，QY=93%。
实施例2：
2-N-异丙基氨基-3-氯吡嗪
将2-氨基-3-氯吡嗪(2.7g，20.8毫摩尔)在二氯甲烷(54ml)和冰乙酸(27ml)中的溶液在1℃下与丙酮(4.1ml，56.3毫摩尔)和硼烷-二甲基硫醚配合物(2.2ml，22.9毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。在1℃下加入第二份硼烷-二甲基硫醚配合物(0.8ml)并将混合物再次在室温下搅拌过夜。最后，在1℃下加入第三份硼烷-二甲基硫醚配合物(0.6ml)和丙酮(1.0ml)并将混合物再次在室温下搅拌过夜。将溶液在<10℃下用氨水(38ml)调整至pH9。将有机相除去并用水洗涤。在经硫酸钠干燥以后，将溶液浓缩并保持过夜。将形成的沉淀物滤出并用少许二氯甲烷洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并在真空干燥箱中在40℃下干燥。收率：2.3g(64%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.22(d,6H)，4.16(sept,1H)，5.00(brs,1H)，7.46(d,1H)，7.88(d,1H)。
2-N-苯基氨基-3-N-异丙基氨基吡嗪
将2-异丙基氨基-3-氯吡嗪(5.1g，30毫摩尔)在苯胺(9ml，99毫摩尔)中的混合物在125℃下搅拌过夜。在冷却至90℃以后，加入水。在室温下加入二氯甲烷并将溶液用氨水调整至pH9。将有机相除去，用水洗涤，经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。将粗产物通过柱色谱(硅胶，甲苯/乙酸乙酯8:1)提纯。收率：4.6g(68%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.23(d,6H)，4.15(brs,1H)，4.18(sept,1H)，5.95(brs,1H)，6.96-7.02(m,1H)，7.23-7.32(m,4H)，7.45(d,1H)，7.64(d,1H)。
1-苯基-3-异丙基吡嗪并咪唑 碘化物
2-N-苯基氨基-3-N-异丙基氨基吡嗪(1.2g，5.2毫摩尔)在原甲酸三乙酯(6ml)中的混合物与碘化铵(0.8g，5.7毫摩尔)混合并在80℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将固体抽吸滤出，用少许乙醇和石油醚洗涤，并在真空干燥箱中在50℃下干燥。收率：1.1g(60%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz)：δ=1.76(d,6H)，5.23(sept,1H)，7.67-7.84(m,3H)，7.91-8.02(m,2H)，8.98(d,1H)，9.02(d,1H)，10.72(s,1H)。
配合物mer-Em2：
将1-苯基-3-异丙基吡嗪并咪唑碘化物(166mg，0.48毫摩尔)在二烷(8ml)中的悬浮液与分子筛(1g)和氧化银(I)(89mg，0.38毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后加入氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(30mg，0.05毫摩尔)，并将混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将残余物抽吸滤出并用二氯甲烷洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物通过柱色谱(硅胶，甲苯/乙酸乙酯4:1)提纯。收率：65mg(80%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=0.72(d,3H)，0.77(d,3H)，0.87(d,3H)，1.36(d,3H)，1.45(d,3H)，1.77(d,3H)，4.37-4.53(m,2H)，4.65(sept,1H)，6.57(dd,1H)，6.65-6.74(m,3H)，6.94-7.24(m,5H)，8.17(d,1H)，8.22(d,1H)，8.23(d,1H)，8.28(d,1H)，8.30(d,1H)，8.33(d,1H)，8.60(dd,1H)，8.63(dd,1H)，8.67(dd,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=516nm，CIE：(0.29；0.51)，QY=66%。
配合物fac-Em2：
将mer-Em2(720mg，0.80毫摩尔)的丁酮(70ml)溶液与盐酸(1N，10ml)混合并在回流下搅拌过夜。将溶液浓缩，用二氯甲烷稀释并用水洗涤。有机相经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。将残余物通过柱色谱(硅胶，甲苯/乙酸乙酯10:1)提纯。收率：327mg(45%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz,100℃)：δ=0.86(d,9H)，1.70(d,9H)，4.54(sept,3H)，6.36(d,3H)，6.64(dd,3H)，7.02(dd,3H)，8.17(d,3H)，8.28(d,3H)，8.60(d,3H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=474nm，CIE：(0.16；0.27)，QY=90%。
实施例3：
2-N-苯基氨基-3-氨基吡嗪
将2-氨基-3-氯吡嗪(5.0g，39毫摩尔)在苯胺(12ml，131毫摩尔)中的混合物两次在100℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将混合物用二氯甲烷(80ml)稀释，搅拌过夜并过滤。将固体溶于二氯甲烷(200ml)中并用饱和碳酸氢钠水溶液洗涤。将有机相浓缩至干燥并将残余物在真空干燥箱中在70℃下干燥。收率：5.3g(74%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=4.43(brs,2H)，6.23(brs,1H)，7.03(dd,1H)，7.32(dd,2H)，7.40(d,2H)，7.59(d,1H)，7.62(d,1H)。
1-苯基吡嗪并咪唑
将2-N-苯基氨基-3-氨基吡嗪(5.3g，29毫摩尔)的甲酸(160ml)溶液在回流下搅拌过夜，然后浓缩至干燥。将残余物吸收至二氯甲烷(100ml)中并用饱和碳酸氢钠水溶液洗涤。将水相用二氯甲烷(2×50ml)萃取并将合并的有机相浓缩至干燥。收率：5.6g(98%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=7.49(dd,1H)，7.60(dd,2H)，7.76(d,2H)，8.39(d,1H)，8.56(d,1H)，8.63(s,1H)。
1-苯基-3-甲基吡嗪并咪唑 四氟硼酸盐
将1-苯基吡嗪并咪唑(5.5g，28毫摩尔)的二氯甲烷(400ml)溶液与三甲基氧四氟硼酸盐(4.2g，28毫摩尔)混合并在回流下搅拌过夜。将沉淀物滤出并干燥。产物以约75%的纯度得到。收率：7.3g(87%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz)：δ=4.19(s,3H)，7.71(dd,1H)，7.78(dd,2H)，7.91(d,2H)，8.99(d,1H)，9.04(d,1H)，10.70(s,1H)。
1-苯基-3-甲基吡嗪并咪唑 碘化物
将1-苯基-3-甲基吡嗪并咪唑四氟硼酸盐(7.3g，25毫摩尔，纯度：75%)的乙腈(70ml)溶液与四丁基碘化铵(27.2g，74毫摩尔)的乙腈(67ml)溶液混合并在室温下搅拌过夜。将沉淀物抽吸滤出并用石油醚洗涤。产物以约75%的纯度得到。收率：6.0g(72%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz)：δ=4.19(s,3H)，7.71(dd,1H)，7.78(dd,2H)，7.92(d,2H)，8.99(d,1H)，9.04(d,1H)，10.72(s,1H)。
配合物mer-Em3：
将1-苯基-3-甲基吡嗪并咪唑碘化物(1.0g，2.3毫摩尔)在二烷(60ml)中的悬浮液与分子筛(8.4g)和氧化银(I)(0.4g，1.8毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后加入氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(153mg，0.2毫摩尔)的邻二甲苯(83ml)溶液并将混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将残余物抽吸滤出并用丙酮洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物通过柱色谱(硅胶，二氯甲烷)提纯。收率：44mg(13%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=3.22(s,3H)，3.36(s,3H)，3.37(s,3H)，6.60(dd,1H)，6.70-6.78(m,3H)，6.87(dd,1H)，6.92(dd,1H)，7.01-7.10(m,3H)，8.22(d,1H)，8.27(d,1H)，8.28(d,1H)，8.32(d,1H)，8.35(d,1H)，8.36(d,1H)，8.60(dd,1H)，8.67(dd,1H)，8.68(dd,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=515nm，CIE：(0.29；0.50)，QY=74%。
配合物fac-Em3：
将mer-Em3的丁酮溶液与盐酸混合并在回流下搅拌过夜。将溶液浓缩，用二氯甲烷稀释并用水洗涤。有机相经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。将残余物通过柱色谱提纯。
实施例4
μ-二氯二聚物D1：
N-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基咪唑类似于WO2006/121811的实施例14合成。
首先将3.50g(11.5毫摩尔)1-(2,6-二异丙基苯基)-2-苯基-1H-咪唑装入200ml2-乙氧基乙醇/水(比3/1)中并与1.84g(5.2毫摩尔)氯化铱(III)三水合物混合。将反应混合物回流加热18小时。在冷却以后，加入50ml蒸馏水。将沉淀物滤出，用蒸馏水洗涤并干燥。这得到3.50g(80%)作为黄色粉末的μ-二氯二聚物D1。
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)：
δ=0.95(d,12H)，1.18(d,12H)，1.27(d,12H)，1.34(d,12H)，2.80-2.91(m,8H)，6.08(d,4H)，6.24(d,4H)，6.39(pt,4H)，6.53(pt,4H)，6.97(d,4H)，7.39-7.45(m,8H)，7.59(t,4H)，7.67(d,4H)。
配合物mer-Em7：
将1,3-二苯基吡嗪并咪唑碘化物(0.5g，1.25毫摩尔)在无水二烷(100ml)中的悬浮液与分子筛(10g)和氧化银(I)(0.19g，0.81毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后逐滴加入氯二聚物D1(0.52g，0.31毫摩尔)的二烷(74ml)溶液。其后将混合物在回流下搅拌1小时。将反应混合物冷却并过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂，用甲醇洗涤，然后通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=1/0.25)提纯。这得到0.40g作为橙色粉末的mer-Em7(63%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=0.89(d,3H)，0.90(d,6H)，0.92(d,3H)，1.09(d,3H)，1.16(d,3H)，1.21(d,3H)，1.24(d,3H)，2.13(sept,1H)，2.66(m,2H)，2.73(sept,1H)，6.08-6.23(m,5H)，6.45-6.48(m,3H)，6.66(d,1H)，6.70-6.76(m,3H)，6.85-6.92(m,2H)，6.98(m,4H)，7.08-7.13(m,2H)，7.31(t,2H)，7.35(d,1H)，7.39(d,1H)，7.50(t,1H)，7.55(t,1H)，8.21(d,1H)，8.41(d,1H)，8.80(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=565nm，CIE：(0.44；0.49)。
配合物fac-Em7：
配合物fac-Em7(mer-Em7的异构体)通过将mer-Em7的3-甲氧基丙腈溶液用黑光蓝灯(Osram，L18W/73，λ最大=370-380nm)照射，随后通过柱色谱提纯而得到。
