TWI225380B - Multi-layered wiring board, its manufacturing method, semiconductor device and wireless electronic apparatus - Google Patents

Description

1225380 造置 製裝 其體 及導 板半 線的 配片 層 晶 多體。 的導置 器半裝 容載子 電搭電 有板線 1 具線無 域種配的 領一層置 術關多裝 技有該體 U 之是在導 1 } 說 屬明及半 術 ο 明所發以該 技 發明本，載 前 、 發 法搭 先 玫 ί 方及 ί 近年隨著電子機器的發達，加上電子零件的高性能 化、小型化與輕量化的要求更加嚴格。特別是以攜帶型電 話爲代表的攜帶型無線電子機器，由其便利性的追求來 看’其要求很顯著。由這樣的背景，欲效率良好的搭載半 導體晶片、從動元件，使用多層配線板。目前是以配線線 寬之細線化等的高密度配線化爲主流，但欲減低實裝之零 件數量’就得要求能內裝以電容器爲代表的從動零件。 於多層配線板內裝電容器的技術，公知有：燒成高介 電率無機材料而形成介電質層的技術、使高介電率無機材 料與樹脂材料複合化而形成介電質層的技術（例如美國發 明第5162977號）、使用濺鍍等製程而形成薄膜之介電質 層的技術等等。 燒成高介電率無機材料而形成介電質層的技術，乃有 使用適於與基板絕緣材料同時燒成的高介電率材料的例子 (參考日本特許公開第5 - 5 5 0 7 9號、電子學實裝學會誌第 4卷第2號145〜149頁），而形成薄膜之介電質層的技 術’是應用半導體濺鍍技術而令電容器在樹脂基板中內裝 -6 - (2) (2)1225380 化的例子（參考電子學實裝學會誌第4卷第7號5 90〜596 頁）。 採用使高介電率無機材料與樹脂材料複合化並使用形 成介電質層的技術之多層配線板乃提案一沒有高溫燒結工 程、濺鍍工程，經濟性優異。對使用樹脂的多層配線板用 途提案許多高介電率無機材料和樹脂的複合材料（例如參 考 Journal of Materials S c i e n c e : M a t e r i a 1 s in Electronics 第11卷253〜268頁）。而在多層配線板內製造電容器的 方法，則因使用的材料形態而異，但例如舉例有：以往多 層配線板之製造法（參考 Embedded Decoupling Capacitance Project Final Reports — 1 6 (N ati onal Center for Manufacturing Sciences))、使用具感光性的高介電率 材料的多層配線板之製造法（參考” I n t e g r a t i ο η o f Thin Film Passive Circuits Using High / Low Dielectric Constant Materials” ， Electronic ComJAPANents and Technology Conference( 1 99 7) 7 3 9 〜7 44 頁）。 高介電率材料乃於內裝有使用高塡充高介電塡充物的 樹脂合成材料的電容器的多層配線板中，以電容器爲核心 層而積層’且該層構成爲對稱的時候，核心層的兩面必須 圖案化，但使用上述樹脂合成材料的電容器易在破断強度 及加工性上產生問題，核心層的每邊都必須圖案化而積 層，成本比一般多層配線板之製造還高。而於上述多層配 線板中，以絕緣層爲核心層的時候，針對核心層對稱積層 局介電率材料的時候，其彎曲小，但非對稱積層的時候， (3) (3)1225380 會有彎曲變大的問題。亦即，除了核心層，在任意層配置 電容器’而得到彎曲量小的多層配線板是極困難的，因而 習知針¥彳該問題’ 計一種對核心層而言，屬對稱的電容 器，其彎曲欲不得變小。 但是對稱配置、積層屬於高價材料的電容器，而縮小 彎曲的方法，需要多餘的電容器，經濟性不佳外，多層配 線板的設計自由度受到限制。 而電容器之屬於重要特性的容量是與電容器的介電質 的介質常數成正比，與介電質厚度成反比。亦即，以相同 材料加大電容器之容量的緣故，發生高介電率材料的厚度 變薄的必要性。如上述文獻所示的習知方法，一旦高介電 率材料變薄，處理性就會減低，且製造良品率差。而而像 是屬於塡充基板材料之具接著劑的銅箔，也有於銅箔鑄造 高介電率材料所用的方法，但與內層電路基板積層一體化 之際的內層電路圖案的塡充性和厚度控制是一大問題。 而，屬於電容器之重要特性的容量，也以電容器的對 向電極面積成正比。亦即爲了抑制製造時的容量誤差，必 須縮小對向電極面積的誤差。然而就形成面對由包含高介 電率材料形成的絕緣層的電容器電極來看，將覆蓋該絕緣 層的金屬箔蝕刻除去成所希望的圖案，並形成與事先形成 的電極相對的電容器電極的方法，會因金屬箔的蝕刻誤 差’改變電容器的對向電極面積，就會有電容器容量發生 誤差的問題。且因對向電極的偏移，電容器容量的誤差也 會有問題。 -8- (4) (4)1225380 進而多數採用從動元件的局頻電路方向多層配線板 中，電容器以外的從動元件也要求將電感效率良好的內裝 在基板的技術。進而高頻電路方向多層配線板，也一倂要 求減低傳送丨貝失。 【發明內容】 本發明的多層配線板乃屬於具有：複數個絕緣層、和 複數個導體層、和電氣連接複數個導體層之導體化的非貫 通孔、和在包含高介電率材料的至少一個絕緣層的上下面 形成電極的電容器的多層配線板，其高介電率材料硬化物 於25°C、1MHz的介質常數爲20〜100、厚度爲0.1〜 3 0 μ m爲弟 特徵。 右彳女具有桌一特徵的本發明之多層配線板，即可變薄 屬於電容器之介電質的高介電率材料層，不管層構成爲對 稱、非對稱，都可減低多層配線板的彎曲，進而除了核心 層還能在任意層內裝電容器的緣故，就能達到大幅改善設 計自由度。而完成需要最低限度之電容器的緣故，就能減 低成本。而局介電率材料厚度變薄的緣故，就能加大以介 電質厚成反的電容器容量。 而本發明之多層配線板乃屬於具有：數個絕緣層、和 複數個導體層、和電氣連接複數個導體層之導體化的非苜 通孔、和在包含局介電率材料的至少一個絕緣層的上下面 形成電極的電容器的多層配線板，其在包括電極的導體圖 案間之凹部塡充與高介電率材料不同的絕緣材料，該導體 -9- (5) (5)1225380 圖案表面與塡充的絕緣材料表面會被平坦化爲第二特徵。 於習知之電容器內裝多層配線板中，由於未在導體圖 案間之凹部塡充絕緣樹脂，屬高彈性的高介電率材料層的 厚度變厚，其結果對於電容器之容量誤差變大的傾向，若 按照具有第二特徵之本發明的多層配線板，如上述事先以 絕緣樹脂塡充導體圖案間的凹部，使形成高介電率材料層 的基板表面平坦化的緣故，高介電率材料層就能變薄，且 能精度良好的設計厚度，縮小電容器的容量誤差。 而本發明之多層配線板乃屬於具有由複數個絕緣層、 和複數個導體層、和電氣連接複數個導體層之導體化的 孔、和至少一層的絕緣層之介質常數於25 °C、1 MHz中含 有20〜100的高介電率材料所形成，在該絕緣層的上下面 形成電極的電容器的多層配線板，其相對的電極的至少一 邊的厚度爲1〜18 μιη的範圍爲第三特徵。 若按照具有第三特徵的本發明之多層配線板，就能夠 限定導體層厚度，提高圖案化的精度，且減低蝕刻誤差， 進而也可抑制容量誤差、位移和尺寸誤差。 而本發明乃屬於一種具有複數個絕緣層、和複數個導 體層、和電氣連接前述複數個導體層之導體化的非貫通 孔、和在包含高介電率材料的至少一個前述絕緣層的上下 面形成電極的電容器的多層配線板之製造方法，其提供一 至少包括：形成包括前述電極之一方的導體圖案的工程、 和在前述導體圖案間的凹部塡充與前述高介電率材料相異 的絕緣材料且加以硬化的工程、和經由硏磨使塡充在前述 -10- (6) (6)1225380 導體圖案之表面和該導體圖案間之凹部且被硬化的絕緣材 料表面平坦的工程、和加熱積層具備有半硬化狀態的前述 高介電率材料的金屬箔的工程爲其特徵的多層配線板之製 造方法。 