KR102308117B1 - 카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

카바졸계 화합물 및 상기 카바졸계 화합물을 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.

Description

카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Carbazole-based compound and organic light emitting device including the same}
카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.
유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일예에 따르면, 유기 발광 소자는, 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
카바졸계 화합물 및 이를 채용한 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예는, 하기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 개시한다:
<화학식 1>
Figure 112014099381784-pat00001
X11은 산소 원자(O) 및 황 원자(S) 중에서 선택되고;
L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;
a11 내지 a15는, 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET이고;
b11 내지 b13은 서로 독립적으로, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
RET는 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택되고;
Figure 112014099381784-pat00002
Figure 112014099381784-pat00003
Figure 112014099381784-pat00004
Figure 112014099381784-pat00005
상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택되고;
a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고;
상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 적어도 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자를 개시한다.
상기 카바졸계 화합물은 우수한 전기적 특성 및 열적 안정성을 갖는 바, 상기 카바졸계 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 우수한 소비 전력, 효율, 휘도 및 수명 특성을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
상기 카바졸계 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
<화학식 1>
Figure 112014099381784-pat00006
상기 화학식 1 중, X11은 O 및 S 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1 중, L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기 중에서 선택되고;
상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기 및 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기의 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 페닐렌기(phenylene), 나프틸렌기(naphthylene), 페난트레닐렌기(phenanthrenylene), 안트라세닐렌기(anthracenylene), 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 파이레닐렌기(pyrenylene), 크라이세닐렌기(chrysenylene), 페릴레닐렌기(perylenylene), 피롤일렌기(pyrrolylene), 이미다졸일렌기(imidazolylene), 피리디닐렌기(pyridinylene), 피라지닐렌기(pyrazinylene), 피리미디닐렌기(pyrimidinylene), 인돌일렌기(indolylene), 퀴놀리닐렌기(quinolinylene), 이소퀴놀리닐렌기(isoquinolinylene), 벤조퀴놀리닐렌기(benzoquinolinylene), 퀴녹살리닐렌기(quinoxalinylene), 퀴나졸리닐렌기(quinazolinylene), 페난트리디닐렌기(phenanthridinylene), 아크리디닐렌기(acridinylene), 페난트롤리닐렌기(phenanthrolinylene), 페나지닐렌기(phenazinylene), 퓨라닐렌기(furanylene), 벤조퓨라닐렌기(benzofuranylene), 티오페닐렌기(thiophenylene), 벤조티오페닐렌기(benzothiophenylene), 트리아졸일렌기(triazolylene), 이미다조피리디닐렌기(imidazopyridinylene) 및 이미다조피리미디닐렌기(imidazopyrimidinylene); 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C6-C20아릴기, 페닐기-치환된 페닐기, C2-C20헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 페릴레닐렌기, 피롤일렌기, 이미다졸일렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 인돌일렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트롤리닐렌기, 페나지닐렌기, 퓨라닐렌기, 벤조퓨라닐렌기, 티오페닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 트리아졸일렌기, 이미다조피리디닐렌기 및 이미다조피리미디닐렌기; 중에서 선택되고,
Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-28 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00007
Figure 112014099381784-pat00008
Figure 112014099381784-pat00009
상기 화학식 2-1 내지 2-28 중,
X21은 O 및 S 중에서 선택되고;
R21 내지 R23은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 페닐기-치환된 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기 및 -Si(Q33)(Q34)(Q45) 중에서 선택되고;
상기 Q33 내지 Q45는 서로 독립적으로, 수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
a21은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
a22는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
a23은 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 및 8 중에서 선택되고;
a24는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
a25는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
a26은 1 및 2 중에서 선택되고;
* 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 페닐렌기, 나프틸렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기 및 이소퀴놀리닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 페닐기-치환된 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기 및 페난트레닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 피리디닐렌기, 피리미디닐렌기, 트리아지닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기 및 이소퀴놀리닐렌기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, 상기 화학식 1 중, L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 내지 3-14 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00010
상기 화학식 3-1 내지 3-14 중,
* 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
상기 화학식 1 중, a11은 L11의 개수를 나타낸 것으로서, 0, 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1 중, a11은 0, 1 및 2 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. a11이 0일 경우, L11은 단일 결합이 된다. a11이 2 이상일 경우, 2 이상의 L11은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. a12 내지 a15에 대한 설명은 a11에 대한 설명 및 화학식 1의 구조를 참조하여 이해될 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, a12 내지 a15는 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, a11 내지 a13는 서로 독립적으로, 0 및 1 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, a14는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET이고;
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있고, RET에 대한 설명은 후술하는 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 및 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염 및 인산 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
