JP2000021849A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JP2000021849A JP2000021849A JP10190147A JP19014798A JP2000021849A JP 2000021849 A JP2000021849 A JP 2000021849A JP 10190147 A JP10190147 A JP 10190147A JP 19014798 A JP19014798 A JP 19014798A JP 2000021849 A JP2000021849 A JP 2000021849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- silicon
- dry etching
- substrate
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 珪素又は炭化珪素からなる基板を適度な温度
でドライエッチングする方法を提供する。 【解決手段】 表面の所定部分に保護膜２が形成された
珪素又は炭化珪素からなる基板１を５００℃以上１００
０℃以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に
供給して基板１の保護膜２が形成されていない部分をド
ライエッチングする。雰囲気ガスは水素ガスであること
が好ましい。また、保護膜２は珪素酸化物からなること
が好ましく、その場合は雰囲気ガス中の水分濃度が１ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。
でドライエッチングする方法を提供する。 【解決手段】 表面の所定部分に保護膜２が形成された
珪素又は炭化珪素からなる基板１を５００℃以上１００
０℃以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に
供給して基板１の保護膜２が形成されていない部分をド
ライエッチングする。雰囲気ガスは水素ガスであること
が好ましい。また、保護膜２は珪素酸化物からなること
が好ましく、その場合は雰囲気ガス中の水分濃度が１ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板のドライエッチ
ング方法に関し、更に詳しくは反応性ガスを利用して基
板を適度な温度でドライエッチングする方法に関する。
ング方法に関し、更に詳しくは反応性ガスを利用して基
板を適度な温度でドライエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、珪素又は炭化珪素からなる基板の
表面について所望の部分のみエッチングする場合には、
基板の表面に珪素酸化物等の保護膜を全面に形成し、エ
ッチングする部分の保護膜のみを除去して基板表面を部
分的に露出させた後、珪素基板についてはＣＦ4、ＳＦ
６、ＸｅＦ２などの反応性ガスを室温近傍で供給するこ
とにより、また炭化珪素基板については１４００℃以上
の極めて高い温度でＨＣｌガスを供給することによりド
ライエッチングする方法などが用いられていた。
表面について所望の部分のみエッチングする場合には、
基板の表面に珪素酸化物等の保護膜を全面に形成し、エ
ッチングする部分の保護膜のみを除去して基板表面を部
分的に露出させた後、珪素基板についてはＣＦ4、ＳＦ
６、ＸｅＦ２などの反応性ガスを室温近傍で供給するこ
とにより、また炭化珪素基板については１４００℃以上
の極めて高い温度でＨＣｌガスを供給することによりド
ライエッチングする方法などが用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の方
法では、珪素基板については室温付近でエッチングが行
われるので、他のプロセスに比較して温度が低すぎるた
めに、この工程だけを独立に実行しなければならず、生
産性の低下を招いていた。一方、炭化珪素基板について
は１４００℃以上の極めて高い温度でエッチングが行わ
れるので、同様に他のプロセスと整合性よく処理を行う
ことが困難であった。
法では、珪素基板については室温付近でエッチングが行
われるので、他のプロセスに比較して温度が低すぎるた
めに、この工程だけを独立に実行しなければならず、生
産性の低下を招いていた。一方、炭化珪素基板について
は１４００℃以上の極めて高い温度でエッチングが行わ
れるので、同様に他のプロセスと整合性よく処理を行う
ことが困難であった。
【０００４】そこで、本発明は上記のような課題を解決
するためになされたもので、珪素又は炭化珪素からなる
基板を適度な温度でドライエッチングする方法を提供す
ることを目的とする。
するためになされたもので、珪素又は炭化珪素からなる
基板を適度な温度でドライエッチングする方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題の
解決のため、従来使用されていたＣＦ4などのガスの替
りにフッ化水素ガスを用いたドライエッチング方法を発
明した。
解決のため、従来使用されていたＣＦ4などのガスの替
りにフッ化水素ガスを用いたドライエッチング方法を発
明した。
【０００６】本願の請求項１記載の発明は、表面の所定
部分に保護膜が形成された珪素又は炭化珪素からなる基
板を５００℃以上１０００℃以下に加熱し、フッ化水素
ガスを雰囲気ガスと共に供給して前記基板の前記保護膜
が形成されていない部分をドライエッチングすることを
特徴とするドライエッチング方法を提供する。
部分に保護膜が形成された珪素又は炭化珪素からなる基
板を５００℃以上１０００℃以下に加熱し、フッ化水素
ガスを雰囲気ガスと共に供給して前記基板の前記保護膜
が形成されていない部分をドライエッチングすることを
特徴とするドライエッチング方法を提供する。
【０００７】本願の請求項２記載の発明は、請求項１に