而本發明乃屬於具有由包括複數個絕緣層、和複數個 導體層、和電氣連接前述複數個導體層之導體化的孔、和 至少一層的前述絕緣層的介質常數於25 °C、1 MHz中，爲 20〜1 〇〇的高介電率材料所形成，在該絕緣層的上下面形 成電極的電容器的多層配線板之製造方法，其提供一導體 圖案形成時，感光性光阻劑的圖案曝光面積爲1〜25 0cm2 /次，並在同一基板內進行多次曝光爲其特徵的多層配線 板之製造方法。 而本發明乃提供一在上述多層配線板或經上述製造方 法製造的多層配線板搭載半導體晶片爲其特徵的半導體裝 置。 而本發明還提供一搭載上述半導體裝置爲其特徵的無 線電子裝置。 本案經同一申請人根據於先前之曰本國特許出願亦即 第2002— 209639號（申請日2002年7月18日）、第2002 —209650號（申請日2002年 7月18日）、第 2002 — 259284號（申請日2002年9月4日）、第2002 — 259291號 (申請日2002年9月4日）、第2002 — 3 242 3 8號（申請日 2002年11月7日），依優先權主張參考該些詳細說明書 納入於此案中。 -11 - (7) (7)1225380 【實施方式】 用於本發明的多層配線板之電容器的高介電率材料， 是至少含有絕緣樹脂及高介電率塡充材料的樹脂組成物。 該絕緣樹脂並不未特別限定，但以可在半硬化狀態下使 用，且以使用可提供硬化後絕緣性優的高介電率材料的環 氧樹脂爲佳。 環氧樹脂只要是可以硬化並呈接著作用即可，但最好 是二功能以上’分子量未滿5 000，更好是使用未滿3〇〇〇 的環氧樹脂。二功能環氧樹脂舉例表示有雙酚A型或雙 酌F型樹脂等。雙酌A型或雙酌F型液狀樹脂是出自油 化SIERU環氧股份有限公司，以所謂埃皮科特（Epik〇te 環氧樹脂商品名）8 07、埃皮科特82 7、埃皮科特82 8的商 品名販賣。還有出自 DAUKEMIKARU日本股份有限公司 以所謂 D · E · R · 3 3 0、D . E · R · 3 3 1、D · E · R · 3 6 1 的商品名販賣 更有出自東都化成股份有限公司，以所謂 γ D 8 1 2 5、 Y D F 8 1 7 0的商品名販賣。 而且也可以加上多功能環氧樹脂目的在於高Tg化， 例如舉例表示有酚醛型環氧樹脂、甲苯酚型環氧樹脂等。 酚醛型環氧樹脂有出自日本化藥股份有限公司，以所謂 EPPN— 201的商品名販賣。甲苯酚型環氧樹月旨有出自住友 化學工業股份有限公司，以所謂ESCN — 190、ESCN — 195 的商品名販賣。還有出自前述日本化藥股份有限公司，以 所謂 E0CN1012、EOCN1025、EOCN1027 的商品名販賣。 -12- (8) (8)1225380 更有出自前述東都化成股份有限公司，以所謂 YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704 的商品名販 賣。 而欲使上述環氧樹脂硬化的硬化劑，可使用一般常用 的硬化劑，未特別限定，例如舉例有：在一分子中有兩個 以上的胺、聚醯胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼及苯酌性 羥基之化合物的雙酚A、雙酚F、雙酚S等。特別是吸濕 時之耐電蝕性優的緣故，使用屬於苯酚樹脂的酚醛型環氧 樹脂、雙酚型環氧樹脂或甲苯酚樹脂等爲佳。較好的硬化 劑有出自大日本油墨化學工業股份有限公司，以所謂氯化 苯 LF2882、苯酌鹽 TD— 2090、苯 鹽 TD - 2149、苯酌 鹽VH4150、苯酚鹽VH4170的商品名販賣。 更能與硬化劑同時使用以往公知的硬化促進劑，該硬 化促進劑使用各種咪唑類爲佳。咪唑例如舉例有.：2 -甲 基咪唑、一 2—乙基一 4 一甲基咪唑、1 一氰乙基一 2 一苯基 咪13坐、1 一氰乙基一 2 -苯基偏苯三酸咪卩坐等。此種咪坐類 有出自四國化成工業股份有限公司，以所謂2E4MZ、2PZ 一 CN、2P Z — CNS的商品名販賣。 高介電率塡充材料例如舉例有：鈦酸鋇、鈦酸鋸、鈦 酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉛、二氧化鈦、鈷酸鋇、鈷酸鈣、鈷 酸鉛等，該些可單獨使用或兩種以上一倂使用。特別是使 用介質常數爲50以上爲佳。而如上述的高介電率塡充材 料之一種以上，重量比以絕緣樹脂1 〇 〇配合3 〇 0〜3 0 0 〇爲 佳。 ~ 13- (9) 而欲提供本發明所用之高介電率材料的處理性，故配 合具有環氧基、醯胺基、殘基、氰酸酯基、經基等之至少 一種官能基的重量平均分子量爲1萬〜80萬的高分子量 樹脂爲佳。重量平均分子量爲1萬以上的話，B級的高介 電率材料的堆疊性會減低、硬化時的可靠性會提高。而重 量平均分子量超過80萬的話，欲均勻分散高介電率塡充 材料會很困難。此種高分子量樹脂例如舉例有··苯氧基樹 脂、高分子量環氧樹脂、超高分子量環氧樹脂、聚醯胺醯 亞胺樹脂、官能基含有反應性橡膠等。上述苯氧基樹脂有 出自東都化成股份有限公司，以所謂HUENOTOTO—YP-40、HUENOTOTO — YP — 50的商品名販賣。還有出自 HUENOKISIASOSIETO 公司，以所言胃 PKHC、PKHH、 PKHJ的商品名販賣。上述高分子量環氧樹脂有重量平均 分子量爲3萬〜8萬的高分子量環氧樹脂，更有重量平均 分子量超過8萬的超高分子量環氧樹脂（參考日本國特許 公告第7 — 59617號、日本國特許公告第7—59618號、日 本國特許公告第 7 - 59619號、日本國特許公告第 7 一 59620號、日本國特許公告第7 - 64911號、日本國特許 公告第7 — 68327號），都是日立化成工業股份有限公司所 製造。上述聚醯胺醯亞胺樹脂有出自日立化成工業股份有 限公司，以所謂K S 9 0 0 0系列的商品名販賣。上述官能基 含有反應性橡膠有羧基含有丙烯橡膠是出自帝國化學産業 股份有限公司，以所謂HTR — 8 60P的商品名販賣，而環 氧基含有丙烯橡膠是以所謂HTR - 860P - 3的商品名販 -14 - (10) 更可在本發明所用的高介電率材料中加入分散劑。可 用的分散劑可使用市面販賣的非矽系之分散劑等以往公知 者’未特別限定。而其配合量可根據實驗做適當決定。 由如上述之組成形成的高介電率材料能與甲基乙基甲 酮等有機溶劑混合成爲漆狀，將此塗佈在金屬箱，且加以 乾燥，成爲B級狀態的薄片狀供做使用爲佳。在此所用的 金屬箔例如舉例有··銅、鋁等，其厚度以1〜35μηι的範 圍爲佳，以1〜1 2 μιιι的範圍更佳。但就具有第三特徵的 本發明之多層配線板來看’包括對抗的電容器電極之導體 圖案的金屬箔的至少單邊厚爲1〜18μηι範圍。而藉由不 針對該金屬箔施行金屬電鍍，就能抑制金屬箔厚的增加。 而上述高介電率材料於Β級狀態的1 2 0。(：之溶融粘度 以100〜200Pa S爲佳。最低溶融粘度低於i00Pa S的 時候，流動大的緣故，厚度誤差大，高於200Pa S的時 候，接著性降低。 對於本發明，用於含有上述高介電率材料的絕緣層以 外的位置的絕緣層的絕緣樹脂未特別限制，但以使用與高 介電率材料不同的絕緣樹脂爲佳，更以玻璃基材補強，且 於樹脂添加無機塡充物爲佳。藉由以玻璃基材補強，絕緣 層厚爲1 5 0 % m以上，比沒有玻璃基材時，其厚更容易控 制。而藉由添加無機塡充物，受玻璃基材影響的表面彎曲 減低’就可得到具有高頻特性優之平滑表面的多層配線 板。以玻璃基材補強，且添加無機塡充物可使用所販賣之 -15- (11) (11)1225380 MCL — E — 67 9F、MCL - BE - 67(}(H)(以上爲日立化成工 業股份有限公司製的商品名）或C S — 3 3 5 5 S、C S — 3 3 5 7 S (以上爲利島工業股份有限公司製的商品名）等的銅 張積層板或GEA - 6 79F、GEA— 67BE(H)(以上爲日立化成 工業股份有限公司製的商品名）、E5 — 33 〇5 5(利昌工業股 份有限公司製的商品名）等的層間接著絕緣材料。 而本發明的多層配線板也與電容器一倂具有電感。電 感是餘刻處理導體層而形成，理想上是形成在包括電容器 電極之導體圖案中的任一方。而該電感由於導體圖案之線 寬細的這方，電感密度高，故厚度比其他導體層還薄，且 其厚以1〜12μηι爲佳。 