TWI270919B - Display device and method of fabricating the same - Google Patents

Display device and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
TWI270919B
TWI270919B TW092108554A TW92108554A TWI270919B TW I270919 B TWI270919 B TW I270919B TW 092108554 A TW092108554 A TW 092108554A TW 92108554 A TW92108554 A TW 92108554A TW I270919 B TWI270919 B TW I270919B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
opening portion
nitride film
insulating
insulating nitride
Prior art date
Application number
TW092108554A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200305920A (en
Inventor
Masahiko Hayakawa
Satoshi Murakami
Shunpei Yamazaki
Kengo Akimoto
Original Assignee
Semiconductor Energy Lab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Lab filed Critical Semiconductor Energy Lab
Publication of TW200305920A publication Critical patent/TW200305920A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI270919B publication Critical patent/TWI270919B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

(1) (1)1270919 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域] 本發明相關於半導體元件（典型地說是電晶體）及其 製造Λ法’更具體地說是屬於採用薄膜電晶體作爲裝置的 顯示裝置的技術。亦即5本發明屬於相關於以液晶顯示裝 置、電致發光顯示裝置等爲代表的顯示裝置的技術，相關 於到以C Μ 0 S感測器等爲代表的感測器技術，以及相關於 到其中安裝半導體積體電路的各種半導體裝置的其他技術 【先前技術】 近年來，已經進行了液晶顯示裝置和電致發光顯示裝 置的開發，其中薄膜電晶體（TFΤ )被集成在玻璃基底上 。這些顯示裝置各自是一種半導體裝置，其特徵在於，用 薄膜形成技術將薄膜晶體管制作在玻璃基底上，且液晶元 件或電致發光（以下稱爲EL )元件被製作在由薄膜電晶 體組成的各種電路上，以便提供作爲顯示裝置的功能。 由薄膜電晶體組成的電路引起一定程度的不平整性。 於是，當液晶元件或EL元件被製作在電路上時，通常用 有機樹脂膜等進行句平處理。提供在顯示裝置顯示部分中 的各個像素中具有像素電極。像素電極經由提供在上述用 來勻平的有機樹脂膜中的接觸孔，與薄膜電晶體連接。 但本申請人的硏究發現下列一些事實。亦即，當樹脂 膜被用作層間絕緣膜，並用乾法腐蝕技術形成接觸孔時， -6 - (2) (2)1270919 完成的薄膜電晶體的起始値電壓（Vth )大幅度變化。例 如，圖4 A和4 E所示的資料是對製作在S ΟI基底上的薄 膜電晶體起始値電壓變化的檢驗結果。在這些圖中，黑圓 記號表示氮化砂膜（S i N )和丙烯酸膜的叠層被用作層間 絕緣膜的情況。此外，圖中的空心三角形表示氧氮化矽膜 (SiNO )和氮氧化矽膜（SiON )的叠層被用作層間絕緣 膜的情況。無論在哪種情況下，都使用乾法腐蝕技術來形 成接觸孔。注意，“SiNO”和“ SiON”根據前者包含的 氮多於氧而後者包含的氧多於氮的意思而被分別使用。 圖6 A和圖6B所示的資料是借助於用統計處理方法 對起始値電壓的變化進行評估而得到的曲線。橫坐標表示 通道長度（載子運動長度），而縱坐標表示Vth的變化。 近年來，“四分差”已經成爲統計處理所已知的。四分差 是正態槪率曲線中25 %的數値與75 %的數値之間的差値， 並已經被指出爲不受異常値影響的統計處理。本申請人基 於四分差（也被稱爲25%分差）而定義16%的數値與84% 的數値之間的差値爲1 6%偏差，並將其數値繪製在縱坐標 中作爲“ Vth的變化”。注意，1 6%偏差對應於正態槪率 分佈中的± σ。於是，假設爲± 3σ各乘以因數的數値，被 用於資料繪製。當丙烯酸膜被用作層間絕緣膜時，如從資 料所見，η通道TFT的變化約爲4倍於而ρ通道TFT的 變化約爲2倍於不採用丙烯酸膜的情況。於是，顯然在採 用丙烯酸膜的情況下變化大。本申請人估計，電荷在乾法 腐鈾中被電漿損傷捕獲於丙烯酸膜中，從而提供了改變起 -7- (3) 1270919 始値電壓的原因。 【發明內容】 考慮到上述問題而提出了本發明，其第一問題是提供 一種製造其起始値電壓在顯示裝置製造過程中不分散的薄 膜電晶體的技術，其中，有機樹脂膜被用作層間絕緣膜， 從而達到提高顯示裝置運行功能穩定性和擴大電路設計裕 度的目的。而且，其第二問題是提供一種有利於減少製程 步驟數目的製造製程，從而達到降低顯示裝置特別是發光 裝置的製造成本的目的。 本發明的特徵在於用下列方法解決了第一問題。亦即 ，本發明的特徵在於使用光敏有機樹脂膜（最好是光敏丙 烯酸膜，特別是正性光敏丙烯酸膜）作爲有機樹脂膜，在 光敏有機樹脂膜中形成第一開口，然後形成覆蓋第一開口 的絕緣氮化物膜，再用光抗鈾劑在絕緣氮化物膜處形成第 二開口，以及電連接上電極與下電極，以有機樹脂膜插入 其間。 下面參照圖3A和3B來解釋解決第一問題的方法（ 以下稱爲本發明的第一情況）。在圖3 A中，參考號1 〇 1 表示基底，參考號1〇2表示基礎膜，參考號1〇3表示源極 區，參考號1〇4表示汲極區，參考號1〇5表示通道形成區 ，且這些都由提供在上述膜1〇2上的半導體膜構成。而且 ，參考號106表示閘絕緣膜，參考號107表示閘極，而參 考號108表示第一鈍化膜。至此就表示出衆所周知的薄膜 (4) 1270919 電晶體的結構，而關於各個部分的材料，所有衆所 材料都可以被採用。 接著’根據本發明第一情況的薄膜電晶體的第 在於’光敏型有機樹脂膜，確切地說是正性光敏丙 被用於是爲無機絕緣膜的第一鈍化膜1 〇 8上作爲層 膜1 〇 9。光敏有機樹脂膜1 〇 9的膜厚度可以在4 圍內選擇（最好是1 · 5 - 3微米）。而且，其第二特 ’第一開口部分（由直徑0 1表示）；! i 〇被提供在 機樹脂膜109中，且提供是爲無機絕緣膜的第二 Η 1來覆蓋光敏有機樹脂膜1 09的上表面和第一開 1 1 〇的內壁表面。而且，其第三特徵在於，第二 1 1 1包括第一開口部分1 1 〇底部表面處的第二開口 由直徑0 2表示）1 1 2，且這些開口部分也被形成 鈍化膜1 08和閘絕緣膜1 06中，其直徑與第二開 1 1 2的相同。亦即，此特徵在於，提供在包括閘 1 〇 6、第一鈍化膜1 〇 8、以及第二鈍化膜1 1 1的叠 第二開口部分，被提供在第一開口部分1 1 0的內側 且，源極1 1 3經由第一開口部分1 1 0和第二開口部 ，被連接到源極區1 0 3，且汲極區1 1 4被相似地連 極區 10 4。 而且，氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、 膜、氧氮化鋁膜、氮氧化鋁膜，能夠被用作第一 1 0 8和第二鈍化膜1 1 1。而且，可以構成包括這些 一部分的叠層膜。而且，直徑4 1可以是2 -10微 周知的 一特徵 烯酸膜 間絕緣 微米範 徵在於 光敏有 鈍化膜 口部分 鈍化膜 部分（ 在第一 口部分 絕緣膜 層中的 上。而 丨分1 12 接到汲 氮化鋁 鈍化膜 膜至少 米（最 -9- (5) 1270919 好是3 - 5微米），而直徑4 2可以是1 - 5微米（最好是2 - 3微米）。但由於開口部分的直徑的設計規則還由於光刻 步驟的精度而改變’故直徑不必局限於迫一'數値範圍。亦 即，總之可以滿足關係0 1〉0 2。 此處，圖3 B表示出虛線包圍的區域1 1 5的放大圖。 圖3 B表示出第一開口部分1 1 0和第二開口部分n 2的部 分。第一開口部分110在其內壁表面處形成有逐漸彎曲的 表面，且具有連續改變的曲率半徑。例如，當相繼注意曲 率半徑 R1、R2 ' R3時，各個曲率半徑的關係成爲 R1<R2<R3，且其數値在3-30微米（典型爲10-15微米） 範圍內。而且，在第一開口部分110的底部表面處，光敏 有機樹脂膜1 〇9和第一鈍化膜1 〇8形成的角度（接觸角θ )在3〇度<0<65度（典型爲40度<0<5〇度）範圍內。 在此情況下，在圖3 B中，參考號1 1 6表示的部分構 成一種第一鈍化膜1 〇8與第二鈍化膜1 1 1彼此實現相互接 觸從而密封光敏有機樹脂膜1 的狀態。在此情況下，相 互接觸區的長度，亦即使第一鈍化膜1 〇 8和第二鈍化膜 1 1 1彼此相互接觸的區域，可以是_3微米（最好是1-2 微米），具體地說，第一開口部分1 1 〇的半徑可以比第二 開口部分1 1 2的半徑大〇 · 3 -3微米。 用於本發明第一情況的光敏有機樹脂膜（此處是正性 光敏丙烯酸膜）在製作薄膜電晶體過程中及其之後可以産 生氣體成分，因此’用具有優異的相互接觸性能的無機絕 緣膜（確切地說，具有高壁障性能的氮化矽膜或氧氮化矽 -10- (6) 1270919 膜是較佳的）將光敏有機樹脂膜密封起來’對於防止製作 在薄膜電晶體上的液晶元件或EL元件的退化’是非常重 要的。 而且看來，當圖3 B所示的接觸角（β )被減小時’ 第一開口部分1 10內壁表面的傾斜變小，因此，在圖3 A 中，閘極107上端部（角落）與第一開口部分1 1 〇的內壁 表面之間的距離被縮短，但第一鈍化膜1 〇8、光敏有機樹 脂膜1 09、以及第二鈍化膜1 1 1的3層絕緣膜實際上存在 於閘極1 07與佈線1 1 3之間，因而不可能出現短路等問題 〇 接著，參照圖 4A、4B、4C、4D、4E來解釋具有圖 3 A和3B所示結構的薄膜電晶體的製造方法。首先來解釋 圖4A。基礎膜102被形成在基底101上，並在其上形成 腐蝕成小島形的半導體膜。而且，形成閘絕緣膜1 06，並 在其上形成閘極107，且用閘極107作爲掩模，自對準地 形成源極區1 〇 3和汲極區1 04。此時，同劃時隔出通道形 成區105。當形成源極區103和汲極區104時，用熱處理 方法啓動源極區103和汲極區104，形成第一鈍化膜1〇8 ’然後用熱處理方法進行氫處理。至此的製造方法可以用 衆所周知的技術來進行，並可以使用所有衆所周知的材料 作爲構成薄膜電晶體的材料。接著，形成光敏有機樹脂膜 ’在此情況下是正性光敏丙烯酸膜，作爲層間絕緣膜1 〇9 接著解釋圖4B。當形成光敏有機樹脂膜1 〇9時，用 (7) (7)1270919 光刻步驟進行曝光處理，光敏有機樹脂膜1 09被腐蝕，從 而形成第一開口部分1 1 〇。此步驟是光敏有機樹脂膜能夠 實現的技術，且腐蝕本身是利用顯影液的濕法腐蝕，因此 ，達到了沒有上述電漿損傷問題的效果。在用顯影液腐蝕 之後，進行有機樹脂膜1 〇 9的褪色處理。可以借助於輻照 比用來曝光整個圖形的光更強的光，來進行褪色處理。而 且，必需在曝光之後立即進行，亦即在固化處理之前進行 褪色處理。因爲在固化之後，光敏有機樹脂膜1 0 9的搭橋 已經完成，故無法借助於輻照光來進行褪色。 而且，第一開口部分1 1 〇的剖面形狀變成圖3 B所示 ，並包括非常緩慢的內壁表面。因此，稍後待要形成的電 極的覆蓋變得非常優異。而且，在腐鈾之後的固化步驟中 ，爲了防止潮氣或氧吸附或吸收到樹脂中，最好在惰性氣 體環境（氮氣氣體環境、稀有氣體氣體環境、或氫氣氣體 環境）中進行加熱。此時，借助於從提高的溫度到降低的 溫度形成惰性氣體，吸附（或吸收）的潮氣和氧的量最好 被保持爲等於或小於lOppm (最好等於或小於lppm)。 接著解釋圖4 C。當形成第一開口部分1 1 0時，形成 第二鈍化膜1 1 1來覆蓋光敏有機樹脂膜1 〇 9的上表面和第 一開口部分1 1 0的內側表面。第二鈍化膜1 1 1的材料可以 與第一鈍化膜1 〇S的材料相同。在形成第二鈍化膜1 1 1的 過程中，最好採用高頻放電的濺射方法。作爲其條件，可 以使用矽靶，並用氮氣作爲濺射氣體。雖然壓力可以被適 當地設定，但壓力可以被設定爲〇 . 5 - 1 . 〇 P a，放電功率可 -12- (8) 1270919 以被設定爲2 · 5 - 3 · 5 K W，而成膜溫度可以在室溫（ 到2 5 0 °C的範圍內。而且，當形成第二鈍化膜1 1 1 成光抗蝕劑2 0 1。此光抗蝕劑2 0 1是用來形成第二 1 1 1的第二開口部分1 1 2的掩模。 接著解釋圖4D。當形成光抗蝕劑20 1時，借 行腐鈾處理，第二鈍化膜1 1 1、第一鈍化膜108、 絕緣膜1 06被相繼腐蝕，從而形成第二開口部分1 時’雖然腐蝕處理可以是乾法腐鈾處理或濕法腐蝕 但爲了改善第二開口部分1 1 2的形狀，最好是乾法 理。根據本發明，即使當此處進行乾法腐蝕處理時 有機樹脂膜1 09也不被直接暴露於電漿。