WO2012017958A9 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態1を説明する。
まず、図2を参照して、炭化珪素からなる基板1の主表面上に、導電型がn型である炭化珪素のエピタキシャル層を形成する。当該エピタキシャル層は耐圧保持層2となる。耐圧保持層2を形成するためのエピタキシャル成長は、たとえば原料ガスとしてシラン(SiH4)とプロパン(C3H8)との混合ガスを用い、キャリアガスとしてたとえば水素ガス(H2)を用いたCVD法により実施することができる。また、このとき導電型がn型の不純物としてたとえば窒素(N)やリン(P)を導入することが好ましい。この耐圧保持層2のn型不純物の濃度は、たとえば5×1015cm-3以上5×1016cm-3以下とすることができる。
そして、このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングにより層間絶縁膜10およびゲート絶縁膜8を部分的にエッチングにより除去する。この結果、層間絶縁膜10およびゲート絶縁膜8には開口部11(図9参照)が形成される。この開口部11の底部においては、p型のコンタクト領域5およびn型ソースコンタクト層4の一部が露出した状態となる。その後、当該開口部11の内部を充填するとともに、上述したレジスト膜の上部表面上を覆うようにソース電極12(図9参照)となるべき導電体膜を形成する。その後、薬液などを用いてレジスト膜を除去することにより、レジスト膜上に形成されていた導電体膜の部分を同時に除去する(リフトオフ)。この結果、開口部11の内部に充填された導電体膜によりソース電極12を形成できる。このソース電極12はp型のコンタクト領域5およびn型ソースコンタクト層4とオーミック接触したオーミック電極である。
図13を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態2を説明する。
次に、図16に示すように、n型ソースコンタクト層34の上部表面上にマスク層17を形成する。マスク層17として、たとえばシリコン酸化膜などの絶縁膜を用いることができる。マスク層17の形成方法としては、図4において説明したマスク層17の製造方法と同様の方法を用いることができる。この結果、図16に示した溝16が形成されるべき領域に開口パターンを有するマスク層17が形成される。
次に、図19に示すように、溝6の内部からn型ソースコンタクト層34およびp型のコンタクト領域35の上部表面上にまで延在するようにゲート絶縁膜8を形成する。ゲート絶縁膜8の材質や形成方法は、図7におけるゲート絶縁膜8の材質や形成方法と同様である。このようにして、図19に示す構造を得る。
また、基板31の裏面側(n型エピタキシャル層32が形成された主表面と反対側の表面側)に、ドレイン電極14(図21参照)を形成する。ドレイン電極14としては、基板31とオーミック接触が可能な材料であれば任意の材料を用いることができる。このようにして、図21に示す構造を得る。
図23を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態3を説明する。
図24に示した半導体装置は、基本的には図23に示した半導体装置と同様の構造を備えるが、ガードリング45(図23参照)に代えてJTE(Junction Termination Extension)領域46が形成されている点が異なる。JTE領域46は、導電型がp型の領域である。このようなJTE領域46も、図23に示したガードリング45と同様にイオン注入および活性化アニールを実施することにより形成することができる。そして、図23に示した半導体装置の製造方法と同様に、図24に示した半導体装置の製造方法においても、JTE領域46を形成するためのイオン注入後の活性化アニール処理においては、少なくとも側面20を覆うようなキャップ層を形成することなく活性化アニール処理を実施する。このようにしても、側面20は安定な結晶面(たとえば{03-3-8}面)によって構成されているため、当該活性アニールによっても側面20の表面が荒れるといった問題は発生しない。
また、炭化珪素層の上部表面がC面またはSi面であってもよい。また、上記溝6の側面20は、炭化珪素の結晶における6回対称となる等価な面方位のうちの少なくとも2面を含んでいてもよい。
本発明の効果を確認するため、以下のような実験を行なった。
試料1~3を形成するための炭化珪素からなる基板を3枚準備した。なお、当該基板の主表面は、(0001)面からのオフ角が8°となっている。そして、当該基板の主表面上に、炭化珪素のエピタキシャル層を形成した。当該エピタキシャル層の厚みは10μmとした。
そして、当該エピタキシャル層の表面上に、CVD法を用いてシリコン酸化膜からなるマスク層を形成した。マスク層の厚みは0.05μmとした。そして、当該マスク層上に、フォトリソグラフィ法を用いてパターンを有するレジスト膜を形成した。レジスト膜のパターンは、平面形状が正六角形の島状パターンが、開口部を介して並んだ構成とした。正六角形の一辺の長さは4.0μmとした。開口部の幅(隣接する島状パターンの間の距離)は、試料1では4μm、試料2、3では2μmとした。
実験1:
試料1および試料2について、マスク層をマスクとして用いて島状パターンの間において露出している炭化珪素層を除去するべく、熱エッチングを実施した。具体的には、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を900℃とした。また、酸素ガスの流量を1.5slm、塩素ガスの流量を1.5slmとした。また、処理時間は15分とした。
実験2:
試料3について、マスク層をマスクとして用いて島状パターンの間において露出している炭化珪素層を除去し溝を形成するべく、反応性イオンエッチング(RIE)を実施した。RIEのプロセス条件はパワー:800W、バイアス:10W、SF6の流量を20sccmとした。
(結果)
実験1の結果:
図26および図27を参照して、実験1の結果を説明する。図26に示すように、試料1についてはマスク層17の間において炭化珪素層がエッチングにより除去され、溝がきれいに形成されていることがわかる。マスク層17の間の距離である開口部の幅Lが4μmである試料1では、熱エッチングによりマスク層17の間にて露出していた炭化珪素層が除去され、傾斜した側面を有する溝が形成されている。
実験2において加工された試料3については、図26に示した試料1と同様に、マスク層17の間で露出していた炭化珪素層がほぼ除去され、マスク層17の間にくまなく溝が形成されていた。このように、マスク層17の開口部の幅が2μmと比較的狭い条件であっても、本発明によれば溝を確実に形成することが可能であった。
1,31 基板、2 耐圧保持層、3 p型ボディ層(p型半導体層)、4,34 n型ソースコンタクト層、5,35 コンタクト領域、6,16 溝、7 電界緩和領域、8 ゲート絶縁膜、9 ゲート電極、10 層間絶縁膜、11 開口部、12 ソース電極、13 ソース配線電極、14 ドレイン電極、15 裏面保護電極、17 マスク層、20 側面、21 Si被膜、22 SiC再構成層、32 n型エピタキシャル層、33 p型半導体層、36 p型エピタキシャル層、42 n-エピタキシャル層、43 p+半導体層、44 リッジ構造、45 ガードリング、46 JTE領域。
Claims (8)
- 主表面を有する炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)を準備する工程と、
前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)を部分的に除去することにより、前記主表面に溝(16)を形成する工程と、
熱エッチングにより前記溝(16)の側壁を部分的に除去する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 - 前記溝(16)を形成する工程は、
前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)の前記主表面上に開口パターンを有するマスク層(17)を形成する工程と、