而本發明的多層配線板可具有同時貫穿含有高介電率 材料的至少一個絕緣層和鄰接於此的絕緣層的非貫通孔。 而本發明的多層配線板是在最外層導體層具備設有 3 ΟΟμηι以上線寬的導體圖案，更且鄰接於該最外導體層的 絕緣層厚以〗50μι:π以上爲佳。經由線寬3 00μπι以上，就 能針對高頻電路抑制信號衰減，且經由絕緣層厚爲1 50μπι 以上，就能抑制特性阻抗降低。 而具有第一特徵的本發明之多層配線板的高介電率材 料層厚爲〇·〗〜30μιη的範圍。該範圍對於具有第二及第三 特徵的本發明之多層配線板也很有效。 具有第一特徵的本發明之多層配線板除了核心層外還 在任意層設有具有電容器的非對稱之層構成’但連此情形 下，多層配線板的彎曲在室溫中，曲率以 -16- (12) (12)1225380 以下爲佳，以2 · 4 x 1 0 _ 4 m m _ 1以下更佳，以 1 ·4χ10- 4mm_ ]以下特佳。 在此，曲率/c乃如第3圖所示，爲配線板1 6 —部分 圓弧時·φ·徑的倒數’由配線板的最長長度L及彎曲量h是 利用以下述所表示的關係式（金澤工業大學材料組織硏究 所編「材料組織」桌2 0卷（2 0 〇 2 )、p 1 3 1 — p 1 3 6 )而求得的 値。 《=_8h_ K ~L2 ( ^ 1 2) + 4 h 2 再者，配線板以一定的曲率彎曲，假設其兩側的曲率 相同。而配線板的最長長度L例如若爲四角形的配線板即 表示其對角線的長度’於式1中，直線距離1爲其近似値 使用。更且，彎曲量h是表示多層配線板以凹面朝上放置 在水平平台表面時的平台表面和多層配線板端部底面的距 離’其値以1mm以下爲佳，〇.6mm以下更佳，〇 35mm以 下特佳。 而具有第二特徵的本發明之多層配線板的導體圖案間 的凹部是用絕緣樹脂塡充，先使形成高介電率材料層的基 板表面平坦化。該平坦化對具有第一及第三特徵的本發明 之多層配線板也很有效。 而至少包括一個電極的導體圖案最好接著在包含高介 電率材料的二種不同的絕緣材料。就是，塡充在導體圖案 間的絕緣材料，是使用基材的絕緣層以及與使用在高介電 率材料之絕緣樹脂相異的第三絕緣材料，就能得到更優的 -17- (13) (13)1225380 電容器。進而除了核心層，在任意層均有電容器，且電容 器的容量誤差以未滿±5 %爲佳。 具有第二特徵的本發明之多層配線板之製造方法，其 特徵爲至少包括：形成包括電容器之電極一方的導體圖案 的工程、和在該導體圖案間的凹部塡充與高介電率材料相 異的絕緣材料且加以硬化的工程、和經硏磨使導體圖案的 表面及塡充在該導體圖案間且被硬化的絕緣材料的表面平 坦化的工程、和加熱積層具備有半硬化狀態的高介電率材 料的金屬箔的工程。 並包括：蝕刻上述金屬箔，形成包括電容器之電極另 一方的導體圖案的工程、更在至少一個導體層形成電感的 工程。 更且具有第三特徵之特徵的本發明之多層配線板，乃 如前述，對抗的電容器電極的至少單側厚爲1〜1 8 μηι，但 因在感光光阻劑之圖案曝光時發生位移，相對的兩個電極 重合的部分的對向電極面積減少，且爲了抑制電容器之容 量降低，具有1〜1 8 μπι厚的電極最好是位在比相對於此 的電極外周更內側的位置。就是單側電極比一方電極於工 程上可位移的範圍還大，就能排除因位移引起的容量變 動。 而具有1〜1 8 μηι厚的電容器電極的各側面和面對於 此的電極的各側面之最短的水平距離分別在5 0〜1 〇〇 μη 的範圍爲佳。上述水平距離未滿5 Ομηι的時候’因電極位 移發生對向電極面積減少的可能性變高’而超過]0 0 μηι -18- (14) (14)1225380 的時候，電容器電極的尺寸變大，導致基板大型化很不經 濟。再者，於第1 1圖表示具有1〜1 8 μηα厚的電容器電極 1 7的各側面和面對於的電容器電極1 8的各側面的最短的 水平距離以a〜d表示。但卻忽視如第1 3圖的配線2 0之 斜線部所示，由一方的電容器電極延伸，並與相對的電容 器電極重疊的配線部分。 而具有1〜1 8 μιη厚的電容器電極的各側面和電氣連 接設在該電極上的任意導體層間被導體化的孔的外周部的 最短水平距離分別在1 〇〇μηι以上爲佳。上述水平距離未 滿100 μιη，因具有1〜18μιη厚的電極和電氣連接任意導 體層的孔的位移而發生連接不良的機率變高。再者，於第 1 2圖中，具有1〜1 8 μηι厚的電容器電極1 7的各側面和電 氣連接設在該電極上之任意導體層間被導體化的孔1 9的 外周部的最短水平距離是以e〜h表示。 而具有1〜1 8 μηι厚的電極以藉由蝕刻除去導體層不 要的部分形成爲佳。當然本發明的電容器電極也可藉由利 用電鍍的加成法或半加成法形成，但以利用蝕刻的減成法 形成的方式有利於經濟效益，也能期待抑制位移、尺寸誤 差等。 而製造本發明之多層配線板的方法，其特徵爲；導體 圖案形成時，感光性光阻劑的圖案曝光面積爲1〜2 5 0cm2 /次，並在同一基板內進行多次曝光。 特別是形成包括具有前述1〜1 8 μηι厚的電容器電極 的導體圖案時，進行上述多次曝光爲佳。一次曝光面積未 -19- (15) (15)1225380 滿1 cm2的話，會增加曝光次數，且製造流程變長，成本 增加。一方面，一次曝光面積超過2 5 0cm2的話，減低圖 案位移很困難。而一次曝光面積以1〇〜200cm2爲佳，藉 此減低位移和抑制製造流程就很容易並存。進而一次曝光 面積以50〜150cm2特佳，對於減低位移及製造成本抑制 可得到最適當的效果。像這樣藉由使用一次曝光面積很 小，進行多次曝光的分割曝光方式，在一般多層配線板製 造所使用的大型基板方面，對於起因於基板伸縮等而發生 的圖案位移來看，可減低曝光時所發生的導體圖案的位 移。 而上述製造方法中，感光性光阻劑於圖案曝光時，使 用以碳酸鈉玻璃等無機物爲基材的光罩爲佳。藉此感光性 光阻劑曝光、顯像後圖案精度提高，且會提高包括電容器 電極的導體圖案精度。 進而也包括蝕刻除去導體層不要的部分，而形成包括 電容器電極的導體圖案的工程。 本發明更提供在目前所述的多層配線板搭載半導體晶 片的半導體裝置。藉由使用在基板內具有容量誤差小的電 容器或容量誤差小的電容器和電感密度高的電感的多層配 線板，就可同時獲得達成小型化與輕量化的半導體裝置。 並在最外層導體層具備具有3 00 μηι以上線寬的導體圖 案，更藉由使用鄰接在該最外導體層的絕緣層厚爲1 5 0 μηι 以上的多層配線板，即可獲得高頻衰減小，因特性阻抗不 整合的反射雜訊亦小的半導體裝置。 -20- (16) (16)1225380 本發明更提供一搭載前述半導體裝置的無線電子裝 置。藉由使用小型輕量的半導體裝置，達到無線電子裝置 的小型輕量化。而且也可獲得高頻特性優的無線電子裝 置。 以下針對本發明之多層配線板及其製造方法，參照實 施例做更詳細說明，但本發明並不限於此。 高介電率材料薄片1 在由環氧樹脂爲雙酚A型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD - 8125)6.6重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的 YDCN — 703)3 4重量 部 '環氧樹脂的硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油 墨化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2 8 82)63重量部、 高分子量樹脂爲苯氧基樹脂（使用重量平均分子量5萬、 東都化成股份有限公司製的HUENOTOTOYP— 50)24重量 部、硬化促進劑爲硬化促進劑1 一氰乙基- 2 -苯基咪唑 (使用固化溶膠 2PZ — CN(商品名））0.6重量部、高介電率 塡充材料爲平均粒徑1 ·5μηι的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦 工業股份有限公司製的 ΒΤ — 100PR)860重量部、分散劑 爲非矽系分散劑（使用 BIKUKEMIJA JAPAN股份有限公司 製的BYK — W9 0 1 0)5 ·4重量部形成的組成物中加入甲基乙 基甲酮並使用濕式微粉碎機以]000轉/分進行1小時攪 拌混合，用2 00網眼的尼龍布過濾後真空脫氣。