实施例5：
配合物K1：
将5.00g(14.0毫摩尔)苯并咪唑盐S1悬浮于80ml无水甲苯中并冷却至-8℃。然后在10分钟内加入28ml双(三甲基甲硅烷基)酰胺钾(KHMDS，在甲苯中0.5M，14.0毫摩尔)。将混合物在室温下搅拌1小时，然后在-78℃下在15分钟内逐滴加入4.70g(7.0毫摩尔)[(μ-Cl)Ir(η4-1,5-COD)]2的120ml甲苯溶液中。将反应混合物在室温下搅拌1.5小时，然后回流加热19小时。在冷却以后，将沉淀物滤出并用甲苯洗涤。将合并的甲苯相浓缩至干燥并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：二氯甲烷)提纯。这得到5.8g(68%)作为黄色粉末的K1。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=1.17(m,2H)，1.34(m,4H)，1.61(m,2H)，2.43(m,2H)，4.31(m,2H)，7.18(m,2H)，7.25(m,2H)，7.51(m,6H)，7.96(m,4H)。
配合物Em8：
将1,3-二苯基吡嗪并咪唑碘化物(3.17g，7.92毫摩尔)在无水1,4-二烷(140ml)中的悬浮液与分子筛(15g)和氧化银(I)(1.48g，6.34毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后逐滴加入配合物K1(1.60g，2.64毫摩尔)的无水邻二甲苯(200ml)溶液。其后将混合物在回流下搅拌24小时。将反应混合物冷却并过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：乙酸乙酯/环己烷=1/2)提纯。这得到0.80gEm8(30%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=6.20-7.40(非常平的宽信号,8H)，6.26(d,1H)，6.36-6.42(m,3H)，6.59(d,1H)，6.66(t,2H)，6.76-6.85(m,6H)，7.06-7.17(m,4H)，7.29(t,1H)，7.33(t,1H)，8.01(m,2H)，8.04(d,1H)，8.18(d,1H)，8.27(d,1H)，8.31(d,1H)，8.70(d,1H)，8.77(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=480nm，CIE：(0.17；0.31)。
实施例6：
配合物D2：
将4.29g(18.5毫摩尔)氧化银、9.47g(33.1毫摩尔)咪唑碘化物和3.56g(10.1毫摩尔)三氯化铱三水合物悬浮于350ml2-乙氧基乙醇中并在黑暗中在120℃下搅拌15小时。其后在降低的压力下除去溶剂并将残余物用二氯甲烷萃取。将萃取物浓缩至其体积的约四分之一并与甲醇混合。将沉淀的固体滤出并干燥。这得到1.7g配合物D2(31%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=7.59(d,4H)，7.17(d,4H)，6.99(d,4H)，6.73(pt,4H)，6.45(pt,4H)，6.09(d,4H)，3.91(s,12H)。
配合物Em9：
将1,3-二苯基吡嗪并咪唑碘化物(0.59g，1.48毫摩尔)在无水1,4-二烷(35ml)中的悬浮液与分子筛(5g)和氧化银(I)(0.28g，1.18毫摩尔)混合并在室温下搅拌过夜。随后加入配合物D2(0.40g，0.37毫摩尔)在无水邻二甲苯(50ml)中的悬浮液。其后将混合物在回流下搅拌3.5小时。将反应混合物冷却并过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：二氯甲烷)过滤。
这得到作为Em9各自两种不同异构体的混合物的0.11g(20%，橙色粉末，RF=0.39,20/80异构体混合物)的部分1和0.23g(40%，黄色粉末，RF=0.31,40/60异构体混合物)的部分2。
部分1：
MS(Maldi)：
m/e=779(M+H+)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=547nm，CIE：(0.40；0.54)。
部分2：
MS(Maldi)：
m/e=779(M+H+)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=526nm，CIE：(0.33；0.55)。
实施例7：
配合物K2：
将3.10g(9.41毫摩尔)5-甲氧基-1,3,4-三苯基-4,5-二氢-1H-[1,2,4]-三唑在降低的压力(10-3毫巴)下加热至90℃保持16小时。在冷却以后，将残余物吸收至120ml无水甲苯中并与1.38g(2.03毫摩尔)μ-氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物的120ml无水甲苯溶液混合。将反应混合物逐步加热至50℃并在该温度下搅拌1小时。在冷却以后，将橙红色沉淀物滤出，用甲苯洗涤并干燥。这得到2.68gK2(70%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=1.19(m,2H)，1.29(m,2H)，2.14(m,2H)，2.26(m,2H)，2.77(m,2H)，4.95(m,2H)，7.25-7.44(m,26H)，7.82(d,4H)。
配合物Em10：
将0.5g(1.25毫摩尔)1,3-二苯基吡嗪并咪唑碘化物在干二烷(40ml)中的悬浮液与10g分子筛和0.22g(0.95毫摩尔)氧化银(I)混合并在室温下搅拌过夜。随后按份加入0.94g(1.01毫摩尔)配合物K2。将反应混合物在回流下加热过夜。在冷却以后，滤出沉淀物。将滤液浓缩至干燥，通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮)提纯。这得到0.21g发射体Em10(20%)。
实施例8：
配合物K3：
将在230ml无水甲苯中的10.4g(27.6毫摩尔)3-二苯并呋喃-4-基-1-甲基-3H-咪唑-1-碘化物在室温下与55.3ml双(三甲基甲硅烷基)酰胺钾溶液(KHHMDS，在甲苯中0.5M，27.6毫摩尔)逐步混合并搅拌1小时。随后逐滴加入4.68g(6.9毫摩尔)μ-氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物在230ml无水甲苯中的溶液。将反应混合物在回流下加热过夜。在冷却以后，将沉淀物滤出，用少许水洗涤并用乙醇萃取。将萃取物干燥得到6.8g作为橙红色粉末的K3(53%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=1.49(m,2H)，1.84(m,2H)，2.02(m,2H)，2.16(m,2H)，3.29(m,2H)，4.85(m,2H)，6.53(s,2H)，6.93(s,2H)，7.37(d,2H)，7.47-7.62(m,8H)，8.14(d,2H)，8.25(d,2H)。
配合物Em11：
Em11类似于Em10合成。
实施例9：
OLED的生产—不同发射体对比
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-A中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
其后，将下文所述有机材料通过气相沉积在约10-7-10-9毫巴下以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为具有45nm的厚度的Ir(DPBIC)3，其最初35nm掺杂有MoOx(对具有CEm和fac-Em2的二极管而言，10%，对具有fac-Em1的二极管而言，50%)以改善导电性。
(关于Ir(DPBIC)3的制备，参见申请PCT/EP/04/09269中的Ir配合物(7))
随后将发射体(对CEm而言，10%，对fac-Em1和fac-Em2而言，20%)和化合物Ma1(分别90%和80%)的混合物通过气相沉积以40nm的厚度应用，后一种化合物充当基体材料。随后将材料Ma1(对fac-Em1而言)通过气相沉积以5nm的厚度或Ma5(对Em1而言，5nm，对fac-Em2而言，10nm)作为激子和空穴阻断剂应用。
Ma1的合成描述于WO2010079051中，Ma5的合成描述于WO2009003898中。
所用现有技术对比发射体CEm为：
接着，将电子传输体，Liq和BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)(对fac-Em1而言，50:50，对CEm和fac-Em2而言，0:100)的混合物通过气相沉积以对fac-Em1而言，40nm，对CEm和fac-Em2而言，30nm的厚度应用，如对fac-Em1而言，为1.0nm厚liq层，对CEm和fac-Em2而言，0.7nmLiF层，以及最后100nm厚Al电极。将所有组分在惰性氮气气氛下粘合在玻璃盖上。
为表征OLED，记录不同电流和电压下的电致发光光谱。另外，与发射的光输出组合测量电流-电压特征。可通过用光度计标定而将光输出转化成光度参数。二极管的寿命t1/2定义为亮度降至其初始值的50%采用的时间。寿命测量在恒电流下测量。
对于上述OLED结构中不同的发射体，得到以下电光数据：
发射体 CIE 300尼特下的lm/W 300尼特下的t1/2(对CEm的值标准化)
CEm 0.15，0.15 6.5 100%
fac-Em2 0.17，0.30 6.4 714%
fac-Em1 0.17，0.28 4.5 5300%
实施例10：
基体材料(部分1)的影响
改变实施例9中所述结构的发射层。MoOx的掺杂级为50%。将发射体fac-Em1(20%)和不同基体材料(80%)的混合物通过气相沉积以20nm的厚度应用。每种情况下所用空穴/激子阻断剂(5nm)为基体材料。所用电子导体为40nm厚度的BCP和liq(50:50)的混合物。所用电子注入体为liq(1nm)。除Ma1外，使用以下材料。
Ma2、Ma3和Ma4的合成描述于WO2010079051中。
Ma6可通过本领域技术人员已知的方法制备。使9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)-9H-咔唑(参见WO2010079051)与THF中的n-BuLi和2-异丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷反应以得到9-[8-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)二苯并呋喃-2-基]-9H-咔唑(类似于实施例18的步骤1)，然后使其在本领域技术人员已知的铃木(Suzuki)耦合中与1,3-二碘苯反应以得到Ma6。
Ma7的合成描述于实施例19中。
对于上述OLED结构中的不同基体材料，得到以下电光数据(对于Ma5的值标准化)：
基体 CIE 300尼特下的EQE 300尼特下的lm/W 300尼特下的电压
Ma2a,b,c,d,e 0.17，0.28 98% 120% 95%
Ma3f 0.17，0.28 106% 160% 77%
Ma1 0.17，0.26 119% 164% 80%
Ma4f,g 0.17，0.28 109% 176% 72%
Ma5 0.16，0.23 100% 100% 100%
Ma6a 0.17，0.29 120% 171% 83%
Ma7a,f，h 0.17，0.31 133% 275% 60%
a10%MoOx掺杂
b发射层40nm
cMa1作为空穴/激子阻断剂10nm
d电子导体：20nmBCP：Ma180:20
e电子注入体：LiF(0.7nm)
f掺杂水平：70%基体中30%发射体
g电子导体层35nm
h空穴/激子阻断剂10nm，电子导体20nm，电子注入体CsF
实施例10a：
改变实施例10中所述结构的发射层。所用发射层为fac-Em1(30%)和基体(参见下表70%)的混合物。所用空穴导体层为40nmIr(DPBIC)3层，其最初35nm被ReO3(5%)掺杂。所用空穴/激子阻断剂为5nmMa7层。所用电子导体为liq和ETM1(50:50，40nm)的混合物。所用电子注入体为4nm厚度的KF。
ETM1为市售的。
Ma8、Ma9和Ma10的合成描述于JP2006083167中。
对于上述OLED结构中的不同基体材料，得到以下电光数据(对于Ma8的值标准化)：
基体 CIE 300尼特下的EQE
Ma8 0.18，0.31 100%
Ma9 0.17，0.30 145%
Ma10 0.17，0.31 128%
Ma7* 0.16，0.26 154%
*掺杂水平：发射体10%
实施例10b
具有发射体Em8的二极管类似于实施例10构造。空穴导体层为40nm厚。Em8以30%的水平掺杂于Ma4中。所用电子导体层为40nm厚度的ETM1。所用电子注入体为KF(2nm)。
二极管显示出彩色坐标CIE0.19，0.37。在300cd/m2下，电压为3.5V，且发光效率为11lm/W。
实施例10c
二极管类似于关于Ma7的实施例10a构造。所用发射体为Em8而不是fac-Em1。
二极管显示出彩色坐标CIE0.17，0.31。