おいて、フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガスが水素ガ
スであることを特徴とするドライエッチング方法を提供
する。
おいて、フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガスが水素ガ
スであることを特徴とするドライエッチング方法を提供
する。
【０００８】本願の請求項３記載の発明は、請求項１又
は請求項２において、前記保護膜が珪素酸化物からなる
ことを特徴とするドライエッチング方法を提供する。
は請求項２において、前記保護膜が珪素酸化物からなる
ことを特徴とするドライエッチング方法を提供する。
【０００９】本願の請求項４記載の発明は、請求項３に
おいて、フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガス中の水分
濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするドライエッ
チング方法を提供する。
おいて、フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガス中の水分
濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするドライエッ
チング方法を提供する。
【００１０】本願の請求項５記載の発明は、請求項１に
おいて、前記基板を５００℃以上８５０℃以下に加熱す
ることを特徴とするドライエッチング方法を提供する。
おいて、前記基板を５００℃以上８５０℃以下に加熱す
ることを特徴とするドライエッチング方法を提供する。
【００１１】本願の請求項６記載の発明は、表面の所定
部分に珪素酸化膜からなる保護膜が形成された珪素単結
晶基板を、水分濃度が１ｐｐｍ以下に保たれた水素雰囲
気中で５００℃以上８５０℃以下に加熱するとともに、
フッ化水素ガスと水素ガスの混合ガスを供給することに
より、前記珪素単結晶基板上の前記保護膜が形成されて
いない部分をエッチングすることを特徴とするドライエ
ッチング方法を提供する。
部分に珪素酸化膜からなる保護膜が形成された珪素単結
晶基板を、水分濃度が１ｐｐｍ以下に保たれた水素雰囲
気中で５００℃以上８５０℃以下に加熱するとともに、
フッ化水素ガスと水素ガスの混合ガスを供給することに
より、前記珪素単結晶基板上の前記保護膜が形成されて
いない部分をエッチングすることを特徴とするドライエ
ッチング方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明においては、５００℃以上
１０００℃以下におけるフッ化水素ガスの反応性を利用
して珪素又は炭化珪素からなる基板をドライエッチング
する。従って、適度な高温で被処理基板をドライエッチ
ングでき、他のプロセスと整合性よく行うことが可能と
なる。
１０００℃以下におけるフッ化水素ガスの反応性を利用
して珪素又は炭化珪素からなる基板をドライエッチング
する。従って、適度な高温で被処理基板をドライエッチ
ングでき、他のプロセスと整合性よく行うことが可能と
なる。
【００１３】また、特にフッ化水素ガスを供給する雰囲
気ガスとして水素ガスを選択した場合は、基板の表面を
水素原子で終端させて保護することができる。更に、保
護膜として珪素酸化物を選択した場合は、珪素又は炭化
珪素とのエッチング速度の比を大きくとれる。特にフッ
化水素ガスを供給する雰囲気ガス中の水分濃度を１ｐｐ
ｍ以下とすると、フッ化水素ガスによる珪素酸化物のエ
ッチング反応が実質的に開始されないので、珪素酸化物
をより安定な保護膜として使用することができる。
気ガスとして水素ガスを選択した場合は、基板の表面を
水素原子で終端させて保護することができる。更に、保
護膜として珪素酸化物を選択した場合は、珪素又は炭化
珪素とのエッチング速度の比を大きくとれる。特にフッ
化水素ガスを供給する雰囲気ガス中の水分濃度を１ｐｐ
ｍ以下とすると、フッ化水素ガスによる珪素酸化物のエ
ッチング反応が実質的に開始されないので、珪素酸化物
をより安定な保護膜として使用することができる。
【００１４】次に、本発明における化学反応について説
明する。被処理基板が珪素からなる場合については、 Ｓｉ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4↑＋２Ｈ２↑ （１） で表される反応が生じていると推定される。また、被処
理基板が炭化珪素からなる場合については、 ＳｉＣ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4↑＋ＣＨ4↑，ＣＦ4↑，Ｈ２↑ （２） で表される反応が生じていると推定される。
明する。被処理基板が珪素からなる場合については、 Ｓｉ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4↑＋２Ｈ２↑ （１） で表される反応が生じていると推定される。また、被処
理基板が炭化珪素からなる場合については、 ＳｉＣ＋４ＨＦ → ＳｉＦ4↑＋ＣＨ4↑，ＣＦ4↑，Ｈ２↑ （２） で表される反応が生じていると推定される。
【００１５】一方、珪素酸化物については ＳｉＯ２＋４ＨＦ → ＳｉＦ4↑＋２Ｈ２Ｏ↑ （３） という化学反応が起こることが知られている。しかし、
この化学反応は水分子が共存しなければ開始できない。
被処理基板の温度が１００℃以下の場合、該被処理基板
に吸着している水分により（３）式の反応が開始され
る。また、８５０℃より高い温度においては、水素ガス
が共存する場合には、水素ガスが珪素酸化物を還元して ＳｉＯ２＋Ｈ２ → ＳｉＯ＋Ｈ２Ｏ （４） の反応が進行するので、これによって水分子が発生し、
（３）式の反応が開始される。さらに、１０００℃を越
える温度では、珪素、炭化珪素共にドライエッチングが
進行するものの、珪素酸化物からなる保護膜のエッチン
グ速度が被処理基板のエッチング速度よりも速くなって