該樹脂漆 塗佈於厚]2μηι的電解銅箔（使用古河SAKITOHUOIRU股 -21 - (17) (17)1225380 份有限公司製的GTS — 12)上，且以140 °C進行5分鐘加 熱乾燥，形成膜厚5 μιη之B級狀態的塗膜，製成具備銅 箔的高介電率材料薄片1。 將該Β級狀態.的高介電率材料薄片1以12CTC的溶融 粘度，使用島津流動特性評估裝置CFT - 100型（股份有限 公司島津製作所、商品名），利用2 mm (/)的噴嘴直徑的治 具來測定時，爲l〇〇Pa S。並針對以]70°C做1小時硬化 的硬化物，使用 LCR 電錶 YHP4275A(橫河 HYURETOPAKADO股份有限公司、商品名），由 2 5 °C、 1 MHz的阻抗特性算出介電的結果爲20。 高介電率材料薄片2 在由環氧樹脂爲雙酚A型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD — 8125)66重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的 YDCN— 7 0 3 ) 3 4重量 部' 環氧樹脂硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油墨 化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2 8 82)63重量部、高 分子量樹脂爲下述一般式所示的聚醯胺醯亞胺樹脂（重量 平均分子量7萬）24重量部、

硬化促進劑爲硬化促進劑1 -氰乙基- 2 -苯基咪唑 (固化溶膠2PZ — CN )0.6重量部、高介電率塡充材料爲平 -22- (18) (18)1225380 均粒徑1 · 5 μηι的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限 公司製的ΒΤ — 100PR) 1 3 00重量部以及平均粒徑〇·6μηι的 I太酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限公司製的ΗΡΒΤ 一 1 )400重量部、分散劑爲非矽系分散劑（使用 BIKUKEMIJAPAN 股份有限公司製的 BYK—W9010)11.2 重量部形成的組成物，加入甲基乙基甲酮，使用小型攪祥 脫泡裝置進行1 0分鐘攪拌脫泡後，用2 0 0網眼的尼龍布 過濾。該樹脂漆塗佈在厚度1 2 μηι的電解銅箔（使用古河 SAKITOHUOIRU股份有限公司製的GTS — 12)上，且以 1 4 0 °C進行5分鐘加熱乾燥，形成膜厚〗〇 μηιΒ級狀態的塗 膜’製成具備銅箔的高介電率材料薄片2。 將該Β級狀態的高介電率材料薄片2以1 2 0 °C的溶融 粘度’使用島津流動特性評估裝置CFT - 1 00型（股份有限 公司島津製作所、商品名），利用2 m m 0的噴嘴直徑的治 具來測定時，爲1 〇 〇 P a S。並針對以1 7 0 °C做1小時硬化 的硬化物，使用 LCR 電錶 YHP42 7 5 A(橫河 HYURETOPAKADO股份有限公司、商品名），由25°C、 1 MHz的阻抗特性算出介電的結果爲45。 局介電率材料薄片3 在由環氧樹脂爲雙酚A型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD - 8 1 2 5)66重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的YDCN — 703 )3 4重量 部、環氧樹脂硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油墨 -23- (19) (19)1225380 化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2 8 8 2)63重量部、高 分子量樹脂爲苯氧基樹脂（重量平均分子量5萬、使用東 都化成股份有限公司製的 HUENOTOTO YP — 50)24重量 部、硬化促進劑爲硬化促進劑1 -氰乙基- 2 -苯基咪唑 (固化溶膠2PZ—CN )0.6重量部、高介電率塡充材料爲平 均粒徑1 · 5 μηι的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限 公司製的ΒΤ - 100PR)1300重量部以及平均粒徑0·6μηι的 鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限公司製的HPΒΤ 一 1 )400 重量部、分散劑爲非矽系分散劑（使用 BIKUKEMI JAPAN 股份有限公司製的 BYK — W9010)11.2 重量部形成的組成物，加入甲基乙基甲酮，使用濕式微粉 碎機以1 000轉/分進行1小時攪拌混合，且用200網眼 的尼龍布過濾後進行真空脫氣。該樹脂漆塗佈在厚度 1 2μιη的電解銅箔（使用古河SAKITOHUOIRU股份有限公 司製的GTS— 12)上，且以1401進行5分鐘加熱乾燥， 形成膜厚1 ΟμηιΒ級狀態的塗膜，製成具備銅箔的高介電 率材料薄片3。 將該Β級狀態的高介電率材料薄片3以1 2(TC的溶融 粘度，使用島津流動特性評估裝置CFT - 100型（股份有限 公司島津製作所、商品名），利用2mm (/)的噴嘴直徑的治 具來測定時，爲I50Pa S。並針對以17(TC做1小時硬化 的硬化物，使用 LCR 電錶 YHP42 75 A(橫河 HYURETOPAKADO股份有限公司、商品名），由2 5 t、 1 MHz的阻抗特性算出介電的結果爲4 5。 -24- (20) (20)1225380 高介電率材料薄片4 在由環氧樹脂爲雙酚A型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD — 8 1 2 5 ) 66重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的 YDCN— 703 )3 4重量 部、環氧樹脂硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油墨 化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2 8 8 2)63重量部、高 分子量樹脂爲苯氧基樹脂（重量平均分子量5萬、使用東 都化成股份有限公司製的 HUENOTOTOYP — 50)24重量 部、硬化促進劑爲硬化促進劑1 -氰乙基- 2 -苯基咪唑 (固化溶膠2PZ-CN )0.6重量部、高介電率塡充材料爲平 均粒徑1·5μηι的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限 公司製的BT— 100PR) 1 900重量部以及平均粒徑0.6μΐΏ的 鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限公司製的HP ΒΤ 一 1 ) 5 5 0重量部、分散劑爲非矽系分散劑（使用 BIKUKEMIJ AP AN 股份有限公司製的 BYK-W9010)15.9 重量部形成的組成物，加入甲基乙基甲酮，使用濕式微粉 碎機以1 000轉/分進行1小時攪拌混合，且用200網眼 的尼龍布過濾後進行真空脫氣。該樹脂漆塗佈在厚度 12μηι的電解銅箔（使用古河SAKITOHUOIRU股份有限公 司製的GTS — 12)上，且以140 °C進行5分鐘加熱乾燥， 形成膜厚2 5 μηιΒ級狀態的塗膜，製成具備銅箔的高介電 率材料薄片4。 將該Β級狀態的高介電率材料薄片4以1 2 0 °C的溶融 -25^ (21) (21)1225380 粘度，使用島津流動特性評估裝置CFT - 100型（股份有限 公司島津製作所、商品名），利用2mm (/)的噴嘴直徑的治 具來測定時，爲200Pa S。