페닐기(phenyl), 펜탈레닐기(pentalenyl), 인데닐기(indenyl), 나프틸기(naphthyl), 아줄레닐기(azulenyl), 헵탈레닐기(heptalenyl), 인다세닐기(indacenyl), 아세나프틸기(acenaphthyl), 플루오레닐기(fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기(phenalenyl), 페난트레닐기(phenanthrenyl), 안트라세닐기(anthracenyl), 플루오란테닐기(fluoranthenyl), 트리페닐레닐기(triphenylenyl), 파이레닐기(pyrenyl), 크라이세닐기(chrysenyl), 나프타세닐기(naphthacenyl), 피세닐기(picenyl), 페릴레닐기(perylenyl), 펜타페닐기(pentaphenyl), 헥사세닐기(hexacenyl), 펜타세닐기(pentacenyl), 루비세닐기(rubicenyl), 코로네닐기(coronenyl), 오발레닐기(ovalenyl), 피롤일기(pyrrolyl), 티오페닐기(thiophenyl), 퓨라닐기(furanyl), 이미다졸일기(imidazolyl), 피라졸일기(pyrazolyl), 티아졸일기(thiazolyl), 이소티아졸일기(isothiazolyl), 옥사졸일기(oxazolyl), 이속사졸일기(isooxazolyl), 피리디닐기(pyridinyl), 피라지닐기(pyrazinyl), 피리미디닐기(pyrimidinyl), 피리다지닐기(pyridazinyl), 이소인돌일기(isoindolyl), 인돌일기(indolyl), 인다졸일기(indazolyl), 푸리닐기(purinyl), 퀴놀리닐기(quinolinyl), 이소퀴놀리닐기(isoquinolinyl), 벤조퀴놀리닐기(benzoquinolinyl), 프탈라지닐기(phthalazinyl), 나프티리디닐기(naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기(quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기(quinazolinyl), 시놀리닐기(cinnolinyl), 카바졸일기(carbazolyl), 페난트리디닐기(phenanthridinyl), 아크리디닐기(acridinyl), 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl), 페나지닐기(phenazinyl), 벤조이미다졸일기(benzoimidazolyl), 벤조퓨라닐기(benzofuranyl), 벤조티오페닐기(benzothiophenyl), 이소벤조티아졸일기(isobenzothiazolyl), 벤조옥사졸일기(benzooxazolyl), 이소벤조옥사졸일기(isobenzooxazolyl), 트리아졸일기(triazolyl), 테트라졸일기(tetrazolyl), 옥사디아졸일기(oxadiazolyl), 트리아지닐기(triazinyl), 디벤조퓨라닐기(dibenzofuranyl), 디벤조티오페닐기(dibenzothiophenyl), 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 피리도벤조퓨라닐기, 피리미도벤조퓨라닐기, 피리도벤조티오페닐기 및 피리미도벤조티오페닐기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, C1-C20알킬기-치환된 페닐기, 페닐기-치환된 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 페나지닐, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, 피리도벤조퓨라닐기, 피리미도벤조퓨라닐기, 피리도벤조티오페닐기 및 피리미도벤조티오페닐기; 및
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고;
상기 Q3 내지 Q5 및 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 및 퀴녹살리닐기 중에서 선택되고;
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염 및 인산 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고;
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 및 퀴녹살리닐기 중에서 선택되고,
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 예로서, 상기 화학식 1 중, R14 및 R15는 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, b11은 R11의 개수를 나타내는 것으로서, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택될 수 있다. b11이 2 이상일 경우, 2 이상의 R11은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b12 내지 b13에 대한 설명은 b11에 대한 설명 및 화학식 1의 구조를 참조하여 이해될 수 있다.
상기 화학식 1 중, b12 내지 b13은 서로 독립적으로, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1 중, RET는 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택될 수 있다:
Figure 112014099381784-pat00011
Figure 112014099381784-pat00012
Figure 112014099381784-pat00013
Figure 112014099381784-pat00014
상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택되고;
a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13 중 적어도 하나는 RET일 수 있고, RET는 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00015
Figure 112014099381784-pat00016
Figure 112014099381784-pat00017
Figure 112014099381784-pat00018
상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13 중 적어도 하나는 RET일 수 있고, RET는 하기 화학식 9-4 내지 9-8, 9-51 및 9-52 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00019
상기 화학식 9-4 내지 9-8, 9-51 및 9-52 중,
X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
다른 예로서, 상기 화학식 1 중, R11 내지 R13 중 적어도 하나는 RET일 수 있고, RET는 하기 화학식 10-1 내지 10-7 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00020
상기 화학식 10-1 내지 10-7 중,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
다른 실시예에 있어서, 상기 카바졸계 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
<화합물 1-1>
Figure 112014099381784-pat00021
<화합물 1-2>
Figure 112014099381784-pat00022
<화합물 1-3>
Figure 112014099381784-pat00023
상기 화학식 1-1 내지 1-3 중,
X11, L11 내지 L14, a11 내지 a14, R11 내지 R13 및 b11 내지 b13는 제1항에 기재된 바와 동일하되;
상기 화학식 1-1 중의 R11, 상기 화학식 1-2 중의 R12 및 상기 화학식 1-3 중의 R13은 RET이다.
예를 들어, 상기 화학식 1-1 내지 1-3 중,
X11은 O 및 S 중에서 선택되고;
L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 상기 화학식 2-1 내지 2-28 중 어느 하나이고;
a11 내지 a14는 서로 독립적으로, 0 및 1 중에서 선택되고;
R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염 및 인산 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고;
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 및 퀴녹살리닐기 중에서 선택되고,
R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET이고;
b11 내지 b13는 서로 독립적으로, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
RET는 상기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 카바졸계 화합물은 하기 화학식 1-1A, 1-2A 및 1-3A 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
<화합물 1-1A>
Figure 112014099381784-pat00024
<화합물 1-2A>
Figure 112014099381784-pat00025
<화합물 1-3A>
Figure 112014099381784-pat00026
상기 화학식 1-1A, 1-2A 및 1-3A 중,
X11, L11 내지 L13, a11 내지 a13, R11 내지 R13 및 b11 내지 b13는 전술한 바를 참조하되;
상기 화학식 1-1A 중의 R11, 상기 화학식 1-2A 중의 R12 및 상기 화학식 1-3A 중의 R13은 서로 독립적으로, RET이다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 카바졸계 화합물은 하기 화학식 1-1B로 표시될 수 있다:
<화학식 1-1B>
Figure 112014099381784-pat00027
상기 화학식 1-1B 중,
X11, L11 및 a11은 전술한 바를 참조하고,
RET는 하기 화학식 10-1 내지 10-7 중에서 선택되고;
Figure 112014099381784-pat00028
상기 화학식 10-1 내지 10-7 중,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은 하기 화합물 1 내지 20 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00029
Figure 112014099381784-pat00030
Figure 112014099381784-pat00031
상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은 1) "카바졸 고리"가 "A 고리"의 "2번 탄소"에, 선택적으로 -(L14)a14-를 사이에 두고, 결합되어 있고 (하기 화학식 1' 참조), 2) R11 내지 R13 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 상기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택된다. 따라서, 화학식 1의 "A 고리"의 전자 밀도가 효과적으로 제어될 수 있고, R11 내지 R13의 치환기 제어에 의하여 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물의 전하 수송 능력이 용이하게 제어될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은, 하나의 분자 내에서 정공 수송성이 좋은 카바졸일기 및 전자 수송성이 좋은 RET를 함께 포함함으로써, 바이폴라성이 최적화될 수 있다.
Figure 112014099381784-pat00032
예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물 중 일부 화합물의 분자량, HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지 레벨 및 T1 에너지 레벨을 B3LYP 에 기반한 density functional theory (DFT)에 의한 분자 구조 최적화를 수반한 Gaussian 09 프로그램을 이용하며 평가한 결과는 하기 표 1과 같다.
HOMO (eV) LUMO (eV) S1 (eV) T1 (eV)
화합물 1 -5.297 -1.881 3.050 2.926
화합물 2 -5.284 -1.729 3.184 2.873
화합물 4 -5.288 -1.701 3.161 2.832
화합물 5 -5.259 -1.769 3.020 2.795
화합물 6 -5.347 -2.042 2.801 2.635
화합물 7 -5.314 --1.834 3.148 2.829
화합물 8 -5.254 -1.858 3.009 2.771
화합물 9 -5.298 -1.923 3.045 2.828
화합물 10 -5.241 -1.951 2.904 2.800
화합물 11 -5.322 -1.912 3.047 2.952
화합물 12 -5.265 -1.730 3.186 2.934
화합물 13 -5.376 -1.749 3.181 2.936
화합물 14 -5.281 -1.727 3.183 2.798
화합물 15 -5.233 -1.819 2.981 2.708
화합물 16 -5.330 -2.080 2.750 2.560
화합물 17 -5.224 -1.891 3.005 2.850
화합물 18 -5.226 -1.947 2.882 2.698
화합물 19 -5.224 -1.976 2.922 2.843
화합물 20 -5.222 -2.045 2.780 2.701
