TWI473867B - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device - Google Patents

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TWI473867B
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Takashi Kawamori
Takashi Masuko
Shigeki Katogi
Masaaki Yasuda
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Description

半導體裝置之製造方法及半導體裝置
本發明係關於一種感光性黏著劑組成物、以及使用其所得黏著薄膜、黏著薄片、附有黏著劑層之半導體晶圓、半導體裝置及電子零件。
近年來隨著電子零件的高性能化、高機能化，提案具有各種型態的半導體封裝。於半導體封裝，對於用於將半導體元件與搭載半導體元件用支持基材黏著之黏著劑、及用於將半導體晶片黏著於各種被黏著物之黏著劑，要求低應力性、於低溫的貼合性、耐濕信賴性、耐回焊性。而且，依半導體封裝及電子零件之機能、形態及組裝步驟的簡略化的手法，會有要求兼具可形成圖型之感光性機能的情況。所謂感光性，係照射光的部份產生化學變化，而不溶或可溶於水溶液及有機溶劑之機能。使用此具有感光性之感光性黏著劑，則藉由隔著光罩曝光，藉由顯影液使其形成圖型，可形成高精密度的黏著劑圖型。作為感光性黏著劑，目前為止一直是使用以聚醯亞胺樹脂先驅物(聚醯胺酸)或聚醯亞胺樹脂為基底的材料(參考專利文獻1~3)。惟，前者的情況係在進行用於醯亞胺化之閉環反應時，後者的情況係在黏著步驟時，因為各自需要300℃以上的高溫，故會有對周邊材料造成嚴重的熱損傷之問題。此外，亦有容 易產生殘留熱應力之問題。
另一方面，亦嘗試藉由在使用聚醯亞胺樹脂等而得之黏著劑中調配熱硬化性樹脂使其交聯，來改善於低溫的貼合性及焊接耐熱性。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2000-290501號公報
專利文獻2：日本特開2001-329233號公報
專利文獻3：日本特開平11-24257號公報
但是，使用聚醯亞胺樹脂之先前技術的感光性黏著劑，難以針對藉由鹼性顯影液之圖型形成性及對於被黏著物之於低溫的貼合性兩方面同時逹到高水準。此外，亦難以賦予再黏著性，該再黏著性係在曝光後進行熱壓黏後可表現充分高度的黏著力。
本發明之目的係提供一種感光性黏著劑組成物，其藉由鹼性顯影液之圖型形成性優異，曝光後具有充分的再黏著性。此外，本發明之目的係提供一種黏著薄膜，其藉由鹼性顯影液之圖型形成性優異，曝光後具有充分的再黏著性，同時可以在低溫貼合於被黏著物。而且，本發明之目的係提供一種半導體裝置及電子零件，其半導體晶片經以 優異的黏著力黏著而信頼性高。
本發明的感光性黏著劑組成物，其係含有：(A)聚醯亞胺，其具有羧基作為側鏈且酸值為80~180mg/KOH；(B)放射線聚合性化合物；及(C)光聚合起始劑。該酸值較佳為80~150mg/KOH。
此感光性黏著劑組成物，係藉由使用具有羧基並且具有上述特定範圍的酸值之聚醯亞胺等，而成為藉由鹼性顯影液之圖型形成性優異、曝光後表現充分的再黏著性者。
本發明之感光性黏著劑組成物係再含有(D)熱硬化性樹脂則更佳。此熱硬化性樹脂較佳為環氧樹脂。
上述聚醯亞胺，係較佳為使四羧酸二酐與包含下述一般式(I)或(II)所表示的芳香族二胺之二胺進行反應而得到的聚醯亞胺。
聚醯亞胺的重量平均分子量，由藉由鹼性顯影液之圖型形成性及薄膜形成性的觀點而言，以5000~150000為佳。
聚醯亞胺的玻璃轉化溫度係150℃以下為佳。藉此，可使由感光性黏著劑組成物所成的黏著薄膜，以更低的溫 度貼合於半導體晶圓等被黏著物。由同樣的觀點而言，上述二胺係包含下述一般式(III)所示之脂肪族醚二胺，該脂肪族醚二胺之含量為二胺整體的10~90莫耳%為佳。
式中，Q1 、Q2 及Q3 各自獨立地表示碳數1~10的伸烷基，n1 表示1~80的整數。
上述二胺係進一步包含下述一般式(IV)所示之矽氧烷二胺，該矽氧烷二胺之含量為二胺整體的1~20莫耳為佳。
式中，R1 及R2 係各自獨立地表示碳數1~5的伸烷基或可具有取代基之伸苯基，R3 、R4 、R5 及R6 係各自獨立地表示碳數1~5的烷基、苯基或苯氧基，n2 表示1~5的整數。
放射線聚合性化合物的分子量為2000以下，相對於100重量份的聚醯亞胺，本發明之感光性黏著劑組成物含有20重量份以上的放射線聚合性化合物為佳。
本發明的感光性黏著劑組成物，在透過該感光性黏著劑組成物將矽晶片黏著於玻璃基板後，於25℃得到5MPa以上的剪切黏著力為佳。此外，本發明的感光性黏著劑組成物，在透過該感光性黏著劑組成物將矽晶片黏著於玻璃基板後，於260℃得到0.5MPa以上的剪切黏著力為佳。
曝光後的感光性黏著劑組成物於100℃之貯存彈性模 數為0.01~10MPa為佳。曝光後進而經加熱硬化後的感光性黏著劑組成物於260℃之貯存彈性模數為1MPa以上為佳。
曝光後進而經加熱硬化後的熱重量分析之感光性黏著劑組成物的質量減少率成為5%之溫度為260℃以上為佳。
本發明的黏著薄膜係由上述本發明的感光性黏著劑組成物所成。此外，本發明的黏著薄片係具備：基材、及上述本發明的黏著薄膜，該黏著薄膜係設置於此基材的其中一面上。
本發明的黏著劑圖型，係藉由在被黏著物上形成由上述本發明的感光性黏著劑組成物所成的黏著劑層，隔著光罩將該黏著劑層曝光，藉由鹼性水溶液將曝光後的黏著劑層進行顯影處理而形成。此黏著劑層，係因為上述本發明之感光性黏著劑組成物的圖型形成性優異，因此可具有高精密度的圖型，此外曝光後的再黏著性優異。
本發明的附有黏著劑層之半導體晶圓，係具備：半導體晶圓、及由本發明的感光性黏著劑組成物所成的黏著劑層，該黏著劑層係設置於此半導體晶圓的其中一面上。
本發明的半導體裝置，係具有半導體晶片，該半導體晶片係使用上述的感光性黏著劑組成物來黏著於被黏著物。此外，本發明的電子零件係具備此半導體裝置。
本發明的感光性黏著劑組成物，係對於鹼性顯影液的溶解速度大、藉由鹼性顯影液的圖型形成性優異、曝光後表現高度的再黏著性。此外，因為本發明的黏著薄膜係可 於比較低的溫度貼合於被黏著物，抑制對於周邊材料造成熱損傷，故可得到信賴性高的半導體裝置及電子零件。
 [實施發明的較佳形態]
以下，詳細說明關於本發明的較適合的實施型態。但本發明並非拘限於以下的實施型態者。
本實施型態之的感光性黏著劑組成物，係含有：聚醯亞胺、放射線聚合性化合物及光聚合起始劑。
上述聚醯亞胺，係由主鏈中具有醯亞胺骨架且具有羧基作為側鏈之1種或2種以上的聚合物所成。聚醯亞胺的酸值為80~180mg/KOH。聚醯亞胺的酸值為未逹80mg/KOH，則對於鹼性顯影液的溶解性降低，超過180mg/KOH，則顯影中黏著劑層自被黏著物剝離的可能性變高。由同樣的觀點而言，聚醯亞胺的酸值為150mg/KOH以下為更佳。特別是感光性黏著劑組成物含有後述的熱硬化性樹脂且聚醯亞胺的酸值為80~180mg/KOH為佳。
具有羧基之聚醯亞胺，係可藉由使四羧酸二酐與含有羧基及胺基之二胺進行反應而得到。藉此，在聚醯亞胺中導入來自二胺的羧基。藉由適當調整二胺的種類及其摻合比、反應條件等，可使酸值成為80~180mg/KOH或80~150mg/KOH。
四羧酸二酐與二胺之反應(縮合反應)，係如熟悉該項 技術者所理解，可藉由習知的方法進行。例如於此反應中，首先在有機溶劑中，使四羧酸二酐與二胺，以等莫耳或約等莫耳比率，以反應溫度80℃以下，較佳為0~60℃進行加成反應。各成份的添加順序為任意。隨著反應進行，反應液的黏度緩緩上昇，產生聚醯亞胺的先驅物之聚醯胺酸。藉由使所產生的聚醯胺酸在50~80℃的溫度加熱進行解聚合，可調整其分子量。藉由使所產生的聚醯胺酸脫水閉環，產生聚醯亞胺。脫水閉環係可藉由下述方法來進行：藉由加熱的熱閉環法、或使用脫水劑的化學閉環法。