实施例10d
二极管类似于关于Ma7的实施例10a构造。所用发射体为Em8而不是fac-Em1。基体改变。对于上述OLED结构中的不同基体材料，得到以下电光数据(对于Ma10的值标准化)：
基体 CIE 300尼特下的EQE 300尼特下的lm/W 300尼特下的电压
Ma10 0.17，0.32 100% 100% 100%
Ma8 0.17，0.30 128% 133% 94%
Ma9 0.17，0.30 149% 156% 92%
实施例10e
二极管类似于实施例10a构造。所用发射体为在基体Ma4(80%)中20%的掺杂剂浓度的fac-Em12而不是fac-Em1。空穴/激子阻断剂以10nm的厚度使用。
二极管显示出彩色坐标CIE0.19，0.36。在300cd/m2下，电压为4.0V，且外量子效率为13%。
实施例10f
二极管类似于实施例10a构造。所用发射体为在基体Ma4(80%)中20%的掺杂剂浓度的fac-Em14而不是fac-Em1。空穴/激子阻断剂以10nm的厚度使用。
二极管显示出彩色坐标CIE0.20，0.27。
实施例10g
二极管类似于实施例10a构造。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为45nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初35nm被MoOx(10%)掺杂以改善导电率。空穴/激子阻断剂以10nm的厚度应用。所用发射体为在基体Ma4(80%)中20%的掺杂剂浓度的fac-Em13而不是fac-Em1。
二极管显示出彩色坐标CIE0.14，0.22。在300cd/m2下，电压为3.7V。
实施例10h
二极管类似于实施例10g构造。所用发射体为在基体Ma7(80%)中20%的掺杂剂浓度的fac-Em13。
二极管显示出彩色坐标CIE0.14，0.22。在300cd/m2下，电压为3.6V，且外量子效率为16%。
实施例11：
基体材料(部分2)的影响
改变实施例10中所述结构的发射层。发射体fac-Em1(20%)和一种或两种基体材料的混合物通过气相沉积以20nm的厚度应用。当使用两种基体材料时，两种基体材料以等比使用。所用空穴/激子阻断剂每种情况下为Ma1。
得到以下电光数据：
基体 CIE 300尼特下的电压(对于Ma1的值标准化)
Ma1 0.17，0.26 100%
Ir(DPBIC)3 0.16，0.24 83%
Ma1+Ir(DPBIC)3 0.16，0.23 77%
Ma11 0.17，0.29 93%
Ma11+Ir(DPBIC)3 0.16，0.25 73%
Ma11为市售的。
实施例11a：
如实施例10a构造。所用发射层为Ir(DPBIC)3(35%)、fac-Em1(30%)和基体(35%，参见下表)的混合物。所用空穴/激子阻断剂每种情况下为基体材料。
Ma13的合成描述于WO2009008100中。
Ma12的合成描述于实施例20中，Ma14的合成描述于实施例18中。
对于上述OLED结构中的不同基体材料，得到以下电光数据(对于Ma9的值标准化)：
基体 CIE 300尼特下的EQE 300尼特下的lm/W 300尼特下的电压
Ma9* 0.18，0.32 100% 100% 100%
Ma7 0.18，0.33 105% 112% 97%
Ma4 0.17，0.32 102% 107% 94%
Ma12a 0.17，0.30 117% 124% 91%
Ma13 0.17，0.31 116% 107% 106%
Ma14 0.17，0.31 104% 121% 86%
*所用空穴/激子阻断剂为Ma7
a电子注入层2nm
实施例11b
如实施例10a构造。所用发射层为Ir(DPBIC)3(45%)、Em8(10%)和基体(45%，参见下表)的混合物。
对于上述OLED结构中的不同基体材料，得到以下电光数据(对于Ma9的值标准化)：
基体 CIE 300尼特下的EQE 300尼特下的lm/W 300尼特下的电压
Ma9* 0.17，0.31 100% 100% 100%
Ma4 0.17，0.34 107% 131% 87%
Ma7 0.17，0.35 106% 129% 87%
Ma13a 0.17，0.32 93% 118% 79%
*所用空穴/激子阻断剂为Ma7
a所用电子注入体为CsF(4nm)
实施例11c
如实施例11a构造。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为40nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初35nm被MoOx(50%)掺杂以改善导电率。所用发射层为Ir(DPBIC)3(40%)、fac-Em12(20%)和Ma4(40%)的混合物。所用电子导体层为40nm厚度的ETM1:Liq(75:25)混合物。所用电子注入体为KF(2nm)。
二极管显示出彩色坐标CIE0.20，0.40。在300cd/m2下，电压为3.0V，且外量子效率为13%。
实施例11d
如实施例11b构造。所用发射层为Ir(DPBIC)3(45%)、fac-Em14(10%)和Ma4(45%)的混合物。
二极管显示出彩色坐标CIE0.26，0.39。在300cd/m2下，电压为3.0V。
实施例11e
二极管类似于实施例11a构造。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为45nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初35nm被MoOx(50%)掺杂以改善导电率。所用空穴/激子阻断剂为Ma7(5nm)。所用发射层为Ir(DPBIC)3(40%)、fac-Em13(30%)和Ma4(30%)的混合物。
二极管显示出彩色坐标CIE0.15，0.26。在300cd/m2下，电压为3.4V。
实施例11f
二极管类似于实施例11a构造。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为45nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初35nm被MoOx(10%)掺杂以改善导电率。空穴/激子阻断剂以10nm的厚度应用。所用发射层为Ir(DPBIC)3(40%)、fac-Em13(30%)和Ma7(30%)的混合物。
二极管显示出彩色坐标CIE0.14，0.25。在300cd/m2下，外量子效率为15%。
实施例11g
二极管类似于实施例11a构造。所用发射层为Ir(DPBIC)3(40%)、fac-Em13(30%)和Ma15(30%)的混合物。
二极管显示出彩色坐标CIE0.14，0.23。在300cd/m2下，外量子效率为17%。
Ma15的合成描述于WO2010079051中。
实施例11h
二极管类似于关于Ma12的实施例11a构造。代替Ma12，使用Ma16(参见JP2009267255中的合成)。
二极管显示出彩色坐标CIE0.18，0.34。在300cd/m2下，电压为3.3V。
实施例11i：
白色二极管
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
分层白色二极管(实施例11ia)：
在空穴注入层以后，将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下通过气相沉积以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为20nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初10nm被10%MoOx掺杂以改善导电率。
随后，将10%发射体Red1和90%化合物Ma7的混合物通过气相沉积以6nm的厚度应用，后一种化合物充当基体材料。在另一构型11ib中，上述混合物被10%发射体Red1、60%基体Ma7和30%基体Ir(DPBIC)3的混合物取代。
Red1(关于合成，参见实施例21)
随后将材料fac-Em1、Ma7和Ir(DPBIC)3的混合物通过气相沉积以30nm的层厚度应用。混合比为40%发射体fac-Em1、30%基体Ma7和30%第二基体Ir(DPBIC)3。随后将材料Ma7作为空穴和激子阻断剂以10nm的层厚度应用。所用随后电子导体层为30nm层厚度的Cs2CO3掺杂BCP层。厚度100nm的铝阴极终止二极管。
将所有组分在惰氮气气氛下粘合在玻璃盖上。
堆栈式白色二极管(实施例11ic)：
在空穴注入层以后，将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下通过气相沉积以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。应用于衬底上的空穴导体和激子阻断剂为20nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初10nm被10%MoOx掺杂以改善导电率。
随后将材料fac-Em1、Ma1和Ir(DPBIC)3的混合物通过气相沉积以20nm的厚度应用。混合比为30%发射体fac-Em1、40%基体Ma1和30%基体Ir(DPBIC)3。随后将10nm纯Ma1层作为激子和空穴阻断剂应用。
随后20nm掺杂有Cs2CO3的BCP和60nm掺杂有10%MoOx的Ir(DPBIC)3的组合(在另一构型11id中，具有90nmIr(DPBIC)3)用作电荷产生层。
随后将Ir(DPBIC)3作为空穴导体和激子阻断剂以10nm的厚度应用于衬底上。随后材料Red1、NPD和Ma17的混合物以20nm的厚度应用。混合比为10%发射体Red1、40%基体NPD和50%第二基体Ma17。
(来自WO04039786的化合物E2)
随后10nm纯BAlq层作为激子和空穴阻断剂应用。
所用随后电子导体层为50nm层厚度的Cs2CO3掺杂BCP层。厚度100nm的铝阴极终止二极管。
将所有组分在惰氮气气氛下粘合在玻璃盖上。
为表征OLED，记录不同电流和电压下的电致发光光谱。另外，与发射的光输出组合测量电流-电压特征。可通过用光度计标定而将光输出转化成光度参数。
对于白色OLED的两个工作实施例，得到以下电光数据：
实施例 CIE 1000尼特下的lm/W 1000尼特下的EQE*
11ia 0.33，0.36 14.8lm/W 13.8%
11ib 0.29，0.36 16.4lm/W 12.9%
11ic 0.3，0.3 18.5lm/W 30.0%
11id 0.35，0.37 21.5lm/W 29.3%
*EQE—外量子效率。正向测量，其中假定朗伯光强度分布。
实施例11j：液体加工发射层
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
其后将空穴导体和激子阻断剂Ir(DPBIC)3由液相应用。为此，将Ir(DPBIC)3的THF溶液以10mg/ml的浓度以5000转/分(rpm)(旋涂)的速度旋涂于其上。
随后，由发射体fac-Em1和主体Ma7组成的发射层同样由液相应用。为此，将fac-Em1和Ma7的二氯甲烷溶液以10mg/ml的浓度以5000rpm的速度旋涂于其上。发射体与主体之间的固体重量比为30:70。
随后将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下通过在降低的压力下气相沉积以约0.5-5nm/min的速率应用于已存在的层上。
首先10nm纯Ma7作为激子阻断剂通过气相沉积应用。随后电子导体ETM1:Liq(50:50)通过气相沉积以20nm的层厚度应用。
接下来的电子注入体为1nmCsF，并将100nm铝作为阴极应用。将所有组分在惰氮气气氛下粘合在玻璃盖上并显示出彩色坐标CIEx=0.20，y=0.35。
实施例12：
混合电子导体层的影响
改变关于fac-Em1的实施例9中所述结构的电子传输层。得到以下电光数据：
实施例13：
发射体Em12：
2,3-双-(N-4’-甲基苯基氨基)吡嗪
将2,3-二氯吡嗪(13.4g，90毫摩尔)在对甲苯胺(21.2g，198毫摩尔)中的混合物在110℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将混合物吸收至二氯甲烷(200ml)中并通过用25%氢氧化钠溶液摇动而萃取。将合并的有机相经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。将残余物用石油醚搅拌，抽吸过滤并用环己烷洗涤。收率：15.7g(60%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=2.30(s,6H)，6.24(brs,2H)，7.10(d,4H)，7.18(d,4H)，7.67(s,2H)。
2-乙氧基-1,3-双(4’-甲基苯基)吡嗪并咪唑啉
2,3-双(N-4’-甲基苯基氨基)吡嗪(4.0g，14毫摩尔)在原甲酸三乙酯(65ml)中的混合物在75℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将混合物过滤并将滤液浓缩至干燥。将残余物从甲基叔丁基醚中再结晶。收率：3.3g(70%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=0.99(t,3H)，2.32(s,6H)，3.24(q,2H)，7.16(s,1H)，7.21(d,4H)，7.42(s,2H)，7.85(d,4H)。