화합물 A -5.303 -1.506 3.340 3.061
화합물 B -5.329 -1.536 3.282 2.979
상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물의 합성 방법은, 후술하는 합성예를 참조하여, 당업자가 용이하게 인식할 수 있다.
따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은 유기 발광 소자의 유기층, 예를 들면, 상기 유기층 중 발광층의 호스트로 사용하기 적합할 수 있는 바, 다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 적어도 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 유기 발광 소자는 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 포함한 유기층을 구비함으로써, 우수한 소비 전력, 효율, 휘도 및 수명 특성을 가질 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 카바졸계 화합물은 발광층, 제1전극과 발광층 사이의 정공 수송 영역(예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함함) 및 발광층과 제2전극 사이의 전자 수송 영역(예를 들면, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함함) 중 적어도 하나에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물은 상기 발광층에 포함되어 있을 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 도펀트를 더 포함하고, 상기 발광층에 포함된 카바졸계 화합물은 호스트의 역할을 할 수 있다. 상기 발광층은 녹색광 또는 적색광을 방출하는 녹색 발광층 또는 적색 발광층일 수 있고, 상기 도펀트는 인광 도펀트일 수 있다.
본 명세서 중 "(유기층이) 카바졸계 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 카바졸계 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 카바졸계 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은 상기 카바졸계 화합물로서, 상기 화합물 1만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 카바졸계 화합물로서, 상기 화합물 1과 화합물 2를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1과 화합물 2는 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 1과 화합물 2는 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재할 수 있다.
상기 제1전극은 정공 주입 전극인 애노드이고 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드이거나, 상기 제1전극은 전자 주입 전극인 캐소드이고 상기 제2전극은 정공 주입 전극인 캐소드이다.
예를 들어, 상기 제1전극은 애노드이고, 상기 제2전극은 캐소드이고, 상기 유기층은, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역; 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역;을 포함할 수 있다.
본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"은 유기 화합물뿐만 아니라, 금속을 포함한 유기금속 착체 등도 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 유기 발광 소자(10)는 제1전극(11), 유기층(15) 및 제2전극(19)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 제1전극(11) 하부 또는 제2전극(19) 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 애노드일 수 있다. 상기 제1전극용 물질은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등과 같은 금속을 이용할 수 있다.
상기 제1전극(11)은 단일층 또는 2 이상의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(11)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(11) 상부로는 유기층(15)이 배치되어 있다.
상기 유기층(15)은 정공 수송 영역(hole transport region); 발광층(emission layer); 및 전자 수송 영역(electron transport region);을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 제1전극(11)과 발광층 사이에 배치될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 및 버퍼층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층만을 포함하거나, 정공 수송층만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 정공 수송 영역은, 제1전극(11)로부터 차례로 적층된, 정공 주입층/정공 수송층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있다.
정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(11) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10-8 내지 약 10-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 코팅 조건은 정공주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층 및 전자 저지층 형성 조건은 정공 주입층 형성 조건을 참조한다.
상기 정공 수송 영역은, 예를 들면, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, α-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
Figure 112014099381784-pat00033
Figure 112014099381784-pat00034
<화학식 201>
Figure 112014099381784-pat00035
<화학식 202>
Figure 112014099381784-pat00036
상기 화학식 201 중, Ar101 및 Ar102는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 중에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 201 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고, xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 및 202 중, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등) 및 C1-C10알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등);
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 중, R109는,
페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화학식 201A>
Figure 112014099381784-pat00037
상기 화학식 201A 중, R101, R111, R112 및 R109에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00038
Figure 112014099381784-pat00039
Figure 112014099381784-pat00040
Figure 112014099381784-pat00041
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ>
Figure 112014099381784-pat00042
Figure 112014099381784-pat00043
상기 정공 수송 영역은, 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다.
상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 인광 도펀트 및 형광 도펀트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하되, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 발광층은 제1호스트 및 제2호스트를 포함하고,
상기 제1호스트와 상기 제2호스트는 서로 상이하고,
상기 제1호스트는 및 상기 제2호스트는 서로 독립적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광층이 상술한 바와 같은 제1호스트 및 제2호스트를 포함함으로써, 발광층 내로의 정공 및 전자 수송의 균형이 효과적으로 달성되어, 유기 발광 소자의 효율, 휘도 및 수명이 향상될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 발광층은 호스트 1 및 호스트 2를 포함하고,
상기 호스트 1과 상기 호스트 2는 서로 상이하고,
상기 호스트 1은 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물 중에서 선택되고;
상기 호스트 2는 하기 화학식 4로 표시되는 제1화합물 및 하기 화학식 5로 표시되는 제2화합물 중에서 선택될 수 있다:
<화학식 4>
Figure 112014099381784-pat00044
<화학식 5>
Figure 112014099381784-pat00045
<화학식 6> <화학식 7>
Figure 112014099381784-pat00046
Figure 112014099381784-pat00047
상기 화학식들 중,
X41은 N-[(L42)a42-(R42)b42], S, O, S(=O), S(=O)2, C(=O), C(R47)(R48), Si(R47)(R48), P(R43), P(=O)(R47) 및 C=N(R47) 중에서 선택되고;
상기 화학식 5 중 고리 A51은 상기 화학식 6으로 표시되고;
상기 화학식 5 중 고리 A52는 상기 화학식 7로 표시되고;
X71은 N-[(L71)a71-(R71)b71], S, O, S(=O), S(=O)2, C(=O), C(R72)(R73), Si(R72)(R73), P(R71), P(=O)(R71) 및 C=N(R71) 중에서 선택되고;
X52는 C(R52) 또는 질소 원자(N)이고, X53는 C(R53) 또는 N이고, X54은 C(R54) 또는 N이고, X55는 C(R55) 또는 N이고, X56는 C(R56) 또는 N이고, X57은 C(R57) 또는 N이고, X58은 C(R58) 또는 N이고, X59은 C(R59) 또는 N이고;
L41 내지 L43, L51 및 L71는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
n41, a41 내지 a43, a51 및 a71는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
R41 내지 R48, R51 내지 R59, R61 및 R71 내지 R73는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 및 -B(Q6)(Q7) 중에서 선택되고;
b41 내지 b46, b51 및 b71은 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
상기 치환된 C1-C60알킬렌기, 치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
예를 들어, 상기 화학식 4 및 5 중, R41, R42 및 R43 중 적어도 하나 및 R51 및 R71 중 적어도 하나는 서로 독립적으로,