本發明第 的特徵之一在於，當用氮化矽膜之類的絕緣氮化物 護提供在光敏有機樹脂膜中的開口部分的內壁表面 徑較小的開口部分以這種方式被提供在開口部分的 面。 而且，在用乾法腐蝕處理形成第二開口部分1 ] 程中，聞絕緣膜106和第一鈍化膜108被腐蝕，且 組合無機絕緣膜，能夠提高腐蝕的效率。亦即，當 膜被用作第一鈍化膜1 〇 8和氮氧化砂膜被用作閘 1 〇 6時，在腐蝕第一鈍化膜1 08的過程中，能夠使 膜1 06用作腐蝕停止層，並在腐鈾閘絕緣膜1 06的 ，能夠使源極區（矽膜）1 〇 3用作腐鈾停止層。 例如，考慮氮氧化矽膜被用於閘絕緣膜1 0 6和 膜被用於第一鈍化膜1 〇8的情況。雖然能夠用四氟 2 5°C ) 時，形 鈍化膜 助於進 以及閘 1 2 〇此 處力， 腐触處 ，光敏 一情況 膜等保 時，直 底部表 2的過 借助於 氮化矽 絕緣膜 閘絕緣 過程中 氮化矽 化碳（ - 13 - (9) (9)1270919 CF4 )氣體、氦（He )氣、以及氧（02 )來腐蝕用作第一 鈍化膜]〇 8的氮化矽膜’但這些氣體也腐蝕矽膜。然而， 用作矩陣閘絕緣膜1 06的氮氧化矽膜被用作腐餓停止層， 因此，用作源極區1 〇 3的砂膜不被淸除。而且，能夠用碳 氫三氟化物（CHF3 )氣體腐蝕閘絕緣膜（此處是氮氧化 矽膜）1 0 6，而且，矽膜很難被腐蝕，因此，能夠使源極 區1 0 3用作腐蝕停止層。 接著解釋圖4E。當形成第二開口部分11 2時，在其 上形成金屬膜，並用腐蝕方法圖形化，從而形成源極113 和汲極1 1 4。爲了形成這些電極，可以使用鈦膜、氮化鈦 膜、鎢膜（包括其合金）、鋁膜（包括其合金）、或這些 膜的叠層膜。 借助於進行上述的操作，能夠提供具有圖3 A和3 B 所述結構的薄膜電晶體。以這種方式提供的薄膜電晶體包 括光敏有機樹脂膜以及也用作平滑膜的光敏有機樹脂膜。 而且，光敏有機樹脂膜被絕緣氮化物膜（典型爲氮化矽膜 或氧氮化矽膜）密封，因此，沒有放氣引起的問題。 此處將解釋正性光敏丙烯酸膜作爲光敏有機樹脂膜 109特別較佳的理由。 首先，圖5 A所示的照片是對非光敏丙烯酸膜（膜厚 度約爲1 . 3微米）進行乾法腐蝕處理情況下的剖面SEM ( 掃描電子顯微鏡）照片，而圖5 B是其示意圖。當非光敏 丙烯酸膜如在相關技術中那樣經受乾法腐鈾處理時，在圖 形的上部很難形成彎曲的表面，從而構成基本上不具有曲 -14- (10) 1270919 率半徑（R )的上端部。而且，雖然在圖 角（接觸角）約爲 6 3度，但在下端部處 曲的表面。 接著，圖7A所示的照片是對正性光 厚度約爲2 . 〇微米）進行曝光和顯影處理 下的剖面SEM照片，而圖7B是其示意圖 行腐蝕處理之後，正性光敏丙烯酸膜具有 表面，且曲率半徑（R )連續地變化。而 約爲32-33度的小的數値。亦即，此形狀 形狀，並可以認爲是製造本發明薄膜電晶 程中非常有用的形狀。當然，接觸角的數 或膜厚度而被改變，但如上所述可以滿足 〇 接著，圖8A所示的照片是對負性光 厚度約爲1.4微米）進行曝光和顯影處理 下的剖面SEM照片，而圖8B是其示意圖 行腐蝕處理之後，負性光敏丙烯酸膜被形 的平緩彎曲表面，並在圖形的上端部處以 (R )被彎曲。而且，接觸角具有約爲47 情況下，圖8B參考號W所示的尾部（邊 題。確切地說，在需要精細加工的接觸孔 ，當尾部被延長時，存在著出現接觸孔內 線不被暴露的問題，並存在著由於接觸失 題。但當尾部的長度（W )等於或小於1 形的下端部處錐 也沒有觀察到彎 敏丙烯酸膜（膜 以圖形化的情況 。在用顯影液進 非常平緩的彎曲 且，接觸角具有 是圖3B所示的 體和顯示裝置過 値由於腐蝕條件 30 度 < 0 <65 度 敏丙烯酸膜（膜 以圖形化的情況 。在用顯影液進 成爲具有S形狀 一定的曲率半徑 度的數値。在此 沿）的長度有問 (開口部分）處 下層處電極或佈 效引起的斷接問 微米（最好是長 -15- (11) (11)1270919 度小於接觸孔的半徑）時，這種斷接的幾率被降低。 接著，圖9 A所示的照片是對正性光敏聚醯亞胺膜（ 膜厚度約爲1 . 5微米）進行曝光和顯影處理的情況下的剖 面S E Μ照片，而圖8 B是其示意圖。雖然正性光敏聚醯亞 胺膜在用顯影液腐鈾處理之後具有或多或少的尾部（由長 度W表示）和彎曲的上端部，但其曲率半徑（R )小。 當觀察上述剖面形狀時，可以進行下列分析。當在形 成接觸孔（開口部分）之後形成用來構成電極或佈線的金 屬膜時，採用濺射方法、氣相澱積方法、或C VD方法。 當用來構成薄膜的材料的分子粘附到待要形成的表面時’ 分子在表面上運動以便尋找適當的位置，且已知分子易於 聚集到具有銳角形狀的部分，如在接觸孔的上端部（構成 突出部分的形狀）。在氣相澱積方法中，這一傾向特別明 顯。因此，當開口部分的剖面形狀如圖5 A所示時，材料 的分子聚集在開口部分的邊沿上’因此’僅僅在此部分局 部增加膜厚度，從而形成屋檐形狀的突出部分。此突出部 分引起斷接（臺階斷開）等失效’因而是不可取的。因此 ’考慮到覆蓋性’可以認烏圖5 A所不的非光敏丙燒酸膜 和圖9 A所示的正性光敏聚醯亞胺膜是不利的材料。 而且，關於如圖8 A和圖9 A在接觸孔下端部形成有 尾部的形狀，尾部根據情況覆蓋著接觸孔的底部表面’存 在著出現接觸失效的問題’因此’考慮到接觸情況’可以 認爲這種材料是不利的。當然’當尾部長度等於或小於1 微米（最好是長度小於接觸孔的半徑）時’不存在問題° -16- (12) (12)1270919 從上述觀點出發，在實施本發明的過程中，構成圖 7 A所示形狀的正性光敏丙烯酸膜可以被認爲是最較佳的 。亦即，當正性光敏丙烯酸膜被使用時，在接觸孔的上端 部處提供了非常平緩的彎曲表面，因此，在覆蓋性方面不 存在問題，而且，在接觸孔的下端部處，接觸孔的底部表 面被滿足3 0度< 0 <6 5度的接觸角穩固地分割而不形成尾 部，因此，也不存在接觸失效的問題。根據上述理由，在 實施本發明的過程中，本申請人認爲正性光敏丙烯酸膜是 作爲包含有機樹脂的層間絕緣膜的最較佳材料。 如上所述，在用有機樹脂膜作爲層間絕緣膜來製造薄 膜電晶體的過程中，光敏有機樹脂膜被用作層間絕緣膜， 而且，借助於構成圖3B所示的接觸結構，能夠製造薄膜 電晶體而起始値電壓不分散，並能夠達到提高不僅薄膜電 晶體而且採用此薄膜電晶體的顯示裝置的運行功能穩定性 以及擴大電路設計裕度的目的。 下面參照圖1 A、1B、1 C、1 D來進行解釋。圖1 a、 ]B、1 C、1 D表示出用實施本發明第一情況的較佳製造製 程製造的發光裝置（具體地說是EL顯示裝置）。 在圖1八、13、1(：、10中，圖1人是發光裝置（但直 至形成像素電極）的像素的俯視圖，圖1B是其電路圖， 而圖1C和1D是分別沿圖1 A中A-A’線和圖1 A中B-B， 線的剖面圖。 如圖1 A和1 B所示，發光裝置的顯示部分配備有多 個像素，它被閘線9 5 1、資料線9 5 2、以及電源線（提供 -17- (13) 1270919 恒定電壓或恒定電流的佈線）95 3環繞，呈矩陣排列，且 各個像素配備有用作開關元件的TFT (以下稱爲開關TFT )9 54、用作提供電流或電壓使eL元件發光的裝置的TFT (以下稱爲驅動TFT ) 955、電容器部分956、以及EL元 件9 5 7 °借助於在像素電極9 5 8的上側提供el層，能夠 形成EL元件957，雖然未在此用圖說明。 而且，雖然在本實施例中，多閘結構的η通道TFT 被用作開關TFT 954，且p通道TFT被用作驅動TFT 955 ’但發光裝置的像素結構不必局限於此，而是能夠以所有 衆所周知的構造來實現。 圖1C的剖面圖表示出^通道TFT 954和電容器部分 956。參考號900表示基底，且能夠採用玻璃基底、陶瓷 基底、石英基底、矽基底、或塑膠基底（包括塑膠膜）。 而且，參考號901表示作爲第一基礎膜的氧氮化矽膜，而 參考號902表示作爲第二基礎膜的氮氧化矽膜。當然，這 些膜不必局限於這些材料。而且，第一基礎膜9 0 1和第二 基礎膜902可以被形成在提供給薄膜電晶體的主動層下側 的層處，因而不必提供在像素電極下側的層。第一基礎膜 或第二基礎膜可以形成在像素電極上側上的層處，且像素 部分的上側可以藉由包括基礎膜被暴露。 借助於對導電氧化物膜進行圖形化而形成的像素電極 958，先前被形成在第二基礎膜902上。這是最重要的特 徵。借助於在製作薄膜電晶體之前先行提供像素電極95 8 (亦即提供在主動層下側的層中），在抛光平滑像素電極 -18- (14) 1270919 過程中不存在影響薄膜電晶體的損傷問題，當像素電極如 在通常情況下那樣被提供在薄膜電晶體上側的層中時，這 是有問題的，因此，能夠達到提高薄膜電晶體運行功能穩 定性的目的。而且，由於在像素電極下側層中僅僅存在基 礎膜1和基礎膜2，故能夠在更平坦的狀態下進行抛光。 而且，雖然對可見光透明的導電氧化物膜（典型爲ITO膜 )被用作像素電極958，但像素電極95 8不必局限於此， 而是可以採用其他的導電氧化物膜。而且，其特徵在於氮 氧化矽膜903被提供在像素電極95 8上作爲第三基礎膜， 且最好採用材料與稍後待要形成的閘絕緣膜相同的或對主 動層具有高選擇比的絕緣膜。在這種意義上，氧化矽膜可 以被用來代替第三基礎膜903。 如上所述，用第一基礎膜901、第二基礎膜902、以及第 三基礎膜903的叠層來構成基礎膜，且像素電極95 8被提供成 被構成叠層的基礎膜覆蓋的狀態（埋置狀態）。 而且，η通道TFT 954的主動層被提供在氧化矽膜 903上，主動層包括源極區 904、汲極區905、LDD區 906a-906d、以及通道形成區9 0 7 a和9 0 7 b，且二個通道形 成區和4個LDD區被提供在源極區904與汲極區905之 間。此時，雖然可以用衆所周知的技術來形成構成主動層 的半導體膜，但最好在不對先前形成的導電氧化物膜有不 利影響的溫度範圍內形成半導體膜。典型地說，最好採用 鐳射晶化技術或使用鎳的晶化技術的低溫製程。 而且，η通道TFT 954的主動層被閘絕緣膜908覆蓋 (15) (15)1270919 ，並在其上提供閘極909a和909b以及閘極910a和91 Ob 。雖然根據本發明的第二情況，氮氧化矽膜被用於閘絕緣 膜9 0 8，但當採用上述具有高介電常數的氮化鋁膜的絕緣 氮化物膜時，此絕緣氮化物膜由於能夠減小元件所佔據的 面積而能夠提高集成度。 而且，採用氮化鉅膜作爲閘極909a和910a，並採用 鎢膜作爲閘極909b和910b。提供了彼此具有高選擇比的 金屬膜，因此，借助於選擇腐蝕條件，能夠構成圖1B所 示的結構。關於腐蝕條件，可以參照本申請人的；FP-A-200卜313397° 而且，提供氮化矽膜或氧氮化矽膜作爲覆蓋閘極的第 一鈍化膜9 1 1，並在其上提供光敏有機樹脂膜9 1 2 (根據 本發明第二情況，採用正性光敏丙烯酸膜）。而且，光敏 有機樹脂膜9 1 1配備有第二鈍化膜9 1 3來覆蓋第一開口部 分（參見圖1C)，且第二開口部分（參見圖1 C )被提供 在第一開口部分的底部表面中。根據本發明的第二情況， 氮化矽膜或氧氮化矽膜被用作第二鈍化膜9 1 3。當然，也 可以採用氮化鋁膜或氧氮化鋁膜的其他絕緣氮化物膜。 而且，資料線9 5 2經由第一開口部分被連接到源極區 9 04，而連接引線9 1 5經由第二開口部分被連接到汲極區 9 05。連接引線915是連接到驅動TFT 95 4的閘的引線。 由其他金屬膜或這些金屬的合金膜插入一個其主要成分是 鋁或銅的低阻金屬的引線的結構，可以被用作資料線9W 和連接引線91 5。 -20- (16) (16)1270919 而且，參考號9 1 6表示與電源線9 5 3連接的驅動τ F 丁 9 5 5的源極區。借助於實施本發明的第一情況，結合第一 開口部分和第二開口部分製作成相關於到連接的接觸部分 。而且，電源線9 5 3經由第一鈍化膜9 η和第二鈍化膜 9 1 3與驅動TFT 9 5 5相對的閘線9〗7，並構成儲存電容器 9 5 6 a。而且，閘線9 1 7經由閘絕緣膜9 〇 8與半導體膜9 } 8 相對，並構成儲存電容器95 6b。由於電源線9 5 3被連接 到半導體膜9 1 9，故借助於從中饋以電荷，半導體膜9 1 8 用作電極。電容器部分956由並聯連接儲存電容器956a 和 9 5 6b的結構構成，因此，由非常小的面積提供了大的 電容。確切地說，作爲介質的介電常數高的氮化矽膜被用 於儲存電容器95 6a，因此能夠確保大的電容。而且，儲 存電容器9 5 6 a的介質由第一鈍化膜9 1 1和第二鈍化膜 9 1 3的叠層結構構成，因此，產生針孔的幾率非常小，從 而能夠形成高度可靠的電容器。 當實施本發明的第一情況時，與現有技術相比，由於 形成第二開口部分，故增加了用於光刻步驟的掩模的數目 ，但如本實施例所示，借助於相反地利用掩模數目的增加 ，能夠以新的方式形成儲存容量。這也是本發明第一情況 的〜個重要特徵。此特徵補償了掩模增加的缺點，結果’ 對：!：業開發有重要的貢獻。例如，爲了達到高精細影像的 顯示，必需借助於減小儲存電容器相對於顯示部分中各個 像素的面積所佔據的面積來增加數値孔徑，且爲此目的’ 儲存電容器的增加是非常重要的。 -21 - (17) (17)1270919 而且，在圖ID中，參考號92〇表示連接到汲極線 9 2 1的驅動τ F T 9 5 5的汲極區。而且，汲極區9 2 1經由提 供在像素電極9 5 8上的第一開口部分9 2 2和第二開口部分 9 2 3，被連接到像素電極9 5 8。此時，當形成第二開口部 分923時，借助於腐蝕第二鈍化膜9 ；i 3、第一鈍化膜9 1 1 、以及閘絕緣膜9 0 8，並相繼也腐蝕氧化矽膜9 〇 3，而形 成第二開口部分9 2 3。亦即，在腐蝕氧化矽膜9 〇3的過程 中’必需防止源極區9 0 4、汲極區9 0 5、以及汲極區9 2 0 被腐触。