配合物fac-Em12：
将2-乙氧基-1,3-双(4’-甲基苯基)吡嗪并咪唑啉(3.5g，10毫摩尔)的邻二甲苯(60ml)溶液与分子筛(6g)和氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(672mg，1.0毫摩尔)混合。将混合物在115℃下搅拌过夜。在冷却至80℃以后，将残余物抽吸滤出并用二氯甲烷洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物用热异丙醇洗涤。将粗产物通过柱色谱(硅胶，甲苯→二氯甲烷)提纯。收率：0.8g(37%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.85(s,9H)，2.06(s,9H)，6.44(s,3H)，6.91(d,3H)，7.97(d,3H)，8.27(d,3H)，8.56(d,3H)。非环金属化甲苯环的12个质子因为芳族体系的旋转而在室温下仅可在芳族区域中作为非常宽的仰角辨别。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=485nm，CIE：(0.18；0.36)，QY=85%。
实施例14：
发射体Em13：
吡嗪化合物(a)
将3,3,5,5-四甲基环戊烷-1,2-二酮(关于合成，参见：T.Laitalainen，Finn.Chem.Lett.1982，10)(30.5g，188毫摩尔)和乙二胺(15.9ml，235毫摩尔)在乙醇(1.45l)中的混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至45℃以后，加入氧化锰(IV)(36.0g，414毫摩尔)和氢氧化钾(11.6g，207毫摩尔)，并将混合物在回流下搅拌5小时。在冷却至70℃以后，将混合物过滤并将滤液在室温下用10%盐酸中和。将悬浮液过滤并将滤液浓缩至干燥。将残余物通过硅胶用二氯甲烷柱过滤。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.33(s,12H)，1.98(s,2H)，8.30(s,2H)。
吡嗪化合物(b)
将吡嗪化合物(a)(18.1g，98毫摩尔)和水(750ml)的混合物与过氧单硫酸钾(Oxone，144g，234毫摩尔)混合并在50℃下搅拌过夜。将水相用二氯甲烷萃取，用水洗涤两次，经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。收率：17.0g(84%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.51(s,12H)，1.97(s,2H)，7.78(s,2H)。
吡嗪化合物(c)
将吡嗪化合物(b)(18.3g，83毫摩尔)在磷酰氯(325ml)中的混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将溶液谨慎地逐滴加入冰水(5l)和二氯甲烷(1.5l)的混合物中。在用浓氢氧化钠溶液中和以后，将有机相除去，用水洗涤三次，经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。这提供产物(约80%)和一氯化副产物(约20%)的混合物，其不进一步后处理而使用。纯产物可通过在石油醚中搅拌而得到。总收率：19.2g(94%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.29(s,12H)，1.99(s,2H)。
吡嗪化合物(d)
将吡嗪化合物(c)(5.5g，22毫摩尔)和苯胺(24.6ml，270毫摩尔)在邻二甲苯(65ml)中的混合物在150℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将沉淀物抽吸滤出并用甲苯洗涤。将合并的滤液在硅胶的存在下浓缩至干燥。将残余物通过硅胶用环己烷和乙酸乙酯的混合物过滤，并将滤液浓缩至干燥。收率：6.6g(81%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.28(s,12H)，1.95(s,2H)，6.25(brs,2H)，6.90-6.95(m,2H)，7.21-7.27(m,8H)。
吡嗪化合物(e)
将吡嗪化合物(d)(0.50g，0.7毫摩尔)在原甲酸三乙酯(3.5ml)中的混合物与碘化铵(0.31g，2.1毫摩尔)混合并在85℃下搅拌2小时。在冷却至室温以后，将固体抽吸滤出，用原甲酸三乙酯、冷乙醇和正庚烷洗涤，并在真空干燥箱中在65℃下干燥。收率：0.16g(46%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz)：δ=1.41(s,12H)，2.19(s,2H)，7.74(dd,2H)，7.82(dd,4H)，8.01(d,4H)，10.98(s,1H)。
配合物fac-Em13：
将吡嗪化合物(e)(1.1g，2.1毫摩尔)在二烷(60ml)中的悬浮液与分子筛(11g)和氧化银(I)(0.5g，2.1毫摩尔)混合，并在室温下搅拌过夜。随后加入氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(142mg，0.2毫摩尔)的邻二甲苯(75ml)溶液。将混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至80℃以后，将残余物抽吸滤出。将滤液在旋转蒸发器上浓缩至约60ml的体积并保持过夜。将沉淀物滤出，用甲苯和正己烷洗涤并在真空干燥箱中在85℃下干燥。收率：0.3g(57%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.15(s,9H)，1.35(s,9H)，1.46(s,9H)，1.59(s,9H)，2.11(mc,6H)，6.67(d,3H)，6.73(dd,3H)，6.79(dd,3H)，7.14(dd,3H)，8.86(d,3H)。非环金属化苯环的15个质子中12个因为芳族体系的旋转而在室温下仅可在芳族区域中作为非常宽的仰角辨别。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=474nm，CIE：(0.14；0.24)，QY=91%。
实施例15：
发射体Em14：
2,3-双(N-4’-氟苯基氨基)吡嗪
将2,3-二氯吡嗪(8.6g，58毫摩尔)和4-氟苯胺(66.3g，148毫摩尔)在邻二甲苯(100ml)中的混合物在130℃下搅拌过夜并在140℃下搅拌4小时。在冷却至室温以后，将混合物浓缩至干燥并将残余物吸收到二氯甲烷(300ml)、水(100ml)和氨(在水中25%，100ml)中。将有机相取出，用水洗涤两次，经硫酸钠干燥并浓缩至干燥。将残余物用石油醚搅拌，抽吸过滤并用甲基叔丁基醚洗涤。收率：12.7g(73%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=6.30(brs,2H)，7.03(dd,4H)，7.31(dd,4H)，7.72(s,2H)。
2-乙氧基-1,3-双(4’-氟苯基)吡嗪并咪唑啉
将2,3-双(N-4’-氟苯基氨基)吡嗪(1.2g，4毫摩尔)在原甲酸三乙酯(36ml)中的混合物与硫酸钠(4.7g)和分子筛(4.7g)混合，并在100℃下搅拌24小时。在冷却至室温以后，将混合物通过硫酸钠和棉绒过滤，并用甲基叔丁基醚洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥。将残余物用正己烷搅拌并抽吸过滤。收率：0.6g(42%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.01(t,3H)，3.26(q,2H)，7.08-7.16(m,5H)，7.46(s,2H)，7.98(dd,4H)。
配合物fac-Em14：
将2-乙氧基-1,3-双(4’-氟苯基)吡嗪并咪唑啉(560mg，1.60毫摩尔)的邻二甲苯(60ml)溶液与硫酸钠(4.7g)、分子筛(4.7g)和氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(107mg，0.16毫摩尔)混合。将混合物在110℃下搅拌过夜。在再次加入氯(1,5-环辛二烯)铱(I)二聚物(107mg，0.16毫摩尔)以后，将混合物在110℃下搅拌5小时。在冷却至80℃以后，将残余物抽吸滤出并用二氯甲烷洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物通过柱色谱(硅胶，氯仿→甲苯)提纯。收率：133mg(19%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=6.30(dd,3H)，6.84(ddd,3H)，8.09(d,3H)，8.36(d,3H)，8.71(dd,3H)。非环金属化4-氟苯环的12个质子因为芳族体系的旋转而在室温下仅可在芳族区域中作为非常宽的仰角辨别。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=458nm，CIE：(0.17；0.17)，QY=58%。
实施例16：
发射体Em15
2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪
将15.30g(58.3毫摩尔)2,3-双(N-苯基氨基)吡嗪、68.00g硫酸钠和68.00g分子筛(4A)在270ml原甲酸三乙酯中加热至90℃保持45小时。在冷却以后，将固体滤出并用甲基叔丁基醚洗涤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂。将因此所得红褐色油用少许正庚烷重复地搅拌并在此在降低的压力下干燥。将残余物通过柱色谱(硅胶，洗脱液：4/1环己烷/丙酮)提纯。这得到11.39g(61%)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪。
1HNMR(DMSO-D6,500MHz)：δ=0.88(t,3H)，3.17(q,2H)，7.16-7.20(m,2H)，7.45-7.48(m,4H)，7.52(s,2H)，7.76(s,1H)，8.04-8.06(m,4H)。
配合物Em15
将1.85g(4.90毫摩尔)二氯(1,5-环辛二烯)铂(II)在室温下加入1.85g(5.82毫摩尔)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪在60ml丁酮的溶液中。将悬浮液在回流下加热4小时。然后在室温下加入1.64g(7.84毫摩尔)乙酰丙酮酸银(I)。其后将混合物在回流下加热过夜。在冷却以后，将悬浮液过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：二氯甲烷)提纯。这得到0.24gEm15(9%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.36(s,3H)，2.02(s,3H)，5.36(s,1H)，7.07(dt,1H)，7.17(dt,1H)，7.57-7.65(m,5H)，7.81(dd,1H)，8.20(dd,1H)，8.30(d,1H)，8.43(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=484nm，CIE：(0.22；0.34)。
实施例17：
发射体Em16
配合物K4
将0.63g(0.94毫摩尔)双(1,5-环辛二烯)二铱(I)氯化物在50ml无水甲苯中的溶液在室温下逐滴加入0.60g(1.88毫摩尔)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪在30ml无水甲苯中的溶液中。将混合物在60℃下搅拌30分钟并在90℃下搅拌24小时。在冷却以后，在降低的压力下除去溶剂并将残余物通过柱色谱(硅胶，洗脱液：100/1二氯甲烷/甲醇)提纯。这得到0.85g(75%)K4。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.32-1.38(m,2H)，1.44-1.52(m,2H)，1.53-1.59(m,2H)，1.73-1.81(m,2H)，2.55-2.59(m,2H)，4.60-4.62(m,2H)，7.58-7.65(m,6H)，8.13-8.15(m,4H)，8.29(s,2H)。
配合物Em16：
