JP2001185852A

JP2001185852A - 多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: JP2001185852A
Application number: JP36687599A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Onizuka; 克彦鬼塚; Tetsuya Kimura; 哲也木村; Hiromi Fujioka; ひろみ藤岡
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-12-24
Filing date: 1999-12-24
Publication date: 2001-07-06

Abstract

(57)【要約】【課題】微細配線化、低抵抗化を満足するとともに、絶
縁層面内方向への焼成収縮を抑制して寸法精度を高める
ことのできる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】（a）ガラス粉末および／またはセラミッ
ク粉末と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌのうち少なくとも1種の金
属を含有するグリーンシート１を作製する工程と、
（ｂ）グリーンシート１の表面に配線回路層６を形成す
る工程と、（ｃ）グリーンシート１を積層する工程と、
（ｄ）積層体５を加熱して前記金属の酸化反応により体
積膨張させるとともに焼成、緻密化する工程によって多
層配線基板を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板及び
半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】配線基板、例えば、半導体素子を収納する
パッケージに使用される多層配線基板として、比較的高
密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多用され
ている。この多層セラミック配線基板は、アルミナやガ
ラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形成され
たＷ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導体とか
ら構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティ
が形成され、このキャビティ内に半導体素子が収納さ
れ、蓋体によってキャビティを気密に封止されるもので
ある。

【０００３】近年、パッケージの小型化、高周波化に伴
い、配線導体のファインピッチ化が要求されており、絶
縁基板および配線回路層の寸法精度を高める方法が開発
されつつあり、例えば、特公昭６４−３３５５号公報、
特公平４−７０１２４号公報では、グリーンシート積層
体の最外層に前記積層体と反応しないプレートを重ね
て、前記積層体の積層方向、すなわち絶縁層面と垂直な
一軸方向に圧力を加えた状態で焼成することにより、絶
縁層の面内方向での収縮を抑制でき、結果的に絶縁基板
の面内方向の寸法精度を高める方法が提案されている。

【０００４】また、特開平７−８６７４３号公報には、
絶縁基板の焼成温度では焼結しない無機物のグリーンシ
ートを絶縁層積層体の両表面に積層して同時焼成し、絶
縁層面内方向の焼成収縮を拘束することにより、面内方
向に焼成収縮を抑制できることが開示されている。さら
に、同号公報には、導体配線層を金属箔にて形成し、絶
縁層のグリーンシート表面に転写法等を用いて被着形成
する方法が記載され、絶縁層と配線回路層である金属箔
との焼成収縮率を近似させることができることが提案さ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反応し
ないプレートを重ね、圧力を加えた状態で焼成する方法
では、絶縁基板全面に対して均一に圧力を加えることが
困難であるとともに、積層体の状態によって適正な圧力
が異なるため、圧力制御が難しく、圧力によっては焼成
後に絶縁基板が変形するという問題があった。また、こ
の方法では、加圧可能なバッチ式の焼成炉が必要である
ために、コストがかさみ、量産性が低下するという問題
もあった。

【０００６】一方、前述の両面に拘束シートを貼り合わ
せて焼成する方法では、焼結しない無機物をブラスト処
理等で除去する必要があるため、処理後の磁器強度の低
下、工程が増えることによるコスト増大等の問題があっ
た。

【０００７】また、いずれの方法においても、絶縁層積
層体の最外層のみが拘束されるために、該積層体を焼成
すると積層体の表層と内層で図４に示すような収縮差が
発生し、この収縮差によって表層に形成した配線回路層
と内層に形成した配線回路層とが位置ずれして、電気抵
抗が増大したり、場合によっては電気的接続が得られな
くなる恐れがあるという問題があった。

【０００８】従って、本発明は、ガラスおよび／または
セラミックスからなる絶縁層を積層して形成する多層配
線基板において、微細配線化、低抵抗化を満足するとと
もに、絶縁層面内方向への焼成収縮を抑制して寸法精度
を高めることのできる多層配線基板の製造方法を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記のよ
うな課題について鋭意検討した結果、少なくとも１層の
絶縁層を形成する原料中に、加熱によって酸化反応を起
こし体積膨張する金属を添加し、焼成時に該金属を酸化
反応させ体積膨張を生じせしめることによって該絶縁層
の焼成収縮を抑制でき、容易に前記絶縁層の寸法精度を
高めることができることを見出した。

【００１０】すなわち、本発明の多層配線基板の製造方
法は、（a）ガラス粉末および／またはセラミック粉末
と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌのうち少なくとも1種の金属を含
有するグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）前記グ
リーンシートの表面に配線回路層を形成する工程と、
（ｃ）前記グリーンシートを積層する工程と、（ｄ）該
積層体を加熱して前記金属の酸化反応により体積膨張さ
せるとともに、焼成、緻密化する工程とを具備すること
を特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の多層配線基板の他の製造方
法は、（ａ）ガラス粉末および／またはセラミック粉末
と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌのうち少なくとも1種の金属とを
含有する第１のグリーンシートと、ガラス粉末および／
またはセラミック粉末を含有する第２のグリーンシート
とを作製する工程と、（ｂ）前記第１および／または前
記第２のグリーンシートの表面に配線回路層を形成する
工程と、（ｃ）前記第１のグリーンシートと前記第２の
グリーンシートとを積層する工程と、（ｄ）該積層体を
加熱して前記金属の酸化反応により体積膨張させるとと
もに、焼成、緻密化することを特徴とするものである。

【００１２】ここで、前記（ｃ）工程において、少なく
とも前記積層体のグリーンシートの最外層が前記第１の
グリーンシートからなるか、または、前記積層体のグリ
ーンシートのうち内部に位置する少なくとも１層が前記
第１のグリーンシートからなることが望ましい。

【００１３】また、前記配線回路層が、金属箔からなる
こと、該金属箔がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ
から選ばれる少なくとも一種以上であることが望まし
く、さらに、樹脂フィルム表面に配線回路層パターンを
形成し、前記第１または第２のグリーンシート表面の所
定位置に前記配線回路層パターンを圧接して前記樹脂フ
ィルムを剥がすことによって前記第１または第２のグリ
ーンシート表面の所定位置に前記配線回路層を被着形成
することが望ましい。

【００１４】さらに、前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程
との間に、前記グリーンシートにビアホール導体を形成
する工程を具備すること、前記ビアホール導体を金属粉
末を含有する導体ペーストをビアホール内に充填するこ
とによって形成するか、またはビアホール内に金属塊ま
たは金属球を埋め込むことによって前記ビアホール導体
を形成することが望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板の製造方法
における第１の実施態様について、図１の工程図に基づ
いて説明する。図１によれば、まず、ガラス粉末および
／またはセラミック粉末と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌの群から
選ばれる少なくとも１種の金属とを準備する。

【００１６】ガラス粉末としては、平均粒径０．１〜２
０μｍ、特に０．５〜１０μｍの結晶化または非結晶ガ
ラスいずれでもよく、例えば、ホウケイ酸亜鉛ガラス、
ホウケイ酸鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等のホ
ウケイ酸系ガラスやリチウムケイ酸系ガラス、シリカガ
ラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス等が挙げられる。

【００１７】上記ガラスとしては、中でもホウケイ酸系
ガラスやリチウムケイ酸系ガラスが熱膨張係数、強度等
の面で優れている。また、熱膨張係数、強度等に加え、
高周波帯にて使用する際には、誘電率、誘電損失、信号
伝送特性等を制御する上で結晶化ガラスを含有すること
が望ましく、例えば、焼成処理することによって、クォ
ーツ、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セル
ジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマ
イト、ペタライト、スラウソナイト、ディオプサイドや
その置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出するも
のであることが望ましい。

【００１８】また、セラミック粉末としては、平均粒径
０．１〜２０μｍ、特に０．５〜１０μｍのアルミナ、
窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ムライト、
フォルステライト、ジルコニア、チタニア、酸化亜鉛、
コージェライト、クォーツ、トリジマイト、クリストバ
ライト、スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）、ガーナイト（Ｚｎ
Ａｌ₂Ｏ₄）、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、ウイレ
マイト（Ｚｎ₂ＳｉＯ₄）、イルメナイト（Ｚｎ₂Ｔｉ
Ｏ₄）、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、Ｂａ
ＴｉＯ₃、ディオプサイド（ＣａＭｇＡｌＳｉ₂Ｏ₆）、
スラウソナイト（ＳｒＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈）、セルジアン
（ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈）、アノーサイト（ＣａＡｌ₂Ｓｉ
₂Ｏ₈）、Ｚｎ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、ドロマイト、ペタライ
ト、ゼオライトの群から選ばれる少なくとも１種である
ことが望ましい。

【００１９】また、上述のガラス粉末とセラミック粉末
とを所定の比率で混合したいわゆるガラスセラミックス
であってもよく、例えばアルミノホウケイ酸ガラス粉末
を３０〜９０重量％、特に６０〜９０重量％、セラミッ
クフィラーとしてＳｉＯ₂粉末を１０〜７０重量％、特
に１０〜４０重量％の割合で混合したものが好適に使用
できる。

【００２０】本発明によれば、上記ガラス粉末やセラミ
ック粉末に対して、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎの群から選ばれる
少なくとも１種の金属を添加することが大きな特徴であ
り、これら金属は後述のグリーンシートを加熱して焼成
する際に酸化反応を起こして体積膨張する結果、絶縁層
の焼成による収縮を抑制でき、絶縁層およびその表面に
形成される配線回路層の寸法精度を高めることができ
る。

【００２１】上記金属は、粉末状、繊維状等からなり、
さらには上記ガラスまたはセラミック粉末表面に被覆さ
れたものであってもよい。また、粉末である場合には、
平均粒径５μｍ以下、特に１μｍ以下、さらには０．５
μｍ以下であることが酸化反応を促進し、体積膨張効果
を高める点で望ましい。

【００２２】上述した原料に対し、所望により、有機バ
インダ、可塑剤、分散剤、溶媒等を添加して混合した
後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の公知の
成形方法によってシート状のグリーンシート１を作製す
る（図１（Ａ）参照）。

【００２３】このグリーンシート１にレーザーやパンチ
ングなどにより、直径５０〜２００μｍのビアホールを
形成し、その内部にＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｐｂ、Ｓｎの群から選ばれる少なくとも１種の金属
等の導体材料からなるビアホール導体２を形成する（図
１（Ｂ）参照）。

【００２４】具体的には、平均粒径１〜７μｍの上記金
属粉末を含有する導体ペーストを用いてスクリーン印刷
法等によってビアホール内に印刷充填する方法や、上記
金属からなる金属ボールやピンを前記ビアホールの位置
に合わせて載置した金型を準備し、所望によりビアホー
ルの他表面側から吸引した状態で金属ボールやピンを位
置合わせして、前記ビアホール内に前記金属ボールやピ
ンを埋設する方法によってビアホール内に導体を充填す
る。

【００２５】なお、上記金属ボールやピンからなるビア
ホール導体は、導体ペーストを用いる場合に比べて導体
密度が高いことから導体抵抗値が低く、かつ後述のグリ
ーンシート１の焼成によっても収縮しないというメリッ
トがある。

【００２６】また、前記導体ペーストには、アクリル系
樹脂、特にメタクリル系樹脂等の有機バインダと、テオ
ピネオール、ジブチルフタレート等が添加されることが
望ましい。

【００２７】一方、可撓性のある樹脂フィルム３表面に
厚み１〜１００μｍ、３〜２０μｍのＣｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種
からなる金属箔を接着剤によって全面に接着し、この金
属箔の表面に配線回路パターン４を形成するためのレジ
ストを塗布した後、エッチングおよびレジスト除去によ
って配線回路パターン４を形成する。

【００２８】この方法によれば、配線の切れやダレがな
く微細加工が可能であることから、例えば、配線幅を７
５μｍ以下、特に５０μｍ以下、配線間ピッチ７５μｍ
以下、特に５０μｍ以下と配線化することが可能であ
る。

【００２９】そして、上述したグリーンシート１の表面
に上記金属箔からなる配線回路パターン４を転写する
（図１（Ｃ）参照）。転写の方法としては樹脂フィルム
３の配線回路パターン４をビアホール導体２が形成され
たグリーンシート１表面の所定位置に位置合わせして積
層圧着した後、樹脂フィルム３を剥がすことによってビ
アホール導体２と接続した配線回路パターン４を具備す
る１単位の配線シートを形成することができ、これらの
グリーンシート１を積層圧着して積層体５を形成する
（図１（Ｄ）参照）。なお、積層体５中にはビアホール
導体２、配線回路パターン４を形成しないグリーンシー
ト１が積層されてもよい。

【００３０】次に、この積層体５を、例えば、２００〜
７５０℃の酸化雰囲気中で加熱処理してグリーンシート
内の有機成分を分解除去した後、例えば、８００〜１０
００℃に加熱して焼成するが、本発明によれば、この加
熱処理によりグリーンシート１内の金属を酸化させるこ
とによって体積膨張せしめることが重要である。

【００３１】なお、金属が酸化する温度はグリーンシー
ト１の収縮開始温度以下またはほぼ同一であることが望
ましいが、金属が酸化する温度がグリーンシートの収縮
開始温度よりも低い場合には、金属が酸化する温度領域
で配線回路パターン４の少なくともグリーンシート１と
接触する表面が一旦酸化膨張することが望ましく、この
場合には、その後の焼成によって前記酸化された配線回
路パターン４を再び還元処理すればよい。

【００３２】また、特定の金属は雰囲気中の酸素または
ガラス粉末やセラミック粉末中に存在する余剰の酸素に
よって酸化することができる。

【００３３】本発明によれば、上記焼成によっても、焼
成時のグリーンシート１と配線回路パターン４との収縮
差を小さくできる結果、クラックの発生等を防止するこ
とができる。

【００３４】また、焼成後、例えば、ＩＣチップなどの
各種電子部品７を搭載するためのパッドとして、シール
ド用導体膜として、さらには、外部回路と接続する端子
電極等として用いられる表面の配線回路層６を従来公知
の薄膜法、厚膜法等により別途形成してもよい。さら
に、電子部品７を表面の配線回路層７と半田や導電性接
着剤などを介して電気的に接合する（図１（Ｅ）参
照）。尚、図示していないが、必要に応じて、さらに珪
化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線
保護膜などを焼成後の積層体５表面に形成しても構わな
い。

【００３５】本発明によれば、グリーンシート１の面内
のみならず厚み方向の収縮をも制御できることから、層
間のパターン間に生じる浮遊容量や寄生容量の制御が正
確に見積もれるという効果もある。

【００３６】なお、本発明によれば、必ずしも前記グリ
ーンシート全てに金属を添加する必要はなく、前記グリ
ーンシートの一部のみに金属が添加されていてもよい。
そこで、本発明の多層配線基板の製造方法について、第
２および第３の実施態様の工程の一部を図２および図３
に示した。

【００３７】図２によれば、上記第１の実施態様におけ
る所定の金属を添加した第１のグリーンシート１０に加
えて前記所定の金属を添加しない特定の組成からなる第
２のグリーンシート１１を作製し、第１の実施態様と同
様にビアホール導体および配線回路層を形成した後、こ
れらを積層して積層体１２を形成して、焼成することに
より、前記第１の実施態様と同様に多層配線基板を作製
できる。なお、第１のグリーンシート１０と第２のグリ
ーンシート１１とは、焼成後同じ組成となるように調整
されることが望ましい。

【００３８】図２によれば、積層体１２の両方の最外
層、すなわち両表層部が所定の金属を含有する第１のグ
リーンシート１０となるように積層されており、これに
よって積層体１２の両表層が焼成によっても収縮しない
結果、これに拘束されて配線基板全体の焼成収縮をも抑
制することができる。

【００３９】また、図２によれば、積層体１２の中央部
付近にも所定の金属を含有する第１のグリーンシート１
０が積層されており、これによって積層体１２の中央部
付近の収縮をも抑制でき配線基板全体、すなわち表層部
および内部の収縮率差をなくすことができる。

【００４０】なお、図２によれば、表層部および内部に
第１のグリーンシートを各１層づつ配設したが、本発明
はこれに限られるものではなく、複数層配設してもよ
い。

【００４１】また、図３によれば、第２の実施態様にお
ける所定の金属を含有する第１のグリーンシート１５お
よび所定の金属を含有しない第２のグリーンシート１６
の２種類のグリーンシート１５、１６に加えて、これら
２種類のグリーンシート１５、１６の焼結温度において
も焼結収縮しないセラミック粉末を主成分とする第３の
グリーンシート１８を作製し、第２の実施態様における
積層体の最外層、すなわち表層部に位置する第１のグリ
ーンシート１０に代えて第３のグリーンシート１８を積
層する以外は、第２の実施態様と全く同様にして作製
し、焼成後、第３のグリーンシートの残留物である前記
セラミック粉末等を除去することによって多層配線基板
を作製することができる。

【００４２】これによっても、上記第２の実施態様と同
様に表層および内部の焼成による収縮を防止できる。

【００４３】なお、上記態様についてはガラスセラミッ
クスについて説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、アルミナ質セラミックス等のセラミックス
からなる配線基板を作製する際に絶縁基板の原料中に上
記特定の金属を添加し、これを加熱処理時に体積膨張せ
しめて絶縁基板の寸法変化を抑制することも可能であ
る。

【００４４】

【実施例】（実施例１）先ず、平均粒径２μｍのＳｉ−
Ａｌ−Ｂ−Ｃａ−Ｚｎ−Ｏからなるアルミノホウケイ酸
ガラス（ガラスＡ）粉末または平均粒径２μｍのＳｉ−
Ｂａ−Ｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ａｌ−Ｏからなるバリウムホウ
ケイ酸ガラス（ガラスＢ）粉末と、平均粒径１．５μｍ
の表１に示すセラミック粉末と、平均粒径０．５μｍの
表１に示す金属とを表１の割合で秤量し、それに、バイ
ンダーとしてアクリル樹脂、可塑剤としてＤＢＰ（ジブ
チルフタレート）、溶媒としてトルエンとイソプロピル
アルコールを加えて調製したスラリーを用いて、ドクタ
ーブレード法により厚さ２００μｍのグリーンシートを
作製した。

【００４５】上記グリーンシートの所定の個所にパンチ
ングにより直径１００μｍのビアホールを形成し、その
ビアホール内に金型表面に載置したＡｇピンまたはＣｕ
ピンを前記グリーンシートの他表面を吸引しながら前記
グリーンシートのビアホール内に充填した。

【００４６】次に樹脂フィルムにＡｇ箔またはＣｕ箔を
接着し、エッチングを行った後、配線回路パターンを形
成し、樹脂フィルムを作製した。配線幅は０．０５ｍｍ
としたが、エッチングによる形成のため従来のスクリー
ン印刷法と比較して、より微細な配線回路パターンを形
成することができた。そして、このビアホールが形成さ
れたグリーンシート表面にビアホールの位置あわせを行
いながら上記樹脂フィルムの配線回路パターンを載置
し、６０℃、２０ＭＰａで熱圧着した後、樹脂フィルム
を剥がすことにより、グリーンシート表面に配線回路層
を被着形成した。

【００４７】そして、上記グリーンシートを５枚積層し
た積層体を形成し、次いで、酸化性雰囲気中、７００℃
で脱バインダ処理を行った後、９００℃にて焼成を行
い、多層配線基板を作製した。なお、導体としてＣｕを
用いた場合には焼成を還元性雰囲気にて行った。

【００４８】得られた多層配線基板について、表層と中
央部での絶縁基板の寸法を測定し、収縮率を算出し、表
１に示した。また、配線回路層の導通抵抗の評価を行っ
た。評価については、幅０．０５ｍｍ、長さ２０ｍｍの
ＡｇまたはＣｕ配線回路層を予め形成し、配線抵抗を測
定し、Ａｇ配線回路層の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）、Ａｇ配線の長さを４０倍の顕微鏡を用いて測定
し、得られた断面積、長さから見積もって比抵抗を算出
した。

【００４９】

【表１】

【００５０】表１から明らかなように、グリーンシート
内に特定の金属を含有しない試料Ｎｏ．１３、１４で
は、グリーンシートの焼成による寸法変化率が大きいも
のであり、また、中でも配線回路層をＡｇからなる金属
箔にて形成した試料Ｎｏ．１３では、絶縁基板側にクラ
ックが発生してしまった。

【００５１】これに対して、本発明に従い、グリーンシ
ートに特定の金属を含有する試料Ｎｏ．１〜１２では、
いずれも寸法変化率が小さく、かつ比抵抗も低いもので
あった。

【００５２】（実施例２）実施例１の試料Ｎｏ．２のグ
リーンシート（第１のグリーンシート）以外に、アルミ
ノホウケイ酸ガラス粉末５５重量％と、ＳｉＯ₂粉末４
５重量％と、実施例１と同様の有機物成分を添加してス
ラリーおよび他のグリーンシート（第２のグリーンシー
ト）を作製した。

【００５３】一方、平均粒径２μｍのＡｇまたはＣｕ粉
末に有機バインダーとしてアクリル樹脂と、溶媒として
ＤＢＰとを添加混練してペーストを作製し、スクリーン
印刷法によって前記ビアホール導体内に前記ペーストを
充填したビアホール導体を作製した後、実施例１と同様
に第２のグリーンシート表面に転写法によって配線回路
層を形成した。

【００５４】そして、両表面と中央部３層を第１のグリ
ーンシートにて形成し、それ以外は第２のグリーンシー
トにて構成した５層の積層体を作製し、実施例１と同様
に加熱して多層配線基板を作製した。

【００５５】得られた多層配線基板について、実施例１
と同様に寸法変化率を測定したところ、表層９９．１
％、中央部９９．２％と寸法変化率の小さく、また、比
抵抗も１．９μΩ・ｃｍと低いものであった。

【００５６】（実施例３）実施例２の積層体において両
面に形成した第１のグリーンシートをアルミナ粉末に実
施例１の有機物を添加して実施例１と同様に作製したグ
リーンシート（第３のグリーンシート）に代える以外は
実施例１と同様に焼成した後、溶剤中で洗浄して未焼結
のアルミナ粒子を除去することによって多層配線基板を
作製した。

【００５７】得られた多層配線基板について、実施例１
と同様に寸法変化率を測定したところ、表層９９．８
％、中央部９９．５％と寸法変化率の小さく、また、比
抵抗も１．９μΩ・ｃｍと低いものであった。

【００５８】（実施例４）平均粒径２μｍのアルミナ粉
末に対して、ＭｇＯとＣａＯとを焼結助剤として添加
し、また金属Ａｌを添加した混合粉末を用いて実施例１
と同様にグリーンシートを作製した後、該グリーンシー
ト内部および表面にタングステンを含有するペーストを
用いてスクリーン印刷法によってビアホール導体および
配線回路層を形成し、実施例１と同様に積層した後、１
６００℃にて焼成する以外は実施例１と同様に配線基板
を作製したところ、寸法変化率９６．５％と寸法変化率
が小さく、また比抵抗３．５Ωと良好な特性を示した。

【００５９】

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の多層配線
基板の製造方法によれば、少なくとも１層の絶縁層を形
成する原料中に、加熱によって酸化反応を起こし体積膨
張する金属を添加し、焼成時に該金属を酸化反応させ体
積膨張を生じせしめることによって該絶縁層の焼成収縮
を抑制でき、容易に前記絶縁層の寸法精度を高めること
ができる。

【００６０】また、配線回路層を金属箔にて形成するこ
とによって、ファインピッチの配線回路層が形成でき、
さらに、ビアホール導体として金属塊、金属球を用いる
ことによりビアホール導体の抵抗を低下させることがで
きる。

【００６１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の製造方法の第１の実施
態様を説明するための工程図である。

【図２】本発明の多層配線基板の製造方法の第２の実施
態様を説明するための一部工程図である。

【図３】本発明の多層配線基板の製造方法の第３の実施
態様を説明するための一部工程図である。

【図４】従来の多層配線基板の概略断面図を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１グリーンシート２ビアホール導体３樹脂フィルム４配線回路パターン５積層体６表面の配線回路層７電子部品

フロントページの続きＦターム(参考） 5E317 AA24 BB04 BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB25 CC08 CC25 CD21 CD27 CD32 CD34 GG14 5E343 AA02 AA24 AA27 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48 BB49 BB66 BB67 BB68 BB72 DD02 DD57 ER12 ER52 FF08 FF11 GG08 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA29 AA32 AA43 AA54 BB01 CC16 CC17 CC18 CC19 CC31 CC32 CC37 CC38 CC39 DD12 DD43 DD44 EE24 EE26 EE27 EE28 EE29 FF05 FF07 FF18 FF33 FF35 FF37 GG03 GG04 GG05 GG06 GG08 GG09 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（a）ガラス粉末および／またはセラミッ
ク粉末と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌのうち少なくとも1種の金
属を含有するグリーンシートを作製する工程と、（ｂ）
前記グリーンシートの表面に配線回路層を形成する工程
と、（ｃ）前記グリーンシートを積層する工程と、
（ｄ）該積層体を加熱して前記金属の酸化反応により体
積膨張させるとともに、焼成、緻密化する工程とを具備
することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】（ａ）ガラス粉末および／またはセラミッ
ク粉末と、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌのうち少なくとも1種の金
属とを含有する第１のグリーンシートと、ガラス粉末お
よび／またはセラミック粉末を含有する第２のグリーン
シートとを作製する工程と、（ｂ）前記第１および／ま
たは前記第２のグリーンシートの表面に配線回路層を形
成する工程と、（ｃ）前記第１のグリーンシートと前記
第２のグリーンシートとを積層する工程と、（ｄ）該積
層体を加熱して前記金属の酸化反応により体積膨張させ
るとともに、焼成、緻密化することを特徴とする多層配
線基板の製造方法。
【請求項３】前記（ｃ）工程において、少なくとも前記
積層体のグリーンシートの最外層が前記第１のグリーン
シートからなることを特徴とする請求項２記載の多層配
線基板の製造方法。
【請求項４】前記（ｃ）工程において、前記積層体のグ
リーンシートのうち内部に位置する少なくとも１層が前
記第１のグリーンシートからなることを特徴とする請求
項２または３記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】前記配線回路層が、金属箔からなることを
特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の多層配線基
板の製造方法。
【請求項６】前記金属箔がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも一種以上であることを
特徴とする請求項５記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】樹脂フィルム表面に配線回路層パターンを
形成し、前記第１または第２のグリーンシート表面の所
定位置に前記配線回路層パターンを圧接して前記樹脂フ
ィルムを剥がすことによって前記第１または第２のグリ
ーンシート表面の所定位置に前記配線回路層を被着形成
することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の
多層配線基板の製造方法。
【請求項８】前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程との間
に、前記グリーンシートにビアホール導体を形成する工
程を具備することを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
か記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】金属粉末を含有する導体ペーストをビアホ
ール内に充填することによって前記ビアホール導体を形
成することを特徴とする請求項８記載の多層配線基板の
製造方法。
【請求項１０】ビアホール内に金属塊または金属球を埋
め込むことによって前記ビアホール導体を形成すること
を特徴とする請求項８記載の多層配線基板の製造方法。