爲此目的，如上所述選擇材料與閘絕緣膜9 〇 8材 料相同的氮氧化矽膜9 0 3。 圖2A和2B表示出具有上述像素結構的發光裝置中 的EL元件的實際製作例子。而且，與圖丨a、丨b、1 c、 1D相同的圖2 A和2B的部分，用與圖i a、1 B、1 C、；[ D 相同的參考號來表示。圖2 A相當於圖1 D所示區段，表 示出在像素電極9 5 8上製作EL元件9 5 7的狀態。而且， 當構成圖2 A的結構時，像素電極9 5 S相當於E L元件9 5 7 的陽極。而且，在本說明書中，EL元件指的是在陰極與 陽極之間配備有E L層的借助於施加電壓或將電流注入到 EL層而發光的元件。 製作在基底上像素電極9 5 8端部的薄膜電晶體，被光 敏有機樹脂膜9 6 1覆蓋。由於當EL層被提供在像素電極 9 5 8端部處時’臺階引起的陽極與陰極之間短路的問題， 或存在著電場集中引起EL層退化的問題，故用絕緣膜（ 第一光敏有機樹脂膜9 1 2 )保護像素電極9 5 8的端部是很 -22- (18) (18)1270919 51 ®的。而且，光敏有機樹脂膜96 i被提供成網格狀，對 &個像素鑲邊’或以行爲單位或以列爲單位提供成條形。 胃有本發明結構的發光裝置預先被製作成具有像素電極 9 5 8 ’因此，具有保護像素電極端部的功能。 而且，根據具有圖2 A和2 B所示結構的發光裝置， 與用作層間絕緣膜（根據本發明第二情況的正性光敏丙烯 酸膜）的光敏有機樹脂膜（第一光敏有機樹脂膜）9 1 2相 同的材料，被用作光敏有機樹脂膜（第二光敏有機樹脂膜馨 )9 6 1，因此，能夠使生産設施儘量少。而且，雖然未示 出，但可以使用圖8A和8B所示的構成S形剖面.的負性 光敏丙烯酸膜。當然，在此情況下，最好將開口部分上端 部和下端部處的曲率半徑設定爲3 - 3 0微米（典型爲1 〇 -1 5 微米）。而且，在此情況下，當不使參考號 W表示的尾 部長度盡可能小時，數値孔徑被減小，這是不可取的。而 且’能夠採用衆所周知的抗蝕劑材料（包括發色團（ c h r 〇 m 〇 f o r e )的高分子材料）。 Φ 而且，光敏有機樹脂膜9 6 1的表面被作爲第三鈍化膜 9 6 2的絕緣氮化物膜覆蓋，從而能夠限制從光敏有機樹脂 膜96 1放氣。而且，對第三鈍化膜9Q進行腐蝕，以便在 像素電極9 5 8上提供開口部分，並使EL層963和像素電 極9 5 8在開口部分處彼此接觸。雖然EL層963通常由發 光層、電荷注入層、以及電荷傳輸層的叠層薄膜構成，但 可以採用能夠發光的所有的結構和材料。例如，也可以採 用構成包括矽的有機材料的S A1 q (三苯矽烷結構取代3 -23- (19) 1270919 個A1 q 3配位基（1 i g a r d )之一）作爲電子傳輸層或電洞阻 擋層。 當然，不一定要用有機薄膜來構成EL層963，也可 以用有機薄膜和無機薄膜的叠層結構，或聚合物薄膜或低 分子薄膜來構成。而且，雖然利用高分子薄膜或利用低分 子薄膜的成膜方法不同，但可以用衆所周知的方法來形成 膜。 而且，在EL層963上提供陰極964，並最後進—步 · 在其上提供絕緣氮化物膜作爲第四鈍化膜96 5。雖然陰極 9 64可以採用包括周期表I族或Π族元素的金屬薄膜，但 從電荷注入性能等考慮，最好是採用加入有0.2-1.5%重量 比（最好是_ 〇 . 5 - 1.0%重量比）的鋰的鋁金屬膜。而且，雖 然存在著鋰由於擴散而對TFT的運行有害的問題，但根 據本實施例，由於EL層9W被第一鈍化膜9 1 1、第二鈍 化膜9 1 3、以及第三鈍化膜962完全保護，因此，不必在 意鋰的擴散。 此處，圖17A和17B表示出一些資料，表明了用高 頻放電濺射方法形成的氮化矽膜對鋰的阻擋作用。圖1 7 A 表示出由高頻放電濺射方法形成的氮化矽膜（表示爲RF-SP-SiN )構成介質的MOS結構的C-V特性。而且，參考 號“ Li-浸漬”表示包括鋰的溶液被旋塗在氮化矽膜上， 並表示此膜被有意地用鋰沾汙以便測試。用高頻放電濺射 方法形成的氮化矽膜，利用半徑爲1 2英寸的圓形矽靶， 在氣流速率比爲 N2: Ar = 2 0:20 ( seem )，成膜氣爲 -24- (20) 1270919 O.SPa，成膜功率爲高頻3kW，以及基底溫度爲200°c的 條件下形成。圖2 0和表1表示出用SIM S測得的用高頻 放電濺射方法形成的氮化矽膜的組分。 (表1 ) Η C 0 Αγ 濃度 5χ ΙΟ20 4χ 1019 2χ ΙΟ21 3χ 1〇20 (原子 / cm3)) 而且，圖17Β表示出由電漿CVD方法形成的氮化矽 膜（表示爲CVD-SiN )構成介質的MOS結構的C-V特性 ’用於比較。用電漿CVD方法形成的氮化矽膜，在氣流 速率爲 SiH4:NH3:N2:H2 = 30:240:300:60 ( seem)，壓力爲 159Pa’頻率爲13.56MHz，功率爲0.35W/cm2，以及基底 溫度爲3 2 5 °C的條件下形成。而且，圖1 7B的資料採用了 加入有鋰的鋁合金膜作爲金屬電極。對這些膜（用高頻放 電濺射方法形成的氮化砂膜，用電獎CVD方法形成的氮 化砂膜）進行正常的BT測試（具體地說，除了施加 1 . 7 Μ V的電壓之外，還在± ；[ 5 0它下進行1小時熱處理） ，結果，如圖1 7 A所示，與用高頻放電濺射方法形成的 氮化矽膜的C - V特性中很難觀察到變化的事實相比，在 用電紫C V D方法形成的氮化砂膜的c - V特性中觀察到了 明滅的變化，從而證實了鋰沾汙。此資料表明用高頻放電 濺射方法形成的氣化砂膜對鋰的擴散具有非常有效的阻擋 -25- (21) 1270919 作用。 而且’利用絕緣氣化物膜作Μ弟一^純化I吴9 1 3或第二 鈍化膜962，有望得到熱發散作用。例如，當氧化矽膜的 熱導率被設定爲1時，對於氮化矽膜，提供了約爲5的非 常高的熱導率，而對於氮化鋁膜，提供了約爲3 5 - 1 3 0的 非常高的熱導率，因此，當EL元件被加熱時，熱被有效 地發散，從而能夠限制EL層963由於自身發熱而退化。 而且，第三鈍化膜962和第四鈍化膜965可以使用與 用於第一鈍化膜9 1 1或第二鈍化膜9 1 3的絕緣氮化物膜相 同的材料。 在圖2Α所示結構的情況下，構成下發射類型，其中 從EL元件發射的光透過像素電極958從基底901 —側發 射。在下發射類型的情況下，由於本發明配備有這樣一種 結構，其中像素電極被提供在薄膜電晶體主動層的下側， 故與習知情況那樣像素電極被提供在薄膜電晶體上側上的 層中的情況相比，從EL層發射的光透過其中發射的層的 數目少（光僅僅透過像素電極、基礎膜1、基礎膜2、以及 玻璃基底），因此，從透光性考慮，此結構是有利的。 接著，圖2Β表示出具有反射性能的金屬膜97 1代替 像素電極958的例子，功函數大的用作陽極的鈷（Pt)或 金（Au )的金屬膜，被用作具有反射性能的金屬膜97 1。 而且，由於這些金屬昂貴，故可以構成層叠在鋁膜、鎢膜 、或矽膜的適當導電膜上的像素電極，至少其暴露的最上 層表面具有鉑或金。確切地說，當採用矽膜時，最好可以 -26- (22) (22)^27〇9i9 與薄膜電晶體主動層同時形成矽膜。參考號972表示EL 層，且相似於圖2 Α的情況，可以採用能夠發光的所有的 結構和材料。而且，參考號9 7 3表示具有薄膜厚度（最好 爲1 0-5 Onm )的金屬膜，且包括周期表I族或π族元素的 金屬膜被用作陰極。而且，提供導電氧化物膜（典型爲 ITO膜）974來層叠金屬膜973，並在其上提供第四鈍化 膜 9 7 5 〇 在圖2B所示結構的情況下，從EL元件發射的光被 鲁 像素電極9 7 1反射，並透過金屬膜9 7 3和導電氧化物膜 9 7 4而從基底發射。 雖然圖2A表示出從EL元件發射的光，透過像素電 極9 5 8而從基底9 01發射的情況（下發射類型），且圖 2B表示出從EL元件發射的光被像素電極971反射，並透 過金屬膜973和導電氧化物膜9 74而發射的情況（上發射 類型），但也有EL元件發射的光從上側和下側二者發射 的結構。在此情況下，具有透光性能的導電氧化物膜（典 ® 型爲ITO膜）可以代替圖2B的具有反射性能的金屬膜 9 7 1來形成像素電極。圖1 9表示出具體結構的例子。在 圖19中，參考號981表示由ITO膜等的導電氧化物膜形 成的像素電極，參考號9 8 2表示EL層，而參考號 9 8 3表 示具有薄膜厚度（最好是10-5 Onm)的金屬膜。作爲金屬 膜9 8 3，包括周期表I族或II族元素的金屬膜被用作陰極 。而且，導電氧化物膜（典型爲ITO膜）被提供來層叠金 屬膜9 8 3，並在其上提供第四鈍化膜9 8 5。 -27- (23) (23)1270919 而且，參照圖2 1 A和2 ] B來解釋解決第二問題的方 法（以下稱爲本發明的第二情況）如下。本發明的第二情 況疋~種發光裝置（具體地說是EL顯示裝置），用實施 本發明第一情況的較佳製造製程來製造，且是本發明的一 種情況，其特徵在於，借助於整體減少層叠層的數目而簡 化了製造製程，並降低了製造成本。 根據圖2A和2B所示的結構，由於在形成薄膜電晶 體之前先行提供了像素電極，故不必提供平滑膜（在圖 2 A和2 B中是光敏有機樹脂膜96 1 )，此平滑膜在習知情 況下當像素電極被提供在薄膜電晶體上側層中時是必需的 。圖2 1 A和2 1 B表示出不提供光敏有機樹脂膜9 6 1時的 結構。圖2 1 A表示出不提供圖2 A的光敏有機樹脂膜9 6 ! 的情況，且圖2 1 A表示出不提供圖2B的光敏有機樹脂膜 9 6 1的情況。在圖2 1 A中，參考號9 9 1表示是爲第三鈍化 膜的絕緣氮化物膜，參考號992表示陰極，參考號993表 示是爲第四鈍化膜的絕緣氮化物膜。圖2 1 A與圖2 A不同 之處僅僅在於不提供光敏有機樹脂膜。在圖2 1 B中，參考 號9 94表示是爲第三鈍化膜的絕緣氮化物膜，參考號995 表示具有薄膜厚度（最好是10-5 Onm )的金屬膜，參考號 9 96表示導電氧化物膜（典型爲ITO膜），而參考號997 表示是爲第四鈍化膜的絕緣氮化物膜。圖2 1 B與圖2B不 同之處僅僅在於不提供光敏有機樹脂膜。當如上述情況那 樣不提供光敏有機樹脂膜96 1時，能夠減少一個掩模（用 來形成光敏有機樹脂膜96 1的掩模）。達到了能夠減少步 -28- (24) 1270919 驟數目並能夠解決本發明第二問題的優點。當然， 了圖2A和2B所示結構中的上述效果，亦即借此 像素電極被抛光平滑時沒有影響薄膜電晶體的損傷 效果以及借此能夠在更平坦的狀態下進行抛光的效 【實施方式】 (實施例1 ) 根據本實施例，將解釋使圖3 A和3 B中形成 口部分1 1 〇的位置不同於參照圖1 0A和1 0B的例 且，圖10A和10B表示出形成第二開口部分時的 構。而且，圖3 A和3 B所用的參考號被認爲是必需 在圖10A中，參考號801表示直徑爲0 1的第 部分，而參考號S 02表示直徑爲0 2的第二開口部 10A的特徵在於，第一開口 801被提供成從源極 端部突出。由於借助於用第一鈍化膜1 〇 8構成腐蝕 而停止進行腐蝕，故光敏有機樹脂膜1 〇 9能夠被形 實施例所示的位置處。而且，此結構能夠被相似地 不僅與源極區或汲極區接觸的部分，而且被構成在 1 〇 7接觸的部分。 而且，在圖10B中，參考號803表示直徑爲0 一開口部分，而參考號8 04表示直徑爲$ 2的第二 分。圖10B的特徵在於，第一開口 803被提供成 區1 0 3側端部突出。在此情況下，也由於用第一‘ 1 〇 8構成腐蝕停止層而停止光敏有機樹脂膜〗〇 9腐 還達到 可以在 問題的 果0 第一開 子。而 剖面結 一開口 分。圖 區 103 停止層 成在本 構成在 與閘極 3的第 開口部 從源極 鈍化膜 倉虫的進 -29- (25) (25)1270919 行。而且，接觸結構能夠被相似地構成在不僅與源極區或 汲極區接觸的部分，而且被構成在與閘極]0 7接觸的部分 〇 如上所述，由於存在著用作層間絕緣膜的光敏有機樹 脂膜下方的能夠構成腐蝕停止層的無機絕緣膜’故即使第 一開口部分的直徑被增大，也沒有問題，考慮到能夠擴大 形成接觸孔過程中的設計裕度，這是非常有用的。 (實施例2 ) ‘ 根據本實施例，表示出採用底閘型薄膜電晶體（具體 地說是反排列型TFT )作爲實施本發明第一情況或本發明 第二情況時的薄膜電晶體的例子，亦即採用反排列型TFT 作爲實施圖1 A和1 B所示發光裝置時的開關TFT和驅動 T F T的例子。 下面參照圖1 1來解釋此實施例。在圖1 1 A中，參考 號3〇1表示基底，參考號3〇2表示閘極，參考號3 03表示 閘絕緣膜，參考號3 04表示源極區，參考號3 0 5表示汲極 區，參考號3 0 6a和3 06b表示LDD區，參考號3 07表示 通道形成區，且這些都由提供來覆蓋閘極3 02的閘絕緣膜 上的半導體膜構成。而且，參考號3 0 8和3 09表示無機絕 緣膜’且根據本實施例，參考號3 0 8表示氧化矽膜，而參 考號3 09表示氮化矽膜。氮化矽膜3 〇9用作第一鈍化膜， 而氧化矽膜3 0 8用作構成下層的半導體層與包含氮化矽的 第一鈍化膜3 0 9之間的緩衝層。至此，表示出衆所周知的 -30- (26) (26)1270919 薄膜電晶體的結構，且所有衆所周知的材料能夠被用於其 各個部分的材料。 接著，在第一鈍化膜3 09上’提供光敏有機樹脂膜， 具體地說是正性光敏丙烯酸膜作爲層間絕緣膜3 1 0，且此 光敏有機樹脂膜3 1 0配備有第一開口部分（由直徑4 1表 示）3 1 1。而且，提供包含無機絕緣膜的第二鈍化膜3 1 2 來覆蓋光敏有機樹脂膜3 1 0的上表面和第一開口部分3 1 1 的內壁表面，且第二鈍化膜3 1 2在第一開口部分3 1 1的底 部表面處配備有第二開口部分（由直徑4 2表示）3 1 3。 