将在30ml无水甲苯中的0.75g(2.09毫摩尔)N,N’-二苯基苯并咪唑四氟硼酸盐(合成类似于WO2005/019373)在0℃下与4.20ml(2.10毫摩尔)0.5摩尔六甲基二甲硅烷基酰胺钾(KHMDS)甲苯溶液混合。使混合物解冻至室温并搅拌1小时。然后逐滴加入0.61g(0.99毫摩尔)K4在150ml无水甲苯中的溶液并将混合物搅拌另外30分钟。随后将混合物回流加热1小时。在冷却以后，将反应混合物过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=4/1)提纯。这得到0.30gEm16(30%收率)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=6.10-7.20(非常平的宽信号,4H)，6.19(br.d,1H)，6.22-6.25(m,2H)，6.37-6.50(m,5H)，6.61(br.d,2H)，6.67(br.d,1H)，6.72-6.81(m,6H)，7.02-7.17(m,5H)，7.27-7.34(m,4H)，7.95(d,1H)，8.00-8.02(m,2H)，8.14(d,1H)，8.18(d,1H)，8.26(d,1H)，8.71(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=489nm，CIE：(0.19；0.38)，98%QY。
实施例18：
2,8-二(二苯并呋喃-2-基)二苯并呋喃，Ma14的制备
步骤1：
将10.4g(42.09毫摩尔)2-溴二苯并呋喃(根据J.Med.Chem52(7)，1799-1802，2009制备)称重装入具有磁力搅拌器、温度计、隔膜和氮气层的烘焙1L三颈圆底烧瓶中。加入300mlTHF(经钠处理绝对无水)，并将清澈的无色溶液冷却至-78℃，同时在氩气气氛下搅拌。在30分钟内逐滴加入17.1ml(46.3毫摩尔)2.7M丁基锂的己烷溶液，在此过程中将内部温度保持在<73℃。这之后在该温度下搅拌另外30分钟。其后将8.61g(46.3毫摩尔)2-异丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷在40分钟内逐滴加入黄色悬浮液中，在此过程中将内部温度保持在<73℃。这之后在该温度下搅拌另外60分钟。将反应混合物加热至RT并将清澈的黄色溶液倒在200mlpH7缓冲剂上，并加入23ml2NHCl。将溶剂在Rotavap上浓缩并将水相用250mlEtOAc萃取3次。将合并的有机相用100ml饱和NaCl溶液洗涤，经硫酸镁干燥，过滤并浓缩。这得到12.95g白色固体，将其与50mlMeOH混合并加热至回流。将形成的清澈溶液冷却至室温，同时搅拌，然后冷却至0℃。将形成的悬浮液过滤并将残余物用10ml冰冷MeOH洗涤两次，并在真空干燥箱中在50℃/120T下干燥过夜。这得到8.97g(71.6%理论值)纯度为98.3%的2-二苯并呋喃-2-基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷。NMR和MS数据符合提出的结构。
步骤2：
首先将4.09g(9.73毫摩尔)2,8-二碘二苯并呋喃(根据J.Amer.Chem.Soc.124(40)，11900-11907，2002制备)、6.30g(21.04毫摩尔)2-二苯并呋喃-2-基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷、6.86g(49.67毫摩尔)碳酸钾、180ml甲苯、79mlEtOH和37mlH2O2装入具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器和氮气层的500ml三颈烧瓶中，并将该设备抽空并用氩气填充4次。随后加入1.58g(1.36毫摩尔)四(三苯基膦)铂，将设备抽空，并用氩气填充4次。然后将反应混合物加热至回流，同时强力搅拌4小时，然后用200ml甲苯稀释并冷却至室温。分离相并将有机相用150ml水洗涤两次，经硫酸镁干燥，过滤并浓缩。这得到5.72g褐色固体。通过快速色谱用己烷/甲苯=5:2作为洗脱液提纯以99.3%的纯度得到1.20g作为白色固体的2,8-二(二苯并呋喃-2-基)二苯并呋喃。NMR和MS数据符合提出的结构。
实施例19
Ma7的制备
在Schlenk烧瓶(手套箱)中将Ni(COD)2(9.03g，32.8毫摩尔)、1,5-环辛二烯(3.55g，32.8毫摩尔)和2,2’-联吡啶(5.12g，32.8毫摩尔)溶于干DMF(140ml)中。将混合物在80℃下搅拌30分钟。逐步加入9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)-9H-咔唑(11.75g，11.8毫摩尔)的干甲苯(380ml)溶液。在氩气下在80℃下搅拌24小时以后，将混合物冷却至室温，加入MeOH/HCl(1:1，2000ml)中并搅拌1小时。将有机相用甲苯萃取，经Na2SO4干燥并浓缩。LC(SiO2；环己烷/CH2Cl2；4/1)得到Ma7(9.14g，87%)。
1HNMR(400MHz,CD2Cl2)：8.25(2H,d,J=2Hz)，8.19(2H,d,J=2Hz)，8.15(4H,d,J=8Hz)，7.88(1H,d,J=2Hz)，7.83(1H,d,J=2Hz)，7.77(4H、AB,J=8Hz)，7.65(1H,d,J=2Hz)，7.62(1H,d,J=2Hz)，7.43-7.38(8H,m)，7.31-7.24(4H,m)。
实施例20
Ma12的制备
步骤1：
将t-BuLi(在戊烷中1.7M)(46.8ml，79.4毫摩尔)在氩气下在-30℃下逐滴加入二苯醚(6ml，37.8毫摩尔)的干THF(82ml)溶液中。将混合物在-30℃下搅拌5.5小时，然后加入苯基硅烷(4.64g，41.6毫摩尔)。将混合物在-30℃下搅拌另外1小时，然后加热至室温过夜。加入酸化冰(H2SO4)并将有机相用CH2Cl2萃取，经Na2SO4干燥，过滤并浓缩。从MeHO中再结晶得到10-苯基苯并硅烷(phenoxasilin)(49%)。
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)：7.57(2H,dd,J=8.0Hz,J=1.6Hz)，7.48-7.35(7H,m)，7.23(2H,d,J=8.4Hz)，7.11(2H、AB,J=7.2Hz,J=0.8Hz)，5.50(1H,s)。
步骤2：
将n-BuLi(在己烷中1.6M)(2.44ml，3.9毫摩尔)在Ar下在0℃下逐步加入9-(8-溴二苯并呋喃-2yl)-9H-咔唑(1.24g，3毫摩尔)的二乙醚(60ml)溶液中。在0℃下搅拌20分钟以后，在0℃下加入10-苯基苯并硅烷(0.99g，3.6毫摩尔)的二乙醚(10ml)溶液。将混合物加热至室温，同时搅拌过夜。加入饱和NH4Cl溶液，并将有机相用二乙醚萃取，经Na2SO4干燥，过滤并浓缩。从环己烷/CH2Cl2中再结晶以51%收率得到9-(8-(10-苯基-10H-二苯并[b,e][1,4]硅烷-10-基)二苯并[b,d]呋喃-2-基)-9H-咔唑(0.92g)。
1HNMR(CD2Cl2,400MHz)：8.16(1H,s)，8.14(2H,d,J=8.0Hz)，8.03(1H,d,J=2.0Hz)，7.78(1H,d,J=8.4Hz)，7.72(1H,d,J=8.0Hz)，7.65(1H,d,J=8.4Hz)，7.62-7.58(5H,m)，7.46(2H,t,J=7.4Hz,J=2.0Hz)，7.40-7.33(7H,m)，7.33-7.24(4H,m)，7.13(2H,t,J=7.2Hz)。13CNMR(CD2Cl2,125MHz)：110.0，112.3，113.3，116.4，118.6，120.3，120.5，120.6，123.4，123.6，124.4，125.7，126.4，127.3，128.6，128.8，129.3，130.5，132.2，133.3，134.3，135.7，136.2，141.2，155.6，158.8，160.8。
实施例21
Red1的合成
a)3-异丁基菲并[9,10-b]吡嗪根据专利申请WO2009/100991中的实施例9c，从32.2g(0.14摩尔)二苯并[f，h]喹啉出发，用90ml(0.15摩尔)1.7M异丁基锂的庚烷溶液和50g氧化锰(IV)制备。将粗产物通过硅胶热过滤并将滤液在降低的压力下浓缩。将所得固体在乙醇中经另外18小时搅拌过夜。过滤和用乙醇洗涤得到作为浅米色固体的产物(收率：8.7g，31%)。
b)首先将8.0g(28毫摩尔)3-异丁基菲并[9,10-b]吡嗪和4.82g(13.2毫摩尔)氯化铱(III)水合物(铱含量53.01%)在室温下装入100ml2-乙氧基乙醇中。将浅黑色悬浮液在123℃下搅拌24小时。过滤所得红色悬浮液，并将固体用乙醇洗涤，然后在降低的压力下进一步干燥。得到作为红色粉末的产物21a(收率：10.1g，95%)。
c)首先将4.95g(3.1毫摩尔)产物21a和3.3g(3.1毫摩尔)碳酸钠装入40ml2-乙氧基乙醇和20mlN,N-二甲基甲酰胺中。将红色悬浮液与2.5g(24.8毫摩尔)乙酰丙酮混合，然后在121℃下搅拌70分钟。过滤所得暗红色悬浮液，然后将固体用乙醇搅拌一次并用水搅拌两次，并用己烷洗涤。得到作为红色粉末的产物(收率：4.3g，81%)。
1HNMR(CDCl3,400MHz)：δ=1.15(t,12H)，1.86(s,6H)，2.40-2.50(m,2H)，3.10-3.15(m,4H)，5.35(s,1H)，6.45(d,2H)，7.04(6,2H)，7.73-7.82(m,4H)，7.93(d,2H)，8.56(d,2H)，8.67(s,2H)，9.33(d,2H)。
实施例22：
发射体Em17
(2-氯吡啶-3-基)异丙胺：
将12.5ml(9.7g，167.0毫摩尔)丙酮和75ml冰乙酸加入8.0g(62.2毫摩尔)3-氨基-2-氯吡啶在150ml无水二氯甲烷的溶液中。在0℃下，加入6.5ml(5.2g，68.4毫摩尔)硼烷-二甲基硫醚配合物。在气体发展结束以后，将混合物解冻至室温并进一步搅拌过夜。然后通过加入25%氨溶液将pH调整至8。加入50ml水。将水相用每次50ml二氯甲烷萃取三次。将合并的有机相经硫酸钠干燥并除去溶剂。这得到10.5g(99%)黄色油。
1HNMR(DMSO-D6,500MHz)：δ=1.18(d,6H)，3.64(sept,1H)，4.96(d,1H)，7.07(d,1H)，7.17(dd,1H)，7.57(dd,1H)。
2-N-苯基氨基-3-N-异丙基氨基吡啶：
将10.5g(61.5毫摩尔)(2-氯吡啶-3-基)异丙胺与5.84g(62.5毫摩尔)苯胺混合并将混合物在184℃下搅拌16小时。在冷却至室温以后，加入50ml水。将混合物搅拌1小时，并将NaOH水溶液调整至pH=11。将混合物用每次50ml二氯甲烷萃取3次。将合并的有机相经硫酸钠干燥并在降低的压力下除去溶剂。将残余物通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/乙酸乙酯=5/1)提纯。这得到7.5g(53%)浅褐色固体。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.21(d,6H)，3.23(sbr,1H)，3.57(sept,1H)，6.26(sbr,1H)，6.83(dd,1H)，6.92-6.99(m,2H)，7.25-7.29(m,4H)，7.70(dd,1H)。
1-苯基-3-异丙基吡啶并咪唑 碘化物：
将7.3g(32.1毫摩尔)2-N-苯基氨基-3-N-异丙基氨基吡啶溶于30ml原甲酸三乙酯，并加入4.8g(33.1毫摩尔)碘化铵。将反应混合物在82℃下搅拌过夜。在冷却以后，将形成的浅黄色固体滤出，用3×15ml石油醚和3×30ml二氯甲烷洗涤并干燥。这得到10.2g(86%)咪唑盐。
1HNMR(DMSO-D6,500MHz)：δ=1.72(d,6H)，5.19(sept,1H)，7.67-7.70(m,1H)，7.73-7.76(m,2H)，7.86-7.88(m,1H)，7.95-7.97(m,2H)，8.81-8.82(m,2H)，10.43(s,1H)。
配合物K5
将3.00g(8.21毫摩尔)1-苯基-3-异丙基吡啶并咪唑碘化物悬浮于45ml无水甲苯中。在-8℃下，加入16.42ml0.5摩尔KHMDS的甲苯(8.21毫摩尔)溶液。将混合物解冻至室温并搅拌1小时。然后在-78℃下将红色悬浮液加入2.76g(4.11毫摩尔)双(1,5-环辛二烯)二铱(I)氯化物在75ml无水甲苯中的溶液中。其后，将混合物在室温下加热1.5小时并在回流下加热1小时。在冷却以后，过滤反应混合物。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：二氯甲烷)提纯。这得到3.70g(68%)作为黄色粉末的配合物K5。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.02-1.08(m,1H)，1.16-1.21(m,1H)，1.37-1.42(m,1H)，1.59-1.72(m,3H)，1.76(dd,6H)，2.07-2.18(m,2H)，2.51-2.55(m,1H)，3.15-3.18(m,1H)，4.65-4.69(m,1H)，4.87-4.91(m,1H)，6.06(sept,1H)，7.23(dd,1H)，7.49-7.56(m,3H)，7.85(dd,1H)，8.04-8.06(m,2H)，8.22(dd,1H)。
配合物Em17：
