JP3372050B2 - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
多層配線基板およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低温焼成多層配線基板
とその製造方法とに関する。
とその製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路の高密度化や多機能化には、３
次元構造による基板の多層配線化が必要であり、多層配
線基板が多用されており、Ａｇ等の低抵抗導体材料が使
用可能な点で低温焼成多層配線基板が用いられている。
次元構造による基板の多層配線化が必要であり、多層配
線基板が多用されており、Ａｇ等の低抵抗導体材料が使
用可能な点で低温焼成多層配線基板が用いられている。
【０００３】低温焼成多層配線基板は、主にグリーンシ
ート法により以下のように作製される。すなわち、ま
ず、ガラス粉と耐火セラミック粉とのガラスコンポジッ
トか、結晶化ガラス粉を用意し、これにバインダ樹脂、
溶剤等を加えてスラリー化し、シート状に成形し、これ
を乾燥して絶縁材料のグリーンシートを得る。次に、こ
のグリーンシートに表裏接続用のスルーホールをパンチ
ングし、シート上に導体ペーストを印刷するとともに、
スルーホールにも導体ペーストを充填する。その後、複
数のシートを位置合わせして積層し、加熱プレスして一
体化し、１０００℃程度以下で焼成する。
ート法により以下のように作製される。すなわち、ま
ず、ガラス粉と耐火セラミック粉とのガラスコンポジッ
トか、結晶化ガラス粉を用意し、これにバインダ樹脂、
溶剤等を加えてスラリー化し、シート状に成形し、これ
を乾燥して絶縁材料のグリーンシートを得る。次に、こ
のグリーンシートに表裏接続用のスルーホールをパンチ
ングし、シート上に導体ペーストを印刷するとともに、
スルーホールにも導体ペーストを充填する。その後、複
数のシートを位置合わせして積層し、加熱プレスして一
体化し、１０００℃程度以下で焼成する。
【０００４】ところで、多層配線基板の多機能化も要求
されており、コンデンサやインダクタ等の機能付加の要
求が強くなっている。コンデンサ内蔵多層配線基板に関
しては、特公平３−２０９１８号公報に、コンデンサ部
を基板厚さ方向のほぼ中央部に形成し、その上下に等し
い厚さの内部配線用セラミック層を形成する旨の提案が
ある。
されており、コンデンサやインダクタ等の機能付加の要
求が強くなっている。コンデンサ内蔵多層配線基板に関
しては、特公平３−２０９１８号公報に、コンデンサ部
を基板厚さ方向のほぼ中央部に形成し、その上下に等し
い厚さの内部配線用セラミック層を形成する旨の提案が
ある。
【０００５】この提案においては、低温焼成多層配線基
板であるか否かや、導体の種類について開示されていな
い。しかし、低温焼成基板において、Ａｇを主成分とす
る導体を用い、基板主面面積の４０％を超える大面積の
コンデンサ電極パターンを基板厚さ方向の中央部に設け
ると、反り等の変形が生じることが判明した。特に、焼
成時に高速昇温や、高速脱バインダを行うと、層間の剥
離や、クラックや、反り等の変形は顕著となる。
板であるか否かや、導体の種類について開示されていな
い。しかし、低温焼成基板において、Ａｇを主成分とす
る導体を用い、基板主面面積の４０％を超える大面積の
コンデンサ電極パターンを基板厚さ方向の中央部に設け
ると、反り等の変形が生じることが判明した。特に、焼
成時に高速昇温や、高速脱バインダを行うと、層間の剥
離や、クラックや、反り等の変形は顕著となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、Ａｇを主成分とする導体を用いた低温焼成多層配線
基板において、コンデンサ電極等の大面積導体パターン
を設けても、反り等の基板変形や、剥離、クラック等が
きわめて少ない多層配線基板と、その有利な製造方法と
を提供することにある。
は、Ａｇを主成分とする導体を用いた低温焼成多層配線
基板において、コンデンサ電極等の大面積導体パターン
を設けても、反り等の基板変形や、剥離、クラック等が
きわめて少ない多層配線基板と、その有利な製造方法と
を提供することにある。
【０００７】本発明者らは、大面積導体パターンを設け
るときの基板変形等の発生のメカニズムについて検討を
行った。その結果、以下の（ａ）〜（ｃ）の知見を得て
いる。
るときの基板変形等の発生のメカニズムについて検討を
行った。その結果、以下の（ａ）〜（ｃ）の知見を得て
いる。
【０００８】（ａ）脱バインダ時の問題
焼成は積層体をセッタ上に載置して行う。焼成の初期は
バインダ樹脂の熱分解除去を主眼とするが、この際バイ
ンダは積層体から均一には抜けず、内部のバインダの分
解が遅れる。この際、底部はセッタと接触しているた
め、脱バインダ中に、基板下方よりの非対称位置にバイ
ンダが多く残る非対称なバインダ分布を形成する。
バインダ樹脂の熱分解除去を主眼とするが、この際バイ
ンダは積層体から均一には抜けず、内部のバインダの分
解が遅れる。この際、底部はセッタと接触しているた
め、脱バインダ中に、基板下方よりの非対称位置にバイ
ンダが多く残る非対称なバインダ分布を形成する。
【０００９】バインダ分解に際しては寸法収縮をともな
い、非対称で不均一なバインダ分布を生じると、脱バイ
ンダ時に成形体に大きなストレスが加わり、反りや、剥
離や、クラックの原因となる。特に、この際、コンデン
サ電極や、さらにはアース導体、電源導体等の大面積の
導体パターンの存在は、これらを一層助長する。また、
高速脱バインダもこれらをさらに顕在化させる。
い、非対称で不均一なバインダ分布を生じると、脱バイ
ンダ時に成形体に大きなストレスが加わり、反りや、剥
離や、クラックの原因となる。特に、この際、コンデン
サ電極や、さらにはアース導体、電源導体等の大面積の
導体パターンの存在は、これらを一層助長する。また、
高速脱バインダもこれらをさらに顕在化させる。
【００１０】（ｂ）焼結開始前後の問題
導体にＡｇを用いると、昇温中にＡｇがグリーンシート
内に拡散していく。拡散したＡｇは、グリーンシート内
のガラスの軟化点を下げ、焼結開始温度を下げる。この
ため大面積のＡｇ導体パターンの存在は、その部分の焼
結を他より早め、結果として焼成完了後に変形を生じ
る。特にコンデンサ部のようにグリーンシート上下に大
面積パターンが存在するときには、その部分で顕著であ
る。
内に拡散していく。拡散したＡｇは、グリーンシート内
のガラスの軟化点を下げ、焼結開始温度を下げる。この
ため大面積のＡｇ導体パターンの存在は、その部分の焼
結を他より早め、結果として焼成完了後に変形を生じ
る。特にコンデンサ部のようにグリーンシート上下に大
面積パターンが存在するときには、その部分で顕著であ
る。
【００１１】（ｃ）グリーンシート作製時の問題
グリーンシートの作製に際しては、原料スラリーをキャ
リヤフィルム上に塗布しシート状に成形し、これを乾燥
する。この乾燥の際、バインダ樹脂が移動し、キャリヤ
フィルム側の樹脂量が減る。この結果、グリーンシート
の厚さ方向の成形密度が不均一となり、反り等の焼成変
形を生じる。
リヤフィルム上に塗布しシート状に成形し、これを乾燥
する。この乾燥の際、バインダ樹脂が移動し、キャリヤ
フィルム側の樹脂量が減る。この結果、グリーンシート
の厚さ方向の成形密度が不均一となり、反り等の焼成変
形を生じる。
【００１２】これら（ａ）〜（ｃ）の要因から、基板中
央に大面積Ａｇ導体パターンを設けると、各要因が助長
しあって各種基板欠陥を生じるものであると知見され
た。
央に大面積Ａｇ導体パターンを設けると、各要因が助長
しあって各種基板欠陥を生じるものであると知見され
た。
【００１３】ところで、（ａ）の対策としては脱バイン
ダ工程を長時間かけて行うことが考えられる。しかし、
この方法は量産性、コストアップの点できわめて不利で
実際的でない。
ダ工程を長時間かけて行うことが考えられる。しかし、
この方法は量産性、コストアップの点できわめて不利で
実際的でない。
【００１４】また、（ｂ）の対策としては、粗粒化する
などＡｇ粉体の活性を落としたり、シートのガラスの軟
化点をあげる等が考えられるが、導体抵抗を上昇させた
り、焼結性や焼結マッチング性を低下させ、実用化でき
ない。
などＡｇ粉体の活性を落としたり、シートのガラスの軟
化点をあげる等が考えられるが、導体抵抗を上昇させた
り、焼結性や焼結マッチング性を低下させ、実用化でき
ない。
【００１５】さらに（ｃ）の対策としては、グリーンシ
ートの表裏交互にパターンを印刷して、これを積層する
ことも考えられるが、表裏管理は量産上労力を要し、工
程増を招き実際的でない。
ートの表裏交互にパターンを印刷して、これを積層する
ことも考えられるが、表裏管理は量産上労力を要し、工
程増を招き実際的でない。
【００１６】また、積層体に荷重板を載せて焼成するこ
とも考えられるが、きわめて長時間の脱バインダ時間を
要し、荷重板と基板との離型性を考える必要があるな
ど、これも実際的でない。
とも考えられるが、きわめて長時間の脱バインダ時間を
要し、荷重板と基板との離型性を考える必要があるな
ど、これも実際的でない。
【００１７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記（ａ）〜（ｃ）の諸要因が互いに打ち消すような大
面積パターンの配置があるのではないかとの着想を持つ
に至り、実験の結果下記（１）〜（４）の本発明に到達
した。 （１） 絶縁材料とバインダとを含むグリーンシートに
導体材料のパターンを形成して積層し、１０００℃以下
で焼成して、複数の絶縁層間に導体パターンを形成した
多層配線基板において、前記導体パターンは、内部配線
パターンとそれより広巾の大面積導体パターンとを有す
るとともに、Ａｇを主成分とし、この大面積導体パター
ンは、前記主面の面積の３０％以上を占めるものであ
り、前記大面積導体パターンを、多層配線基板の一方の
主面から、基板の全厚ｔの０．１ｔ〜０．３５ｔの位置
の領域のみに設けられており、前記大面積パターンが中
央より下方に位置するようにして焼成する多層配線基
板。 （２） 前記大面積導体パターンは、２層以上の絶縁層
上に形成された複数のコンデンサ電極パターンである上
記（１）の多層配線基板。 （３） 前記絶縁材料は、ガラス粉と耐火セラミック粉
とを含むか、結晶化ガラス粉を含む上記（１）または
（２）の多層配線基板。 （４） 上記（１）〜（３）のいずれかの多層配線基板
を製造するに当たり、前記各グリーンシートの表面側に
前記パターンを形成し、各グリーンシートの表面と裏面
とが互いに接するように積層して、脱バインダ工程を経
て焼成する多層配線基板の製造方法。
上記（ａ）〜（ｃ）の諸要因が互いに打ち消すような大
面積パターンの配置があるのではないかとの着想を持つ
に至り、実験の結果下記（１）〜（４）の本発明に到達
した。 （１） 絶縁材料とバインダとを含むグリーンシートに
導体材料のパターンを形成して積層し、１０００℃以下
で焼成して、複数の絶縁層間に導体パターンを形成した
多層配線基板において、前記導体パターンは、内部配線
パターンとそれより広巾の大面積導体パターンとを有す
るとともに、Ａｇを主成分とし、この大面積導体パター
ンは、前記主面の面積の３０％以上を占めるものであ
り、前記大面積導体パターンを、多層配線基板の一方の
主面から、基板の全厚ｔの０．１ｔ〜０．３５ｔの位置
の領域のみに設けられており、前記大面積パターンが中
央より下方に位置するようにして焼成する多層配線基
板。 （２） 前記大面積導体パターンは、２層以上の絶縁層
上に形成された複数のコンデンサ電極パターンである上
記（１）の多層配線基板。 （３） 前記絶縁材料は、ガラス粉と耐火セラミック粉
とを含むか、結晶化ガラス粉を含む上記（１）または
（２）の多層配線基板。 （４） 上記（１）〜（３）のいずれかの多層配線基板
を製造するに当たり、前記各グリーンシートの表面側に
前記パターンを形成し、各グリーンシートの表面と裏面
とが互いに接するように積層して、脱バインダ工程を経
て焼成する多層配線基板の製造方法。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【作用】(i) 反りの減少
（ａ）の脱バインダ時の不均一なバインダ分解と、
（ｃ）のグリーンシート中のバインダの不均一分布は、
グリーンシートの表裏方向を揃えて積層して焼成する
と、セッタ側下方に凸の状態の反りを生じる。中心より
下方側の大面積Ａｇ導体パターンの存在は、（ｂ）の作
用によりこの反りを打ち消す。
（ｃ）のグリーンシート中のバインダの不均一分布は、
グリーンシートの表裏方向を揃えて積層して焼成する
と、セッタ側下方に凸の状態の反りを生じる。中心より
下方側の大面積Ａｇ導体パターンの存在は、（ｂ）の作
用によりこの反りを打ち消す。
【００２６】(ii)剥離・クラックの防止
（ａ）の脱バインダ時にバインダ樹脂の分解は基板全体
で均一には進行せず、図３に示されるように、基板のほ
ぼ下半分セッタ側にバインダ樹脂の未分解残留域が存在
する。残留域を図中斜線で示す。脱バインダ工程中期以
降にもこの残留域は縮小はせず、残留バインダ樹脂濃度
の低下の形でバインダ分解が進行する。このため残留域
の外縁部では脱バインダ行程中は常にバインダ樹脂の濃
度勾配が存在する。バインダ分解に伴ってセラミック成
形体の収縮があるため、濃度勾配は内部ストレスの原因
となり、図３に示されるバインダ残留域の外縁部（基板
中央付近とセッタ側基板下部）では脱バインダ工程中強
いストレスに曝される。この領域に大面積の導体パター
ンを設けると剥離、クラックが発生し易くなる。逆にこ
の領域（バインダ残留域の外縁部）を避ければ剥離、ク
ラックを防止できる。具体的には、基板の上部表面近く
（脱バインダ工程初期に急速に分解進行、以後低濃度）
および残留域内部（穏やかで均一に近い分解）になる。
ただし基板上部表面近くにＡｇ導体を大面積にわたって
設けると前述の基板反りの問題が生じる。
で均一には進行せず、図３に示されるように、基板のほ
ぼ下半分セッタ側にバインダ樹脂の未分解残留域が存在
する。残留域を図中斜線で示す。脱バインダ工程中期以
降にもこの残留域は縮小はせず、残留バインダ樹脂濃度
の低下の形でバインダ分解が進行する。このため残留域
の外縁部では脱バインダ行程中は常にバインダ樹脂の濃
度勾配が存在する。バインダ分解に伴ってセラミック成
形体の収縮があるため、濃度勾配は内部ストレスの原因
となり、図３に示されるバインダ残留域の外縁部（基板
中央付近とセッタ側基板下部）では脱バインダ工程中強
いストレスに曝される。この領域に大面積の導体パター
ンを設けると剥離、クラックが発生し易くなる。逆にこ
の領域（バインダ残留域の外縁部）を避ければ剥離、ク
ラックを防止できる。具体的には、基板の上部表面近く
（脱バインダ工程初期に急速に分解進行、以後低濃度）
および残留域内部（穏やかで均一に近い分解）になる。
ただし基板上部表面近くにＡｇ導体を大面積にわたって
設けると前述の基板反りの問題が生じる。
【００２７】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。図１には、本発明の多層配線基板１の１例
が示される。図１の多層配線基板１は、それぞれ導体パ
ターン３を有し、絶縁材料のグリーンシートから形成さ
れた６枚の絶縁層２を積層一体化して形成されている。
に説明する。図１には、本発明の多層配線基板１の１例
が示される。図１の多層配線基板１は、それぞれ導体パ
ターン３を有し、絶縁材料のグリーンシートから形成さ
れた６枚の絶縁層２を積層一体化して形成されている。
【００２８】この例では、最上層の直下３層の絶縁層２
には導体パターン３が、信号配線、コイル導体等の内部
配線パターン４として形成されている。そして、その下
の２層の絶縁層２上には、導体パターン３が、大面積導
体パターン５として形成されており、これらがコンデン
サ電極６１、６５を構成してコンデンサ部６が内蔵され
ている。
には導体パターン３が、信号配線、コイル導体等の内部
配線パターン４として形成されている。そして、その下
の２層の絶縁層２上には、導体パターン３が、大面積導
体パターン５として形成されており、これらがコンデン
サ電極６１、６５を構成してコンデンサ部６が内蔵され
ている。
【００２９】このような場合、大面積導体パターン５
は、通常１００〜２００μm 程度以下の内部配線パター
ンの配線巾より、概ね１０倍以上広いものである。また
大面積導体パターン６は、絶縁層全面に設けられていて
も、その一部に設けられていても、図示のように複数個
相互に離間部をもって設けられていてもよいが、その面
積の絶縁層１層当りの総計は、基板主面１１、１５の面
積の３０％以上、特に４０％以上存在することが好まし
い。このような場合、本発明の実効はきわめて高いもの
となる。なお、コンデンサ部６を一方の主面１５から
０．１ｔ〜０．４ｔの領域内に設ける場合、２層ないし
３層以上設けられる各コンデンサ電極層の１層あたりの
総計面積は、基板主面１１、１５の面積の９０％程度以
下であることが好ましい。
は、通常１００〜２００μm 程度以下の内部配線パター
ンの配線巾より、概ね１０倍以上広いものである。また
大面積導体パターン６は、絶縁層全面に設けられていて
も、その一部に設けられていても、図示のように複数個
相互に離間部をもって設けられていてもよいが、その面
積の絶縁層１層当りの総計は、基板主面１１、１５の面
積の３０％以上、特に４０％以上存在することが好まし
い。このような場合、本発明の実効はきわめて高いもの
となる。なお、コンデンサ部６を一方の主面１５から
０．１ｔ〜０．４ｔの領域内に設ける場合、２層ないし
３層以上設けられる各コンデンサ電極層の１層あたりの
総計面積は、基板主面１１、１５の面積の９０％程度以
下であることが好ましい。
【００３０】このような大面積導体パターン５は、基板
１の厚さをｔとしたとき、一方の主面１５から、０．１
ｔ〜０．４ｔ（有効数値１桁）、より好ましくは０．１
０ｔ〜０．３５ｔ（有効数字２桁）の位置に配置され
る。この領域に大面積導体パターン６を存在させずに他
の領域に存在させたときには、反り、剥離、クラックが
臨界的に増大してしまう。
１の厚さをｔとしたとき、一方の主面１５から、０．１
ｔ〜０．４ｔ（有効数値１桁）、より好ましくは０．１
０ｔ〜０．３５ｔ（有効数字２桁）の位置に配置され
る。この領域に大面積導体パターン６を存在させずに他
の領域に存在させたときには、反り、剥離、クラックが
臨界的に増大してしまう。
【００３１】また、大面積導体パターン５は、図示のコ
ンデンサ電極６１、６５のように、コンデンサ部６を構
成する１層あるいは２層以上の絶縁層２に、２層ないし
３層以上形成されているとき、本発明の欠陥防止効果は
倍加する。従って、コンデンサ部６、より具体的にはコ
ンデンサ部６のコンデンサ電極６１、６５の両最外面
が、一方の主面１５からともに０．１ｔ〜０．４ｔの領
域内に存在することが好ましい。
ンデンサ電極６１、６５のように、コンデンサ部６を構
成する１層あるいは２層以上の絶縁層２に、２層ないし
３層以上形成されているとき、本発明の欠陥防止効果は
倍加する。従って、コンデンサ部６、より具体的にはコ
ンデンサ部６のコンデンサ電極６１、６５の両最外面
が、一方の主面１５からともに０．１ｔ〜０．４ｔの領
域内に存在することが好ましい。
【００３２】このようにコンデンサ部６を一方の主面か
ら０．１ｔ〜０．４ｔの領域内に設けたときには本発明
の実効は生じるので、他の領域にさらにアース電極等の
大面積導体を配置することも許容される。ただし、一方
の主面１５から０．１ｔ未満までと、０．４ｔ超の領域
に存在する大面積導体パターンの総計面積は、０．１ｔ
〜０．４ｔの領域内の大面積パターンの総計面積の５０
％以下、特に０〜３０％とすることが好ましい。
ら０．１ｔ〜０．４ｔの領域内に設けたときには本発明
の実効は生じるので、他の領域にさらにアース電極等の
大面積導体を配置することも許容される。ただし、一方
の主面１５から０．１ｔ未満までと、０．４ｔ超の領域
に存在する大面積導体パターンの総計面積は、０．１ｔ
〜０．４ｔの領域内の大面積パターンの総計面積の５０
％以下、特に０〜３０％とすることが好ましい。
【００３３】このように、０．１ｔ〜０．４ｔの領域内
に大面積導体パターンを形成することにより、図１に示
されるように、その上方に、コイル、信号配線等の内部
配線パターン４を形成することができる。この結果、基
板主面面積を小さくすることができ、基板サイズが小型
化する。また、このようにコンデンサ部の上方にコイル
部を設ければ基板内にコンデンサ部とコイル部等とを並
列配置することがなくなるので、結果としてコイルの巻
きターン数を増加することもできる。また、コンデンサ
部の上方に信号配線部を設ければ、コンデンサ部に分断
されることなく、自由に信号配線を引き回すことがで
き、配線や回路設計上の自由度ができる。これらから、
特性の高い小型の配線基板が実現するという副次的な効
果も生じる。
に大面積導体パターンを形成することにより、図１に示
されるように、その上方に、コイル、信号配線等の内部
配線パターン４を形成することができる。この結果、基
板主面面積を小さくすることができ、基板サイズが小型
化する。また、このようにコンデンサ部の上方にコイル
部を設ければ基板内にコンデンサ部とコイル部等とを並
列配置することがなくなるので、結果としてコイルの巻
きターン数を増加することもできる。また、コンデンサ
部の上方に信号配線部を設ければ、コンデンサ部に分断
されることなく、自由に信号配線を引き回すことがで
き、配線や回路設計上の自由度ができる。これらから、
特性の高い小型の配線基板が実現するという副次的な効
果も生じる。
【００３４】本発明において導体材料は、比抵抗の小さ
いＡｇを主成分とする。Ａｇの融点は９６０℃であるの
で、焼成は１０００℃以下、特に８００〜９５０℃で焼
成を行うことが好ましい。Ａｇとしては、銀の含有量が
９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上の
純銀、あるいはこれに５重量％程度以下のＰｄ等を含有
させたものを用いることが好ましい。このように、特に
純銀を用いることにより比抵抗をきわめて小さくするこ
とができる。導体パターンの形成方法としては、導体ペ
ーストの印刷または転写を行う等の方法が一般的であ
る。
いＡｇを主成分とする。Ａｇの融点は９６０℃であるの
で、焼成は１０００℃以下、特に８００〜９５０℃で焼
成を行うことが好ましい。Ａｇとしては、銀の含有量が
９０重量％以上のもの、特に純度９９．９重量％以上の
純銀、あるいはこれに５重量％程度以下のＰｄ等を含有
させたものを用いることが好ましい。このように、特に
純銀を用いることにより比抵抗をきわめて小さくするこ
とができる。導体パターンの形成方法としては、導体ペ
ーストの印刷または転写を行う等の方法が一般的であ
る。
【００３５】導体ペーストにてパターンを形成する場
合、用いる銀粉等の導体粉の平均粒径（異方性のある時
には長軸径）は、０．５〜２０μm 程度とするのが好ま
しい。粒径が小さすぎると、導体ペースト中の無機成分
の含有量が低下し、緻密なパターンを形成できなくなっ
てくる。また粒径が大きすぎると、スクリーン印刷、転
写法等によるパターンの形成が困難となってくる。ま
た、銀粉の形状等には特に制約はないが、その一部また
は全部を鱗片状のものとしてもよい。導体ペースト中の
導体粉（銀粉）の含有量は、６０〜９０重量％、特に７
０〜８５重量％とするのが好ましい。含有量が少ない
と、比抵抗が減少したり、焼成後のパターンの一部が断
線したりする。また大きすぎると、ペーストの粘度が増
大し、パターン形成が困難となってくる。
合、用いる銀粉等の導体粉の平均粒径（異方性のある時
には長軸径）は、０．５〜２０μm 程度とするのが好ま
しい。粒径が小さすぎると、導体ペースト中の無機成分
の含有量が低下し、緻密なパターンを形成できなくなっ
てくる。また粒径が大きすぎると、スクリーン印刷、転
写法等によるパターンの形成が困難となってくる。ま
た、銀粉の形状等には特に制約はないが、その一部また
は全部を鱗片状のものとしてもよい。導体ペースト中の
導体粉（銀粉）の含有量は、６０〜９０重量％、特に７
０〜８５重量％とするのが好ましい。含有量が少ない
と、比抵抗が減少したり、焼成後のパターンの一部が断
線したりする。また大きすぎると、ペーストの粘度が増
大し、パターン形成が困難となってくる。
【００３６】導体ペーストには、ガラスフリットを添加
することもできる。導体ペーストに含有させるガラスフ
リットは、７００〜８５０に軟化点を有するガラスを用
いることが好ましい。用いるガラスフリットの組成には
特に制限はないが、特に下記の組成が好ましい。
することもできる。導体ペーストに含有させるガラスフ
リットは、７００〜８５０に軟化点を有するガラスを用
いることが好ましい。用いるガラスフリットの組成には
特に制限はないが、特に下記の組成が好ましい。
【００３７】
ＳｉＯ2 ：５０〜７０重量％
Ａｌ2 Ｏ3 ：６〜１０重量％
アルカリ土類金属酸化物の１種以上：１８〜３０重量％
【００３８】この場合、アルカリ土類金属酸化物として
は、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯの１種〜３種が好まし
い。またＺｒＯ2 等が含有されていてもよい。ガラスフ
リットの平均粒径には特に制限はないが、通常、０．５
〜２．０μm 程度のものを用いる。
は、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯの１種〜３種が好まし
い。またＺｒＯ2 等が含有されていてもよい。ガラスフ
リットの平均粒径には特に制限はないが、通常、０．５
〜２．０μm 程度のものを用いる。
【００３９】導体ペースト中のガラスフリットの含有量
は１〜１０重量％が好ましい。また、ガラスフリット
は、導体粉に対して２〜１０重量％含まれることが好ま
しい。導体ペーストには、銀粉等の導体粉とガラスフリ
ットの他、ビヒクルが含まれる。ビヒクルとしては、エ
チルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹
脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオ
ール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテ
ート等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が
挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜
選択される。ビヒクルの添加量は、ペースト中、１０〜
２０重量％程度とすることが好ましい。
は１〜１０重量％が好ましい。また、ガラスフリット
は、導体粉に対して２〜１０重量％含まれることが好ま
しい。導体ペーストには、銀粉等の導体粉とガラスフリ
ットの他、ビヒクルが含まれる。ビヒクルとしては、エ
チルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹
脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオ
ール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテ
ート等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が
挙げられ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜
選択される。ビヒクルの添加量は、ペースト中、１０〜
２０重量％程度とすることが好ましい。
【００４０】このような導体ペーストは焼成後の厚さが
５〜２０μm 程度、特に８〜１５０μm 程度となるよう
に成膜することが好ましい。成膜方法は公知のスクリー
ン印刷法、転写法などによればよい。なお、大面積導体
パターン以外の内部配線パターンの配線巾は１００〜２
００μm 程度である。
５〜２０μm 程度、特に８〜１５０μm 程度となるよう
に成膜することが好ましい。成膜方法は公知のスクリー
ン印刷法、転写法などによればよい。なお、大面積導体
パターン以外の内部配線パターンの配線巾は１００〜２
００μm 程度である。
【００４１】導体ペーストのパターンを形成するグリー
ンシートは、第１の態様では、絶縁材料として、ガラス
と、酸化物の耐火セラミックとを含有する。酸化物耐火
セラミックとしては、例えばＡｌ2 Ｏ3 、Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、Ｃａ2 Ｎｂ2
Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、Ｓｒ
2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＳｒＳｎ
Ｏ3 等の１種以上を挙げることができる。この場合、用
いる酸化物は、化学量論組成から多少偏倚した組成であ
ってもよく、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは
偏倚した組成のもの同志の混合物であってもよい。
ンシートは、第１の態様では、絶縁材料として、ガラス
と、酸化物の耐火セラミックとを含有する。酸化物耐火
セラミックとしては、例えばＡｌ2 Ｏ3 、Ｒ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 （Ｒはランタノイド元素の１種以上）、Ｃａ2 Ｎｂ2
Ｏ7 、ＭｇＴｉＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 ・ＴｉＯ2 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、Ｓｒ
2 Ｎｂ2 Ｏ7 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、ＳｒＳｎ
Ｏ3 等の１種以上を挙げることができる。この場合、用
いる酸化物は、化学量論組成から多少偏倚した組成であ
ってもよく、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは
偏倚した組成のもの同志の混合物であってもよい。
【００４２】グリーンシート中の酸化物セラミックの含
有量は２０〜４０重量％とするのが好ましい。多すぎる
と焼結性が悪化してくる。また、少なすぎると誘電体基
板の抗析強度が低下してくる。また酸化物セラミック粉
の平均粒径は０．５〜３μm程度が好ましい。平均粒径
が小さすぎると、シート形成が困難となり、また大きす
ぎると強度不足となってくる。
有量は２０〜４０重量％とするのが好ましい。多すぎる
と焼結性が悪化してくる。また、少なすぎると誘電体基
板の抗析強度が低下してくる。また酸化物セラミック粉
の平均粒径は０．５〜３μm程度が好ましい。平均粒径
が小さすぎると、シート形成が困難となり、また大きす
ぎると強度不足となってくる。
【００４３】ガラス粉としては、軟化点が７００〜８０
０℃程度のガラスを用いることが好ましい。軟化点が高
すぎると、好適温度での焼成が困難となり、軟化点が低
すぎると、シート成形時のバインダーが抜けにくく、絶
縁性に問題が出る。
０℃程度のガラスを用いることが好ましい。軟化点が高
すぎると、好適温度での焼成が困難となり、軟化点が低
すぎると、シート成形時のバインダーが抜けにくく、絶
縁性に問題が出る。
【００４４】用いるガラス粉の組成に特に制限はない
が、前記の範囲の焼成温度で高強度のグリーンシートが
得られる等の点から下記の組成が好ましい。
が、前記の範囲の焼成温度で高強度のグリーンシートが
得られる等の点から下記の組成が好ましい。
【００４５】
ＳｉＯ2 ：５０〜７０重量％
Ａｌ2 Ｏ3 ：６〜１０重量％
アルカリ土類金属酸化物の１種以上：１８〜３０重量％
Ｂ2 Ｏ3 ：０〜５重量％
【００４６】アルカリ土類金属酸化物としては、Ｓｒ
Ｏ、ＣａＯおよびＭｇＯの１種以上、特に前記３種を併
用することが好ましい。
Ｏ、ＣａＯおよびＭｇＯの１種以上、特に前記３種を併
用することが好ましい。
【００４７】また、ガラスの平均粒径にも特に制限はな
いが通常成形性等を考慮して１〜３μm 程度のものを用
いる。グリーンシート中のガラスの含有量は４０〜６０
重量％とするのが好ましい。含有量が少なすぎると焼結
性が悪化し、多すぎると抗析強度が低下してくる。
いが通常成形性等を考慮して１〜３μm 程度のものを用
いる。グリーンシート中のガラスの含有量は４０〜６０
重量％とするのが好ましい。含有量が少なすぎると焼結
性が悪化し、多すぎると抗析強度が低下してくる。
【００４８】絶縁材料としては、熱処理により微結晶が
析出する結晶化ガラスを用いることもできる。この場合
には、アノーサイト（ＣａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ8 ）、セルジ
アン（ＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ8 ）、ネフェリン（ＮａＡｌ
ＳｉＯ4 ）、スフェン（ＣａＴｉＳｉＯ5 ）、コージェ
ライト（Ｍｇ2 Ａｌ2 Ｓｉ5 Ｏ15）、スポジュメン（Ｌ
ｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）等のケイ酸塩あるいはアルミノケイ
酸塩を析出するガラス組成物を用いる。
析出する結晶化ガラスを用いることもできる。この場合
には、アノーサイト（ＣａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ8 ）、セルジ
アン（ＢａＡｌ2 Ｓｉ2 Ｏ8 ）、ネフェリン（ＮａＡｌ
ＳｉＯ4 ）、スフェン（ＣａＴｉＳｉＯ5 ）、コージェ
ライト（Ｍｇ2 Ａｌ2 Ｓｉ5 Ｏ15）、スポジュメン（Ｌ
ｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）等のケイ酸塩あるいはアルミノケイ
酸塩を析出するガラス組成物を用いる。
【００４９】このような誘電体材料は、焼結前にビヒク
ルを加えてスラリーとされる。ビヒクルとしては、エチ
ルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹
脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオ
ール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテ
ート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等
の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げら
れ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、酸化物セラミックとガラス
の合計量あるいは結晶化ガラス１００重量部に対し、６
５〜８５重量％程度とすることが好ましい。
ルを加えてスラリーとされる。ビヒクルとしては、エチ
ルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹
脂、ブチルメタアクリレート等のバインダ、テルピネオ
ール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテ
ート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン等
の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げら
れ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜選択さ
れる。ビヒクルの添加量は、酸化物セラミックとガラス
の合計量あるいは結晶化ガラス１００重量部に対し、６
５〜８５重量％程度とすることが好ましい。
【００５０】本発明の多層配線基板は、以下のようにし
て製造される。まず、前述の導体ペーストを作製する。
同時に、前述のスラリーを用い、例えばドクターブレー
ド法により、絶縁材料のグリーンシートを所定枚数作製
する。次いで、グリーンシート上にパンチングマシーン
や金型プレスを用いてスルーホールを形成し、その後、
導体ペーストを各グリーンシート上に、例えばスクリー
ン印刷法により印刷し、所定の導体パターンもを形成す
るとともに、これをスルーホール内に充填する。このよ
うな場合、通常は、基板ごとのパターンを複数個アレイ
状に配列したパターンを大寸法のグリーンシート上に形
成する。
て製造される。まず、前述の導体ペーストを作製する。
同時に、前述のスラリーを用い、例えばドクターブレー
ド法により、絶縁材料のグリーンシートを所定枚数作製
する。次いで、グリーンシート上にパンチングマシーン
や金型プレスを用いてスルーホールを形成し、その後、
導体ペーストを各グリーンシート上に、例えばスクリー
ン印刷法により印刷し、所定の導体パターンもを形成す
るとともに、これをスルーホール内に充填する。このよ
うな場合、通常は、基板ごとのパターンを複数個アレイ
状に配列したパターンを大寸法のグリーンシート上に形
成する。
【００５１】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Kgf/cm2)を
加えてグリーンシートの積層体とし、脱バインダー処
理、切断用溝の形成等を行う。この後、グリーンシート
の積層体を通常空気中で、前記の温度で焼成、一体化す
る。そして、これを通常チップ化して多層配線基板を得
る。そして、必要に応じ外部導体用ペーストを印刷し、
焼成して外部導体を形成する。
プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Kgf/cm2)を
加えてグリーンシートの積層体とし、脱バインダー処
理、切断用溝の形成等を行う。この後、グリーンシート
の積層体を通常空気中で、前記の温度で焼成、一体化す
る。そして、これを通常チップ化して多層配線基板を得
る。そして、必要に応じ外部導体用ペーストを印刷し、
焼成して外部導体を形成する。
【００５２】このような場合、グリーンシートにスクリ
ーン印刷等する際には、キャリヤフィルムにてグリーン
シートを支持した状態で、その表面に導体ペーストのパ
ターンを形成する。そして、キャリヤフィルムより剥離
した後、各グリーンシートの表面と、キャリヤフィルム
側裏面とが互いに接するように、その表裏方向を揃えて
積層する。このようにすれば、シートの表裏管理が不要
となり、量産上きわめて有利である。また、Ａｇによる
セッタ汚染もなくなる。
ーン印刷等する際には、キャリヤフィルムにてグリーン
シートを支持した状態で、その表面に導体ペーストのパ
ターンを形成する。そして、キャリヤフィルムより剥離
した後、各グリーンシートの表面と、キャリヤフィルム
側裏面とが互いに接するように、その表裏方向を揃えて
積層する。このようにすれば、シートの表裏管理が不要
となり、量産上きわめて有利である。また、Ａｇによる
セッタ汚染もなくなる。
【００５３】焼成は、積層体をセッタ上に載置して行
う。この場合、焼成に際しては、前記の大面積導体パタ
ーン５が０．１ｔ〜０．４ｔに位置する側の主面１５側
をセッタ側に置く。従って、焼成の際にコンデンサ部６
等の大面積導体パターン５が中心より下方に位置しさえ
すれば、積層の際の積層順は、コンデンサ部６が上方側
に位置してもよい。このようにして、荷重板を必要とす
ることなく、高速の脱バインダと昇温を行っても、欠陥
のない基板を得ることができる。
う。この場合、焼成に際しては、前記の大面積導体パタ
ーン５が０．１ｔ〜０．４ｔに位置する側の主面１５側
をセッタ側に置く。従って、焼成の際にコンデンサ部６
等の大面積導体パターン５が中心より下方に位置しさえ
すれば、積層の際の積層順は、コンデンサ部６が上方側
に位置してもよい。このようにして、荷重板を必要とす
ることなく、高速の脱バインダと昇温を行っても、欠陥
のない基板を得ることができる。
【００５４】なお、焼成は空気中にて、前記の焼成温度
で５分〜１５分間保持することによればよく、また脱バ
インダ工程の昇温スピードは８〜１５℃／分、その他の
昇温スピードは１５〜２０℃／分程度とすればよい。
で５分〜１５分間保持することによればよく、また脱バ
インダ工程の昇温スピードは８〜１５℃／分、その他の
昇温スピードは１５〜２０℃／分程度とすればよい。
【００５５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ本発明を
さらに詳細に説明する。 実施例１ 純度９９．９％、平均粒径１μm の銀粉９２．７重量
％、平均粒径１μm の球状Ｐｄ粉０．９４重量％および
ガラス粉６．４重量％を用意した。ガラス粉としては、
ＳｉＯ2 ：５３．０５重量％、ＳｒＯ：３６．０４重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１０．９１重量％の組成の平均粒径１
μm のものを用いた。このガラスの軟化点は８４５℃で
ある。これらの混合物にビヒクルを添加し、３本ロール
で混練して内部導体ペーストとした。
さらに詳細に説明する。 実施例１ 純度９９．９％、平均粒径１μm の銀粉９２．７重量
％、平均粒径１μm の球状Ｐｄ粉０．９４重量％および
ガラス粉６．４重量％を用意した。ガラス粉としては、
ＳｉＯ2 ：５３．０５重量％、ＳｒＯ：３６．０４重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１０．９１重量％の組成の平均粒径１
μm のものを用いた。このガラスの軟化点は８４５℃で
ある。これらの混合物にビヒクルを添加し、３本ロール
で混練して内部導体ペーストとした。
【００５６】これとは別にガラス粒子６０重量％と、Ａ
ｌ2 Ｏ3 粒子４０重量％との絶縁材料を用意した。そし
てこの絶縁材料にビヒクル添加し、ボールミルで混合し
てスラリー化してスラリーを得た。ガラス粒子の組成
は、ＳｉＯ2 ：６２重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：４重量％、ＳｒＯ：１９重量％、ＣａＯ：４重
量％、ＭｇＯ：３重量％であり、軟化点は８１５℃であ
った。
ｌ2 Ｏ3 粒子４０重量％との絶縁材料を用意した。そし
てこの絶縁材料にビヒクル添加し、ボールミルで混合し
てスラリー化してスラリーを得た。ガラス粒子の組成
は、ＳｉＯ2 ：６２重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：４重量％、ＳｒＯ：１９重量％、ＣａＯ：４重
量％、ＭｇＯ：３重量％であり、軟化点は８１５℃であ
った。
【００５７】このスラリーを用い、ドクターブレード法
により、６５mm×５６mm、厚さ７０μm と１８０μm の
２種のグリーンシートを作製した。このグリーンシート
のうち１８０μm 厚１０枚と７０μm 厚１枚の計１１枚
を用いて、コンデンサ内蔵の多層配線基板用の積層体を
形成した。より具体的には、１８０μm 厚のグリーンシ
ートを１０枚用意し、このうち８枚の表面には、焼結後
のパターン巾が１００μm 、パターン面積計が基板主面
面積の１５％となるように内部配線パターンを形成し
た。また、このうち１枚は無印刷とした。さらに、この
うちの１枚と７０μm 厚のものには、その表面に、図１
に示されるようなコンデンサ電極６１、６５用の大面積
導体パターンを、その面積が、焼成チップ化後、基板主
面面積の６０％となるように形成した。なお、各導体パ
ターンの焼結後の厚さは１２μm とした。
により、６５mm×５６mm、厚さ７０μm と１８０μm の
２種のグリーンシートを作製した。このグリーンシート
のうち１８０μm 厚１０枚と７０μm 厚１枚の計１１枚
を用いて、コンデンサ内蔵の多層配線基板用の積層体を
形成した。より具体的には、１８０μm 厚のグリーンシ
ートを１０枚用意し、このうち８枚の表面には、焼結後
のパターン巾が１００μm 、パターン面積計が基板主面
面積の１５％となるように内部配線パターンを形成し
た。また、このうち１枚は無印刷とした。さらに、この
うちの１枚と７０μm 厚のものには、その表面に、図１
に示されるようなコンデンサ電極６１、６５用の大面積
導体パターンを、その面積が、焼成チップ化後、基板主
面面積の６０％となるように形成した。なお、各導体パ
ターンの焼結後の厚さは１２μm とした。
【００５８】そして、大面積導体パターン担持グリーン
シートのうち、下方に１８０μm 厚、上方に７０μm 厚
のものがくるように積層してコンデンサ部とし、これを
計８枚の１８０μm 厚の内部配線パターン担持グリーン
シート間の所定の位置に介在させ、最上層として無印刷
１８０μm 厚グリーンシートを積層して一体化した。こ
の際、当然のことながら、各グリーンシートの表裏を揃
えて積層を行った。
シートのうち、下方に１８０μm 厚、上方に７０μm 厚
のものがくるように積層してコンデンサ部とし、これを
計８枚の１８０μm 厚の内部配線パターン担持グリーン
シート間の所定の位置に介在させ、最上層として無印刷
１８０μm 厚グリーンシートを積層して一体化した。こ
の際、当然のことながら、各グリーンシートの表裏を揃
えて積層を行った。
【００５９】これにより、７０μm 厚のグリーンシート
で形成されるコンデンサ部が内蔵された積層体が形成さ
れたサンプルＣ〜Ｉを得た。表１には、サンプルＣ〜Ｉ
におけるコンデンサ部の７０μm 厚グリーンシートの積
層位置が示される。なお、上下する導体パターン間は所
定のスルーホールで接続した。
で形成されるコンデンサ部が内蔵された積層体が形成さ
れたサンプルＣ〜Ｉを得た。表１には、サンプルＣ〜Ｉ
におけるコンデンサ部の７０μm 厚グリーンシートの積
層位置が示される。なお、上下する導体パターン間は所
定のスルーホールで接続した。
【００６０】これとは別に、計９枚の１８０μm 厚の内
部配線パターン担持グリーンシートを積層した上に、上
記のコンデンサ部を積層したサンプルＢを得た。また、
計１０枚の１８０μm 厚の内部配線パターン担持グリー
ンシートを積層した上に、無印刷１８０μm 厚グリーン
シートを積層して、コンデンサ部を設けないサンプルＡ
も作製した。さらに、２枚の大面積導体パターン担持グ
リーンシートの厚さをともに７０μm として、これらを
積層した上に、８枚の内部配線パターン担持１８０μm
厚グリーンシートと、最上層無印刷１８０μm 厚グリー
ンシートを積層したサンプルＪを作製した。
部配線パターン担持グリーンシートを積層した上に、上
記のコンデンサ部を積層したサンプルＢを得た。また、
計１０枚の１８０μm 厚の内部配線パターン担持グリー
ンシートを積層した上に、無印刷１８０μm 厚グリーン
シートを積層して、コンデンサ部を設けないサンプルＡ
も作製した。さらに、２枚の大面積導体パターン担持グ
リーンシートの厚さをともに７０μm として、これらを
積層した上に、８枚の内部配線パターン担持１８０μm
厚グリーンシートと、最上層無印刷１８０μm 厚グリー
ンシートを積層したサンプルＪを作製した。
【００６１】このようにして積層体サンプルＡ〜Ｊを作
製した後、これを最下層がセッタに接するように載置し
て、空気中で焼成した。焼成温度プログラムは下記のと
おりである。
製した後、これを最下層がセッタに接するように載置し
て、空気中で焼成した。焼成温度プログラムは下記のと
おりである。
【００６２】
１００〜１５０℃ ９分
１５０〜３５０℃ １５分
３５０〜７００℃ １５分
７００〜９００℃ １５分
９００℃ １２分
９００℃〜室温 ３０分
【００６３】焼成後のサンプルＢ〜Ｃの厚さは１．４５
mmであり、各サンプルの横方向寸法は６０mmであった。
各サンプルをそのままの状態で平板上に載置し、基板の
反りを測定した。反り量ａは、図２に示されるように、
下に凸に反った場合、基板載置面から端部上端μm での
距離ａから、基板厚さｔを減じた値である。なお、下に
凸を正の符号、上に凸に反ったときは負の符号がつく。
各サンプル計２０個の平均反り量ａを表１に示す。
mmであり、各サンプルの横方向寸法は６０mmであった。
各サンプルをそのままの状態で平板上に載置し、基板の
反りを測定した。反り量ａは、図２に示されるように、
下に凸に反った場合、基板載置面から端部上端μm での
距離ａから、基板厚さｔを減じた値である。なお、下に
凸を正の符号、上に凸に反ったときは負の符号がつく。
各サンプル計２０個の平均反り量ａを表１に示す。
【００６４】次いで、各サンプルをチップ化して、多層
配線基板を得た。各基板端面の内部クラックの発生状態
を光学顕微鏡で観察した。基板サンプル１００個あたり
何個のサンプルに内部クラックが発生したかを表１に示
す。
配線基板を得た。各基板端面の内部クラックの発生状態
を光学顕微鏡で観察した。基板サンプル１００個あたり
何個のサンプルに内部クラックが発生したかを表１に示
す。
【００６５】また、各基板における下方大面積導体パタ
ーンの平均下面位置と、上方大面積導体パターンの平均
上面位置とを測定した。結果を表１に示す。
ーンの平均下面位置と、上方大面積導体パターンの平均
上面位置とを測定した。結果を表１に示す。
【００６６】
【表１】
【００６７】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。
明らかである。
【００６８】実施例２
絶縁材料を、ＳｉＯ2 ３５wt% 、ＣａＯ ６wt% 、Ｓ
ｒＯ ８wt% 、Ａｌ2Ｏ3 １２wt% 、ＺｒＯ2 １０w
t% 、ＰｂＯ ２６％、Ｂ2 Ｏ3 ３wt% の組成の結晶
化ガラスにかえた他は、実施例１と同様にして各サンプ
ルを作製した。結果を表２に示す。
ｒＯ ８wt% 、Ａｌ2Ｏ3 １２wt% 、ＺｒＯ2 １０w
t% 、ＰｂＯ ２６％、Ｂ2 Ｏ3 ３wt% の組成の結晶
化ガラスにかえた他は、実施例１と同様にして各サンプ
ルを作製した。結果を表２に示す。
【００６９】
【表２】
【００７０】表２に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【００７１】なお、実施例１、２において、焼成プログ
ラム中、１５０〜３５０℃の脱バインダ工程時間を１５
分から４０分にすると各サンプルともクラック発生率は
０／１００となり、反り量ａも半分以下となった。
ラム中、１５０〜３５０℃の脱バインダ工程時間を１５
分から４０分にすると各サンプルともクラック発生率は
０／１００となり、反り量ａも半分以下となった。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば、反りがきわめて小さ
く、クラックや剥離がきわめて少ない多層配線基板が短
い焼成時間で得られる。
く、クラックや剥離がきわめて少ない多層配線基板が短
い焼成時間で得られる。
【図１】本発明の多層配線基板の１例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】多層配線基板の反り量の測定方法を示す正面図
である。
である。
【図３】多層配線基板の焼成時のバインダ樹脂の分解状
況を説明するための図である。
況を説明するための図である。
１ 多層配線基板
２ 絶縁層
３ 導体パターン
４ 大面積導体パターン
５ 内部配線パターン
６ コンデンサ部
６１、６５ コンデンサ電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 林 克彦
東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ
ィーディーケイ株式会社内
(56)参考文献 特開 昭62−265795（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−121392（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−168705（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁材料とバインダとを含むグリーンシ
ートに導体材料のパターンを形成して積層し、１０００
℃以下で焼成して、複数の絶縁層間に導体パターンを形
成した多層配線基板において、 前記導体パターンは、内部配線パターンとそれより広巾
の大面積導体パターンとを有するとともに、Ａｇを主成
分とし、 この大面積導体パターンは、前記主面の面積の３０％以
上を占めるものであり、 前記大面積導体パターンを、多層配線基板の一方の主面
から、基板の全厚ｔの０．１ｔ〜０．３５ｔの位置の領
域のみに設けられており、 前記大面積パターンが中央より下方に位置するようにし
て焼成する多層配線基板。 - 【請求項２】 前記大面積導体パターンは、２層以上の
絶縁層上に形成された複数のコンデンサ電極パターンで
ある請求項１の多層配線基板。 - 【請求項３】 前記絶縁材料は、ガラス粉と耐火セラミ
ック粉とを含むか、結晶化ガラス粉を含む請求項１また
は２の多層配線基板。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの多層配線基板
を製造するに当たり、前記各グリーンシートの表面側に
前記パターンを形成し、各グリーンシートの表面と裏面
とが互いに接するように積層して、脱バインダ工程を経
て焼成する多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10922692A JP3372050B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10922692A JP3372050B2 (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 多層配線基板およびその製造方法 |
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| JPH05283864A JPH05283864A (ja) | 1993-10-29 |
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|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-04-02 JP JP10922692A patent/JP3372050B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05283864A (ja) | 1993-10-29 |
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