而且，參考號3 1 4表示源極，而參考號3 1 5表示汲極。 同樣在本實施例中，與圖3 A和3 B的薄膜電晶體相 似，氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化鋁膜、氧 氮化鋁膜、或氮氧化鋁膜，能夠被用作第一鈍化膜3 09和 第二鈍化膜3 1 2。而且，能夠構成包括至少部分這些膜的 叠層膜。而且，直徑可以是2-10微米（最好是3-5微 米）’直徑4 2可以是】_ 5微米（最好是2 - 3微米），並 可以滿足關係φ 1 > 0 2。而且，雖然由於在本發明的槪述 中給出了其詳細解釋而在此處略去了第一開口部分3 n剖 面形狀的解釋’但內壁表面最好構成平滑的彎曲表面並具 有連續變化的曲率半徑。具體地說，當注意相繼3點的曲 率半徑Rl、R2、R3時，曲率半徑之間的關係最好成爲 R1<R2<R3 ’且其數値最好是MO微米（典型爲1〇·〗5微 米）。而且’在第一開口部分3 1 1的底部處，光敏有機樹 脂膜3 1 〇和第一鈍化膜3 〇9形成的角度（接觸角$ )最好 -31 - (27) (27)1270919 在30度< θ <65度（典型爲40度< 0 <50度）的範圍內。 如上所述，在實施本發明第一情況或本發明第二情況 時’不必將薄膜電晶體的結構限制爲僅僅頂閘型或僅僅底 閘型’本發明可以應用於薄膜電晶體的所有結構。而且， 本發明不局限於薄膜電晶體，而是可應用於借助於在砂晶 片上形成阱而製造的M0 S結構的電晶體。 (實施例3 ) 根據本實施例，將解釋一個例子，其中本發明的第一 情況或本發明的第二情況被應用於液晶顯示裝置。在圖 12A、12B、12C、12D中，圖12A是液晶顯示裝置像素的 俯視圖（但直至:形成像素電極時），圖1 2B是其電路圖， 而圖12C和UD是沿圖UA中A-A，線和B-B，線的剖面圖 〇 如圖1 2 A和1 2B所示，液晶顯示裝置的顯示部分包 括多個矩陣排列的被閘線8 5 1和資料線8 5 2環繞的像素， 且各個像素配備有用作開關元件的TFT (以下稱爲開關 T F T )、電容器部分S 5 4、以及液晶元件8 5 5。而且，雖 然在圖2 A中未示出液晶元件8 5 5，但可以借助於在像素 電極8 5 7上提供液晶層而形成液晶元件8 5 5。雖然在圖 1 2B所示的電路圖中，電容器部分8 5 4和液晶元件8 5 5二 者被連接到恒定電位線8 5 6，但二者不一定要保持在相同 的電位，而是其中之一可以被保持在公共電位，而另一可 以被保持在地電位。而且，雖然根據本實施例，具有多聞 -32- (28) 1270919 結構的η通道TFT被用作開關TFT 853，但也可以採用p 通道TFT。而且，開關TFT的佈局可以由實施本發明的 人員適當地設定。 開關TFT 853和電容器部分854被示於圖12C的剖 面圖中。參考號8 00表示基底，且可以採用玻璃基底、陶 瓷基底、石英基底、矽基底、或塑膠基底（包括塑膠膜） 。而且，參考號801表示氧氮化矽膜，而參考號802表示 氮氧化矽膜，它們被層叠用作基礎膜。當然，這些膜不必 局限於這些材料。 借助於對氧化物導電膜進行圖形化而形成的像素電極 857，先行被形成在氮氧化矽膜802上。亦即，借助於在 製作薄膜電晶體之前提供像素電極8 5 7，能夠減少整個電 路層叠層的數目。而且，雖然對可見光透明的氧化物導電 膜（典型爲ITO膜）被用作像素電極857，但此膜不局限 於此，而是可以採用其他的氧化物導電膜。而且，在像素 電極857上提供氮氧化矽膜803。最好與本發明第二情況 相似地採用材料與稍後形成的閘絕緣膜相同的或對主動層 具有高選擇比的絕緣膜。 而且，開關TFT 85 3的主動層被提供在氮氧化矽膜 803上，且主動層包括源極區804、汲極區805、LDD區 806 a-806d、以及通道形成區8 07 a和807b，且二個通道形 成區和4個形成的LDD區被提供在源極區804與汲極區 8 0 5之間。 而且，開關TFT 8 53的主動層被閘絕緣膜808覆蓋， (29) (29)1270919 並在其上提供閘極8 0 9 a和8 0 9b以及閘極8 ] 0 a和8 1 Ob。 而且，氮化鉅膜被用作閘極S09a和8 1 0a，而鎢膜被用作 閘極8 0 9 b和8 1 0 b。這些金屬膜彼此具有高的選擇比，因 此，借助於選擇腐蝕條件，能夠構成圖1 2B所示的結構。 關於腐蝕條件，可以參考本申請人的JP-A-200 1 -3 1 3 3 97。 而且，提供氮化矽膜或氧氮化矽膜作爲第一鈍化膜 8 1 1來覆蓋閘極，並在其上提供光敏有機樹脂膜8 1 2 (根 據本實施例，採用正性光敏丙烯酸膜）。而且，光敏有機 樹脂膜8 1 2配備有第二鈍化膜8 1 3來覆蓋第一開口部分（ 見圖3 B )，並在第一開口部分的底部表面處提供第二開 口部分（見圖3 B )。根據本實施例，氮化矽膜或氧氮化 矽膜被用作第二鈍化膜8 1 3。當然，也可以採用氮化鋁膜 或氧氮化鋁膜的其他絕緣氮化物膜。 而且，資料線8 5 2經由第一開口部分被連接到源極區 8 04，而汲極線 8 1 5經由第二開口部分被連接到汲極區 8 0 5。汲極線8 1 5被用作電極，在電容器部分構成儲存電 容器，並被電連接到像素電極8 5 7。而且，雖然根據本實 施例，對可見光透明的氧化物導電膜（典型爲ITO膜）被 用作像素電極 8 5 7，本發明不局限於此。而且，資料線 8 5 2和汲極線8 1 5可以採用其他金屬膜或這些金屬的合金 膜插入其主要成分是低阻銘或銅金屬引線的結構。 汲極線8 1 5經由第一鈍化膜8 1 1和第二鈍化膜8 1 3和 與閘極同時形成的電容器佈線8 1 6 (亦即形成在與閘極相 同的表面上）相對並構成儲存電容器854a。而且，電容 -34- (30) 1270919 器佈線816經由閘絕緣膜808與半導體膜817相對， 成儲存電容器854b。半導體膜817被電連接到汲極區 ，因此，借助於以這種方式將恒定電壓施加到電容器 8 16而用作電極，電容器部分854由與儲存電容器 和8 54b並聯連接的結構構成，因此，用非常小的面 供了大的電容。而且，確切地說，由於具有大的介電 的氮化矽膜被用作介質，故儲存電容器854a能夠確 電容。 圖13A和13B表示出直至具有上述像素結構的 顯示裝置的液晶元件的實際製作的例子。圖1 3 A對 圖12C所示的區段，表示出在像素電極857上製作液 件8 5 5的狀態。包含有機樹脂的間隔821被提供在汲 8 15上，並在其上提供定向膜822。形成間隔821和 膜8 22的順序可以倒轉。而且，在另一個基底（反基 823上提供包含金屬膜的光阻擋膜824、包含導電氧 膜的反電極825、以及定向膜826，並用密封元件（ 出）將定向膜822和定向膜826彼此面對粘貼到一起 且，從提供在密封元件中的液晶注入口將液晶827注 並密封液晶注入口，從而完成液晶顯示裝置。而且， 構件的普通構件集成步驟可以被應用於形成間隔8 2 1 的各個步驟，因此，其詳細描述從略。 而且，雖然作爲定向膜822的摩擦處理，可以進 通的摩擦處理或採用不摩擦的製程，當類金剛石碳（ )膜被用作圖12C中的第三基礎膜803時，在像素 並構 805 佈線 854a 積提 常數 保大 液晶 應於 晶元 極線 定向 底） 化物 未示 。而 入， 液晶 之後 行普 DLC 電極 (31) (31)1270919 857上形成第二開口部分的過程中，僅僅DLC膜能夠選擇 性地保留，因此，能夠採用借助於對DLC膜進行鐳射輻 照而獲得定向性質的技術。 當構成圖13 A所示的結構時，光被入射在反基底823 一側上，被液晶827調製，並從基底801側發射。此時， 透射光透過用於層間絕緣膜的光敏有機樹脂膜8 1 2，因此 ，必需借助於充分地執行褪色處理來使光敏有機樹脂膜 8 1 2足夠透明。 而且，當構成圖1 3 A所示的結構時，此結搆對於其 中間隔8 2 1的高度無須增加到超過所需的高度是有用的。 亦即，雖然當採用正常的TN液晶時，構件間隙約爲4微 米，而在此情況下，間隔的高度也必需約爲4微米，當構 成本實施例的結構時，利用借助於將間隔高度加入從薄膜 電晶體推得的商度（約爲1 . 5 - 2微米）所構成的高度，來 構成構件間隙。因此，間隔8 2 1的高度本身約爲2.0 - 2.5 微米足夠，這是用塗敷方法能夠形成足夠均勻的膜厚度的 範圍。而且，如從圖12 A和I 2B以及1 3 A顯見，即使當 透過顯示區（被像素電極8 5 7佔據的區域）的光被散射到 薄膜電晶體側時，汲極線8 1 5也被提供來覆蓋光敏有機樹 脂膜8 1 2的壁表面，因此，獲得了用作光阻擋膜以散射來 自水平方向的光的優點。而且，光透過像素顯示部分以藉 由絕緣膜發射的距離被縮短，因此能夠限制介面散射引起 的光損失。 接著，圖1 3 B表示出利用包含具有反射性質的金屬膜 -36- (32) (32)1270919 的汲極線8 3 1代替像素電極8 S 7的例子，且鋁膜（包括鋁 合金膜）或其表面上至少具有銀薄膜的導電膜，能夠被用 作具有反射性質的金屬膜。與圖1 3 A相同的其他部分的 解釋從略。當構成圖1 3 B所示結構時，光被入射在反基底 8 2 3 —側上，被液晶8 2 7調製，並再次從反基底8 2 3 —側 發射。在此情況下，也獲得了與圖1 3 A情況相似的效果 〇 而且，如圖2 2所示，借助於形成厚的光敏有機樹脂 膜，能夠構成也用作間隔的結構。在圖2 2中，參考號 8 4 1表示形成來也作爲間隔的光敏有機樹脂膜。在圖2 2 所示結構的情況下，不必提供圖1 3 A和1 3 B所示的間隔 8 2 1 ’因此’能夠減少一個掩模（用來形.成間隔的掩模） ’而且’能夠省略形成間隔的步驟。而且，由於圖2 2表 示出借助於形成圖1 3 A中的厚的光敏有機樹脂膜也用作 間隔的結構，而不是用相似的結構構成光敏有機樹脂膜和 間隔，因此，用相同的參考號表示與圖1 3 A相同的各個 部分。 (實施例4 ) 在本實施例中，用圖〗4A-14D來描述圖1A-1D所示 整個發光裝置的結構。圖1 4 A是借助於用密封材料密封 其中製作薄膜電晶體的元件基底而産生的發光裝置的平面 圖。圖14B是沿圖中B-B，線的剖面圖。圖14C是沿 圖1 4 A中A - A，線的剖面圖。 -37- (33) (33)1270919 像素部分（顯示部分）402、提供來環繞像素部分 4〇2的資料線驅動電路4〇3、閘線驅動電路4(Ha和4〇4b 、以及保護電路4 〇 5，位於基底4 〇 1上，並提供密封材料 4 0 ό來環繞它們。像素部分4 〇2的結構最好參見圖i a-D 及其描述。玻璃材料、金屬材料（典型爲不鏽材料）、陶 瓷材料、或塑膠材料（包括塑膠膜），可以被用作密封材 料4〇6。如圖1A-D所示，也可以僅僅用絕緣膜來進行密 封。此外，根據光從EL元件的發射方向，必需採用透明 材料。 可以提供密封材料4 0 6來局部重叠資料線驅動電路 4 0 3、閘線驅動電路4 〇 4 a和4 0 4 b、以及保護電路4 0 5。用 密封材料4〇6來提供密封材料407，致使由基底401、密 封材料4〇6、以及密封材料4〇7産生封閉的空間408。吸 濕劑（氧化鋇、氧化惩等）4〇9被預先提供在密封材料 4 0 7的凹陷部分’致使具有吸收潮氣和氧等以保持上述封 閉空間40S內部氣體環境淸潔的功能，從而抑制el層的 退化。凹陷部分被具有精細網格形狀的覆蓋材料4〗〇覆蓋 。覆蓋材料4 1 0使空氣和潮氣能夠藉由，但吸濕劑4 〇 9不 能夠藉由。注意，最好用諸如氮氣或氬氣的惰性氣體充滿 封閉空間4〇8，也可以用樹脂或惰性流體來充滿。 而且，在基底4〇1上提供輸入端子部分4 U，用來將 信號傳輸到資料線驅動電路4〇3和閘線驅動電路4〇4a和 4 (Mb。諸如視頻信號之類的資料信號，藉由FPC u堯性印 刷電路）4 1 2被傳送到輸入端子部分4 1丨。如圖〗4 B所示 -38 - (34) (34)1270919 ，相對於輸入端子部分4 1 1的剖面，其結構爲氧化物導電 膜4 ] 4被層叠在與閘線或資料線一起形成的佈線4 1 3上的 輸入佈線，藉由導體4 1 6被分佈其中的樹脂4 ] 7，與提供 在FP C 4 1 2側的佈線4 1 5電連接。注意，對其用金或銀進 行鍍敷的球形聚合物，最好被用於導體4 1 6。 同樣，圖1 4 C中被虛線環繞的區域4 1 8的放大圖被示 於圖14D。最好借助於組合薄膜電晶體419和電容器420 來組成保護電路4 〇 5，爲此可以採用任何已知的結構。本 發明的特點是能夠形成電容器而不增加光·刻步驟數目，同 時改善接觸孔。在本實施例中，利用此特點來形成電容器 4 2 〇。注意，若參照圖1 A - D及其描述，就能夠理解薄膜 電晶體4 1 9和電容器420的結構，因此不再贅述。 在本實施例中，保護電路40 5被提供在輸入端子4 } i 與貪料線驅動電路4 〇 3之間。當諸如不希望有的脈衝信號 之類的靜電信號被輸入到其間時，保護電路將脈衝信號釋 放到外部。此時，暫態被輸入的高電壓信號能夠首先被電 容器4 2 0減弱，而其他的高電壓能夠藉由薄膜電晶體和薄 膜二極體組成的電路被釋放到外部。當然，保護電路可以 被提供在其他位置’例如像素部分4〇2與資料線驅動電路 4〇3之間的位置，或像素部分4〇2與閘線驅動電路4〇4a 和4 0 4 b之間的位置。 如上所述，根據本實施例，當執行本發明時，指出了 一個例子，其中提供在輸入端子部分中的用於靜電措施等 保護電路的電谷器被同時形成。借助於與實施例1和2的 -39- (35) (35)1270919 任何結構進行組合，能夠執行本實施例。 (實施例5 ) 本實施例表示出發光裝置具有不同於實施例4的構造 的例子。圖1 5被用於解釋。