将0.90g(2.83毫摩尔)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪在50ml无水邻二甲苯中的溶液在室温下连续地与10g分子筛和0.86g(1.29毫摩尔)K5在75ml无水邻二甲苯中的溶液混合。将混合物在115℃下搅拌22小时。将它冷却，然后过滤。在降低的压力下从滤液中除去溶剂并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=4/1)提纯。这得到0.53g(42%)作为黄色粉末的Em17。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=0.62(d,3H)，1.06(d,3H)，4.28(sept,1H)，6.35-7.53(非常平的宽信号,8H,非环金属化苯环的邻-和间-H)，6.52(dd,1H)，6.59(dd,1H)，6.64(dd,1H)，6.72-6.77(m,3H)，6.81(dt,1H)，6.97-7.01(m,1H)，7.05-7.08(m,2H)，7.14(dt,1H)，7.19(dt,1H)，7.41(dd,1H)，8.07(d,1H)，8.12(d,1H)，8.34(dd,2H)，8.37(dd,1H)，8.69(dd,1H)，8.80(dd,1H)，8.95(dd,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=484nm，CIE：(0.17；0.34)，95%QY。
实施例23：
配合物Em18：
将1.06g(2.98毫摩尔)2-乙氧基-1,3-双(4-氟苯基)-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪(2-乙氧基-1,3-双-(4′-氟苯基)吡嗪并咪唑啉)加入1.00g(1.49毫摩尔)[(μ-Cl)Ir(η4-1,5-COD)]2在100ml邻二甲苯中的溶液中。随后将所得溶液在65℃下搅拌20小时。在加入1.80g(5.66毫摩尔)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪以后，将反应混合物在95℃下搅拌另外48小时。在冷却以后，将沉淀物滤出并用邻二甲苯和环己烷洗涤。将合并的有机相浓缩至干燥并通过柱色谱(硅胶，洗脱液：乙酸乙酯/环己烷=1/4)提纯。这得到0.30g(20%)作为黄色粉末的Em18。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=6.20-6.90(非常平的宽信号,8H)，6.28(dd,1H)，6.65(ddd,3H)，6.59(d,1H)，6.80-6.86(m,6H)，7.14-7.19(m,2H)，8.05(d,1H)，8.07(dd,2H)，8.32(d,1H)，8.35(t,2H)，8.72(dd,1H)，8.76(dd,2H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=466nm，CIE：(0.15；0.19)；QY=95%。
实施例24：
配合物Em19：
将0.47g(1.49毫摩尔)2-乙氧基-1,3-二苯基-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪加入0.50g(0.74毫摩尔)[(μ-Cl)Ir(η4-1,5-COD)]2在50ml邻二甲苯中的溶液中。随后将所得溶液在60℃下搅拌22小时。在加入1.04g(2.94毫摩尔)2-乙氧基-1,3-双(4-氟苯基)-2,3-二氢-1H-咪唑并[4,5-b]吡嗪以后，将反应混合物在95℃下搅拌另外48小时。在冷却以后，将反应混合物浓缩至干燥。将固体残余物溶于二氯甲烷/环己烷中并通过C盐过滤。将滤液浓缩至干燥并将残余物通过柱色谱(硅胶，洗脱液：乙酸乙酯/环己烷=1/4)提纯。这得到0.17g(11%)作为黄色粉末的Em19。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：
δ=6.20-6.90(非常平的宽信号,8H)，6.31(ddd,3H)，6.68(dd,2H)，6.83-6.88(m,4H)，7.21(dt,1H)，8.10(dd,2H)，8.12(d,1H)，8.37(t,2H)，8.40(d,1H)，8.71-8.75(m,2H)，8.79(dd,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=461nm，CIE：(0.15；0.16)；QY=90%。
实施例25：
发射体Em20
吡嗪化合物(f)
将10.5g(29.3毫摩尔)吡嗪化合物(d)和15.0g分子筛(5A)在230ml原甲酸三乙酯中加热至120℃保持48小时。在冷却以后将固体滤出并在降低的压力下从滤液中除去溶剂。将所得褐色油通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/乙酸乙酯=9/1)提纯。将产物部分合并并从甲基叔丁基醚中再结晶。这得到4.63g(38%)吡嗪化合物(f)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.06(t,3H)，1.33(s,6H)，1.34(s,6H)，1.98(s,2H)，3.32(q,2H)，7.12-7.16(m,2H)，7.21(s,1H)，7.40-7.47(m,4H)，8.11-8.16(m,4H)。
配合物Em20：
首先将1.9g(1.8毫摩尔)吡嗪化合物(f)在200ml邻二甲苯(无水)中的溶液用20g分子筛装料，并加入1.26g(0.8毫摩尔)配合物K1在150ml邻二甲苯(无水)中的溶液。随后将反应混合物在115℃下搅拌18小时。在冷却以后，过滤反应混合物。将滤液浓缩至干燥，通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=4/1)提纯，然后从二氯甲烷/甲醇中再结晶。这之后是通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=10/1)的另外提纯。这得到0.75g(30%)作为浅黄色粉末的Em20。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=1.13(d,6H)，1.36(d,6H)，1.45(d,6H)，1.58(d,6H)，2.03-2.16(m,4H)，6.18-6.43(m,5H)，6.44-6.97(m,broad,15H)，6.98-7.22(m,6H)，7.32(t,1H)，7.99(d,1H)，8.17(d,1H)，8.78(d,1H)，8.90(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=479nm，CIE：(0.14；0.29)，95%QY。
实施例26：
发射体Em21
2,3-二(N-苯基氨基)吡啶：
将2,3-二氨基吡啶(8.9g，9毫摩尔)和碘代苯(17.8ml，18毫摩尔)在二烷(270ml)中的悬浮液与三(二亚苄基丙酮)二铂(838mg，0.1毫摩尔)、9,9-二甲基-4,5-双(二苯膦)呫吨(1.4g，0.3毫摩尔)、叔丁醇钠(15.4g，18毫摩尔)和水(2.3g)混合。将混合物在回流下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将沉淀物抽吸滤出并用二氯甲烷洗涤。将合并的滤液浓缩至干燥并将残余物溶于二氯甲烷(125ml)和环己烷(150ml)中并柱过滤。将产物部分浓缩并滤出沉淀产物。
收率：14.2g(67%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz,0698403439)：δ=5.19(brs,1H)，6.71-6.76(m,3H)，6.84(dd,1H)，6.89-6.96(m,2H)，7.19(dd,2H)，7.23(dd,2H)，7.39(d,1H)，7.51(d,2H)，8.02(d,1H)。
2,3-二(N-苯基氨基)吡啶氢氯化物：
将2,3-二(N-苯基氨基)吡啶(14.2g，54毫摩尔)在盐酸(200ml)中的悬浮液在室温下搅拌过夜。将混合物浓缩至干燥。收率：14.0g(87%)。
1HNMR(d6-DMSO,500MHz,0698403873)：δ=6.94-7.00(m,2H)，7.17(d,2H)，7.30(mc,3H)，7.40-7.51(m,5H)，7.74(dd,1H)。NH质子不可检测。
1,3-二苯基-4-氮杂苯并咪唑 氯化物：
将2,3-二(N-苯基氨基)吡啶氢氯化物(14.0g，47毫摩尔)在原甲酸三乙酯(160ml)中的混合物在105℃下搅拌过夜。在冷却至室温以后，将固体抽吸滤出并用原甲酸三乙酯洗涤。收率：10.3g(71%)。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=7.55-7.73(m,7H)，8.08(dd,2H)，8.19(dd,1H)，8.33(dd,2H)，8.80(dd,1H)，12.24(s,1H)。
配合物Em21
将0.65g1,3-二苯基-4-氮杂苯并咪唑氯化物(2.1毫摩尔)悬浮于100ml无水甲苯中并冷却至0℃。然后逐步加入4.2ml双(三甲基甲硅烷基)酰胺钾(KHMDS，在甲苯中0.5M，2.1毫摩尔)。将混合物在室温下搅拌1小时，然后加入0.61gK4(1.0毫摩尔)在100ml无水甲苯中的溶液中。将混合物在室温下搅拌1小时，然后回流加热18小时。将混合物冷却，然后浓缩至干燥。将残余物通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=4/1)提纯。这得到0.13g(13%)作为浅黄色粉末的Em21。
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=6.23-6.32(m,3H)，6.38(t,1H)，6.40-6.85(m,17H)，7.00-7.05(m,2H)，7.10-7.16(m,3H)，7.32(t,2H)，8.01(d,1H)，8.28(d,1H)，8.39(dt,2H)，8.72(d,1H)，8.94(d,1H)，8.98(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=480nm，CIE：(0.17；0.30)，95%QY。
实施例27：
发射体Em22
将2.30g(6.4毫摩尔)1-(4-氰基苯基)-3-甲基苯并咪唑碘化物(关于制备，参见WO2006/056418)在200ml1,4-二烷(无水，超干)中的溶液与1.11g(4.8毫摩尔)氧化银(I)和20g分子筛混合并在室温下搅拌过夜。然后加入1.29g(2.1毫摩尔)配合物K4在200ml无水邻二甲苯中的溶液并将混合物在110℃下搅拌22小时。在冷却以后，过滤反应混合物。在降低的压力下从滤液中除去溶剂，然后通过柱色谱(硅胶，洗脱液：环己烷/丙酮=2/1)分离。这得到0.61g(31%)Em22异构体1(RF=0.31)、0.45g(23%)Em22异构体2(RF=0.25)和0.25g(13%)Em22异构体3(RF=0.20)，将其各自再一次从二氯甲烷/甲醇中再结晶。
Em22异构体1：
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=2.78(s,3H)，3.15(s,3H)，6.31(d,非常宽,2H)，6.53(d,1H)，6.68(t,1H)，6.77(t,1H)，6.92(d,1H)，7.11-7.16(m,2H)，7.23-7.52(m,10H)，7.88(d,1H)，7.91(d,1H)，7.99(d,1H)，8.11(d,1H)，8.18(d,1H)，8.41(d,1H)，8.76(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=484nm，CIE：(0.19；0.33)，87%QY。
Em22异构体2：
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=3.20(s,3H)，3.37(s,3H)，5.67-6.92(非常平的宽信号,2H)，6.51(d,1H)，6.70-6.77(m,2H)，6.97-7.00(m,1H)，7.06-7.12(m,3H)，7.20-7.47(m,10H)，7.90(d,1H)，8.06(t,2H)，8.24(d,1H)，8.45(d,1H)，8.80(d,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=494nm，CIE：(0.22；0.41)，87%QY。
Em22异构体3：
1HNMR(CD2Cl2,500MHz)：δ=2.75(s,3H)，3.56(s,3H)，6.02-7.26(非常平的宽信号,4H)，6.48(dd,1H)，6.68(d,1H)，6.69-6.73(m,1H)，6.78(dt,1H)，6.86(d,1H)，6.90(d,宽,1H)，7.14(dt,1H)，7.24(dt,1H)，7.30-7.39(m,5H)，7.49(dd,1H)，7.87(d,1H)，7.94(d,1H)，8.03(d,1H)，8.08(d,1H)，8.17(d,1H)，8.41(d,1H)，8.79(dd,1H)。
光致发光(在PMMA膜中2%)：
λ最大=468nm，CIE：(0.16；0.21)，90%QY。
实施例28
掺杂OLED的生产
