JP2002290040A

JP2002290040A - セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JP2002290040A
Application number: JP2001086034A
Authority: JP
Inventors: Seiichiro Hirahara; 誠一郎平原; Tatsuji Furuse; 辰治古瀬; Hideji Nakazawa; 秀司中澤; Akira Imoto; 晃井本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2002-10-04
Anticipated expiration: 2021-03-23
Also published as: JP4911829B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】平面方向での焼成収縮を抑制するとともに、焼
成に伴うクラック等の発生を抑制して、かつ寸法精度の
高い配線基板を安定に歩留りよく形成する。【解決手段】未焼成のセラミックシート1ａ〜１ｃに金
属粉末を含む導体材料を塗布して配線導体層３を形成し
たものを積層して積層成形体１０を作製し、この積層成
形体１０の少なくとも一方の表面に焼成温度で焼成収縮
しないセラミックシート４を積層し、セラミックシート
１ａ〜１ｃおよびセラミックシート４との積層体を所定
の焼成温度で焼成した後、セラミックシート４を除去す
る配線基板の製造方法において、セラミックシート１ａ
〜１ｃの積層成形体のセラミックシート４との積層界面
に形成される配線導体層３の面積を全体面積の７０％以
下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線導体層が表面
に形成されたセラミック配線基板において、平面方向で
の焼成収縮を抑制するとともに、焼成に伴うクラック等
の発生を抑制して、寸法精度の高い配線基板を安定に歩
留りよく形成するための製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】従来、セラミック配線基板は、例えば、ア
ルミナ等のセラミック層間にＷやＭｏ等の高融点金属か
らなる配線導体を形成して構成されており、その表面に
ＬＳＩ等の半導体素子を実装した配線基板として用いら
れてきた。

【０００３】近年、携帯電話をはじめとする移動体通信
等の発達及び普及に伴い、通信機器や電子機器等の小型
化、高機能化、低価格化、低電力化等が進められ、Ａｕ
やＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の低融点、低抵抗の導体材
料と、ガラスセラミックス等の低温焼成セラミックスに
より、共振器、コンデンサ、コイル、フィルタ等が形成
されたセラミック配線基板が用いられてきている。

【０００４】このような配線基板において、基板に形成
される素子は、セラミック絶縁層上に導体材料によって
形成される配線導体層や電極パッド等の寸法によって性
能が左右される。寸法精度を劣化させる要因としては、
焼成収縮率のバラツキが大きく、特に、低温焼成セラミ
ックスの焼成収縮率は、１３〜２０％程度と大きいた
め、収縮率のバラツキにより、寸法精度が著しく劣化す
る。

【０００５】そこで、近年においては、配線基板の未焼
成の積層成形体をＡｌ₂Ｏ₃基板等で挟持して焼成する加
圧焼成法（特開昭６２−２６０７７７号公報）や、未焼
成の積層成形体の表面に、この積層成形体の焼成温度で
は焼結しないセラミックシートを積層し、焼成後にそれ
を削り取る方法（特開平４−２４３９７８号公報）によ
って、配線基板のＸ−Ｙ方向における焼成収縮率をほと
んど零にし、焼成収縮率のバラツキによる寸法精度の劣
化を防止する方法が採用されてきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな収縮抑制方法において、未焼成のセラミックシート
の積層成形体の表面に導体ペーストなどの導体材料を塗
布して積層成形体と同時焼成によって配線導体層を形成
する場合、この積層成形体の表面に焼成温度では焼結し
ないセラミックシートを積層して焼成すると、配線導体
層の端部からセラミック層にクラックが生じやすいとい
った問題がある。

【０００７】特に、配線基板を量産する場合、一枚のセ
ラミックシートに同一パターンの回路を複数箇所に形成
し、その回路間に分割溝を設けておいて、焼成後に分割
溝にそって分割することによって、一度の焼成によって
複数の配線基板を作製することも行われているが、この
ような量産型の積層成形体の表面に焼成温度で焼成しな
いセラミックシートを積層して焼成する場合、上記のク
ラックの発生等によって歩留りが大きく低下し、さらに
は積層表面に配線導体層を形成することによって焼成収
縮の拘束力に部分的なバラツキが発生しやすくなり、そ
の結果、寸法精度に優れた良好な配線基板を得ることが
難しくなり、製造歩留りが低いという問題があった。