圖1 5是對應於圖1 4 C的剖面 圖，像素部分 402、資料線驅動電路403、以及保護電路 4 0 5，被提供在基底401上，而輸入端子部分41 1被提供 在這些電路的延長線上。與圖1 A、1 B、1 C、1 D所示的發 光裝置相似，像素部分402、資料線驅動電路4 03、以及 保護電路4 0 5用保護膜42 1密封EL元件，並構造得非常 薄。 而且，根據本實施例，利用 TCP (帶載體封裝件） 422來確保到外部驅動電路的電連接。用TAB (帶自動鍵 合）處配備有1C晶片422a-422d的結構來構成TCP 422 並沿1C晶片422a-422d的排列方向將TCP 422粘附在基 底4 0 1上。因此，能夠使發光裝置的厚度非常薄，且利用 顯示部分的發光裝置，能夠提供便攜性優異的電子設備。 而且，當撓性基底（典型爲塑膠膜）被用作基底時，提供 了撓性發光裝置，因此，能夠實現可粘貼在彎曲表面上的 撓性電器。 而且，本實施例所示的結構能夠與圖1 A、1 B、1 C、 1 D、2 A、2B以及實施例卜4中任何一個所示的結構自由 組合。 -40- (36) 1270919 (實施例6 ) 根據本實施例，參照圖18A、18B、18C、18D來解釋 用不同於圖4A、4B、4C、4D的製程製作薄膜電晶體和連 接到薄膜電晶體的儲存電容器的例子。首先解釋圖i 8 A。 基礎膜202被形成在基底201上，並在其上形成腐蝕成小 島形的半導體膜。而且，形成閘絕緣膜207，形成閘極 208和電容器電極209，並用閘極208作爲掩模，自對準 地形成源極區203和汲極區204。此時，同劃時割通道形 成區205和用作儲存電容器一個電極的半導體區206。當 形成源極區203和汲極區204時，用熱處理方法啓動源極 區203和汲極區204，形成第一鈍化膜210，然後用熱處 理方法進行氫化處理。至此的製造方法可以用衆所周知的 製程進行，且所有衆所周知的材料能夠被用作構成薄膜電 晶體的材料。 接著，在第一鈍化膜210上形成保護膜211。其膜厚 度可以選擇爲30-70nm(最好是45-55nm)。氧化矽膜或 氮氧化矽膜被用作保護膜2 1 1。而且，在保護膜2 1 1上形 成配備有第一開口部分2 1 2的光敏有機樹脂膜2 1 3 (此處 是正性光敏丙烯酸膜）。光敏有機樹脂膜2 1 3是光敏的， 因此能夠借助於將膜直接曝光，並能夠借助於對其進行顯 影而被腐鈾來進行圖形化。當然，在用腐蝕溶液進行腐蝕 之後，進行光敏有機樹脂膜2 1 3的褪色處理和固化處理。 而且，關於褪色處理和固化處理，可以參考圖4A、4B、 4C、4D、4E的解釋。 (37) T270919 接著解釋圖]8 B。當形成第一開口部分2 1 2時 敏有機樹脂膜213作爲掩模，暴露的保護膜211被 此時，第一鈍化膜2 1 0用作腐蝕停止層。接著，形 鈍化膜2 1 4來覆蓋光敏有機樹脂膜2 1 3的上表面和 口部分2 1 2的內壁表面。第二鈍化膜2 1 4可以用與 化膜210相同的材料構成。如圖4A ' 4B、4C、4D 解釋所述那樣，最好用高頻放電濺射方法來形成第 膜2 1 0。在此情況下，其條件可以參考圖4 A、4 B 4 D、4 E的解釋。而且，當形成第二鈍化膜.2 1 4時 光抗鈾劑2 1 5。光抗蝕劑2 ] 5是一種掩模，用來在 化膜2. 1 4中形成第二開口部分。 接著解釋圖1 8C。當形成光抗蝕劑·2 1 5時，借 行腐蝕處理，第二鈍化膜2 1 4、第一鈍化膜2 1 0 ' 絕緣膜2 〇 7被相繼腐鈾，從而形成第二開口部分2 時，雖然可以用乾法腐蝕處理或濕法腐蝕處理來進 處理，但爲了改善第二開口部分2 1 6的形狀，最好 腐鈾處理。根據本發明，在形成第二開口部分2 1 6 中，即使當進行乾法腐蝕處理時，光敏有機樹脂膜 不被直接暴露於電漿。 接著解釋圖1 8 D。當形成第二開口部分2 1 6時 上形成金屬膜，並用腐鈾方法進行圖形化，從而形 2 1 7和汲極2 1 8。爲了形成這些電極，可以採用駄 化鈦膜、鎢膜（包括其合金）、鋁膜（包括其合金 這些膜的叠層膜。而且，汲極2 1 8被延長以重叠電 ，用光 腐蝕。 成第二 第一開 胃——I屯 、4Ε的 二鈍化 、4C、 ，形成 第二鈍 助於進 以及閘 1 6 〇此 行腐蝕 用乾法 的過程 2 1 3也 ，在其 成源極 膜、氮 )、或 容器電 -42- (38) (38)1270919 極209。當構成這種結構時，第一儲存電容器219a由半 導體區2 06、閘絕緣膜20 7、以及電容器電極2〇9構成， 而第二儲存電容器2 1 9 b由電容器電極2 0 9、第一鈍化膜 2 1 〇 '第二鈍化膜2 1 4、以及汲極 2 1 8構成。因此，由於 第一儲存電容器2 1 9a和第二儲存電容器2 1 9b可以平行提 供，故能夠以小的面積確保大的電容。由於第二儲存電容 器2 1 9b的介質由叠層結構的二個層構成，故産生針孔的 可能性小，從而能夠構成高度可靠的儲存電容器。 如上所述，能夠提供具有圖1 8 D所示結構的薄膜電| 晶體和連接到此薄膜電晶體的儲存電容器。而且，雖然根 據本實施例已經給出了本發明應用於簡單結構的薄膜電晶 體的解釋，但本實施例也可以應用於所有衆所周知結構的 薄膜電晶體，並能夠與實施例1 - 5中任何一個的結構自由 地組合。 (實施例7 ) 將本發明的顯示裝置用於顯示部分的電子設備的例子 是：視頻照相機；數位相機；風鏡式顯示器（頭戴式顯示 器）；導航系統；放聲裝置（汽車音響，音響部件等）； 膝上電腦；遊戲機；可攜式資訊端點（行動電腦，蜂巢電 話’可攜式遊戲機，電子記事本等）；以及包括記錄媒體 的放像裝置（具體地說是能夠處理諸如數位萬能碟盤（ DVD )之類的記錄媒體中的資料並具有能夠顯示此資料的 影像的顯示裝置的裝置）。這些電子設備的具體例子被示 -43- (39) (39)1270919 於圖 1 6 A - 1 6 Η中。 圖16 Α表示出一種電視機，它包含機箱2001、支援 底座2002、顯示構件2003、揚聲器構件2004、視頻輸入 端子2 0 0 5等。本發明被應用於顯示構件2 〇 〇 3。術語電視 機包括了用來顯示資訊的各種電視機，例如個人電腦、電 視接收機、以及廣告的顯示裝置。 圖1 6 B表示出一種數位相機，它包含主體2 1 0 1、顯 示構件2 1 0 2、影像接收構件2 1 0 3、操作鍵2 1 0 4 '外部連 鲁 接埠2 1 0 5、快門2 1 0 6等。本發明被應用於顯示構件2 1 02 〇 圖]6C表示出一種膝上電腦，它包含主體2201、機 箱2 2 0 2、顯示構件2 2 0 3、鍵盤2 2 0 4、外部連接埠2 2 0 5、 滑鼠22 06等。本發明被應用於顯示構件22 03。 圖1 6D表示出一種行動電腦，它包含主體2 3 0 1、顯 示構件2 3 0 2、開關2 3 0 3、操作鍵2 3 0 4、紅外埠2 3 0 5等 。本發明被應用於顯示構件2 3 0 2。 Φ 圖1 6E表示出一種配備有記錄媒體（具體地說是 D VD碟機）的可攜式影像再生裝置。此裝置包含主體 240 1、機箱2 4 02、顯示構件A 2403、顯示構件B 2404、 記錄媒體（例如DVD )讀出構件24〇5、操作鍵24〇6、揚 聲器構件24〇7等。顯示構件A 24 03主要顯示影像資訊， 而顯示構件B 24 〇4主要顯示文本資訊。本發明被應用於 顯示構件A 24 03和B 2404。術語配備有記錄媒體的放像 裝置包括家用遊戲機。 -44- (40) (40)1270919 圖16F表示出一種護目鏡型顯示器（頭戴式顯示器） ，它包含主體250]、顯示構件25〇2、以及鏡臂構件2503 。本發明被應用於顯示構件2 5 0 2。 圖1 6 G表示出一種視頻照相機，它包含主體2 6 0 ]、 顯示構件2602、機箱2603、外部連接埠2604、遙控接收 構件2 6 0 5、影像接收構件2 6 0 6、電池2 6 0 7、聲音輸入構 件2 6 0 8、操作鍵2 6 0 9、目鏡部分2 6 1 0等。本發明被應用 於顯示構件2602。 圖ΙόΗ表示出一種蜂巢電話，它包含主體270 1、機 箱2 7 0 2、顯示構件2 7 0 3、聲音輸入構件2 7 0 4、聲音輸出 構件2705、操作鍵2706、外部連接埠2707、天線270 8 等。本發明被應用於顯示構件2 7 0 3。若顯示構件2 70 3在 黑色背景上顯示白色字元，則能夠降低蜂巢電話的功耗。 如上所述，利用本發明得到的顯示裝置可以被用作各 種電子設備的顯示構件。由於在本發明中能夠提高顯示裝 置的性能穩定性，並擴大電路設計中的設計裕度，故能夠 提供低成本的顯示裝置，從而能夠降低電子設備零件的成 本。而且，本實施例的電子設備可以採用實施例U所示 的任何一種顯示裝置結構。 根據本發明的第一情況，利用在電路設計中具有高設 計裕度的製程，能夠製造顯示裝置而不分散薄膜電晶體的 起始値電壓，並能夠達到提高顯示裝置運行功能穩定性的 效果。而且，能夠用小的面積形成大的電容而不特別增加 同時製造薄膜電晶體的光刻步驟，能夠達到提高顯示裝置 -45 - (41) (41)1270919 的顯示質量的效果。而且，根據本發明的第二情況，提供 了在降低製程步驟數目方面較佳的製造製程，並能夠達到 降低顯示裝置確切地說是發光裝置的製造成本的双果 【圖式簡單說明】 圖1 A、1 B、1 C、1 D表示出發光裝置的像素構正1 ’ 圖2 A和表示出發光裝置的剖面結構； 圖3 A和3 B表示出薄膜電晶體的結構； 圖4A、4B、4C、4D、4E表示出薄膜電晶體的製造步 驟； 圖5 A和5 B是S E Μ照片和示意圖，表示出有機樹脂 膜的剖面結構；. 圖6 Α和6 Β表示出起始値電壓的分散， 圖7 A和7B是SEM照片和示意圖，表示出有機樹脂 膜的剖面結構； 圖8 A和8 B是S E Μ照片和示意圖，表示出有機樹脂 膜的剖面結構； 圖9 Α和9Β是SEM照片和示意圖，表示出有機樹脂 膜的剖面結構； 圖1 Ο A和1 0 B表示出薄膜電晶體的結構， 圖1 1表示出薄膜電晶體的結構； 圖1 2 A、1 2B、1 2C、1 2D表示出液晶顯示裝置的像素 結構； 圖1 3 A和1 3 B表示出液晶顯示裝置的剖面結構； -46- (42) 1270919 圖14A、14B、14C、14D表示出發光裝置的外形構造 圖1 5表示出發光裝置的外形構造； 圖 16A、16B、16C、16D、16E、16F、16G、16H 表 示出電子設備的具體例子； 圖17 A和17B表示出用來形成氮化矽膜介質的MOS 結構的C - V特性； 圖18A、18B、18C、18D表示出薄膜電晶體和儲存電 _ 容器的製造步驟； 圖1 9表示出發光裝置的剖面結構； 圖20表示出氮化矽膜的SIMS測量資料； 圖2 1 A和2 1 B表示出發光裝置的剖面結構;而 圖22表示出液晶顯示裝置的剖面結構。 元件對照表 101 :基底 # 102 :基礎膜 1 0 3 :源極區 1 0 4 :汲極區 105 :通道形成區 106 :閘絕緣膜 1 0 7 :閘電極 108 :第一鈍化膜 1 0 9 :層間絕緣膜 -47- (43) (43)1270919 1 1 〇 :第一開口部分 1 1 1 :第二鈍化膜 1 1 2 :第二開口部分 1 1 3 :源極 1 1 4 :汲極 201 :光抗蝕劑 900 :基底 901 :第一基礎膜 902 :第二基礎膜 9 5 1 :閘線 9 5 2 :資料線 9 5 3 :電源線
954 ：開關 TFT
955 ：驅動 TFT 9 5 6 :電容器部分 957 : EL元件 9 5 8 :像素電極 903 :第三基礎膜 9 0 4 :源極區 9 0 5 ·汲極區 906a-906d ： LDD 區 907a，907b:通道形成區 908 :閘絕緣膜 909a， 909b， 910a， 910b ：閘電極 -48- (44) (44)1270919 9 1 1 :第一鈍化膜 912:光敏有機樹脂膜 9 1 3 :第二鈍化膜 915 :連接引線 9 1 7 : _ 線 9 1 8，9 ] 9 :半導體膜 956a，956b:儲存電容器 9 2 0 :汲極區 9 2 1 :汲極線 9 2 2 :第一開口部分 9 2 3 :第二開口部分 9 6 1 :光敏有機樹脂膜 9 6 2 ··第三鈍化膜 963 ： EL 層 9 6 4 :陰極 9 6 5 :第四鈍化膜 9 7 1 :金屬膜 972 ： EL 層 9 7 3 :金屬膜 9 7 4 :導電氧化物膜 9 8 1 :像素電極 982 ： EL 層 9 8 3 :金屬膜 9 84 :導電氧化物膜 -49- (45)1270919 9 8 5 :第四鈍 9 9 1 :第三鈍 9 9 2 :陰極 9 9 3 :第四鈍 9 9 4 :第三鈍 9 9 5 :金屬膜 9 9 6 :導電氧 9 9 7 :第四鈍 3 0 1 :基底 3 0 2 :闊極 3 〇 3 :閘絕緣 3 04 :源極區 3 〇 5 .汲極區 306a， 306b: 3 〇 7 :通道形 3 0 8 :氧化砂 3 0 9 :氮化矽 3 1 〇 :光敏有 3 1 1 :第一開 3 1 2 :第二鈍 3 1 3 :第二開 3 1 4 :源電極 3 1 5 :漏電極 化膜 化膜 化膜 化膜 化物膜 化膜 膜 LDD層 成區 膜 膜 機樹脂膜 口部分 化膜 口部分 8 5 1 :閘線 - 50- (46) (46)1270919 8 5 2 :資料線