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
实施例28a：
在空穴注入层以后，将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。通过气相沉积应用的空穴导体为20nm的Ir(DPBIC)3与4%p-掺杂F6-TNAP的混合物。应用于衬底上的激子阻断剂为10nm厚度的Ir(DPBIC)3。
(关于Ir(DPBIC)3的制备，参见申请WO2005/019373A2中的Ir配合物(7))
随后30%发射体fac-Em1,60%化合物Ma7和10%化合物Ir(DPBIC)3的混合物以30nm的厚度作为发射层通过气相沉积应用，后两种化合物充当基体材料。
所用随后电子导体层为25nm层厚度的掺杂有8%W(hpp)4(参见EP1786050)的ETM2层(参见EP1097981中的化合物No.28)。
厚度100nm的铝阴极终止二极管。
将所有组分在惰氮气气氛下用玻璃盖包封。
实施例28b：
来自实施例28b的OLED具有与来自实施例28a的OLED相同的结构，不同之处在于发射层由30%Em8和70%基体材料Ma7组成。
为表征OLED，记录不同电流和电压下的电致发光光谱。另外，与发射的光输出组合测量电流-电压特征。可通过用光度计标定而将光输出转化成光度参数。
对于掺杂OLED的两个工作实施例，得到以下电光数据：
实施例 发射体 300尼特下的电压[V] 300尼特下的EQE[%]
28a fac-Em1 2.75V 10.9%
28b Em8 3.38V 10.8%
*EQE—外量子效率。正向测量，其中假定朗伯光强度分布。
实施例29
具有不同发射体的二极管
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的40nm厚空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
其后，将下文所述有机材料通过气相沉积在约10-7-10-9毫巴下以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。
应用的空穴导体和激子阻断剂为20nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初15nm被5%ReO3掺杂。其后，由发射体和两种基体材料组成的20nm厚发射层通过气相沉积应用。这之后是5nm厚激子和空穴阻断剂层。接着，50%Liq和50%ETM1的混合物作为电子传输层以40nm的厚度应用。最后4nm厚KF层和100nm厚Al电极通过气相沉积应用。
实施例29a
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em16和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma13组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma13。
二极管显示出彩色坐标CIE0.20，0.43。在300cd/m2下，电压为3.6V，且外量子效率为17.7%。
实施例29b
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em16和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma7组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma7。
二极管显示出彩色坐标CIE0.19，0.43。在300cd/m2下，电压为3.6V，且外量子效率为14.7%。
实施例29c
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em17和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma13组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma13。
二极管显示出彩色坐标CIE0.20，0.44。在300cd/m2下，发光效率为45.5lm/W，且外量子效率为19.6%。
实施例29d
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em17和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma7组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma7。
二极管显示出彩色坐标CIE0.18，0.39。在300cd/m2下，电压为3.8V，且发光效率为40.4lm/W。
实施例29e
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em20和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma7组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma7。
二极管显示出彩色坐标CIE0.15，0.29。在300cd/m2下，电压为3.6V，且外量子效率为19.9%。
实施例29f
二极管如上所述构造，其中发射层由10%发射体Em20和各自45%基体材料Ir(DPBIC)3和Ma13组成。所用激子和空穴阻断剂为Ma13。
二极管显示出彩色坐标CIE0.15，0.29。在300cd/m2下，电压为3.3V，且外量子效率为19.0%。
实施例30
同质结OLED
实施例30a
将用作阳极的ITO衬底首先用用于LCD生产的商业洗涤剂(20NS，和25ORGAN-中和剂)，然后在超声浴中在丙酮/异丙醇中清洗。为消除可能的有机残余物，将衬底在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流下另外25分钟。该处理还改善了ITO的空穴注入性能。接着将来自Plexcore的40nm后空穴注入层AJ20-1000由溶液旋涂于其上。
其后，将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下通过气相沉积以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。
应用的空穴导体和激子阻断剂为20nm厚度的Ma4，其最初15nm被5%ReO3掺杂。其后，由10%fac-Em1、35%Ir(DPBIC)3和55%Ma4组成的20nm厚发射层通过气相沉积应用。这之后是5nm厚激子和空穴阻断剂Ma4层。接着，50%Liq和50%Ma4的混合物作为电子传输层以40nm的厚度应用。最后4nm厚KF层和100nm厚Al电极通过气相沉积应用。
二极管显示出彩色坐标CIE0.15，0.25。在300cd/m2下，外量子效率为18.7%。
实施例30b
二极管类似于实施例30a构造，不同之处在于发射层由30%fac-Em1、35%Ir(DPBIC)3和35%Ma4组成。
二极管显示出彩色坐标CIE0.16，0.31。在300cd/m2下，电压为3.3V，且外量子效率为16.2%。
实施例30c
二极管类似于实施例30a构造，不同之处在于在具体层中Ma4被Ma7取代，且发射层由10%fac-Em1、45%Ir(DPBIC)3和45%Ma7组成。
二极管显示出CIE彩色坐标0.16，0.28。在300cd/m2下，电压为3.3V，且外量子效率为11.9%。
实施例30d
二极管类似于实施例30a构造，不同之处在于在具体层中Ma4被Ma7取代，且发射层由30%fac-Em1、35%Ir(DPBIC)3和35%Ma7组成。
二极管显示出CIE彩色坐标0.18，0.34。在300cd/m2下，电压为3.3V，且外量子效率为16.3%。
实施例31
ETM3的合成
步骤1
首先将具有磁力搅拌器、温度计、滴液漏斗、回流冷凝器和氮气层的250ml三颈圆底烧瓶中装入150ml甲醇，并加入3.8g氢氧化钾(≥85%)。在室温下搅拌混合物直至形成清澈无色溶液。随后使用冰浴将它冷却至0℃，并加入14.3g(56.7毫摩尔)1-(8-乙酰二苯并呋喃-2-基)乙酮(根据M.J.Bruce，PerkinTransactionsI，1789(1995)制备)。将悬浮液在0℃下搅拌1小时，然后在3分钟内逐滴加入17.3ml(170毫摩尔)苯甲醛。随后将反应混合物加热至室温并搅拌14小时。过滤细米黄色悬浮液并将残余物用50ml乙醇洗涤。将粗产物悬浮于150ml乙醇中并在回流下搅拌30分钟。然后将它冷却至室温，然后至0℃，过滤并用10ml冰冷乙醇洗涤两次，将残余物在50℃/150毫巴下干燥过夜。这得到21.6g(88.9%理论值)作为浅米色晶体的3-苯基-1-{8-(3-苯基丙烯酰基)]-二苯并呋喃-2-基}丙烯酮。
1HNMR(CDCl3,300MHz)：
8.67(s,2H)，8.25(d,J=7Hz,2H)，7.89(s,J=12Hz,2H)，7.8-7.65(m,8H)，7.55-7.4(m,6H)。
步骤2
首先将具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器和氮气层的100ml三颈圆底烧瓶中装入60ml甲醇，并用冰浴冷却至0℃，同时搅拌。随后在10分钟内按份加入15.7g(240毫摩尔)叔丁醇钾。首先将具有磁力搅拌器、温度计、滴液漏斗、回流冷凝器和氮气层的500ml三颈圆底烧瓶中装入90ml甲醇，然后加入8.6g(20毫摩尔)3-苯基-1-{8-(3-苯基丙烯酰基)]二苯并呋喃-2-基}丙烯酮和41.8g(80毫摩尔)苄脒(在甲醇中30%)，同时搅拌。将米色悬浮液加热至回流，然后在20分钟内逐滴加入预先制备的叔丁醇钾。将米褐色悬浮液在回流下搅拌过夜。随后将它冷却至室温，然后逐滴加入150ml水，并将混合物搅拌4小时。形成悬浮液，将其过滤。将残余物悬浮于200ml水中并加热至回流2小时。随后将混合物冷却至室温并过滤，将残余物用50ml水洗涤，然后在60℃/150毫巴下干燥过夜。这得到10.9g作为黄色晶体的2,8-双(2,4-二苯基-1,4-二氢嘧啶基)二苯并呋喃(85.8%理论值)。粗产物不提纯而进一步使用。
步骤3
首先将具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器和氮气层的500ml三颈圆底烧瓶中装入在100ml邻二氯苯中的10.9g(17毫摩尔)粗2,8-双(2,4-二苯基-1,4-二氢嘧啶基)二苯并呋喃，同时搅拌。其后加入19.1g(78毫摩尔)氯醌并将暗色反应混合物加热至回流14小时。随后加入160mlMeOH，并将混合物在回流下搅拌15分钟。其后将它用冰浴冷却至0℃，过滤暗褐色悬浮液并将残余物用每次50mlMeOH洗涤三次和每次50ml水洗涤两次。在60℃/125毫巴下干燥过夜以后，得到18.0g褐色晶体。将粗产物在回流下悬浮于100mlMeOH中1小时，然后冷却至0℃，用每次20mlMeOH洗涤两次并在60℃/125毫巴下干燥。这得到16.4g褐色晶体。将5.7g该材料在回流下悬浮于50mlEtOH中30分钟，然后冷却至0℃，用每次20mlEtOH洗涤两次并在60℃/125毫巴下干燥。这得到5.0g褐色晶体。将该粗产物将190ml甲苯中浆化并在回流下搅拌30分钟。其后将它用冰浴冷却至0℃，过滤悬浮液并将残余物用每次20ml甲苯洗涤3次。在60℃/125毫巴下干燥过夜以后，得到3.0g(81%理论值)作为米白色晶体的理想产物。
HPLC-MS：纯度99.5%，[M+1]＝629.5m/z。
1HNMR(CDCl3,300MHz)：
8.97(s,2H)，8.73(d,J=9Hz,4H)，8,43(d,J=10Hz,2H)，8.42-8.28(m,4H)，8.11(s,2H)，7.73(d,J=9Hz,2H)，7.60-7.35(m,12H)。
实施例32
首先将用作阳极的ITO衬底如实施例30a中处理并提供如上所述来自Plexcore的40nm空穴注入层AJ20-1000。
其后，将将下文所述有机材料在约10-7-10-9毫巴下通过气相沉积以约0.5-5nm/min的速率应用于清洁衬底上。
实施例32a
应用的空穴导体和激子阻断剂为20nm厚度的Ir(DPBIC)3，其最初15nm被5%ReO3掺杂。其后，由10%fac-Em1、45%Ir(DPBIC)3和45%Ma13组成的20nm厚发射层通过气相沉积应用。这之后是5nm厚激子和空穴阻断剂层Ma13。接着，50%Liq和50%ETM3的混合物作为电子传输层以40nm的厚度应用。最后4nm厚KF层和100nm厚Al电极通过气相沉积应用。
二极管显示出CIE彩色坐标0.16，0.27。在300cd/m2下，外量子效率为13.7%。
实施例32b
二极管如实施例32a所述构造，不同之处在于电子传输层由纯ETM3组成。
二极管显示出CIE彩色坐标0.16，0.27。在300cd/m2下，电压为3.4V。
实施例32c
二极管如实施例32a所述构造，不同之处在于发生层由30%fac-Em1、35%Ir(DPBIC)3和35%Ma13组成。
二极管显示出CIE彩色坐标0.17，0.32。在300cd/m2下，电压为3.4V。
实施例32d
二极管如实施例32c所述构造，不同之处在于电子传输层由纯ETM3组成。
二极管显示出CIE彩色坐标0.17，0.31。在300cd/m2下，外量子效率为14.2%。