前記マスク層(17)をマスクとして用いて前記溝(16)を形成するように、エッチングにより前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)を部分的に除去する工程とを含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記除去する工程では、前記マスク層(17)が前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)の前記主表面上に残存した状態で前記熱エッチングを行なう、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク層(17)における前記開口パターンの幅は2μm以下である、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去する工程では、前記溝(16)の側壁における加工変質層を除去する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去する工程では、前記溝(16)の側壁を部分的に除去することにより、前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)の前記主表面に対して傾斜した端面(20)を形成する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記端面(20)は、前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)の結晶型が六方晶の場合には実質的に{03-3-8}面および{01-1-4}面のいずれか一方を含み、前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)の結晶型が立方晶の場合には実質的に{100}面を含む、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去する工程では、熱エッチングとして、前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)に、酸素および塩素を含有する反応ガスを接触させながら、前記炭化珪素層(2~5、32~35、42、43)を加熱することで、前記溝(16)の側壁を部分的に除去する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2013243179A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置 |
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JP6098447B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-03-22 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015072944A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2015072999A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
JP2016048747A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-07 | 株式会社豊田中央研究所 | トレンチゲート電極を備えている半導体装置 |
JP2016213419A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6233436B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2017-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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JP2018082114A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR3085369B1 (fr) * | 2018-08-31 | 2021-01-08 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Modulateur electro-optique |
CN110957214A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | 一种沟槽及其蚀刻方法 |
JP7230477B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-03-01 | 株式会社デンソー | トレンチゲート型のスイッチング素子の製造方法 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3471473B2 (ja) | 1994-04-06 | 2003-12-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3531291B2 (ja) | 1994-06-23 | 2004-05-24 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US5723376A (en) * | 1994-06-23 | 1998-03-03 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing SiC semiconductor device having double oxide film formation to reduce film defects |
JP3419163B2 (ja) | 1995-09-06 | 2003-06-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR100199997B1 (ko) | 1995-09-06 | 1999-07-01 | 오카메 히로무 | 탄화규소 반도체장치 |
JP3307184B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2002-07-24 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
JP3471509B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2003-12-02 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
US6133587A (en) | 1996-01-23 | 2000-10-17 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same |
US5882786A (en) | 1996-11-15 | 1999-03-16 | C3, Inc. | Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating |
JPH11251592A (ja) | 1998-01-05 | 1999-09-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置 |
JP2000021849A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ドライエッチング方法 |
JP4457432B2 (ja) | 1999-06-17 | 2010-04-28 | 株式会社デンソー | 種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置 |
DE60033829T2 (de) * | 1999-09-07 | 2007-10-11 | Sixon Inc. | SiC-HALBLEITERSCHEIBE, SiC-HALBLEITERBAUELEMENT SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-HALBLEITERSCHEIBE |
EP1684359A3 (en) | 2000-05-31 | 2006-10-25 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd | Misfet |
US20020177321A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-11-28 | Li Si Yi | Plasma etching of silicon carbide |
JP2005056868A (ja) | 2001-06-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US20030012925A1 (en) | 2001-07-16 | 2003-01-16 | Motorola, Inc. | Process for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same and including an etch stop layer used for back side processing |