並針對以170t做1小時硬化 的硬化物，使用 LCR 電錶 YHP42 75 A(橫河 HYURETOPAKADO股份有限公司、商品名），由2 5 t、 1 MHz的阻抗特性算出介電的結果爲70。 高介電率材料薄片5 在由環氧樹脂爲雙酚A型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD - 8 1 2 5 ) 6 6重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的 YDCN— 703 )3 4重量 部、環氧樹脂硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油墨 化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2882)63重量部、高 分子量樹脂爲苯氧基樹脂（重量平均分子量5萬、使用東 都化成股份有限公司製的 HUENOTOTO YP — 5 0)24重量 部、硬化促進劑爲硬化促進劑1 -氛乙基- 2 -苯基咪I]坐 (固化溶膠2PZ— CN )0·6重量部、高介電率塡充材料爲平 均粒徑1 · 5 μηι的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限 公司製的ΒΤ- I00PR) 8 60重量部、分散劑爲非矽系分散 劑（使用 BIKUKEMIJAPAN股份有限公司製的 BYK — W 9 0 1 0) 5 · 4重量部形成的組成物，加入甲基乙基甲酮，使 用濕式微粉碎機以1 000轉/分進行1小時攪拌混合，且 用2 00網眼的尼龍布過濾後進行真空脫氣。該樹脂漆塗佈 在厚度1 2 μ m的電解銅箱（使用古河s A K I Τ Ο H U Ο I R U股份 -26- (22) (22) 1225380 有限公司製的G T S — 1 2 )上，且以1 4 0 °C進行5分鐘加熱 乾燥，形成膜厚3 ΟμηιΒ級狀態的塗膜，製成具備銅箔的 高介電率材料薄片5。 將該Β級狀態的高介電率材料薄片5以〗20艺的溶融 粘度，使用島津流動特性評估裝置CFT_ 100型（股份有限 公司島津製作所、商品名），利用2mm 0的噴嘴直徑的治 具來測定時，爲100Pa S。並針對以170°C做1小時硬化 的硬化物’使用 L CR 電錶 Υ Η P 4 2 7 5 A (橫河 HYURETOPAKADO股份有限公司、商品名）’由25°C、 1 Μ Η z的P且抗特性算出介電的結果爲2 0 ° 實施例1 如第2圖（a)所示，於基材1的兩面，在積層厚3 μ m 的銅箱2之板厚〇 · 2 m m、基板尺寸5 0 0 x 3 3 3 c m的兩面銅 箔張玻璃環氧積層板MCL— E - 679F(日立化成工業股份 有限公司製、商品名）上進行所希望的鑽孔（第2圖（b))。 以超音波洗淨和鹼性高錳酸液除去碳化的樹脂渣後，該基 板會得到觸媒，於密著促進化後進行無電解鍍銅，於鑽孔 內壁和銅箔表面形成約1 5 μηα的無電解鍍銅層3 (第2圖 (〇)。於該基板表面藉由以次氯酸鈉爲主成份的黑化處理 和以二甲基胺硼烷爲主成份的還原處理進行粗化處理。於 該基板的鑽孔內利用網版印刷塡充焊膏型的熱硬化型絕緣 材料HRP — 7 0 0ΒΑ(太陽油墨製造股份有限公司、商品 名）4，且以170°C經60分鐘的熱處理使之硬化（第2圖 -27- (23) (23)1225380 (d) )。利用硏磨刷硏磨基板表面，除去多餘的絕緣材料 後，使該基板得到觸媒，於密著促進化後進行無電解鍍 銅，於基板表面形成約15μηι的無電解鍍銅層5 (第2圖 (e) )。以硏磨刷硏磨該基板後，層壓感光性乾式薄膜Η -9 040(日立化成工業股份有限公司製、商品名），且在該基 板表面將包括電容器電極的導體圖案的蝕刻光阻劑，利用 股份有限公司OKU製作所製EXM — 1350B型自動平行曝 光機加以曝光。在該基板用碳酸鈉水溶液顯像後，氯化鐵 液鈾刻除去不要的銅，用氫氧化鈉水溶液剝離光阻劑，製 成具有包括電容器之下部電極的電路圖案的內層電路板 (第 2 圖（f))。 其次，在該內層電路板表面用滾輪塗料器，自基板絕 緣層表面起約4 0 μηι、自導體圖案表面起約5 μιη塗布焊膏 型的熱硬化型絕緣材料HRP - 700ΒΑ(太陽油墨製造股份 有限公司、商品名）6，以1 7 0 °C經6 0分鐘間的熱處理使 之硬化。該基板經硏磨刷硏磨到出現導體圖案表面爲止， 除去多餘的絕緣材料，進行內層電路板的平坦化（第2圖 (g))。內層電路板表面的凹凸爲3μηι以下。然後在該電路 板的電路表面藉由以次氯酸鈉爲主成份的黑化處理和以二 甲基胺硼烷爲主成份的還原處理來進行粗化處理。 其次，在該電路板的單面將具備包括高介電率材料的 絕緣層8與銅箔7的前述高介電率材料薄片1，以溫度 17〇°C、壓力1.5MPa、加熱加壓時間60分鐘的加壓條件 加以積層一體化（第2圖（h))。將該積層體用硏磨刷硏磨 -28- (24) (24)1225380 後，將感光性乾式薄膜Η - 9040(日立化成工業股份有限 公司製、商品名）層壓在高介電率材料薄片1的銅箔上， 且在該基板表面將包括電容器電極的導體圖案的蝕刻光阻 劑，用股份有限公司OKU製作所製EXM — 1 3 5 0B型自動 平行曝光機加以曝光。該基板用碳酸鈉水溶液顯像後，用 氯化鐵液鈾刻除去不要的銅，且用氫氧化鈉水溶液剝離光 阻劑，形成包括電容器之上部電極的導體圖案（第2圖 ⑴）。 其次，在該電路板的電路表面，藉由以次氯酸鈉爲主 成份的黑化處理和以二甲基胺硼烷爲主成份的還原處理來 進行粗化處理，依序重合（1 )具3 5 μηι載體銅范之厚3 μηι 的銅箔 MT35S3(三井金屬鑛業股份有限公司製、商品 名）9、（2)加入厚80μηι塡充物的玻璃環氧黏合膠片GEA -6 7 9F(日立化成工業股份有限公司製、商品名）1〇兩片，（3) 第2圖（i)的電路板、（4)加入厚80μιη塡充物的玻璃環氧黏 合膠片GEA— 679F兩枚、（5)具35μηι載體銅箔之厚3μηι 的銅箔 ΜΤ3 5 S3(三井金屬鑛業股份有限公司製、商品 名），以溫度170 °C、壓力1.5 MPa、力□熱加壓時間60分鐘 的加壓條件加以積層一體化（第2圖（j))。剝離載體銅箔， 且切斷不要的基板端部後，在該基板表面形成所希望的蝕 刻光阻劑，將不要的銅箔用氯化鐵水溶液加以蝕刻除去， 在所希望的位置形成0 〇 . 1 5 m m的窗孔。 設在該基板表面的窗孔位置，用二菱電機股份有限公 司製ML5 05 GT型碳酸氣體雷射，以輸出功率26mJ、脈寬 -29- (25) (25)1225380 1 〇〇 、發射次數 6次的條件，進行雷射穿孔（第 2圖 (k))。除去超音波洗淨和因鹼性高錳酸液碳化的樹脂渣 後，於洗淨、得到觸媒、密著促進化後，使用CUST -3 0 00(日立化成工業（股）製、商品名）進行無電解鍍銅，在 雷射孔內壁和銅箔表面形成約20μηι的無電解鍍銅層 11(第2圖（1))。在該基板表面的銲墊、電路圖案等需要的 位置上形成蝕刻光阻劑，且將不要的銅用氯化鐵水溶液鈾 刻除去，形成外層電路（第2圖（m))。 在該基板表面將抗阻劑PSR — 4000AUS5(太陽油墨製 造股份有限公司、商品名）用滾輪塗料器塗佈30μηι，乾燥 後加以曝光、顯像，在所希望的位置形成抗阻劑1 5。然 後用NIPS100(日立化成工業（股）製、商品名），並用3μηι 的無電解鍍鎳層13與HGS2000(日立化成工業（股）製、商 品名）’將0 · 1 μ m的無電解鍍金層1 4形成外層電路圖案露 出部表面層，得到如第1圖所示之內裝電容器12的五層 構造的多層配線板。 實施例2 除換掉高介電率材料薄片1用高介電率材料薄片2以 外，經由與實施例1同樣的工程得到多層配線板。 實施例3 除換掉局介電率材料薄片1用高介電率材料薄片3以 外，經由與實施例1同樣的工程得到多層配線板。 -30- (26) (26)1225380 實施例4 除換掉高介電率材料薄片1用高介電率材料薄片4以 外，經由與實施例1同樣的工程得到多層配線板。 實施例5 不使用如第2圖（g)所示的樹脂塡充進行內層電路的 平坦化，並且除換掉高介電率材料薄片1用高介電率材料 薄片5以外，經由與實施例1同樣的工程得到多層配線 板0 比較例1 高介電率材料薄片除使用介電材層厚80μηι之具環氧 系樹脂的銅箔 McF6000E (日立化成工業製、商品名） 以外，經由與實施例5同樣的工程得到多層配線板。 將以上述實施例1〜5及比較例1所得到的多層配線 板，切成1 〇 〇 m m X 1 0 0 m m的大小，做成試驗樣品，測定其 彎曲量。更用前述式1求得曲率。結果於表1示之。 -31 - (27)1225380 [表1 ] 項目 高介電率材料層厚 彎曲量 曲率 (μηι) (mm) (mm-1) 實施例1 5 0.3 1.20xl0~4 實施例2 10 0.4 1.60xl0-4 實施例3 10 0.4 1.60χ10'4 實施例4 25 0.5 2.00χ10"4 實施例5 30 0.7 2.80χ10'4 比較例1 80 1.2 4.80x10—4