853:開關 TFT 8 5 4 :電容器部分 8 5 5 :液晶元件 8 5 6 :恒定電位線 8 5 7 :像素電極 8 5 4 a，8 5 4b :儲存電容器 8 0 0 :基底 8 〇 1 :氧氮化矽膜 8 0 2，8 0 3 :氮氧化矽膜 8 0 4 :源極區 8 0 5 :汲極區 806a，806b: LDD 區 807a，8 0 7b ：通道形成區 8 0 8 :閘絕緣膜 809a，809b，8 10a，8 1 Obb ：閘電極 8 1 1 :第一鈍化膜 8 1 2 :光敏有機樹脂膜 8 1 3 :第二鈍化膜 8 1 5 :汲極線 8 1 6 :電容器佈線 8 } 7 :半導體膜 8 2 1 :間隔 8 2 2 :定向膜 -51 - (47) 1270919 8 2 3 :反基底 8 2 4 :光阻擋膜 8 2 5 :反電極 8 2 6 :定向膜 8 2 7 :液晶 40 1 :基底 4 0 2 :像素部分 4 0 3 :資料線驅動電路 4 〇 4 a，4 0 4 b :閘線驅動電路 4 〇 5 :保護電路 4 0 6，4 0 7 :密封材料 4 0 8 :封閉的空間 4 0 9 :吸濕劑 4 1 0 :覆蓋材料 4 1 1 :輸入端子部分 4 1 2 : F P C (撓性印刷電路） 4 1 3 :佈線 4 1 4 :氧化物導電膜 4 1 5 :佈線 4 1 6 :導體 4 1 7 :樹脂 4 1 9 :薄膜電晶體 420 :電容器 42 1 保護膜 -52- (48) (48)1270919 422 : TCP (帶載體封裝件） 422a-422d ： 1C 晶片 202 :基礎膜 2 0 3 :源極區 2 0 4 :汲極區 205 :通道形成區 206 :半導體區 207 :閘絕緣膜 2 0 8 :閘電極 209:電容器電極 2 1 〇 :第一鈍化膜 2 1 1 :保護膜 2 1 2 :第一開口部分 2 1 3 :光敏有機樹脂膜 2 1 4 :第二鈍化膜 2 1 5 :光抗蝕劑 216:第二開口部分 2 1 7 :源電極 2 1 8 :漏電極 219a :第一儲存電容器 219b:第二儲存電容器 2001 :機箱 2002 :支援底座 2003 ··顯示構件 (49) (49)1270919 2 0 04 :揚聲器構件 2 0 0 5 :視頻輸入端子 2 ] 0 ]:主體 2102 :顯示構件 2 1 0 3 :影像接收構件 2 1 0 4 :操作鍵 2 1 0 5 :外部連接埠 2 10 6：快門 2201 :主體 22 02 ：機箱 2 2 0 3 :顯示構件 2204 ：鍵盤 2 2 0 5 :外部連接埠 2 2 0 6 :滑鼠 2 3 0 1 :主體 2 3 0 2:顯示構件 2 3 0 3 ：開關 2 3 04 ：操作鍵 2 3 0 5 :紅外埠 24 0 1 :主體 24 02 ：機箱
2 4 0 3 :顯示構件A
24 04 :顯示構件B 24 0 5 :記錄媒體讀出構件 (50) (50)1270919 24 0 6 ：操作鍵 2407:揚聲器構件 2 5 0 1 :主體 2 5 0 2 ：顯示構件 2 5 0 3 ：鏡臂構件 2601 :主體 2602 :顯示構件 2603 :機箱 2604 :外部連接埠 2605 :遙控接收構件 2606 :影像接收構件 2607 :電池 2608 :聲音輸入構件 2609 :操作鍵 2610 :目鏡部分 2701 :主體 2702 :機箱 2703 :顯示構件 2704 :聲音輸入構件 2705 :聲音輸出構件 2706 :操作鍵 2707 :外部連接埠 2708 :天線

Claims (1)

  1. (1) 1270919
    拾、申請專利範圍 第92 108554號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年4月14日修正 1· 一種包含製造顯示裝置的方法的製造顯示裝置的 方法，包含： 在基底上形成被基礎膜覆蓋的像素電極； 在基礎膜上形成半導體膜； 在半導體膜上形成閘絕緣膜； 在閘絕緣膜上形成閘極； 在半導體膜中形成雜質區； 在閘極上形成第一絕緣氮化物膜； 在第一絕緣氮化物膜上形成有機樹脂膜； 在雜質區上的有機樹脂膜中形成第一開口部分； 形成第二絕緣氮化物膜以便覆蓋第一開口部分； 借助於腐餓第一開口部分底部表面處的第二絕緣氮化 物膜、第一絕緣氮化物膜、以及閘絕緣膜，而形成第二開 口部分； 在第二絕緣氮化物膜上形成佈線，並藉由第一開口部 分和第二開口部分連接雜質區和佈線， 其中像素電極上的有機樹脂膜被腐蝕在形成第一開口 部分的過程中； 其中借助於腐蝕第二絕緣氮化物膜、第一絕緣氮化物 膜、閘絕緣膜、以及基礎膜，像素電極被暴露在形成第二 (2) 1270919 開口部分的過程中；及 其中然後連接像素電極和佈線。 2. —種包含製造顯示裝置的方法的製造顯示裝置的 方法，包含： 在基底上形成被基礎膜覆蓋的像素電極； 在基礎膜上形成半導體膜； 在半導體膜上形成閘絕緣膜； 在閘絕緣0吴上形成閘極； 在半導體膜處形成雜質區； 在閘極上形成第一絕緣氮化物膜； 在第一絕緣氮化物膜上形成丙烯酸膜； 在雜質區上的丙烯酸膜中形成第一開口部分； 形成第二絕緣氮化物膜以便覆蓋第一開口部分； 借助於腐蝕第一開口部分底部表面處的第二絕緣氮化 物膜、第一絕緣氮化物膜、以及閘絕緣膜，而形成第二開 口部分； 在第二絕緣氮化物膜上形成佈線，並藉由第一開口部 分和第二開口部分連接雜質區和佈線， 其中像素電極上的丙烯酸膜被腐蝕在形成第一開口部 分的過程中， 其中借助於腐蝕第二絕緣氮化物膜、第一絕緣氮化物 膜、閘絕緣膜、以及基礎膜，像素電極被暴露在形成第二 開口部分的過程中；及 其中然後連接像素電極和佈線。 -2- 1270919 (3) 3 ·如申請專利範圍第1或2項的製造顯示裝置的方 法，其中所述有機樹脂膜是光敏有機樹脂膜。 4 ·如申請專利範圍第1或2項的製造顯示裝置的方 法，其中所述第一絕緣氮化物膜和第二絕緣氮化物膜各包 含氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化鋁膜、氧氮 化鋁膜或氮氧化鋁膜。 5 ·如申請專利範圍第1或2項的製造顯示裝置的方 法，其中第一開口部分上端部處的曲率半徑範圍爲從3至 30微米。 6. 如申請專利範圍第1或2項的製造顯示裝置的方 法，其中第一開口部分上端部處的曲率半徑在從3至30 微米範圍內連續變化。 7. 如申請專利範圍第1或2項的製造顯示裝置的方 法，其中第一開口部分下端部處的接觸角0被設定爲3 0 度< 0 <65度。 8. —種包含顯示裝置的顯示裝置，包括像素部分， 此像素部分具有半導體元件和配備有連接到基底上半導體 元件的像素電極的多個像素： 其中，半導體元件包含主動層、與主動層接觸的閘絕 緣膜、藉由閘絕緣膜與主動層相對的閘極、提供在主動層 上側的第一絕緣氮化物膜、提供在第一絕緣氮化物膜上的 有機樹脂膜、提供在有機樹脂膜上的第二絕緣氮化物膜、 以及提供在第二絕緣氮化物膜上的佈線； 其中，提供在有機樹脂膜中的第一開口部分的內壁表 1270919 (4) 面，被第二絕緣氮化物膜覆蓋，還包含： 提供在包括閘絕緣膜、第一絕緣氮化物膜、以及第一 開口部分內側上的第二絕緣氮化物膜的叠層體中的第二開 口部分； 其中，主動層和佈線藉由第一開口部分和第二開口部 分被連接； 其中，像素電極藉由佈線被電連接到半導體元件；以 及 · 其中，基底與像素電極之間的距離係短於基底與主動 層之間的距離。 9 · 一種包含顯示裝置的顯示裝置，包括像素部分， 此像素部分具有半導體元件和配備有連接到基底上半導體 元件的像素電極的多個像素： 其中，半導體元件包含主動層、與主動層接觸的閘絕 緣膜、藉由閘絕緣膜與主動層相對的閘極、提供在主動層 上側的第一絕緣氮化物膜、提供在第一絕緣氮化物膜上的 · 有機樹脂膜、提供在有機樹脂膜上的第二絕緣氮化物膜、 以及提供在第二絕緣氮化物膜上的佈線； 其中，提供在有機樹脂膜中的第一開口部分的內壁表 面，被第二絕緣氮化物膜覆蓋，所述第一開口部分的底部 表面包括使第一絕緣膜和第二絕緣膜彼此接觸的區域，接 觸之長度在從0.3至3微米之範圍內，還包含： 提供在包括閘絕緣膜、第一絕緣氮化物膜、以及第一 開口部分內側上的第二絕緣氮化物膜的叠層體中的第二開 -4- (5) 1270919 口部分； 其中，主動層和佈線藉由第一開口部分和第二開口部 分被連接； 其中，像素電極藉由佈線被電連接到半導體元件；以 及 其中，基底與像素電極之間的距離係短於基底與主動 層之間的距離。 10· —種包含顯示裝置的顯示裝置，包括像素部分， 此像素部分具有半導體元件和配備有連接到基底上半導體 元件的像素電極的多個像素： 其中，半導體元件包含主動層、與主動層接觸的閘絕 緣膜、藉由閘絕緣膜與主動層相對的閘極、提供在主動層 上側的第一絕緣氮化物膜、提供在第一絕緣氮化物膜上的 丙烯酸膜、提供在丙烯酸膜上的第二絕緣氮化物膜、以及 提供在第二絕緣氮化物膜上的佈線； 其中，提供在丙烯酸膜中的第一開口部分的內壁表面 ，被第二絕緣氮化物膜覆蓋，還包含： 提供在包括閘絕緣膜、第一絕緣氮化物膜、以及第一 開口部分內側上的第二絕緣氮化物膜的叠層體中的第二開 口部分； 其中，主動層和佈線藉由第一開口部分和第二開口部 分被連接； 其中，像素電極藉由佈線被電連接到半導體元件；以 及 -5- 1270919 (6) 其中，基底與像素電極之間的距離係短於基底與主動 層之間的距離。 1 1 · 一種包含顯示裝置的顯示裝置，包括像素部分， 此像素部分具有半導體元件和配備有連接到基底上半導體 元件的像素電極的多個像素： 其中，半導體元件包含主動層、與主動層接觸的閘絕 緣膜、藉由閘絕緣膜與主動層相對的閘極、提供在主動層 上側的第一絕緣氮化物膜、提供在第一絕緣氮化物膜上的 丙烯酸膜、提供在丙烯酸膜上的第二絕緣氮化物膜、以及 提供在第二絕緣氮化物膜上的佈線； 其中，提供在丙烯酸膜中的第一開口部分的內壁表面 ，被第二絕緣氮化物膜覆蓋，所述第一開口部分的底部表 面包括使第一絕緣膜和第二絕緣膜彼此接觸的區域，接觸 之長度在從0.3至3微米之範圍內，還包含： 提供在包括閘絕緣膜、第一絕緣氮化物膜、以及第一 開口部分內側上的第二絕緣氮化物膜的叠層體中的第二開 口部分； 其中，主動層和佈線藉由第一開口部分和第二開口部 分被連接； 其中，像素電極藉由佈線被電連接到半導體元件；以 及 其中，基底與像素電極之間的距離係短於基底與主動 層之間的距離。 1 2 . —種包含顯示裝置的顯示裝置，包括像素部分， -6 - (7) 1270919 此像素部分具有半導體元件和配備有連接到基底上半導體 元件的像素電極的多個像素： 其中，半導體元件包含主動層、與主動層接觸的閘絕 緣膜、藉由閘絕緣膜與主動層相對的閘極、提供在主動層 上側的包括氬的第一絕緣氮化物膜、提供在第一絕緣氮化 物膜上的第一有機樹脂膜、提供在有機樹脂膜上的包括氬 的第二絕緣氮化物膜、提供在第二絕緣氮化物膜上的佈線 、提供在佈線上的第二有機樹脂膜、提供在第二有機樹脂 膜上的包括氬的第三絕緣氮化物膜、以及提供在第三絕緣 氮化物膜上的加入有Li的金屬膜； 其中，提供在光敏有機樹脂膜處的第一開口部分的內 壁表面，被第二絕緣氮化物膜覆蓋，還包含： 提供在包括閘絕緣膜、第一絕緣氮化物膜、以及第一 開口部分內側上的第二絕緣氮化物膜的叠層體中的第二開 口部分； 其中，主動層和佈線藉由第一開口部分和第二開口部 分被連接；以及 其中，基底與像素電極之間的距離係短於基底與主動 層之間的距離。 13.如申請專利範圍第8至12項之任一項的顯示裝置 ，其中所述有機樹脂膜是光敏有機樹脂膜。 1 4 .如申請專利範圍第8至1 2項之任一項的顯示裝置 ，其中第一絕緣氮化物膜和第二絕緣氮化物膜各包含氮化 矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜 (8) 1270919 或氮氧化鋁膜。 1 5 .如申請專利範圍第8至1 2項之任一項的顯示裝置 ，其中第一開口部分上端部處的曲率半徑爲在從3至3 0微 米之範圍內。 16·如申請專利範圍第8至12項之任一項的顯示裝置 ，其中第一開口部分上端部處的曲率半徑在從3至30微米 範圍內連續變化。 I7.如申請專利範圍第8至1 2項之任一項的顯示裝置 ，其中第一開口部分下端部處的接觸角0滿足30度< 0 <65 度。 1 8 . —種具有如爭請專利範圍第8至1 2項之任一項的 顯75裝置的電子設備，其中所述電子設備選自由電視機、 數位相機、膝上電腦、行動電腦、可攜式影像再生裝置、 護目鏡型顯示器、以及視頻照相機組成的組。 -8- 1270919 陸、（一 (二 第92108554號專利申請案 中文說明書修正頁 民國95年4月14日
    ΐ )、本案指定代表圖為：第1D圖 $ )、本代表圖之元件代表符號簡單說明：I_____ 903 :第三基礎膜 9 1 2 :光敏有機樹脂膜 9 1 7 :閘線 9 1 8 :半導體膜 9 2 0 :汲極區 921 :汲極線 922 :第一開口部分 923 :第二開口部分 9 5 1 :聞線 953 :電源線 956a，956b :儲存電容器 9 5 8 :像素電極 柒、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：
TW092108554A 2002-04-15 2003-04-14 Display device and method of fabricating the same TWI270919B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002111745 2002-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200305920A TW200305920A (en) 2003-11-01
TWI270919B true TWI270919B (en) 2007-01-11

Family