しまうので、好ましくない。また、石英からなる反応容
器では該反応容器がフッ化水素ガスにより腐食され始め
るので、危険である。
この化学反応は水分子が共存しなければ開始できない。
被処理基板の温度が１００℃以下の場合、該被処理基板
に吸着している水分により（３）式の反応が開始され
る。また、８５０℃より高い温度においては、水素ガス
が共存する場合には、水素ガスが珪素酸化物を還元して ＳｉＯ２＋Ｈ２ → ＳｉＯ＋Ｈ２Ｏ （４） の反応が進行するので、これによって水分子が発生し、
（３）式の反応が開始される。さらに、１０００℃を越
える温度では、珪素、炭化珪素共にドライエッチングが
進行するものの、珪素酸化物からなる保護膜のエッチン
グ速度が被処理基板のエッチング速度よりも速くなって
しまうので、好ましくない。また、石英からなる反応容
器では該反応容器がフッ化水素ガスにより腐食され始め
るので、危険である。
【００１６】しかし、１００℃より高く８５０℃以下の
温度範囲においては水分を意図的に供給あるいはその場
で発生させない限り、（３）式の反応は開始されない。
また、５００℃未満では、珪素、炭化珪素共にドライエ
ッチングは実質的に進行しない。従って、５００℃以上
８５０℃以下の温度範囲では、珪素又は炭化珪素からな
る基板に対するフッ化水素ガスを用いたドライエッチン
グに、珪素酸化物を保護膜として使用することができ
る。
温度範囲においては水分を意図的に供給あるいはその場
で発生させない限り、（３）式の反応は開始されない。
また、５００℃未満では、珪素、炭化珪素共にドライエ
ッチングは実質的に進行しない。従って、５００℃以上
８５０℃以下の温度範囲では、珪素又は炭化珪素からな
る基板に対するフッ化水素ガスを用いたドライエッチン
グに、珪素酸化物を保護膜として使用することができ
る。
【００１７】ただし、（３）式の反応速度は１０００℃
以下では（１），（２）式の反応に比較して十分に小さ
いので、被処理基板の温度が５００℃以上１０００℃以
下の場合、珪素酸化物は（１），（２）式に対する保護
材料として用いることができる。珪素酸化物としては、
例えばＣＶＤ酸化膜あるいは熱酸化膜が好ましい。
以下では（１），（２）式の反応に比較して十分に小さ
いので、被処理基板の温度が５００℃以上１０００℃以
下の場合、珪素酸化物は（１），（２）式に対する保護
材料として用いることができる。珪素酸化物としては、
例えばＣＶＤ酸化膜あるいは熱酸化膜が好ましい。
【００１８】
【実施例】本発明の実施例について、図を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１９】図１は、本発明の一実施例において用いる
装置の一例を示す。この装置において、透明石英ガラス
等からなる反応容器１０中に珪素単結晶基板１を載置
し、反応容器１０の外側に設けられた赤外線ランプ１１
に通電して赤外線を前記珪素単結晶基板１に照射し、該
珪素単結晶基板１を５００℃以上８５０℃以下に加熱す
る。そして、水分濃度が１ｐｐｍ以下に制御された水素
ガス中にフッ化水素ガスを０．００１％〜１％の濃度に
混合したエッチングガス１３をガス導入口１２から供給
する。エッチングガス１３は、珪素単結晶基板１上を流
れながら（１）式の化学反応を生じる。ここで、被処理
基板が珪素の替りに炭化珪素からなる場合は、（２）式
の反応が生じる。なお、珪素単結晶基板１の温度は放射
温度計１４により検出される。図１において、ＭＦＣは
マスフローコントローラー（Mass Flow Controller）で
あり、水素ガスとフッ化水素ガスの流量を個別に制御す
る。
装置の一例を示す。この装置において、透明石英ガラス
等からなる反応容器１０中に珪素単結晶基板１を載置
し、反応容器１０の外側に設けられた赤外線ランプ１１
に通電して赤外線を前記珪素単結晶基板１に照射し、該
珪素単結晶基板１を５００℃以上８５０℃以下に加熱す
る。そして、水分濃度が１ｐｐｍ以下に制御された水素
ガス中にフッ化水素ガスを０．００１％〜１％の濃度に
混合したエッチングガス１３をガス導入口１２から供給
する。エッチングガス１３は、珪素単結晶基板１上を流
れながら（１）式の化学反応を生じる。ここで、被処理
基板が珪素の替りに炭化珪素からなる場合は、（２）式
の反応が生じる。なお、珪素単結晶基板１の温度は放射
温度計１４により検出される。図１において、ＭＦＣは
マスフローコントローラー（Mass Flow Controller）で
あり、水素ガスとフッ化水素ガスの流量を個別に制御す
る。
【００２０】珪素単結晶基板１の表面には、必要に応じ
た形状と大きさを有する、熱酸化による珪素酸化物から
なる保護膜２が予め形成されている。例えば、図２
（ａ）のように珪素単結晶基板１の表面に部分的に保護
膜２を形成させておくことにより、フッ化水素ガスに接
触した珪素単結晶基板１の表面部は効果的にエッチング
除去されるものの、保護膜２の直下はフッ化水素による
エッチングから保護される（図２（ｂ））。
た形状と大きさを有する、熱酸化による珪素酸化物から
なる保護膜２が予め形成されている。例えば、図２
（ａ）のように珪素単結晶基板１の表面に部分的に保護
膜２を形成させておくことにより、フッ化水素ガスに接
触した珪素単結晶基板１の表面部は効果的にエッチング
除去されるものの、保護膜２の直下はフッ化水素による
エッチングから保護される（図２（ｂ））。
【００２１】フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガスとし
ては、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスも使用
可能であるが、該不活性ガスよりも水素ガスのほうが望
ましい。これは、ドライエッチング後の被処理基板の表
面を水素原子で終端させて保護できるためである。水素
原子は比較的安定に表面を終端し続け、且つ数百℃程度
に加熱すれば容易に除去できるので、ドライエッチング