实施例33
ETM4的合成
步骤1
首先将具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器、气体进入管、氮气层和气体洗涤瓶的100ml三颈圆底烧瓶中装入在1.8ml乙醇和50ml1,4-二烷的混合物中的1.09g(5.0毫摩尔)二苯并呋喃-2,8-二腈(根据S.Wang,Eur.J.Med.Chem.34，215(1999)制备)，并用EtOH/CO2浴冷却至0℃，然后引入HCl气体直至饱和。其后将烧瓶密封，将白色悬浮液加热至RT并搅拌48小时。随后将干N2吹入悬浮液中直至废气中不再可检测到HCl。加入25ml叔丁基甲基醚并过滤浅黄色悬浮液。将残余物用每次25ml叔丁基甲基醚洗涤两次，然后悬浮于40ml2MH3乙醇溶液中并在60℃下搅拌18小时。随后将悬浮液冷却并将干N2吹入悬浮液中直至废气中不再可检测到NH3。然后将它用冰浴冷却并在此引入HCl气体直至饱和。其后将它再次用干N2吹出，过滤米色悬浮液并用总计25ml冰冷EtOH的份数洗涤。将残余物在50℃/125毫巴下干燥过夜。这得到1.71g(99.2%理论值)作为米色晶体的二苯并呋喃-2,8-双脒氢氯化物。
1HNMR(DMSO,300MHz)：
8.90-8.75(m,2H)，8.25-8.00(m,4H)。
步骤2
首先将具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器和氮气层的100ml三颈圆底烧瓶中装入40ml甲醇并用冰浴冷却至0℃，同时搅拌。随后在10分钟内按份加入2.85g(25.4毫摩尔)叔丁醇钾。首先将具有磁力搅拌器、温度计、滴液漏斗、回流冷凝器和氮气层的250ml三颈圆底烧瓶中装入60ml甲醇，然后加入1.7g二苯并呋喃-2,8-双脒氢氯化物和4.08g(19毫摩尔)亚苄基苯乙酮，同时搅拌。将米色悬浮液加热至回流，然后在5分钟内逐滴加入预先制备的叔丁醇钾溶液。将米色悬浮液在回流下搅拌过夜。随后将混合物冷却至0℃并过滤，将残余物用15ml冰冷MeOH洗涤并用60ml水洗涤3次，并在60℃/150毫巴下干燥过夜。这得到1.59g作为黄色晶体的2,8-双(4,6-二苯基-1,4-二氢嘧啶基)二苯并呋喃(39.6%理论值)。粗产物不提纯而进一步使用。
步骤3
首先将具有磁力搅拌器、温度计、回流冷凝器和氮气层的100ml三颈圆底烧瓶中装入在15ml邻二氯苯中的1.59g(2.45毫摩尔)2,8-二(4,6-二苯基-1,4-二氢嘧啶基)二苯并呋喃。将混合物加热至内部温度50℃，同时搅拌，然后加入2.41g(9.80毫摩尔)氯醌。将米褐色悬浮液加热至回流4小时，然后逐滴加入30mlMeOH以及随后溶于5ml水中的1gNaOH。将茶褐色悬浮液在回流下搅拌30分钟，然后用冰浴冷却至0℃并过滤。将残余物用20mlMeOH洗涤3次，并用20ml热水洗涤5次。将米色固体悬浮于50ml甲苯中并回流，同时搅拌30分钟。这之后冷却至60℃的内部温度并过滤，将残余物用10ml甲苯洗涤两次并在60℃/125毫巴下干燥过夜。这得到0.85g(55.2%理论值)作为白色晶体的理想产物。
HPLC-MS：纯度99.3%，[M+1]=629.5m/z。
1HNMR(CDCl3,300MHz)：
9.41(s,2H)，8.89(d,J=9Hz,2H)，8.35-8.20(m,8H)，7.98(s,2H)，7.68(d,J=9Hz,2H)，7.70-7.45(m,12H)。

Claims (21)

1.通式(I)的金属-卡宾配合物：
其中M、n、Y、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、K、L、m和o各自定义如下：
M为Ir或Pt，
n为选自1、2和3的整数，
Y为NR1，
A2、A5各自为N，
A3、A4各自为C，
R1为任选被至少一个选自N、O或S的杂原子间隔且具有1-8个碳原子的线性或支化烷基，任选被至少一个选自N、O或S的杂原子间隔且具有3-8个碳原子的环烷基，任选被至少一个选自N、O或S的杂原子间隔且具有6-18个碳原子的未被取代的芳基，或任选被至少一个选自N、O或S的杂原子间隔的、具有6-18个碳原子且被一个或多个选自具有1-8个碳原子的烷基、卤素或CN的取代基取代的芳基，
R2、R5各自为自由电子对，
R3、R4为氢，
或
R3和R4与A3和A4一起形成任选被至少一个选自N、O或S的其它杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的任选取代的不饱和环，
R6、R7、R8、R9各自独立地为氢，具有1-8个碳原子的线性或支化烷基，具有给体或受体作用的基团，其选自卤素基团、CH2F基团、CHF2基团、CF3基团和CN基团，
L为通式(II)的卡宾配体、通式(III)的杂环非卡宾配体或乙酰丙酮化物配体：
其中A6、A7各自独立地为C或N，
R11为具有1-8个碳原子的线性或支化烷基，具有3-8个碳原子的环烷基，具有6-18个碳原子的未被取代的芳基，或具有6-18个碳原子且被一个或多个选自具有1-8个碳原子的烷基、卤素或CN的取代基取代的芳基，
R12、R13各自独立地当A为N时，则为自由电子对，或当A为C时，则为氢，具有1-8个碳原子的线性或支化烷基，具有3-8个碳原子的环烷基，具有6-18个碳原子的未被取代的芳基，或具有6-18个碳原子且被一个或多个选自具有1-8个碳原子的烷基、卤素或CN的取代基取代的芳基，
R14、R15、R16、R17各自独立地为氢，具有1-8个碳原子的线性或支化烷基，具有给体或受体作用的基团，其选自卤素基团、CH2F基团、CHF2基团、CF3基团和CN基团，或
R12和R13、R14和R15、R15和R16或R16和R17与A或它们键合的碳原子一起形成任选被至少一个选自N、O和S的杂原子间隔且具有总计5-18个碳原子和/或杂原子的不饱和或芳族的任选取代环，
其中通式III配体中的符号各自定义如下：
D各自独立地为CR18，
W为C，
E各自为CR19，
G为NR22，
R18、R19各自独立地为氢，
R22为具有6-18个碳原子的未被取代的芳基，或具有6-18个碳原子且被一个或多个具有1-8个碳原子的烷基取代的芳基，
m为0，
o为0、1或2，其中当o为2时，L配体可以相同或不同。
2.根据权利要求1的金属-卡宾配合物，其中：
M为Ir，
R1为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、具有6-18个碳原子的未被取代的芳基或具有6-18个碳原子且被一个或多个选自具有1-8个碳原子的烷基、卤素或CN的取代基取代的芳基。
3.根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物，其中：
M为Ir，
n为2或3，
R1为具有1-6个碳原子的线性或支化烷基、未被取代的苯基、或被一个或多个选自具有1-8个碳原子的烷基、卤素或CN的取代基取代的苯基，
R2、R5各自为自由电子对，
R3、R4为氢，
或
R3和R4与A3和A4一起形成具有总计5-7个碳原子的任选取代的单不饱和环，
o为0或1。
4.通过使包含M的合适化合物与合适的配体或配体前体接触而制备根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物的方法。
5.根据权利要求4的方法，其中所用配体前体为相应的Ag-卡宾配合物。
6.根据权利要求4的方法，其中所用配体前体为通式(IV)化合物：
其中Y、A2、A3、A4、A5、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9各自如上文对式(I)化合物所定义，且R28定义如下：
R28为烷基。
7.包含至少一种根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物的有机电子组件。
8.根据权利要求7的有机电子组件，其为有机发光二极管(OLED)、有机光电池(OPV)、有机场效应晶体管(OFET)或发光电化电池(LEEC)。
9.包含至少一种根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物的发光层。
10.包含根据权利要求9的发光层的OLED。
11.包含至少一种根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物和至少一种式(X)化合物的OLED：
其中T为NR57、S、O或PR57，
R57为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
Q’为-NR58R59、-P(O)R60R61、-PR62R63、-S(O)2R64、-S(O)R65、-SR66或-OR67，
R55、R56各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、SiR70R71R72、Q’基团或具有给体或受体作用的基团，
a”为0、1、2、3或4，
b’为0、1、2或3，
R58、R59与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，
R70、R71、R72、R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，或
两个通式(X)单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥、借助键或借助O相互桥联。
12.根据权利要求11的OLED，其包含至少一种式(XI)或(XI*)化合物：
其中T为NR57、S、O或PR57，
R57为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
Q为-NR58R59、-P(O)R60R61、-PR62R63、-S(O)2R64、-S(O)R65、-SR66或-OR67，
R70、R71、R72各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基、杂环烷基，其中基团R70、R71、R72中至少一个包含至少两个碳原子或OR73，
R55、R56各自独立地为烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基、Q基团或具有给体或受体作用的基团，
a’、b’对式(XI)化合物而言，各自独立地为0、1、2、3，对式(XI*)化合物而言，a’为0、1、2，b’为0、1、2、3、4，
R58、R59与氮原子一起形成具有3-10个环原子的环状基团，其可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，和/或可稠合一个或多个具有3-10个环原子的其它环状基团，其中稠合基团可未被取代或被一个或多个选自烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、杂芳基和具有给体或受体作用的基团的取代基取代，
R73各自独立地为SiR74R75R76、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，其任选被OR77基团取代，
R77各自独立地为SiR74R75R76、芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，
R60、R61、R62、R63、R64、R65、R66、R67、R74、R75、R76各自独立地为芳基、杂芳基、烷基、环烷基或杂环烷基，或
两个通式(XI)和/或(XI*)单元借助任选被至少一个杂原子间隔的线性或支化的饱和或不饱和桥或借助O相互桥联，其中通式(XI)和/或(XI*)中的所述桥每种情况下取代R71连接在硅原子上。
13.根据权利要求12的OLED，其中通式(XI)或(XI*)化合物中的R70和/或R71和/或R72为通式(XIi)和/或(XIi*)的芳族单元：
其中R55、R56、Q’、T、a’和b’各自如权利要求12中所定义。
14.根据权利要求11的OLED，其包含发射层，所述发射层包含至少一种根据权利要求1-3中任一项的金属-卡宾配合物、至少一种如权利要求11中所定义的式(A)或如权利要求11中所定义的式(X)的基体材料，和至少一种其它基体材料。
15.根据权利要求10的OLED，其包含电子传输层，所述电子传输层包含至少两种不同材料，其中至少一种材料为电子传导型。
16.根据权利要求15的OLED，其中所述电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物。
17.根据权利要求15的OLED，其中所述电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和至少一种碱金属羟基喹啉配合物。
18.根据权利要求15的OLED，其中所述电子传输层包含至少一种菲咯啉衍生物和/或吡啶衍生物和8-羟基喹啉锂。
19.一种选自固定视频显示装置、移动视频显示装置和照明工具的器件，其包含至少一种根据权利要求10的OLED。
20.根据权利要求1或2的金属-卡宾配合物在OLED中的用途。
21.根据权利要求20的用途，其中所述金属-卡宾配合物用作发射体、基体材料、电荷传输材料和/或电荷阻断剂。
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