ID=28786654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092108554A TWI270919B (en) 2002-04-15 2003-04-14 Display device and method of fabricating the same

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7411215B2 (zh)
JP (1) JP4463493B2 (zh)
KR (1) KR100968496B1 (zh)
CN (1) CN100357992C (zh)
TW (1) TWI270919B (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6822629B2 (en) * 2000-08-18 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7411215B2 (en) 2002-04-15 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
US7242021B2 (en) * 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
TWI272556B (en) * 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
US7452257B2 (en) * 2002-12-27 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a display device
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4574158B2 (ja) * 2003-10-28 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及びその作製方法
JP2005134755A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
US7274044B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2005242338A (ja) * 2004-01-26 2005-09-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
KR100615222B1 (ko) * 2004-06-17 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR100611652B1 (ko) * 2004-06-28 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US8217396B2 (en) 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
KR100699998B1 (ko) 2004-09-23 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101125252B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 폴리 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
JP2006251049A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びアレイ基板
JP2008204966A (ja) * 2005-05-23 2008-09-04 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法並びに液晶表示装置
US7414262B2 (en) * 2005-09-30 2008-08-19 Lexmark International, Inc. Electronic devices and methods for forming the same
US7615495B2 (en) * 2005-11-17 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
JP5135709B2 (ja) * 2006-04-28 2013-02-06 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP5170985B2 (ja) * 2006-06-09 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5512931B2 (ja) * 2007-03-26 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5512930B2 (ja) 2007-03-26 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5142831B2 (ja) * 2007-06-14 2013-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP2011501361A (ja) * 2007-10-15 2011-01-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶液処理された電子デバイス用のバックプレーン構造
EP2225776A4 (en) 2007-12-14 2013-01-16 Du Pont REAR PANEL STRUCTURES FOR ELECTRONIC DEVICES
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR20180128990A (ko) 2009-09-16 2018-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120129592A (ko) * 2011-05-20 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5862204B2 (ja) * 2011-10-31 2016-02-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR20130136063A (ko) * 2012-06-04 2013-12-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP6186697B2 (ja) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
KR102138280B1 (ko) * 2013-04-30 2020-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
JP2017191183A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20180077834A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102349279B1 (ko) * 2017-09-08 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111856832A (zh) * 2019-04-23 2020-10-30 元太科技工业股份有限公司 反射式主动元件阵列基板及其制作方法与反射式显示设备
TWI702457B (zh) * 2019-04-23 2020-08-21 元太科技工業股份有限公司 反射式主動元件陣列基板及其製作方法與反射式顯示裝置及其製作方法
CN114497315A (zh) * 2022-02-15 2022-05-13 中国科学院半导体研究所 Led芯片结构及其制备方法

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3597667A (en) 1966-03-01 1971-08-03 Gen Electric Silicon oxide-silicon nitride coatings for semiconductor devices
JPS606040B2 (ja) 1979-06-07 1985-02-15 日本電気株式会社 集積回路
US4313782A (en) 1979-11-14 1982-02-02 Rca Corporation Method of manufacturing submicron channel transistors
JPS56120166A (en) 1980-02-27 1981-09-21 Hitachi Ltd Semiconductor ic device and manufacture thereof
US4409724A (en) 1980-11-03 1983-10-18 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating display with semiconductor circuits on monolithic structure and flat panel display produced thereby
US4342617A (en) 1981-02-23 1982-08-03 Intel Corporation Process for forming opening having tapered sides in a plasma nitride layer
DE3146981A1 (de) 1981-11-26 1983-06-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Fototransistor in mos-duennschichttechnik, verfahren zu seiner herstellung und verfahren zu seinem betrieb.
US5365079A (en) 1982-04-30 1994-11-15 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
US4566175A (en) 1982-08-30 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Method of making insulated gate field effect transistor with a lightly doped drain using oxide sidewall spacer and double implantations
US4447272A (en) 1982-11-22 1984-05-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for fabricating MNOS structures utilizing hydrogen ion implantation
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
FR2585167B1 (fr) 1985-07-19 1993-05-07 Gen Electric Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince
JPS62130018A (ja) 1985-12-02 1987-06-12 Hitachi Ltd 半導体電子回路
JPH0740711B2 (ja) 1986-06-20 1995-05-01 キヤノン株式会社 光センサの駆動方法及び画像入力装置
KR100212098B1 (ko) 1987-09-19 1999-08-02 가나이 쓰도무 반도체 집적회로 장치 및 그 제조 방법과 반도체 집적 회로 장치의 배선기판 및 그 제조 방법
JPH0654774B2 (ja) 1987-11-30 1994-07-20 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US4851370A (en) 1987-12-28 1989-07-25 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Fabricating a semiconductor device with low defect density oxide
NL8801379A (nl) 1988-05-30 1989-12-18 Imec Inter Uni Micro Electr Werkwijze voor het vervaardigen van een dunne-filmtransistor en een dergelijke dunne-filmtransistor.