티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 아크리디닐, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기 및 오발레닐기; 및
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, C1-C20알킬기-치환된 페닐기, 페닐기-치환된 페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 티오페닐기, 퓨라닐기, 카바졸일기, 아크리디닐, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기 및 오발레닐기; 중에서 선택되고,
상기 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 및 퀴녹살리닐기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 상기 제1화합물은 하기 화학식 4-1 내지 4-12 중 하나로 표시되고, 상기 제2화합물은 하기 화학식 5-1 내지 5-6 중 하나로 표시될 수 있다:
Figure 112014099381784-pat00048
Figure 112014099381784-pat00049
Figure 112014099381784-pat00050
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Figure 112014099381784-pat00054
Figure 112014099381784-pat00055
상기 화학식 4-1 내지 4-12 및 5-1 내지 5-6 중,
X41, L41, a41, R41, R43 내지 R46, b41, b43 내지 b46, X71, L51, a51, R51 내지 R59, R61 및 b61에 대한 설명은 전술한 바를 참조한다.
일 실시예에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 제1화합물이 하기 화합물 A1 내지 A83 중 하나를 포함하고, 상기 화학식 5로 표시되는 제2화합물이 하기 화합물 B1 내지 B20 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00056
Figure 112014099381784-pat00057
Figure 112014099381784-pat00058
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Figure 112014099381784-pat00060
Figure 112014099381784-pat00061
Figure 112014099381784-pat00062
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Figure 112014099381784-pat00064
Figure 112014099381784-pat00065
예를 들어, 상기 발광층은 호스트 1으로서 상기 화합물 1 내지 12 중 하나를 포함하고, 상기 호스트 2로서 상기 화합물 A1 내지 A83 및 B1 내지 B20 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 호스트 1 및 호스트 2를 모두 발광층에 포함할 경우, 발광층으로의 정공 및 전자 주입 균형을 효과적으로 조절될 수 있는 바, 발광 효율 및 수명이 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
상기 발광층 중 제1호스트와 상기 제2호스트의 중량비 및 상기 발광층 중 호스트 1과 호스트 2의 중량비는 서로 독립적으로, 1 : 99 내지 99 : 1의 범위, 예를 들면 10 : 90 내지 90 : 10의 범위 내에서 선택될 수 있다. 상기 제1호스트와 상기 제2호스트의 중량비 범위 및 상기 호스트 1과 상기 호스트 2의 중량비 범위가 상술한 바를 만족할 경우, 발광층으로의 정공 및 전자 주입 균형이 효과적으로 제어될 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트는 형광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 형광 도펀트로서 또는 인광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 발광층 중 도펀트는 인광 도펀트일 수 있고, 상기 인광 도펀트는 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 81>
Figure 112014099381784-pat00066
상기 화학식 81 중,
M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 또는 톨륨(Tm)이고;
Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고;
Y1과 Y2는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고, Y3와 Y4는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고;
CY1 및 CY2는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 인덴, 피롤, 티오펜, 퓨란(furan), 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸(isooxazole), 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 카바졸, 벤조이미다졸, 벤조퓨란(benzofuran), 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 디벤조퓨란(dibenzofuran) 또는 디벤조티오펜이고, CY1과 CY2는 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 유기 연결기(organic linking group)를 통하여 서로 결합되고;
R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q1)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7) 이고;
a81 및 a82는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
n81은 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고;
n82는 1, 2 또는 3이고;
L81은 1가 유기 리간드, 2가 유기 리간드 또는 3가 유기 리간드이다.
상기 R81 및 R82에 대한 설명은 본 명세서 중 R41에 대한 설명을 참조한다.
상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD78 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112014099381784-pat00067
Figure 112014099381784-pat00068
Figure 112014099381784-pat00069
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Figure 112014099381784-pat00071
Figure 112014099381784-pat00072
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Figure 112014099381784-pat00074
Figure 112014099381784-pat00075
Figure 112014099381784-pat00076
Figure 112014099381784-pat00077
Figure 112014099381784-pat00078
Figure 112014099381784-pat00079
Figure 112014099381784-pat00080
또는, 상기 인광 도펀트는 하기 PtOEP를 포함할 수 있다:
Figure 112014099381784-pat00081
상기 형광 도펀트는 하기 DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 및 C545T 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure 112014099381784-pat00082
Figure 112014099381784-pat00083
상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치된다.
전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역은 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 또는 전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 단일층 또는 2 이상의 서로 다른 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역의 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 형성 조건은 정공 주입층의 형성 조건을 참조한다.
상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP 및 Bphen 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112014099381784-pat00084
상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
Figure 112014099381784-pat00085
또는, 상기 전자 수송층은 하기 화합물 ET1 및 ET2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112014099381784-pat00086
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure 112014099381784-pat00087
또한 전자 수송 영역은, 제2전극(19)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기층(15) 상부로는 제2전극(19)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(19)은 캐소드일 수 있다. 상기 제2전극(19)용 물질로는 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 제2전극(19) 형성용 물질로 사용할 수 있다. 또는, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용하여 투과형 제2전극(19)을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는 -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-히드로퓨라닐기, 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C2-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기 및 C2-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함(예를 들어, 탄소수는 8 내지 60일 수 있음)하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소(예를 들어, 탄소수는 2 내지 60일 수 있음) 외에 N, O, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 "페닐기-치환된 페닐기"는 "적어도 하나의 페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다.
본 명세서 중 "C1-C20알킬기-치환된 페닐기"는 "적어도 하나의 C1-C20알킬기로 치환된 페닐기"를 의미한다.
이하, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'A' 대신 'B'를 사용하였다"란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.
[ 실시예 ]
Figure 112014099381784-pat00088