の次の工程に悪影響を残すことがない。一方、窒素、ア
ルゴンガスなどでは珪素、炭化珪素の表面がフッ素原子
で終端され、安定な表面にはなるものの、フッ素原子が
安定に存在し続けるために、ドライエッチングの次の工
程においてフッ素原子を除去する特別な工程が必要にな
る場合がある。
ては、窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスも使用
可能であるが、該不活性ガスよりも水素ガスのほうが望
ましい。これは、ドライエッチング後の被処理基板の表
面を水素原子で終端させて保護できるためである。水素
原子は比較的安定に表面を終端し続け、且つ数百℃程度
に加熱すれば容易に除去できるので、ドライエッチング
の次の工程に悪影響を残すことがない。一方、窒素、ア
ルゴンガスなどでは珪素、炭化珪素の表面がフッ素原子
で終端され、安定な表面にはなるものの、フッ素原子が
安定に存在し続けるために、ドライエッチングの次の工
程においてフッ素原子を除去する特別な工程が必要にな
る場合がある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、珪素
又は炭化珪素からなる基板を適度の温度でドライエッチ
ングできるので、他のプロセスと整合性よく行うことが
可能となる。また、特に雰囲気ガスとして水素ガスを選
択した場合は、基板の表面を比較的容易に除去できる水
素原子で終端させて保護することができるので、ドライ
エッチングの次の工程に悪影響を残すことがない。更
に、保護膜として珪素酸化物を選択し、雰囲気ガス中の
水分濃度を１ｐｐｍ以下とすることにより、珪素酸化物
をより安定な保護膜として使用することができる。
又は炭化珪素からなる基板を適度の温度でドライエッチ
ングできるので、他のプロセスと整合性よく行うことが
可能となる。また、特に雰囲気ガスとして水素ガスを選
択した場合は、基板の表面を比較的容易に除去できる水
素原子で終端させて保護することができるので、ドライ
エッチングの次の工程に悪影響を残すことがない。更
に、保護膜として珪素酸化物を選択し、雰囲気ガス中の
水分濃度を１ｐｐｍ以下とすることにより、珪素酸化物
をより安定な保護膜として使用することができる。
【図１】本発明の方法を実施するのに用いる装置の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】ドライエッチングされる被処理基板の断面の様
子を示す説明図である。
子を示す説明図である。
１ 珪素単結晶基板 ２ 保護膜 １０ 反応容器 １１ 赤外線ランプ １２ ガス導入口 １３ エッチングガス １４ 放射温度計
Claims (6)
- 【請求項１】 表面の所定部分に保護膜が形成された珪
素又は炭化珪素からなる基板を５００℃以上１０００℃
以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に供給
して前記基板の前記保護膜が形成されていない部分をド
ライエッチングすることを特徴とするドライエッチング
方法。 - 【請求項２】 フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガスが
水素ガスであることを特徴とする請求項１記載のドライ
エッチング方法。 - 【請求項３】 前記保護膜が珪素酸化物からなることを
特徴とする請求項１又は請求項２記載のドライエッチン
グ方法。 - 【請求項４】 フッ化水素ガスを供給する雰囲気ガス中
の水分濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求
項３記載のドライエッチング方法。 - 【請求項５】 前記基板を５００℃以上８５０℃以下に
加熱することを特徴とする請求項１記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項６】 表面の所定部分に珪素酸化膜からなる保
護膜が形成された珪素単結晶基板を、水分濃度が１ｐｐ
ｍ以下に保たれた水素雰囲気中で５００℃以上８５０℃
以下に加熱するとともに、フッ化水素ガスと水素ガスの
混合ガスを供給することにより、前記珪素単結晶基板上
の前記保護膜が形成されていない部分をエッチングする
ことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190147A JP2000021849A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190147A JP2000021849A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021849A true JP2000021849A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16253202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190147A Pending JP2000021849A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021849A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013077089A1 (ja) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8981384B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9000447B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