實施例1〜5的多層配線板無論那一個在高介電率材 料硬化物的介質常數爲25 °C、1 MHz中均爲2〇〜1〇〇，且 屬於其厚爲1 · 0〜3 0 μ m的電容器內裝型的多層配線板，其 曲率全爲4.OxlO-4 mm·1以下，彎曲量也全爲！ 1Ώηι以下很 小。一方面，比較例1由於高介電率材料厚爲80μιη，其 曲率超過^ΟχΙΟ^ηιπΓ1，彎曲量也超過]mm。 實施例6 針對實施例1所得到的多層配線板，評估電容器容量 誤差和成型性。再者，電容器容量的測定方法及成型性的 評估方法乃如以下所述。 (電容器容量） 電容器容量的測定是使用在阻抗分析器 -32- (28) (28)1225380 4 2 9IB(AJIRENTOTEKUNOJI股份有限公司製、商品名）透 過 50Ω 同軸電纜 SUCOFLEX104 / 1 00(SUHNER 社製、商 品名）連接高頻信號測定探針 MICROPROBE ACP50(GSG2 5 0型、C a s c a d e社、商品名）的測定系統。電 容器的電極尺寸爲1 m m X 1 m m，測定1 G Η z的容量。測定 則是測定設置在基板的四角隅和中央部五處的電容器容 (成型性） 成型性將製成的多層配線板切成l〇nimx 3 0mm後，以 環氧樹脂加以注型，且硏磨基板斷面，評估多層配線板中 是否有氣泡等。沒有氣泡等時就很好，有氣泡等時就不 好。 實施例7 針對實施例2得到的多層配線板，與實施例6同樣地 評估電容器容量誤差和成型性。 實施例8 針對實施例3得到的多層配線板，與實施例6同樣地 評估電容器容量誤差和成型性。 實施例9 針對實施例4得到的多層配線板，與實施例6同樣地 -33- (29)1225380 評估電容器容量誤差和成型性。 比較例2 如第2圖（g)所示，除藉由樹脂塡充進行內層電路板 平坦化以外，還針對與實施例3同樣地製成的多層配線 板，與實施例6同樣地評估電容器容量誤差和成型性。 比較例3 針對實施例5得到的多層配線板，與實施例6同樣地 評估電容器容量誤差和成型性。 於表2表示實施例6〜9、比較例2及3的結果。 [表2] 項目 電容器容量（PF) 成型性 最大値 最小値 平均 値 實施例 6 3 1 32 32 良好 7 37 35 36 良好 8 38 35 36 良好 9 23 22 23 良好 比較例 2 39 26 38 不良 3 36 30 32 良好 實施例6〜9是在任一個電容器電極間的凹部都塡$ -34- (30) 上與基板材料和高介電率材料不同的第三熱硬化型絕緣材 料平坦化’電容器容量的誤差未滿± 5 %很小，成型性也很 良好。一方面，比較例2在電容器電極之間有氣泡，成型 性很不好。比較例3爲電容器容量的誤差超過1 0 %。由斷 面觀察的結果了解其原因是含有高介電率材料的絕緣層厚 在3〜6 μπι的範圍，誤差很大。 其次’如下述實施例1 0〜1 9及比較例4製作使用下 述高介電率材料薄片6〜1 〇的多層配線板，評估該些多層 配線板的電容器電極的位移、尺寸誤差以及容量誤差。 高介電率材料薄片6 在由環氧樹脂爲雙酚Α型環氧樹脂（使用東都化成股 份有限公司製的 YD - 8125)66重量部、甲苯酚型環氧樹 脂（使用東都化成股份有限公司製的YDCN — 70 3 )3 4重量 部、環氧樹脂硬化劑爲酚醛型環氧樹脂（使用大日本油墨 化學工業股份有限公司製的氯化苯LF2882)63重量部、高 分子量樹脂爲苯氧基樹脂（使用分子量5萬、東都化成股 份有限公司製的 HUENOTOTOYP — 50)24重量部、硬化促 進劑爲硬化促進劑1 -氰乙基- 2 -苯基咪唑（使用固化溶 膠2PZ — CN)0.6重量部、高介電塡充物爲平均粒徑1.5μηι 的鈦酸鋇塡充物（使用富士鈦工業股份有限公司製的Β Τ -100PR) 1 3 00重量部以及平均粒徑〇.6μι^的鈦酸鋇塡充物 (使用富士鈦工業股份有限公司製的ΗΡΒΤ— 1 )400重量 部、分散劑爲非矽系分散劑（使用 BIKUKEMIJAJAPAN股 -35- (31) (31)1225380 份有限公司製的BYK - W9010)11.2重量部形成的組成 物，加入甲基乙基甲酮，使用濕式微粉碎機以1 〇 〇 〇轉/ 分進行1小時攪拌混合，且用200網眼的尼龍布過濾後進 行真空脫氣。該接著劑漆塗佈在厚度1 2 pm的電解銅箔（使 用古河SAKITOHUOIRU股份有限公司製的gtS — 12)上， 且以140°C進行5分鐘加熱乾燥，形成膜厚ι〇μπ1Β級狀態 的塗膜，製成高介電率材料薄片6。 將該Β級接著薄膜以1 7 0 °C硬化1小時的硬化物，使 用LCR電錶YHP4275A(橫河HYURETOPAKADO股份有限 公司、商品名），由 2 5 °C、1 MHz的阻抗特性算出介電的 結果爲4 5。 高介電率材料薄片7 除換掉塗佈接著劑漆的電解銅箔3 5 μηι、附載體銅箔 厚3 μιτι的銅箔（使用三井金屬鑛業股份有限公司製的 ΜΤ3 5 S3)以外，經由與高介電率材料薄片6同樣的工程得 到高介電率材料薄片7。 將該Β級接著薄膜以1 7 〇 °C硬化1小時的硬化物，使 用LCR電錶YHP4275A(橫河HYURETOPAKADO股份有限 公司、商品名），由2 5 °C、1 MHz的阻抗特性算出介電的 結果爲4 5。 高介電率材料薄片8 P余換掉塗佈接著劑漆的電解銅箔厚9 μηι的電解銅箔 -36- (32)1225380 (使用古河SAKITOHUOIRU股份有限公司製的GTS — 外，經由與高介電率材料薄片6同樣的工程得到高介 材料薄片8。 將該B級接著薄膜以1 7 0 °C硬化1小時的硬化物 用 LCR 電錶 YHP42 75 A(橫河 H YURETOPAKADO 股份 公司、商品名目名），由2 5 °C、1 MHz的阻抗特性算 電的結果爲45。 高介電率材料薄片9 除換掉塗佈接著劑漆的電解銅箔厚1 8 μηι的電解 (使用古河SAKITOHUOIRU股份有限公司製的GTS· 以外’經由與高介電率材料薄片6同樣的工程得到高 率材料薄片9。 將該B級接著薄膜以1 7 〇艺硬化1小時的硬化物 用 LCR 電錶 YHP4275 A(橫河 HYURETOPAKADO 股份 公司、商品名），由2 5 °C、1 MHz的阻抗特性算出介 結果爲45。 高介電率材料薄片1〇 除換掉塗佈接著劑漆的電解銅箔厚3 5 μηι的電解 (使用古河SAKITOHUOIRU股份有限公司製的GTS. 以外’經由與高介電率材料薄片6同樣的工程得到高 率材料薄片1 〇。 將該B級接著薄膜以I 7 〇 t硬化1小時的硬化物 9)以 電率 ，使 有限 出介 銅箱 - 18) 介電 ，使 有限 電的 銅箔 - 35) 介電 ，使 -37- (33) (33)1225380 用LCR電錶YHP42 7 5A(橫河HYURETOPAKADO股份有限 公司、商品名），由2 5 °C、1 MHz的阻抗特性算出介電的 結果爲4 5。 實施例1 〇 除換掉高介電率材料薄片1使用高介電率材料薄片 6，曝光電容器上部電極形成時，換掉股份有限公司οκυ 製作所製EXM - 1350B型自動平行曝光機，使用USIO電 機股份有限公司製UX — 5 03 8 SC型分割投影曝光機，並使 用以碳酸鈉玻璃爲基材的光罩，分割爲1 0cm四方的圖 案’以及電谷益的上部電極和下部電極尺寸同時形成1.0 X 0 . 7 5 mm以外，與實施例1同樣地可得到多層配線板。 再者，於第4圖表不實施例1〇的電容器12的斷面圖。 實施例1 1 除電谷益的電極尺寸形成上部電極1 · 0 X 〇 · 7 5 m m、下 部電極1.05 x 0.75 5mm以外，與實施例1〇同樣地可得到 多層配線板。再者，於第5圖表示實施例u的電容器j 2 的斷面圖。 實施例1 2 除電容器的電極尺寸形成上部電極1·〇χ 〇.75mm、下 部電極1 · 1 X 0.85mm以外，與實施例〗〇同樣地可得到多 層配線板。再者’於第6圖表示實施例I 2的電容器]2的 -38- (34) (34)1225380 斷面圖。 實施例13 除電容器的電極尺寸形成上部電極1 · ο X 〇 · 7 5 m m、下 部電極1·2 χ〇· 9 5mm以外，與實施例同樣地可得到多 層配線板。再者，於第7圖袠示實施例1 3的電容器1 2的 斷面圖。 實施例1 4 除電容器的電極尺寸形成上部電極1.0x0.75mm、下 部電極1 ·4 X 1 · 1 5mm以外，與實施例1 〇同樣地可得到多 層配線板。再者，於第8圖表示實施例1 4的電容器1 2的 斷面圖。 實施例1 5 除換掉高介電率材料薄片6使用高介電率材料薄片 7，在高介電率材料薄片7的銅箔上形成約1 5 μπι的電解 鍍銅層，且剝離電鍍光阻劑後’用硫酸、過氧化氫混合溶 液蝕刻除去基層銅，形成電容器的上部電極，以及電容器 的上部電極尺寸爲1 . 〇 X 〇 · 7 5 mm、下部電極尺寸爲ι . ι x 0.8 5mm以外，與實施例1〇同樣地可得到多層配線板。再 者，於第9圖表示實施例15的電容器12的斷面圖。 實施例1 6 -39- (35) (35)1225380 除使用分割投影曝光機時，圖案分割爲5 c m四方並 曝光以外，與實施例1 0同樣地可得到多層配線板。再 者，於第4圖表示實施例16的電容器12的斷面圖。 實施例1 7 除使用分割投影曝光機時，圖案分割爲1 5 cm四方並 曝光以外，與實施例1 〇同樣地可得到多層配線板。再 者，於第4圖表示實施例1 7的電容器1 2的斷面圖。 實施例1 8 除換掉高介電率材料薄片6使用高介電率材料薄片8 以外，與實施例1 〇同樣地可得到多層配線板。再者，於 第4圖表示實施例18的電容器12的斷面圖。 實施例1 9 除換掉高介電率材料薄片6使用高介電率材料薄片9 以外，與實施例1 〇同樣地可得到多層配線板。再者，於 第4圖表示實施例19的電容器12的斷面圖。 比較例4 除換掉高介電率材料薄片6使用高介電率材料薄片 10，以及曝光形成電容器的上部電極時，換掉USIO電機 股份有限公司製UX - 5 0 3 8 SC型分割投影曝光機使用股份 有限公司 OKU製作所製EXM— 1 3 5 0B型自動平行曝光 -40- (36)1225380 機，並藉由使用以聚酯爲基材的光罩一倂曝光以外，與實 施例1 〇同樣地可得到多層配線板。再者，於第1 0圖表示 比較例4的電容器1 2的斷面圖。 針對如上述製作的各多層配線板，切出各個電容器部 分，並以環氧樹脂加以注型’且硏磨基板斷面。然後使用 具有計級功能的顯微鏡（OLYMPUS製MX50)，自該斷面來 測定電容器之對向電極彼此的位移量和上部電極面積。測 定取樣數與各多層配線板均爲1 2取樣。結果於表3及表 4示之。 [表3] 項目 對向電] 極的位移量（μ ηι) 最大 最小 平均 實施例 10 39.4 2.2 13.1 16 27.2 5.3 10.8 17 40.8 7.0 16.4 比較例4 82.4 14.4 40.2 [表4] 項目 上部電極B g 積（mm2) 最大 最小 平均 誤差（％) 實施例 10 0.756 0.743 0.747 ±0.9 18 0.756 0.743 0.749 ±0.8 19 0.760 0.742 0.75 1 ±1.2 比較例4 0.77 1 0.733 0.754 ±2.6 -41 - (37) (37)1225380 於表3中，對向電極圖案彼此的位移量，於實施例 1 0、1 6及1 7中，未滿5 0 μηι.，但比較例4則爲8 0 μηι以 上。而於表4中，上部電極的誤差，在實施例1 〇、1 8及 1 9爲± 1 %左右，但在比較例4誤差很大爲± 2 · 6 %。該結 果於製造實施例〗〇〜1 9的多層配線板時’電容器電極的 厚很薄，且蝕刻誤差減低，以及使用玻璃基材的高精度光 罩，藉由分割曝光方式曝光，且形成導體圖案。 其次，使用表3及表4的結果，經計算算出電容器的 容量誤差。結果於表5示之。 (38)1225380 [表5] 項目 電容器容量（PF) 最大 最小 平均 誤差（％) _______ 實施例 10 15.02 14.15 14.48 ±3.0 1 11 15.09 14.69 14.92 ±1.44 12 15.12 14.85 14.94 ±0.89 13 15.13 14.87 15.01 ±0.90 14 15.12 14.86 14.99 ±0.89 15 15.10 14.84 14.97 ±0.87 16 15.04 14.16 14.60 ±2.78 17 15.00 14.08 14.44 ±3.43 18 15.00 14.16 14.58 ±2.88 19 14.99 13.98 14.49 ±3.49 ------ 比較例4 14.89 12.46 13.80 ±8.82 由表5得知，實施例1 0〜1 9的電容器的容量誤差， 均小於比較例4的誤差。而實施例1 2〜14之中，未發現 有意差，得知在考慮感光性光阻劑曝光時的位移上’將下 部電極面積設計成最小，且縮小電容器部的佔有面積爲 佳。而且未在使用減成法的實施例1 2和使用半加成法的 實施例1 5的比較中發現有意差，得知可藉由有利於經濟 性的減成法形成包含電容器電極的導體圖案爲佳。 如以上說明，若藉由本發明的多層配線板，變薄電容 器之介電質部的高介電率材料層，藉此不管層構成爲對 -43- (39) (39)1225380 稱、非對稱都可減低多層配線板彎曲，進而除了核心層 外’可在任意層內安裝電容器，設計自由度就可達到大幅 改善。而只要完成需要最小限的電容器就能減低成本。而 高介電率材料的厚變薄，就能加大以介電質厚成反比的電 容器容量。 而且能提供高介電率材料的厚很薄，具有容量誤差小 的電容器’且成型性上沒有問題的多層配線板及其製造方 法。 φ 更能提供在具有如上述特徵的多層配線板搭載半導體 晶片的半導體裝置、及搭載該半導體裝置的無線電子裝 置。 · 前述爲本發明之最佳實施形態，經該業者明白可在不 脫離本發明的精神與範圍內實行多種變更及修正。 【圖式簡單說明】 * 第1圖是表示本發明多層配線板之一形態的斷面圖。 ® 第2圖是表示本發明多層配線板之製造方法之一例的 斷面圖。 第3圖是表示求出曲率&所需要的L、I、h的配線板 的模式圖。 第4圖是表示經實施例1 〇及1 6〜1 9製作的電容器電 極構造的斷面圖。 ^ 第5圖是表示經實施例1 1製作的電容器電極構造的 - 斷面圖。 -44- (40) (40)1225380 第6圖是表示經實施例1 2製作的電容器電極構造的 斷面圖。 第7圖是表示經實施例1 3製作的電容器電極構造的 斷面圖。 第8圖是表示經實施例1 4製作的電容器電極構造的 斷面圖。 第9圖是表示經實施例1 5製作的電容器電極構造的 斷面圖。 第1 0圖是表示經比較例4製作的電容器電極構造的 斷面圖。 第1】圖是表示具有】〜〗8 μιΏ厚的電容器電極的各側 面和面對於此的電容器電極的各側面的最短水平距離的模 式圖。 第1 2圖是表示具有1〜〗8 μιη厚的電容器電極的各側 面和設在該電極上的孔的外周部的最短水平距離的模式 圖。 第1 3圖是表示不考慮第1 1圖最短水平距離的部分 (斜線部）的模式圖。 [圖號說明] 1 :高介電率材料薄片 2 ··局介電率材料薄片 3 :咼介電率材料薄片 4 :高介電率材料薄片 -45- (41) (41)1225380 5:高介電率材料薄片 6:高介電率材料薄片 7 :高介電率材料薄片（銅箔） 8:高介電率材料薄片（絕緣層） 9:高介電率材料薄片 1 〇 :高介電率材料薄片 1 1 :無電解鍍銅層 1 2 :電容器 1 3 :無電解鍍鎳層 1 4 :無電解鍍金層 1 5 :抗阻劑 I 6 :配線板 1 7 :電容器電極 1 8 :電容器電極 19:孔 2 0 :配線

Claims (1)

1. (1) (1)1225380 拾、申請專利範面 第921 14940號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年7月16日修正 1· 一種多層配線板，乃屬於具有：複數個絕緣層、 和複數個導體層、和電氣連接前述複數個導體層之導體化 的非貫通孔、和在包含高介電率材料的至少一個前述絕緣 層的上下面形成電極的電容器的多層配線板中，其特徵 & · 爲 · 前述高介電率材料硬化物於25 °C、1 MHz中的比介電 率爲20〜1〇〇、厚度爲〇.1〜30 μπι。 2. 如申請專利範圍第1項所記載的多層配線板，其 中，除核心層外，在任意層設置具有前述電容器的非對稱 之層構成，且其彎曲量於室溫中曲率爲LOxlO^mnT1以 下。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的多層配 線板，其中，除核心層外，在任意層設有具有前述電容器 的非對稱之層構成，且其彎曲量爲1mm以下。 4. 一種多層配線板，乃屬於具有··複數個絕緣層、 和前述複數個導體層、和電氣連接前述複數個導體層之導 體化的非貫通孔、和在包含高介電率材料的至少一個前述 絕緣層的上下面形成電極的電容器的多層配線板’其特徵 爲· 在包括前述電極的導體圖案間之凹部塡充與前述高介 (2)1225380 電率材料不同的絕緣材料，該導體圖案表面與塡充的絕 材料表面會被平坦化。 5 ·如申請專利範圍第4項所記載的多層配線板， 中’至少包括一個前述電極的導體圖案是接著在含有前 高介電率材料的三種不同的絕緣材料上。 6 · —種多層配線板，乃屬於具有由複數個絕緣層 和複數個導體層、和電氣連接前述複數個導體層之導體 的孔、和至少一層由含有前述絕緣層之比介電率於 °C、1MHz下爲20〜100的高介電率材料所形成，且在 絕緣層的上下面形成電極的電容器的多層配線板，其特 爲： 相對的前述電極的至少一邊的厚度爲1〜18μιη的 圍。 7. 如申請專利範圍第6項所記載的多層配線板， 中，前述具有1〜18Mm厚的電極是位在比相對於此的 極外周更內側的位置。 8. 如申請專利範圍第6項或第7項所記載的多層 線板，其中，前述具有1〜1 8/xm厚的電極的各側面和 對於此的電極的各側面之最短的水平距離分別在50 100/xm的範圔內。 9. 如申請專利範圍第6項或第7項所記載的多層 線板，其中，前述具有1〜1 8 μπι厚的電極的各側面和 氣連接設在該電極上的任意導體層間被導體化的孔的外 部的最短水平距離分別在ΙΟΟμπι以上。 緣 其 述 化 25 該 徵 範 其 電 配 面 配 電 周 -2- (3) (3)1225380 1 0·如申請專利範圍第6項或第7項所記載的多層配 線板，其中， 前述具有1〜18μηι厚的電極是藉由蝕刻除去導體層 不要的部分所形成。 1 1 ·如申請專利範圍第4項至第7項的任一項所記載 的多層配線板，其中，除核心層外，在任意層具有前述電 容器，且電容器的容量誤差爲未滿±5 %。 12.如申請專利範圍第1項，第2項，第4項至第7 項的任一項所記載的多層配線板，其中，具有以圖案形成 至少一個導體層的電感。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載的多層配線板， 其中，形成前述電感的導體層厚比其他導體層厚還薄，且 其厚爲1〜12/xm。 1 4·如申請專利範圍第1 2項所記載的多層配線板， 其中，前述電感是製作於形成在前述絕緣層上下面的前述 電極中的任一方。 15 ·如申請專利範圍第1項，第2項，第4項至第7 項的任一項所記載的多層配線板，其中，具有同時貫穿含 有前述高介電率材料的至少一個前述絕緣層和鄰接於此的 絕緣層的非貫通孔。 16·如申請專利範圍第1項，第2項，第4項至第7 項的任一項所記載的多層配線板，其中，前述高介電率材 料包括環氧樹脂、其硬化劑以及高介電率塡充材料。 17 ·如申請專利範圍第1項，第2項，第4項至第7 -3 - (4) 項的任一項所記載的多層配線板，其中，前述高 半斗含有環氧樹脂、其硬化劑、高介電率塡充材料 具有一種官能基之重量平均分子量爲1萬〜80 子量樹脂。 18 ·如申請專利範圍第1項，第2項，第4 項的任一項所記載的多層配線板，其中，前述高 料於B級狀態之1 2 0 °C的溶融粘度爲1 0 0〜2 0 OP a 19·如申請專利範圍第16項所記載的多層 其中，前述高介電率塡充材料是從由鈦酸鋇、鈦 酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉛、二氧化鈦、鈷酸鋇、鈷 酸鉛所形成的組群中選出一種以上。 20·如申請專利範圍第1 6項所記載的多層 其中，前述高介電率塡充材料是以重量比相對於 樹脂100爲300〜3000而配合。 21. 如申請專利範圍第1項，第2項，第4 項的任一項所記載的多層配線板，其中，最外導 少形成一條具有3 00/xm以上線寬的導體圖案， 在該最外導體層的絕緣層厚爲15 0/xm以上。 22. 如申請專利範圍第1項，第2項，第4 項的任一項所記載的多層配線板，其中，含有前 率材料的至少一個前述絕緣層以外的絕緣層是用 補強，且含有無機塡充物。 23. 如申請專利範圍第1項，第2項，第4 項的任一項所記載的多層配線板，其中，形成在 介電率材 以及至少 萬的高分 項至第7 介電率材 • S 〇 配線板， 酸緦、鈦 酸鈣、鈷 配線板， 前述環氧 項至第7 體層是至 進而鄰接 項至第7 述高介電 玻璃基材 項至第7 前述絕緣 -4- 1225380

   層上下面的電極是形成未覆蓋該絕緣層的整個單面或兩 面。 24· —種多層配線板之製造方法，乃屬於具有複數個 絕緣層、和複數個導體層、和電氣連接前述複數個導體層 之導體化的非貫通孔、和在包含高介電率材料的至少一個 前述絕緣層的上下面形成電極的電容器的多層配線板之製 造方法，其特徵爲至少包括：

   形成包括前述電極之一方的導體圖案的工程、 和在前述導體圖案間的凹部塡充與前述高介電率材料 相異的絕緣材料且加以硬化的工程、 和經由硏磨使塡充在前述導體圖案之表面和該導體圖 案間之凹部且被硬化的絕緣材料表面平坦的工程、 和加熱積層具備有半硬化狀態的前述高介電率材料的 金屬箔的工程。

   25 .如申請專利範圍第24項所記載的多層配線板之 製造方法，其中，更包括利用蝕刻前述金屬箔，形成包括 前述電極另一方的導體圖案的工程。 26· —種多層配線板之製造方法，乃屬於具有由包括 複數個絕緣層、和複數個導體層、和電氣連接前述複數個 導體層之導體化的孔、和至少一層的前述絕緣層的介質常 數於25°C、1MHz中，爲20〜100的高介電率材料所形 成，在該絕緣層的上下面形成電極的電容器的多層配線板 之製造方法，其特徵爲： 導體圖案形成時，感光性光阻劑的圖案曝光面積爲i -5- (6)1225380 〜250cm2 /次，並在同一基板內進行多次曝光。 27·如申請專利範圍第26項所記載的多層配線板之 製造方法，其中，前述電極具有1〜18 μιη厚，且於包含 該電極的導體圖案形成時進行前述的多次曝光。 2 8 ·如申請專利範圍第2 6項或第2 7項所記載的多層 配線板之製造方法，其中，於感光性光阻劑圖案曝光時使 用由無機物製成的光罩。 29.如申請專利範圍第26項或第27項所記載的多層 配線板之製造方法’其中，蝕刻除去導體層不要的部分而 形成包括前述電極的導體圖案。 3〇·如申請專利範圍第24項至第27項的任一項所記 載的多層配線板之製造方法，其中，更包括至少在一個導 體層形成電感的工程。 31. —種半導體裝置， 在如申請專利範圍第1 的多層配線板上，或是經如 項的任一項所記載的製造方 導體晶片。 32·—種無線電子裝慶 搭載如申請專利範圍第 其特徵爲： 項至第23項的任一項所記載 _請專利範圍第24項至第30 法製造的多層配線板上搭載半 ’其特徵爲： 3 1項所記載的半導體裝置。