【０００８】本発明はこのような事情に鑑みて案出され
たものであり、平面方向での焼成収縮を抑制するととも
に、焼成に伴うクラック等の発生を抑制して、かつ寸法
精度の高い配線基板を安定に歩留りよく形成するための
セラミック配線基板の製造方法を提供することを目的と
するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のセラミック配線
基板の製造方法は、未焼成のセラミックシートＡを作製
する工程と、該セラミックシートＡに金属粉末を含む導
体材料を塗布して配線導体層を形成する工程と、配線導
体層を形成した前記未焼成セラミックシートＡを積層し
て積層成形体を作製する工程と、該積層成形体の少なく
とも一方の表面に焼成温度で焼成収縮しないセラミック
シートＢを積層する工程と、前記セラミックシートＡお
よびセラミックシートＢとの積層体を所定の焼成温度で
焼成する工程と、焼成後に前記セラミックシートＢを除
去する工程と、具備するものであって、前記セラミック
シートＡの積層成形体のセラミックシートＢとの積層界
面に形成される前記配線導体層の面積を全体面積の７０
％以下とすることによって、配線導体層の形成による焼
成収縮挙動への影響を抑制し、クラックなどの発生を防
止し、寸法精度の高い配線基板を歩留りよく製造するこ
とができる。

【００１０】なお、前記セラミックシートＢの焼成収縮
開始温度が焼成温度よりも高いことが寸法精度を高める
上で望ましい。

【００１１】また、生産性と歩留りを高めるために、前
記積層成形体は、製品個体を複数個含むことが望まし
く、前記積層成形体の少なくとも表面に、分割溝を形成
し、焼成後に分割溝に沿って分割することが望ましい。
その場合、前記積層成形体の外周に、分割しろが形成さ
れてなり、この分割しろの部分も含めてセラミックシー
トＢによって焼成を抑制されることが望ましく、その前
記分割しろの最小幅が、基板全体の対角線全長の５％以
上であることを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明のセラミック配線基板の製
造方法の一例の工程図を図１に示した。

【００１３】図１の製造方法によれば、まず、所定のセ
ラミック組成物に有機バインダーおよび溶剤とともに混
合してスラリーを調製し、このスラリーを用いて、周知
のドクターブレード法、圧延法等によってシート状に成
形して、図１（ａ）に示すように厚さ約５０〜５００μ
ｍの未焼成のセラミックシート１ａを作製する。そし
て、このセラミックシート１ａにレーザーやマイクロド
リル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの
貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビ
アホール導体２を形成する。

【００１４】導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ等の
金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機
バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセ
トンなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バイ
ンダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５．
０重量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１０
０重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合される
ことが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干の
ガラス成分等を添加してもよい。

【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、ビアホー
ル導体２を形成したセラミックシート１ａの表面に、配
線導体層３を形成して、ビアホール導体２および配線導
体層３を具備する一単位のセラミックシート１ａを形成
することができる。

【００１６】この配線導体層３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの
群から選ばれる少なくとも１種の金属粉末を含む導体材
料をペースト化したものを用いてスクリーン印刷法等に
より形成することができる。この導体材料中には、配線
導体層３とセラミック絶縁基板との界面における接合強
度を向上させるため、あるいは導体層３とセラミックシ
ート１ａとの焼結収縮率及び速度を一致させ配線基板の
変形を防止するために１０重量％以下のガラスを添加す
ることが望ましい。また、ペーストに用いるビヒクル中
のバインダーには、セラミックシート１ａと同様に窒素
雰囲気中での熱分解性に優れた前述したようなアクリル
系樹脂を用いるのがよい。

【００１７】また、この配線導体層３は焼成後の厚みが
３〜３０μｍ、特に１０〜２０μｍとなるような厚みで
印刷することが望ましい。

【００１８】そして、上記の図１（ａ）（ｂ）によって
形成されたセラミックシート１ａに対して、上記（ａ）
（ｂ）と同様にして作製された複数のセラミックシート
１ｂ〜１ｃを積層圧着して図１（ｃ）に示すような積層
成形体１０を形成する。セラミックシート１ａ〜１ｃの
積層には、積み重ねられたセラミックシート１に熱と圧
力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、
溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する
方法等が採用可能である。

【００１９】次に、セラミックシート１ａ〜１ｃの積層
体の焼成温度では焼結しない難焼結性のセラミック組成
物を用いてドクターブレード法や圧延法などによって、
前記セラミックシート１ａ〜１ｃと同一以上の大きさの
セラミックシート４（以下、単に拘束シート４とい
う。）を作製する。そして、図１（ｄ）に示すように、
この拘束シート４をセラミックシート１ａ〜１ｃの積層
成形体１０の両面又は片面に加圧積層する。

【００２０】そして、上記積層体を１００〜８５０℃、
特に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中
で加熱処理してセラミックシート１ａ〜１ｃ内やビアホ
ール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、セラ
ミックシート１ａ〜１ｃが焼結し得る温度、例えば、８
００〜１１００℃の酸化性または非酸化性雰囲気中で焼
成し、セラミックシートとともに導体層３やビアホール
導体２をも同時に焼成する。また、導体層３としてＣｕ
導体を用いる場合、非酸化性雰囲気で焼成し、導体層３
としてＡｇ導体を用いる場合、大気中等の酸化性雰囲気
で焼成することができる。

【００２１】かかる焼成によれば、セラミックシート１
ａ〜１ｃは、この焼成温度で焼結しない拘束シート４が
密着していることによって、Ｘ−Ｙ方向への焼成収縮が
抑制され、セラミックシート１ａ〜１ｃは厚さ方向（Ｚ
方向）にのみ焼成収縮する。

【００２２】そして、焼成後の積層体から、図１（ｅ）
に示すように、焼成後のセラミックシート１ａ〜１ｃの
積層体の最表面に形成された拘束シート４を超音波洗
浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サ
ンドブラスト、ウェットブラスト等で除去することによ
って配線基板を作製することができる。

【００２３】本発明によれば、上記のセラミック配線基
板の製造方法において、セラミックシート１ａ〜１ｃか
らなる積層成形体の最表面に形成された配線導体層３の
面積が、積層成形体の面積の７０％以下、特に６０％以
下であることが重要である。拘束シート４とセラミック
シート１ａ、１ｃとの積層界面においては、拘束シート
４によってセラミックシート１ａ、１ｃの面方向への焼
成収縮が拘束されているが、この拘束シート４とセラミ
ックシート１ａ、１ｃとの間に配線導体層３が存在する
場合、その部分における拘束シート４による拘束力は、
配線導体層３を形成していない領域と異なり、場合によ
っては拘束力が弱くなり、この拘束力の差によって配線
導体層３の端部からセラミックシート１ａ、１ｃにクラ
ック等の構造欠陥が生じ易くなる。これに対して、この
配線導体層３の面積を７０％以下とすることによって、
このようなクラックの発生を防止することができるとと
もに、拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの
積層界面における拘束力を均一化することができる。

【００２４】また、この拘束シート４とセラミックシー
ト１ａ、１ｃとの界面に存在する配線導体層３を焼成体
積収縮率が１５％以下の導体材料によって形成すること
が望ましい。これは、導体材料の焼成による体積収縮率
が１５％を超えると、導体材料自体のＸ−Ｙ方向の焼成
収縮が大きくなりすぎ、拘束シート４とセラミックシー
ト１ａ、１ｃとの界面におけるＸ−Ｙ方向の焼成収縮の
拘束力が不均一となり、配線導体層３の近傍のセラミッ
クシートにクラック等が生じやすくなったり、セラミッ
クシートが反るなどの問題が生じやすくなる。とりわ
け、基板の反り、歪みの観点から、導体材料の焼成によ
る体積収縮率は１０％以下であることが望ましい。

【００２５】また、本発明によれば、拘束力の均一化
と、拘束シートとの界面に形成される配線導体層付近で
のクラックの発生を抑制することができるために、１つ
の積層成形体内に、複数の製品個体が形成されており、
焼成後に各製品個体を分割する場合において、１つの積
層成形体から多くの良品となる製品を得ることができ
る。予め分割溝を形成し、焼成後に分割溝に沿って、分
割することによって一度の焼成処理によって複数個の配
線基板を作製する場合に有用である。

【００２６】即ち、図２の積層成形体の（ａ）平面図、
（ｂ）焼成時の状態を示す概略断面図に示すように、積
層成形体１０の表面や内部に、複数の同一の配線導体層
１１のパターンを形成し、そのパターン群の境界部に縦
横に分割溝１２を形成する。この分割溝１２は、研削加
工やプレス処理によって容易に形成することができる。
また、この分割溝１２は、製品となる領域の周囲に、分
割しろ１３が形成されていることが望ましい。この分割
しろ１３には、できる限り導体層を形成しないことが望
ましい。

【００２７】そして、図２（ｂ）に示すように、この表
面に分割溝１２を有する積層成形体１０の表面に、分割
しろ１３を含む積層成形体１０表面全体に拘束シート１
４を積層圧着して焼成することが望ましい。これによっ
て、配線導体層がない、あるいは非常に少ない分割しろ
１３と拘束シート１４が強固に結合するために、積層成
形体１０の周囲が拘束シート１４によって拘束されてい
るために、積層成形体１０全体の拘束力を均一化するこ
とができる。なお、分割しろ１３による拘束力の均一化
を図る上で、分割しろ１３の幅Ｘは、積層成形体１０の
対角線全長Ｌの５％以上、特に１０％以上の幅を有する
ことが望ましい。

【００２８】また、分割溝１２による製品となる配線基
板の配置は、Ｘ軸−Ｙ軸方向に均等に配置することが拘
束力の均一性の点殻望ましく、例えば、２×２、３×
３、４×４・・・のｎ×ｎの配列にて配置することが望
ましい。

【００２９】本発明において、配線基板のセラミックシ
ートを形成するセラミック組成物としては、銅、銀等の
低抵抗導体によって回路形成ができるとともに、概して
誘電率が低い等の長所から、８００〜１０５０℃の低温
で焼結可能な低温焼成セラミック組成物が好適に用いら
れる。このような低温焼成セラミック組成物としては、
例えばガラス成分、あるいはガラス成分とセラミックフ
ィラー成分との混合物が用いられる。

【００３０】用いられるガラス成分としては、少なくと
もＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ ₃、ＺｎＯ、Ｐｂ
Ｏ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のう
ちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例え
ば、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−
ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎ
を示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、
Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げら
れる。

【００３１】また、これらのガラスは焼成処理すること
によっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によ
って、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバ
ライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、
アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、デ
ィオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイ
ト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１
種を析出するものが用いられる。

【００３２】また、セラミックフィラー成分としては、
クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ₂や、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンス
タタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少な
くとも１種が好適に用いられる。

【００３３】上記ガラス成分とセラミックフィラー成分
とは、ガラス成分１０〜９０体積％、特に５０〜８０体
積％と、セラミックフィラー成分１０〜９０体積％、特
に２０〜５０体積％の割合で混合したものが用いられ
る。

【００３４】また、他の低温焼成セラミック組成物とし
ては、ガラス成分を用いずに、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属
酸化物、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏなどのアルカリ金属酸化物な
どを混合した公知の低温焼成セラミック組成物を用いる
こともできる。

【００３５】上記セラミック組成物を用いて積層成形体
を形成する方法として、前述したように、複数のセラミ
ックシートを作製し、それらを積層して形成する以外
に、所定の支持基板上にセラミック組成物と光硬化性樹
脂を含有するスリップ材を塗布乾燥し、露光して硬化さ
せてセラミックシートを形成し、このセラミックシート
の表面に導体材料を塗布形成して配線導体層を形成し、
これを複数繰り返すことによって積層成形体を作製する
こともできる。

【００３６】また、本発明の配線基板の製造方法におい
て用いられる拘束シート４は、難焼結性セラミック材料
を主体とするセラミック組成物に、有機バインダー、可
塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得
られる。難焼結性セラミック材料としては、焼成収縮開
始温度が焼成温度よりも高いことが望ましく、具体的に
は焼成収縮開始温度が１０５０℃以上のセラミック組成
物から構成される。例えば、具体的には平均粒径１〜２
０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ ₂、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ₂、ＢＮ、ＴｉＯ₂の群から選ばれる少なくと
も１種および／またはこれらの複合酸化物（Ｍｇ₂Ｓｉ
Ｏ₄ _、ＭｇＳｉＯ₃など）の粉末が挙げられる。また、有
機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはセラミックシー
トに配合されたものと同じもの、具体的にはアクリル系
バインダー、ジブチルフタレート等の可塑剤、イソプロ
ピルアルコール、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適
に使用できる。

【００３７】また、上記のセラミック組成物中には、ガ
ラス成分を０．５〜１５重量％添加することによって積
層成形体の表面との拘束力を高めることができる。用い
るガラス成分としては、セラミックシート１からの有機
成分の除去性、セラミックシート１と拘束シート４との
接着性を高める上で、ガラス軟化点が焼成温度以下で、
かつ拘束シート４中の有機成分の分解揮散温度よりも高
いこと、特に４５０〜１０５０℃程度であることが好ま
しい。

【００３８】また、セラミックシート１を焼成した後の
焼結体と拘束シート４との４０〜４００℃における平均
熱膨張係数差（以下、単に平均熱膨張係数差と略す。）
が３×１０^-6／℃以下、特に２×１０^-6／℃以下である
ことが望ましく、特に拘束シート４の熱膨張係数が焼結
体の熱膨張係数よりも大きいことが望ましい。これによ
って焼成後の冷却時に拘束シート４接着面付近にクラッ
クや剥離が発生したり、またはセラミック焼結体内にク
ラックが発生するのを防止することができる。拘束シー
ト４の熱膨張係数は、難焼結性セラミック材料およびガ
ラスの種類および粉末の粒径等を変えることによって容
易に調整することができる。

【００３９】上記方法によって得られる配線基板は、焼
成時の収縮が拘束シート４によって厚さ方向だけに制御
されているので、その積層成形体のＸ−Ｙ方向の面内の
収縮率を、例えば、積層成形体が矩形形状の場合には、
一辺の長さの収縮率を０．５％以下に抑えることが可能
となり、しかもセラミックセラミックシート１は拘束シ
ート４によって全面にわたって均一にかつ確実に結合さ
れているので、拘束シート４の一部剥離等によって反り
や変形が起こるのを防止し、寸法精度の高い配線基板を
安定に且つ歩留りよく製造することができる。

【００４０】

【実施例】モル比で０．９２ＭｇＴｉＯ₃−０．０８Ｃ
ａＴｉＯ₃の主成分１００重量部に対して、Ｂ₂Ｏ₃１４
重量部、Ｌｉ₂ＣＯ₃７重量部、ＳｉＯ₂０．０１重量
部、ＢａＯ１．６重量部、Ａｌ₂Ｏ₃０．５重量部、Ｍｎ
Ｏ₂１．５重量部添加したセラミック組成物を用いて、
有機バインダーを加えてスラリーを調製し、ドクターブ
レード法によって厚さ２５０μｍ、焼成収縮開始温度が
８３０℃の未焼成のセラミックシートＡを作製した。

【００４１】上記のセラミックシートＡの表面に、Ａｇ
およびガラスと、有機バインダーと分散剤および溶剤か
らなる導体ペーストを用いて、所定の回路パターンにス
クリーン印刷した。なお、この導体ペーストの焼成温度
での焼成収縮率を測定した結果、８％であった。そし
て、このセラミックセラミックシートを積層して積層成
形体を作製した。

【００４２】この時、導体ペーストによる拘束シートと
接する積層成形体表面の配線導体層の面積を積層成形体
の表面全体に対する比率を表１のように種々変えた。

【００４３】なお、この積層成形体表面の回路は、縦方
向に３個、横方向に３個並ぶように製品個体の個々の回
路を形成し、積層成形体の製品個体間には分割溝を金型
プレスを用いて形成した。また、積層成形体の周囲に
は、積層成形体の対角線全長の０〜２０％の幅の分割し
ろを形成した。

【００４４】一方、拘束シートとして、平均粒径２μｍ
のＡｌ₂Ｏ₃粉末を主成分とするセラミック組成物を用い
てを用いて、有機バインダーを加えてスラリーを調製
し、ドクターブレード法によって厚さ２００μｍ、焼成
収縮開始温度が１５００℃の未焼成のセラミックシート
Ｂを作製した。

【００４５】そして、上記の積層成形体の上面、下面に
セラミックシートＢを積層圧着した後、１５０〜３００
℃で脱バインダー処理した後、大気中で９１０℃で１時
間焼成した。その後、ブラシを用いてセラミックシート
Ｂを掻き落として除去した。

【００４６】そして、分割溝に沿って基板を分割して１
枚の基板から９枚の配線基板を得た。

【００４７】一方、比較として、焼成収縮挙動が異なる
層に、ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＢａＯ−
Ｂ₂Ｏ₃ガラスとＺｒＯ₂或いはＡｌ₂Ｏ₃から成る平均粒
径が約１μｍのセラミック材料を用いて同様に作製し
た。

【００４８】作製した配線基板に対して、面方向の収縮
率（Ｘ、Ｙ方向の収縮率の平均値）を測定し、試験数９
０個に対して、収縮率が０．５％以下のものを良品とし
てその良品率を表１に示した。

【００４９】また、配線基板の反りについて、個々の配
線基板について表面粗さ計で基板表面の表面粗さを測定
し、最大最小の差を反りとして試験数９０個の平均値を
表１に記載した。

【００５０】また、個々の配線基板の側面、表面、ある
いは研磨して研磨面を金属顕微鏡あるいは走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）によってクラックの有無を調べ、クラッ
クの発生率を表１に示した。

【００５１】

【表１】

【００５２】表１に示したこれらの結果から、本発明に
基づいた配線基板は、クラックがなく、あるいは反り
（平坦性）に問題なく、焼成収縮率を小さく出来ること
が判る。一方、本発明の範囲外である積層界面に形成さ
れた配線導体層の面積が、全体面積の７０％よりも大き
い配線基板にはクラックが生じたり、反りが大きい、あ
るいは収縮が大きく、良品率が低下した。

【００５３】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、拘束シー
トによって積層成形体の平面方向の焼成収縮を抑制しな
がら焼成するにあたり、界面に存在する配線導体層の面
積を制御することによって、クラックの発生や剥離など
の発生を抑制しつつ、１つの基板から複数個の製品個体
となる配線基板を作製する場合においても拘束力の均一
化を図り、良品率の高い歩留りの高い寸法精度に優れた
配線基板を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック配線基板の製造方法を説明
するための工程図である。

【図２】本発明のセラミック配線基板を１枚の基板から
複数の配線基板を得る場合の（ａ）積層成形体の平面図
と、（ｂ）焼成時の状態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ａ〜１ｃセラミックシート２ビアホール導体３配線導体層４拘束シート１０積層成形体１１配線導体層１２分割溝１３分割しろ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井本晃鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5E346 AA32 BB02 CC17 CC18 CC32 CC39 EE24 EE29 EE30 FF18 GG15 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】未焼成のセラミックシートＡを作製する工
程と、該セラミックシートＡに金属粉末を含む導体材料
を塗布して配線導体層を形成する工程と、配線導体層を
形成した前記未焼成セラミックシートＡを積層して積層
成形体を作製する工程と、該積層成形体の少なくとも一
方の表面に焼成温度で焼成収縮しないセラミックシート
Ｂを積層する工程と、前記セラミックシートＡおよびセ
ラミックシートＢとの積層体を所定の焼成温度で焼成す
る工程と、焼成後に前記セラミックシートＢを除去する
工程と、具備するセラミック基板の製造方法において、
前記セラミックシートＡの積層成形体のセラミックシー
トＢとの積層界面に形成される前記配線導体層の面積
が、全体面積の７０％以下であることを特徴とするセラ
ミック基板の製造方法。
【請求項２】前記セラミックシートＢの焼成収縮開始温
度が焼成温度よりも高いことを特徴とする請求項１記載
のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】前記積層成形体は、製品個体を複数個含む
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミ
ック基板の製造方法。
【請求項４】前記積層成形体の少なくとも表面の各製品
個体との境界に分割溝が形成されていることを特徴とす
る請求項３記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】前記積層成形体の外周に、分割しろが形成
されてなる請求項３または請求項４記載のセラミック基
板の製造方法。
【請求項６】前記分割しろの最小幅が、基板全体の対角
線全長の５％以上であることを特徴とする請求項５記載
のセラミック基板の製造方法。