關於四羧酸二酐與二胺之摻合比，更具體而言，相對於四羧酸二酐的合計量1.0mol，二胺的合計量較佳為0.5~2mol，更佳為0.8~1.0mol的範圍內。二胺的比率超過2.0mol，則會有產生多量的末端為胺基之聚醯亞胺寡聚物之傾向，而低於0.5mol，則產生多量末端為羧基之聚醯亞胺寡聚物之傾向。聚醯亞胺寡聚物的量變多時，則聚醯亞胺的重量平均分子量降低，變得易產生感光性黏著劑組成物的耐熱性等各種特性降低。藉由調整上述摻合比，可調整聚醯亞胺的重量平均分子量成為5000~150000的範圍內。
作為使用於聚醯亞胺的合成之二胺，為了使其成為對於鹼性水溶液的溶解性特別佳，以上述一般式(I)或(II)所示的芳香族二胺為佳。
為了降低聚醯亞胺的Tg而降低熱應力，二胺係更包含上述一般式(III)之脂肪族醚二胺為佳。作為式(III)的脂肪 族醚二胺，更具體而言，可列舉下述化學式(IIIa)、(IIIb)或(IIIc)所表示者。此等中由確保於低溫的貼合性及對於被黏著物之優良的黏著性之觀點而言，以式(IIIa)的脂肪族醚二胺為佳。
脂肪族醚二胺的市售品，係可列舉例如sun-techno chemical(股)製之Jeffamine「D-230」、「D-400」、「D-2000」、「D-4000」、「ED-600」、「ED-900」、「ED-2001」、「EDR-148」(以上為商品名)；BASF(製)的聚醚胺「D-230」、「D-400」、「D-2000」(以上為商品名)。
而且，為了更提高曝光後的再黏著性，較佳為使用上述一般式(IV)所表示的矽氧烷二胺。
作為化學式(IV)所示的矽氧烷二胺，例如式中n2 為1時，可列舉1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-雙(4-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丁基)二矽氧烷、1,3-二甲基 -1,3-二甲氧基-1,3-雙(4-胺基丁基)二矽氧烷；式中n2 為2時，可列舉1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(4-胺基苯基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(2-胺基乙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷。
此等二胺可單獨使用或組合2種以上使用。此時，使一般式(1)或(II)所示的芳香族二胺為總二胺的10~50莫耳%，令一般式(1V)所示的矽氧烷二胺為總二胺的1~20莫耳%(更佳為5~10莫耳%)，令一般式(III)所示的脂肪族醚二胺為總二胺的10~90莫耳%為佳。藉此，通常可使聚醯亞胺的酸值成為80~180mg/KOH或80~150mg/KOH。矽氧烷二胺未逹總二胺的1莫耳%，則會有曝光後的再黏著性降低之傾向，超過20莫耳%，則會有對於鹼性顯影液的溶解性降低之傾向。此外，脂肪族醚二胺未逹總二胺的10莫耳%，則會有聚醯亞胺的Tg變高而低溫加工性(於低溫的貼合性)降低之傾向，超過90莫耳%，則會有熱壓著時變得易產生空隙之傾向。
二胺係可再含有上述以外的二胺，可列舉例如鄰苯二 胺、間苯二胺、對苯二胺、3,3’-二胺二苯基醚、3,4’-二胺二苯基醚、4,4’-二胺二苯基醚、3,3’-二胺二苯基甲烷、3,4’-二胺二苯基甲烷、4,4’-二胺二苯基醚甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-雙(3,4’-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(3,4’-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)雙苯胺、3,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)雙苯胺、4,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基乙氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-胺基乙氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基乙氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基乙氧基)苯基)碸、1,3-雙(胺基甲基)環己烷及2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷。
作為合成聚醯亞胺時之原料使用之四羧酸二酐，係為了抑制黏著劑的諸特性降低，藉由自乙酸酐的再結晶而純 化為佳。或者，四羧酸二酐亦可藉由以低於其熔點10~20℃的溫度加熱12小時以上而乾燥。四羧酸二酐的純度，係可藉由差示掃描熱量計(DSC)所測量的吸熱開始溫度與吸熱波峰溫度之差值而評估，較佳為將藉由再結晶或乾燥等使此差值成為在20℃以內、更佳為10℃以內而純化的羧酸二酐，用於聚醯亞胺的合成。吸熱開始溫度及吸熱波峰溫度，係使用DSC(PerkinElmer公司製DSC-7型)，以試樣量：5mg、昇溫速度：5℃/min、測量氣體環境：氮之條件進行測量。
作為四羧酸二酐，可列舉例如均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2’,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、3,4,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、 2,3,2’,3’-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基矽烷基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、對伸苯基雙(偏苯三甲酸酯酐)、伸乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外向-二環[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、二環[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、5-(2,5-二氧雜四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐。
特別是為了賦予對於溶劑的優異的溶解性，以下述化學式(V)或(VI)所表示的四羧酸二酐為佳。此時，此等化學式所表示的四羧酸二酐的比率，相對於總四羧酸二酐100莫耳%，使其為50莫耳以上為佳。此比率未逹50莫耳%，則會有溶解性提高效果降低的傾向。
如上述四羧酸二酐，可單獨使用或組合二種以上使用。
聚醯亞胺的重量平均分子量係於5000~150000的範圍內為佳，20000~500000較佳，30000~40000為更佳。聚醯亞胺的重量平均分子量小於5000，則會有薄膜形成性降低的傾向，超過150000，則對於鹼性顯影液的溶解性降低，而顯影時間變長的傾向。藉由使聚醯亞胺的重量平均分子量成為5000~150000，亦可得到亦可使將半導體元件黏著固定於搭載半導體元件用支持基材等被黏著物時之加熱溫度(晶粒接合(die bonding)溫度)降低之效果。再者，上述的重量平均分子量，係指使用高效液相層析法(例如島津製作所製「C-R4A」(商品名))，以聚苯乙烯換算後之重量平均分子量。
聚醯亞胺的玻璃轉化溫度(以下稱為「Tg」)係以30℃~150℃的範圍為佳。Tg未逹30℃，則會有壓著時變得易產生空隙的傾向，Tg超過150℃，則對於被黏著物的貼合溫度及曝光後的壓著溫度變高，會有易對於周邊構件造成損傷的傾向。再者，上述的Tg係指使用黏彈性測量裝置 (Rheometric公司製)測量薄膜後之tanδ的波峰溫度。
放射線聚合性化合物，係只要是藉由紫外線及電子束等放射線的照射而使其聚合之化合物即可，並沒有特別的限制。放射線聚合性化合物係具有丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基之化合物為佳。放射線聚合性化合物的具體例子，可列舉丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸戊烯酯、丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯苯、4-乙烯甲苯、4-乙烯吡啶、N-乙烯吡咯烷酮、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、1,3-丙烯醯基氧基-2-羥基丙烷、1,2-甲基丙烯醯基氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、參(β-羥基乙基)三聚異氰酸酯的三丙烯酸酯、下述一般式(10)所示化合物、胺酯(urethane)丙烯酸酯或胺酯甲 基丙烯酸酯、及尿素丙烯酸酯。式(10)中，R3 及R4 各自獨立地表示氫原子或甲基，q及r各自獨立地表示1以上的整數。
胺酯丙烯酸酯及胺酯甲基丙烯酸酯，係例如藉由使二醇類、下述一般式(21)所示的異氰酸酯化合物、及下述一般式(22)所表示的化合物進行反應所產生。
式(21)中，s表示0或1，R5 表示碳原子數為1~30的2價或3價的有機基。式(22)中，R6 表示氫原子或甲基，R7 表示伸乙基或伸丙基。
尿素甲基丙烯酸酯，係例如藉由使下述一般式(31)所表示的二胺與下述一般式(32)所示的化合物進行反應所產生。
式(31)中，R8 表示碳原子數為2~30的2價的有機基。式(32)中，t表示0或1。
如以上的化合物之外，亦可使用側鏈上具有乙烯性不飽和基之放射線聚合性共聚物等，該放射線聚合性共聚物係使含有官能基之乙烯系共聚物，與具有至少1個乙烯性不飽和基以及環氧乙烷環、異氰酸基、羥基、及羧基等官能基之化合物進行加成反應而得到。
此等放射線聚合性化合物係可單獨使用或組合2種以上使用。其中上述一般式(10)所表示的放射線聚合性化合物，由可賦予硬化後的耐溶劑性之觀點而言為佳，胺酯丙烯酸酯及胺酯甲基丙烯酸酯，由可賦予硬化後的可撓性之觀點而言為佳。
放射線聚合性化合物的分子量係2000以下為佳。分子量超過2000，則會有感光性黏著劑組成物之對於鹼性水溶液的溶解性降低的傾向，此外，會有黏著薄膜的黏著性降低，於低溫貼合於半導體晶圓等被黏著物有困難的傾向。
相對於100重量份的聚醯亞胺而言，放射線聚合性化合物的含量為20~80重量份為佳，30~60重量份為更佳。放射線聚合性化合物的含量超過80重量份，則會有羥聚合的放射線聚合性化合物成為熱壓著後的黏著性降低的原因之傾向。未逹5重量份，則會有曝光後的耐溶劑性低，而形成圖型變困難之傾向。
光聚合起始劑，係為了使圖型形成時的感度變佳，在300~400nm具有吸收帶為佳。光聚合起始劑的具體例子， 可列舉二苯甲酮、N,N’-四甲基-4,4’-二胺基二苯甲酮(米蚩(Michler's)酮)、N,N’-四乙基-4,4’-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基胺基二苯甲酮、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-(N-嗎啉基)苯基)-丁酮-1、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯基)-2-(N-嗎啉基)丙酮-1、2,4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌及菲醌等芳香族酮；苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚及苯偶因苯基醚等苯偶因醚；甲基苯偶因及乙基苯偶因等苯偶因；苯甲基二甲基縮酮等苯甲基衍生物；2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(間甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)-4,5-苯基咪唑二聚物、2-(鄰甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(對甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4-二(對甲氧基苯基)-5-苯基咪唑二聚物及2-(2,4-二甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑等2,4,5-三芳基咪唑二聚物；9-苯基吖啶及1,7-雙(9,9’-吖啶基)庚烷等吖啶衍生物；雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物等雙醯基膦氧化物等。此等可單獨使用或組合二種以上使用。
光聚合起始劑的量並沒有特別的限制，但相對於100重量份的聚醯亞胺而言一般為0.01~30重量份。
感光性黏著劑組成物係更含有熱硬化性樹脂為佳。本發明中之熱硬化性樹脂係指可藉由熱引起交聯反應之反應性化合物。作為這樣的化合物，可列舉例如環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚 氰胺樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸系樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯、聚矽氧樹脂、間苯二酚甲醛樹脂、二甲苯樹脂、呋喃樹脂、聚胺酯樹脂、酮樹脂、三烯丙基三聚氰酸酯樹脂、聚異氰酸酯樹脂、含有參(2-羥基乙基)三聚異氰酸酯之樹脂、含有偏苯三甲酸三烯丙酯之樹脂、由環戊二烯所合成的熱硬化性樹脂、藉由芳香族二氰胺(dicyanamide)的三聚化而得之熱硬化性樹脂等。其中，由在高溫仍可具有優異的黏著力之觀點而言，較佳為環氧樹脂、氰酸酯樹脂及雙馬來醯亞胺樹脂，由操作性及聚醯亞胺之相溶性的觀點而言，特別佳為環氧樹脂。此等熱硬化性樹脂可單獨使用或組合2種以上使用。
環氧樹脂係分子內具有至少2個環氧基者為佳。由硬化性及硬化物特性的觀點而言，酚類的縮水甘油醚型的環氧樹脂極佳。作為如此的環氧樹脂，可列舉例如雙酚A、AD、S或F型的縮水甘油醚、氫化雙酚A的縮水甘油醚、雙酚A的環氧乙烷加成物的縮水甘油醚、雙酚A的環氧丙烷加成物的縮水甘油醚、苯酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、甲酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、雙酚A酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、萘樹脂的縮水甘油醚、3官能型或4官能型的縮水甘油醚、二環戊二烯苯酚樹脂的縮水甘油醚、二聚酸的縮水甘油酯、3官能型或4官能型的縮水甘油胺、萘樹脂的縮水甘油胺等。此等可單獨使用或組合二種以上使用。
作為氰酸酯樹脂，可列舉例如2,2’-雙(4-氰酸基苯基) 丙烷、1,1’-雙(4-氰酸基苯基)乙烷、雙(4-氰酸基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙[4-氰酸基苯基-1-(1-甲基亞乙基)]苯、氰酸化苯酚-二環戊二烯加成物、氰酸化酚醛清漆、雙(4-氰酸基苯基)硫醚、雙(4-氰酸基苯基)醚、間苯二酚二氰酸酯、1,1,1-參(4-氰酸基苯基)乙烷、2-苯基-2-(4-氰酸基苯基)丙烷等。此等可單獨使用或組合2種以上使用。
作為雙馬來醯亞胺樹脂，可列舉例如鄰、間或對雙馬來醯亞胺基苯、4-雙(對馬來醯亞胺基異丙苯基)苯、1,4-雙(間馬來醯亞胺基異丙苯基)苯、及下述一般式(40)、(41)、(42)或(43)所表示的馬來醯亞胺化合物等。此等可單獨使用或組合二種以上使用。
[化9]
式(40)中，R40 表示-O-、-CH2 -、-CF2 -、-SO2 -、-S-、-CO-、-C(CH3 )2 -或-C(CF3 )2 -，四個R41 各自獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、氟、氯或溴，2個Z1 各自獨立地表示含有乙烯性不飽和雙鍵之二羧酸殘基。
式(41)中，R42 表示-O-、-CH2 -、-CF2 -、-SO2 -、-S-、-、CO--C(CH3 )2 -或-C(CF3 )2 -，四個R43 各自獨立地表示氫、低級烷基、低級烷氧基、氟、氯或溴，2個Z2 各自獨立地表示含有乙烯性不飽和雙鍵之二羧酸殘基。
式(42)中，x表示0~4的整數，複數個Z3 各自獨立地表示含有乙烯性不飽和雙鍵之二羧酸殘基。
式(43)中，2個R44 各自獨立地表示2價的烴基，複數 個R45 各自獨立地表示1價的烴基，2個Z4 各自獨立地表示含有乙烯性不飽和雙鍵之二羧酸殘基，y表示1以上的整數。
作為式(40)至(43)中之Z1 、Z2 、Z3 及Z4 ，可列舉馬來酸殘基、檸康酸殘基等。
作為式(41)所表示的雙馬來醯亞胺樹脂，可列舉例如4,4-雙馬來醯亞胺基二苯基醚、4,4-雙馬來醯亞胺基二苯基甲烷、4,4-雙馬來醯亞胺基-3,3’-二甲基-二苯基甲烷、4,4-雙馬來醯亞胺基二苯基碸、4,4-雙馬來醯亞胺基二苯基硫醚、4,4-雙馬來醯亞胺基二苯基酮、2’-雙(4-馬來醯亞胺基苯基)丙烷、4-雙馬來醯亞胺基二苯基氟甲烷、及1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(4-馬來醯亞胺基苯基)丙烷。
作為式(42)所表示的雙馬來醯亞胺樹脂，可列舉例如雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]醚、雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]甲烷、雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]氟甲烷、雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(3-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]碸、雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]酮、2-雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]丙烷、及1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]丙烷。
使用熱硬化性樹脂時，為了使其硬化，可適當的在感光性黏著劑組成物中加入硬化劑、硬化促進劑、觸媒等添加劑。添加觸媒時必要時可使用輔助觸媒。
使用環氧樹脂時，較佳為使用環氧樹脂的硬化劑或硬 化促進劑，併用此等為更佳。作為硬化劑可列舉例如酚系化合物、脂肪族胺、脂環族胺、芳香族多胺、聚醯胺、脂肪族酸酐、脂環族酸酐、芳香族酸酐、雙氰胺(dicyandiamide)、有機酸二醯肼、三氟化硼胺錯合物、咪唑類、三級胺、分子中具有至少2個酚性羥基之酚系化合物等。此等中由對於鹼性水溶液的溶解性優異的觀點而言，又以分子中具有至少2個酚性羥基之酚系化合物為佳。
作為上述分子中具有至少2個酚性羥基之酚系化合物，可列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、三級丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯苯酚酚醛清漆樹脂、二甲苯改質苯酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、參酚酚醛清漆樹脂、肆酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、聚對乙烯苯酚樹脂、酚芳烷基樹脂等。
作為硬化促進劑，只要是促進環氧樹脂的硬化即可，並沒有特別的限制，可列舉例如咪唑類、雙氰胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸2-乙基-4-甲基咪唑、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7-四苯基硼酸酯等。
相對於100重量份的環氧樹脂，環氧樹脂的硬化劑的量以0~200重量份為佳，相對於100重量份的環氧樹脂，硬化促進劑的量以0~50重量份為佳。
使用氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂時，較佳為使用觸媒及必要時使用輔助觸媒。作為觸媒可列舉例如鈷、鋅、 銅等之金屬鹽及金屬錯合物等，作為輔助觸媒，較佳為烷基酚、雙酚化合物、酚酚醛清漆等酚系化合物等。
使用雙馬來醯亞胺樹脂作為熱硬化性樹脂時，較佳為使用自由基聚合劑作為其硬化劑。作為自由基聚合劑，可列舉乙醯基環己磺醯基過氧化物、異丁醯基過氧化物、苯甲醯基過氧化物、辛醯基過氧化物、乙醯基過氧化物、二異丙苯基過氧化物、異丙苯氫過氧化物、偶氮雙異丁腈等。此時，相對於100重量份的雙馬來醯亞胺樹脂，自由基聚合劑的使用量以0.01~1.0重量份為佳。
感光性黏著劑組成物，為了提高黏著強度等目的，亦可含有適當的偶合劑。作為偶合劑，可列舉例如矽烷偶合劑、鈦系偶合劑等，其中由可賦予高的黏著力的觀點而言，以矽烷偶合劑為佳。
使用偶合劑時，相對於100重量份的聚醯亞胺，偶合劑的使用量以0~50重量份為佳，較佳為0~20重量份。超過50重量份，則會有感光性黏著劑組成物的保存安定性降低的傾向。
作為矽烷偶合劑，可列舉例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷、N-(2-胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸基丙基三乙氧基矽 烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基亞丁基)-3-(三乙氧基矽烷基)-1-丙胺、N,N’-雙[3-(三甲氧基矽烷基)丙基]乙二胺、聚氧化乙烯丙基三烷氧基矽烷、及聚乙氧基二甲基矽氧烷。此等可單獨使用或組合二種以上使用。
感光性黏著劑組成物亦可含有填充料。作為填充料可列舉例如銀粉、金粉、銅粉等金屬填充料；二氧化矽、氧化鋁、氮化硼、二氧化鈦、玻璃、氧化鐵、硼酸鋁、陶瓷等非金屬無機填充料；碳、橡膠系填充料等有機填充料等。
上述填充料可依所希望的機能分別使用。例如金屬填充料係依對於黏著薄膜賦予導電性或觸變性之目的而添加，非金屬無機填充料係依對於黏著薄膜賦予低熱膨脹性、低吸濕性之目的而添加，有機填充料係依對於黏著薄膜賦予靭性之目的而添加。此等金屬填充料、非金屬無機填充料及有機填充料可單獨使用或組合二種以上使用。使用填充料時之混合、混練，可適當地組合一般的攪拌機、擂潰機、三輥機、球磨機等分散機進行。
使用填充料時，相對於100重量份的聚醯亞胺，填充料的量以1000重量份以下為佳，500重量份以下為更佳。下限並沒有特別的限制，但一般為1重量份。填充料的量超過1000重量份，則會有黏著性降低的傾向。
在透過感光性黏著劑組成物將矽晶片黏著於玻璃基板後，感光性黏著劑組成物於25℃得到5MPa以上的剪切黏 著力為佳。於25℃之上述剪切黏著力未逹5MPa，則會有難以得到能耐住在組裝電子零件時所施加的外力之黏著固定機能之傾向。此外，使用感光性黏著劑組成物將矽晶片黏著於玻璃基板後，感光性黏著劑組成物於260℃得到0.5MPa以上的剪切黏著力為佳。於260℃之上述剪切黏著力未逹0.5MPa，則在將使用感光性黏著劑組成物所得到的半導體裝置以焊接而安裝於基板時，會有難以抑制因為高溫的加熱所產生的剝離或破壞之傾向。
於25℃或260℃的上述剪切黏著力，係對於透過經曝光及加熱的厚度約40μm之由感光性黏著劑組成物所成的黏著層將3mm×3mm×400μm厚的矽晶片與10mm×10mm×0.55mm厚的玻璃基板黏著而成之層合物，使用測量溫度：25℃或260℃、測量速度：50μm/秒、測量高度：50μm的條件，對於矽晶片的側壁在剪切方向施加外力時所測量的黏著力(最大應力)。使用Dage公司製的黏著力試驗機「Dage-4000」作為測量裝置。
上述層合物典型的作法係依如以述的步驟準備。首先，使由感光性黏著劑組成物所成的黏著薄膜，形成於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(PET薄膜)上，將此黏著薄膜層合於6英吋大小、400μm厚的矽晶圓。層合係使用輥輪及具有支持體的裝置，一邊加熱至80℃，一邊以線壓：4kgf/cm、運送速度：0.5m/min的條件進行。對著經層合的黏著薄膜，由PET薄膜側照射1000mJ/cm2的紫外線。然後，將矽晶圓與黏著薄膜一起裁切，得到3mm×3mm大小的附有黏著 薄膜的矽晶片。矽晶圓係將PET薄膜剝離後在黏著薄膜上層合感壓型的切割帶後，使用切割機裁切。將附有黏著薄膜之矽晶片，以黏著薄膜挾持在矽晶片與玻璃基板之間的方向放置在10mm×10mm×0.55mm厚的玻璃基板上，於120℃的熱盤上以500gf、10秒的條件使其熱壓著。而且藉由於160℃的烘箱中加熱3小時使黏著薄膜硬化。藉由以上的操作，可得到用於測量剪切黏著力之上述層合物。
感光性黏著劑組成物的曝光後之於100℃的貯存彈性模數較佳為0.01~10MPa。此貯存彈性模數未逹0.01MPa，則會有對於圖型形成後的熱壓著時所施加的熱及壓力之耐性降低，圖型變得易倒塌之傾向，超過10MPa，則會有曝光後的再黏著性降低，而圖型形成後熱壓著於被黏著物時，得到充足的黏著力所需要的溫度變高之傾向。
上述貯存彈性模數之值，係藉由測量由經曝光的感光性黏著劑組成物所成的試驗片的動態黏彈性所得到。動態黏彈性係以昇溫速度：5℃/分鐘、頻率：1Hz、測量溫度：-50℃~200℃的條件測量。使用例如Rheometric公司製的黏彈性分析器「RSA-2」作為測量裝置。
用於動態黏彈性測量之試驗片，典型的作法係依下述進行準備。首先，將具有PET薄膜及PET薄膜的其中一面上所形成的厚度約40μm的黏著薄膜之黏著薄片，切成35mm×10mm大小，使用高精密度平行曝光機(ORC製作所)，以曝光量：1000mJ/cm2的條件自PET薄膜側照射紫外線。曝光後，將PET薄膜剝離後得到上述的試驗片。
感光性黏著劑組成物之曝光後進而經加熱硬化後的於260℃的貯存彈性模數為1MPa以上為佳。此貯存彈性模數未逹1MPa，則在將使用感光性黏著劑組成物所得到的半導體裝置以焊接而安裝於基板時，會有難以抑制因為高溫的加熱所產生的剝離或破壞之傾向。
上述貯存彈性模數之值，係藉由測量由曝光後進而經加熱硬化後的感光性黏著劑組成物所成的試驗片的動態黏彈性所得到。動態黏彈性係以昇溫速度：5℃/分鐘、頻率：1Hz、測量溫度：-50℃~300℃的條件測量。使用例如Rheometric公司製的黏彈性分析器「RSA-2」作為測量裝置。
上述用於動態黏彈性測量之試驗片，典型的作法，係將於用於曝光後的動態黏彈性測量之試驗片的製作之說明中使用與上述條件同樣條件進行曝光的黏著薄膜，再藉由於160℃的烘箱中加熱3小時使其硬化而得到。
曝光後進而經加熱硬化後的熱重量分析之感光性黏著劑組成物的質量減少率成為5%之溫度(以下稱為「5%質量減少溫度」)，較佳為260℃以上。5%質量減少溫度低於260℃，則在將使用感光性黏著劑組成物所得到的半導體裝置以焊接而安裝於基板時，會有難以抑制因為高溫的加熱所產生的剝離或破壞之傾向。此外，因為加熱時所產生的揮發成份而污染周邊材料或構件的可能性變高。
5%質量減少溫度係在以昇溫速度：10℃/分鐘、空氣流量：80mL/分鐘、測量溫度：40℃~400℃的條件進行之熱重 量分析中，相對於初期的質量其質量減少率成為5%之溫度。用於熱重量分析的試料，係將關於曝光後進而經加熱硬化後的貯存彈性模數的說明中使用與上述條件同樣條件進行曝光及加熱的黏著薄膜，用研鉢搗碎後備用。使用例如SII NanoTechnology股份有限公司製的差示熱重量同時測量裝置「EXSTAR 6300」作為測量裝置。
以上諸特性，使用聚醯亞胺、放射線聚合性化合物及光聚合起始劑，必要時可使用熱硬化性樹脂及填充料調製感光性黏著劑組成物時，可經調整此等的種類及調配比而逹成。
圖1為表示本發明的黏著薄膜的其中之一實施型態之截面圖。圖1所表示的黏著薄膜1，係將上述感光性黏著劑組成物成形為薄膜狀者。圖2為表示本發明的黏著薄片的其中之一實施型態之截面圖。圖2所表示的黏著薄片10係由基材3、及由黏著薄膜1所成的黏著劑層所構成，該黏著劑層係設置於此基材3的其中一面上。
黏著薄膜1係，藉由將例如聚醯亞胺、放射線聚合性化合物、光聚合起始劑、及必要時之其他成份，於有機溶劑中混合，將混合液混練後調製成清漆，於基材3上形成此清漆之層，藉由加熱將清漆層乾燥後去除基材3之方法而得到。此時，亦可不去除基材3，能以黏著薄片10的狀態保存及使用。
上述的混合及混練，係可適當地組合一般的攪拌機、擂潰機、三輥機、球磨機等分散機進行。使用熱硬化性樹 脂時，係以乾燥中熱硬化性樹脂不會充分反應之溫度，且溶劑充分揮發之條件進行乾燥。具體而言，一般為以60~180℃加熱0.1~90分鐘將清漆層乾燥。
不使熱硬化性樹脂充分反應之溫度，具體而言為：使用DSC(例如PerkinElmer公司製「DSC-7型」(商品名))，以試樣量10mg、昇溫速度5℃/min、測量氣體環境：空氣之條件測量後之反應熱的波峰溫度以下之溫度。
用於調製清漆之有機溶劑，亦即清漆溶劑，只要是可使材料均勻溶解或分散者即可，並沒有特別的限制。可列舉例如二甲基甲醯胺(以下有時稱為DMF)、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氫呋喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、二噁烷、環己酮、乙酸乙酯、及N-甲基-吡咯烷酮(以下有時稱為NMP)。
清漆層的厚度較佳為1~100μm。此厚度未逹1μm，則會有固定被黏著物之機能降低的傾向，超過100μm，則會有所得到的黏著薄膜1中的殘留揮發成份變多的傾向。
黏著薄膜1的殘留揮發成份較佳為10質量%以下。此殘留揮發成份超過10%，則會有為了組裝而加熱時因為溶劑的揮發引起發泡，而使黏著層內部變得容易殘留空隙，耐濕信賴性變得易降低之傾向。此外，因為加熱時所產生的揮發成份而污染周邊材料或構件的可能性變高。此殘留揮發成份，係將裁切成50mm×50mm大小的黏著薄膜的初期的質量設為M1，此黏著薄膜在160℃的烘箱中加熱3小時後的質量設為M2時，由殘留揮發成份(質量 %)={(M2-M1)/M1}×100所計算出。
基材3係只要為可耐住上述乾燥條件者即可，並無特別限定。例如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醚萘二甲酸酯薄膜、甲基戊烯薄膜，可作為基材3使用。作為基材3之薄膜可為組合2種以上薄膜而成之多層薄膜，亦可為表面經聚矽氧系、二氧化矽系等之脫模劑等處理者。
圖3為表示本發明的附有黏著劑層之半導體晶圓的其中之一實施型態之俯視圖，圖4為沿著圖3的IV-IV線之端視圖。圖3、4所表示的附有黏著劑層之半導體晶圓20，係具備：半導體晶圓5、及由上述感光性黏著劑組成物所成的黏著劑層1，該黏著劑層1係設置於此半導體晶圓5的其中一面上，半導體晶圓5典型為矽晶圓。
附有黏著劑層之半導體晶圓20，係於半導體晶圓5上藉由一邊加熱一邊層合黏著薄膜1而得到。黏著薄膜1因為是由上述感光性黏著劑組成物所成的薄膜，故可於例如室溫~100℃左右的低溫貼合於半導體晶圓5。
附有黏著劑層之半導體晶圓20，係適合用於經過透過黏著劑層1將被黏著物黏著於半導體晶圓5的步驟來製造CCD(Charge-coupled device，電荷偶合元件)相機模組、CMOS(Complementary metal oxide semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)相機模組等電子零件。以下說明關於製造CCD相機模組時之例子。CMOS相機模組亦可使用同樣方法製造。
圖5為表示本發明的黏著劑圖型的其中之一實施型態之俯視圖，圖6為沿著圖5的VI-VI線之端視圖。圖5、6所示之黏著劑圖型1a，係於作為被黏著物之半導體晶圓5上，沿著包圍設置於半導體晶圓5上的複數個有效畫素區域7之約為正方形的邊緣具有圖型而形成。
圖7為表示本發明的黏著劑圖型的其中之一實施型態之俯視圖，圖8為沿著圖7的VIII-VIII線之端視圖。圖7、8所示的黏著劑圖型1b，係於作為被黏著物之半導體晶圓5上，進行圖型化使設置於半導體晶圓5上的複數個有效畫素區域7露出之約為正方形的開口部形成。
黏著劑圖型1a及1b，係藉由將由感光性黏著劑組成物所成的黏著劑層1形成於作為被黏著物之半導體晶圓5上後得到附有黏著劑層之半導體晶圓20，隔著光罩將黏著劑層1曝光，將曝光後的黏著劑層1藉由鹼性水溶液顯影而形成。亦即，黏著劑圖型1a及1b係由曝光後的感光性黏著劑組成物所構成。
接著，透過黏著劑圖型1a或1b將作為另一被黏著物的玻璃蓋片9黏著於半導體晶圓5。圖9為表示透過黏著劑圖型1a將玻璃蓋片9黏著於半導體晶圓5之狀態之俯視圖，圖10為沿著圖9的X-X線之端視圖。圖11為表示透過黏著劑圖型1b將玻璃蓋片9黏著於半導體晶圓5之狀態之俯視圖，圖12為沿著圖11的XII-XII線之端視圖。玻璃蓋片9係挾著經加熱硬化的黏著劑圖型1a或1b而黏著於半導體晶圓5上。將玻璃蓋片9載置於黏著劑圖型1a或 1b上，藉由使其熱壓著而將玻璃蓋片9黏著。黏著劑圖型1a及1b係具有作為用於將玻璃蓋片9黏著之黏著劑的機能，同時亦具有作為用於確保包圍有效畫素區域7之空間之間隔物的機能。
將玻璃蓋片9黏著後，藉由沿著虛線D切割，得到圖13所表示的半導體裝置30a或圖14所表示的半導體裝置30b。半導體裝置30a係由半導體晶片5’、有效畫素區域7、黏著劑圖型(黏著劑層)1a及玻璃蓋片9所構成。半導體裝置30b係由半導體晶片5’、有效畫素區域7、黏著劑圖型(黏著劑層)1b及玻璃蓋片9所構成。
圖15為表示本發明的電子零件的CCD相機模組的其中之一實施型態之截面圖。圖15所表示的CCD相機模組50a，為具備作為固體攝影元件之半導體裝置30a之電子零件。半導體裝置30a，係透過晶粒接合薄膜11黏著於搭載半導體元件用支持基材15。半導體裝置30a，係透過金屬線12與外部連接端子電性連接。
CCD相機模組50a，係具有於搭載半導體元件用支持基材15上搭載有下述構件而成之構成：透鏡40，其設置於有效畫素區域7的正上方位置；側壁16，其設置成將透鏡40與半導體裝置30a一起包藏；以及嵌入用構件17，其以嵌入有透鏡40的狀態介於透鏡40與側壁16之間。
圖16為表示作為本發明的電子零件的CCD相機模組的其中之一實施型態之截面圖。圖16所表示的CCD相機模組50b，具有透過焊料13將半導體裝置30a與搭載半導 體裝置用支持基材15黏著之構成，來取代如上述實施型態使用晶粒接合薄膜將半導體裝置黏著之構成。
(實施例)
以下列舉實施例更具體的說明本發明。惟，本發明並非拘限於以下實施例者。
聚醯亞胺PI-1的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入3,5-二胺基苯甲酸(以下簡稱為「DABA」)7.6g及NMP。接著將NMP中溶解了4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐(以下簡稱為「ODPA」)15.5g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。滴入結束後，更於室溫下攪拌5小時。接著在該燒瓶內安裝附有水分接受器之回流冷卻器，加入二甲苯，使其昇溫至180℃後此溫度保持5小時後，得到褐色的溶液。如此所得到的溶液冷卻至室溫，投進蒸餾水中使其再沈澱。所得到的沈澱物以真空乾燥機乾燥，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-1」)。
以DMF作為移動相測量GPC後，聚醯亞胺PI-1的重量平均分子量(聚苯乙烯換算)為72000。此外，由聚醯亞胺PI-1的原料的摻合比所計算出的酸值為130mg/KOH。
聚醯亞胺的酸值係基於原料的摻合比依下述而計算出。聚醯亞胺PI-1及其他的聚醯亞胺的酸值係藉由此方法 所計算出。關於作為原料使用的四羧酸二酐，將分子量設為Awn (依所使用的化合物的種類分別設為Aw1 、Aw2 、Aw3 、…)，將莫耳數設為Amn (依所使用的化合物的種類分別設為Am1 、Am2 、Am3 、…)。此外，對於作為原料使用的二胺，將分子量設為Bwn (依所使用的化合物的種類分別設為Bw1 、Bw2 、Bw3 、…)，將莫耳數設為Bmn (依所使用的化合物的種類分別設為Bm1 、Bm2 、Bm3 、…)。然後將全部的四羧酸二酐的莫耳數設為Aa11 (Aa11 =Σ Amn )，將全部的二胺的莫耳數設為Ba11 (Ba11 =Σ Bmn )，藉由計算式：酸值(mg/KOH)=1/[Σ{(Awn +Bwn -36)×(Awn /Aa11 )×(Bwn /Ba11 )}]×55.1×1000而計算出酸值。
將聚醯亞胺PI-1與溶劑混合而成的清漆，塗佈於經以脫模用聚矽氧進行表面處理的PET薄膜上、乾燥後，製作厚度40μm的聚醯亞胺的薄膜。對於由此薄膜切出35mm×10mm大小的試驗片，使用黏彈性測量器「RSA-2」(商品名)以昇溫速度：5℃/分鐘、頻率：1Hz、測量溫度：-150℃~300℃的條件進行測量，將tan δ顯示極大值之溫度設為聚醯亞胺PI-1的Tg。再者tan δ在複數個溫度顯示極大值時，將此等溫度中之顯示最大的極大值之溫度設為Tg。聚醯亞胺PI-1的Tg為200℃。
聚醯亞胺PI-2的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入DABA 6.84g、脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED2000」 (商品名)、分子量1998)9.99g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 16g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-2」)。
聚醯亞胺PI-2的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為51000，Tg為140℃。此外，由聚醯亞胺PI-2的原料的摻合比所計算出的酸值為90mg/KOH。
聚醯亞胺PI-3的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入DABA 2.28g、脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED400」(商品名)、分子量433)15.16g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 16g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-3」)。
聚醯亞胺PI-3的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為47000，Tg為50℃。此外，由聚醯亞胺PI-3的原料的摻合比所計算出的酸值為88mg/KOH。
聚醯亞胺PI-4的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入DABA 1.9g、脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED400」(商品名)、分子量433)15.16g、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷(信越化學製「LP-7100」(商品名)分子量348.4)0.87g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 16g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-4」)。
聚醯亞胺PI-4的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為33000，Tg為55℃。此外，由聚醯亞胺PI-4的原料的摻合比所計算出的酸值為88mg/KOH。
聚醯亞胺PI-5的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入間苯二胺5.4g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 15.5g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-5」)。
聚醯亞胺PI-5的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為68000，Tg為210℃。此外，因為聚醯亞胺PI-5未使用含羧酸的二胺來合成聚合物，因此其酸值視為未逹80mg/KOH。
聚醯亞胺PI-6的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED2000」(商品名)、分子量1998)99.9g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 15.5g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-6」)。
聚醯亞胺PI-6的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為74000，Tg為10℃。此外，因為聚醯亞胺PI-6未使用含羧酸的二胺來合成聚合物，因此其酸值視為未逹80mg/KOH。
聚醯亞胺PI-7的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED2000」(商品名)、分子量1998)49.95g、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷(信越化學製「LP-7100」(商品名)分子量348.4)8.71g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 16g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-7」)。
聚醯亞胺PI-7的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為 45000，Tg為30℃。此外，因為聚醯亞胺PI-7未使用含羧酸的二胺來合成聚合物，因此其酸值視為未逹80mg/KOH。
聚醯亞胺PI-8的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入5,5’-亞甲基-雙(鄰胺基苯甲酸)(以下簡稱為「MBAA」，分子量286.28)2.15g、脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED400」(商品名)、分子量433)15.59g、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷(信越化學製「LP-7100」(商品名)分子量348.4)2.26g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 17g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-8」)。
聚醯亞胺PI-8的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為28000，Tg為30℃。此外，由聚醯亞胺PI-8的原料的摻合比所計算出的酸值為167mg/KOH。
聚醯亞胺PI-9的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入1,12-二胺十二烷2.10g(以下簡稱為「DDO」)、脂肪族醚二胺(BASF公司製「ED2000」(商品名)、分子量1998)17.98g、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷(信越化學製「LP-7100」(商品名)分子量348.4)2.61g及 NMP。接著將NMP中溶解了4,4’-(4,4’-亞異丙基二苯氧基)雙(鄰苯二甲酸二酐)(以下簡稱「BPADA」)15.62g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-9」)。
聚醯亞胺PI-9的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為70000，Tg為53℃。此外，因為聚醯亞胺PI-9未使用含羧酸的二胺來合成聚合物，因此其酸值視為未逹80mg/KOH。
聚醯亞胺PI-10的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷(以下簡稱為「BAPP」)6.83g、4,9-二氧雜癸烷-1,12-二胺(以下簡稱為「B-12」)3.40g及NMP。接著將NMP中溶解了雙偏苯三甲酸十亞甲酯二酐(以下簡稱「DBTA」)17.40g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-10」)。
聚醯亞胺PI-10的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為89000，Tg為73℃。此外，因為聚醯亞胺PI-10未使用含羧酸的二胺來合成聚合物，因此其酸值視為<80mg/KOH。
聚醯亞胺PI-11的合成
在具備攪拌機、溫度計、及氮氣置換裝置之燒瓶內，裝入MBAA 14.3g及NMP。接著將NMP中溶解了ODPA 16g之溶液，一邊調節反應系的溫度不超過50℃，一邊滴入至上述燒瓶內。之後的操作完全與PI-1的合成相同方法進行，得到聚醯亞胺(以下稱為「聚醯亞胺PI-11」)。
聚醯亞胺PI-11的重量平均分子量及Tg，使用與聚醯亞胺PI-1同樣條件進行測量的結果，重量平均分子量為82000，Tg為180℃。此外，由聚醯亞胺PI-11的原料的摻合比所計算出的酸值為197mg/KOH。
表1及表2中整理列示出聚醯亞胺合成時的摻合比(莫耳比)、及所得到的聚醯亞胺的評估結果。表1中的摻合比的數值係各自以四羧酸二酐整體及二胺整體為基準時之數值(莫耳%)。
實施例1
將聚醯亞胺PI-1、作為放射線聚合性化合物之乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸酯(「BPE-100」(商品名)、新中村化學公司製)、及作為光聚合起始劑之雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(「I-819」(商品名)、Ciba Specialty chemicals公司製)，依表2所示的組成(重量份)，於環己酮中均勻的混合後，調製成黏著薄膜形成用的清漆。將此清漆塗佈於經以脫模用聚矽氧進行表面處理的PET薄膜上後乾燥，形成厚度40μm的黏著薄膜。
實施例2~7、比較例1~8
各自變更為表3及表4所示的原料及組成以外，其他則進行實施例1相同作法，製作黏著薄膜。
表3、4所示的原料內容如下述。
BPE-100：新中村化學，乙氧化雙酚A二甲基丙烯酸 酯
U-2PPA：新中村化學，胺酯丙烯酸酯
YDF-8170：東都化成，雙酚F型環氧樹脂
ESCN-195：住友化學，甲酚酚醛清漆型固體狀環氧樹脂
H-1：明和化成，苯酚酚醛清漆
R972：日本AEROSIL，疏水性氣相二氧化矽(平均粒徑：約16nm)
對於所製作的黏著薄膜，藉由下述方法，評估圖型形成性、低溫貼合性、剪切黏著力。評估結果整理列示於表3、4。
(1)圖型形成性
將黏著薄膜藉由輥輪加壓而層合於矽晶圓(6英吋直徑，厚度400μm)上，於其上放置光罩。然後使用高精密度平行曝光機(ORC製作所製)進行曝光後，使用氫氧化四甲 基銨(TMAH)2.38%溶液進行噴霧顯影。顯影後確認是否形成圖型(線寬1mm)，圖型被形成時為A，圖型未被形成時為C。
(2)低溫貼合性
於放置在支持台上之矽晶圓(6英吋直徑，厚度400μm)的背面(與支持台相反側之面)上，藉由輥輪(溫度100℃、線壓4kgf/cm、傳送速度0.5m/分鐘)加壓而層合黏著薄膜。將PET薄膜剝離，於黏著薄膜上使用與上述相同的條件藉由輥輪加壓而層合厚度80μm、寬度10mm、長度40mm的聚醯亞胺薄膜「Upilex」(商品名)。對於藉由如此作法所準備的試樣，使用流變計(rheometer)「STROGRAPH E-S」(商品名)，於室溫進行90℃的剝離試驗，測量黏著薄膜-Upilex間的剝離強度。剝離強度2N/cm以上的試樣為A，未逹2N/cm的試樣為C。
(3)黏著性(剪切黏著力)
於矽晶圓(6英吋直徑，厚度400μm)上，使用具有輥輪及支持體之裝置，以80℃、線壓：4kgf/cm、傳送速度：0.5m/分鐘的條件，層合黏著薄膜。接著使用高精密度平行曝光機(ORC製作所製)，由PET薄膜側以曝光量：1000mJ/cm2的條件照射紫外光。將PET薄膜剝離，於黏著薄膜上層合感壓型的切割帶。然後使用切割機將矽晶圓與黏著薄膜一起裁切成3mm×3mm大小，得到經層合黏著薄膜之矽晶片。將此矽晶片以挾住黏著薄膜的方向放置於10mm×10mm×0.55mm厚的玻璃基板上，於120℃的熱盤上以500gf、10 秒的條件進行熱壓著。之後，於160℃的烘箱中加熱3小時，使黏著薄膜加熱硬化。對於所得到的試樣，使用Dage製黏著力試驗機Dage-4000，於25℃、或260℃的熱盤上，以測量速度：50μm/秒、測量高度：50μm的條件測量在矽晶片側外加剪切方向的外力時之最大應力，將其設為於25℃或260℃的剪切黏著力。
(4)曝光後的於100℃之彈性模數
將黏著薄膜裁切成35mm×10mm大小，使用高精密度平行曝光機(ORC製作所製)，以曝光量：1000mJ/cm2的條件由PET薄膜側照射紫外光。以將PET薄膜剝離後的曝光後的黏著薄膜作為試驗片，使用Rheometric公司製的黏彈性分析器「RSA-2」，以昇溫速度：5℃/分鐘、頻率：1Hz、測量溫度：-50℃~200℃的條件測量動態黏彈性。由此動態黏彈性測量計算出於100℃的貯存彈性模數。
(5)加熱硬化後的於260℃之彈性模數
將黏著薄膜裁切成35mm×10mm大小，使用高精密度平行曝光機(ORC製作所製)，以曝光量：1000mJ/cm2的條件由PET薄膜側照射紫外光。將PET薄膜剝離後，藉由於160℃的烘箱中加熱3小時使黏著薄膜硬化。將硬化後的黏著薄膜作為試驗片，使用Rheometric公司製的黏彈性分析器「RSA-2」，以昇溫速度：5℃/分鐘、頻率：1Hz、測量溫度：-50℃~300℃的條件測量動態黏彈性。由此動態黏彈性測量計算出於260℃的貯存彈性模數。
(6)5%質量減少溫度
對於黏著薄膜，使用高精密度平行曝光機(ORC製作所製)，以曝光量：1000mJ/cm2的條件由PET薄膜側照射紫外光。將PET薄膜剝離後，藉由於160℃的烘箱中加熱3小時使黏著薄膜硬化。將硬化後的黏著薄膜用研鉢仔細搗碎後，所得到的粉末作為試樣，使用SII NanoTechnology股份有限公司製的差示熱重量同時測量裝置「EXSTAR 6300」，以昇溫速度：10℃/分鐘、空氣流量：80mL/分鐘、測量溫度：40℃~400℃的條件進行熱重量分析。由此熱重量分析，計算出質量減少率成為5%之溫度(5%質量減少溫度)。
如表3所示，實施例的黏著薄膜係圖型形成性及低溫貼合性之任一項皆優異。此外，實施例的黏著薄膜即使藉由曝光後的壓著亦顯示出高的黏著力，曝光後的再黏著性這一點亦優異。另一方面，如表4所示，比較例的黏著薄膜係圖型形成性、低溫貼合性及再黏著性之任一項皆不足。
1‧‧‧黏著薄膜(黏著劑層)
1a、1b‧‧‧黏著劑圖型
3‧‧‧基材
5‧‧‧半導體晶圓
5’‧‧‧半導體晶片
7‧‧‧有效畫素區域
9‧‧‧玻璃蓋片
10‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧晶粒接合薄膜
12‧‧‧金屬線
13‧‧‧焊料
15‧‧‧搭載半導體元件用支持基材
16‧‧‧側壁
17‧‧‧嵌入用構件
20‧‧‧附有黏著劑層之半導體晶圓
30a、30b‧‧‧半導體裝置
50a、50b‧‧‧CCD相機模組
圖1為表示本發明的黏著薄膜的其中之一實施型態之截面圖。
圖2為表示本發明的黏著薄片的其中之一實施型態之截面圖。
圖3為表示本發明的附有黏著劑層之半導體晶圓的其中之一實施型態之俯視圖。
圖4為沿著圖3的IV-IV線之端視圖。
圖5為表示本發明的黏著劑圖型的其中之一實施型態之俯視圖。
圖6為沿著圖5的VI-VI線之端視圖。
圖7為表示本發明的黏著劑圖型的其中之一實施型態之俯視圖。
圖8為沿著圖7的VIII-VIII線之端視圖。
圖9為表示透過黏著劑圖型將玻璃蓋片黏著於半導體晶圓的狀態之俯視圖。
圖10為沿著圖9的X-X線之端視圖。
圖11為表示透過黏著劑圖型將玻璃蓋片黏著於半導體晶圓的狀態之俯視圖。
圖12為沿著圖11的XII-XII線之端視圖。
圖13為表示本發明的半導體裝置的其中之一實施型態之端視圖。
圖14為表示本發明的半導體裝置的其中之一實施型態之端視圖。
圖15為表示本發明的電子零件的CCD相機模組的其中之一實施型態之截面圖。
圖16為表示本發明的電子零件的CCD相機模組的其中之一實施型態之截面圖。
1‧‧‧黏著薄膜(黏著劑層)

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其係具備下述步驟：藉由於被黏著物上形成由感光性黏著劑所成的黏著劑層，並將該黏著劑層曝光且藉由鹼性顯影液來顯影，來形成黏著劑圖型之步驟；以及透過該黏著劑圖型來將其他被黏著物藉由熱壓黏來黏著於前述被黏著物之步驟，該感光性黏著劑係含有：(A)可溶於鹼性顯影液之聚合物；(B)放射線聚合性化合物；以及(C)光聚合起始劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該感光性黏著劑，在透過該感光性黏著劑來將矽晶片黏著於玻璃基板後，於25℃得到5MPa以上的剪切黏著力。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該感光性黏著劑，在透過該感光性黏著劑來將矽晶片黏著於玻璃基板後，於260℃得到0.5MPa以上的剪切黏著力。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該(A)可溶於鹼性顯影液之聚合物為聚醯亞胺。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該(B)放射線聚合性化合物之分子量為2000 以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體裝置之製造方法，其中，相對於100重量份的該(A)可溶於鹼性顯影液之聚合物，該感光性黏著劑係含有20重量份以上且80重量份以下的該(B)放射線聚合性化合物。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該感光性黏著劑為黏著薄膜。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置之製造方法，其中，該黏著薄膜的殘留揮發成份為10質量%以下。
  9. 一種半導體裝置，其係藉由申請專利範圍第1至8項中任一項所述之半導體裝置之製造方法所得到。
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