JP2003133434A (ja) | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JP2003218350A (ja) | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4593099B2 (ja) | 2003-03-10 | 2010-12-08 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長法及びそれに用いられる熱処理装置 |
US20060249073A1 (en) | 2003-03-10 | 2006-11-09 | The New Industry Research Organization | Method of heat treatment and heat treatment apparatus |
JP2005167035A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 炭化珪素半導体素子およびその製造方法 |
JP4500558B2 (ja) | 2004-02-09 | 2010-07-14 | トヨタ自動車株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP4487655B2 (ja) | 2004-04-14 | 2010-06-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
WO2005116307A1 (ja) | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Bridgestone Corporation | 炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法 |
JP5017768B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2012-09-05 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子 |
EP1612851B1 (en) | 2004-06-30 | 2010-03-03 | Xycarb Ceramics B.V. | A method for the treatment of a surface of a metal-carbide substrate for use in semiconductor manufacturing processes as well as such a metal-carbide substrate |
JP2007182330A (ja) | 2004-08-24 | 2007-07-19 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
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US20060214268A1 (en) | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | SiC semiconductor device |
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JP5017823B2 (ja) | 2005-09-12 | 2012-09-05 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP5017855B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2012-09-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP1972008B1 (en) | 2006-01-10 | 2020-05-13 | Cree, Inc. | Silicon carbide dimpled substrate |
JP2007243080A (ja) | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2008098593A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8198675B2 (en) | 2006-11-21 | 2012-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2008135534A (ja) | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | 有底の溝を有する半導体基板の製造方法 |
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JP4450241B2 (ja) | 2007-03-20 | 2010-04-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5307381B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2013-10-02 | Hoya株式会社 | 半導体素子ならびに半導体素子製造法 |
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EP2091083A3 (en) | 2008-02-13 | 2009-10-14 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including a deep layer |
JP2010147222A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5589263B2 (ja) | 2008-05-29 | 2014-09-17 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体基板のトレンチ形成方法 |
JP5298691B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-09-25 | 住友電気工業株式会社 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 |
JP5442229B2 (ja) | 2008-09-04 | 2014-03-12 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP4544360B2 (ja) | 2008-10-24 | 2010-09-15 | トヨタ自動車株式会社 | Igbtの製造方法 |
KR20110133542A (ko) | 2009-03-27 | 2011-12-13 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Mosfet 및 mosfet의 제조 방법 |
JP2011044513A (ja) | 2009-08-20 | 2011-03-03 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 炭化珪素半導体装置 |
CN102576723B (zh) | 2009-10-23 | 2014-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US20110233560A1 (en) | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Electrode for silicon carbide, silicon carbide semiconductor element, silicon carbide semiconductor device and method for forming electrode for silicon carbide |
JP5707770B2 (ja) | 2010-08-03 | 2015-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8981384B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
JP5510309B2 (ja) | 2010-12-22 | 2014-06-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5668576B2 (ja) | 2011-04-01 | 2015-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
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