| US9012922B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2021027067A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP2022023076A (ja) * | 2019-07-31 | 2022-02-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
-
1998
- 1998-07-06 JP JP10190147A patent/JP2000021849A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8981384B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9054022B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-06-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9012922B2 (en) | 2011-09-14 | 2015-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
| US9000447B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
| WO2013077089A1 (ja) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2013110243A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8999854B2 (en) | 2011-11-21 | 2015-04-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device |
| JP2021027067A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP2022023076A (ja) * | 2019-07-31 | 2022-02-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7135190B2 (ja) | 2019-07-31 | 2022-09-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08191063A (ja) | エッチング残留物除去方法 | |
| WO2004095559A1 (ja) | シリコン酸化膜の除去方法及び処理装置 | |
| JP3175924B2 (ja) | 三フッ化窒素と酸素での熱的清浄方法 | |
| JP4640800B2 (ja) | 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
| JPH0527245B2 (ja) | ||
| DE60102775D1 (de) | Verfahren zur Entfernung von Metallen und Siliziumoxid während des Gasphasenätzens vom Opferoxid | |
| US11814726B2 (en) | Dry etching method or dry cleaning method | |
| JP2000021849A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| TW201142919A (en) | Method and apparatus for recovering pattern on silicon substrate | |
| JP4039385B2 (ja) | ケミカル酸化膜の除去方法 | |
| US20070066076A1 (en) | Substrate processing method and apparatus using a combustion flame | |
| TW201418486A (zh) | 以氣體內加熱源進行之腔室清潔 | |
| GB2183204A (en) | Nitrogen trifluoride as an in-situ cleaning agent | |
| JPH0410621A (ja) | 窒化シリコン膜のエッチング処理方法、及びその装置 | |
| JP2640828B2 (ja) | 半導体基板表面の自然酸化膜の除去方法 | |
| JPS63129633A (ja) | 半導体表面処理方法 | |
| JPH09102490A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2000021842A (ja) | 珪素半導体単結晶基板の処理方法 | |
| JP2005197534A (ja) | 熱処理用治具の表面保護膜形成方法及び熱処理用治具 | |
| JP2003224122A (ja) | 熱処理炉の空焼き方法 | |
| JP2877212B2 (ja) | ウエーハの気相エッチング方法 | |
| JP2003100693A (ja) | シリコン部材の純化方法 | |
| CN109328392B (zh) | 基板处理方法及硼掺杂硅的去除方法 | |
| JPS61221365A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPH0472727A (ja) | ガス洗浄法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060905 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060908 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070423 |