합성예 1: 화합물 1의 합성
1) 중간체 A의 합성
Figure 112014099381784-pat00089
2-브로모디벤조퓨란(2-Bromodibenzofuran) (10.0 g, 40.0 mmol), 카바졸(carbazole) (8.121 g, 49.0 mmol), Pd2(dba)3 (1.85 g, 2.0 mmol), 트리-tert-부틸포스핀(Tri-tert-butylphosphine) (0.57 g, 3.00 mmol), 소듐- tert -부톡사이드(sodium-tert-butoxide) (9.72 g, 101 mmol)을 톨루엔 (120 mL)와 혼합하였다. 질소 분위기하에서 110 ℃로 온도를 높여 환류하면서 18시간 동안 교반하고, 혼합물을 실온까지 냉각시킨 뒤, 물 200 mL와 메틸렌클로라이드 800 mL로 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 MgSO4로 건조하고, 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 A (11.5 g, 85 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C24H15NO (M+) 333.
2) 중간체 B의 합성
Figure 112014099381784-pat00090

중간체 A (11.5 g, 34.5 mmol) 을 THF (80 mL) 에 녹인 후, -78 ℃ 조건에서 10분간 교반하였다. n-Butyllithium (20.7 mL of a 1.6 M solution in hexanes, 51.7 mmol) 을 30분간 천천히 적가한 뒤, 4시간동안 -78 ℃ 조건에서 교반하였다. 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (10.6 mL, 51.7 mmol) 를 넣고 15분뒤 상온으로 올린 뒤, 5시간 교반 후, 혼합물에 증류수 100 mL 넣고 교반하였다. methylene chloride (150 mL X 3)를 넣어 수득한 유기층을 MgSO4를 이용하여 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 재결정(dichloromethane / Methanol) 하여 중간체 B (11.5 g, 75 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C30H26BNO3 (M+) 459.
3) 화합물 1의 합성
Figure 112014099381784-pat00091
중간체　B (7.55 g, 17.0 mmol), 화합물 E-1 (6.01 g, 15.5 mmol), Pd(PPh3)4 (0.94 g, 0.31 mmol), K2CO3 (4.28 g, 31.0 mmol) 를　THF 100 mL와 증류수 50 mL에 녹인다. 80 ℃ 온도를 높여 환류하면서 18 hr 교반한다. 반응액을 실온으로 식힌 뒤, 혼합물에 증류수 100 mL 넣고 교반뒤, methylene chloride (150 mL X 3)를 넣어 수득한 유기층을 MgSO4를 이용하여 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1 (7.80 g, 78 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C45H28N4O (M+) 640.
합성예 2: 화합물 2의 합성
Figure 112014099381784-pat00092
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-2 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 2 (4.33 g, 63 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3O (M+) 639.
합성예 3: 화합물 3의 합성
Figure 112014099381784-pat00093
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-3 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 3 (4.10 g, 61 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3O (M+) 639.
합성예 4: 화합물 4의 합성
Figure 112014099381784-pat00094
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-4 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 4 (4.84 g, 72 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3O (M+) 639.
화합물 5의 합성
Figure 112014099381784-pat00095
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-2 (2.80 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 5 (5.45 g, 92 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H25N3O (M+) 564.
합성예 6: 화합물 6의 합성
Figure 112014099381784-pat00096
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-6 (2.81 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 6 (4.51 g, 77 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C39H24N4O (M+) 563.
합성예 7: 화합물 7의 합성
Figure 112014099381784-pat00097

화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-7 (4.38 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 7 (5.56 g, 79 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C45H27N3OS (M+) 669.
합성예 8: 화합물 8의 합성
Figure 112014099381784-pat00098

화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-8 (3.58 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 8 (5.49 g, 88 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H23N3OS (M+) 593.
합성예 9: 화합물 9의 합성
Figure 112014099381784-pat00099

화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-9 (4.21 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 9 (4.81 g, 70 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H27N3O2 (M+) 653.
합성예 10: 화합물 10의 합성
Figure 112014099381784-pat00100

화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-10 (3.41 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 10 (3.88 g, 64 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H23N3O2 (M+) 564.
합성예 11: 화합물 11의 합성
1) 화합물 C의 합성
Figure 112014099381784-pat00101
2-Bromodibenzothiophene (30.0 g, 114 mmol), carbazole (21.0 g, 125 mmol), Pd(dba)2 (0.65 g, 1.14 mmol), Tri-tert-butylphosphine (0.69 g, 3.42 mmol), sodium-tert-butoxide (12.1 g, 125 mmol)을 Toluene (360 mL)와 혼합하였다. 질소하에서 110 ℃로 온도를 높여 환류하면서 18시간 동안 교반하고, 혼합물을 실온까지 냉각시킨 뒤, 물 300 mL와 methylene chloride 1000 mL로 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 MgSO4로 건조하고, 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 재결정(toluene / methanol) 하여 중간체 C (33.4 g, 84 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C24H15NS (M+) 349.
2) 화합물 D의 합성
Figure 112014099381784-pat00102
중간체 C (15.0 g, 42.9 mmol) 을 THF (210 mL) 에 녹인 후, -78 ℃ 조건에서 10분간 교반한다. n-Butyllithium (26.0 mL of a 2.5 M solution in hexanes, 64.4 mmol) 을 30분간 천천히 적가한 뒤, 4시간동안 -78 ℃ 조건에서 교반한다. 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane (16.0 mL, 64.4 mmol) 를 넣고 15분뒤 상온으로 올린 뒤, 5시간 교반 후, 혼합물에 증류수 100 mL 넣고 교반한다. methylene chloride (150 mL X 3)를 넣어 수득한 유기층을 MgSO4를 이용하여 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 재결정(dichloromethane / Methanol) 하여 중간체 D (15.3 g, 75 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C30H26BNO2S (M+) 475.
3) 화합물 11의 합성
Figure 112014099381784-pat00103
중간체　D (5.00 g, 10.5 mmol), 화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol), Pd(PPh3)4 (0.61 g, 0.53 mmol), K2CO3 (7.26 g, 52.6 mmol) 를　toluene 200 mL, ethanol 40 mL 와 증류수 60 mL에 녹인다. 120 ℃ 온도를 높여 환류하면서 18 hr 교반한다. 반응액을 실온으로 식힌 뒤, 혼합물에 증류수 100 mL 넣고 교반뒤, 생성된 고체를 필터하여 얻어진 잔류물을 재결정(toluene / methanol) 하여 화합물 11 (5.34 g, 77 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C45H28N4S (M+) 656.
합성예 12: 화합물 12의 합성
Figure 112014099381784-pat00104
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-2 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 12 (5.30 g, 77 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3S (M+) 655.
합성예 13: 화합물 13의 합성
Figure 112014099381784-pat00105
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-3 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 13 (4.86 g, 64 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3S (M+) 655.
합성예 14: 화합물 14의 합성
Figure 112014099381784-pat00106
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-4 (4.07 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 14 (5.16 g, 75 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H29N3S (M+) 655.
합성예 15: 화합물 15의 합성
Figure 112014099381784-pat00107
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-5 (2.80 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 15 (4.44 g, 73 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H25N3S (M+) 579.
합성예 16: 화합물 16의 합성
Figure 112014099381784-pat00108
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-6 (2.81 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 16 (4.15 g, 68 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C39H24N4S (M+) 580.
합성예 17: 화합물 17의 합성
Figure 112014099381784-pat00109
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-7 (4.38 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 17 (5.76 g, 80 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H27N3S (M+) 685.
합성예 18: 화합물 18의 합성
Figure 112014099381784-pat00110
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-8 (3.58 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 18 (4.74 g, 74 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H23N3S2 (M+) 609.
합성예 19: 화합물 19의 합성
Figure 112014099381784-pat00111
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-9 (4.21 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 19 (4.99 g, 71 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C46H27N3S (M+) 669.
합성예 20: 화합물 20의 합성
Figure 112014099381784-pat00112
화합물 E-1 (4.07 g, 10.5 mmol) 대신 화합물 E-10 (3.41 g, 10.5 mmol) 을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 11의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 20 (4.18 g, 67 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS 와 HPLC 분석을 통해 물질을 확인하였다.
LC-MS (m/z) = C40H23N3OS (M+) 593.
평가예 1 : HOMO, LUMO 및 삼중항(T1) 에너지 레벨 평가
표 2의 방법에 따라 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15의 HOMO, LUMO 및 T1 에너지 레벨을 평가하여 그 결과를 표 3에 나타내었다.
HOMO 에너지 레벨 평가 방법 Cyclic voltammetry (CV) (전해질: 0.1 M Bu4NClO4 / 용매: CH2Cl2을 / 전극: 3전극 시스템(작업전극: GC, 기준전극: Ag/AgCl, 보조전극: Pt))를 이용하여 각 화합물의 전위(V)-전류(A) 그래프를 얻을 후, 상기 그래프의 환원 온셋(reduction onset)으로부터 각 화합물의 HOMO 에너지 레벨을 계산함
LUMO 에너지 레벨 평가 방법 각 화합물을 CHCl3에 1x10-5M의 농도로 희석시켜, 시마즈 유브이-350 스펙트로메터(Shimadzu UV-350 Spectrometer)를 이용하여, 상온에서 UV 흡수 스펙트럼을 측정한 후, 상기 흡수 스펙트럼의 에지(edge)로부터의 광학 밴드갭(optical band gap)(Eg)를 이용하여 LUMO 에너지 레벨을 계산함
T1 에너지 레벨 평가 방법 톨루엔과 각 화합물의 혼합물(톨루엔 3cc에 각 화합물 1mg을 녹임)을 석영 셀에 넣은 후 액체 질소(77K)에 넣고 포토루미네센스 측정기기를 이용하여 포토루미네센스 스펙트럼을 측정하고 이를 일반 상온 포토루미네센스 스펙트럼과 비교하여 저온에서만 관측되는 피크만을 분석하여 T1 에너지 레벨을 계산함
화합물 No. HOMO(eV)
(실측치)		 LUMO(eV)
(실측치)		 T1 에너지 레벨
(eV)
1 -5.68 -2.30 2.81
2 -5.60 -2.14 2.83
5 -5.66 -2.41 2.74
6 -5.66 -2.61 2.62
7 -5.65 -2.31 2.68
8 -5.64 -2.38 2.63
11 -5.65 -2.19 2.60
12 -5.62 -2.16 2.66
13 -5.60 -2.44 2.66
상기 표 3으로부터 상기 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15은 유기 발광 소자용 재료로 사용하기에 적합한 전기적 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
평가예 2: 열적 특성 평가
상기 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15에 대하여 TGA(Thermo Gravimetric Analysis) 및 DSC(Differential Scanning Calorimetry)를 이용하여 열분석 (N2 분위기, 온도구간: 상온~ 800℃ (10℃/min)-TGA, 상온에서 400℃까지-DSC, Pan Type : Pt Pan in 일회용 Al Pan(TGA) , 일회용 Al pan(DSC))을 수행하여 그 결과를 표 4에 정리하였다. 표 4에 따르면, 상기 화합물들은 우수한 열안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
화합물 No. Tg(℃) Tm(℃) Tc(℃) Td(1%/5%,℃)
1 142.98 285.79 n/a 409.56/ 444.65
2 138.18 280.71 n/a 410.67/ 445.37
5 117.14 283.97 n/a 375.88/ 409.68
6 120.13 328.07 n/a 366.20/ 403.62
7 153.20 287.12 n/a 432.83/ 465.97
8 136.66 311.78 n/a 394.21/ 433.56
11 151.10 294.16 n/a 409.91/ 449.60
12 146.10 243.26 n/a 421.37/ 457.01
13 144.75 251.05 n/a 431.07/ 471.64
14 155.73 n/a n/a 433.87/472.40
15 131.31 296.57 n/a 393.04/ 428.96
평가예 3: 발광 스펙트럼 평가
상기 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15의 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 평가함으로써, 각 화합물의 발광 특성을 평가하였다. 화합물 1을 10mM 농도로 희석시켜, 제논(Xenon) 램프가 장착되어 있는 ISC PC1 스펙트로플로로메터 (Spectrofluorometer)를 이용하여, PL(Photoluminecscence) 스펙트럼을 측정(@ 298K)하였다. 이를 화합물 2, 5 내지 8 및 11 내지 15에 대하여 반복하였다.
상기 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15의 PL 스펙트럼의 최대 파장을 하기 표 5에 정리하였다.
화합물 No. λmax (nm) 화합물 No. λmax (nm)
1 392 11 403
2 385 12 385
5 412 13 391
6 445 14 406
7 392 15 422
8 415
상기 표 5로부터, 상기 화합물 화합물 1, 2, 5 내지 8 및 11 내지 15은 우수한 발광 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
실시예 1
1500Å 두께의 ITO (Indium tin oxide)전극(제1전극, 애노드)이 형성된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정 한 후 진공 층착기로 상기 기판을 이송하였다.
상기 유리 기판의 ITO 전극 상에 화합물 NPB를 진공 증착하여 1200Å 두께의 정공 수송층을 형성하여, 정공 수송 영역을 형성하였다.
상기 정공 수송 영역 상에 상기 화합물 1(호스트) 및 Ir(ppy)3(도펀트(본 명세서 중 화합물 PD1임), 10wt%)를 공증착하여 300Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 상에 BAlq를 진공 증착하여 50Å 두께의 제1전자 수송층을 형성하고, 상기 제1전자 수송층 상에 Alq3를 진공 증착하여 250Å 두께의 제2전자 수송층을 형성한 다음, 상기 제2전자 수송층 상에 LiF를 증착하여 5Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 1000Å 두께의 Al 제2전극(캐소드)를 형성함으로써, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure 112014099381784-pat00113
실시예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 4
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 6을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 5
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 7을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 6
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 8을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 7
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 11을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 8
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 12를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 9
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 13을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 10
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 14를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 11
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 15를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 A를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 A>
Figure 112014099381784-pat00114
비교예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 화합물 B를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 B>
Figure 112014099381784-pat00115

비교예 3
발광층 형성시 화합물 1 대신 CBP를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
평가예 4: 유기 발광 소자의 특성 평가
상기 실시예 1 내지 11 및 비교예 1 및 2에서 제조된 각각의 유기 발광 소자에 대하여 전압에 따른 전류 밀도 변화, 휘도 변화 및 발광 효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기과 같고, 그 결과는 하기 표 6과 같다:
(1) 전압 변화에 따른 전류 밀도의 변화 측정
제조된 유기 발광 소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압 변화에 따른 휘도 변화 측정
제조된 유기 발광 소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광 효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류 밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.
EML 구동 전압
(V)		 효율
(cd/A)		 전력
(lm/W)		 발광색
호스트 도펀트
실시예 1 화합물 1 Ir(ppy)3 5.4 50 29.1 녹색
실시예 2 화합물 2 Ir(ppy)3 5.5 53 30.3 녹색
실시예 3 화합물 5 Ir(ppy)3 5.0 60.5 38.0 녹색
실시예 4 화합물 6 Ir(ppy)3 5.3 53.3 31.6 녹색
실시예 5 화합물 7 Ir(ppy)3 5.5 52.4 29.9 녹색
실시예 6 화합물 8 Ir(ppy)3 5.5 57.3 32.7 녹색
실시예 7 화합물 11 Ir(ppy)3 5.5 34.1 19.5 녹색
실시예 8 화합물 12 Ir(ppy)3 5.9 35.3 18.8 녹색
실시예 9 화합물 13 Ir(ppy)3 6.4 43.4 21.3 녹색
실시예 10 화합물 14 Ir(ppy)3 5.9 47.7 25.4 녹색
실시예 11 화합물 15 Ir(ppy)3 4.5 51.1 35.7 녹색
비교예 1 화합물 A Ir(ppy)3 5.2 44.5 26.9 녹색
비교예 2 화합물 B Ir(ppy)3 5.1 46 28.3 녹색
비교예 3 CBP Ir(ppy)3 6.5 47.7 22.0 녹색
상기 표 6으로부터, 실시예 1 내지 11의 유기 발광 소자는 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자에 비하여, 저구동 전압 및 고효율을 가짐을 확인할 수 있다.
10: 유기 발광 소자
11: 제1전극
15: 유기층
19: 제2전극

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물:
    <화학식 1>
    Figure 112021028983805-pat00116

    상기 화학식 1 중,
    X11은 산소 원자(O) 및 황 원자(S) 중에서 선택되고;
    L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고;
    a11 내지 a14는, 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택되고;
    R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C20헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 및 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
    R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET이고;
    b11 내지 b13은 서로 독립적으로, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    RET는 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택되고;
    Figure 112021028983805-pat00117

    Figure 112021028983805-pat00118

    Figure 112021028983805-pat00119

    Figure 112021028983805-pat00120

    상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
    X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
    R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택되고;
    a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
    a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
    a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고;
    상기 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
    -N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
    상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 하기 화학식 2-1 내지 2-10 중 어느 하나인, 카바졸계 화합물:
    Figure 112021028983805-pat00121

    Figure 112021028983805-pat00147

    상기 화학식 2-1 내지 2-10 중,
    R21 내지 R23은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 페닐기-치환된 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기 및 -Si(Q33)(Q34)(Q45) 중에서 선택되고;
    상기 Q33 내지 Q45는 서로 독립적으로, 수소, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
    a21은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    a22는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
    a23은 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 및 8 중에서 선택되고;
    a24는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    a25는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
    * 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  3. 제1항에 있어서,
    L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 하기 화학식 3-1 및 3-14 중에서 선택되는, 카바졸계 화합물:
    Figure 112021028983805-pat00148

    상기 화학식 3-1 및 3-14 중,
    * 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  4. 제1항에 있어서,
    a11 내지 a13은 서로 독립적으로, 0 및 1 중에서 선택되는, 카바졸계 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    a14는 0인, 카바졸계 화합물.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    R11 내지 R13은 서로 독립적으로, RET, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염 및 인산 또는 이의 염 중 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; 및
    -Si(Q3)(Q4)(Q5); 중에서 선택되고;
    상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난쓰레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 카바졸일기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 및 퀴녹살리닐기 중에서 선택되고,
    R11 내지 R13 중 적어도 하나는, RET인, 카바졸계 화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    R11 내지 R13 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택되는, 카바졸계 화합물:
    Figure 112014099381784-pat00125

    Figure 112014099381784-pat00126

    Figure 112014099381784-pat00127

    Figure 112014099381784-pat00128

    상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
    X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
    R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
    a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
    a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
    a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  9. 제1항에 있어서,
    R11 내지 R13 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로 하기 화학식 9-4 내지 9-8, 9-51 및 9-52 중에서 선택되는, 카바졸계 화합물:
    Figure 112014099381784-pat00129

    상기 화학식 9-4 내지 9-8, 9-51 및 9-52 중,
    X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
    R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, F, -Cl, -Br, -I, 시아노기, 니트로기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 및 퀴나졸리닐기 중에서 선택되고;
    a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  10. 제1항에 있어서,
    R11 내지 R13 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로 하기 화학식 10-1 내지 10-7 중에서 선택되는, 카바졸계 화합물:
    Figure 112014099381784-pat00130

    상기 화학식 10-1 내지 10-7 중,
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  11. 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는, 카바졸계 화합물:
    <화합물 1-1>
    Figure 112021028983805-pat00131

    <화합물 1-2>
    Figure 112021028983805-pat00132

    <화합물 1-3>
    Figure 112021028983805-pat00133

    상기 화학식 1-1 내지 1-3 중,
    X11은 산소 원자(O) 및 황 원자(S) 중에서 선택되고;
    L11 내지 L14는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기 중에서 선택되고;
    a11 내지 a14는, 서로 독립적으로, 0, 1 및 2 중에서 선택되고;
    상기 화학식 1-1 중의 R11, 상기 화학식 1-2 중의 R12 및 상기 화학식 1-3 중의 R13는, RET이고;
    b11 내지 b13은 서로 독립적으로, 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    RET는 하기 화학식 9-1 내지 9-52 중에서 선택되고;
    Figure 112021028983805-pat00149

    Figure 112021028983805-pat00150

    Figure 112021028983805-pat00151

    Figure 112021028983805-pat00152

    상기 화학식 9-1 내지 9-52 중,
    X91은 O 및 S 중에서 선택되고;
    R91 및 R92는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C1-C60알콕시기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택되고;
    a91은 1, 2, 3 및 4 중에서 선택되고;
    a92는 1, 2 및 3 중에서 선택되고;
    a93은 1 및 2 중에서 선택되고;
    a94는 1, 2, 3, 4, 5 및 6 중에서 선택되고;
    a95는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고;
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이고;
    상기 치환된 C6-C60아릴렌기의 치환기는,
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
    C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
    중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
    -N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;
    상기 Q1 내지 Q7, Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
  12. 제11항에 있어서,
    하기 화학식 1-1A, 1-2A 및 1-3A 중 어느 하나로 표시되는, 카바졸계 화합물:
    <화합물 1-1A>
    Figure 112021028983805-pat00134

    <화합물 1-2A>
    Figure 112021028983805-pat00135

    <화합물 1-3A>
    Figure 112021028983805-pat00136

    상기 화학식 1-1A, 1-2A 및 1-3A 중,
    X11, L11 내지 L13, a11 내지 a13, R11 내지 R13 및 b11 내지 b13는 제11항에 기재된 바와 동일하되;
    상기 화학식 1-1A 중의 R11, 상기 화학식 1-2A 중의 R12 및 상기 화학식 1-3A 중의 R13은 서로 독립적으로, RET이다.
  13. 제11항에 있어서,
    하기 화학식 1-1B로 표시되는, 카바졸계 화합물:
    Figure 112021028983805-pat00137

    상기 화학식 1-1B 중,
    X11, L11 및 a11은 제11항에 기재된 바와 동일하고,
    RET는 하기 화학식 10-1 내지 10-7 중에서 선택되고;
    Figure 112021028983805-pat00138

    상기 화학식 10-1 내지 10-7 중,
    *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  14. 제1항에 있어서,
    하기 화합물 1 내지 20 중 어느 하나인, 카바졸계 화합물:
    Figure 112014099381784-pat00139

    Figure 112014099381784-pat00140

    Figure 112014099381784-pat00141
  15. 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 제1항 내지 제5항 및 제7항 내지 제14항 중 어느 한 항의 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물을 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1전극은 애노드이고,
    상기 제2전극은 캐소드이고,
    상기 유기층은, i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역; 및 ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역;을 포함한, 유기 발광 소자.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물이 상기 발광층에 포함되어 있는, 유기 발광 소자.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 발광층은 제1호스트 및 제2호스트를 포함하고,
    상기 제1호스트와 상기 제2호스트는 서로 상이하고,
    상기 제1호스트는 및 상기 제2호스트는 서로 독립적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸계 화합물 중에서 선택되는, 유기 발광 소자.
  19. 삭제
  20. 삭제
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