JPH0766946B2 (ja) 1989-03-31 1995-07-19 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5113511A (en) 1989-06-02 1992-05-12 Atari Corporation System for dynamically providing predicted high/slow speed accessing memory to a processing unit based on instructions
US4951100A (en) 1989-07-03 1990-08-21 Motorola, Inc. Hot electron collector for a LDD transistor
JP3009438B2 (ja) 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5191373A (en) 1989-08-31 1993-03-02 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Display system of a camera selective display system for a camera
JP2714993B2 (ja) 1989-12-15 1998-02-16 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
US5063378A (en) 1989-12-22 1991-11-05 David Sarnoff Research Center, Inc. Scanned liquid crystal display with select scanner redundancy
JP2622183B2 (ja) 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
DE69127395T2 (de) 1990-05-11 1998-01-02 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter
US5198685A (en) 1990-08-01 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion apparatus with shock-absorbing layer
US5234850A (en) 1990-09-04 1993-08-10 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a nitride capped MOSFET for integrated circuits
DE69126949T2 (de) 1990-11-15 1998-02-12 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Schicht
KR930009549B1 (ko) 1990-11-28 1993-10-06 현대전자산업 주식회사 고저항용 다결정 실리콘의 저항치 유지방법
US5424752A (en) 1990-12-10 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving an electro-optical device
JPH04261017A (ja) * 1991-02-14 1992-09-17 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
US5521107A (en) 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
US5468987A (en) 1991-03-06 1995-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JP2794678B2 (ja) 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JPH0824104B2 (ja) * 1991-03-18 1996-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体材料およびその作製方法
US6562672B2 (en) * 1991-03-18 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor
US5946561A (en) * 1991-03-18 1999-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JP3071851B2 (ja) * 1991-03-25 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
US5680147A (en) 1991-05-20 1997-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
US5280280A (en) 1991-05-24 1994-01-18 Robert Hotto DC integrating display driver employing pixel status memories
US5414442A (en) 1991-06-14 1995-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
US5414278A (en) 1991-07-04 1995-05-09 Mitsushibi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display device
JP2845303B2 (ja) 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
US5650338A (en) 1991-08-26 1997-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming thin film transistor
KR960000225B1 (ko) 1991-08-26 1996-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 절연게이트형 반도체장치의 제작방법
US6556257B2 (en) 1991-09-05 2003-04-29 Sony Corporation Liquid crystal display device
JP3116478B2 (ja) 1991-10-29 2000-12-11 ソニー株式会社 半導体メモリ装置
US5576655A (en) 1991-11-29 1996-11-19 Fuji Electric Co., Ltd. High-withstand-voltage integrated circuit for driving a power semiconductor device
JP2564725B2 (ja) 1991-12-24 1996-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｍｏｓ型トランジスタの作製方法
JPH05249478A (ja) 1991-12-25 1993-09-28 Toshiba Corp 液晶表示装置
US5485019A (en) 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US6078316A (en) 1992-03-16 2000-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Display memory cache
TW231343B (zh) 1992-03-17 1994-10-01 Hitachi Seisakusyo Kk
GB9206086D0 (en) 1992-03-20 1992-05-06 Philips Electronics Uk Ltd Manufacturing electronic devices comprising,e.g.tfts and mims
TW223178B (en) 1992-03-27 1994-05-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and its production method
US6624450B1 (en) 1992-03-27 2003-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5343066A (en) 1992-03-30 1994-08-30 Sony Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same
US5674771A (en) 1992-04-20 1997-10-07 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Capacitor and method of manufacturing the same
JPH05308128A (ja) 1992-04-30 1993-11-19 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5612254A (en) 1992-06-29 1997-03-18 Intel Corporation Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate
CN1196184C (zh) * 1992-07-06 2005-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其形成方法
US5808315A (en) 1992-07-21 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor having transparent conductive film
JP3013624B2 (ja) 1992-09-01 2000-02-28 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
EP0592063A3 (en) * 1992-09-14 1994-07-13 Toshiba Kk Active matrix liquid crystal display device
US5292677A (en) 1992-09-18 1994-03-08 Micron Technology, Inc. Reduced mask CMOS process for fabricating stacked capacitor multi-megabit dynamic random access memories utilizing single etch stop layer for contacts
JP2924506B2 (ja) 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3158749B2 (ja) * 1992-12-16 2001-04-23 ヤマハ株式会社 半導体装置
DE69332142T2 (de) 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp Substrat mit aktiver Matrix
TW403972B (en) 1993-01-18 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating mis semiconductor device
JP3437863B2 (ja) 1993-01-18 2003-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｍｉｓ型半導体装置の作製方法
JP2897095B2 (ja) 1993-02-02 1999-05-31 富士通株式会社 キャパシタの製造方法
DE69430687T2 (de) 1993-02-10 2002-11-21 Seiko Epson Corp Aktives matrix-substrat und dünnfilmtransistor und verfahren zur herstellung
JP3355181B2 (ja) 1993-02-10 2002-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH06296023A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
US6413805B1 (en) 1993-03-12 2002-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device forming method
US5747355A (en) 1993-03-30 1998-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a transistor using anodic oxidation
US5498562A (en) 1993-04-07 1996-03-12 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming stacked capacitors
US6150692A (en) * 1993-07-13 2000-11-21 Sony Corporation Thin film semiconductor device for active matrix panel
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
JPH07142743A (ja) 1993-09-22 1995-06-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP3030368B2 (ja) 1993-10-01 2000-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5719065A (en) * 1993-10-01 1998-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers
US5426315A (en) 1993-10-04 1995-06-20 Motorola Inc. Thin-film transistor having an inlaid thin-film channel region
JPH07135323A (ja) 1993-10-20 1995-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体集積回路およびその作製方法
US5576231A (en) 1993-11-05 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating an insulated gate field effect transistor with an anodic oxidized gate electrode
DE69432460T2 (de) 1993-11-12 2004-01-15 Seiko Epson Corp Struktur zur montage eines halbleiters- und eines fluessigkristallanzeigeapparates
JP3325992B2 (ja) 1994-01-08 2002-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5616935A (en) 1994-02-08 1997-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors
JP3312083B2 (ja) 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5789762A (en) 1994-09-14 1998-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor active matrix circuit
JP3059915B2 (ja) * 1994-09-29 2000-07-04 三洋電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
JP3097945B2 (ja) 1994-10-03 2000-10-10 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
US5635423A (en) 1994-10-11 1997-06-03 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified dual damascene process for multi-level metallization and interconnection structure
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH08181214A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nkk Corp 半導体装置
JP2900229B2 (ja) * 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
US5814529A (en) 1995-01-17 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor
TW345654B (en) * 1995-02-15 1998-11-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JPH08250743A (ja) 1995-03-07 1996-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US5706064A (en) * 1995-03-31 1998-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer
KR100303134B1 (ko) 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
US6372534B1 (en) * 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US5771110A (en) 1995-07-03 1998-06-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Thin film transistor device, display device and method of fabricating the same
KR0171102B1 (ko) * 1995-08-29 1999-03-20 구자홍 액정표시장치 구조 및 제조방법
US5728608A (en) 1995-10-11 1998-03-17 Applied Komatsu Technology, Inc. Tapered dielectric etch in semiconductor devices
US5917563A (en) 1995-10-16 1999-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line
JPH09134973A (ja) 1995-11-07 1997-05-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
TW439003B (en) * 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
US5847410A (en) 1995-11-24 1998-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co. Semiconductor electro-optical device
US5940732A (en) * 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
US6294799B1 (en) 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
TW309633B (zh) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
KR100192370B1 (ko) 1996-01-10 1999-06-15 구자홍 액정표시장치의 제조방법
US5815226A (en) 1996-02-29 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of fabricating same
TW334581B (en) 1996-06-04 1998-06-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof
US6037712A (en) * 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JP3302262B2 (ja) * 1996-06-10 2002-07-15 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US6288764B1 (en) 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH1039334A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Toshiba Corp アレイ基板および液晶表示装置
JP3410296B2 (ja) * 1996-08-02 2003-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3284262B2 (ja) 1996-09-05 2002-05-20 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器
KR100198634B1 (ko) 1996-09-07 1999-06-15 구본준 반도체 소자의 배선구조 및 제조방법
KR100225097B1 (ko) * 1996-10-29 1999-10-15 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3123450B2 (ja) * 1996-11-26 2001-01-09 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3264364B2 (ja) * 1997-01-21 2002-03-11 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH10221712A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Sharp Corp 液晶表示装置の製造方法
JPH10229197A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JPH10268360A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6069443A (en) * 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
KR100254567B1 (ko) 1997-07-16 2000-05-01 윤종용 반도체 장치의 콘택 플러그 형성 및 절연막 평탄화 방법
JP3599964B2 (ja) * 1997-07-29 2004-12-08 パイオニア株式会社 発光ディスプレイ及びその製造方法
JP3156765B2 (ja) * 1997-08-29 2001-04-16 日本電気株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
TW408246B (en) 1997-09-12 2000-10-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and display device having laser-annealed semiconductor element
US6274516B1 (en) * 1997-10-27 2001-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for manufacturing interlayer insulating film and display apparatus using this film and its manufacturing method
JPH11183929A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Toshiba Corp 液晶表示素子
JP3980156B2 (ja) * 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP3941901B2 (ja) * 1998-04-28 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6310066B1 (en) * 1998-04-29 2001-10-30 American Home Products Corp. Antipsychotic indolyl derivatives
KR100289490B1 (ko) 1998-07-01 2001-11-22 박종섭 단차성 절연막을 가지는 반도체 장치의 형성 방법
US6372558B1 (en) * 1998-08-18 2002-04-16 Sony Corporation Electrooptic device, driving substrate for electrooptic device, and method of manufacturing the device and substrate
CN1139837C (zh) * 1998-10-01 2004-02-25 三星电子株式会社 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
JP2000111952A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Sony Corp 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7141821B1 (en) * 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
TW514757B (en) 1998-11-26 2002-12-21 Seiko Epson Corp Electro-optical device and production method thereof and electronic equipment
JP3424234B2 (ja) * 1998-11-30 2003-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
US6306559B1 (en) * 1999-01-26 2001-10-23 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same
EP2284605A3 (en) 1999-02-23 2017-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US7821065B2 (en) * 1999-03-02 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a thin film transistor comprising a semiconductor thin film and method of manufacturing the same
JP3683463B2 (ja) * 1999-03-11 2005-08-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ
US6306694B1 (en) * 1999-03-12 2001-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device
US6281552B1 (en) * 1999-03-23 2001-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having ldd regions
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW517260B (en) * 1999-05-15 2003-01-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for its fabrication
JP3065077B2 (ja) * 1999-05-19 2000-07-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP3844913B2 (ja) * 1999-06-28 2006-11-15 アルプス電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置
TW480554B (en) * 1999-07-22 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001119029A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置
JP4727029B2 (ja) 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
US6348420B1 (en) 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
US6573162B2 (en) * 1999-12-24 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method of fabricating a semiconductor device
JP3806596B2 (ja) * 1999-12-27 2006-08-09 三洋電機株式会社 表示装置およびその製造方法
JP5408829B2 (ja) * 1999-12-28 2014-02-05 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー アクティブマトリックス基板の製造方法
US7060153B2 (en) * 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
US6639265B2 (en) * 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP3365554B2 (ja) * 2000-02-07 2003-01-14 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造方法
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
US7023021B2 (en) 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6423539B2 (en) * 2000-02-24 2002-07-23 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Adjuvant treatment by in vivo activation of dendritic cells
JP4776792B2 (ja) * 2000-02-28 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電気器具
TW521303B (en) 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
TW521226B (en) 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
TW493282B (en) * 2000-04-17 2002-07-01 Semiconductor Energy Lab Self-luminous device and electric machine using the same
JP4889872B2 (ja) * 2000-04-17 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電気器具
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6580475B2 (en) 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
TW531901B (en) * 2000-04-27 2003-05-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW536836B (en) 2000-05-22 2003-06-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electrical appliance
JP4581187B2 (ja) 2000-06-13 2010-11-17 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP4519278B2 (ja) 2000-07-06 2010-08-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6828950B2 (en) * 2000-08-10 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US6822629B2 (en) * 2000-08-18 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
US6774578B2 (en) * 2000-09-19 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Self light emitting device and method of driving thereof
US6599818B2 (en) * 2000-10-10 2003-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method, heat treatment apparatus, and heat treatment method
US6664732B2 (en) * 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4831874B2 (ja) * 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
SG160191A1 (en) 2001-02-28 2010-04-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002258810A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6830994B2 (en) * 2001-03-09 2004-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device having a crystallized semiconductor film
US6737653B2 (en) * 2001-03-12 2004-05-18 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. X-ray detector and method of fabricating therefore
JP2004523924A (ja) 2001-03-21 2004-08-05 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電子デバイス
JP3977997B2 (ja) 2001-05-11 2007-09-19 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2003017273A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4876341B2 (ja) * 2001-07-13 2012-02-15 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
CN107230450A (zh) * 2001-09-21 2017-10-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其驱动方法
US6842660B2 (en) 2001-10-31 2005-01-11 Brooks Automation, Inc. Device and method for communicating data in a process control system
US6903377B2 (en) * 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US20050132549A1 (en) 2001-11-16 2005-06-23 Wong-Cheng Shih Method for making metal capacitors with low leakage currents for mixed-signal devices
JP2003255562A (ja) 2002-03-04 2003-09-10 Sharp Corp パターン形成方法及びその方法を用いた表示装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7411215B2 (en) 2002-04-15 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7242021B2 (en) 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
TWI272556B (en) * 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7256421B2 (en) * 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
US20040115934A1 (en) 2002-12-13 2004-06-17 Jerry Broz Method of improving contact resistance
TWI380080B (en) * 2003-03-07 2012-12-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP4574158B2 (ja) 2003-10-28 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及びその作製方法
US7494923B2 (en) 2004-06-14 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20130157398A1 (en) 2013-06-20
JP2004004757A (ja) 2004-01-08
CN100357992C (zh) 2007-12-26
KR20030082413A (ko) 2003-10-22
US20030193054A1 (en) 2003-10-16
KR100968496B1 (ko) 2010-07-07
US8709847B2 (en) 2014-04-29
CN1452142A (zh) 2003-10-29
JP4463493B2 (ja) 2010-05-19
US20090020762A1 (en) 2009-01-22
US8368072B2 (en) 2013-02-05
US7411215B2 (en) 2008-08-12
TW200305920A (en) 2003-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI270919B (en) Display device and method of fabricating the same
US10700106B2 (en) Semiconductor element and display device using the same
JP4409196B2 (ja) 半導体装置及びそれを用いた表示装置、並びに半導体装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees