JP4911829B2

JP4911829B2 - セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JP4911829B2
Application number: JP2001086034A
Authority: JP
Inventors: 誠一郎平原; 辰治古瀬; 秀司中澤; 晃井本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2012-04-04
Anticipated expiration: 2021-03-23
Also published as: JP2002290040A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線導体層が表面に形成されたセラミック配線基板において、平面方向での焼成収縮を抑制するとともに、焼成に伴うクラック等の発生を抑制して、寸法精度の高い配線基板を安定に歩留りよく形成するための製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミック配線基板は、例えば、アルミナ等のセラミック層間にＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体を形成して構成されており、その表面にＬＳＩ等の半導体素子を実装した配線基板として用いられてきた。
【０００３】
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達及び普及に伴い、通信機器や電子機器等の小型化、高機能化、低価格化、低電力化等が進められ、ＡｕやＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の低融点、低抵抗の導体材料と、ガラスセラミックス等の低温焼成セラミックスにより、共振器、コンデンサ、コイル、フィルタ等が形成されたセラミック配線基板が用いられてきている。
【０００４】
このような配線基板において、基板に形成される素子は、セラミック絶縁層上に導体材料によって形成される配線導体層や電極パッド等の寸法によって性能が左右される。寸法精度を劣化させる要因としては、焼成収縮率のバラツキが大きく、特に、低温焼成セラミックスの焼成収縮率は、１３〜２０％程度と大きいため、収縮率のバラツキにより、寸法精度が著しく劣化する。
【０００５】
そこで、近年においては、配線基板の未焼成の積層成形体をＡｌ₂Ｏ₃基板等で挟持して焼成する加圧焼成法（特開昭６２−２６０７７７号公報）や、未焼成の積層成形体の表面に、この積層成形体の焼成温度では焼結しないセラミックシートを積層し、焼成後にそれを削り取る方法（特開平４−２４３９７８号公報）によって、配線基板のＸ−Ｙ方向における焼成収縮率をほとんど零にし、焼成収縮率のバラツキによる寸法精度の劣化を防止する方法が採用されてきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記のような収縮抑制方法において、未焼成のセラミックシートの積層成形体の表面に導体ペーストなどの導体材料を塗布して積層成形体と同時焼成によって配線導体層を形成する場合、この積層成形体の表面に焼成温度では焼結しないセラミックシートを積層して焼成すると、配線導体層の端部からセラミック層にクラックが生じやすいといった問題がある。
【０００７】
特に、配線基板を量産する場合、一枚のセラミックシートに同一パターンの回路を複数箇所に形成し、その回路間に分割溝を設けておいて、焼成後に分割溝にそって分割することによって、一度の焼成によって複数の配線基板を作製することも行われているが、このような量産型の積層成形体の表面に焼成温度で焼成しないセラミックシートを積層して焼成する場合、上記のクラックの発生等によって歩留りが大きく低下し、さらには積層表面に配線導体層を形成することによって焼成収縮の拘束力に部分的なバラツキが発生しやすくなり、その結果、寸法精度に優れた良好な配線基板を得ることが難しくなり、製造歩留りが低いという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みて案出されたものであり、平面方向での焼成収縮を抑制するとともに、焼成に伴うクラック等の発生を抑制して、かつ寸法精度の高い配線基板を安定に歩留りよく形成するためのセラミック配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
本発明のセラミック配線基板の製造方法は、未焼成のセラミックシートＡを作製する工程と、該セラミックシートＡの表面に金属粉末を含む導体材料を塗布して配線導体層を形成する工程と、該配線導体層を形成した前記未焼成セラミックシートＡを積層して積層成形体を作製する工程と、該積層成形体の少なくとも一方の表面に焼成温度で焼成収縮しないセラミックシートＢを積層する工程と、前記セラミックシートＡおよび前記セラミックシートＢの積層体を所定の前記焼成温度で焼成する工程と、焼成後に前記セラミックシートＢを除去する工程と、を具備するセラミック基板の製造方法において、前記導体材料として、焼成による体積収縮率が１０％以下のものを用い、前記セラミックシートＡの前記積層成形体の前記セラミックシートＢとの積層界面に形成される前記配線導体層の面積を全体面積の３０％以上かつ７０％以下とすることによって、配線導体層の形成による焼成収縮挙動への影響を抑制し、クラックなどの発生を防止できるとともに、反りが小さく、かつ寸法精度の高い配線基板を歩留りよく製造することができる。
【００１０】
なお、前記セラミックシートＢの焼成収縮開始温度が焼成温度よりも高いことが寸法精度を高める上で望ましい。
【００１１】
また、生産性と歩留りを高めるために、前記積層成形体は、製品個体を複数個含むことが望ましく、前記積層成形体の少なくとも表面に、分割溝を形成し、焼成後に分割溝に沿って分割することが望ましい。その場合、前記積層成形体の外周に、分割しろが形成されてなり、この分割しろの部分も含めてセラミックシートＢによって焼成を抑制されることが望ましく、その前記分割しろの最小幅が、基板全体の対角線全長の５％以上であることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のセラミック配線基板の製造方法の一例の工程図を図１に示した。
【００１３】
図１の製造方法によれば、まず、所定のセラミック組成物に有機バインダーおよび溶剤とともに混合してスラリーを調製し、このスラリーを用いて、周知のドクターブレード法、圧延法等によってシート状に成形して、図１（ａ）に示すように厚さ約５０〜５００μｍの未焼成のセラミックシート（セラミックシートＡ）１ａを作製する。そして、このセラミックシート１ａにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する。
【００１４】
導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ等の金属成分と、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機バインダー、トルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを混合して形成される。有機バインダーは金属成分１００重量部に対して０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は固形成分及び有機バインダー１００重量部に対して５〜１００重量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ビアホール導体２を形成したセラミックシート１ａの表面に、配線導体層３を形成して、ビアホール導体２および配線導体層３を具備する一単位のセラミックシート１ａを形成することができる。
【００１６】
この配線導体層３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌの群から選ばれる少なくとも１種の金属粉末を含む導体材料をペースト化したものを用いてスクリーン印刷法等により形成することができる。この導体材料中には、配線導体層３とセラミック絶縁基板との界面における接合強度を向上させるため、あるいは導体層３とセラミックシート１ａとの焼結収縮率及び速度を一致させ配線基板の変形を防止するために１０重量％以下のガラスを添加することが望ましい。また、ペーストに用いるビヒクル中のバインダーには、セラミックシート１ａと同様に窒素雰囲気中での熱分解性に優れた前述したようなアクリル系樹脂を用いるのがよい。
【００１７】
また、この配線導体層３は焼成後の厚みが３〜３０μｍ、特に１０〜２０μｍとなるような厚みで印刷することが望ましい。
【００１８】
そして、上記の図１（ａ）（ｂ）によって形成されたセラミックシート１ａに対して、上記（ａ）（ｂ）と同様にして作製された複数のセラミックシート１ｂ〜１ｃを積層圧着して図１（ｃ）に示すような積層成形体１０を形成する。セラミックシート１ａ〜１ｃの積層には、積み重ねられたセラミックシート１に熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００１９】
次に、セラミックシート１ａ〜１ｃの積層体の焼成温度では焼結しない難焼結性のセラミック組成物を用いてドクターブレード法や圧延法などによって、前記セラミックシート１ａ〜１ｃと同一以上の大きさのセラミックシート（セラミックシートＢ）４（以下、単に拘束シート４という。）を作製する。そして、図１（ｄ）に示すように、この拘束シート４をセラミックシート１ａ〜１ｃの積層成形体１０の両面又は片面に加圧積層する。
【００２０】
そして、上記積層体を１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の酸化性または弱酸化性雰囲気中で加熱処理してセラミックシート１ａ〜１ｃ内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、セラミックシート１ａ〜１ｃが焼結し得る温度、例えば、８００〜１１００℃の酸化性または非酸化性雰囲気中で焼成し、セラミックシートとともに導体層３やビアホール導体２をも同時に焼成する。また、導体層３としてＣｕ導体を用いる場合、非酸化性雰囲気で焼成し、導体層３としてＡｇ導体を用いる場合、大気中等の酸化性雰囲気で焼成することができる。
【００２１】
かかる焼成によれば、セラミックシート１ａ〜１ｃは、この焼成温度で焼結しない拘束シート４が密着していることによって、Ｘ−Ｙ方向への焼成収縮が抑制され、セラミックシート１ａ〜１ｃは厚さ方向（Ｚ方向）にのみ焼成収縮する。
【００２２】
そして、焼成後の積層体から、図１（ｅ）に示すように、焼成後のセラミックシート１ａ〜１ｃの積層体の最表面に形成された拘束シート４を超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等で除去することによって配線基板を作製することができる。
【００２３】
本発明によれば、上記のセラミック配線基板の製造方法において、セラミックシート１ａ〜１ｃからなる積層成形体の最表面に形成された配線導体層３の面積が、積層成形体の面積の３０％以上かつ７０％以下、特に６０％以下であることが重要である。拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの積層界面においては、拘束シート４によってセラミックシート１ａ、１ｃの面方向への焼成収縮が拘束されているが、この拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの間に配線導体層３が存在する場合、その部分における拘束シート４による拘束力は、配線導体層３を形成していない領域と異なり、場合によっては拘束力が弱くなり、この拘束力の差によって配線導体層３の端部からセラミックシート１ａ、１ｃにクラック等の構造欠陥が生じ易くなる。これに対して、この配線導体層３の面積を７０％以下（３０％以上）とすることによって、このようなクラックの発生を防止することができるとともに、拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの積層界面における拘束力を均一化することができる。
【００２４】
また、この拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの界面に存在する配線導体層３を焼成体積収縮率が１５％以下の導体材料によって形成することが望ましい。これは、導体材料の焼成による体積収縮率が１５％を超えると、導体材料自体のＸ−Ｙ方向の焼成収縮が大きくなりすぎ、拘束シート４とセラミックシート１ａ、１ｃとの界面におけるＸ−Ｙ方向の焼成収縮の拘束力が不均一となり、配線導体層３の近傍のセラミックシートにクラック等が生じやすくなったり、セラミックシートが反るなどの問題が生じやすくなる。とりわけ、基板の反り、歪みの観点から、導体材料の焼成による体積収縮率は１０％以下であることが望ましい。
【００２５】
また、本発明によれば、拘束力の均一化と、拘束シートとの界面に形成される配線導体層付近でのクラックの発生を抑制することができるために、１つの積層成形体内に、複数の製品個体が形成されており、焼成後に各製品個体を分割する場合において、１つの積層成形体から多くの良品となる製品を得ることができる。
予め分割溝を形成し、焼成後に分割溝に沿って、分割することによって一度の焼成処理によって複数個の配線基板を作製する場合に有用である。
【００２６】
即ち、図２の積層成形体の（ａ）平面図、（ｂ）焼成時の状態を示す概略断面図に示すように、積層成形体１０の表面や内部に、複数の同一の配線導体層１１のパターンを形成し、そのパターン群の境界部に縦横に分割溝１２を形成する。この分割溝１２は、研削加工やプレス処理によって容易に形成することができる。また、この分割溝１２は、製品となる領域の周囲に、分割しろ１３が形成されていることが望ましい。この分割しろ１３には、できる限り導体層を形成しないことが望ましい。
【００２７】
そして、図２（ｂ）に示すように、この表面に分割溝１２を有する積層成形体１０の表面に、分割しろ１３を含む積層成形体１０表面全体に拘束シート１４を積層圧着して焼成することが望ましい。これによって、配線導体層がない、あるいは非常に少ない分割しろ１３と拘束シート１４が強固に結合するために、積層成形体１０の周囲が拘束シート１４によって拘束されているために、積層成形体１０全体の拘束力を均一化することができる。なお、分割しろ１３による拘束力の均一化を図る上で、分割しろ１３の幅Ｘは、積層成形体１０の対角線全長Ｌの５％以上、特に１０％以上の幅を有することが望ましい。
【００２８】
また、分割溝１２による製品となる配線基板の配置は、Ｘ軸−Ｙ軸方向に均等に配置することが拘束力の均一性の点殻望ましく、例えば、２×２、３×３、４×４・・・のｎ×ｎの配列にて配置することが望ましい。
【００２９】
本発明において、配線基板のセラミックシートを形成するセラミック組成物としては、銅、銀等の低抵抗導体によって回路形成ができるとともに、概して誘電率が低い等の長所から、８００〜１０５０℃の低温で焼結可能な低温焼成セラミック組成物が好適に用いられる。このような低温焼成セラミック組成物としては、例えばガラス成分、あるいはガラス成分とセラミックフィラー成分との混合物が用いられる。
【００３０】
用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００３１】
また、これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出するものが用いられる。
【００３２】
また、セラミックフィラー成分としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ₂や、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられる。
【００３３】
上記ガラス成分とセラミックフィラー成分とは、ガラス成分１０〜９０体積％、特に５０〜８０体積％と、セラミックフィラー成分１０〜９０体積％、特に２０〜５０体積％の割合で混合したものが用いられる。
【００３４】
また、他の低温焼成セラミック組成物としては、ガラス成分を用いずに、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、ＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏなどのアルカリ金属酸化物などを混合した公知の低温焼成セラミック組成物を用いることもできる。
【００３５】
上記セラミック組成物を用いて積層成形体を形成する方法として、前述したように、複数のセラミックシートを作製し、それらを積層して形成する以外に、所定の支持基板上にセラミック組成物と光硬化性樹脂を含有するスリップ材を塗布乾燥し、露光して硬化させてセラミックシートを形成し、このセラミックシートの表面に導体材料を塗布形成して配線導体層を形成し、これを複数繰り返すことによって積層成形体を作製することもできる。
【００３６】
また、本発明の配線基板の製造方法において用いられる拘束シート４は、難焼結性セラミック材料を主体とするセラミック組成物に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料としては、焼成収縮開始温度が焼成温度よりも高いことが望ましく、具体的には焼成収縮開始温度が１０５０℃以上のセラミック組成物から構成される。例えば、具体的には平均粒径１〜２０μｍ、特に３〜１０μｍのＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、ＢＮ、ＴｉＯ₂の群から選ばれる少なくとも１種および／またはこれらの複合酸化物（Ｍｇ₂ＳｉＯ_4、ＭｇＳｉＯ₃など）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはセラミックシートに配合されたものと同じもの、具体的にはアクリル系バインダー、ジブチルフタレート等の可塑剤、イソプロピルアルコール、アセトン、トルエン等の溶剤等が好適に使用できる。
【００３７】
また、上記のセラミック組成物中には、ガラス成分を０．５〜１５重量％添加することによって積層成形体の表面との拘束力を高めることができる。用いるガラス成分としては、セラミックシート１からの有機成分の除去性、セラミックシート１と拘束シート４との接着性を高める上で、ガラス軟化点が焼成温度以下で、かつ拘束シート４中の有機成分の分解揮散温度よりも高いこと、特に４５０〜１０５０℃程度であることが好ましい。
【００３８】
また、セラミックシート１を焼成した後の焼結体と拘束シート４との４０〜４００℃における平均熱膨張係数差（以下、単に平均熱膨張係数差と略す。）が３×１０^-6／℃以下、特に２×１０^-6／℃以下であることが望ましく、特に拘束シート４の熱膨張係数が焼結体の熱膨張係数よりも大きいことが望ましい。これによって焼成後の冷却時に拘束シート４接着面付近にクラックや剥離が発生したり、またはセラミック焼結体内にクラックが発生するのを防止することができる。拘束シート４の熱膨張係数は、難焼結性セラミック材料およびガラスの種類および粉末の粒径等を変えることによって容易に調整することができる。
【００３９】
上記方法によって得られる配線基板は、焼成時の収縮が拘束シート４によって厚さ方向だけに制御されているので、その積層成形体のＸ−Ｙ方向の面内の収縮率を、例えば、積層成形体が矩形形状の場合には、一辺の長さの収縮率を０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもセラミックセラミックシート１は拘束シート４によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート４の一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止し、寸法精度の高い配線基板を安定に且つ歩留りよく製造することができる。
【００４０】
【実施例】
モル比で０．９２ＭｇＴｉＯ₃−０．０８ＣａＴｉＯ₃の主成分１００重量部に対して、Ｂ₂Ｏ₃１４重量部、Ｌｉ₂ＣＯ₃７重量部、ＳｉＯ₂０．０１重量部、ＢａＯ１．６重量部、Ａｌ₂Ｏ₃０．５重量部、ＭｎＯ₂１．５重量部添加したセラミック組成物を用いて、有機バインダーを加えてスラリーを調製し、ドクターブレード法によって厚さ２５０μｍ、焼成収縮開始温度が８３０℃の未焼成のセラミックシートＡを作製した。
【００４１】
上記のセラミックシートＡの表面に、Ａｇおよびガラスと、有機バインダーと分散剤および溶剤からなる導体ペーストを用いて、所定の回路パターンにスクリーン印刷した。なお、この導体ペーストの焼成温度での焼成収縮率を測定した結果、８％であった。そして、このセラミックシートを積層して積層成形体を作製した。
【００４２】
この時、導体ペーストによる拘束シートと接する積層成形体表面の配線導体層の面積を積層成形体の表面全体に対する比率を表１のように種々変えた。
【００４３】
なお、この積層成形体表面の回路は、縦方向に３個、横方向に３個並ぶように製品個体の個々の回路を形成し、積層成形体の製品個体間には分割溝を金型プレスを用いて形成した。また、積層成形体の周囲には、積層成形体の対角線全長の０〜２０％の幅の分割しろを形成した。
【００４４】
一方、拘束シートとして、平均粒径２μｍのＡｌ_２Ｏ_３粉末を主成分とするセラミック組成物を用いて、有機バインダーを加えてスラリーを調製し、ドクターブレード法によって厚さ２００μｍ、焼成収縮開始温度が１５００℃の未焼成のセラミックシートＢを作製した。
【００４５】
そして、上記の積層成形体の上面、下面にセラミックシートＢを積層圧着した後、１５０〜３００℃で脱バインダー処理した後、大気中で９１０℃で１時間焼成した。その後、ブラシを用いてセラミックシートＢを掻き落として除去した。
【００４６】
そして、分割溝に沿って基板を分割して１枚の基板から９枚の配線基板を得た。
【００４７】
一方、比較として、焼成収縮挙動が異なる層に、ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ₂Ｏ₃ガラスとＺｒＯ₂或いはＡｌ₂Ｏ₃から成る平均粒径が約１μｍのセラミック材料を用いて同様に作製した。
【００４８】
作製した配線基板に対して、面方向の収縮率（Ｘ、Ｙ方向の収縮率の平均値）を測定し、試験数９０個に対して、収縮率が０．５％以下のものを良品としてその良品率を表１に示した。
【００４９】
また、配線基板の反りについて、個々の配線基板について表面粗さ計で基板表面の表面粗さを測定し、最大最小の差を反りとして試験数９０個の平均値を表１に記載した。
【００５０】
また、個々の配線基板の側面、表面、あるいは研磨して研磨面を金属顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってクラックの有無を調べ、クラックの発生率を表１に示した。
【００５１】
【表１】

【００５２】
表１に示したこれらの結果から、本発明に基づいた配線基板は、クラックがなく、あるいは反り（平坦性）に問題なく、焼成収縮率を小さく出来ることが判る。一方、本発明の範囲外である積層界面に形成された配線導体層の面積が、全体面積の７０％よりも大きい配線基板にはクラックが生じたり、反りが大きい、あるいは収縮が大きく、良品率が低下した。
【００５３】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、拘束シートによって積層成形体の平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成するにあたり、界面に存在する配線導体層の面積を制御することによって、クラックの発生や剥離などの発生を抑制しつつ、１つの基板から複数個の製品個体となる配線基板を作製する場合においても拘束力の均一化を図り、良品率の高い歩留りの高い寸法精度に優れた配線基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】本発明のセラミック配線基板を１枚の基板から複数の配線基板を得る場合の（ａ）積層成形体の平面図と、（ｂ）焼成時の状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｃセラミックシート
２ビアホール導体
３配線導体層
４拘束シート
１０積層成形体
１１配線導体層
１２分割溝
１３分割しろ

Claims

未焼成のセラミックシートＡを作製する工程と、該セラミックシートＡの表面に金属粉末を含む導体材料を塗布して配線導体層を形成する工程と、該配線導体層を形成した前記未焼成セラミックシートＡを積層して積層成形体を作製する工程と、該積層成形体の少なくとも一方の表面に焼成温度で焼成収縮しないセラミックシートＢを積層する工程と、前記セラミックシートＡおよび前記セラミックシートＢの積層体を所定の前記焼成温度で焼成する工程と、焼成後に前記セラミックシートＢを除去する工程と、を具備するセラミック基板の製造方法において、前記導体材料として、焼成による体積収縮率が１０％以下のものを用い、前記セラミックシートＡの前記積層成形体の前記セラミックシートＢとの積層界面に形成される前記配線導体層の面積を、全体面積の３０％以上かつ７０％以下とすることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
前記セラミックシートＢの焼成収縮開始温度が前記焼成温度よりも高いことを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の製造方法。
前記積層成形体は、製品個体を複数個含むことを特徴とする請求項１または請求項２記載のセラミック基板の製造方法。
前記積層成形体の少なくとも表面の各製品個体との境界に分割溝が形成されていることを特徴とする請求項３記載のセラミック基板の製造方法。
前記積層成形体の外周に、分割しろが形成されてなる請求項３または請求項４記載のセラミック基板の製造方法。
前記分割しろの最小幅が、基板全体の対角線全長の５％以上であることを特徴とする請求項５記載のセラミック基板の製造方法。